KR100795801B1 - Electrophoretic display apparatus - Google Patents

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Abstract

An electrophoretic display is provided to reduce effects of an electric field, formed between a first electrode and a gate electrode, by reducing a distance between the first electrode and the gate electrode, thereby helping smooth movement of electrophoretic particles and accordingly improving image quality of the electrophoretic display. First and second substrates(110,120) face each other. A first electrode(111) is formed on the first substrate. Source and drain electrodes(131,132) are separately disposed on the second substrate so as to head for the first electrode. A dielectric layer(133) covers edges of the source electrode and drain electrode on the second substrate, and has a hole form in a space between the source and drain electrodes. A second electrode(121) is connected with one of the source electrode and drain electrode, and is formed on the dielectric layer. A semiconductor layer(134) is disposed within the hole, and formed between the source and drain electrodes and on the source and drain electrodes. A gate insulating layer(135) is disposed within the hole and on the semiconductor layer. A gate electrode(136) is disposed on within the hole and on the gate insulating layer, and is disposed so that a distance from the first electrode can be farther than a distance between the first and second electrodes. An electrophoretic layer(140) includes electrophoretic dispersants(142) and electrophoretic particles(141) interposed between the first and second electrodes.

Description

전기 영동 디스플레이 장치{Electrophoretic display apparatus} Electrophoretic display devices {Electrophoretic display apparatus}

도 1a 은 종래 기술에 따른 전기 영동 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. Figure 1a is a cross-sectional view schematically showing a structure of an electrophoretic display device according to the prior art.

도 1b 및 도 1c는 종래 기술에 따른 전기 영동 디스플레이 장치의 화상 표시 원리를 나타내는 개략적인 단면도이다. Figure 1b and Figure 1c is a schematic cross-sectional view showing the image display principle of the electrophoretic display device according to the prior art.

도 2은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. Figure 2 is a plan view schematically showing an electrophoretic display device according to an embodiment of the present invention.

도 3는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 취한 단면도이다. Figure 3 is a cross sectional view taken along the Ⅲ-Ⅲ line of Fig.

도 4는 본 발명의 실시예에 대한 비교예를 도시한 평면도이다. Figure 4 is a plan view showing a comparative example of an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. Figure 5 is a plan view schematically illustrating an electrophoretic display device according to an embodiment variant of the invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 > <Description of the Related Art>

100: 전기 영동 디스플레이 장치 110: 제 1기판 100: Electrophoretic display device 110: The first substrate

111: 제 1전극 120: 제 2기판 111: first electrode 120: a second substrate

121: 제 2전극 130: 박막 트랜지스터 121: second electrode 130: thin film transistor

131: 소스 전그 132: 드레인 전극 131: source jeongeu 132: drain electrode

133: 유전체층 134: 반도체층 133: dielectric layer 134: semiconductor layer

135: 게이트 절연막 136: 게이트 전극 135: Gate insulating film 136: gate electrode

140: 전기 영동층 141: 전기 영동 입자 140: electrophoretic layer 141: electrophoretic particle

142: 전기 영동 분산매 150: 스캔 라인 142: electrophoretic dispersion medium 150: scan line

160: 데이터 라인 160: Data line

본 발명은 전기 영동 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기 영동 디스플레이 장치의 대향 전극과 게이트 전극(또는 스캔 라인) 사이에 형성된 전기장에 의한 전극간의 간섭을 방지하여 화질을 개선한 전기 영동 디스플레이 장치에 관한 것이다. The invention, more particularly, to the counter electrode and the gate electrode (or scan line), an electrophoretic display device that improves the electric field picture quality by preventing the interference between the electrodes due to formed between the electrophoretic display device relates to an electrophoretic display device relate to.

전기 영동 디스플레이 장치는 대전된 안료 입자가 분산된 분산액에 있어서, 이 안료 입자들이 전기장에 의해 이동하는 전기 영동 현상을 이용한 비발광형 디스플레이 장치로서, 넓은 시야각, 높은 반사율, 쉬운 가독성 및 저소비전력 등의 특징을 갖는 차세대 디스플레이 장치이다. The electrophoretic display device is such in which the charged pigment particles dispersed in the dispersion, the pigment particles as a non-emissive display device using the electrophoretic phenomenon to move by the electric field, wide viewing angles, high reflectance, easy readability, and low power consumption a next-generation display device having characteristics.

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 나타내고 있다. Figure 1a to 1c shows the electrophoretic display device according to the prior art. 도 1a는 그 구조를 나타내는 개략적인 단면도이고, 도 1b 및 도 1c는 화상 표시 원리를 나타내는 개략적인 단면도이다. Figure 1a is a schematic cross-sectional view showing the structure thereof, Figure 1b and Figure 1c is a schematic cross-sectional view showing the image display principle.

도시된 바와 같이, 전기 영동 디스플레이 장치는 제 1기판(1)에 형성된 투명 전극(3)과, 제 2기판(2) 내측에 형성된 제2전극(4) 사이에 전기 영동층(10)이 형성 되어 있다. As shown, the electrophoretic display apparatus includes a first substrate 1, transparent electrode 3 and the second electrode electrophoretic layer 10 between (4) formed inside the second substrate 2 is formed in the form It is. 상기 전기 영동층(10)은 액상 분산매(6)와, 이 액상 분산매(6) 내에 분산되어 있는 대전된 전기 영동 입자(5)들로 구성되어 있다. The electrophoretic layer 10 is composed of the liquid phase dispersion medium (6), is dispersed in a liquid phase dispersion medium (6), the electrophoretic particles 5 with the charging. 이 때, 액상 분산매(6)와 전기 영동 입자(5)는 서로 상이한 색으로 착색되어 있다. At this time, the liquid phase dispersion medium 6 and electrophoretic particles (5) are colored in mutually different colors.

이 전기 영동 디스플레이 장치에는 서로 역방향의 전압을 인가하기 위한 전압원(9a)(9b)이 전환 스위치(8)를 통해서 접속하고 있다. The electrophoretic display device, and a voltage source (9a) for applying a voltage in the reverse direction (9b) is connected via the change-over switch (8) with each other. 이러한 접속에 의해 전환 스위치(8)의 전환에 따라서 전극(3)(4)에 인가되는 전압의 방향을 전환함으로써, 전기 영동 입자(5)를 소망의 전극에 채집하여 소망의 표시를 행할 수 있다. By this by the connection in accordance with the switching transition of switch (8) switching the direction of the voltage applied to the electrode 3 (4), to collect the electrophoretic particles 5 to the electrode of a desired can be performed to display a desired . 즉, 전기 영동 입자(5)가 양으로 대전되어 있는 경우, 도 1b에 도시된 바와 같이, 전압원(9a)에 의한 전압을 인가함으로써 관측자에게 가까운 투명 전극(3)측에 전기 영동 입자(5)를 채집할 수 있고, 이 상태에서 관측자는 전기 영동 입자(5)의 색을 보게 된다. That is, when the electrophoretic particles 5 are positively charged, the electrophoretic particles near the transparent electrode 3 side to the observer, by applying a voltage by the voltage source (9a) as shown in Figure 1b (5) and to be collected, in this state, the observer will see the color of the electrophoretic particles (5). 한편, 도 1c에 도시된 바와 같이, 전압원(9b)에 의한 전압을 인가함으로써 관측자로부터 떨어진 전극(4)측에 전기 영동 입자(5)를 채집할 수 있고, 이 상태에서 관측자는 액상 분산매(6)의 색을 보게 된다. On the other hand, as shown in FIG. 1c, it is possible to collect the electrophoretic particles (5) to a voltage source (9b) away from the electrode 4 from the viewer by applying a voltage by side, in a state observer dispersion medium (6 Liquid ) you will see the colors. 반대로, 전기 영동 입자(5)가 음으로 대전되어 있는 경우, 상술한 바와 반대되는 현상에 의해 색을 관찰하게 된다. Conversely, for a case in which the electrophoretic particles 5 are negatively charged, thereby observing the color by the opposite phenomenon described above.

상기와 같은 전기 영동 디스플레이 장치는 상기의 전환 스위치 대신에 박막 트랜지스터에 의해 구동 될 수 있는데, 탑 게이트(Top gate) 구조의 박막 트랜지스터를 사용할 경우, 전기 영동 디스플레이 장치의 대향 전극과 게이트 전극(또는 스캔 라인) 사이에 형성된 전기장에 의한 전극간의 간섭이 발생하여 전기 영동 디스플레이 장치의 화상 품질을 떨어뜨리는 문제가 있을 수 있다. The electrophoretic display device as described above may be driven by a thin film transistor in place of the of the changeover switch, the top gate (Top gate) when using the thin film transistors in the structure, the counter electrode and the gate electrode (or a scan of the electrophoretic display device line), there is a problem with interference between the electrodes by the electric field generated to drop the image quality of the electrophoretic display device may be formed in between.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 전기 영동 디스플레이 장치의 대향전극과 게이트 전극(또는 스캔 라인) 사이에 형성된 전기장에 의한 전극간의 간섭을 방지함으로써 화질이 개선된 전기 영동 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention to solve various problems including the above-mentioned problems, an electric image quality is improved by preventing the counter electrode and the interference between the electrodes by the electric field formed between the gate electrode (or scan line) of the electrophoretic display device to provide an electrophoretic display device for the purpose.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 대향하는 제 1,2기판과, 상기 제 1기판의 내측면에 형성된 제 1전극과, 상기 제 2기판 상에 유전체층이 형성되고, 상기 유전체층 상에 형성된 제 2전극과, 상기 제 1,2전극 사이에 개재된 전기 영동 입자 및 전기 영동 분산매를 포함하는 전기 영동층 및, 상기 유전체층 사이 및 상기 제 2기판 상에 에 형성되고, 상기 제 1전극 사이와의 거리가 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이의 거리보다 길게 배치된 게이트 전극을 구비하고, 상기 제2전극과 단차를 두고 전기적으로 연결된 탑 게이트(Top gate) 구조의 박막 트랜지스터를 구비하는 전기 영동 디스플레이 장치를 제공한다. In order to achieve the objectives and many other objectives as described above, the present invention first and second substrate, a first electrode, a dielectric layer on the second substrate provided on the inner side of the first substrate facing each other to form and, a second electrode formed on the dielectric layer, the first being formed between and on the second substrate and the electrophoretic layer, the dielectric layer containing the electrophoretic particles and an electrophoretic dispersion medium, interposed between the second electrode , the first top gate (Top gate) with the second electrode and the step is electrically connected to the distance to the between the first electrode and a gate electrode arranged longer than the distance between the first electrode and the second electrode, the structure in providing an electrophoretic display device having a thin film transistor.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극은 상기 유전체층으로 둘러싸인 소정 깊이를 가진 홀 내부에 형성될 수 있다. According to a further feature of the present invention, the gate electrode may be formed in the inner hole with a predetermined depth, surrounded by the dielectric layer.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박막 트랜지스터는, 상기 제 2전극과 어느 하나가 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인전극 사이와, 상기 소스 및 드레인 전극의 일부에 오버랩 되도록 적층된 반도체층 과, 상기 반도체층을 덮는 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극을 구비하고, 상기 반도체층, 게이트 절연막, 및 게이트 전극은 상기 유전체층으로 둘러싸인 소정 깊이를 가진 홀 내부에 형성될 수 있다. According to a further feature of the invention, the thin film transistor, the second electrode and the one to one is overlapped on a portion of electrically the source and drain electrodes and between the source and drain electrodes, the source and drain electrodes, which is connected to having a gate electrode disposed on the covering of a laminated semiconductor layer, the semiconductor layer, a gate insulating film, the gate insulating film, and the semiconductor layer, a gate insulating film, and a gate electrode in the hole inside with a predetermined depth, surrounded by the dielectric layer It can be formed.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 유전체층은 유연성 있는 유기물로 형성될 수 있다. According to a further feature of the present invention, the dielectric layer may be formed of a flexible organic material.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 유기물은 아크릴로 이루어질 수 있다. According to a further feature of the present invention, the organic material may be made of acrylic.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 박막 트랜지스터의 반도체 활성층은 유기 반도체재로 이루어질 수 있다. According to a further feature of the present invention, a semiconductor active layer of the thin film transistor may be formed of an organic semiconductor material.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극과 상기 전기 영동층 사이에는 소정의 갭(gap)이 유지될 수 있다. According to a further feature of the present invention, between the gate electrode and the electrophoretic layer has a predetermined gap (gap) is maintained.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극과 상기 전기 영동층 사이의 소정 갭(gap)에는 비유전율(ε)이 1 보다 큰 물질로 채워질 수 있다. According to a further feature of the present invention, a predetermined gap (gap) between the gate electrode and the electrophoretic layer may be filled with a dielectric constant (ε) it is greater than the first material.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극과 상기 전기 영동층 사이의 소정 간격에는 비유전율(ε)이 1 보다 큰 물질은 상기 유전체층과 동일한 물질일 수 있다. According to a further feature of the present invention, the predetermined distance between the gate electrode and the electrophoretic layer, the relative dielectric constant (ε) greater than the first material it may be the same material as the dielectric layer.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 전기 영동층은, 상기 전기 영동 입자 및 전기 영동 분산매를 포함하는 마이크로 캡슐 및 바인더를 포함할 수 있다. According to a further feature of the present invention, the electrophoretic layer can comprise a binder and the microcapsules including the electrophoretic particles and an electrophoretic dispersion medium.

이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the preferred embodiments of the invention illustrated in the accompanying drawings will be described in more detail the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레 이 장치가 도시되어 있다. FIG When 2 and 3, there is an electrophoretic display in accordance with one embodiment of the invention the device. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 관한 전기 영동 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면도이다. Figure 2 is a plan view showing a schematic configuration of an electrophoretic display device according to an embodiment of the invention, Figure 3 is a cross sectional view taken along the line Ⅲ Ⅲ-2.

상기 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치(100)는, 제 1기판(110)의 일 측에 형성된 제 1전극(111)과 제 2기판(120) 상에 형성된 제 2전극(121) 사이에 형성된 전기 영동층(140) 및 스위칭 소자로 사용된 박막 트랜지스터(130) 등을 포함한다. As shown in the figure, a formed on one side of the first electrode 111 and the second substrate 120 formed on the electrophoretic display device 100 includes a first substrate 110 according to this embodiment It includes a second electrode 121, an electrophoretic layer 140, and the thin film transistor 130 used as a switching element formed between the like.

본 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치의 표시 영역인 제 1기판(110)은 광 투과성이 우수한 투명 유리 또는 플렉스블(flexible)한 투명 필름 등으로 구성된다. Display area of ​​the first substrate 110 of an electrophoretic display device according to this embodiment is composed of such a light-transmitting glass or a transparent high flex block (flexible) a transparent film.

제 1기판(110)에는 전기 영동층(140)측을 향한 면에 제 1전극(111)이 성막되어 있다. The first substrate 110 is first electrode 111 is formed on the side facing the electrophoretic layer 140 side. 본 실시예에서 제 1전극(111)은 공통전극으로 사용되며, 관측자가 전기 영동층(140)에 의한 색의 변화를 관찰할 수 있도록 투명 전극, 예를 들어 산화인듐주석(IT0) 또는 산화인듐아연(IZO) 등으로 이루어진다. A first electrode 111 in this embodiment is used as a common electrode, a transparent electrode, such as indium tin (IT0), or indium oxide, so that the observer can observe a change in color due to the electrophoretic layer 140 It made of zinc (IZO) or the like.

제 1전극(111)과 제 2전극(121)의 사이에는 전기 영동 입자(141)와 전기 영동 분산매(142)를 포함하는 전기 영동층(140)이 개재되어 있다. Between the first electrode 111 and second electrode 121, there is interposed an electrophoretic layer 140 includes an electrophoretic dispersion medium and electrophoretic particles 141, 142. 전기 영동 입자(141)는 분산매 내에서 전위차에 의한 전기 영동에 의해 이동하는 성질을 가진 유기 또는 무기의 입자(고분자 또는 콜로이드)들이다. Electrophoretic particle 141 is a dispersion medium of an organic or inorganic particles are in the nature to move by electrophoresis according to a potential difference in the (polymer or colloid). 이러한 전기 영동 입자로서는, 예를 들어, 이니린 블랙, 카본 블랙 등의 흑색 안료, 이산화 티탄, 아연화, 3산화 안티몬 등의 백색 안료, 모노아조, 폴리아조 등의 아조계 안료, 이소인드리 논, 황연, 황색 산화철, 카드뮴 옐로, 티탄 옐로, 안티몬 등의 황색 안료, 모노아조, 디조아조, 폴리아조 등의 아조계 안료와, 키나크리돈 레드, 크롬바닐리온 등의 적색 안료, 프탈로시아닌 블루, 인단스렌 블루, 안트라퀴논계 염료, 감청, 군청, 코발트 블루 등의 청색 안료, 프탈로시아닌글린 등의 녹색 안료 등을 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. Examples of the electrophoretic particles, for example, is that lean black, azo-based pigments, iso which give non-white pigment, monoazo, polyazo, etc., such as a black pigment, titanium dioxide, zinc white, antimony trioxide, carbon black, chrome yellow, yellow iron oxide, cadmium yellow, titanium yellow, antimony, etc. as a yellow pigment, a monoazo, Paradiso azo, polyazo, such as azo-based pigments, and a key Cri money red, chrome bar nilri on such as red pigments, phthalocyanine blue, indanthrone of seuren blue, anthraquinone dyes, Prussian blue, ultramarine, cobalt blue and so on of the blue pigment, at least one or two or green pigment such as phthalocyanine Glynn can be used. 필요에 따라 이들의 안료에는 전해질, 계면 활성제, 금속 비누, 수지, 고무, 기름, 바니쉬, 콤파운드 등의 입자로 이루어진 하전 제어제, 티탄계 커플링제, 알루미늄계 커플링제, 시란계 커플링제 등의 분산제, 윤활제, 안정화제 등을 첨가할 수 있다. Those of the pigment, as needed, the charge control agent consisting of particles of electrolyte, surfactant, metal soap, resin, rubber, oil, varnish, compound, titanium-based coupling agent, such as an aluminum-based coupling agent, when field-based coupling agent It may be added dispersants, lubricants, stabilizers and the like.

전기 영동 입자(141)을 함유한 전기 영동 분산매(142)가 제 1,2전극(111)(121) 사이의 공간에 충진되어 있다. A dispersion medium containing electrophoretic electrophoretic particles 141, 142 are filled in a space between the first and second electrodes 111, 121. 상기 전기 영동 분산매(142)는 20∼500㎛ 정도의 두께를 갖도록 라미네이팅 또는 코팅되며, 전기 영동 입자의 중력에 의한 침강을 피하기 위해 분산매(142)의 비중과 전기 영동 입자(141)의 비중은 거의 같게 설정되는 것이 바람직하다. Portion of the electrophoretic dispersion medium 142 has a specific gravity of the electrophoretic particles 141 of the dispersion medium 142 in order to avoid sedimentation due to gravity and the laminated or coated to have a thickness of about 20~500㎛, the electrophoretic particles are substantially to be the same set is preferred. 이러한 전기 영동 분산매(142)로는, 예를 들어,물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 옥탄올, 메틸셀솔부 등의 알콜계용매, 초산에틸, 초산부틸 등의 각종 에스테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸게톤 등의 케톤류, 펜탄, 헥산, 옥탄 등의 지방족 산화수소, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등의 지환식 탄화수소, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 노닐벤젠, 데실벤젠, 운데실벤젠, 도데실벤젠, 트리데실벤젠, 테트라데실벤젠 등의 장쇄 알킬기를 가진 벤젠류 등의 방향족 탄화수소, 염화메틸렌, 클로로포름, 사염화탄소, 1,2-디클로로에탄 등의 할로겐화 탄화수소, 카본산염 또는 그 외 의 각종 유류 등의 단독 또는 이들의 혼합물에 계면활성제 등을 배합한 것을 사용할 수 있다. These roneun electrophoretic dispersion medium 142, for example, water, methanol, ethanol, isopropanol, butanol, octanol, current various esters such as alcohol-based solvent, ethyl acetate, butyl acetate and methyl cells solbu, acetone, methyl ethyl ketone, methylisobutyl geton such as a ketone, pentane, hexane, alicyclic hydrocarbons, benzene, toluene, xylene and the like aliphatic oxidation of hydrogen, cyclohexane, methylcyclohexane, such as octane, hexyl benzene, heptyl benzene, octyl benzene, nonyl benzene halogenated hydrocarbons, such as, decyl benzene, undecyl benzene, dodecyl benzene, tridecyl benzene, tetradecyl benzene with long-chain alkyl group, such as benzenes, such as aromatic hydrocarbons, methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, may be used by blending the surface active agent or the like, alone or in a mixture thereof such as a carbon acid, or other various types of fuel.

전기 영동층(140)의 하부에는 제 2전극(121)이 배설되어 있다. The lower portion of the electrophoretic layer 140, there is a second electrode 121 is disposed. 제 2전극(121)은 반드시 투명 전극일 필요는 없으나, 투명 전극으로 사용할 경우, ITO 또는 IZO 등으로 구성할 수 있다. A second electrode 121, but have to be a transparent electrode, can be configured as when used as a transparent electrode, ITO or IZO and the like. 제 2전극(121)은 박막 트랜지터(130)의 소스 또는 드레인 전극(131)(132)과 전기적으로 연결되어 있다. The second electrode 121 is electrically connected to the source or drain electrodes 131 and 132 of the thin film transient jitter 130. 본 실시예의 제 2전극(121)은 박막 트랜지스터(130)의 드레인 전극(132)과 전기적으로 연결되어 있다. Of the second electrode 121 of this embodiment is electrically connected to the drain electrode 132 of the TFT 130.

상기 박막 트랜지스터(130)는 유리 기판이나 필름 기판으로 구성된 제 2기판(120) 상에 형성된다. The thin film transistor 130 is formed on the second substrate 120 is composed of a glass substrate or a film substrate. 한편, 도시되지는 않았으나, 박막 트랜지스터를 갖는 제2기판(120)에는 박막 트랜지스터를 구동 제어하기 위한 각종 주변 회로를 형성할 수 도 있다, 또한 본 실시예에서는 공통 전극인 제 1전극(111)을 제1기판(110) 상에 형성하고, 박막 트랜지스터(130)를 제2기판(120) 측에 형성하고 있지만, 박막 트랜지스터(130) 제1기판(110) 측에 형성되어 있어도 좋다. On the other hand, although not shown, the second substrate 120 having a thin film transistor can also be formed in a variety of peripheral circuits for driving control of the thin film transistor, and a common electrode, a first electrode 111 in the present embodiment, the forming on the first substrate 110, but to form a thin film transistor 130 on the side of the second substrate 120, it may be formed on the thin film transistor 130, the first substrate 110 side.

본 실시예에 의한 박막 트랜지스터(130)는 소스 및 드레인 전극(131)(132), 유전체층(133), 반도체층(134), 게이트 절연막(135) 및 게이트 전극(136)을 포함한다. The thin film transistor 130 according to this embodiment includes a source and drain electrodes 131 and 132, a dielectric layer 133, semiconductor layer 134, gate insulating film 135 and gate electrode 136.

먼저, 제 2기판(120) 상에 소스 전극(131) 및 드레인 전극(132)이 형성되어 있다. First, it is the second substrate 120, the source electrode 131 and drain electrode 132 is formed on this. 본 실시예의 경우, 드레인 전극(132)에 제 2전극(121)이 단차를 두고 전기적으로 연결되어 있다. In the case of this embodiment, the second electrode 121 to the drain electrode 132 is electrically connected to leave a step. 소정의 게이트 신호에 의해 소스 전극(131)과 드레인 전극(132)이 전기적으로 소통되는 동안, 데이터 라인(160)으로부터 공급되는 데이터 신호는 소스 및 드레인 전극(131)(132)을 통해 제 2전극(121)으로 전달된다. A second electrode through the source electrode 131 and drain electrode 132 during the electrical communication, the data lines a data signal supplied from the unit 160 is the source and drain electrodes 131 and 132 by a predetermined gate signal It is transferred to 121. 제 2전극(121)에 기입된 소정 레벨의 데이터 신호는 공통 전극인 제 1전극(111)에서 일정 기간 유지된다. Agent of a predetermined level written to the second electrode 121, the data signal is maintained at a certain period by the common electrode, the first electrode 111. 전하를 갖는 전기 영동 입자는 제 2전극(121) 또는 제 1전극(111) 중에서 입자와 반대 극성의 전극 쪽으로 가까이 끌어당길 수 있어 대전 입자의 색과 분산매의 색의 대비에 의하여 계조 표시를 가능하게 한다. Electrophoretic particles having come to have charges enabling the gradation display by the contrast of the second electrode 121, or can pull up from the first electrode 111 towards the particle and the electrode of the opposite polarity it in a charged particle color and the dispersion medium color do.

이 소스 및 드레인 전극(131)(132) 상의 일정 영역에는 우물(well)형태의 홀(hole)을 가진 유전체층(133)이 쌓여 있다. Predetermined region on the source and drain electrodes 131 and 132 is stacked the dielectric layer 133 with a well (well) in the form of holes (hole). 이러한 구조는 유전체층(133)을 두껍게 형성한 후, 소스 및 드레인 전극(131)(132)의 일정부분을 남기고 상기 유전체층(133)을 우물(well) 형태로 식각하여 형성된 것이다. This structure is formed by leaving a portion of the dielectric layer after the formation of a thick (133), the source and drain electrodes 131 and 132 to etch the dielectric layer 133 in the well (well) form. 본 실시예에서는 상기 홀의 형상을 사각 형태로 구성하였으나, 이와 달리 다양한 다른 형상으로 구성하는 것도 물론 가능하다. In the present embodiment, but the configuration of the hole shape to a rectangular shape, it is also possible, of course made up of a variety of other shapes contrast. 본 실시예에 따른 박막 트랜지스터(130)의 유전체층(133)이 상기와 같은 구조를 가지는 이유는 후술한다. The reason the dielectric layer 133 of the thin film transistor 130 according to this embodiment having the structure as described above will be described later.

이러한 식각 후, 이 유전체층(133)으로 둘러싸인 홀 내부의 드레인 전극(132)에는, 전기 영동층(140)과 전기적으로 연결되는 제 2전극(121)이 유전체층(133) 상에 형성된다. After this etching, is formed on the dielectric layer, the drain electrode 132 of the hole surrounded by the inner section 133, an electrophoretic layer 140, and electrically the second electrode 121, a dielectric layer 133 is connected to.

그리고, 소스 및 드레인 전극(131)(132) 사이와, 소스 및 드레인 전극(131)(132) 상에 반도체층(134)이 형성된다. Then, the semiconductor layer 134 is formed on the source and drain electrodes 131 and 132 and between the source and drain electrodes 131 and 132. 이 반도체층(134)은 비정질 실리콘 박막 또는 다결정질 실리콘 박막으로 형성될 수 있으며, 또는 유기 반도체 물질로 형성될 수도 있다. The semiconductor layer 134 may be formed of an amorphous silicon thin film or the may be formed of a crystalline silicon thin film, or an organic semiconductor material. 본 실시예에 의한 반도체층(134)은 유기 반도체재로 형성되었으며, 이에 대하여는 후술한다. Semiconductor layer 134 according to this embodiment has been formed of an organic semiconductor material, this will be described later. 또한, 상기 도면에서 자세히 도시되지는 않았으나, 필요에 따라 제 1 반도체층(134)은 N+형 또는 P+형의 도펀트들로 도핑된 소스 및 드레인 영역과, 채널 영역을 구비 할 수 있다. Further, although not shown in detail in the drawings, as needed, the first semiconductor layer 134 may be provided with N + type or doped with a dopant of the P + type source and drain regions and a channel region.

반도체층(134) 상에는 반도체층(134)과 게이트 전극(136)과의 절연성을 확보하기 위하여, SiO 2 등으로 구성되는 게이트 절연막(135)이 반도체층(134)과 게이트 전극(136) 사이에 개재된다. Between the semiconductor layer 134 on the semiconductor layer 134 and the gate in order to secure the insulating property between the electrodes 136, gate insulating film 135 composed of SiO 2, such as the semiconductor layer 134 and the gate electrode 136 It is interposed.

게이트 절연막(135) 상부에는 스캔 라인(150)에 연결된 게이트 전극(136)이 구비된다. A gate insulating film 135, the upper is provided with a gate electrode 136 connected to the scan line 150. 이 스캔 라인(150)으로부터 게이트 전극(136)에 인가되는 신호에 따라 소스 전극(131)과 드레인 전극(132)이 전기적으로 소통된다. Source electrode 131 and drain electrode 132 is electrically communicated in accordance with the signal applied to the gate electrode 136 from the scanning line 150. 게이트 전극(136)은 인접층과의 밀착성, 증착되는 층의 표면 평탄층 그리고 가공성 등을 고려하여, 예를 들어 MoW, Al/Cu 등과 같은 물질로 형성된다. Gate electrode 136 is in consideration of the surface of the planarizing layer and the workability of the adhesion layer, the deposition of the adjacent layer, for example formed from a material such as MoW, Al / Cu.

본 실시예에 의한 게이트 전극(136)은 유전체층(133)으로 둘러싸인 소정 깊이를 가진 홀 내부에 형성되면서, 동시에 제 2전극(121)보다 낮게 배치되어 형성된다. A gate electrode 136 of the present embodiment is formed as a hole having a predetermined depth inside surrounded by the dielectric layer 133, are formed at the same time are arranged below the second electrode 121. 즉, 제 1전극(111)과 게이트 전극(136) 사이의 거리(D2)가 제 1전극(111)과 제 2전극(121) 사이의 거리(D1)보다 길게 형성된다. That is, the distance (D2) between the first electrode 111 and the gate electrode 136 is formed longer than a distance (D1) between the first electrode 111 and the second electrode 121. 이때 상기 게이트 전극(136)에 연결되는 스캔 라인(150)과 제 1전극(111) 사이의 거리도 역시 제 1전극(111)과 제 2전극(121) 사이의 거리(D1)보다 길게 형성되는 것이다. The formed longer than a distance (D1) between the distance between the gate electrode scanning line connected to 136, 150 and the first electrode 111, also the first electrode 111 and the second electrode 121 will be. 이는 게이트 전극(136)(또는 스캔 라인(150))이 제 2 전극(121)보다 제 1전극(111)에 가깝게 형성될 경우, 제1,2전극(111)(121) 사이에 형성되는 전기장의 세기보다 제 1전극(111)과 게이트 전극(136) 사이에 형성되는 전기장의 세기가 커지는 것을 방지하기 위함이다. This case be formed as close to the gate electrode 136 (or the scan line 150), the first electrode 111 than the second electrode 121, the electric field formed between the first and second electrodes 111, 121 is the intensity of the electric field formed between intensity than that of the first electrode 111 and the gate electrode 136 is to prevent the increase in order.

전술한 바와 같이, 전하를 띤 전기 영동 입자(141)들은 제 1,2 전극(111)(121)에 인가되는 전압의 방향이 전환됨에 따라 전기 영동 입자(141)와 반대되는 극성을 갖는 전극 쪽으로 이동되어 색을 표현하게 된다. Electrophoretic particles, charged as described above, 141 are side electrode having a polarity opposite to the electrophoretic particles 141 in accordance with the direction of the switched voltages applied to the first and second electrodes 111, 121 the mobile is to express color. 이때, 제 1전극(111)과 게이트 전극(136) 사이의 거리가 제 1전극(111)과 제 2전극 사이(121)의 거리보다 가까울 경우, 제1전극(111)과 게이트 전극(136) 사이에는 제 1,2 전극(111)(121) 사이보다 강한 전기장이 형성되기 때문에, 제 1,2전극(111)(121)에 인가되는 전압의 방향이 전환됨에 따라 그 반대 극성의 전극 쪽으로 전기 영동 입자(141)들이 이동하는 것을 방해하게 된다. In this case, the first electrode 111 and the gate electrode 136 when the distance is closer than a distance of the first electrode 111 and the second between the second electrode 121 between the first electrode 111 and the gate electrode 136 since there is between the strong electric field than between the first and second electrodes 111, 121 is formed, the first and second electrode 111 toward the electrode of opposite electrical polarity is converted in accordance with the direction of the voltage applied to the 121 It is to prevent the electrophoretic particles 141 to move. 따라서, 전기 영동 입자(141)들의 이동이 원활하게 일어나지 않기 때문에 원하는 색조를 표시하지 못하게 되는 것이다. Accordingly, it would be able to display a desired color tone due to the movement of the electrophoretic particles 141 does not occur smoothly. 그러므로, 본 실시예에서는 게이트 전극(136)과 제 1전극(111)과의 거리를 제 1전극(111)과 제 2전극(121) 사이의 거리보다 길게 형성함으로써, 제 1전극(111)과 게이트 전극(136) 사이에 형성되는 전기장의 영향을 줄일 수 있는 것이다. Therefore, by forming in this embodiment, increase the distance between the gate electrode 136 and the first electrode 111 than the distance between the first electrode 111 and second electrode 121, the first electrode 111 and the It is to reduce the influence of an electric field formed between the gate electrode 136.

또한, 상기와 같은 목적을 위해서 게이트 전극(136)과 전기 영동층(140) 사이(137)에는 갭(gap)이 형성될 수 있다. In addition, for the above object, the gate electrode 136 and the electrophoretic layer 140 is between 137 may be formed with a gap (gap). 상기 갭(gap)에는 공기에 함유되어 있는 수분이나 산소에 의해 유기 발광층이 열화되는 것을 방지하기 위하여 불활성 가스들이 함유될 수 있다. The gap (gap), there are inert gas may be contained in order to prevent the organic light emitting layer deteriorated by water or oxygen contained in air. 또한 상기 갭(gap)에는 비유전율(ε)이 1보다 큰 유전물질을 개재할 수 있다. In addition, the gap (gap), it can be a relative dielectric constant (ε) is via a large dielectric material than the first. 즉, 제 1전극(111)과 게이트 전극(136) 사이에 개재된 물질의 비유전율(ε)의 값이 클수록 그 사이에 형성되는 전기장의 세기는 작아지기 때문에, 본 실시예에서는 게이트 전극(136)과 전기 영동층(140) 사이에 비유전율(ε)이 진공에서보다 큰 유전체를 개재하여 제 1전극(111)과 게이트 전극(136) 상호간에 형 성되는 전기장의 세기를 줄인 것이다. That is, the first electrode 111 and the gate electrode 136, the larger the value of relative dielectric constant (ε) of the material interposed between becomes small is the intensity of the electric field formed between the, in the present embodiment, the gate electrode (136 ) and the relative dielectric constant (ε) between the electrophoretic layer 140 will via a larger dielectric in vacuo to reduce the intensity of the electric field-type property to each other the first electrode 111 and the gate electrode 136. 이와 같은 유전체로는 비유전율(ε)이 공기보다 큰 것이라면 다양하게 선택될 수 있으며, 또한 제 2전극(121)의 하부에 형성된 유전체층(133)과 동일한 물질을 사용해도 좋다. Such a dielectric material is a dielectric constant (ε) can be variously selected if this is greater than the air, and may be used the same material as the dielectric layer 133 is formed below the second electrode 121.

이하, 본 실시예에 의한 전기 영동 디스플레이 장치(100)가 상술한 바와 같은 유전체층(140)의 구조를 가지는 점, 그리고 반도체층(136)은 유기물로 이루어지는 점에 대하여 도 2,3 및 도 4를 대비하여 살펴본다. Or less, that the electrophoretic display device 100 according to this embodiment has a structure of the dielectric layer 140 as described above, and a semiconductor layer 136 is also the 2,3 and 4 with respect to the point comprising the organic look preparation. 도 4는 본 실시예에 대한 비교예를 나타내는 전자 영동 디스플레이 장치(200)의 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view of an electronic electrophoretic display device 200, showing a comparative example for this embodiment.

도 4를 참조하면, 비교예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치(200)는 제 2기판(220) 상에 소스 및 드레인 전극(231)(232)이 형성되고, 그 위에 반도체층(234)이 형성된다. 4, the electrophoretic display device 200 according to a comparative example of the second substrate 220, source and drain electrodes 231 and 232 on are formed, the semiconductor layer 234 is formed on the . 그 위로 반도체층(234)을 덮는 게이트 절연막(235)이 형성되고, 게이트 절연막(235) 상에 게이트 전극(236)이 형성된다. The top gate insulating film 235 covering the semiconductor layer 234 is formed, a gate electrode 236 is formed on the gate insulating film 235. 게이트 전극(236)을 형성한 후, 박막 트랜지스터를 전체를 덮는 보호막(패시베이션층 및/또는 평탄화층)(233)이 두껍게 형성되고, 그 위로 화소 전극(221)이 비어홀(222)을 통해 드레인 전극(232)과 전기적으로 연결된다. After forming the gate electrode 236, a thin film transistor for a protective film which covers the whole (the passivation layer and / or passivation layer) 233 through is formed thick, the top pixel electrode 221. A via hole 222, the drain electrode It is electrically connected to the 232.

상기 보호막(패시베이션층 및/또는 평탄화층)(233)은 트랜지스터를 보호하고 소자부를 평탄화 시킨다. The protective film (the passivation layer and / or passivation layer) 233 is thereby protect the transistor element part and flattened. 이 보호막(패시베이션층 및/또는 평탄화층)(233)은 BCB(benzocyclobutene) 또는 아크릴(acral)등과 같은 유기물, 또는SiNx와 같은 무기물로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. The protective film (the passivation layer and / or passivation layer) 233 may be formed of an inorganic material such as an organic substance, or SiNx, such as BCB (benzocyclobutene) or acrylic (acral), be formed of a single layer or composed of a double or multi-layer various modifications may such that it is possible.

보호막(233)은 통상적으로 완벽한 소성을 위해서 200도 근처의 열처리를 필요로 하기 때문에, 비교예에 따른 전자 영동 디스플레이 장치(200)와 같은 구조에서는 반도체층의 특성에 영향을 미칠 수가 있다. The protective film 233 in order to normally complete firing because it requires a heat treatment at around 200 degrees, the same structure as the electron migration display device 200 according to the comparative example can influence the characteristics of the semiconductor layer. 즉, 비교예에 따른 전자 영동 디스플레이 장치(200)에서는 반도체층(234)이 적층된 상태에서 보호막(233)의 소성 과정을 거치게 되므로, 열에 약한 유기 반도체에는 적용하기 어려운 문제가 있다. That is, in the electronic electrophoretic display device 200 according to the comparative example, so subjected to a firing step of the protective film 233 from the semiconductor layer 234, a laminated structure, the columns have a weak organic semiconductor is difficult to apply problem.

그러나, 본 실시예에 따른 전자 영동 디스플레이 장치(100)에서는 기판(120) 상에 소스 및 드레인 전극(131)(132)을 형성한 후, 유전체층(133)을 두껍게 적층한 후 소성, 식각 공정을 거친 후에, 식각 된 홀 내부에 반도체층(134)을 적층하는 공정 순서를 거친다. However, in the electronic electrophoretic display device 100 according to this embodiment after forming the source and drain electrodes 131 and 132 on a substrate 120, a plastic, an etching process after laminating a thick dielectric layer 133 after rough, subjected to a process sequence for depositing a semiconductor layer 134 inside the etched hole. 따라서, 반도체층(134)의 형성 시에 유전체층(133)의 소성 공정의 영향을 받지 않기 때문에 보다 다양한 물질로 반도체층(134)을 형성할 수 있으며, 특히 유기물로 이루어진 반도체층의 형성이 가능하게 되는 것이다. Therefore, it is possible to form more semiconductor layer 134 from a variety of materials, because in the formation of the semiconductor layer 134 is not influenced in the firing step of the dielectric layer 133, and in particular enables the formation of a semiconductor layer made of an organic material It will be.

이때, 상기 유전체층(133)은 비교예에 의한 보호막(패시베이션층 및/또는 평탄화층)(233)과 같이 BCB(benzocyclobutene) 또는 아크릴(acral)등과 같은 유기물, 또는SiNx와 같은 무기물로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. In this case, the dielectric layer 133 may be formed of inorganic material such as an organic substance, or SiNx, such as BCB (benzocyclobutene) or acrylic (acral) as a protective film (the passivation layer and / or passivation layer) 233 according to the comparative example and , and various modifications are possible, such as formed by a single layer or double or which may be of a multi-layer. 바람직하게는, 상기 유전체층(133)은 플렉스블(flexible)한 디스플레이 장치에 사용될 수 있는 유연성 있는 재료를 사용할 수 있으며, 특히 통상적으로 박막 트랜지스터 기판 공정에서 평탄화층의 소재로 사용되는 아크릴로 형성할 수 있다. Preferably, the dielectric layer 133 may flex block (flexible) may be used a flexible material that can be used in a display apparatus, in particular, typically in the thin film transistor substrate process can be formed from the acrylic is used as a material of the flattening layer have.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 전기 영동 디스플레이 장치(100)는 게이트 전극(136)과 제 1전극(111) 사이에 형성되는 전기장의 영향을 줄여 전기 영동 입자의 원활한 이동을 도와 화질을 개선할 수 있고, 또한 상술한 바와 같은 유전체층(133)의 구조로 인해 유기 반도체를 사용하는 것이 가능하게 된다. As described above, the electrophoretic display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a gate electrode 136 and the first electrode 111, to help the smooth movement of the electrophoretic particles by reducing the influence of an electric field formed between the image quality the can be improved, and is due to the structure of the dielectric layer 133 as described above, it is possible to use an organic semiconductor.

이하, 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도인 도 5를 참조하여 본 실시예의 변형예에 관하여 살펴본다. Hereinafter, a plan view schematically illustrating an electrophoretic display device according to an embodiment variant of the invention Referring to Figure 5 looks at with respect to the embodiment variant.

본 변형예에 의한 전기 영동 디스플레이 장치(300)는 본 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치(100)와 상이한 전기 영동층(340)을 구비하는 것을 제외하고는 다른 구성 및 효과는 동일하므로, 전기 영동층(340)의 상이함에 대하여 상세히 설명하고, 다른 구성요소에 대한 설명은 생략한다. The electrophoretic display device 300 according to the present modification, so and has the same other configuration and effect except that it includes an electrophoretic display device 100 is different from the electrophoretic layer 340 according to the present embodiment, the electrophoretic as it described in detail in the different layers 340, and a description of other components is omitted.

본 변형예에 의한 전기 영동층(340)은, 전기 영동 입자(341)과 전기 영동 분산매(342)로 구성된 마이크로캡슐(343) 및 바인더(344)로 구성된다. An electrophoretic layer 340 according to the present modification is composed of microcapsules 343 and a binder 344 composed of electrophoretic particles 341 and the electrophoretic dispersion medium (342). 전기 영동 입자(341)와 전기 영동 분산매(342)를 마이크로캡슐(343)에 포함함으로써 전기 영동층의 취급이 용이해져 제조 공정을 간단히 할 수 있다. By including electrophoretic particles 341 and the electrophoretic dispersion medium 342 in the microcapsules 343 can simply the manufacturing process becomes easy handling of the electrophoretic layer.

마이크로 캡슐(343)의 재료는 아라비아고무·젤라틴계의 화합물이나 우레탄계의 화합물 등의 유연성을 갖는 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 또한 우수한 표시 기능을 위해 크기가 거의 균일한 것이 바람직하다. Micro material of the capsule 343 Arabia preferable to use a material having flexibility such as a compound of a compound or a urethane rubber, gelatinous, and also it is preferable that the size is substantially uniform for a good display. 마이크로 캡슐을 바인더 수지 중에 소망의 유전율 조절제와 함께 혼합하고, 얻어진 수지 조성물(에멀젼 또는 유기 용매 용액)을 기재(基材) 상에 롤 코터법, 롤 라미네이터법, 스크린 인쇄법, 스프레이법, 잉크젯법 등의 코팅법 등을 사용하여 형성할 수 있다. Microcapsules mixed with the desired dielectric constant adjusting agent in the binder resin a, and the obtained resin composition (emulsion or organic solvent solution), the substrate roll coating method on the (基材), roll laminator method, screen printing method, a spraying method, ink jet method It can be formed using, for example, coating method and the like.

바인더 수지는 마이크로 캡슐과 친화성이 양호해서 기재와 밀착성이 우수하고, 또 절연성을 갖는 것이면 특별한 제한은 없다. Binder resin microcapsules with good affinity to the base material and there is no good adhesion, and no particular limitation as long as it also has an insulating property. 예를 들어, 폴리에틸렌, 염소화 폴리에틸렌, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 폴리프로필렌, ABS수지, 메타크릴산메틸 수지, 연화비닐-초산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 연화비닐-아크릴산에스테르 공중합체, 염화비닐리덴 수지, 초산비닐 수지, 폴리비닐알콜, 폴리비닐포르말, 셀룰로스계 수지 등의 열가소성 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리술폰, 폴리아미드이미드, 폴리아미노비스말레이드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술폰, 폴리아릴레이트, 그라프트화폴리페닐렌에테르, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드 등의 고분자, 폴리사불화에틸렌, 폴리불화에틸렌프로필렌, 사불화에틸렌-퍼플로알콕시에틸렌 공중합체, 에틸렌-사불화에틸렌 공중합체, 폴 For example, polyethylene, chlorinated polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymers, polypropylene, ABS resin, methyl methacrylate resin, Softening vinyl-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, a soft vinyl-acrylic acid ester copolymer, a vinylidene chloride resin, vinyl acetate resin, polyvinyl alcohol, polyvinyl formal, cellulose-based resin such as a thermoplastic resin, a polyimide-based resin, polyacetal, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyphenylene oxide, sulfone, polyamide-imide, polyamino-bis end-laid, polyether sulfone, polyphenylene sulfone, polyarylate, grafted polyphenylene ether, polyether ether ketone, a polymer, such as polyether imide, poly-tetrafluoroethylene, poly fluorinated ethylene propylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl, alkoxy ethylene copolymer, an ethylene-tetrafluoroethylene copolymer, Paul 불화비닐리덴, 폴리삼불화연화에틸렌, 불소고무 등의 불소계 수지, 실리콘 수지, 그 외에 메탈크릴산-스티렌 공중합체, 폴리부틸렌, 메타크릴산메틸-부타디엔-스티렌 공중합체 등을 사용할 수 있다. It may be used styrene copolymers such as - vinylidene fluoride, poly-trifluoride soft fluorine-based resin, a silicone resin of ethylene, such as fluoro rubber and more than one metal methacrylate-styrene copolymer, polybutylene, methyl methacrylate-butadiene.

상술한 변형예에 따른 전기 영동층(340)의 일면에 제 1전극(311) 및 제 1기판(310)이 부착되고, 타 측면에는 접착층이 부착될 수 있으며, 이 상태로 전술한 바와 같은 구조를 가진 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되기 때문에 제 1 실시예와 동일한 효과를 가진다. And the first electrode 311 and the first substrate 310 is attached to one side of the electrophoretic layer 340 according to the above-described modification, the other side may be the adhesive layer is attached, the structure as described above in this state since the electrically connecting to the thin film transistor has the same effect with the first embodiment.

본 실시예 및 본 실시예의 변형예에서는 하나의 박막 트랜지스터가 사용되었으나, 필요에 따라 그 이상의 박막 트랜지스터 및 커패시터가 추가되는 구성을 취 할 수 있으며, 그 외에 다양한 변형이 가능함은 물론이다. In the embodiment and the modified example of this embodiment, but uses a single thin film transistor, and can take a more thin film transistors and capacitors are configured to be added as needed, and its addition to a variety of modifications are possible as a matter of course.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 전기 영동 디스플레이 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. According to the electrophoretic display device of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 제 1전극과 게인트 전극 사이의 거리를 줄여 제 1전극과 게이트 전극 사이에 형성되는 전기장의 영향을 줄임으로써, 전기 영동 입자의 원활한 이동을 도와 전기 영동 디스플레이 장치의 화질을 개선시킬 수 있다. First, it is possible to improve the first electrode and to reduce the distance between the STE electrode the first electrode and the gate by the electrodes decreasing the electric field effect of which is formed between the electrophoretic image quality of the display device to help the smooth movement of the electrophoretic particles .

둘째, 게이트 전극 상에 유전율이 큰 물질을 개재하여 제 1전극과 게이트 전극 사이에 형성되는 전기장의 영향을 줄임으로써, 전기 영동 입자의 원활한 이동을 도와 전기 영동 디스플레이 장치의 화질을 개선시킬 수 있다. Second, as via a large dielectric constant material on the gate electrode reduces the influence of an electric field formed between the first electrode and the gate electrode, it is possible to improve the image quality of the electrophoretic display device to help the smooth movement of the electrophoretic particles.

셋째, 유전체층을 적층· 식각 후 반도체층을 적층함으로써, 유기물로 이루어진 반도체층을 사용할 수 있다. Third, a dielectric layer after etching, lamination by laminating a semiconductor layer, it is possible to use a semiconductor layer made of the organic material.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해 할 것이다. The present invention has been described for the embodiment shown in the drawings by reference as will be understand that only, and those skilled in the art various modifications and equivalent other embodiments are possible from it as exemplary. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다. Therefore, the true technical protection scope of the invention as defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (10)

  1. 서로 대향하는 제 1,2기판; First and second substrates facing each other;
    상기 제 1기판 상에 형성된 제 1전극; A first electrode formed on a first substrate;
    상기 제1전극을 향하도록 상기 제2기판 상에 서로 분리되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극; Wherein the source electrode is disposed separated from each other on the second substrate to face the first electrode and the drain electrode;
    상기 제2기판 상에, 상기 소스 및 드레인 전극의 가장자리를 덮고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 공간에 홀이 형성된 유전체층; The second dielectric layer on the substrate, covering the edges of the source and drain electrodes, the hole formed in the space between the source electrode and the drain electrode;
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 가운데 어느 하나의 전극과 접속되고, 상기 유전체층 상에 형성되는 제2전극; Of the source electrode and the drain electrode is connected to the one of the electrode, a second electrode formed on the dielectric layer;
    상기 홀 내부에 배치되고, 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이 및 상기 소스 전극과 드레인 전극 상에 형성된 반도체층; The holes are arranged therein, wherein the source electrode and the drain electrode and between the semiconductor layer formed on the source electrode and the drain electrode;
    상기 홀 내부 및 상기 반도체층 상에 배치되는 게이트 절연막; The hole inside and the gate insulating film disposed on the semiconductor layer;
    상기 홀 내부 및 상기 게이트 절연막 상에 배치되고, 상기 제1전극과의 거리가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 거리보다 멀도록 배치된 게이트 전극; The hole inside and a gate electrode arranged so as to be disposed on the gate insulating film, the distance between the first electrode distant than the distance between the first electrode and the second electrode; And
    상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재된 전기 영동 입자 및 전기 영동 분산매를 포함하는 전기 영동층;을 구비하는 전기 영동 디스플레이 장치. An electrophoretic display device comprising a; electrophoretic layer comprising electrophoretic particles and an electrophoretic dispersion medium, interposed between the first electrode and the second electrode.
  2. 삭제 delete
  3. 삭제 delete
  4. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유전체층은 유연성 있는 유기물로 형성된 전기 영동 디스플레이 장치. The dielectric layer is an electrophoretic display device formed of a flexible organic material.
  5. 제 4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 유기물은 아크릴로 이루어진 전기 영동 디스플레이 장치. It said organic material is an electrophoretic display device consisting of acrylic.
  6. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 반도체층은 유기 반도체재로 이루어진 전기 영동 디스플레이 장치. The semiconductor layer is an electrophoretic display device comprising an organic semiconductor material.
  7. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 게이트 전극과 상기 전기 영동층 사이에는 소정의 갭(gap)이 유지된 전 기 영동 디스플레이 장치. In electrical electrophoretic display device with a predetermined gap (gap) is maintained between the gate electrode and the electrophoretic layer.
  8. 제 7항에 있어서, The method of claim 7,
    상기 갭(gap)에는 비유전율(ε)이 1 보다 큰 물질로 채워진 전기 영동 디스플레이 장치. The gap (gap), the relative dielectric constant (ε) the electrophoretic display device is filled with a material than the first.
  9. 제 8항에 있어서, The method of claim 8,
    상기 비유전율(ε)이 1 보다 큰 물질은 상기 유전체층과 동일한 물질인 전기 영동 디스플레이 장치. The relative dielectric constant (ε) material is greater than 1, it is an electrophoretic display device, the same material as the dielectric layer.
  10. 제1항, 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, A method according to any one of claim 1, claim 4 to claim 9,
    상기 전기 영동층은, The electrophoretic layer,
    상기 전기 영동 입자 및 전기 영동 분산매를 포함하는 마이크로 캡슐 및 바인더를 포함하는 전기 영동 디스플레이 장치. The electrophoretic display device including the microcapsules and a binder containing the electrophoretic particles and an electrophoretic dispersion medium.
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