KR100793360B1 - Mask for laser irradiation device - Google Patents

Mask for laser irradiation device Download PDF

Info

Publication number
KR100793360B1
KR100793360B1 KR1020060004570A KR20060004570A KR100793360B1 KR 100793360 B1 KR100793360 B1 KR 100793360B1 KR 1020060004570 A KR1020060004570 A KR 1020060004570A KR 20060004570 A KR20060004570 A KR 20060004570A KR 100793360 B1 KR100793360 B1 KR 100793360B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
mask
width
laser
laser irradiation
Prior art date
Application number
KR1020060004570A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070075862A (en
Inventor
이재호
이성택
강태민
김무현
양남철
곽노민
권영길
노석원
송명원
고삼일
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060004570A priority Critical patent/KR100793360B1/en
Publication of KR20070075862A publication Critical patent/KR20070075862A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100793360B1 publication Critical patent/KR100793360B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2035—Exposure; Apparatus therefor simultaneous coating and exposure; using a belt mask, e.g. endless
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • G03F7/343—Lamination or delamination methods or apparatus for photolitographic photosensitive material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Abstract

본 발명은 레이저 조사 장치용 마스크를 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 레이저 조사 장치용 마스크는, 광차단부와 광투과부를 포함하고, 상기 광투과부는 적어도 두 영역 이상이 다른 크기를 갖는 것을 특징으로 한다. 이로써, 각 영역별로 투과되는 레이저 빔의 도우즈를 다르게 하여, 레이저 열전사법에 의한 유기막층 형성시 전사효율 및 전사패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.The present invention discloses a mask for a laser irradiation apparatus. A mask for a laser irradiation apparatus according to the present invention includes a light blocking portion and a light transmitting portion, wherein the light transmitting portion has at least two regions different in size. Accordingly, by varying the dose of the laser beam transmitted for each region, it is possible to improve the transfer efficiency and the quality of the transfer pattern when forming the organic layer by the laser thermal transfer method.

레이저 열전사법, 마스크, 광투과부, 도우즈 Laser Thermal Transfer, Mask, Light Transmitter, Dose

Description

레이저 조사 장치용 마스크{mask for laser irradiation device}Mask for laser irradiation device

도 1a는 종래기술에 따른 유기전계발광소자의 유기막층 형성공정을 설명하기 위한 단면도.1A is a cross-sectional view illustrating an organic film layer forming process of an organic light emitting display device according to the related art.

도 1b는 종래기술에 따라 형성된 전사층 패턴의 품질을 보여주는 사진.Figure 1b is a photograph showing the quality of the transfer layer pattern formed according to the prior art.

도 1c는 종래기술에 따라 형성된 유기막층의 발광 그래프.Figure 1c is a light emission graph of the organic film layer formed according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 설명하기 위한 개략도.2 is a schematic view for explaining a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치용 마스크를 설명하기 위한 평면도.3A to 3G are plan views illustrating a mask for a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.Figures 4a and 4b is a cross-sectional view for each process for explaining the manufacturing method of the organic light emitting device using a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 레이저 조사 장치용 마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 열전사법에 의한 유기막층 형성시 전사효율을 극대화하며, 전사층 패턴의 품질을 향상시킬 수 있는 레이저 조사 장치용 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a mask for a laser irradiation apparatus, and more particularly, to a mask for a laser irradiation apparatus that can maximize the transfer efficiency when forming the organic film layer by the laser thermal transfer method, and can improve the quality of the transfer layer pattern.

평판표시장치 중 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Among the flat panel display devices, the organic light emitting display device has a high response speed with a response speed of 1 ms or less, low power consumption, and self-luminous light, so that there is no problem in viewing angle, and thus it is advantageous as a moving image display medium regardless of the size of the device. In addition, low-temperature manufacturing is possible, and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology has attracted attention as a next-generation flat panel display device in the future.

상기 유기전계발광소자는 유기발광층을 포함하는 유기막층의 패터닝 기술이 중요하다. 최근 상기 유기막층 패터닝 기술 중에 패턴 균일도가 우수하며, 대면적화에 유리한 레이저 열전사법이 대두되고 있다.The organic electroluminescent device is important for the patterning technology of the organic film layer including the organic light emitting layer. Recently, a laser thermal transfer method that has excellent pattern uniformity and is advantageous for large area has emerged in the organic layer patterning technology.

일반적으로 레이저 열전사법은 적어도 레이저 및 도너 기판을 필요로 하며, 상기 도너 기판은 기재층, 광-열 변환층 및 전사층을 구비한다.In general, laser thermal transfer requires at least a laser and a donor substrate, the donor substrate having a substrate layer, a light-to-heat conversion layer, and a transfer layer.

상기 레이저 열전사법에 있어서는 상기 전사층을 억셉터 기판에 대향하도록 하여 상기 도너 기판을 상기 억셉터 기판의 전체면 상에 라미네이션한 후, 상기 기재층 상에 레이저 빔을 조사한다. 상기 기재층 상에 조사된 빔은 상기 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 상기 열에너지에 의해 상기 전사층은 상기 억셉터 기판 상으로 전사된다. 그 결과, 상기 기판 상에 전사층 패턴이 형성 된다.In the laser thermal transfer method, the donor substrate is laminated on the entire surface of the acceptor substrate with the transfer layer facing the acceptor substrate, and then the laser beam is irradiated onto the base layer. The beam irradiated onto the substrate layer is absorbed by the light-to-heat conversion layer and converted into thermal energy, and the transfer layer is transferred onto the acceptor substrate by the thermal energy. As a result, a transfer layer pattern is formed on the substrate.

도 1a는 종래기술에 따른 레이저 조사 장치를 사용한 유기전계발광소자의 유기막층 형성공정을 설명하기 위한 단면도이며, 도 1b는 종래기술에 따라 형성된 유기막층의 전사층 패턴의 품질을 보여주는 사진이며, 도 1c는 종래기술에 따라 형성된 유기막층의 발광 그래프이다.1A is a cross-sectional view illustrating an organic film layer forming process of an organic light emitting device using a laser irradiation apparatus according to the prior art, FIG. 1B is a photograph showing the quality of a transfer layer pattern of an organic film layer formed according to the prior art. 1c is a light emission graph of the organic film layer formed according to the prior art.

도 1a를 참조하면, 먼저 기판(10)을 제공한다. 상기 기판(10)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 기판(11) 상에 제 1 전극(12) 및 상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 화소정의막(13)이 형성되어 있다. 다음으로, 상기 기판(10) 상에 전사층(21), 광-열 변환층(22) 및 기재층(23)이 형성된 도너 기판(20)을 라미네이션(lamination)한다. Referring to FIG. 1A, a substrate 10 is first provided. The substrate 10 includes a pixel defining layer 13 including a first electrode 12 and an opening exposing a part of the first electrode on a substrate 11 made of glass or plastic. Next, the donor substrate 20 on which the transfer layer 21, the light-to-heat conversion layer 22, and the substrate layer 23 are formed is laminated on the substrate 10.

이어서, 레이저 소오스, 마스크 및 투영 렌즈(projection lens)를 포함하는 레이저 조사 장치(30)를 이용해서 상기 도너 기판(20)의 소정 부분에 레이저 빔을 조사한다.Subsequently, a laser beam is irradiated to a predetermined portion of the donor substrate 20 by using a laser irradiation apparatus 30 including a laser source, a mask and a projection lens.

상기 도너 기판(20) 상에 레이저 빔이 조사되면, 상기 도너 기판(20)에 붙어 있던 전사층(21)이 레이저 빔의 작용으로 도너 기판(20)으로부터 떨어져 나와 기판(10)으로 전사된다. 여기서, 전사 특성은 기판(10)과 전사층(21)과의 제 1 접착력(W12)과 전사층(21)의 점착력(W22), 그리고 전사층(21)과 기판(10)과의 제 2 접착력(W23)에 의해서 정해지며, 전사 특성을 향상시키기 위해서는 전사층의 점착력(W22)이 각 기판과 전사층 사이의 제 1 및 제 2 접착력(W12, W23)보다 작아야 한다.When the laser beam is irradiated onto the donor substrate 20, the transfer layer 21 attached to the donor substrate 20 is separated from the donor substrate 20 by the action of the laser beam and transferred to the substrate 10. Here, the transfer characteristics are the first adhesive force (W12) of the substrate 10 and the transfer layer 21, the adhesive force (W22) of the transfer layer 21, and the second of the transfer layer 21 and the substrate 10 Determined by the adhesive force W23, in order to improve the transfer characteristics, the adhesive force W22 of the transfer layer should be smaller than the first and second adhesive forces W12 and W23 between each substrate and the transfer layer.

상기 전사층(21) 중 상기 레이저 빔이 조사된 부분의 전사층(21)은 상기 도너 기판(20)으로부터 떨어져 기판(10)으로 전사되고, 레이저 빔이 조사되지 않은 부분의 전사층은 상기 도너 기판(20)에 남게 되어 기판(10) 상에 전사층 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 전사층 패턴은 유기전계발광소자의 유기막층을 구성한다.The transfer layer 21 of the portion of the transfer layer 21 to which the laser beam is irradiated is transferred to the substrate 10 away from the donor substrate 20, and the transfer layer of the portion to which the laser beam is not irradiated is transferred to the donor. The transfer layer pattern may remain on the substrate 20 to form a transfer layer pattern on the substrate 10. The transfer layer pattern constitutes an organic layer of the organic light emitting diode.

상기와 같은 종래의 레이저 조사 장치(30)는 레이저 소오스에서 발생된 빛이 상기 마스크를 통과하면 상기 마스크의 형상에 따라 투과된 빛이 상기 투영 렌즈에 도달되고 상기 투영 렌즈에서는 배율이 결정되어, 상기 도너 기판 전 영역 상에는 단위면적당 균일한 도우즈의 레이저 빔이 조사되게 된다.In the conventional laser irradiation apparatus 30 as described above, when light generated from a laser source passes through the mask, the transmitted light reaches the projection lens according to the shape of the mask, and the magnification of the projection lens is determined. A uniform dose of laser beam per unit area is irradiated onto the entire donor substrate.

그러나 상기 레이저 빔이 조사된 부분의 전사층과 상기 레이저 빔이 조사되지 않은 부분의 전사층 간의 결합을 끊기 위해서는 상기 기판 상에 도너 기판을 전사시키기 위한 에너지보다 큰 에너지가 필요하다. However, in order to break the coupling between the transfer layer of the portion irradiated with the laser beam and the transfer layer of the portion not irradiated with the laser beam, energy greater than energy for transferring a donor substrate onto the substrate is required.

따라서 상기 도너 기판(20)의 전 영역 상에 상기 도너 기판(20)이 상기 기판에 전사되는데 필요한 도우즈의 레이저 빔으로 균일하게 조사하는 경우, 도면부호 A에 도시한 바와 같이, 상기 레이저 빔이 조사된 부분과 조사되지 않은 부분의 전사층(21) 간의 결합이 제대로 끊어지지 않는다. 따라서, 도 1b에 도시한 바와 같이, 균일한 전사층 패턴을 얻을 수 없게 된다.Therefore, when the donor substrate 20 is uniformly irradiated onto the entire area of the donor substrate 20 with the laser beam of the dose necessary for transferring to the substrate, as shown by reference numeral A, the laser beam is The bond between the irradiated portion and the non-irradiated portion transfer layer 21 is not broken properly. Therefore, as shown in FIG. 1B, a uniform transfer layer pattern cannot be obtained.

또한, 도면부호 B에 도시한 바와 같이, 상기 기판의 단차에 의해 상기 개구부의 에지 부분에 도너 기판이 밀착되지 않아 에지 오픈 불량을 발생시킨다. 상기와 같은 유기막층의 에지 오픈 불량은, 도 1c의 도면부호 C에 도시한 바와 같이, 원하지 않는 발광을 발생시켜 색좌표 및 발광효율을 저하시키는 문제가 있다.In addition, as shown by reference numeral B, the donor substrate is not in close contact with the edge portion of the opening due to the step of the substrate, resulting in edge open failure. As described above, the edge open defect of the organic film layer has a problem of generating unwanted light emission and lowering color coordinates and light emission efficiency, as shown by reference numeral C of FIG. 1C.

그러나, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 전사되는 도너 기판(20) 전 영역 상에 상기 도너 기판(20)을 전사시키기 위해 필요한 도우즈보다 높은 도우즈의 레이저 빔을 조사하게 되면, 이는 전사층(21)에 과도한 열을 가하게 되어 제조되는 유기전계발광소자의 휘도, 발광효율 및 수명에 영향을 주는 문제점이 있다.However, in order to solve the above problems, if a laser beam of a dose higher than the dose required for transferring the donor substrate 20 is irradiated onto the entire area of the donor substrate 20 to be transferred, it is transferred. Excessive heat is applied to the layer 21, which affects the brightness, luminous efficiency and lifespan of the organic light emitting diode manufactured.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 레이저 열전사법에 의한 유기막층 형성시 전사효율을 극대화하며, 전사층 패턴의 품질을 향상시킬 수 있는 레이저 조사 장치용 마스크를 제공한다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, to provide a mask for a laser irradiation apparatus that can maximize the transfer efficiency when forming the organic film layer by the laser thermal transfer method, and improve the quality of the transfer layer pattern. .

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 레이저 조사 장치용 마스크에 있어서, 상기 마스크는 광차단부와 광투과부를 포함하고, 상기 광투과부는 적어도 두 영역 이상이 다른 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치용 마스크를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a mask for a laser irradiation apparatus, wherein the mask comprises a light blocking portion and a light transmitting portion, wherein the light transmitting portion has at least two regions different in size. Provided is a mask for irradiation apparatus.

이하, 본 명세서에 도시한 도면들을 참고하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings shown in the present specification. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명에 따른 레이저 조사 장치의 개략도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.2 is a schematic diagram of a laser irradiation apparatus according to the present invention, which will be described below.

도 2를 참조하면, 레이저 열전사법에 사용되는 레이저 조사 장치(300)는 레이저 빔을 발생시키는 레이저 소오스(light source; 310), 상기 레이저 소오스의 하부에 위치하며, 상기 레이저 빔을 패터닝하는 마스크(320) 및 상기 마스크의 하부에 위치하며, 상기 마스크를 통과하여 패터닝된 레이저 빔의 배율을 결정하는 투영 렌즈(projection lens;330)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the laser irradiation apparatus 300 used in the laser thermal transfer method includes a laser light source 310 generating a laser beam, a mask positioned under the laser source, and patterning the laser beam. 320 and a projection lens 330 positioned under the mask to determine magnification of the laser beam patterned through the mask.

상기 레이저 소오스(310)는 레이저 빔을 발생시키는 장치이다. 상기 레이저 소오스(310)로부터 발생된 빔은 상기 빔 모양 변형장치(미도시)를 통과한다. 상기 빔 모양 변형장치는 상기 레이저 소오스(310)에서 발생된 가우시안 프로파일을 갖는 빔을 균질화된 플랫-탑 프로파일을 갖는 빔으로 변형시킬 수 있다. 상기 레이저 소오스(310)로부터 레이저 빔이 생성되면, 상기 레이저 빔은 상기 마스크(320)를 통과한다. 상기 마스크(320)에 대하여는 이하에서 자세히 설명한다.The laser source 310 is a device for generating a laser beam. The beam generated from the laser source 310 passes through the beam shape modifying device (not shown). The beam shape modifying apparatus may transform a beam having a Gaussian profile generated by the laser source 310 into a beam having a homogenized flat-top profile. When a laser beam is generated from the laser source 310, the laser beam passes through the mask 320. The mask 320 will be described in detail below.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 레이저 조사 장치용 마스크의 형상을 나타낸 평면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.3A to 3F are plan views showing the shape of a mask for a laser irradiation apparatus according to the present invention.

도 3a를 참조하면, 상기 마스크는 레이저 빔을 차단하기 위한 광차단부(A)와 레이저 빔을 통과시키는 광투과부(B)를 포함한다.Referring to FIG. 3A, the mask includes a light blocking portion A for blocking the laser beam and a light transmitting portion B for passing the laser beam.

상기 광투과부(A)는 제 1 영역(41) 및 상기 제 1 영역의 양단에 위치한 제 2 영역(42) 및 상기 제 2 영역(42)과 접하는 제 3 영역(43)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 영역(42)은 레이저 열전사법에 의한 유기막층 형성시 유기막층과 화소정의막이 이루는 에지 부분에 대응되는 영역이 될 수 있으며, 상기 제 3 영역(43)은 유기막층의 가장자리 부분에 대응되는 영역일 수 있다.The light transmitting portion A may include a first region 41, a second region 42 positioned at both ends of the first region, and a third region 43 in contact with the second region 42. The second region 42 may correspond to an edge portion formed between the organic layer and the pixel definition layer when the organic layer is formed by laser thermal transfer, and the third region 43 corresponds to an edge portion of the organic layer. It may be an area.

상기 제 2 영역(42)의 폭은 상기 제 1 영역(41)의 폭(a)의 1.05 내지 1.1배이며, 상기 제 3 영역(43)의 폭은 상기 제 1 영역(41)의 폭(a)의 1.1 내지 1.5배 인 것이 바람직하다. 상기 제 2 영역(42)의 폭이 상기 제 1 영역의 폭(a)의 1.05배보다 작으면, 상기 마스크를 이용한 유기막층 형성시 에지 오픈 불량이 발생할 수 있으며, 상기 제 2 영역(42)의 폭이 제 1 영역의 폭의 1.1배보다 크면 상기 유기막 층의 열적 손상을 가져올 수 있다. 또한, 상기 제 3 영역(43)의 폭이 제 1 영역의 폭(a)의 1.1배보다 작으면 상기 마스크를 이용한 유기막층 형성시 전사층 패턴이 잘 끊어지지 않아, 전사층 패턴의 품질이 저하되며, 상기 제 3 영역(43)의 폭이 제 1 영역의 폭의 1.5배보다 크면, 너무 많은 에너지를 조사하게 되므로 공정상의 비용손실이 발생할 수 있다.The width of the second region 42 is 1.05 to 1.1 times the width a of the first region 41, and the width of the third region 43 is the width a of the first region 41. Preferably 1.1 to 1.5 times. When the width of the second region 42 is smaller than 1.05 times the width a of the first region, edge open defects may occur when the organic layer is formed using the mask. If the width is larger than 1.1 times the width of the first region, thermal damage of the organic layer may occur. In addition, when the width of the third region 43 is smaller than 1.1 times the width a of the first region, the transfer layer pattern may not be easily broken when the organic layer is formed using the mask, and thus the quality of the transfer layer pattern is degraded. If the width of the third region 43 is greater than 1.5 times the width of the first region, too much energy is irradiated, and thus a process cost loss may occur.

또한, 상기 제 2 영역(42) 및 상기 제 3 영역(43)은 좌우의 폭이 대칭일 수 있다. 이와는 달리, 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 상기 광투과부의 제 2 영역(42', 42") 및 제 3 영역(43', 43")은 좌우의 폭이 비대칭일 수 있다. In addition, left and right widths of the second region 42 and the third region 43 may be symmetrical. Unlike this, referring to FIGS. 3B and 3C, the widths of the left and right sides of the second and second regions 42 ′ and 42 ″ and 43 ′ and 43 ″ of the light transmitting portion may be asymmetrical.

도 3d를 참조하면, 상기 마스크는 상기 레이저 빔을 차단하기 위한 제 1 광차단부(C)와 제 2 광차단부(D) 및 상기 레이저 빔을 통과시키는 광투과부(E)를 포함할 수도 있다.Referring to FIG. 3D, the mask may include a first light blocking portion C, a second light blocking portion D, and a light transmitting portion E for passing the laser beam to block the laser beam. .

상기 광투과부(E)는 상기 제 1 광차단부(C)와 상기 제 2 광차단부(D) 사이에 위치하며, 제 1 영역(51) 및 상기 제 1 영역(51)의 양단에 위치한 제 2 영역(52) 및 제 2 영역(52)과 접하는 제 3 영역(53)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 영역(52)은 레이저 열전사법에 의한 유기막층 형성시 유기막층과 화소정의막이 이루는 에지 부분에 대응되는 영역이 될 수 있으며, 상기 제 3 영역(53)은 유기막층의 가장자리 부분에 대응되는 영역일 수 있다.The light transmitting part E is positioned between the first light blocking part C and the second light blocking part D, and is disposed at both ends of the first area 51 and the first area 51. It may include a second region 52 and a third region 53 in contact with the second region 52. The second region 52 may correspond to an edge portion formed between the organic layer and the pixel definition layer when the organic layer is formed by laser thermal transfer, and the third region 53 corresponds to an edge portion of the organic layer. It may be an area.

여기서, 상기 제 2 영역(52)의 폭은 상기 제 1 영역(51)의 폭(b)의 1.05 내지 1.1배이며, 상기 제 3 영역(53)의 폭은 상기 제 1 영역(51)의 폭(b)의 1.1 내지 1.5배인 것이 바람직하다. Here, the width of the second region 52 is 1.05 to 1.1 times the width b of the first region 51, and the width of the third region 53 is the width of the first region 51. It is preferable that it is 1.1-1.5 times of (b).

상기 제 2 영역(52)의 폭이 제 1 영역의 폭의 1.05배보다 작으면, 상기 마스크를 이용한 유기막층 형성시 에지 오픈 불량이 발생할 수 있으며, 상기 제 2 영역(52)의 폭이 제 1 영역의 폭의 1.1배보다 크면 상기 유기막층의 열적 손상을 가져올 수 있다. 또한, 상기 제 3 영역(53)의 폭이 상기 제 1 영역의 폭의 1.1배보다 작으면 상기 마스크를 이용한 유기막층 형성시 전사층 패턴이 잘 끊어지지 않아, 전사층 패턴의 품질이 저하되며, 상기 제 3 영역(53)의 폭이 상기 제 1 영역의 폭의 1.5배보다 크면, 너무 많은 에너지를 조사하게 되므로 공정상의 비용손실이 발생할 수 있다.When the width of the second region 52 is smaller than 1.05 times the width of the first region, an edge open defect may occur when the organic layer is formed using the mask, and the width of the second region 52 may be the first. If the width of the region is larger than 1.1 times, the organic layer may be thermally damaged. In addition, when the width of the third region 53 is smaller than 1.1 times the width of the first region, the transfer layer pattern may not be easily broken when the organic layer is formed using the mask, thereby degrading the quality of the transfer layer pattern. If the width of the third region 53 is greater than 1.5 times the width of the first region, too much energy is irradiated, and thus a process cost loss may occur.

상기 제 2 영역(52) 및 제 3 영역(53)의 좌우의 폭이 대칭일 수 있으며, 상기 제 2 영역(42, 42',42", 52) 및 제 3 영역(43, 43',43", 53)의 폭은 레이저 조사 장치의 스캔 방향과 일치하는 방향으로 연장된 것을 특징으로 한다.The left and right widths of the second region 52 and the third region 53 may be symmetrical, and the second regions 42, 42 ′, 42 ″, 52 and the third regions 43, 43 ′, 43 ", 53 is characterized in that it extends in a direction coinciding with the scanning direction of the laser irradiation apparatus.

상기 광투과부(B,E)의 전체 길이는 공정마진을 고려하여 형성하고자 하는 유기막층의 길이와 대응되도록 설정한다. 또한, 상기 광투과부의 제 2 영역(42, 42',42", 52)은 상기 유기막층과 화소정의막이 이루는 에지 영역과 대응되도록 길이를 설정하며, 상기 광투과부의 제 3 영역(43, 43',43", 53)은 상기 유기막층의 끝부분과 일치하도록 길이를 설정한다.The total length of the light transmitting parts B and E is set to correspond to the length of the organic layer to be formed in consideration of the process margin. In addition, the second regions 42, 42 ′, 42 ″, 52 of the light transmitting portion are set to have a length corresponding to an edge region formed between the organic layer and the pixel defining layer, and the third regions 43, 43 of the light transmitting portion. ', 43', 53 are set to match the ends of the organic layer.

도 3e를 참조하면, 상기 마스크는 레이저 빔을 차단하기 위한 광차단부(F)와 레이저 빔을 통과시키는 광투과부(G)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3E, the mask may include a light blocking portion F for blocking the laser beam and a light transmitting portion G for passing the laser beam.

상기 광투과부(G)는 제 1 영역(61) 및 상기 제 1 영역(61)의 양단에 위치하는 제 2 영역(62)을 포함하며, 상기 제 2 영역(62)은 사다리꼴 형태인 것을 특징으 로 한다. The light transmitting portion G includes a first region 61 and a second region 62 positioned at both ends of the first region 61, and the second region 62 has a trapezoidal shape. Shall be.

여기서, 상기 제 2 영역(62)은 윗변의 폭이 제 1 영역의 폭(c)과 동일하고, 밑변의 폭(d)이 상기 제 1 영역의 폭(c)의 1.1 내지 1.5배인 것을 특징으로 한다. 상기 제 2 영역의 밑변의 폭(d)이 상기 제 1 영역의 폭(c)의 1.1배보다 작으면, 상기 마스크를 사용한 유기막층 형성시 에지 오픈 불량이 발생할 우려가 있으며, 상기 제 2 영역의 밑변의 폭(d)이 상기 제 1 영역의 폭(c)의 1.5배보다 크면, 너무 많은 에너지를 조사하게 되어 공정상의 비용손실이 발생할 수 있다.Here, the width of the upper side of the second region 62 is equal to the width c of the first region, and the width d of the lower side is 1.1 to 1.5 times the width c of the first region. do. If the width d of the bottom of the second region is less than 1.1 times the width c of the first region, there is a possibility that edge open defects may occur when the organic layer is formed using the mask. If the width d of the bottom side is larger than 1.5 times the width c of the first region, too much energy may be irradiated, resulting in process cost loss.

상기 제 2 영역(62)은 좌우의 폭이 대칭일 수 있으며, 이와는 달리, 도 3f 및 도 3g에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 영역(62', 62")은 좌우의 폭이 비대칭일 수도 있다.The second region 62 may have symmetrical widths on the left and right sides. Alternatively, as shown in FIGS. 3F and 3G, the second regions 62 ′ and 62 ″ may have asymmetric widths on the left and right sides. have.

여기서, 상기 제 2 영역(62, 62', 62")의 폭은 레이저 조사 장치의 스캔 방향과 일치하는 방향으로 연장된 것을 특징으로 한다.Here, the widths of the second regions 62, 62 ′ and 62 ″ extend in a direction coinciding with the scanning direction of the laser irradiation apparatus.

상기 광투과부(G)의 전체 길이는 투영 렌즈의 배율 및 공정마진을 고려하여 형성하고자 하는 유기막층의 길이와 대응되도록 설정한다. 또한, 상기 광투과부(G)의 제 2 영역(62, 62',62")은 상기 유기막층의 에지 영역부터 가장자리에 대응되도록 길이를 설정한다.The total length of the light transmitting part G is set to correspond to the length of the organic layer to be formed in consideration of the magnification and the process margin of the projection lens. In addition, the lengths of the second regions 62, 62 ′, 62 ″ of the light transmitting portion G correspond to the edges from the edge regions of the organic layer.

상기 마스크는 소정의 형상의 패턴 또는 일정한 주기로 반복되는 상기와 같은 형상을 갖는 패턴들을 가질 수 있으며, 이로써 상기 레이저빔은 상기 마스크의 형태대로 투과된다.The mask may have a pattern of a predetermined shape or patterns having the above shape repeated at regular intervals, whereby the laser beam is transmitted in the form of the mask.

상술한 바와 같은 마스크는 적어도 두 영역 이상의 크기가 다른 광투과부를 구비함으로써, 유기막층의 에지부 및 가장자리와 대응되는 부분에 조사되는 레이저 빔의 도우즈를 조절할 수 있다. The mask as described above may have light transmissive portions having different sizes of at least two regions, thereby controlling the dose of the laser beam irradiated to the edge portion and the portion corresponding to the edge of the organic layer.

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 레이저 조사 장치용 마스크를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device using a mask for laser irradiation apparatus according to the present invention.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판(100)을 제공한다. 상기 기판은 적어도 하나 이상의 트랜지스터(미도시)를 포함할 수 있으며, 최상부에는 제 1 전극(120) 및 상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 개구부가 형성된 화소정의막(130)이 위치한다. 상기 기판(100)은 척(400)에 의해 고정되며, 상기 척은 이동수단을 구비할 수 있다.4A and 4B, a substrate 100 is provided. The substrate may include at least one transistor (not shown), and a pixel definition layer 130 having an opening for exposing a portion of the first electrode 120 and a portion of the first electrode is disposed at the top thereof. The substrate 100 is fixed by the chuck 400, the chuck may be provided with a moving means.

상기 기판(100) 상에 도너 기판(200)을 라미네이션한다. 상기 도너 기판은 기재층(210), 광-열 변환층(220) 및 전사층(230)을 포함하며, 상기 전사층(230)은 유기막층을 형성하기 위한 물질로 이루어질 수 있다.The donor substrate 200 is laminated on the substrate 100. The donor substrate may include a base layer 210, a light-to-heat conversion layer 220, and a transfer layer 230, and the transfer layer 230 may be formed of a material for forming an organic layer.

상기 기판(100)에 라미네이션된 도너 기판(200) 상에 레이저 조사 장치(300)를 위치시킨다. 상기 레이저 조사 장치(300)는 레이저 소오스(310), 마스크(320) 및 투영렌즈(330)를 포함할 수 있으며, 상기 레이저 소오스(310)에서 발생된 레이저 빔은 상기 마스크(320)를 통과한다.The laser irradiation apparatus 300 is positioned on the donor substrate 200 laminated on the substrate 100. The laser irradiation apparatus 300 may include a laser source 310, a mask 320, and a projection lens 330, and a laser beam generated by the laser source 310 passes through the mask 320. .

상기 마스크(320)는 레이저빔을 차단하기 위한 광차단부(321)와 레이저빔을 통과시키는 광투과부(322)를 포함한다. 여기서, 상기 마스크(320)는 도 3a 내지 도 3g에 도시한 바와 같이, 적어도 두 영역 이상이 다른 크기를 갖는 광투과부(322)를 구비할 수 있다.The mask 320 includes a light blocking portion 321 for blocking the laser beam and a light transmitting portion 322 for passing the laser beam. 3A to 3G, the mask 320 may include a light transmitting part 322 having at least two regions having different sizes.

상기와 같은 마스크(320)를 통과하여 패터닝된 이미지를 갖는 레이저 빔은 상기 투영 렌즈(330)를 통과한다. 상기 투영 렌즈(330)는 상기 레이저 빔의 배율을 결정하는 역할을 하며, 본 실시예에서는 상기 투영 렌즈(330)가 등배율일 경우에 대하여 한정하여 설명한다. A laser beam having an image patterned through the mask 320 as described above passes through the projection lens 330. The projection lens 330 serves to determine the magnification of the laser beam, and in the present embodiment, the projection lens 330 is equally magnified.

상기 투영 렌즈(330)를 투과한 레이저 빔은 상기 도너 기판(200)에 도달하게 된다. 상기 레이저 빔이 조사된 영역의 도너 기판(200)에서는 상기 광-열 변환층(220)이 상기 레이저 빔을 흡수하여 열을 발생시키고, 상기 전사층(230)은 상기 열에 의해 상기 광-열 변환층(220)과의 접착력에 변화가 생겨 상기 기판(100) 상으로 전사된다. 결과적으로 상기 기판(100) 상에는 패터닝된 전사층(230')이 형성된다.The laser beam transmitted through the projection lens 330 reaches the donor substrate 200. In the donor substrate 200 where the laser beam is irradiated, the light-to-heat conversion layer 220 absorbs the laser beam to generate heat, and the transfer layer 230 is the light-to-heat conversion by the heat. A change in adhesion with the layer 220 occurs and is transferred onto the substrate 100. As a result, a patterned transfer layer 230 ′ is formed on the substrate 100.

도 4b를 참조하면, 상기 레이저 빔이 상기 도 3a 내지 도 3d에 도시한 바와 같이 제 1, 제 2 및 제 3 영역을 구비하는 마스크를 투과하면, 상기 레이저 조사 장치는 중심부에서 양단으로 갈수록 계단식으로 도우즈가 커지는 프로파일(A)을 갖는 레이저 빔을 발생시킨다.Referring to FIG. 4B, when the laser beam passes through a mask having first, second and third regions as shown in FIGS. 3A to 3D, the laser irradiation apparatus is cascaded from the center to both ends. The dose produces a laser beam with a profile A that is large.

이와는 달리, 상기 레이저 빔이 도 3e 내지 도 3g에 도시한 바와 같이 제 1 및 제 2 영역을 구비하는 마스크를 투과하면, 상기 레이저 조사 장치는 중심부를 제외한 양단이 점점 도우즈가 커지는 프로파일(B)을 갖는 레이저 빔을 발생시킨다.On the contrary, when the laser beam passes through the mask including the first and second regions as shown in FIGS. 3E to 3G, the laser irradiation apparatus has a profile B in which both ends except for the center portion become larger in dose. To generate a laser beam.

여기서, 상기 Ⅰ, Ⅱ 및 Ⅲ 영역은 상기 도 3a 내지 도 3g에 도시한 마스크를 투과한 레이저 빔이 조사되는 기판 영역으로서, 상기 Ⅰ 영역은 개구부에 의해 화소 전극이 노출된 영역이며, 상기 Ⅱ 영역은 화소 전극의 에지부 및 화소정의막 개구부의 측면에 해당하는 부분이 될 수 있으며, 상기 Ⅲ 영역은 개구부의 가장자리와 대응될 수 있다. 따라서, 상기와 같은 프로파일을 갖는 레이저 빔을 Y 방향으로 스캔하게 되면, 상기 Ⅰ 영역보다 상기 Ⅱ 및 Ⅲ 영역에 단위면적당 더 많은 도우즈의 레이저 빔이 조사된다.Here, the I, II and III regions are substrate regions to which the laser beam transmitted through the mask shown in FIGS. 3A to 3G are irradiated, and the I region is a region where the pixel electrode is exposed through the opening, and the II region. May be a portion corresponding to an edge portion of the pixel electrode and a side surface of the pixel defining layer opening, and the region III may correspond to an edge of the opening. Accordingly, when the laser beam having the profile as described above is scanned in the Y direction, more doses of laser beam per unit area are irradiated to the II and III regions than the I regions.

이로써, 상기 Ⅱ 영역에 라미네이션된 도너 기판에 충분한 도우즈의 레이저 빔을 가할 수 있게 되어, 상기 도너 기판과 상기 화소전극의 에지 부분을 밀착시킴으로써 들뜸없이 전사층 패턴을 형성할 수 있게 된다. 또한, 상기 Ⅲ 영역에 라미네이션된 도너 기판에 충분한 도우즈의 레이저 빔을 가할 수 있게 되어, 상기 전사층을 상기 도너 기판에서 잘 떨어지게 하여 깨끗한 전사층 패턴을 형성할 수 있다.As a result, a sufficient dose of a laser beam can be applied to the donor substrate laminated in the region II, and the transfer layer pattern can be formed without being lifted by bringing the donor substrate into close contact with the edge portion of the pixel electrode. In addition, it is possible to apply a laser beam of sufficient dose to the donor substrate laminated in the region III, so that the transfer layer is well separated from the donor substrate to form a clean transfer layer pattern.

상기 레이저 조사 장치(300)가 상기 기판(100)의 가장자리에 다다르면, 상기 척(400)은 이동수단에 의해 한 스텝 이동하고, 상술한 라미네이션 및 레이저 조사를 반복함으로써, 기판 전체에 전사층 패턴을 형성할 수 있다.When the laser irradiation device 300 reaches the edge of the substrate 100, the chuck 400 is moved one step by a moving means, and the above-described lamination and laser irradiation are repeated, thereby transferring the transfer layer pattern over the entire substrate. Can be formed.

상술한 바와 같이, 본 발명은 적어도 두 영역 이상의 크기가 다른 광투과부를 갖는 레이저 조사용 마스크를 제공함으로써, 레이저 열전사법에 의한 유기막층 형성시 유기막층의 열손상을 최소화할 수 있어 유기막층의 발광효율을 극대화할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 유기막층의 에지 부분에 대응되는 도너 기판에 충분한 도우즈의 레이저 빔을 조사할 수 있게 되어, 에지 부분의 들뜸이 없는 전사층 패턴을 형성함으로써, 유기막층의 에지 오픈 불량을 방지할 수 있다. 아울러, 본 발명은 가장자리의 패턴이 깨끗한 유기막층을 형성할 수 있게 된다.As described above, the present invention provides a laser irradiation mask having light transmitting portions having different sizes of at least two regions or more, thereby minimizing thermal damage of the organic film layer when forming the organic film layer by the laser thermal transfer method, thereby emitting light of the organic film layer. The efficiency can be maximized. In addition, according to the present invention, it is possible to irradiate a laser beam of sufficient dose to the donor substrate corresponding to the edge portion of the organic film layer, thereby forming a transfer layer pattern without lifting of the edge portion, thereby preventing edge open defects of the organic film layer. You can prevent it. In addition, the present invention can form an organic layer with a clean pattern of the edge.

본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것이 아니고, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있을 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, the invention is not so limited, and the invention is not limited to the scope and spirit of the invention as defined by the following claims. It will be readily apparent to one of ordinary skill in the art that various modifications and variations can be made.

이와 같이, 본 발명은 레이저 열전사법에 의한 유기막층 형성시 유기막층의 열적 손상을 방지하여 발광효율을 극대화할 수 있으며, 전사효율 및 전사층 패턴의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, the present invention can maximize the luminous efficiency by preventing thermal damage of the organic layer when forming the organic layer by the laser thermal transfer method, and has the effect of improving the transfer efficiency and the quality of the transfer layer pattern.

Claims (11)

레이저 조사 장치용 마스크에 있어서,In the mask for laser irradiation apparatus, 상기 마스크는 광차단부와 광투과부를 포함하고,The mask includes a light blocking portion and a light transmitting portion, 상기 광차단부는 제 1 차단부와 제 2 차단부를 포함하고,The light blocking unit includes a first blocking unit and a second blocking unit, 상기 광투과부는 상기 제 1 차단부와 제 2 차단부 사이에 위치하고,The light transmitting portion is located between the first blocking portion and the second blocking portion, 상기 광투과부는 제 1 영역, 상기 제 1 영역의 양단에 위치하며 상기 제 1 영역보다 큰 폭을 가지는 제 2 영역 및 상기 제 2 영역과 접하며 상기 제 2 영역보다 큰 폭을 가지는 제 3 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치용 마스크.The light transmitting portion includes a first region, a second region positioned at both ends of the first region and having a larger width than the first region, and a third region in contact with the second region and having a width larger than the second region. The mask for laser irradiation apparatus characterized by the above-mentioned. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 영역의 폭은 상기 제 1 영역의 폭의 1.05 내지 1.1배이며,The width of the second region is 1.05 to 1.1 times the width of the first region, 상기 제 3 영역의 폭은 상기 제 1 영역의 폭의 1.1배 내지 1.5배인 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치용 마스크.The width of the third region is 1.1 to 1.5 times the width of the first region of the mask for laser irradiation apparatus. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 및 제 3 영역의 폭은 상기 레이저 조사 장치의 스캔 방향과 일치하는 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치용 마스크.And the widths of the second and third regions extend in a direction coinciding with the scanning direction of the laser irradiation apparatus. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 영역과 제 3 영역은 좌우의 폭이 대칭인 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치용 마스크.A mask for a laser irradiation apparatus, wherein the second region and the third region have symmetrical widths. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 영역과 제 3 영역은 좌우의 폭이 비대칭인 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치용 마스크.A mask for a laser irradiation apparatus, wherein the second region and the third region are asymmetrical in width. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020060004570A 2006-01-16 2006-01-16 Mask for laser irradiation device KR100793360B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060004570A KR100793360B1 (en) 2006-01-16 2006-01-16 Mask for laser irradiation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060004570A KR100793360B1 (en) 2006-01-16 2006-01-16 Mask for laser irradiation device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070075862A KR20070075862A (en) 2007-07-24
KR100793360B1 true KR100793360B1 (en) 2008-01-11

Family

ID=38500883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060004570A KR100793360B1 (en) 2006-01-16 2006-01-16 Mask for laser irradiation device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100793360B1 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002216950A (en) * 2001-01-24 2002-08-02 Sony Corp Display device
JP2005152966A (en) * 2003-11-27 2005-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd Laser beam machining method, and blank transfer method
KR20050063534A (en) * 2003-12-22 2005-06-28 삼성에스디아이 주식회사 Donor film for laser induced thermal imaging method and electroluminescence display device manufactured using the same film
JP2005249937A (en) * 2004-03-02 2005-09-15 Dainippon Printing Co Ltd Method and apparatus for manufacturing color filter
KR20060026788A (en) * 2004-09-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 Laser irradiation device and fabrication method of organic electroluminescence display device using the same
KR20060027750A (en) * 2004-09-23 2006-03-28 삼성에스디아이 주식회사 Method of fabricating organic electroluminescence display device
KR20060062553A (en) * 2004-12-03 2006-06-12 삼성에스디아이 주식회사 Laser irradiation device, patterning method and fabrication method of organic electroluminescence display device using the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002216950A (en) * 2001-01-24 2002-08-02 Sony Corp Display device
JP2005152966A (en) * 2003-11-27 2005-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd Laser beam machining method, and blank transfer method
KR20050063534A (en) * 2003-12-22 2005-06-28 삼성에스디아이 주식회사 Donor film for laser induced thermal imaging method and electroluminescence display device manufactured using the same film
JP2005249937A (en) * 2004-03-02 2005-09-15 Dainippon Printing Co Ltd Method and apparatus for manufacturing color filter
KR20060026788A (en) * 2004-09-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 Laser irradiation device and fabrication method of organic electroluminescence display device using the same
KR20060027750A (en) * 2004-09-23 2006-03-28 삼성에스디아이 주식회사 Method of fabricating organic electroluminescence display device
KR20060062553A (en) * 2004-12-03 2006-06-12 삼성에스디아이 주식회사 Laser irradiation device, patterning method and fabrication method of organic electroluminescence display device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070075862A (en) 2007-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100770264B1 (en) Laser irradiation device and fabrication method of organic light emitting device using the same
JP4620578B2 (en) Laser irradiation apparatus, patterning method, and method for manufacturing organic electroluminescent element using patterning method
US9555433B2 (en) Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
JP4535387B2 (en) Method for manufacturing donor substrate, and method for manufacturing organic electroluminescent display device using donor substrate
US7820340B2 (en) Laser induced thermal imaging (LITI) mask and an organic electroluminescent device fabrication method using the mask
US8848749B2 (en) Light radiating device and method of fabricating organic light emitting diode display device using the same
CN109722636B (en) Ultrafine pattern deposition apparatus, ultrafine pattern deposition method using the same, and light emitting display device manufactured by the deposition method
KR20060020030A (en) Fabricating method of donor device
KR100635579B1 (en) laser induced thermal imaging apparatus, laser induced thermal imaging method using the apparatus and fabrication method of OLED using the apparatus
KR100770260B1 (en) laser induced thermal imaging apparatus, laser induced thermal imaging method using the apparatus and fabrication method of OLED using the apparatus
KR100793360B1 (en) Mask for laser irradiation device
KR20060020031A (en) Laser induced thermal imaging apparatus
KR100782460B1 (en) Laser irradiation device and fabrication method of organic light emitting device using the same
WO2016008267A1 (en) Sublimation device and method for manufacturing an organic light emitting diode display device
KR100812027B1 (en) Laser induced transfer imaging and fabricating method of organic light emitting diode using the same
KR100666567B1 (en) LITI apparatus, method of LITI and fabricating method of using the same
KR100848340B1 (en) Laser Irradiation Device and Fabrication method using the same for Organic Light Emitting Diode display device
KR100721563B1 (en) Donor device and LITI method using the donor device
KR100667088B1 (en) Tape-like donor film, tape-like donor film roll and laser induced thermal imaging apparatus having the tape-like donor film roll

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 12