KR100812293B1 - A method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

폴리머로 된 유기 EL 재료의 막을 위치 벗어남 없이 정밀하게 높은 스루풋으로 성막하는 박막 형성 장치를 제공한다. Precision without departing from position a film of an organic EL material as a polymer that provides a thin film forming apparatus for forming a high throughput. 화소부가 뱅크에 의해 다수의 화소 열으로 분할되고, 박막 형성 장치의 헤드부가 화소 열들을 따라 이동하여, 도포액(R), 도포액(G), 및 도포액(B)을 각각 줄무늬 형상으로 동시에 도포할 수 있다. Is divided into a plurality of columns of pixels by a pixel section bank, in addition to the head of a thin film forming apparatus moves along the columns of pixels, at the same time, the coating liquid (R), the coating liquid (G), and the coating liquid (B) with each stripe-shaped It can be applied. 그 다음, 이들 도포액을 가열함으로써, 적, 녹, 청의 각 색의 광을 발광하는 발광층들이 형성될 수 있다. That by then heating these coating liquids, the red, green, and may be a light emitting layer are formed for emitting light of each color of red rusting.
반도체장치 제작방법, 박막트랜지스터, 유기 EL 재료, 줄무늬 형상, The semiconductor device manufacturing method, a thin film transistor, an organic EL material, stripe-shaped,

Description

반도체장치 제작방법{A method for manufacturing a semiconductor device} The semiconductor device manufacturing method A method for manufacturing a semiconductor device {}

도 1(A) 및 도 1(B)는 박막 형성 장치를 나타내는 도면. Figure 1 (A) and 1 (B) is a view showing a thin-film forming apparatus.

도 2(A)∼도 2(C)는 유기 EL 재료의 도포공정을 나타내는 도면. Figure 2 (A) ~ FIG. 2 (C) are views showing a coating step of an organic EL material.

도 3(A) 및 도 3(B)는 유기 EL 재료의 도포공정을 나타내는 도면. Figure 3 (A) and 3 (B) is a view showing a coating step of an organic EL material.

도 4(A) 및 도 4(B)는 유기 EL 재료의 도포공정을 나타내는 도면. Figure 4 (A) and 4 (B) is a view showing a coating step of an organic EL material.

도 5는 박막 형성 장치를 나타내는 도면. Figure 5 is a view showing a thin-film forming apparatus.

도 6은 박막 형성 장치를 나타내는 도면. Figure 6 is a view showing a thin-film forming apparatus.

도 7은 유기 EL 재료의 도포공정을 나타내는 도면. Figure 7 is a view showing a coating step of an organic EL material.

도 8(A)∼도 8(C)는 박막 형성 장치에 제공된 헤드부의 구성을 나타내는 도면. Figure 8 (A) ~ FIG. 8 (C) is a view of the head of the component part provided in the film forming apparatus.

본 발명은, EL(Electro Luminescence: 전계발광)을 발생할 수 있는 발광성 재료, 특히 발광성 유기재료(이하, 유기 EL 재료라 칭함)가 양극과 음극 사이에 배치된 구조를 가지는 EL 소자의 제작에 사용되는 박막 형성 장치를 이용한 반도체장치 제작방법에 관한 것이다. The present invention, EL (Electro Luminescence: electric field light emission), the number of luminescent material, particularly a luminescent organic material (hereinafter referred to an organic EL material) which occur are used in the production of an EL element having a structure disposed between the anode and the cathode It relates to a semiconductor device manufacturing method using a thin film deposition system.

최근, 유기 EL 재료의 EL 현상을 이용한 자기발광 소자로서 EL 소자를 사용한 표시장치(EL 표시장치)의 개발이 진행되고 있다. Recently, development of a display device (EL display device) using an EL element as a self light emitting device using the procedure proceeds the EL phenomenon of an organic EL material. EL 표시장치는 자기발광형이기 때문에, 액정표시장치에서와 같은 백라이트를 필요로 하지 않고, 또한, 시야각이 넓기 때문에, 야외에서 사용되는 휴대형 장치의 표시부로서 유망하다고 여겨지고 있다. The EL display device because it is a self-emission type, without the need for a backlight as in a liquid crystal display device, and, because of the wide viewing angle, it is seen as a promising as a display portion of a portable equipment used outdoors.

EL 표시장치에는 패시브형(단순 매트릭스형)과 액티브형(액티브 매트릭스형)의 2종류가 있고, 두가지 타입 모두가 활발하게 개발되고 있다. The EL display device has a passive type (simple matrix type) and there are two types of active type (active matrix type), both types all been actively developed. 특히, 현재는, 액티브 매트릭스형 EL 표시장치가 주목받고 있다. In particular, the present time, has received attention is an active matrix type EL display device. 또한, EL 소자의 중심이라고 말할 수 있는 발광층이 되는 유기 EL 재료에 대해서는, 저분자계 유기 EL 재료와 고분자계(폴리머계) 유기 EL 재료가 연구되고 있지만, 저분자계 유기 EL 재료보다 취급이 용이하고 내열성이 높은 고분자계 유기 EL 재료가 주목받고 있다. With respect to organic EL materials which the light-emitting layer can be said to be the center of an EL element, low molecular weight organic have been studied EL material and a high molecular weight (polymer) organic EL materials, is easy to handle than the low molecular weight organic EL material, but the heat resistance the high-molecular organic EL materials are receiving attention.

고분자계 유기 EL 재료의 성막방법으로서는, Seiko Epson Corporation에 의해 제안된 잉크젯(ink-jet) 방법이 유망한 것으로 여겨지고 있다. As the deposition method of high molecular organic EL material, it is considered to be a method of ink-jet (ink-jet) proposed by Seiko Epson Corporation promising. 이 기술에 관해서는, 일본 공개특허공고 평10-12377호, 평10-153967호 또는 평11-54270호 공보를 참조할 수 있다. As for this technology, reference can be made to Japanese Laid-Open Patent Publication No. Hei 10-12377, Hei 10-153967 or No. Hei 11-54270 discloses.

그러나, 잉크젯 방법에서는, 고분자계 EL 재료를 분사하여 산란시키기 때문에, 도포면과 잉크젯용 헤드의 노즐과의 사이의 거리가 적절하지 않으면, 액적(液滴)이 필요한 부분 이외의 부분에도 떨어지는, 소위 비행 곡(flying curve)의 문제가 발생할 수 있다. However, in the ink-jet method, since the scattering by spraying the high-molecular EL material, and the application surface, if the distance between the nozzles of the inkjet head is not appropriate, the droplet (液滴) falls to a portion other than a necessary part, so-called fly You may experience problems of a song (flying curve). 이 비행 곡에 관해서는, 일본 공개특허공고 평11-54270호 공보에 상세히 개시되어 있고, 목표 위치로부터 50 ㎛ 이상의 벗어남이 일어날 수 있 다고 명기되어 있다. As for the flight track, the detail is disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. Hei-11-54270, and there is specified that there can take place over 50 ㎛ deviation from the target position.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 폴리머로 된 유기 EL 재료의 막을 위치 벗어남 없이 정밀하게 높은 스루풋으로 형성하는 방법, 및 그러한 성막을 가능하게 하는 박막 형성 장치를 제공하는데 있다. The present invention provides a thin-film forming apparatus which enables a method of forming a been made in view of the above problem, the precision high throughput without departing from position a film of an organic EL material is an object of the present invention, a polymer, and such a film formation have.

본 발명의 다른 목적은, 박막 형성 장치를 구비한 멀티체임버 방식(클러스터 툴(cluster tool) 방식으로도 불림)의 소자 형성 장치를 제공하는데 있다. It is another object of the present invention, there is provided a forming device of a multi-chamber system (cluster tool (cluster tool) also referred to as a system) includes a thin-film forming apparatus.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는, 적색, 녹색 및 청색의 발광층을 디스펜서(dispenser)와 같은 박막 형성 장치를 사용하여 줄무늬(stripe) 형상으로 형성하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, according to the present invention, a light emitting layer of red, green and blue by using the thin film forming apparatus such as a dispenser (dispenser) is characterized in that formed in stripes (stripe) shape. 줄무늬 형상은, 종횡비가 2이상인 가늘고 긴 장방형 형상, 및 장축과 단축의 비가 2이상인 가늘고 긴 타원 형상을 포함한다. Stripe-shaped, it includes a ratio of 2 or more elongated oval shape of an elongated rectangular shape, and the long and short axes aspect ratio is 2 or more.

본 발명의 박막 형성 장치가 도 1(A) 및 도 1(B)에 도시되어 있다. The thin film forming apparatus of the present invention is shown in Figure 1 (A) and 1 (B). 도 1(A)는 본 발명의 박막 형성 장치를 측면에서 본 외관을 나타내는 도면이고, 도 1(B)는 본 발명의 박막 형성 장치를 정면에서 본 외관을 나타내는 도면이다. Figure 1 (A) is a diagram showing a full appearance of a thin-film forming apparatus of the present invention from the side, Fig. 1 (B) is a diagram showing a full appearance of a thin-film forming apparatus of the present invention from the front. 도 1(A)에서, 부호 100은 지지대, 부호 101은 기판(102)이 고정되는 반송 스테이지를 나타낸다. In Figure 1 (A), numeral 100 denotes supports, numeral 101 denotes a transport stage on which the fixed substrate 102. The 반송 스테이지(101)는 X방향(수평방향) 및 Y방향(수직방향)으로 이동 가능하다. Transfer stage 101 is movable in the X direction (horizontal direction) and Y direction (vertical direction).

지지대(100)에는 지지 기둥(103)과 홀더(104)가 부착되어 있고, 반송 스테이지(101) 위에 도포장치(105)가 배치되어 있다. Support 100 and has been the support column 103 and the holder 104 is attached, it is disposed on the conveying stage application device 105 over 101. 도포장치(105)는 유기 EL 재료를 함유한 용액을 기판 위에 도포하는 기구를 구비한 장치이고, 압축 가스(압축된 불활성 가스)를 헤드부(106)에 보내고, 유기 EL 재료를 함유한 용액을 공급하는 장치이다. Applying apparatus 105 is an apparatus having a mechanism for applying on a substrate a solution containing an organic EL material, having a compressed gas (a compressed inert gas) to a head portion 106, a solution containing an organic EL material a device for feeding.

또한, 도포장치(105)는 흡인(suck back)기구(흡인 밸브 또는 공기 작동 밸브를 구비한 기구)를 포함하고 있다. Further, the resin coating device 105 includes a suction (suck back) mechanism (a mechanism including a suction valve or air operation valve). 흡인기구는, 다이아프램 게이지 등을 이용한 용적 변화를 이용하여 배관 내의 압력을 낮춤으로써 배관 등의 노즐 포트(port)에 모인 액적을 노즐 내로 흡인하는 기구이다. The suction mechanism is a mechanism for sucking into the diaphragm gauges droplet nozzle by the volume change gathered in a nozzle port (port) such as a pipe by lowering the pressure in the pipe with.

도 1(A) 및 도 1(B)의 박막 형성 장치에서는, 헤드부(106)가 고정되고, 기판(102)이 놓인 반송 스테이지(101)가 X방향 또는 Y방향으로 이동된다. In the thin film forming apparatus of Fig. 1 (A) and 1 (B), the head portion 106 is fixed and the substrate transfer stage 101, 102 is placed is moved in the X direction or Y direction. 즉, 그러한 기구는 반송 스테이지를 이동시켜 헤드부(106)가 기판(102) 위에서 상대적으로 이동하게 하는데 적합하게 되어 있다. That is, such a mechanism has to move the stage carrying the head portion 106 is adapted to be relatively moved over the substrate 102. The 물론, 헤드부(106)가 이동하는 기구로 하는 것도 가능하지만, 기판 쪽을 이동시킬 때 안정성이 우수하다. Of course, it is also possible that a mechanism for the head unit 106 moves, however, the stability is superior when moving the substrate side.

상기 구조의 박막 형성 장치에서는, 유기 EL 재료(엄밀하게는, 유기 EL 재료를 용매에 용해시킨 혼합물)의 공급 포트가 되는 노즐을 구비한 헤드부(106)가 기판(102) 위에서 이동하여, 기판의 미리 정해진 위치가 유기 EL 재료로 도포되게 한다. In the thin film forming apparatus of the above structure, by the one head portion 106 provided with a nozzle which is the supply port of an organic EL material (strictly speaking, a mixture obtained by dissolving an organic EL material in a solvent) moves on the substrate 102, the substrate the predetermined position to be applied to the organic EL material. 여기서, 헤드부(106)에 의해 유기 EL 재료를 도포하는 과정을 아래에 설명한다. Here will be described a process of applying an organic EL material by the head portion 106 below.

도 2(A)는 본 발명을 실시하여 π공역계(conjugate system) 폴리머로 된 유기 EL 재료의 막을 형성하는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다. Figure 2 (A) is a view schematically showing a state in which carried out the film of a π-conjugated organic EL material by (conjugate system) polymer of the present invention. 도 2(A)에서, 부호 110은 기판을 나타내고, 이 기판(110)상에는 화소부(111), 소스측 구동회로 (112), 게이트측 구동회로(113)가 TFT로 형성되어 있다. In Figure 2 (A), reference numeral 110 denotes a substrate, and a substrate 110, a pixel portion 111, a source side driving circuit 112 formed on a gate side driver circuit 113 is formed of a TFT. 소스측 구동회로(112)에 접속된 다수의 소스 배선과 게이트측 구동회로(113)에 접속된 다수의 게이트 배선으로 둘러싸인 영역이 화소이고, 이 화소 내에는 TFT와 이 TFT에 전기적으로 접속된 EL 소자가 형성되어 있다. And a plurality of source wiring and gate side driving circuit of the plurality of gate wiring region the pixel surrounded by the connection to a (113) connected to the source side driver circuit 112, the pixel in the EL electrically connected to the TFT and the TFT there device is formed. 화소부(111)에는 그러한 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 있다. The pixel portion 111, there are such pixels are arranged in matrix form.

여기서, 부호 114a는 전압이 인가된 때 적색 광을 발광하는 유기 EL 재료(이하, 유기 EL 재료(R)이라 칭함)와 용매의 혼합물(이하, 도포액(R)이라 칭함)을 나타내고, 부호 114b는 전압이 인가된 때 녹색 광을 발광하는 유기 EL 재료(이하, 유기 EL 재료(G)라 칭함)와 용매의 혼합물(이하, 도포액(G)라 칭함)을 나타내며, 부호 114c는 전압이 인가된 때 청색 광을 발광하는 유기 EL 재료(이하, 유기 EL 재료(B)라 칭함)와 용매의 혼합물(이하, 도포액(B)라 칭함)을 나타낸다. Here, reference numeral 114a is the voltage indicates the authorized time (hereinafter referred to as a coating liquid (R)) (hereinafter referred to as organic EL material (R)) organic EL material emitting red light and a mixture of solvents, and reference numeral 114b denotes a mixture (hereinafter referred to as a coating liquid (G) hereinafter) of an organic EL material (hereinafter referred to as organic EL material (G) hereinafter) with a solvent for emitting green light when a voltage is applied, the reference numeral 114c is energized when an organic EL material that emits blue light in the mixture (hereinafter referred to as organic EL material (B) hereinafter) and a solvent (hereinafter referred to the coating liquid (B)) shows a.

이들 유기 EL 재료에 관해서는, 중합된 폴리머를 직접 용매에 용해시킨 다음, 도포하는 방법과, 용매에 용해된 모노머로 막을 형성한 후에 가열 및 중합을 행하여 폴리머로 하는 방법이 있다. As for these organic EL materials, dissolving polymerized polymer directly in the solvent and then, after forming a film by the method of applying the dissolved and the solvent monomer subjected to heating and polymerization a method of a polymer. 본 발명에서는 양 방법이 사용될 수 있다. In the present invention, the both methods may be used. 여기서는, 폴리머로 된 유기 EL 재료를 용매에 용해시킨 다음, 도포하는 예를 설명한다. Here, the organic EL material dissolved in a polymer solvent, an example of application.

본 발명의 경우, 도포액(R)(114a), 도포액(G)(114b), 도포액(B)(114c)가 도 1(A) 및 도 1(B)에 나타낸 화살표 방향으로 박막 형성 장치의 헤드부(106)로부터 별도로 도포된다. In the present case, the direction of the arrow shown in the coating liquid (R) (114a), the coating liquid (G) (114b), the coating liquid (B) is Fig. 1 (114c) (A) and 1 (B) of a thin film formation It is applied separately from the head portion 106 of the device. 즉, 줄무늬 형상의 발광층(엄밀하게는, 발광층의 전구체(precursor))들이 적색 광을 발광할 화소 열(列), 녹색 광을 발광할 화소 열, 및 청색 광을 발광할 화소 열에 동시에 형성된다. That is, (is to be exact, the light-emitting layer precursor (precursor)) light emitting layer of a stripe shape are formed to the pixel to emit red light column (列), columns of pixels to emit green light, and a pixel row to emit blue light at the same time.

여기서 말하는 화소 열은 뱅크(bank)(121)에 의해 분리된 화소들의 열을 가리키고, 뱅크(121)는 소스 배선 위에 형성되어 있다. Columns of pixels referred to herein denotes a sequence of discrete pixels by the banks (bank) 121, a bank 121 is formed over the source wiring. 즉, 다수의 화소가 소스 배선을 따라 직렬로 배열된 열을 화소 열이라 부른다. That is, a plurality of pixels is referred to as a pixel column of the columns arranged in series along the source wiring. 그러나, 여기서는, 뱅크(121)가 소스 배선 위에 형성된 경우를 설명하지만, 뱅크(121)가 게이트 배선 위에 제공될 수도 있고, 이 경우는, 다수의 화소가 게이트 배선을 따라 직렬로 배열된 열을 화소 열이라 부른다. However, in this case, the bank 121 is described a case where formed on a source wiring, but the banks 121 may be provided over the gate wiring line, in this case, a plurality of pixels along the gate line pixel the columns arranged in series It is referred to as heat.

따라서, 화소부(111)는 다수의 소스 배선 또는 다수의 게이트 배선 위에 제공된 줄무늬 형상의 뱅크들에 의해 분할된 다수의 화소 열의 집합체로서 간주될 수 있다. Accordingly, the pixel unit 111 may be thought of as an aggregate a plurality of pixel columns partitioned by the plurality of source wirings or the stripe-shaped banks provided over the plurality of gate wirings. 그러한 관점에서, 화소부(111)는 적색 광을 발광하는 줄무늬 형상의 발광층이 형성된 화소 열, 녹색 광을 발광하는 줄무늬 형상의 발광층이 형성된 화소 열, 및 녹색 광을 발광하는 줄무늬 형상의 발광층이 형성된 화소 열로 이루어진다고 말할 수 있다. In such a perspective, the pixel portion 111 is formed with a light emitting layer of a stripe shape for emitting the pixel columns, and green light having a light emitting layer of a stripe shape for emitting the pixel column, a green light having a light emitting layer of a stripe shape for emitting red light pixel columns can say he done.

줄무늬 형상의 뱅크들이 다수의 소스 배선 또는 다수의 게이트 배선 위에 제공되어 있기 때문에, 실질적으로 화소부(111)는 다수의 소스 배선 또는 다수의 게이트 배선에 의해 분할된 다수의 화소 열의 집합체로서 간주될 수도 있다. Since the stripe-shaped banks are provided over the plurality of source wirings or the plurality of gate wirings, substantially in the pixel portion 111 includes a plurality of source wirings or the plurality of may be viewed as an aggregate a plurality of pixel columns partitioned by the gate wire have.

다음, 도 2(A)에 나타낸 헤드부(도포부라고도 함)(107)의 상태를 확대하여 도 2(B)에 나타낸다. Next, the head portion shown in Fig. 2 (A) (also called a coating portion) is also on an enlarged scale, a state of 107 is shown in 2 (B).

부호 107은 박막 형성 장치의 헤드부를 나타내고, 여기에 적색용 노즐(116a), 녹색용 노즐(116b), 및 청색용 노즐(116c)이 부착되어 있다. Numeral 107 denotes a head of the thin film deposition system, here (116a) nozzles for red, a nozzle (116b) for the green and blue nozzle (116c) for this are attached to. 또한, 각각 의 노즐의 내부에는 도포액(R)(114a), 도포액(G)(114b), 및 도포액(B)(114c)이 각각 저장되어 있다. Further, the inside of each nozzle, the coating liquid (R) (114a), the coating liquid (G) (114b), and the coating liquid (B) (114c) are stored, respectively. 이들 도포액은 배관(117)내에 채워진 압축 가스에 의해 가압되어, 화소부(111)상으로 압출된다. These coating liquids are pressurized by a compressed gas filled in a pipe 117, it is pushed onto the pixel portion 111. The 이와 같은 헤드부(107)가 지면(紙面)에 수직인 방향을 따라 앞쪽으로 이동하여, 도 2(A)에 나타낸 바와 같은 도포공정이 행해진다. In this connection, such as the head unit 107 is moved toward the front along the direction perpendicular to the drawing (紙面), also carried out the coating step as shown in Fig. 2 (A).

도 2(C)는 부호 118로 나타낸 도포부 부근의 확대도이다. Figure 2 (C) is an enlarged view of the vicinity of the application unit shown by reference numeral 118. 기판(110)상의 화소부(111)는 다수의 TFT(119a∼119c)와 화소 전극(120a∼120c)으로 된 다수의 화소의 집합체이다. The pixel portion 111 on the substrate 110 is an aggregate of a plurality of TFT (119a~119c) and a plurality of pixels with pixel electrodes (120a~120c). 압축 가스에 의해 도 2(B)의 노즐(116a∼116c)에 압력이 가해지면, 그 압력에 의해 도포액(114a∼114c)이 압출된다. When pressure is applied to the nozzle (116a~116c) of Fig. 2 (B) by a compressed gas, the coating liquid (114a~114c) is extruded by the pressure.

수지 재료로 된 뱅크(121)가 화소들 사이에 제공되어 있고, 인접한 화소들 사이에서 도포액들이 혼합되는 것을 방지한다. And a bank 121 of a resin material is provided between pixels, and prevents the coating liquids are mixed between adjacent pixels. 이 구조에서, 뱅크(121)의 폭(포토리소그래피의 해상도에 의해 결정됨)이 좁게 된 경우, 화소부의 집적도가 향상되고, 고정세(高精細)한 화상이 얻어질 수 있다. In this structure, when the width (determined by the resolution of photolithography) of the bank 121 is smaller, the degree of integration of the pixel portion is improved, whereby a high (高 精細) image can be obtained. 특히, 도포액의 점도가 1∼30 cp인 경우에 효과적이다. In particular, it is effective when the viscosity of the coating solution is 1~30 cp.

그러나, 도포액의 점도가 30 cp 이상이거나 졸(sol) 또는 겔(gel) 상태이면, 뱅크를 사용하지 않는 것도 가능하다. However, if the viscosity of the coating liquid, or more than 30 cp sol (sol) or a gel (gel) state, it is also possible not to use the bank. 즉, 도포액과 도포면 사이의 접촉각이 도포 후에 충분히 크면, 도포액이 과도하게 퍼지지 않으므로, 뱅크에 의해 도포액을 막을 필요가 없게 된다. That is, since the contact angle between the coating liquid and a coated surface is sufficiently large spread, the coating liquid is excessive after the application, there is no need to stop the coating liquid by the bank. 이 경우는, 최종적으로 발광층이 타원 형상(장축과 단축의 비가 2이상이 되는 가늘고 긴 타원 형상), 전형적으로는 화소부의 한쪽 끝으로부터 다른쪽 끝까지 연장하는 가늘고 긴 타원 형상으로 형성된다. In this case, finally, the light emitting layer is an elliptical shape (long and thin elliptical shape in which the ratio of 2 or more of the long and short axes), and is typically formed in a long and thin elliptical shape extending from the other end of the pixel portion at one end.

뱅크(121)를 형성할 수 있는 수지로서는, 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드, 또는 폴리이미도아미드가 사용될 수 있다. As the resin capable of forming the bank 121, an acrylic, polyimide, polyamide, or polyester amide yimido be used. 이 수지 재료에 탄소, 흑색 안료 등을 미리 제공하여 수지 재료를 검게 한 경우, 뱅크(121)를 화소들 사이의 차광막으로서 사용하는 것도 가능하게 된다. If the carbon black to the resin in advance provides a black pigment such as the material for the resin material, it becomes possible to use the bank 121 as a light shielding film between pixels.

광반사를 사용하는 센서가 노즐(116a, 116b, 116c)들 중 어느 하나의 선단부 부근에 부착되면, 도포면과 노즐 사이의 거리를 항상 일정하게 유지시키도록 조정하는 것도 가능하다. If a sensor using light reflection attached to any of the leading end vicinity of the nozzle (116a, 116b, 116c), it is also possible to adjust the distance between the application surface and the nozzle so as to always remain constant. 또한, 화소 피치(화소들 사이의 거리)에 의해 노즐(116a∼116c)들의 간격을 조정하는 기구를 제공함으로써, 어떠한 화소 피치의 EL 표시장치에도 대처하는 것이 가능하다. Further, the pixel pitch is possible by providing a mechanism for adjusting the spacing of the nozzle (116a~116c) by (distance between pixels), to respond to the EL display device of any pixel pitch.

이렇게 하여, 노즐(116a, 116b, 116c)로부터 도포된 도포액(114a∼114c)은 각각 화소 전극(120a∼120c)을 덮는다. In this way, a coating liquid nozzle (114a~114c) coated from (116a, 116b, 116c) is covered by the pixel electrode (120a~120c) respectively. 상기한 바와 같은 헤드부(107)의 동작은 전기적 신호에 의해 제어된다. Operation of the head section 107 as described above is controlled by electrical signals.

도포액(114a∼114c)이 도포된 후에, 진공 중에서 가열처리(베이킹(baking) 처리 또는 소성(燒成) 처리)를 행하여, 도포액(114a∼114c)에 함유된 유기 용매를 휘발시키고, 유기 EL 재료로 된 발광층을 형성한다. After the coating liquid (114a~114c) coating, subjected to heat treatment in a vacuum (baking (baking) treatment or annealing (燒成) treatment), to volatilize the organic solvent contained in the coating liquid (114a~114c), organic to form a light emitting layer in the EL material.

이 목적을 위해, 유기 EL 재료의 유리 전이온도(Tg)보다 낮은 온도에서 휘발하는 유기 용매가 사용된다. For this purpose, the organic solvent which volatilizes at a temperature lower than the glass transition temperature of the organic EL material (Tg) is used. 최종적으로 형성된 발광층의 두께는 유기 EL 재료의 점도에 의해 결정된다. The thickness of the light-emitting layer finally formed is determined by the viscosity of the organic EL material. 이 경우, 점도는 유기 용매 또는 첨가제의 선택에 의해 조절될 수 있고, 점도는 1∼50 cp(바람직하게는 5∼20 cp)로 하는 것이 바람직하다. In this case, the viscosity can be adjusted by the choice of organic solvents or additives, the viscosity is preferably set to 1~50 cp (preferably 5~20 cp).

또한, 결정핵이 될 수 있는 불순물이 유기 EL 재료내에 다수 존재하면, 유기 용매가 휘발될 때 유기 EL 재료가 결정화될 가능성이 높아진다. On the other hand, if the impurities that may be present in the multiple nucleation organic EL material, the organic EL material is more likely to be crystallized when the organic solvent volatilizing. 유기 EL 재료가 결정화되면, 발광 효율이 낮아지므로, 바람직하지 않다. When the crystallization of organic EL material, the luminous efficiency is lowered, which it is not preferable. 따라서, 유기 EL 재료에 불순물이 가능한 한 포함되지 않는 것이 바람직하다. Therefore, it is desirable that do not contain the impurities as possible in the organic EL material.

불순물을 저감시키기 위해, 용매와 유기 EL 재료를 철저히 정제하고, 용매와 유기 EL 재료를 혼합할 때의 환경을 가능한 한 청정하게 하는 것이 중요하다. To reduce the impurities, the thorough purification of the solvent and the organic EL material, it is important to be clean as possible when mixing the solvent and the organic EL material in the environment. 용매의 정제 또는 유기 EL 재료의 정제로서는, 증류법, 승화법, 여과법, 재결정화법, 재침전법, 크로마토그래피법, 또는 투석법과 같은 기술을 반복적으로 실행하는 것이 바람직하다. It is preferable that as the purification or purification of an organic EL material in a solvent, run the distillation method, sublimation method, filtration method, recrystallization speech, reprecipitation method, chromatography method, or dialysis techniques, such method and repeatedly. 최종적으로, 금속원소 또는 알칼리 금속원소와 같은 불순물을 0.1 ppm 이하(바람직하게는 0.01 ppm 이하)로 감소시키는 것이 바람직하다. Finally, it is desirable to reduce impurities such as metal elements or alkaline metal elements to 0.1 ppm or less (preferably not more than 0.01 ppm).

또한, 도 1(A) 및 도 1(B)에 나타낸 바와 같은 박막 형성 장치를 사용하여 유기 EL 재료를 함유한 도포액을 도포할 때의 분위기에도 충분히 주의하는 것이 바람직하다. It is also desirable to pay attention to an atmosphere when the Fig. 1 (A) and by using the thin film forming apparatus of FIG shown in Fig. 1 (B) to be coated with a coating solution containing an organic EL material. 구체적으로는, 유기 EL 재료의 성막 공정을 질소와 같은 불활성 가스가 충전된 청정 부스(clean booth) 또는 글러브 박스(glove box)에서 행하는 것이 바람직하다. Specifically, it is preferable to carry out the film formation step of an organic EL material in a clean booth (clean booth) or a glove box (glove box) with an inert gas such as nitrogen charge.

상기한 것과 같은 박막 형성 장치를 사용함으로써, 적, 녹, 청의 각 색의 광을 발광하는 3종류의 발광층을 동시에 형성할 수 있으므로, 고분자계 유기 EL 재료로 된 발광층을 높은 스루풋으로 형성할 수 있다. By using the thin film forming apparatus as described above, red, green, and blue can be formed by the three types of light emitting layer for emitting light of each color at the same time, it is possible to form a high-molecular light emitting layer of an organic EL material in a high throughput . 또한, 잉크젯 방식과 달리, 하나의 화소 열에서 간극 없이 줄무늬 형상으로 도포하는 것이 가능하기 때문에, 스루풋이 매우 높다. Further, it is possible to, unlike the ink-jet method, applied in a stripe shape without a gap in the pixel column, the throughput is extremely high.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. The following describes the embodiment of the present invention. 도 2(A)에 나타낸 바와 같 이, 기판(110)상에 화소부(111), 소스측 구동회로(112), 게이트측 구동회로(113)가 TFT로 구성된 후에, 줄무늬 형상의 뱅크(121)를 소스 배선(소스측 구동회로(112)를 화소부(111)에 접속하고 화소부의 스위칭용 TFT에 정보 신호를 전송하는 배선)을 따라 형성한다. After also consisting of 2 (A) described in the pixel portion 111, a source side driving circuit 112 on the substrate 110, a gate side driving circuit equal to 113, the TFT illustrated in the bank in a stripe shape (121 ) to be formed along the source wiring line of (a source side driver circuit 112 is connected to the pixel portion 111 and transmitting information signal to the pixel section switching TFT).

그 다음, 발광층이 될 도포액(R)(114a), 도포액(G)(114b), 및 도포액(B)(114c)를 준비한다. Then, to prepare a light emitting layer be a coating liquid (R) (114a), the coating liquid (G) (114b), and the coating liquid (B) (114c). 도포액(114a∼114c) 각각은 주로 고분자계 유기 EL 재료를 용매에 용해시켜 형성된다. Each coating liquid (114a~114c) is mainly formed by dissolving a high molecular organic EL material in a solvent. 대표적인 고분자계 유기 EL 재료로서는, 폴리파라페닐렌 비닐렌(PPV)계, 폴리비닐카르바졸(PVK)계, 폴리플루오렌계 등을 들 수 있다. As a typical high molecular organic EL material, and the like polyparaphenylene vinylene (PPV) system, polyvinyl carbazole (PVK) system, polyfluorene.

PPV계 유기 EL 재료로서는 여러 가지 종류가 존재하지만, 예를 들어, 아래 화합물 1 및 화합물 2의 분자식을 가지는 것들을 들 수 있다(H.Shenk, H.Becker, O.Gelsen, E.Kluge, W.Kreuder, and H.Spreitzer, "Polymers for Light Emitting Diodes", Euro Display, Proceedings, 1999,p.33-37). The PPV-based organic EL materials of various kinds as exist, for example, there may be mentioned those having a molecular formula of the following compound 1 and compound 2 (H.Shenk, H.Becker, O.Gelsen, E.Kluge, W. Kreuder, and H.Spreitzer, "Polymers for Light Emitting Diodes", Euro Display, Proceedings, 1999, p.33-37).

Figure 112005056240624-pat00001

또한, 일본 공개특허공고 평10-92576호 공보에 개시된, 아래 화합물 3 및 화합물 4의 분자식으로 나타내어지는 폴리페닐비닐을 사용할 수도 있다. Further, Japanese Laid-Open Patent Publication Hei-10-92576 disclosed a number, it is also possible to use the polyphenylene vinyl represented by the following molecular formula of Compound 3 and Compound 4.

Figure 112005056240624-pat00002

또한, PVK계 유기 EL 재료로서는, 아래 화합물 5와 같은 분자식을 가지는 것이 있다. Further, as the PVK organic EL material, there is one having the following molecular formula, such as compound 5.

Figure 112005056240624-pat00003

고분자계 유기 EL 재료는 폴리머 상태의 재료를 용매에 용해시킨 후에 도포되거나, 또는 그 재료를 모노머 상태로 용매에 용해시켜 도포한 후에 중합될 수도 있다. The organic EL material based polymers may be polymerized after application or after dissolving the polymer in the state material in a solvent, or dissolved in a solvent was applied to the material in the monomer state. 재료가 모노머 상태로 도포되는 경우, 폴리머 전구체가 먼저 형성되고, 진공 중에서의 가열에 의해 중합되어 폴리머를 형성한다. When the material is applied in the monomer state, a polymer precursor is first formed, it is polymerized by heating in vacuum to form the polymer.

구체적으로는, 도포액(R)(114c)에는 시아노폴리페닐렌비닐렌을 사용하고, 도포액(G)(114b)에는 폴리페닐렌비닐렌을 사용하고, 도포액(B)(114c)에는 폴리페닐렌비닐렌 또는 폴리알킬페닐렌을 사용할 수 있다. Specifically, the coating liquid (R) (114c), the cyano use polyphenylene vinylene, and the coating liquid (G) (114b), the polyphenylene using vinylene, and the coating liquid (B) (114c) It may be used for a polyphenylene vinylene or polyalkyl phenylene.

용매로서는, 클로로포름, 디클로로메탄, As the solvent, chloroform, dichloromethane,

Figure 112005056240624-pat00004
-부틸락톤, 부틸 셀로솔브, 또는 NMP(N-메틸-2-피롤리돈)이 사용될 수 있다. - butyl lactone, butyl cellosolve, or NMP (N- methyl-2-pyrrolidone) may be used. 또한, 도포액의 점도를 높이기 위해 첨가제를 첨가하는 것도 효과적이다. It is also effective to add an additive to increase the viscosity of the coating liquid.

그러나, 상기 예는 단지 본 발명의 발광층에 사용될 수 있는 유기 EL 재료의 예이고, 본 발명이 이것에 한정되는 것은 아니다. However, the above example is merely an example of organic EL materials which can be used in the light emitting layer of the present invention, but the invention is not limited thereto. 본 발명에서는, 유기 EL 재료와 용매의 혼합물을 도 1(A) 및 도 1(B)에 나타낸 박막 형성 장치에 의해 도포하고, 가열처리에 의해 용매를 휘발시켜 제거함으로써, 발광층을 형성한다. In the present invention, by one degree and the mixture of the organic EL material and a solvent (A) and applied by thin-film forming apparatus shown in Fig. 1 (B), and removed by volatilization of the solvent by heat treatment to form a light emitting layer. 따라서, 용매를 휘발시킬 때 온도가 발광층의 유리 전이온도를 초과하지 않는다면, 어떠한 유기 EL 재료라도 사용될 수 있다. Therefore, unless the temperature when the solvent is volatilized above the glass transition temperature of the light emitting layer, it may be used any organic EL material.

또한, 도 1(A) 및 도 1(B)의 박막 형성 장치를 사용하여 도포공정을 행할 때, 처리 분위기를 최대한 수분이 적은 건조한 분위기로 하고, 공정을 불활성 가스 중에서 행하는 것이 바람직하다. Further, to Figure 1 (A) and 1 (B), when using the thin film forming apparatus for performing the coating step, and the processing atmosphere to a possible less water, dry atmosphere, the process is preferably carried out in an inert gas. EL 층은 수분 또는 산소의 존재에 의해 쉽게 열화(劣化)되기 때문에, EL 층이 형성될 때 그러한 요인을 극력 배제할 필요가 있다. EL layer can be easily deteriorated because of the (劣化) by the existence of moisture or oxygen, when the EL layer is formed must eliminate such factors as much as possible. 예를 들어, 건조한 질소 분위기, 건조한 아르곤 분위기 등이 바람직하다. For example, a dry nitrogen atmosphere, a dry argon atmosphere is preferable. 이 목적을 위해, 도 1(A) 및 도 1(B)의 박막 형성 장치를 불활성 가스가 충전된 청정 부스내에 설치하고, 이 분위기에서 도포공정을 행하는 것이 바람직하다. To this end, FIG. 1 (A), and installing the thin-film forming apparatus shown in Fig. 1 (B) in a clean booth filled with an inert gas, and it is preferable to perform the coating process in the atmosphere.

[실시예 1] Example 1

본 발명의 실시형태에서는, 적색, 녹색 및 청색의 광을 발광하는 3종류의 줄무늬 형상의 발광층을 수직방향 또는 수평방향으로 동시에 형성하는 예를 설명하였으나, 본 실시예에서는, 줄무늬 형상의 발광층을 길이방향으로 다수의 부분으로 분할하여 형성하는 예에 대하여 설명한다. In the embodiment of the present invention has been described an example of forming the red, green, and blue three light-emitting layer of a stripe shape which emits light at a same time in a vertical direction or horizontal direction, in the present embodiment, a stripe-shaped luminescent layer length a description will be given of an example of forming divided into a plurality of sections in a direction.

도 3(A)에 나타낸 바와 같이, 기판(110)상에는 화소부(111), 소스측 구동회로(112), 및 게이트측 구동회로(113)가 TFT로 구성되고, 화소부(111)는 뱅크(301) 에 의해 매트릭스 형태로 분할되어 있다. 3, as shown in (A), the pixel portion 111, a source side driving circuit 112 formed on the substrate 110, and the gate side driver circuit 113 is composed of a TFT, a pixel portion 111, the bank there by 301 is divided in a matrix form. 본 실시예의 경우, 도 3(B)에 나타낸 바와 같이, 뱅크(301)에 의해 분할된 하나의 구획(302)에는 다수의 화소(303)가 배치되어 있다. In the case of this embodiment, there is disposed a plurality of pixels 303, as shown in Fig. 3 (B), a compartment 302 partitioned by the bank 301. The 화소의 수는 제한되지 않는다. The number of pixels is not limited.

그러한 상태에서, 본 발명의 박막 형성 장치를 사용하여 발광층으로서 기능하는 유기 EL 재료의 성막 공정을 행한다. In such a state, it carries out a film forming step of an organic EL material functioning as a light emitting layer by using the thin film forming apparatus of the present invention. 이 경우에도, 헤드부(107)를 사용하여 적색용 도포액(114a), 녹색용 도포액(114b), 및 청색용 도포액(114c)이 선택적으로 도포된다. Also in this case, the coating for red using the head unit 107, the liquid (114a), the coating liquid for green (114b), and the blue application liquid (114c) for this is selectively applied to.

본 실시예의 특징은 각 구획(302)을 도포액(114a∼114c)으로 선택적으로 도포하는 것이 가능하다는 점에 있다. Example Features of this embodiment is in the point that it is possible to selectively apply the respective compartment 302, the coating liquid (114a~114c). 즉, 실시형태에서 설명한 방식에서는, 적, 녹 및 청의 각 색의 도포액을 줄무늬 형상으로 선택적으로 도포하는 것만이 가능하지만, 본 실시예에서는, 각 구획에 대해 색 배치가 자유롭다. That is, in the manner described in the embodiment, the red, the embodiment is only possible to selectively coated with the coating liquid of each color of red, green and red rusting in a stripe shape, but the present example, the free color arrangement for each compartment. 따라서, 도 3(A)에 나타낸 바와 같이, 임의의 구획에 도포되는 도포액의 색을 열(또는 행)마다 바꾸는 배치를 채용하는 것도 가능하다. Thus, as shown in Fig. 3 (A), it is also possible to adopt an arrangement to change for each column (or row), the color of the coating liquid to be applied to any block.

구획(302)에 하나의 화소를 제공하는 것도 가능하고, 이 경우, 일반적으로 델타 배치라 불리는 화소 구조(RGB에 각각 대응하는 화소들이 항상 삼각형을 형성하도록 배치된 화소 구조)로 하는 것도 가능하다. Also possible to provide one pixel in the segment (302), in which case, in general, it is also possible that (a pixel structure arranged each corresponding pixel for the RGB to always form a triangle) pixel structure called a delta arrangement.

본 실시예를 실시하기 위해 헤드부(107)에 주어지는 동작은 다음과 같이 된다. Operation given to the head portion 107 for carrying out the present embodiment are as follows. 즉, 먼저, 헤드부(107)를 화살표 "a"의 방향으로 이동시켜, 3개의 구획(적, 녹 및 청에 각각 대응하는 구획)의 내측 영역이 도포액 내에 완전히 잠기게 한다. That is, first, by moving the head unit 107 in the direction of arrow "a", to the inner area of ​​the three blocks (red, compartment respectively corresponding to green and blue) completely immersed in the coating liquid. 이것이 끝난 후에, 헤드부(107)를 화살표 "b"의 방향으로 이동시켜, 다음 3개의 구 획에 도포액을 도포한다. After this is done, by moving the head unit 107 in the direction of arrow "b", and applying the application liquid to the next three compartment. 이 동작을 반복하여 화소부에 도포액을 도포하고, 그 후, 열처리에 의해 용매를 휘발시켜, 유기 EL 재료를 형성한다. Repeat this operation to apply the application liquid to the display unit, and then, by evaporation of the solvent by heat treatment to form the organic EL material.

종래의 잉크젯 방법에서는, 액적(液滴)이 도포되기 때문에, 유기 EL 재료가 표면에 원형으로 형성된다. In the conventional ink-jet method, since a droplet (液滴) is applied, the organic EL material is formed in a circle on the surface. 따라서, 가늘고 긴 화소 전체를 도포하는 것이 어렵다. Therefore, it is difficult to coat the entire long and narrow pixel. 특히, 화소 전체가 발광 영역으로 기능하는 경우에는, 화소 전체에 유기 EL 재료를 도포하는 것이 필요하다. In particular, in the case where the whole pixel functions as a luminescent region, it is necessary to coat the organic EL material on the whole pixel. 이 점에서, 본 실시예는, 화살표 "a"의 방향으로 헤드부(107)를 이동시킴으로써 구획의 내측을 도포액으로 완전히 채울 수 있는 이점(利點)을 가진다. In this respect, the present embodiment has an advantage (利 點) that by moving the head unit 107 in the direction of arrow "a" can completely fill the interior of the compartment as the coating liquid.

[실시예 2] Example 2

도 2(A)에 나타낸 화소 열의 방향이 수직방향으로 되는 경우, 뱅크(121)는 소스 배선을 따라 형성된다. Even if the pixel column direction shown in Fig. 2 (A) is in the vertical direction, the bank 121 is formed along the source wiring. 따라서, 뱅크가 게이트 배선을 따라 형성되는 경우의 화소 열은 수평방향으로 형성된다고 말할 수 있다. Thus, the columns of pixels in the case where the bank is formed along the gate line can be said to be formed in the horizontal direction. 즉, 화소 열이 수직방향으로 형성되는 경우는, 도 4(A)에 나타낸 바와 같은 배치가 되고, 화소 열이 수평방향으로 형성되는 경우는, 도 4(B)에 나타낸 바와 같은 배치가 된다. That is, when the pixel line is formed in a vertical direction, and is disposed as shown in Fig. 4 (A), when the pixel line is formed in the horizontal direction is an arrangement as shown in Fig. 4 (B).

도 4(A)에서, 부호 401은 수직방향으로 줄무늬 형상으로 형성된 뱅크, 부호 402a는 적색 광을 발광하는 EL 층, 부호 402b는 녹색 광을 발광하는 EL 층을 나타낸다. In Figure 4 (A), reference numeral 401 is a bank formed into a stripe shape in the vertical direction, the reference numeral 402a is an EL layer, and reference numeral 402b that emits red light is an EL layer emitting green light. 물론, 청색 광을 발광하는 EL 층(도시되지 않음)이 녹색 발광의 EL 층(402b)에 인접하게 형성된다. Of course, an EL layer for emitting blue light (not shown) is formed adjacent to the EL layer (402b) of the green light emission. 뱅크(401)는 절연막을 사이에 두고 소스 배선 위에 그 소스 배선을 따라 형성되어 있다. Bank 401, sandwiching an insulating film is formed along the source wiring on the source wiring.

여기서의 EL 층은, 발광층, 전하 주입층, 또는 전하 수송층과 같은, 발광에 기여하는 유기 EL 재료로 된 층을 의미한다. The EL layer here means a light emitting layer, charge injection layer, or the like and a charge transport layer, an organic EL material contributing to light emission layer. 단일 층의 발광층으로 하는 경우가 있을 수 있지만, 예를 들어, 정공 주입층과 발광층이 적층되는 경우에는, 그 적층막이 EL 층으로 불린다. But it may be the case that the light emitting layer of a single layer, for example, in the case where the hole injection layer and a luminescent layer laminated, the laminate film is called the EL layer.

이 경우, 도 1(B)에 나타낸 헤드부(106)는 수직방향(Y방향)으로 이동된다. In this case, a head portion 106 shown in Fig. 1 (B) is moved in the vertical direction (Y direction). 즉, 적, 녹 및 청의 각 색의 3개의 화소 열이 동시에 수직방향으로 주사되고, 그 화소 열들에 도포액이 도포된다. That is, are present, the three pixel lines of red, green and red rusting at the same time each of the colors is scanned in the vertical direction, the coating solution is applied to the pixel columns.

도 4(B)에서, 부호 404는 수평방향으로 줄무늬 형상으로 형성된 뱅크, 부호 405a는 적색 광을 발광하는 EL 층, 부호 405b는 녹색 광을 발광하는 EL 층, 부호 405c는 청색 광을 발광하는 EL 층을 나타낸다. In Figure 4 (B), reference numeral 404 is a bank formed in the horizontal direction in a stripe shape, and reference numeral 405a is an EL layer, and reference numeral 405b that emits red light, an EL layer emitting green light, and reference numeral 405c is EL to emit blue light It shows the layer. 뱅크(404)는 절연막을 사이에 두고 게이트 배선 위에 그 게이트 배선을 따라 형성되어 있다. Bank 404, sandwiching an insulating film is formed along the gate wiring on the gate wiring.

이 경우, 도 1(B)에 나타낸 헤드부(106)는 수평방향(X방향)으로 이동된다. In this case, a head portion 106 shown in Fig. 1 (B) is moved in the horizontal direction (X direction). 즉, 적, 녹 및 청의 화소 열들이 동시에 수평방향으로 주사되고, 그 화소 열에 도포액이 도포된다. That is, red, green, and scanned in the horizontal direction and the Agency pixel column at the same time, the coating liquid is applied to the pixel column.

상기한 바와 같이, 도포액의 선택적 도포가 각 화소 열에 대하여 수직방향을 따라 또는 수평방향을 따라 행해지더라도, 헤드부(106)가 주사하는 방향을 전기적으로 제어함으로써 용이하게 대응할 수 있다. , The selective application of the coating solution can easily cope by the electrical control of the scanning direction along the vertical direction, or even if performed along a horizontal direction, a head unit 106 for each pixel column, as described above.

[실시예 3] Example 3

본 실시예에서는, 본 발명의 박막 형성 장치를 멀티체임버 방식(또는 클러스터 툴 방식으로도 불림)의 박막 형성 장치에 조합시키고, EL 소자의 형성 과정을 대기에의 개방 없이 연속적으로 행하는 경우의 예에 대하여 설명한다. In this embodiment, the thin film forming apparatus of the present invention the example of the case and combining to the thin-film forming apparatus, which performs the formation of the EL element continuously without opening to the air of the multi-chamber system (or cluster tools, also referred to as a system) It will be described.

도 5에서, 부호 501은 공통실을 나타내고, 이 공통실(501)은 기판(503)을 반송하기 위한 반송기구(A)(502)를 구비하고 있다. In Figure 5, reference numeral 501 denotes a common chamber, which common chamber 501 is provided with a transporting mechanism (A) (502) for transferring the substrate 503. 공통실(501)의 분위기는 감압 분위기로 되고, 공통실(501)이 게이트에 의해 각 처리실로부터 차단되어 있다. Atmosphere of the common chamber 501 may be in a reduced pressure atmosphere, the common chamber 501 is shut off from each processing chamber by a gate. 각 처리실로의 기판의 반송은 게이트를 개방한 후에 반송기구(A)(502)에 의해 행해진다. Transporting the substrate in each processing chamber is performed by the transport device (A) (502) after opening the gate. 공통실(501)의 압력을 낮추기 위해서는, 오일 회전 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보 분자 펌프, 또는 크라이오펌프(cryopump)와 같은 배기 펌프를 사용하는 것이 가능하지만, 수분을 제거하는데 효과적인 크라이오펌프를 사용하는 것이 바람직하다. In order to reduce the pressure of the common chamber 501, the oil rotary pump, it is possible to use a mechanical booster pump, turbo molecular pump, or a cryo-vacuum pump such as a pump (cryopump), but the effective cryo pump to remove water the use is preferred.

다음에, 각 처리실에 대하여 설명한다. Next, description will be made of each treatment chamber. 공통실(501)은 감압 분위기로 되기 때문에, 공통실(501)에 직접 연결된 모든 처리실은 배기 펌프(도시되지 않음)를 구비하고 있다. The common chamber 501, since a reduced-pressure atmosphere, all treatment chamber is directly connected to the common chamber 501 is provided with an exhaust pump (not shown). 배기 펌프로서는, 상기한 오일 회전 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보 분자 펌프, 또는 크라이오펌프가 사용된다. As the exhaust pump, wherein an oil rotary pump, a mechanical booster pump, turbo molecular pump, or cryopump is used.

먼저, 부호 504는 기판을 반입 및 반출하는 반송실(A)을 나타내고, 로드 록(load lock)실로도 불린다. First, reference numeral 504 denotes a transportation chamber (A) for carrying in and carrying out the substrate, a load lock (load lock) indeed also called. 반송실(A)(504)는 게이트(500a)에 의해 공통실(501)로부터 차단되고, 여기에, 기판을 세트하는 캐리어(505)가 배치된다. The transport chamber (A) (504) is cut off from the common chamber 501 by a gate (500a), Here, the carrier 505 is set to the substrate is disposed. 또한, 반송실(A)(504)는 기판을 반입하기 위한 것과 기판을 반출하기 위한 것으로 나누어질 수도 있다. Further, the transport chamber (A) (504) may be divided to be taken out as a substrate to bring the substrate.

본 실시예에서는, 소자 형성면이 하방으로 향하는 상태로 기판(503)을 캐리어 상에 세트한다. In this embodiment, a set of the substrate 503 on the carrier in a state the element formation surface facing downward. 이것은, 후에 기상 성막(스퍼터링 또는 증착에 의한 성막)을 행할 때 페이스 다운(face down) 방식(상방 증착(depoition-up) 방식이라고도 불 림)을 용이하게 하기 위한 것이다. This, after vapor-phase film formation is to facilitate (film formation by sputtering or vapor deposition) face down (face down) type (upward deposition (depoition-up) method, also known as rim fire) when conducting. 페이스 다운 방식은 기판의 소자 형성면이 하방으로 향한 상태에서 성막을 행하는 방식이다. Face-down method is a method which performs film forming in a state where the element formation surface of the substrate facing downward. 이 방식에 의하면, 먼지 등의 부착이 억제될 수 있다. According to this manner, the adhesion of dust or the like can be suppressed.

다음, 부호 506은 EL 소자의 화소 전극이 되는 음극 또는 양극의 표면을 처리하기 위한 처리실(이하, 전(前)처리실이라 칭함)을 나타낸다. Next, reference numeral 506 denotes a treatment chamber (hereinafter referred to as I (前) treatment chamber) for processing a surface of an anode or cathode is the pixel electrode of the EL element. 이 전처리실(506)은 게이트(500b)에 의해 공통실(501)로부터 차단된다. The pre-treatment chamber 506 is shut off from the common chamber 501 by a gate (500b). 전처리실은 EL 소자의 제작공정에 따라 여러 가지로 변경될 수 있지만, 본 실시예에서는, 화소 전극의 표면에 자외광을 조사하면서 100∼120℃로 가열을 행할 수 있도록 설계되어 있다. Although pre-treatment chamber can be changed variously in accordance with the manufacturing steps of the EL element, in this embodiment, it is designed characters on the surface of the pixel electrodes while irradiating ultraviolet light to be capable of performing a heating at 100~120 ℃. 이러한 전처리는 EL 소자의 양극 표면을 처리할 때 효과적이다. This pre-treatment is effective when processing the anode surface of the EL element.

다음, 부호 507은 소성(燒成) 처리실(A)를 나타내고, 게이트(500c)에 의해 공통실(501)로부터 차단된다. Next, reference numeral 507 denotes a plastic (燒成) treatment chamber (A), is cut off from the common chamber 501 by a gate (500c). 소성 처리실(A)(507)는 기판을 반전시키는 기구를 구비하고 있고, 후에 설명되지만, 소성 처리실(A)(507)에서는 진공배기 및 퍼지(purge)가 실행될 수 있다. Firing treatment chamber (A) (507) is provided with a mechanism for inverting the substrate, and is described later, in the firing treatment chamber (A) (507) may be carried out the vacuum and purge exhaust (purge). 또한, 반송기구(B)(508)를 구비한 반송실(B)(509)가 게이트(500d)을 통해 소성 처리실(A)(507)에 연결되어 있다. Further, it connected to the conveyor mechanism (B) (508) the transport chamber (B) (509), the gate firing treatment chamber (A) through (500d) (507) comprising a. 또한, 용액 도포 처리실(A)(510)가 게이트(500e)을 통해 반송실(B)(509)에 연결되어 있다. In addition, the solution coating treatment chamber (A) (510) through a gate (500e) is connected to the transport chamber (B) (509).

여기서, 소성 처리실(A)(507), 반송실(B)(509), 및 용액 도포 처리실(A)(510)의 동작에 대하여 설명한다. Here, the operation of the firing treatment chamber (A) (507), the transport chamber (B) (509), and the solution coating treatment chamber (A) (510).

기판이 소성 처리실(A)(507)로 반송될 때, 소성 처리실(A)(507)가 감압 상태에 있고, 게이트(500d)가 폐쇄되어 있다. When the substrate is returned to the firing treatment chamber (A) (507), the firing treatment chamber (A) (507) is in a reduced pressure state, a gate (500d) is closed. 기판(소자 형성면이 하방으로 향한)이 반송되면, 게이트(500c)가 폐쇄되고, 소성 처리실(A)(507)의 내부가 불활성 가스를 퍼지(purge)함으로써 대기압으로 복귀된다. When the substrate is conveyed (the element formation surface facing downward), a gate (500c) is closed, the inside of the firing treatment chamber (A) (507) is returned to atmospheric pressure by purging the inert gas (purge). 기판이 반전기구(도시되지 않음)에 의해 뒤집혀져, 소자 형성면이 상방으로 향하게 된다. The substrate is turned upside down by the inverting mechanism (not shown), the element formation surface is directed upward.

이 상태에서, 게이트(500d, 500e)가 개방되고, 반송기구(B)(508)에 의해 기판이 유기 EL 재료를 함유한 용액을 도포하는 처리실(이하, 용액 도포 처리실(A)라 칭함)(510)로 반송된다. In this state, the gate (500d, 500e) is opened and the transporting mechanism (B) by 508, the processing chamber in which the substrate is coated a solution containing an organic EL material (hereinafter referred to as the solution coating treatment chamber (A) hereinafter) ( It is returned to 510). 이 용액 도포 처리실(A)(510)는 도 1(A) 및 도 1(B)에 나타낸 본 발명의 박막 형성 장치와 동일한 기능을 가지는 처리실이고, 여기서, 줄무늬 형상의 발광층이 되는 유기 EL 재료와 용매의 혼합물이 도포된다. And the solution coating treatment chamber (A) (510) is a treatment chamber having the same function as the thin film forming apparatus of the present invention shown in Fig. 1 (A) and 1 (B), wherein the organic EL material which becomes a light emitting layer of the stripe-shaped mixtures of solvents are applied. 산소 및 수분이 유기 EL 재료에 혼입되지 않도록 고순도의 불활성 가스 분위기로 하는 것이 바람직하다. That is oxygen and moisture from being mixed in the organic EL material for a high purity inert gas atmosphere is preferable.

유기 EL 재료와 용매의 혼합물이 도포된 기판은 다시 소성 처리실(A)(507)로 복귀되고, 100∼120℃의 온도로 가열처리(소성처리)가 행해진다. The substrate mixture is applied to the organic EL material and the solvent is again returned to the firing treatment chamber (A) (507), it is carried out heating treatment (baking treatment) at a temperature of 100~120 ℃. 이 처리실도 고순도의 불활성 가스 분위기를 가지도록 하는 것이 바람직하다. The processing chamber also it is preferred to so as to have a high purity inert gas atmosphere. 소성처리가 종료된 후, 기판이 반전기구(도시되지 않음)에 의해 반전되어, 소자형성 면이 다시 하방으로 향하는 상태에서 소성 처리실(A)(507)가 진공배기된다. After the firing process is ended, the substrate is inverted by the inverting mechanism (not shown), the element formation surface is again evacuating the firing treatment chamber (A) (507) in the state facing downward. 물론, 이 때 게이트(500c, 500d)는 폐쇄된다. Of course, this time is the closed gate (500c, 500d).

소성 처리실(A)(507)의 진공배기가 종료된 때, 게이트(500c)가 개방되고, 기판이 반송기구(A)(502)에 의해 공통실(501)로 복귀된다. When the firing treatment chamber (A) (507), the vacuum evacuation is completed, a gate (500c) is opened, and the substrate is returned to the common chamber 501 by the transporting mechanism (A) (502).

이상이 소성 처리실(A)(507), 반송실(B)(509), 및 용액 도포 처리실(A)(510)의 동작이다. This concludes the operation of the firing treatment chamber (A) (507), the transport chamber (B) (509), and the solution coating treatment chamber (A) (510).

다음, 부호 511은 게이트(500f)에 의해 공통실(501)로부터 차단된 소성 처리 실(B)를 나타낸다. Next, reference numeral 511 indicates a firing treatment chamber (B) cut off from the common chamber 501 by a gate (500f). 소성 처리실(B)(511)도 기판을 반전시키는 기구를 구비하고 있고, 소성 처리실(B)(511)에서도 진공배기 및 퍼지(purge)가 행해진다. Firing treatment chamber (B) (511) is also provided with a mechanism for inverting the substrate, the firing treatment chamber (B) (511) is performed in the vacuum evacuation and purge (purge). 또한, 반송기구(C)(512)를 구비한 반송실(C)(513)가 게이트(500g)를 통해 소성 처리실(B)(511)에 연결되어 있고, 또한, 용액 도포 처리실(B)(514)가 게이트(500h)를 통해 반송실(C)(513)에 연결되어 있다. In addition, the transporting mechanism (C) and the transport chamber (C) (513) having a (512) is connected to the firing treatment chamber (B) (511) through a gate (500g), also, the solution coating treatment chamber (B) ( 514) through a gate (500h) is connected to the transport chamber (C) (513).

소성 처리실(B)(511), 반송실(C)(513) 및 용액 도포 처리실(B)(514)의 동작은 소성 처리실(A)(507), 반송실(B)(509), 및 용액 도포 처리실(A)(510)의 동작과 거의 동일하기 때문에, 여기서는 차이점만을 설명한다. Operation of the firing treatment chamber (B) (511), the transport chamber (C) (513), and the solution coating treatment chamber (B) (514) is a firing treatment chamber (A) (507), the transport chamber (B) (509), and the solution since almost the same as the operation of the coating treatment chamber (a) (510), only the differences will be described here.

용액 도포 처리실(B)(514)내로 반송된 기판에, 정공 주입층 또는 정공 수송층이 되는 유기 EL 재료와 용매의 혼합물이 스핀 코팅법에 의해 도포된다. Conveying the substrate into the solution coating treatment chamber (B) (514), a mixture of an organic EL material and a solvent that is a hole injection layer or hole transport layer is applied by spin coating. 분위기는 용액 도포 처리실(A)(510)와 마찬가지로 산소 및 수분이 유기 EL 재료에 혼입되지 않도록 고순도의 불활성 가스 분위기로 한다. Atmosphere is in the solution coating treatment chamber (A) (510) and, like oxygen and water is not to be incorporated into the organic EL material, high-purity inert gas atmosphere.

소성 처리실(B)(511)에서 소성처리가 종료된 후, 소성 처리실(B)(511)의 진공배기가 행해지고, 게이트(500f)가 개방되고, 기판이 반송기구(A)(502)에 의해 공통실(501)로 복귀된다. After the firing treatment chamber (B) (511) The firing process is ended, carried out the vacuum of the firing treatment chamber (B) (511) exhaust gas, the gate (500f) opening, the substrate is by a transport mechanism (A) (502) It is returned to the common chamber 501. 이상이 소성 처리실(B)(511), 반송실(C)(512), 및 용액 도포 처리실(B)(514)의 동작이다. This concludes the operation of the firing treatment chamber (B) (511), the transport chamber (C) (512), and the solution coating treatment chamber (B) (514).

다음, 부호 515는 기상 성막법에 의해 절연막 또는 도전막(본 실시예에서는 도전막)을 형성하기 위한 처리실(이하, 기상 성막 처리실(A)라 칭함)을 나타낸다. Next, reference numeral 515 denotes a treatment chamber (hereinafter referred to as vapor-phase film formation treatment chamber (A) hereinafter) for forming an insulating film or conductive film (conductive film in this embodiment) by a vapor phase growth method. 기상 성막법으로는 증착법 또는 스퍼터링법을 들 수 있지만, 여기서는 유기 EL 재료 상에 전극을 형성하는 목적으로 사용되기 때문에, 손상을 쉽게 야기하지 않는 증착법이 바람직하다. Vapor-phase film formation process by the may include evaporation or sputtering, in this case, because it is used for the purpose of forming an electrode on the organic EL material, the vapor deposition method that is easy to cause damage is preferable. 어느 경우라도, 그 처리실은 게이트(500i)에 의해 공통실(501)로부터 차단되고, 진공 중에서 성막이 행해진다. In any case, the processing chamber is cut off from the common chamber 501 by a gate (500i), the deposition is performed in vacuum. 성막은 상방 증착 방식으로 행해진다. Film formation is carried upward deposition.

기상 성막 처리실(A)(515)에서 증착처리가 행해지는 경우에는, 증착원을 제공할 필요가 있다. When the deposition process is conducted in the vapor phase film forming treatment chamber (A) (515), it is necessary to provide an evaporation source. 다수의 증착원이 제공될 수 있고, 형성될 막에 따라 변경될 수도 있다. It may be provided with a plurality of evaporation source, and may be changed according to the film to be formed. 또한, 저항 가열 방식의 증착원이 채용될 수도 있고, 또는 EB(전자 빔) 방식의 증착원이 채용될 수도 있다. In addition, it may be employed in the evaporation source of resistance heating type, or the evaporation source of the EB (electron beam) system may be employed.

다음, 부호 516은 기상 성막법에 의해 절연막 또는 도전막(본 실시예에서는 절연막)을 형성하기 위한 처리실(이하, 기상 성막 처리실(B)라 칭함)을 나타낸다. Next, reference numeral 516 denotes a treatment chamber (hereinafter referred to as vapor-phase film formation treatment chamber (B) hereinafter) for forming an insulating film or conductive film (in this embodiment, an insulating film) by a vapor phase growth method. 기상 성막법으로는, 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터링법을 들 수 있지만, 가능한 한 낮은 성막 온도에서 절연막을 형성할 수 있는 것이 바람직하다. A vapor phase growth method, the may include a plasma CVD method or sputtering method, it is desirable to be able to form an insulating film in a low film-forming temperature as possible. 예를 들어, 리모트(remote) 플라즈마 CVD법에 의해 질화규소막을 형성하는 것이 효과적이다. For example, it is effective that a silicon nitride film is formed by the remote (remote) plasma CVD method. 어느 경우라도, 그 처리실이 게이트(500j)에 의해 공통실(501)로부터 차단되고, 진공 중에서 성막이 행해진다. In any case, the processing chamber is cut off from the common chamber 501 by a gate (500j), the deposition is performed in vacuum.

이상의 각 처리(배기, 반송, 성막처리 등)는 터치 패널 및 시퀀서(sequencer)에 의해 컴퓨터를 사용한 전자동 제어로 행해질 수 있다. Each of the foregoing processes (exhaustion, transport, film forming treatment, etc.) can be performed by fully automatic control using a computer by a touch panel and sequencer (sequencer).

상기 구조의 멀티체임버형 박막 형성 장치의 주된 특징은, EL 소자를 형성하는데 필요한 모든 성막 수단이 제공되고, 패시베이션 막의 형성까지의 공정들이 대기에의 개방 없이 행해질 수 있다는 점에 있다. The main feature of the multi-chamber type thin film forming apparatus of the above structure is that the that provides all of the film formation means needed to form the EL element is, are steps for forming the passivation film may be made without opening to the air. 그 결과, 고분자계 유기 EL 재료를 사용하여 열화(劣化)에 강한 EL 소자를 단순한 수단에 의해 형성하는 것이 가능 하게 되고, 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제작하는 것이 가능하게 된다. As a result, it becomes possible to form EL device by the strong degradation (劣化) a simple method using a high molecular organic EL material, it is possible to manufacture an EL display device with high reliability.

본 실시예는 실시예 1 및 실시예 2의 어느 구성을 실시할 때에도 박막 형성 장치로서 사용될 수 있다. This embodiment may be used as the thin film forming apparatus even when either structure of the embodiments the first and second embodiments.

[실시예 4] Example 4

본 실시예에서는, 도 5에 나타낸 멀티체임버형 박막 형성 장치의 일부를 변경한 예를 도 6을 참조하여 설명한다. In the present embodiment, it will be described with an example of changing a part of a multi-chamber type thin film forming apparatus shown in Figure 5 with reference to Fig. 구체적으로는, 반송실(A)(504)에 글러브 박스(521) 및 패스 박스(pass box)(522)가 구비된 구조를 나타낸다. Specifically, it is shown in the transport chamber (A) (504) equipped with a glove box 521 and a pass box (pass box) (522) structure. 변경부 이외의 부분의 설명에 대해서는 실시예 3이 인용될 수 있다. EXAMPLE 3 This embodiment can be referred for the description part of the non-changing portion.

글러브 박스(521)가 게이트(523)를 통해 반송실(A)(504)에 연결되어 있다. The glove box 521 through a gate 523 is coupled to the transportation chamber (A) (504). 글러브 박스(521)에서는, EL 소자를 밀폐 공간에 봉입(封入)하기 위한 처리가 행해진다. In the glove box 521, and a process for (封入) encapsulating the EL element in the closed space it is performed. 이 처리는 모든 처리를 거친 기판(도 6의 박막 형성 장치에서 처리되고 반송실(A)(504)로 복귀된 기판)을 외기로부터 보호하기 위한 처리이고, 예를 들어, 그 기판을 밀봉재(시일재(seal材))로 기계적으로 봉입하거나 또는 열 경화성 수지 또는 자외광 경화성 수지로 봉입하는 수단을 사용한다. This processing is a processing for (and processed in the thin film forming apparatus of Figure 6 a return to the transport chamber (A) (504) substrate), all processing the rough board to protect from outside air, for example, the sealing material to the substrate (sealing It uses the means for sealing the mechanical or encapsulated in a thermosetting resin or an ultraviolet light curable resin to the material (seal 材)).

밀봉재로서는, 유리, 세라믹, 또는 금속과 같은 재료가 사용될 수 있지만, 밀봉재 측으로 광을 방출시키는 경우에는 투광성이어야 한다. As the sealing material, in the case of glass, ceramic, or metal material and may be used, such as, but emits light toward the sealing material it has to be translucent. 밀봉재와, 상기한 모든 처리를 거친 기판을 열 경화성 수지 또는 자외광 경화성 수지를 사용하여 접합하고, 그 수지를 열처리 또는 자외광 조사 처리에 의해 경화시켜 밀폐 공간을 형성한다. And a sealing material, bonded to a substrate subjected to all processing by the use of the thermosetting resin or ultraviolet curable resin, curing the resin by heat treatment or ultraviolet light irradiation treatment to form the closed space. 이 밀폐 공간 안에 산화바륨과 같은 건조제를 제공하는 것도 효과적이다. It is also effective to provide a drying agent such as barium oxide in the sealed space.

밀봉재와, EL 소자가 형성된 기판 사이의 공간을 열 경화성 수지 또는 자외 광 경화성 수지로 채우는 것도 가능하다. It is also possible to fill the space between the sealing material and the substrate, EL elements are formed of a thermosetting resin or an ultraviolet light curable resin. 이 경우, 열 경화성 수지 또는 자외광 경화성 수지에 산화바륨과 같은 건조제를 첨가하는 것이 효과적이다. In this case, it is effective to add a drying agent such as barium oxide in the thermosetting resin or ultraviolet curable resin.

도 6에 나타낸 박막 형성 장치는 자외광을 조사하기 위한 기구(524)(이하, 자외광 조사기구라 칭함)가 글러브 박스(521) 내부에 제공된 구조를 가지고, 이 자외광 경화성 수지가 자외광 조사기구(524)로부터 방출되는 자외광에 의해 경화된다. Fig thin-film forming apparatus shown in FIG. 6 is a mechanism 524 for irradiating ultraviolet light (hereinafter, UV light irradiation grid hereinafter) has a structure provided inside the glove box 521, is a UV light curable resin, ultraviolet light irradiation mechanism It is cured by the ultraviolet light emitted from the 524.

글러브 박스(521)에서의 작업은 수(手)작업일 수 있지만, 그 작업이 컴퓨터 제어를 통해 기계적으로 행해지는 구조로 하는 것이 바람직하다. It can be a number of operations are performed in a glove box (521) (手) action, but the action it is desirable that the structure is made mechanically through the machine control. 밀봉재가 사용되는 경우에는, 액정 셀 조립공정에서 사용되는 것과 같은 밀봉재(여기서는 열 경화성 수지 또는 자외광 경화성 수지)를 도포하는 기구, 기판을 접합하는 기구, 및 밀봉재를 경화시키는 기구를 조합하는 것이 바람직하다. There, it is preferable to combine a mechanism for curing of coating the sealing material (here, thermosetting resin or ultraviolet curable resin) as used in the liquid crystal cell assembly process apparatus, to bond the substrate mechanism, and the sealing member when the sealing material is used Do.

또한, 배기 펌프를 부착하여 글러브 박스(521)의 내부 압력을 감소시키는 것도 가능하다. Further, by attaching an evacuation pump it is possible to reduce the internal pressure of the glove box 521. 상기 봉입 공정이 로봇 조작에 의해 기계적으로 행해지는 경우에는, 저압 하에서 행하는 것이 효과적이다. When the sealing process is carried out mechanically by robot operation, it is effective is performed under low pressure.

다음, 패스 박스(522)가 게이트(525)를 통해 글러브 박스(521)에 연결되어 있다. Next, the path box 522 is connected to the glove box 521 through a gate 525. 배기 펌프를 부착하여 패스 박스(522)의 압력을 감소시키는 것도 가능하다. By attaching an evacuation pump it is possible to reduce the pressure of the path box 522. 패스 박스(522)는 글러브 박스(521)가 외기에 직접 개방되는 것을 방지하기 위한 장치이고, 여기로부터 기판이 꺼내어진다. Pass box 522 is an equipment for preventing the glove box 521 is directly open to the atmosphere, the substrate is taken out from here.

상기한 바와 같이, 본 실시예의 박막 형성 장치에서는, EL 소자가 밀폐 공간내에 완전히 봉입된 단계에서 기판이 외기에 노출되기 때문에, EL 소자가 수분 등 에 의해 열화(劣化)하는 것을 거의 완전하게 방지할 수 있다. As described above, in the thin film forming apparatus in this embodiment, EL element, since the substrate in a fully enclosed stage exposed to the open air in a closed space, EL element is almost completely prevented from degradation (劣化) by moisture can. 즉, 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제작하는 것이 가능하게 된다. That is, the reliability is possible to produce a high EL display device.

[실시예 5] Example 5

실시형태 또는 실시예 1에서는, 적색 광을 발광하는 발광층, 녹색 광을 발광하는 발광층 및 청색 광을 발광하는 발광층 모두가 도 1(A) 및 도 1(B)에 나타낸 박막 형성 장치를 사용하여 형성되는 예를 나타내고 있지만, 적색, 녹색 및 청색용 발광층들 중 적어도 하나가 도 1에 나타낸 박막 형성 장치를 사용하여 형성될 수도 있다. Embodiment or the embodiment 1, formed by a luminescent layer both for emitting emitting red light emitting layer, a light emitting layer and blue light to emit green light using a thin film forming apparatus shown in Figure 1 (A) and 1 (B) Although an example that, at least one of the red, green, and blue light-emitting layer for also be formed by using the thin film forming apparatus shown in Fig. 즉, 도 2(B)에서, 노즐(116c)(도포액(B)(114c)를 도포하기 위한 노즐)을 생략하고, 다른 수단에 의해 도포액(B)(114c)를 도포하는 것도 가능하다. That is, it is possible to 2 in (B), not to (nozzle for applying the coating liquid (B) (114c)) a nozzle (116c), and applying the coating liquid (B) (114c) by other means, .

구체적으로는, 도 5 및 도 6에서, 도포액(R)(114a) 및 도포액(G)(114b)가 용액 도포 처리실(A)(510)에서 도포되고, 그 후, 도포액(B)(114c)가 용액 도포 처리실(B)(514)에서 도포될 수도 있다. Specifically, in FIGS. 5 and 6, the coating liquid (R) (114a) and the coating liquid (G) (114b) is applied in the solution coating treatment chamber (A) (510), thereafter, the coating liquid (B) may be (114c) it is applied in the solution coating treatment chamber (B) (514). 물론, 색의 조합은 자유이고, 도포액(R)(114a)과 도포액(B)(114c)가 용액 도포 처리실(A)(510)에서 도포되고, 도포액(G)(114b)가 용액 도포 처리실(B)(514)에서 도포될 수도 있다. Of course, a combination of colors is free, the coating liquid (R) (114a) and the coating liquid (B) (114c) is applied in the solution coating treatment chamber (A) (510), the coating liquid (G) (114b) a solution of It may be applied in a coating treatment chamber (B) (514).

본 실시예의 구성은 실시예 2의 구성과의 조합에 의해 실시될 수도 있다. The configuration of the present embodiment can also be implemented by a combination of the embodiments of the second configuration example.

[실시예 6] Example 6

도 2(A)∼도 2(C)에 나타낸 헤드부(107)는 3개의 노즐이 부착되어 있는 예를 나타내었으나, 다수의 화소 열에 대응시켜 3개 이상의 노즐을 설치할 수도 있다. Figure 2 (A) ~ a head portion 107 shown in Fig. 2 (C) is eoteuna shown an example in which three nozzles are attached to the corresponding column, a plurality of pixels may be provided three or more nozzles. 그 예를 도 7에 나타낸다. An example is shown in Fig. 문자 R, G, B는 적, 녹 및 청에 대응한다. Symbols R, G, B corresponds to the red, green and blue.

도 7은, 화소부에 형성된 모든 화소 열에 동시에 유기 EL 재료(엄밀하게는, 도포액)가 도포되는 예를 나타낸다. 7 is, at the same time heat all the pixels formed in the pixel portion an organic EL material (strictly is, coating solution) is shows an example which is applied. 즉, 헤드부(701)에 부착된 노즐의 수는 화소 열의 수와 동일하다. That is, the number of nozzles attached to the head portion 701 is equal to the number of pixel columns. 그러한 구조를 채택함으로써, 1회의 주사(scanning)로 모든 화소 열을 도포하는 것이 가능하게 되어, 스루풋이 비약적으로 향상된다. By adopting such a structure, it is possible to coat all pixel lines by one scanning (scanning), the throughput is remarkably improved.

또한, 화소부가 다수의 구역으로 분활되고, 각 구역에 포함된 화소 열의 수와 동일한 수의 노즐이 제공된 헤드부가 사용될 수도 있다. Further, the pixel portion is split into a plurality of zones, the head portion may be the same pixel number of nozzles and the number of columns included in each section are provided. 즉, 화소부가 n개의 구역으로 분할되고 주사가 n번 행해지는 경우, 모든 화소 열에 유기 EL 재료(엄밀하게는, 도포액)를 도포하는 것이 가능하다. That is, when the pixel portion is divided into n zones are scanning is performed n times, all of the pixel columns of organic EL material can be applied to (is strictly application liquid).

실제로는, 화소의 사이즈가 수 십 ㎛로 작은 경우가 있기 때문에, 화소 열의 폭도 수 십 ㎛가 되는 경우가 있다. In practice, since the case where the sizes of pixels to several tens of ㎛ small, there is a case where the width is several tens of ㎛ pixel columns. 그러한 경우, 노즐을 수평으로 일 열로 배치하는 것이 어렵게 되기 때문에, 노즐의 배치를 연구할 필요가 있다. Since such a case, difficult to arrange the nozzles in a horizontal row one, it is necessary to study the arrangement of the nozzles.

도 8(A)∼도 8(C)는 헤드부에 대한 노즐의 부착위치를 변경한 예를 나타낸다. 8 to FIG. 8 (A) (C) shows an example of changing the mounting position of the nozzle on the head portion. 도 8(A)는 노즐(52a∼52c)이 헤드부(51)에 대하여 비스듬하게 이동되어 형성되는 예를 나타낸다. Figure 8 (A) shows an example in which the nozzle (52a~52c) is formed is moved obliquely with respect to the head portion (51). 부호 52a는 도포액(R)을 도포하기 위한 노즐, 부호 52b는 도포액(G)를 도포하기 위한 노즐, 부호 52c는 도포액(B)를 도포하기 위한 노즐을 나타낸다. Numeral 52a is the nozzle, and reference numeral 52b is a nozzle, reference numeral 52c for coating a coating liquid (G) for applying a coating liquid (R) denotes a nozzle for applying a coating liquid (B). 화살의 선 각각이 화소 열에 대응한다. And the arrow of each line corresponding pixel column.

부호 53으로 나타낸 바와 같이, 노즐(52a∼52c)은 하나의 단위로서 간주되고, 하나 내지 다수의 단위가 헤드부에 제공되어 있다. As indicated by numeral 53, the nozzle (52a~52c) are regarded as one unit, one to the plurality of units are provided in the head portion. 하나의 단위(53)는 3개의 화소 열에 동시에 유기 EL 재료를 도포하고, n개의 단위(53)는 3n개의 화소 열에 동시에 유기 EL 재료를 도포한다. A unit (53) comprises three pixel columns at the same time applying an organic EL material and, n of the unit 53 is applied to the organic EL material at the same time 3n pixel column.

그러한 구조를 채택함으로써, 노즐들의 배치공간의 자유도가 높아질 수 있 고, 고정세한 화소부에 본 발명을 무리 없이 실시하는 것이 가능하게 된다. By adopting such a structure, it is possible to and may increase the degree of freedom of the arrangement space of nozzles, the practice of the present invention to secure a three-pixel portion without difficulty. 또한, 도 8(A)의 헤드부(51)를 사용하여 화소부의 모든 화소 열을 동시에 처리할 수 있거나, 또는 화소부를 다수의 구역으로 분할하여 처리를 여러 번 행하는 것도 가능하다. In addition, it is also possible to Figure 8 (A) a head portion (51) either have to process all pixel lines in the pixel portion at the same time by dividing into a plurality of zones or parts of the processing pixel several times with the.

다음, 도 8(B)에 나타낸 헤드부(54)는 도 8(A)의 변형이고, 하나의 단위(55)에 포함된 노즐의 수를 증가시킨 경우의 예이다. Next, a head portion 54 shown in Fig. 8 (B) is an example of a case in which increase the number of nozzles contained in the strain, and a unit 55 of the 8 (A) Fig. 즉, 단위(55)에서, 도포액(R)을 각각 도포하는 2개의 노즐(56a), 도포액(G)를 각각 도포하는 2개의 노즐(56b), 및 도포액(B)를 각각 도포하는 2개의 노즐(56c)이 포함되고, 하나의 단위(55)에 의해 총 6개의 화소 열에 동시에 유기 EL 재료가 도포된다. In other words, for applying the two nozzles (56a), two nozzles for applying the coating liquid (G), respectively (56b), and the coating liquid (B) which is applied in the unit 55, the coating liquid (R), respectively, each 2 containing the nozzles (56c), the organic EL material is applied at the same time, a total of six pixel columns by a unit (55).

본 실시예에서는, 하나 내지 다수의 그러한 단위(55)가 제공되어 있다. In this embodiment, there is a one to a plurality of such units 55 are provided. 하나의 단위(55)가 제공되는 경우, 유기 EL 재료가 6개의 화소 열에 동시에 도포되고, n개의 단위가 제공되는 경우에는, 유기 EL 재료가 6n개의 화소 열에 동시에 도포된다. If a single unit (55) provided, the organic EL material is applied at the same time, six pixel columns, in the case where the n units are provided, the organic EL material is applied at the same time 6n pixel column. 물론, 단위(55)에 제공되는 노즐의 수를 6개로 한정할 필요는 없고, 다수의 노즐을 더 제공하는 것도 가능하다. Of course, it is not necessary to limit the number of nozzles provided in the unit 55 to six, it is also possible to further provide a plurality of nozzles.

그러한 구조에서도, 도 8(A)의 경우와 마찬가지로, 화소부의 모든 화소 열이 동시에 처리될 수 있거나, 또는 화소부를 다수의 구역으로 분할하여 처리를 여러번 행하는 것이 가능하다. As in the case of even such a structure, FIG. 8 (A), or the all of the pixels of the pixel portion can be processed at the same time heat, is divided into multiple regions or the pixel portion, it is possible to perform processing several times.

또한, 도 8(C)에 나타낸 바와 같은 헤드부(57)가 사용될 수도 있다. Further, the head portion may be used (57) as shown in Fig. 8 (C). 이 헤드부(57)에서는, 도포액(R)을 도포하기 위한 노즐(58a), 도포액(G)를 도포하기 위한 노즐(58b), 및 도포액(B)를 도포하기 위한 노즐(58c)이 3개 화소 열분의 간격을 두고 제공되어 있다. In the head portion 57, a nozzle (58c) for applying the nozzle (58a), the nozzle (58b), and the coating liquid (B) for applying the coating liquid (G) for applying a coating liquid (R) at an interval of ten minutes three pixels is provided.

먼저, 이 헤드부(57)를 1회 주사하여 화소 열들에 유기 EL 재료를 도포한 후에, 헤드부(57)를 3개 화소 열분만큼 오른쪽으로 이동시키고, 다시 주사를 행한다. First, after the head portion 57, a coating of an organic EL material on the pixel rows by one-time scanning, and moving the head unit 57 to the right by ten minutes three pixels, carries out re-scanning. 그리고, 헤드부(57)를 3개 화소 열분만큼 오른쪽으로 이동시키고, 다시 주사를 행한다. And, to move the head unit 57 to the right by ten minutes three pixels, it carries out re-scanning. 상기한 바와 같이 주사를 3번 행함으로써, 적, 녹 및 청의 순서로 배치된 줄무늬 형상으로 유기 EL 재료를 도포하는 것이 가능하다. By performing the scan three times as described above, red, it is possible to coat the organic EL materials in the stripe-shaped red, green and arranged in order of red rusting.

그러한 구조에서도, 도 8(A)의 경우에 마찬가지로, 화소부의 모든 화소 열이 동시에 처리될 수 있거나, 또는 화소부를 다수의 구획으로 분할하여 처리를 여러번 행하는 것이 가능하다. Similarly, in the case of such a structure, FIG. 8 (A), or the all of the pixels of the pixel portion can be heat treated at the same time by dividing into a plurality of compartments, or the pixel portion, it is possible to perform processing several times.

상기한 바와 같이, 도 1에 나타낸 박막 형성 장치에서, 헤드부에 부착되는 노즐의 위치를 연구하여, 화소 피치(화소들 사이의 거리)가 좁은 고정세(高精細)한 화소부에 대해서도 본 발명을 실시하는 것이 가능하게 된다. , In the thin film forming apparatus shown in Figure 1, to study the position of the nozzle is attached to the head portion, the pixel pitch (distance between pixels), the present invention even for a pixel portion narrower fixed three (高 精細) as described above, it is possible to conduct. 그래서, 제작공정의 스루풋이 향상될 수 있다. So, the throughput of the manufacturing process can be improved.

본 실시예의 구성은 실시예 1∼실시예 5의 어느 구성과도 자유롭게 조합되어 실시될 수 있다. Configuration of this embodiment can be carried out in Example 1 to Example 5 is carried out with any one of the structures to freely combination.

[실시예 7] Example 7

실시예 1에서는, 공통실(501)을 감압 분위기로 하고 있지만, 불활성 가스가 충전된 대기압 분위기로 하여도 좋다. In Embodiment 1, although the common chamber 501 by a reduced pressure atmosphere, or may be an inert gas atmosphere, an atmospheric pressure is filled. 이 경우, 반송실(A)(504), 전처리실(506), 소성 처리실(A)(507), 및 소성 처리실(B)(511)에 배기 펌프가 설치되지 않아도 된다. In this case, the transport chamber (A) (504), the pretreatment chamber 506, the firing treatment chamber (A) (507), and even to the firing treatment chamber (B) (511), an exhaust pump is not installed.

그러나, 공통실(501), 반송실(B)(509), 및 반송실(C)(513)에는 각각 반송기구(A)(502), 반송기구(B)(508), 및 반송기구(C)가 제공되어 있기 때문에, 충전된 불활성 가스가 오염될 가능성이 높다. However, the common chamber 501, the transport chamber (B) (509), and the transport chamber (C) (513), the respective transport device (A) (502), transport mechanisms (B) (508), and a transport mechanism ( since C) is provided, there is a high possibility that the filled inert gas is polluted. 따라서, 공통실(501), 반송실(B)(509), 및 반송실(C)(513)를 다른 처리실보다 압력이 낮은 상태로 하고, 공통실(501), 반송실(B)(509), 및 반송실(C)(513)에 불활성 가스를 유입하는 구조를 하는 것이 바람직하다. Thus, the common chamber 501, the transport chamber (B) (509), and the transport chamber (C) to (513) to a lower pressure than the other chambers, and the common chamber 501, the transport chamber (B) (509 ) to, and the transport chamber (C) (513) is preferably a structure in which an inert gas flows.

본 실시예의 구성은 실시예 3∼실시예 6의 어느 구성과도 자유롭게 조합되어 실시될 수 있다. Configuration of this embodiment can be carried out in Example 3 to be carried out with any one of the structures in Examples 68 to freely combined.

[실시예 8] Example 8

실시예 3에서는 전처리실(506)이 자외광을 조사하는 기구 및 가열처리를 행하는 기구를 구비한 예를 나타내었지만, 본 실시예는 전처리실(506)이 플라즈마 처리를 행하기 위한 기구를 구비한 예를 나타낸다. Example 3, although the example in which a mechanism for performing pre-treatment chamber (506) mechanism and a heating process for the irradiation of ultraviolet light, the present embodiment is provided with a mechanism that the pretreatment chamber 506 for carrying out a plasma processing It shows an example.

EL 소자의 음극 표면에 전처리가 행해지는 경우, 음극 표면의 자연 산화물을 제거하는 것이 바람직하다. If pre-treatment is performed on the anode surface of the EL element, it is desirable to remove a natural oxide of the negative electrode surface. 본 실시예는 불소 또는 염소를 함유한 가스를 사용하여 음극 표면에 플라즈마 처리를 행함으로써 자연 산화물을 제거하는 기구를 포함한다. This embodiment uses a gas containing fluorine or chlorine, and a mechanism for removing the natural oxide by performing a plasma treatment on the negative electrode surface.

본 실시예의 구성은 실시예 3∼실시예 7의 어느 구성과도 자유롭게 조합되어 실시될 수 있다. The structure of this embodiment in Example 3 to exemplary embodiments may be any of the configurations 7 and freely combined.

[실시예 9] Example 9

실시예 3에서는 전처리실(506)이 자외광을 조사하는 기구 및 가열처리를 행 하는 기구를 구비한 예를 나타내었지만, 본 실시예는 전처리실(506)이 스퍼터링 처리를 행하기 위한 기구를 구비한 예를 나타낸다. Example 3, although the example in which a mechanism for carrying out the pretreatment chamber apparatus and the heat treatment to 506 is irradiated with ultraviolet light, the present embodiment is provided with a mechanism for performing a pre-treatment chamber 506, the sputtering process It shows one example.

EL 소자의 음극 표면에 전처리가 행해지는 경우, 음극 표면의 자연 산화물을 제거하는 것이 바람직하다. If pre-treatment is performed on the anode surface of the EL element, it is desirable to remove a natural oxide of the negative electrode surface. 본 실시예는 불소 또는 염소를 함유한 가스를 사용하여 음극 표면에 스퍼터링 처리를 행함으로써 자연 산화물을 제거하는 기구를 포함한다. This embodiment uses a gas containing fluorine or chlorine, and a mechanism for removing the natural oxide by performing a sputtering treatment to the surface of the cathode.

본 실시예의 구성은 실시예 3∼실시예 8의 어느 구성과도 자유롭게 조합되어 실시될 수 있다. The structure of this embodiment is 3 to exemplary embodiments can be practiced with any one of the structures of Example 8 also freely combined.

[실시예 10] Example 10

실시예 3에서는 발광층이 되는 유기 EL 재료가 용액 도포 처리실(A)(510) 및 소성 처리실(A)(507)를 통해 형성되고, 또한 정공 주입층 또는 정공 수송층이 되는 유기 EL 재료가 용액 도포 처리실(B)(514) 및 소성 처리실(B)(511)를 통해 형성되는 예를 나타내었다. Example 3, the organic EL material which becomes a light emitting layer is formed through the solution coating treatment chamber (A) (510) and the firing treatment chamber (A) (507), also the solution coating treatment chamber an organic EL material which becomes a hole injection layer or hole transport layer (B) (514) and shows an example that is formed through the firing treatment chamber (B) (511).

그러나, 먼저, 전자 주입층 또는 전자 수송층을 용액 도포 처리실(B)(514) 및 소성 처리실(B)(511)를 통해 형성한 다음, 발광층이 되는 유기 EL 재료를 용액 도포 처리실(A)(510) 및 소성 처리실(A)(507)를 통해 형성하고, 또한, 정공 주입층 또는 정공 수송층이 되는 유기 EL 재료를 용액 도포 처리실(B)(514) 및 소성 처리실(B)(511)를 통해 형성하는 구조로 하는 것도 가능하다. However, first, the electronic application of the injection layer or the electron transport layer solution of the treatment chamber (B) (514) and the firing treatment chamber (B) (511) the one which then was an organic EL material which becomes a light emitting layer coating treatment chamber (A) (510 formed through ) and formed through the firing treatment chamber (a) (507), and further forming the organic EL material which becomes a hole injection layer or hole transport layer through the solution coating treatment chamber (B) (514) and the firing treatment chamber (B) (511) it is also possible that a structure in which.

즉, 도 1(A) 및 도 1(B)의 박막 형성 장치를 사용하여 적색, 녹색 및 청색의 유기 EL 재료(B)를 선택적으로 도포하는 것이 요구되는 경우, 용액 도포 처리실 (A)(510)가 사용되고, 기판의 전면(全面)에 제공될 수 있는 유기 EL 재료가 형성되는 경우에는, 용액 도포 처리실(B)(514)가 사용될 수 있다. That is, FIG. 1 (A) and, if required to Fig. 1 (B) optionally coated with an organic EL material (B) of red, green and blue by using the thin film forming apparatus, a solution coating treatment chamber (A) (510 ) is used, when the organic EL materials which can be provided on the front (全面) of the substrate to be formed, may be used, the solution coating treatment chamber (B) (514). 이들 용액 도포 처리실을 선택적으로 사용하여 각종 적층 구조의 EL 층들을 형성할 수 있다. Selectively using these solution coating treatment chamber may form EL layers of various laminate structures.

본 실시예의 구성은 실시예 3∼실시예 9의 어느 구성과도 자유롭게 조합되어 실시될 수 있다. The structure of this embodiment is 3 to exemplary embodiments can be practiced with any one of the structures of Example 9 and also freely combined.

[실시예 11] Example 11

실시예 3에서는 음극 또는 양극이 되는 도전막이 기상 성막 처리실(A)(515)에서 형성되는 예를 나타내었지만, 여기서는, 증착법에 의해 유기 EL 재료가 형성될 수도 있다. Example 3 The conductive film to be a cathode or an anode but is an example that is formed in the vapor phase film forming treatment chamber (A) (515), in this case, it may be formed of an organic EL material by evaporation. 즉, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층에서 선택된 층을 형성하는 경우에도 사용될 수 있다. That is, it can also be used in the case of forming a layer selected from a hole injection layer, a hole transport layer, electron injection layer and electron transport layer.

이 경우, 증착원을 변경함으로써, 기상 성막 처리실(A)(515)에서 유기 EL 재료의 막과 도전막 모두를 형성할 수도 있다. In this case, by changing the deposition source, it is also possible to form both the film and the conductive film of an organic EL material in the vapor phase film forming treatment chamber (A) (515). 기상 성막 처리실(A)(515)에 의해 유기 EL 재료를 형성하고 기상 성막 처리실(B)(516)에 의해 음극 또는 양극이 되는 도전막을 형성하는 것도 가능하다. Forming an organic EL material by the vapor phase film forming treatment chamber (A) (515), and it is also possible to form a conductive film to be a cathode or anode by a vapor phase film formation treatment chamber (B) (516).

본 실시예의 구성은 실시예 3∼실시예 10의 어느 구성과도 자유롭게 조합되어 실시될 수 있다. The configuration of the present embodiment is 3 to exemplary embodiments can be practiced with any one of the structures of Example 10 is also freely combined.

상기한 바와 같이, 본 발명의 박막 형성 장치를 사용함으로써, 잉크젯 방법에서의 비행 곡(flying curve)과 같은 문제 없이 유기 EL 재료를 확실하게 성막하는 것이 가능하게 된다. As described above, by using the thin film forming apparatus of the present invention, it is possible to reliably film deposition of an organic EL material without a problem such as flying track of the ink-jet method (flying curve). 즉, 고분자계 유기 EL 재료의 막을 위치 벗어남의 문제 없이 정밀하게 성막할 수 있기 때문에, 고분자계 유기 EL 재료를 사용한 EL 표시장치의 제조수율이 향상될 수 있다. That is, since the film formation can be precisely without a problem of position deviation from a film of a polymer-based organic EL material, the manufacturing yield of the high-molecular EL display devices using organic EL material can be improved.

Claims (31)

  1. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 및 제2 소스 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 소스 신호선과 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 소스 신호선을 기판 위에 형성하는 공정; As at least first and second source signal lines extending in a first direction, the step of forming a second source signal lines connected to the thin film transistor connected to the plurality of first source signal lines and a plurality of thin film transistors on a substrate;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크(bank)와 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 소스 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고 상기 제2 소스 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; The above at least a first stripe-shaped banks (bank) and as the second step of forming the stripe-shaped banks, on the first source signal line and forming a first stripe-shaped banks extending in the first direction and the second source signal line the one extending in a first direction, a second step of forming the stripe-shaped banks; And
    상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이에서 상기 제1 방향을 따라 연장하는 적어도 2개의 화소 위에, 유기 재료를 함유한 용액을 디스펜서(dispenser)를 시용하여 도포하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Between the first stripe-shaped banks and the second stripe-shaped banks comprises the step of applying to at least a second solution containing the above pixel, an organic material extending along the first direction try out the dispenser (dispenser) the semiconductor device manufacturing method according to claim.
  2. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 및 제2 게이트 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 게이트 신호선과 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 게이트 신호선을 기판 위에 형성하는 공정; At least a first and a second gate signal line, a step of forming a second gate signal lines connected to the plurality of thin film transistors connected to the first gate signal line and a plurality of thin film transistors on a substrate extending in a first direction;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크와 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 게이트 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고 상기 제2 게이트 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; At least a first stripe-shaped banks and the second stripes as a process of forming a shaped bank, the first the first direction on the gate signal line and forming a first stripe-shaped banks extending in the first direction on the second gate signal line one extending in the second step of forming the stripe-shaped banks; And
    상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이에 유기 재료를 함유한 용액을 도포하는 공정으로서, 상기 제1 방향을 따라 연장하는 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 상기 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. The first stripe-shaped banks and the second as a process of applying a solution containing an organic material between the stripe-shaped banks, applied to the solution try out the dispenser successively over at least two pixels extending along the first direction the manufacturing method of a semiconductor device comprising the step of.
  3. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 내지 제3 소스 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 소스 신호선과, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 소스 신호선, 및 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제3 소스 신호선을 기판 위에 형성하는 공정; As at least the first to third source signal lines extending in a first direction, connected to the connected to the plurality of the thin film transistor of claim 1, the source signal line and the second source signal lines connected to the plurality of thin film transistors, and a plurality of thin film transistor of claim third step of forming on a substrate a source signal line;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크와, 제2 줄무늬 형상 뱅크, 및 제3 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 소스 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고, 상기 제2 소스 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고, 상기 제3 소스 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제3 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; At least a first and a stripe-shaped banks, as the second step of forming the stripe-shaped banks, and third stripe-shaped banks, forming a first stripe-shaped banks extending in the first direction on the first source signal line, wherein a second step of forming a third stripe-shaped banks extending in the first direction form a second stripe-shaped banks extending in the first direction over the source signal line, and on the third source signal line;
    상기 제1 방향을 따라 연장하는 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 제1 유기 재료를 함유한 제1 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정; A step of coating a first solution successively contains a first organic material over the at least two pixels between the first stripe-shaped banks and the second stripe-shaped banks extending along the first direction to try out the dispenser; And
    상기 제1 방향을 따라 연장하는 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제3 줄무늬 형상 뱅크 사이의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 제2 유기 재료를 함유한 제2 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정을 포함하고; It includes the second stripe-shaped banks, and the third at least two step of continuously try applying a second solution dispenser containing a second organic material on the pixels between the stripe-shaped banks extending along the first direction and;
    상기 제1 용액과 상기 제2 용액이 동시에 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. The semiconductor device manufacturing method which is characterized in that the first solution and the second solution to be coated at the same time.
  4. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 내지 제3 게이트 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 게이트 신호선과, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 게이트 신호선, 및 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제3 게이트 신호선을 기판 위에 형성하는 공정; As at least the first to third gate signal lines extending in a first direction and connected to the first gate signal lines connected to the plurality of thin film transistors, and the second gate signal lines connected to the plurality of thin film transistors, and a plurality of thin film transistor of claim the step of forming the third gate signal line on a substrate;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크와, 제2 줄무늬 형상 뱅크, 및 제3 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 게이트 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고, 상기 제2 게이트 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고, 상기 제3 게이트 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제3 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; At least a first and a stripe-shaped banks, as the second step of forming the stripe-shaped banks, and third stripe-shaped banks, forming a first stripe-shaped banks extending in the first direction over the first gate signal line, wherein the step of forming a third stripe-shaped banks extending in the first direction on the second gate signal line extending in the first direction over a second stripe shape to form a bank, and the third gate signal line;
    상기 제1 방향을 따라 연장하는 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 제1 유기 재료를 함유한 제1 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정; A step of coating a first solution successively contains a first organic material over the at least two pixels between the first stripe-shaped banks and the second stripe-shaped banks extending along the first direction to try out the dispenser; And
    상기 제1 방향을 따라 연장하는 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제3 줄무늬 형상 뱅크 사이의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 제2 유기 재료를 함유한 제2 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정을 포함하고; It includes the second stripe-shaped banks, and the third at least two step of continuously try applying a second solution dispenser containing a second organic material on the pixels between the stripe-shaped banks extending along the first direction and;
    상기 제1 용액과 상기 제2 용액이 동시에 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. The semiconductor device manufacturing method which is characterized in that the first solution and the second solution to be coated at the same time.
  5. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 및 제2 소스 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 소스 신호선과 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 소스 신호선을 기판의 표면 위에 형성하는 공정; As at least first and second source signal lines extending in a first direction, the step of forming a second source signal lines connected to the thin film transistor connected to the plurality of first source signal lines and a plurality of thin film transistors on the surface of the substrate;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크와 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 소스 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고 상기 제2 소스 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; At least a first stripe-shaped banks, and as the second step of forming the stripe-shaped banks, the first the first direction over the source signal line and forming a first stripe-shaped banks extending in the first direction on the second source signal line one extending in the second step of forming the stripe-shaped banks;
    상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이에 유기 재료를 함유한 용액을 도포하는 공정으로서, 상기 제1 방향을 따라 연장하는 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 상기 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정; The first stripe-shaped banks and the second as a process of applying a solution containing an organic material between the stripe-shaped banks, applied to the solution try out the dispenser successively over at least two pixels extending along the first direction step of;
    발광층을 형성하기 위해 상기 용액을 가열하는 공정; To form a light emitting layer a step of heating the solution;
    상기 기판의 상기 표면을 하방으로 향하게 하는 공정; A step of facing the surface of the substrate downwardly; And
    상기 발광층에 인접한 절연막 또는 도전막을 형성하기 위해, 하방으로 향한 상기 표면에 재료를 퇴적하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. To form an insulating film or the conductive film adjacent to the light emitting layer, a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of depositing a material on the surface facing downward.
  6. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 및 제2 게이트 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 게이트 신호선과 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 게이트 신호선을 기판의 표면 위에 형성하는 공정; As at least first and second gate signal lines extending in a first direction, the step of forming the second gate signal lines connected to the plurality of thin film transistors connected to the first gate signal line and a plurality of thin film transistors on the surface of the substrate;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크와 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 게이트 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고 상기 제2 게이트 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; At least a first stripe-shaped banks and the second stripes as a process of forming a shaped bank, the first the first direction on the gate signal line and forming a first stripe-shaped banks extending in the first direction on the second gate signal line one extending in the second step of forming the stripe-shaped banks;
    상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이에 유기 재료를 함유한 용액을 도포하는 공정으로서, 상기 제1 방향을 따라 연장하는 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 상기 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정; The first stripe-shaped banks and the second as a process of applying a solution containing an organic material between the stripe-shaped banks, applied to the solution try out the dispenser successively over at least two pixels extending along the first direction step of;
    발광층을 형성하기 위해 상기 용액을 가열하는 공정; To form a light emitting layer a step of heating the solution;
    상기 기판의 상기 표면을 하방으로 향하게 하는 공정; A step of facing the surface of the substrate downwardly; And
    상기 발광층에 인접한 절연막 또는 도전막을 형성하기 위해, 하방으로 향한 상기 표면에 재료를 퇴적하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. To form an insulating film or the conductive film adjacent to the light emitting layer, a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of depositing a material on the surface facing downward.
  7. 제1 방향으로 연장하는 다수의 소스 신호선과, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장하는 다수의 게이트 신호선을 기판 위에 형성하는 공정; And the plurality of source signal lines extending in a first direction, a step of forming a plurality of gate signal lines extending in a second direction perpendicular to the first direction on the substrate;
    매트릭스 형태로 배열된 다수의 영역을 분리하고 상기 제1 및 제2 방향으로 연장하는 뱅크를 상기 다수의 소스 신호선과 상기 다수의 게이트 신호선 위에 형성하는 공정; A step of separating the plurality of areas arranged in a matrix form is formed on the first and second directions to a bank of the plurality of gate signal lines and the plurality of source signal lines extending in a; And
    상기 다수의 영역에 유기 재료를 함유한 용액을 도포하는 공정으로서, 상기 다수의 영역 중 하나의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 상기 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. A step of applying a solution containing an organic material to the plurality of regions, the semiconductor device comprising the step of continuously applying the solution to try out the dispenser on one of at least two pixels of the plurality of regions how to build.
  8. 제1 방향으로 연장하는 다수의 소스 신호선과, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장하는 다수의 게이트 신호선을 기판 위에 형성하는 공정; And the plurality of source signal lines extending in a first direction, a step of forming a plurality of gate signal lines extending in a second direction perpendicular to the first direction on the substrate;
    매트릭스 형태로 배열된 다수의 영역을 분리하고 상기 제1 및 제2 방향으로 연장하는 뱅크를 상기 다수의 소스 신호선과 상기 다수의 게이트 신호선 위에 형성하는 공정; A step of separating the plurality of areas arranged in a matrix form is formed on the first and second directions to a bank of the plurality of gate signal lines and the plurality of source signal lines extending in a; And
    상기 다수의 영역 중 하나의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 제1 유기 재료를 함유한 제1 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하고, 상기 다수의 영역 중 하나의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 제2 유기 재료를 함유한 제2 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. The second organic material continuously in a first solution containing a first organic material on one of at least two pixels of the plurality of regions in a row over one of at least two pixels of the coating to try out the dispenser, and wherein the plurality of regions a second solution to the semiconductor device manufacturing method comprising the step of applying to try out the dispenser containing a.
  9. 제1 방향으로 연장하는 다수의 소스 신호선과, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장하는 다수의 게이트 신호선을 기판의 표면 위에 형성하는 공정; And the plurality of source signal lines extending in a first direction, a step of forming a plurality of gate signal lines extending in a second direction perpendicular to the first direction on the surface of the substrate;
    매트릭스 형태로 배열된 다수의 영역을 분리하고 상기 제1 및 제2 방향으로 연장하는 뱅크를 상기 다수의 소스 신호선과 상기 다수의 게이트 신호선 위에 형성하는 공정; A step of separating the plurality of areas arranged in a matrix form is formed on the first and second directions to a bank of the plurality of gate signal lines and the plurality of source signal lines extending in a;
    상기 다수의 영역에 유기 재료를 함유한 용액을 도포하는 공정으로서, 상기 다수의 영역 중 하나의 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 상기 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정; A step of a step of applying a solution containing an organic material to the plurality of regions, continuously applying the solution to try out the dispenser on one of at least two pixels of the plurality of areas;
    다수의 발광층을 형성하기 위해 상기 용액을 가열하는 공정; To form a plurality of light-emitting layer a step of heating the solution;
    상기 기판의 상기 표면을 하방으로 향하게 하는 공정; A step of facing the surface of the substrate downwardly; And
    상기 발광층에 인접한 절연막 또는 도전막을 형성하기 위해, 하방으로 향한 상기 표면에 재료를 퇴적하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. To form an insulating film or the conductive film adjacent to the light emitting layer, a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of depositing a material on the surface facing downward.
  10. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 및 제2 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 신호선과 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 신호선을 기판 위에 형성하는 공정; As at least a first and a second signal line extending in a first direction, the step of forming a second signal line connected to the first signal lines connected to the plurality of thin film transistors and a plurality of thin film transistors on a substrate;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크와 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고 상기 제2 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; At least a first extending in the stripe-shaped banks, and as the second step of forming the stripe-shaped banks, wherein the first direction over a first stripe-shaped banks, and the second signal line forming the extension in the first direction on the first signal line a second step of forming the stripe-shaped banks; And
    상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이에서 상기 제1 방향을 따라 연장하는 적어도 2개의 화소 위에 유기 재료를 함유한 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Semiconductor between the first stripe-shaped banks and the second stripe-shaped banks, characterized in that it comprises the step of applying to try out the at least a second solution containing the organic material over the pixel dispenser extending along the first direction device manufacturing method.
  11. 제1 방향으로 연장하는 적어도 제1 및 제2 신호선으로서, 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제1 신호선과 다수의 박막트랜지스터에 접속된 제2 신호선을 기판의 표면 위에 형성하는 공정; As at least a first and a second signal line extending in a first direction, the step of forming a second signal line connected to the first signal lines connected to the plurality of thin film transistors and a plurality of thin film transistors on the surface of the substrate;
    적어도 제1 줄무늬 형상 뱅크와 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정으로서, 상기 제1 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제1 줄무늬 형상 뱅크를 형성하고 상기 제2 신호선 위에 상기 제1 방향으로 연장한 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크를 형성하는 공정; At least a first extending in the stripe-shaped banks, and as the second step of forming the stripe-shaped banks, wherein the first direction over a first stripe-shaped banks, and the second signal line forming the extension in the first direction on the first signal line a second step of forming the stripe-shaped banks;
    상기 제1 줄무늬 형상 뱅크와 상기 제2 줄무늬 형상 뱅크 사이에 유기 재료를 함유한 용액을 도포하는 공정으로서, 상기 제1 방향을 따라 연장하는 적어도 2개의 화소 위에 연속적으로 상기 용액을 디스펜서를 시용하여 도포하는 공정; The first stripe-shaped banks and the second as a process of applying a solution containing an organic material between the stripe-shaped banks, applied to the solution try out the dispenser successively over at least two pixels extending along the first direction step of;
    발광층을 형성하기 위해 상기 용액을 가열하는 공정; To form a light emitting layer a step of heating the solution;
    상기 기판의 상기 표면을 하방으로 향하게 하는 공정; A step of facing the surface of the substrate downwardly; And
    상기 발광층에 인접한 절연막 또는 도전막을 형성하기 위해, 하방으로 향한 상기 표면에 재료를 퇴적하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. To form an insulating film or the conductive film adjacent to the light emitting layer, a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of depositing a material on the surface facing downward.
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  18. 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 재료가 발광 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. According to claim 1, claim 2, claim 5, claim 6, claim 7, claim 9, claim 10, wherein any one of the claim 11, characterized in that the organic material comprises a light-emitting material the semiconductor device manufacturing method which.
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  22. 제 1 항, 제 2 항, 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 재료를 함유한 상기 용액의 도포가 상기 디스펜서를 시용하여 언속적으로 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Of claim 1, claim 2, according to any one of claim 10, wherein the semiconductor device is characterized in that the application of the solution containing the organic material is carried out by continuously frozen to try out the method for manufacturing the dispenser.
  23. 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 재료를 함유한 상기 용액이 상기 도포 공정에서 줄무늬 형상으로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Of claim 1, claim 2, claim 5, claim 6, claim 7, claim 9, claim 10, claim 11 of the process according to any one of the preceding, in which the solution containing the organic material, wherein the coating step the semiconductor device manufacturing method characterized in that the coating in a stripe shape.
  24. 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 재료를 함유한 상기 용액이 상기 도포 공정에서 압축 가스에 의해 노즐로부터 압출되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Of claim 1, claim 2, claim 5, claim 6, claim 7, claim 9, claim 10, claim 11 of the process according to any one of the preceding, in which the solution containing the organic material, wherein the coating step the manufacturing method of a semiconductor device characterized in that the extrusion from the nozzle by a compressed gas.
  25. 제 1 항, 제 2 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 9 항, 제 10 항, 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 재료가 폴리머인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. The semiconductor device of 1, claim 2, claim 5, claim 6, claim 7, claim 9, claim 10, wherein the method according to any one of Items 11, characterized in that the organic material is a polymer how to build.
  26. 제 3 항, 제 4 항, 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 유기 재료를 함유한 상기 제1 용액이 줄무늬 형상으로 도포되고, 제2 유기 재료를 함유한 상기 제2 용액이 줄무늬 형상으로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Claim 3, claim 4, according to any one of claim 8, wherein said first solution is one containing an organic material is applied in a stripe shape, the said second solution of a second containing an organic material stripelike the semiconductor device manufacturing method characterized in that the coating.
  27. 제 3 항, 제 4 항, 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 유기 재료를 함유한 상기 제1 용액이 압축 가스에 의해 제1 노즐로부터 압출되고, 제2 유기 재료를 함유한 상기 제2 용액이 압축 가스에 의해 제2 노즐로부터 압출되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Claim 3, claim 4, according to any one of claim 8 wherein the first said organic said first solution containing the material is extruded from the first nozzle by a compressed gas, comprising a second organic material, the the semiconductor device manufacturing method characterized in that the second solution to be extruded from the second nozzle by a compressed gas.
  28. 제 3 항, 제 4 항, 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 유기 재료가 제1 폴리머이고, 상기 제2 유기 재료가 제2 폴리머인 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Claim 3, claim 4, claim 8 according to any one of claims, wherein the first organic material and a first polymer, a method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the second organic material is a second polymer.
  29. 제 3 항, 제 4 항, 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 유기 재료가 발광 재료를 포함하고, 상기 제2 유기 재료가 발광 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제작방법. Claim 3, claim 4, according to any one of claim 8, wherein the semiconductor device is characterized in that the first organic material is contained, and the second organic material comprises a light-emitting material for a light-emitting material manufacturing method.
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