KR100806802B1 - Pad structure of thin film transistor substrate and its fabricating method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 셀 공정의 셀 커팅 작업 수행시 발생할 수 있는 정전기성 불량을 방지할 수 있는 TFT 기판의 패드 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 TFT 기판의 패드 구조는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인이 수직 교차되어 형성되어 있고 상기 게이트라인 및 데이터라인의 끝부분에 게이트 패드 및 데이터 패드가 형성되는 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드가 각각 2개의 아일랜드 패턴으로 이루어지고, 상기 2개의 아일랜드 패턴은 화소전극 라인으로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a pad structure of a TFT substrate and a method of manufacturing the same, wherein the pad structure of the TFT substrate according to the present invention can prevent a static defect that may occur when performing a cell cutting operation of a liquid crystal cell process. And a data line vertically intersecting and having a gate pad and a data pad formed at ends of the gate line and the data line, wherein the gate pad and the data pad each have two island patterns. The two island patterns may be electrically connected to the pixel electrode lines.
정전기static
Description
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 TFT 기판을 개략적으로 나타낸 평면도.1 is a plan view schematically showing a TFT substrate of a liquid crystal display device according to the prior art.
도 2는 도 1의 A부분을 확대하여 도시한 평면도.FIG. 2 is an enlarged plan view of portion A of FIG. 1;
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 TFT 기판을 개략적으로 나타낸 평면도.3 is a plan view schematically showing a TFT substrate of a liquid crystal display device according to the present invention;
도 4는 도 3의 B부분을 확대하여 도시한 평면도.4 is an enlarged plan view illustrating a portion B of FIG. 3.
도 5 및 도 6은 도 4의 I-I 선에 따른 단면도.5 and 6 are cross-sectional views taken along line II of FIG. 4.
도 7a 내지 7c는 본 발명에 따른 TFT 기판의 게이트 패드 및 데이터 패드 제조방법을 설명하기 위한 구조단면도.7A to 7C are structural cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a gate pad and a data pad of a TFT substrate according to the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
307(또는 308) : 게이트(또는 데이터) 패턴 311 : 콘택홀307 (or 308): gate (or data) pattern 311: contact hole
312 : 화소전극 313 : 화소전극 라인312: pixel electrode 313: pixel electrode line
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 TFT 기판의 패드 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a pad structure of a TFT substrate and a method of manufacturing the same.
평판표시장치의 일종인 액정표시장치는 전압에 따라 빛의 투과도가 변하는 액정의 특성을 이용한 것으로서, 낮은 전압으로 구동이 가능하고 전력의 소모가 작아서 널리 이용되고 있다. A liquid crystal display device, which is a type of flat panel display device, uses characteristics of liquid crystals in which light transmittance changes according to a voltage, and is widely used because it can be driven at a low voltage and power consumption is small.
이러한 액정표시장치용 TFT-LCD 패널의 제조는 크게 화소단위의 신호를 인가하는 스위칭들을 형성하는 TFT 어레이(array) 공정과, 색상을 구현하기 위한 칼라필터 어레이를 형성하는 칼라필터 공정과, 완성된 TFT 기판과 칼라필터 기판에 구동회로를 구비하면 신호 구동이 가능한 단위 액정 셀(cell) 상태로 제작하는 액정 셀 공정으로 나뉘어진다.The manufacture of such a TFT-LCD panel for a liquid crystal display device includes a TFT array process for forming switchings for applying a pixel-based signal, a color filter process for forming a color filter array for realizing color, and a completed When the driving circuits are provided on the TFT substrate and the color filter substrate, they are divided into a liquid crystal cell process of manufacturing a unit liquid crystal cell in which signal driving is possible.
상기 액정 셀 공정은 TFT 공정이나 칼라필터 공정에 비해 상대적으로 반복 공정이 거의 없는 것이 특징이라 할 수 있으며, 세부 공정은 다음과 같은 순서로 이루어진다.The liquid crystal cell process may be characterized in that there are relatively few repeating processes as compared to the TFT process or the color filter process, and the detailed process is performed in the following order.
먼저, 완성된 TFT 기판 및 칼라필터 기판 상에 배향물질을 도포한 후 액정분자가 균일한 방향성을 갖도록 러빙(Rubbing) 공정을 거친 후, 상기 두 기판을 일정한 간격으로 유지시키기 위한 셀 갭(Cell gap) 공정을 실시한다. 다음 단계로 상기 두 기판을 합착하는 어셈블리(Assembly) 공정과 하나의 셀 단위로 절단하는 셀 커팅(Cell cutting) 공정이 이어지며 이후, 단위 셀에 액정을 주입하고 셀 양면에 편광판을 부착하면 액정 셀 공정은 완료된다.First, after the alignment material is applied onto the completed TFT substrate and the color filter substrate, the liquid crystal molecules undergo a rubbing process to have a uniform orientation, and then a cell gap for maintaining the two substrates at a constant interval. ) Perform the process. The next step is an assembly process of joining the two substrates and a cell cutting process of cutting into one cell unit. Then, when a liquid crystal is injected into a unit cell and a polarizer is attached to both sides of the cell, a liquid crystal cell The process is complete.
상기 셀 커팅 공정을 부가하여 설명하면 다음과 같다. The addition of the cell cutting process will be described below.
셀 커팅 공정은 합착 공정 이후 기판에서 각각의 셀 단위로 절단하여 분리하는 공정으로서, 초기 TN 모드에서는 여러 셀을 동시에 액정을 주입한 후에 셀 단위로 커팅하는 공정을 진행하였으나, 셀의 크기가 증가함에 따라 단위 셀로 커팅한 후 액정을 주입하는 방법을 사용한다.The cell cutting process is a process of cutting and separating each cell unit from the substrate after the bonding process. In the initial TN mode, a process of cutting several cells at the same time after injecting liquid crystals at the same time was performed, but the cell size was increased. Therefore, a method of injecting liquid crystal after cutting into a unit cell is used.
상기 셀 커팅 공정은 유리보다 경도가 높은 다이아몬드 재질의 펜(Pen)으로 유리 표면에 커팅 라인을 형성하는 스크라이브(Scribe) 공정과 힘을 가하여 절단하는 브레이크(Break) 공정으로 이루어진다.The cell cutting process includes a scribe process that forms a cutting line on a glass surface using a diamond pen having a hardness higher than that of glass, and a break process that cuts by applying force.
이러한 액정표시장치의 제작 공정의 대부분은 유리 기판 위에서 수행된다. 유리 기판은 부도체이므로 순간적으로 발생하는 전하가 기판 아래로 분산될 수 없어서 정전기에 매우 취약하다. 따라서, 유리 기판에 형성된 절연막이나 박막트랜지스터(TFT) 등이 정전기에 의해 손상될 수 있다.Most of the manufacturing process of such a liquid crystal display device is performed on a glass substrate. Because glass substrates are insulators, instantaneous charges cannot be dispersed below the substrate, making them very susceptible to static electricity. Therefore, an insulating film, a thin film transistor (TFT), or the like formed on the glass substrate may be damaged by static electricity.
액정표시장치의 제조 공정에서, TFT기판과 칼라필터 기판을 접착시켜 액정표시패널을 형성한 후 발생하는 정전기는 전압은 매우 높지만 전하량은 매우 낮은 특성을 가지므로 국소적으로 기판을 열화시킨다. 또한, 정전기는 주로 기판을 절단하는 셀 커팅 공정에서 발생되며, 대부분 게이트 라인 및 데이터 라인의 패드부를 통해 유입된다. 따라서, 게이트 라인 및 데이터 라인의 패드 근처에 형성되어 있는 TFT의 채널(channel)이 정전기에 의해 열화되기 쉽다.In the manufacturing process of the liquid crystal display device, the static electricity generated after bonding the TFT substrate and the color filter substrate to form the liquid crystal display panel has a very high voltage but a very low charge amount, thereby locally deteriorating the substrate. In addition, the static electricity is mainly generated in the cell cutting process for cutting the substrate, and mostly flows through the pad portion of the gate line and the data line. Therefore, the channels of the TFTs formed near the pads of the gate lines and the data lines are likely to deteriorate by static electricity.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 액정표시장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to the related art will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 TFT 기판을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically illustrating a TFT substrate of a liquid crystal display according to the related art.
도 1에 도시한 바와 같이, 절연기판(101) 상에 수직 교차되도록 게이트라인(102) 및 데이터라인(103)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인(102) 및 데이터라인(103) 끝부분에는 게이트 패드(104) 및 데이터 패드(105)가 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(102)과 데이터라인(103)이 교차하여 정의되는 화소영역 내에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(106)가 형성되어 있다. 이러한 다수의 화소영역으로 이루어진 영역이 화상이 구현되는 액티브 영역이 된다. As shown in FIG. 1, a
게이트라인과 데이터라인의 끝에는 다수의 게이트라인 및 데이터라인을 각각 하나로 묶는 쇼팅 바(Shorting bar)(107)가 기판의 가장자리 안쪽으로 형성되어 있고, 이 쇼팅 바(107)는 서로 연결되어 있다. 결과적으로 모든 게이트라인(102)과 데이터라인(103)이 하나로 연결되어 있어서, 게이트 및 데이터 패드로부터 정전기가 발생하면 이 쇼팅 바를 경로로 하여 정전기가 방전이 된다.At the ends of the gate line and the data line, a
한편, 비교적 큰 하전량을 가지는 경우, 쇼팅 바가 존재하더라도 액티브 영역 내로 정전기가 유입될 수 있다. On the other hand, when the charge amount is relatively large, static electricity may flow into the active region even if a shorting bar exists.
도 2는 도 1의 게이트 패드 또는 데이터 패드 부위를 확대하여 나타낸 평면도로서, 게이트(또는 데이터)라인 형성물질로 게이트(또는 데이터) 패드 패턴(108)이 형성되어 있으며, 패드 패턴의 중앙부위에는 콘택홀(109)이 형성되어 있어 ITO 재질의 화소전극(110)과 전기적으로 연결되어 있다.FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion of the gate pad or data pad of FIG. 1, in which a gate (or data)
그러나 상기와 같은 종래 TFT 기판의 패드 구조는 다음과 같은 문제점이 있었다. However, the pad structure of the conventional TFT substrate as described above has the following problems.
액정표시장치의 제조시, 액정 셀 공정의 셀 커팅 작업을 수행할 때 발생되는 정전기가 박막트랜지스터의 채널(Channel)층으로 유입되어 박막트랜지스터의 특성에 변화를 주어 불량을 야기하는 단점이 있다.In manufacturing a liquid crystal display device, static electricity generated when performing a cell cutting operation of a liquid crystal cell process is introduced into a channel layer of a thin film transistor to change characteristics of the thin film transistor, thereby causing a defect.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, TFT 기판에 형성되는 게이트 패드 및 데이터 패드의 구조에 변화를 줌으로써, 정전기에 의한 이상 전압 전파를 방지할 수 있는 TFT 기판의 패드 구조 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by changing the structure of the gate pad and data pad formed on the TFT substrate, the pad structure of the TFT substrate that can prevent the abnormal voltage propagation by static electricity and its The purpose is to provide a manufacturing method.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 TFT 기판의 게이트 패드 및 데이터 패드는 복수개의 게이트라인 및 데이터라인이 수직 교차되어 형성되어 있고 상기 게이트라인 및 데이터라인의 끝부분에 게이트 패드 및 데이터 패드가 형성되는 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드가 각각 2개의 아일랜드 패턴으로 구성되고, 상기 2개의 아일랜드 패턴은 화소전극 라인으로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하며, 게이트 패드 제조방법은 절연기판 상의 소정부위에 2개의 아일랜드 패턴을 형성하는 단계와, 상기 2개의 아일랜드 패턴을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 2개의 아일랜드 패턴의 소정부위가 드러나도록 상기 게이트 절연막과 보호막을 일정부분 제거하는 단계와, 상기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 데이터 패드 제조방법은 절연기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상의 소정부위에 2개의 아일랜드 패턴을 형 성하는 단계와, 상기 2개의 아일랜드 패턴을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 2개의 아일랜드 패턴의 소정부위가 드러나도록 상기 보호막을 일정부분 제거하는 단계와, 상기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The gate pad and the data pad of the TFT substrate of the present invention for achieving the above object is formed with a plurality of gate lines and data lines are vertically intersected, the gate pad and the data pad is formed at the ends of the gate line and data line In the liquid crystal display device, the gate pad and the data pad are each formed of two island patterns, and the two island patterns are electrically connected to pixel electrode lines. Forming two island patterns on the site, forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the two island patterns, forming a protective film on the gate insulating film, and predetermined portions of the two island patterns. A portion of the gate insulating film and the protective film to reveal And forming a pixel electrode on the passivation layer. The method of manufacturing a data pad includes forming a gate insulating layer on an insulating substrate, and forming two island patterns on a predetermined portion of the gate insulating layer. Forming a protective film, forming a protective film on an entire surface of the substrate including the two island patterns, removing a predetermined portion of the protective film to expose predetermined portions of the two island patterns, and forming a pixel electrode on the protective film. Characterized in that it comprises a step of forming.
본 발명의 특징에 의한 TFT기판의 패드 구조는 게이트 패드 및 데이터 패드가 2개의 아일랜드 패턴으로 구성되어 있고, 상기 2개의 아일랜드 패턴이 미세 두께를 갖는 화소전극 라인에 의해 연결되어 있어, 정전기 발생시 인가되는 고전압이 상기 미세 두께를 갖는 화소전극 라인을 통과할 때 화소전극 라인을 열화시켜 단선을 유발하게 되므로 고전압의 박막트랜지스터로의 유입을 방지할 수 있다.According to a pad structure of a TFT substrate according to an aspect of the present invention, a gate pad and a data pad are formed of two island patterns, and the two island patterns are connected by pixel electrode lines having a fine thickness, and thus applied when static electricity is generated. When the high voltage passes through the pixel electrode line having the fine thickness, the pixel electrode line is deteriorated to cause disconnection, thereby preventing the high voltage from flowing into the thin film transistor.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 TFT 기판의 패드 구조를 상세히 설명한다.Hereinafter, a pad structure of a TFT substrate according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 TFT 기판을 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a TFT substrate of a liquid crystal display according to the present invention.
도 3에 도시한 바와 같이, 절연기판(301) 상에 복수개의 게이트라인(302) 및 데이터라인(303)이 교차되어 형성되어 있고, 각 교차 부위에는 액정을 구동하기 위한 박막트랜지스터(306)가 형성되어 있으며, 상기 복수개의 게이트라인 및 데이터라인의 끝부분에는 게이트 패드(304) 및 데이트 패드(305)가 형성되어 있다. As illustrated in FIG. 3, a plurality of
절연기판의 가장자리에는 게이트라인 및 데이터라인을 하나로 묶어주는 쇼팅 바(314)가 구비되어 있고, 이 쇼팅 바는 셀 커팅시 잘려나간다.A shorting
도 4는 도 3의 게이트 패드 및 데이터 패드 부위의 확대도이며, 도 5 및 도 6은 도 4의 I-I선에 따른 단면도로서 각각 게이트 패드 영역과 데이터 패드 영역을 나타낸다. 참고로 게이트 패드와 데이터 패드의 평면도는 동일하다.4 is an enlarged view of a portion of a gate pad and a data pad of FIG. 3, and FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views taken along the line I-I of FIG. 4, respectively, illustrating a gate pad region and a data pad region. For reference, the plan view of the gate pad and the data pad is the same.
도 4에 도시한 바와 같이, 게이트(또는 데이터) 패드는 게이트(또는 데이터) 라인 형성 물질로 이루어진 2개의 아일랜드 패턴(307 또는 308)으로 구성되며, 상기 2개의 아일랜드 패턴은 화소전극(312)으로 각각 덮여져 있으며, 미세 두께를 갖는 화소전극 라인(313)으로 전기적으로 연결된다.As shown in FIG. 4, the gate (or data) pad is composed of two
상기 화소전극 라인은 수 ㎛의 폭을 가지며, 예를 들면 10㎛ 이하 정도이며, 지그재그 형태로 가능한 길게 형성된다. 상기와 같은 형태로 화소전극 라인을 형성하는 이유는 다음과 같다.The pixel electrode line has a width of several μm, for example, about 10 μm or less, and is formed as long as possible in a zigzag form. The reason for forming the pixel electrode line as described above is as follows.
액정표시장치의 TFT 기판 제조시, 셀 커팅 공정을 수행할 때 발생하는 정전기는 고전압 형태로 게이트(또는 데이터) 패드를 통하여 박막트랜지스터의 채널층으로 인가될 수 있는데, 상기 고전압의 유입을 막기 위해 상기 고전압의 유입 통로인 게이트(또는 데이터) 패드의 전기저항을 크게 하는 방법을 고려할 수 있다. 본 발명은 이와 같은 방법을 이용한 것으로서, 전기저항을 크게 하기 위해서는 다음과 같은 식에 의해 화소전극 라인의 길이는 길게 하고 화소전극 라인의 폭 및 두께는 얇게 해야 한다.In manufacturing a TFT substrate of a liquid crystal display device, static electricity generated when performing a cell cutting process may be applied to a channel layer of a thin film transistor through a gate (or data) pad in a high voltage form. A method of increasing the electrical resistance of the gate (or data) pad, which is a high voltage inflow passage, may be considered. According to the present invention, in order to increase the electrical resistance, the length of the pixel electrode line should be increased and the width and thickness of the pixel electrode line should be made thin by the following equation.
여기서, ρ는 화소전극 라인의 비저항이고 l, w 및 t는 각각 화소전극 라인의 길이, 폭 및 두께이다. Where p is the resistivity of the pixel electrode line and l, w and t are the length, width and thickness of the pixel electrode line, respectively.
상기와 같이 높은 저항값을 갖는 화소전극 라인에 정전기에 의한 고전압의 전류가 흐르게 되면 열화에 의해 단선이 일어나게 된다.When a high voltage current flows due to static electricity to the pixel electrode line having a high resistance value as described above, disconnection occurs due to deterioration.
이 관계는 다음 식에 의해 나타난다.This relationship is represented by the equation
여기서, P는 소비전력, i는 정전기 발생시 화소전극라인에 흐르는 전류, R은 화소전극 라인의 저항이다.Where P is power consumption, i is current flowing through the pixel electrode line when static electricity is generated, and R is the resistance of the pixel electrode line.
여기서, Q는 단위시간당 화소전극 라인에 인가되는 열량을 나타낸다.Here, Q represents the amount of heat applied to the pixel electrode line per unit time.
상기 게이트 패드 및 데이터 패드 구조를 단면도를 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.The gate pad and data pad structures will be described in more detail with reference to the cross-sectional view as follows.
도 5는 게이트 패드의 단면도이고, 도 6은 데이터 패드의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the gate pad, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the data pad.
도 5에 도시한 바와 같이, 절연기판(301) 상의 소정부위에 게이트라인 형성물질과 동일한 물질로 2개의 아일랜드 패턴(307)이 형성되어 있다. 상기 게이트라인의 재료로는 Al, AlNd, Mo, Cr, Ti, Ta, Al 합금 등이 이용되며 단일층 또는 이중층으로 형성한다.As shown in FIG. 5, two
또한, 상기 2개의 아일랜드 패턴(307)을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막(309) 및 보호막(310)이 차례로 형성되어 있고, 상기 2개의 아일랜드 패턴과 콘택홀을 통해 전기적으로 연결되는 화소전극(312)이 상기 보호막 상에 형성되어 있다.In addition, a
상기 2개의 아일랜드 패턴 사이에 있어서, 상기 화소전극은 수 ㎛의 폭을 갖는 미세라인(313)으로 패터닝되어 있다.Between the two island patterns, the pixel electrode is patterned by
한편, 데이터 패드의 구조는 도 6에 도시한 바와 같이, 절연기판(301) 상에 게이트 절연막(309)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막 상의 소정부위에 데이터라인 형성물질과 동일한 물질로 2개의 아일랜드 패턴(308)이 형성되어 있다. 상기 데이터라인의 물질로는 Al 합금, Al, Ti, Cr, Mo, Ta, AlNd 등이 이용된다.On the other hand, the structure of the data pad, as shown in Figure 6, the
상기 2개의 아일랜드 패턴(308)을 포함한 기판 전면에 보호막(310)이 형성되어 있으며, 상기 2개의 아일랜드 패턴(308)과 콘택홀을 통해 전기적으로 연결되는 화소전극(312)이 상기 보호막 상에 형성되어 있다.A
게이트 패드에서와 마찬가지로, 2개의 아일랜드 패턴(308) 사이의 화소전극(312)은 수 ㎛의 폭을 갖는 미세라인(313)으로 패터닝되어 있다.As in the gate pad, the
도 7a 내지 7c는 본 발명에 따른 TFT 기판의 게이트 패드 및 데이터 패드 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도로서 박막트랜지스터 형성 공정을 참고하여 도시한 것이다.7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gate pad and a data pad of a TFT substrate according to the present invention with reference to a thin film transistor forming process.
도 7a에 도시한 바와 같이, 절연기판(301) 상에 도전성 금속을 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 증착한 후, 패터닝하여 박막트랜지스터 영역에는 게이트 전극(307a)을 형성하고, 게이트 패드 영역에는 2개의 아일랜드 패턴으로 이루어진 게이트 패드 금속(307)을 형성한다. 상기 도전성 물질로는 Al, AlNd, Mo, Cr, Ti, Ta, Al 합금 등이 이용되며 단일층 또는 이중층으로 형성한다.As shown in FIG. 7A, a conductive metal is deposited on the insulating
이어, 상기 게이트 전극(307a) 및 게이트 패드 금속(307)을 포함한 기판 전면에 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 재질의 게이트 절연막(309)을 형성한다.Subsequently, a gate insulating film made of silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN x ) may be formed on the entire surface of the substrate including the
이후, 박막트랜지스터 영역에는 게이트 절연막(309) 상에 비정질 실리콘층을 증착하여 활성화시킨 후 패터닝하여 박막트랜지스터의 채널층인 반도체층(314)을 형성한다.Subsequently, in the thin film transistor region, an amorphous silicon layer is deposited and activated on the
도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층(314)을 포함한 기판 전면에 도전성 금속을 스퍼터링법으로 증착한 후, 패터닝하여 박막트랜지스터 영역에는 소스/드레인 전극(315, 316)을 형성하고, 데이터 패드 영역에는 2개의 아일랜드 패턴으로 이루어진 데이터 패드 금속(308)을 형성한다. 상기 도전성 물질로는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), Mo, Ta, Ti, Al 합금, AlNd 등이 사용된다.As shown in FIG. 7B, a conductive metal is deposited on the entire surface of the substrate including the
도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 소스/드레인 전극(315, 316) 및 데이터 패드 금속(308)을 포함한 기판 전면에 절연 재질의 보호막(310)을 형성한다. 상기 보호막의 재료로는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)과 같은 무기물 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴(Acryl)과 같은 유기물이 사용된다.As shown in FIG. 7C, a
이어, 상기 박막트랜지스터 영역에는 드레인 전극(316)의 소정부위가 드러나도록 상기 보호막(310)을 선택적으로 식각하여 콘택홀을 형성하여 드레인 전극(316)과 전기적으로 연결되는 화소전극(312)을 형성하고, 게이트 패드 및 데이 터 패드 영역에 있어서는, 2개의 아일랜드 패턴(307, 308)의 소정부위가 드러나도록 콘택홀을 형성하여 화소전극(312)을 형성한다.Subsequently, in the thin film transistor region, the
상기 각 콘택홀의 식각공정은 동시에 이루어지며 화소전극의 형성도 동일 공정 하에서 이루어진다.The etching process of each of the contact holes is performed at the same time, and the pixel electrode is formed under the same process.
이때, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드 영역에 형성되는 화소전극은 2개의 아일랜드 패턴 사이에 있어서, 수 ㎛의 폭을 갖는 미세 라인(313)으로 패터닝된다. (도 4 참조)In this case, the pixel electrode formed in the gate pad and the data pad region is patterned into
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치의 TFT 기판은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the TFT substrate of the liquid crystal display device of the present invention has the following effects.
액정 셀 공정의 셀 커팅 공정 수행시 발생할 수 있는 정전기성 불량을 없애므로 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있고, TFT 소자의 특성을 보호할 수 있으며 정전기 방지용 회로가 불필요해 액정표시장치의 구조를 단순화할 수 있다.It eliminates the electrostatic defects that can occur during the cell cutting process of the liquid crystal cell process, thereby improving the yield and productivity, protecting the characteristics of the TFT device, and eliminating the antistatic circuit, simplifying the structure of the liquid crystal display device. Can be.
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