KR100791660B1 - Plasma processing apparatus - Google Patents

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    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel

Abstract

본 발명은 유전체판 지지부와 금속제 용기의 손상을 최소한으로 억제하는 동시에, 플라즈마 처리 효율의 향상을 도모하는 것을 목적으로 한다. The invention at the same time to suppress the damage to the dielectric plate supporting the metal container to a minimum, and an object thereof is to improve the plasma processing efficiency. 본 발명에 있어서는, 유전체판과 처리 용기와의 대향 영역에 수지층을 배치하고 있다. In the present invention, there is arranged a resin layer on the opposing areas of the dielectric plate and a processing vessel. 이로써, 유전체판과 금속제의 처리 용기와의 열팽창율의 차로 인해 발생하는 파티클, 손상을 억제할 수 있다. In this way, the dielectric plate and particles generated due to the difference of thermal expansion coefficients of the metal and the treatment vessel, it is possible to suppress damage. 또한, 유전체판의 에지부 등의 전계 경계부에서 국소 방전의 발생이 억제되어, 산화막의 성막 등의 플라즈마 처리의 효율이 향상된다. Further, the occurrence of local discharges at electric field boundaries such as suppressing the dielectric plate of the edge portion, thereby improving the efficiency of plasma processing such as film formation of the oxide film.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS} The plasma processing apparatus {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성의 일례를 도시한 개략도(단면도), Schematic view (sectional view), FIG. 1 illustrates an example of the configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 2는 실시예의 주요부의 구조를 도시하는 단면도, 2 is a cross-sectional view showing the structure of the embodiment of the main portion,

도 3은 실시예의 효과를 도시하는 그래프로서, 처리 시간과 막 두께의 관계를 도시하는 도면, 3 is a graph showing the effect of the embodiment, a diagram showing the relationship between the processing time and the film thickness,

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 주요부의 구조를 도시하는 단면도. Figure 4 is a sectional view showing a main part of the structure in accordance with another embodiment of the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 Description of the Related Art

10 : 플라즈마 처리 장치 11 : 처리 용기 10: plasma processing unit 11: the processing vessel

13 : 유전체판 14 : 슬롯판 13: the dielectric plate 14: the slot plate

30 : 지지부 34 : O링 30: support portion 34: O-ring

36 : 수지층 W : 실리콘 웨이퍼 36: resin W: Silicon Wafer

본 발명은 플라즈마를 이용하여 반도체 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 특히, 해당 플라즈마 처리 장치에 이용되는 처리 용기 및 유전체판의 구조에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma processing apparatus for processing a semiconductor substrate using a plasma, in particular, to a structure of the processing vessel and the dielectric plate to be used in the plasma processing apparatus.

최근, 플라즈마를 이용한 반도체 기판의 처리 기술의 발달이 눈부시다. Recently, the development of the processing technology of the semiconductor substrate using plasma dazzle the eye. 플라즈마 처리에 의해, 처리 온도를 종래에 비하여 대폭 저온화할 수 있는 등의 장점이 있다. There is an advantage such that by the plasma treatment, can hwahal significantly lower temperature than the processing temperature in the art. 플라즈마 처리 장치는 일반적으로 반도체 기판을 수용한 처리 용기와, 상기 처리 용기에 전자파를 공급하는 전자파 공급부와; And a plasma processing apparatus generally processes a receiving container for a semiconductor substrate, and the electromagnetic wave supply unit for supplying the electromagnetic waves to said processing vessel; 전자파 공급부와 처리 용기 사이에 배치된 유전체판(유전체창)을 구비하고 있다. And a dielectric plate (dielectric window) disposed between the electromagnetic wave supplying section and the processing vessel. 이러한 구성의 장치에 있어서, 처리 용기내에 처리에 따른 혼합 가스를 도입하고, 마이크로파 등의 전자파에 의해 플라즈마를 여기한다. In the apparatus having such a structure, introducing a mixed gas according to the process in the processing container, and exciting a plasma by the electromagnetic wave of the microwave or the like. 유전체판과 처리 용기 사이에는 O링 등의 밀봉 수단이 배치되어, 처리 용기를 진공 밀봉하고 있다. Is between the dielectric plate and a processing vessel is disposed a sealing means such as O-rings, and seals the vacuum processing vessel.

그러나, 종래의 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 유전체판과 금속제의 처리 용기의 접점부에 있어서, 양자의 열팽창율의 차이에 의해, 금속제 용기의 마찰, 마모 등의 파티클(particle)이 발생하고 있었다. However, in, in the contact portion of the dielectric plate and made of a metal treatment vessel, by the difference in coefficient of thermal expansion of the two, and had a particle (particle), such as friction and wear of metal containers it occurs on a conventional plasma processing apparatus. 최악의 경우에는, 유전체판의 파손 등의 손상이 발생했다. In the worst case, it damages such as breakage of the dielectric plate has occurred. 또한, 유전체판의 에지부 등의 전계(電界) 경계부에서 국소 방전이 발생해, 금속제 용기가 손상될 뿐만 아니라, 산화막의 성막 등의 플라즈마 처리의 효율을 저하시켰다. Further, by the local discharge occurring in an electric field (電 界) boundary, such as a dielectric plate of an edge, not only the metal vessel injury was reduced the efficiency of plasma processing such as film formation of the oxide film.

본 발명은 상기와 같은 상황에 비추어 이루어진 것으로서, 유전체판 및 금속 제 용기의 손상을 최소한으로 억제하는 동시에, 플라즈마 처리 효율의 향상이 가능한 플라즈마 처리 장치, 처리 용기 및 유전체판을 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide been made in view of the circumstances as described above, the dielectric plate and the metal damage to the containers and at the same time kept to a minimum, a plasma processing apparatus to improve the plasma treatment efficiency as possible, the processing vessel and the dielectric plate .

상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 유전체판과 처리 용기 사이에 수지층을 배치하고 있다. In order to achieve the above object, in the plasma processing apparatus according to the present invention, a resin layer is disposed between the dielectric plate and a processing vessel. 이로써, 유전체판과 금속제의 처리 용기 열팽창율의 차이가 원인으로 되어 발생하는 마찰·마모 파티클을 상기 수지층에서 억제하는 것이 가능해진다. By this, it is possible to suppress the dielectric plate and the friction, wear particles generated a difference in coefficient of thermal expansion of the metal treatment vessel to be caused in the resin layer. 또한, 유전체판의 에지부 등의 전계 경계부에서의 국소 방전의 발생이 억제되어, 산화막의 성막 등의 플라즈마 처리의 효율을 향상시키는 것이 가능해진다. In addition, the generation of the local discharge in the electric field boundary, such as a dielectric plate of an edge suppression, it is possible to improve the efficiency of plasma processing such as film formation of the oxide film. 또한, 수지층의 두께는 40~100㎛가 바람직하다. Further, the thickness of the resin layer is preferably 40 ~ 100㎛.

도 1은 본 발명에 이용할 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치(10)의 구성의 개략을 도시한다. Figure 1 shows an outline of the construction of the plasma substrate processing system 10 that can be used in the present invention. 플라즈마 처리 장치(10)는 피처리 기판으로서의 실리콘 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지대(12)가 구비된 처리 용기(11)를 갖는다. The plasma processing apparatus 10 has a substrate holding table A 12 is provided with the processing vessel 11 for holding the silicon wafer (W) as a target substrate. 처리 용기(11)내의 기체는 배기 포트(11A, 11B)로부터, 도시되지 않는 배기 펌프를 거쳐서 배기된다. The gas in the processing vessel 11 from the exhaust port (11A, 11B), is exhausted through an exhaust pump not shown. 기판 유지대(12)는 실리콘 웨이퍼(W)를 가열하는 히터 기능을 갖고 있다. Substrate holding table 12 has a heater function for heating the silicon wafer (W).

처리 용기(11)의 장치 상방에는, 기판 유지대(12)상의 실리콘 웨이퍼(W)에 대응해서 개구부가 설치되어 있다. In the device above the processing vessel 11, an opening is provided corresponding to the silicon wafer (W) on the substrate holding table 12. 이 개구부는 석영이나 Al 2 O 3 로 이루어지는 유전체판(13)에 의해 폐쇄되어 있다. This opening is closed by a dielectric plate 13 made of quartz or Al 2 O 3. 유전체판(13)의 상부(외측)에는 안테나로서 기능 하는 슬롯판(14)이 배치되어 있다. An upper (outside) the dielectric plate 13 has a slot plate 14 functioning as an antenna is arranged. 슬롯판(14)의 더욱 상부(외측)에는, 석영, 알루미나, 질화 알루미늄 등으로 이루어지는 유전체판(15)이 배치되어 있다. More top (outer side) of the slot plate 14 is provided, the dielectric plate 15 made of quartz, alumina, aluminum nitride and so on are disposed. 이 유전체판(15)은 지파판(遲波板) 또는 파장 단축판이라 불리우는 경우가 있다. The dielectric plate 15 is sometimes called the dashboard support (遲 波 板) or wavelength shortening plate. 유전체판(15)의 상부(외측)에는 냉각 플레이트(16)가 배치되어 있다. An upper (outside) the dielectric plate 15 is arranged a cooling plate 16. 냉각 플레이트(16)의 내부에는, 냉매가 흐르는 냉매로(冷媒路)(16a)가 설치되어 있다. The interior of the cooling plate 16 is provided, the refrigerant is a refrigerant (冷媒 路) (16a) is installed flows. 또한, 처리 용기(11)의 상단 중앙에는, 마이크로파를 도입하는 동축 도파관(18)이 설치되어 있다. Further, in the center of the top of the processing container 11, a coaxial waveguide 18 for introducing microwaves it is installed.

기판 유지대(12)의 주위에는, 알루미늄으로 이루어지는 가스 배플판(다이어프램)(26)이 배치되어 있다. The circumference of the substrate holding table 12, a gas baffle plate (diaphragm) 26 made of aluminum is disposed. 가스 배플판(26)의 상면에는 석영 커버(28)가 설치된다. The upper surface of the gas baffle plate 26 is provided with a quartz cover 28.

처리 용기(11)의 내벽에는, 플라즈마 처리에 이용되는 가스를 도입하기 위한 가스 노즐(22)이 설치된다. The inner wall of the processing vessel 11 is provided, the gas nozzle 22 for introducing the gas to be used in plasma processing is provided. 마찬가지로, 처리 용기(11)의 내벽의 내측에는, 용기 전체를 둘러싸도록 냉매 유로(24)가 형성되어 있다. Similarly, the inner side of the inner wall of the processing vessel 11, a coolant passage 24 is formed to surround the whole vessel.

이 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 처리를 실행할 때에는, 우선, 실리콘 웨이퍼(W)가 플라즈마 처리 장치(10)의 처리 용기(11)내에 셋팅된 후, 배기 포트(11A, 11B)를 거쳐서 처리 용기(11) 내부의 공기의 배기가 실시되어, 처리 용기(11)의 내부가 소정의 처리압으로 설정된다. When using this plasma processing apparatus 10 to execute the process, first, a silicon wafer (W) after it is set in the processing chamber 11 of the plasma processing apparatus 10, processing through the exhaust ports (11A, 11B) vessel 11 is subjected to exhaust the internal air, it is set to the processing pressure inside a given of the processing chamber 11. 그 후, 실리콘 웨이퍼(W)가 셋팅(로딩)된 처리 용기(11)내에, 가스 노즐(22)로부터 소정의 혼합 가스(예를 들면, 불활성 가스, 산소 가스, 질소 가스 등)가 도입된다. Thereafter, the silicon wafer (W) is set (loaded), the processing container 11, is from the gas nozzle 22, a predetermined gas mixture (e.g., an inert gas, oxygen gas, nitrogen gas or the like) is introduced.

한편, 동축 도파관(18)을 통해서 공급되는 수 ㎓ 주파수의 마이크로파가 유 전체판(15), 슬롯판(14), 유전체판(13)을 거쳐서 처리 용기(11) 내에 도입된다. On the other hand, a microwave of a frequency ㎓ be supplied via the coaxial waveguide 18 is introduced into the entire plate 15, the slot plate 14, the dielectric plate processing vessel 11 via a 13 oil. 이 마이크로파에 의해 플라즈마 생성 가스가 여기(勵起)되어, 플라즈마가 생성된다. The plasma generation gas is here (勵 起) by the microwave, a plasma is generated.

처리 용기(11) 내에서의 마이크로파 여기에 의해 생성된 고밀도 플라즈마는 실리콘 웨이퍼(W)의 표면에 산화막을 성막시킨다. The processing chamber 11 generated by the microwave excited high density plasma in the film-forming causes the oxide film on the surface of the silicon wafer (W).

도 2는 유전체판(13)과 처리 용기(11)의 대향 영역 근방의 모양을 도시한다. Figure 2 illustrates the appearance of the vicinity of the opposing areas of the dielectric plate 13 and the processing chamber 11. 처리 용기(11)의 내벽측에는, 유전체판(13)을 지지하는 플랜지 형상으로 돌출한 지지부(30)가 형성되어 있다. Is a support 30 projecting flange-shaped supporting side, the dielectric plate 13, the inner wall of the processing container 11 is formed. 지지부(30)의 상면에는, O링(34)을 수용하는 홈(32)이 형성되어 있다. On the upper surface of the support 30, the grooves 32 are formed for receiving the O-ring (34). 유전체판(13)의 외측 연부는 지지부(30)상에 지지되게 되어 있다. The outer edge of the dielectric plate 13 is to be supported on the support 30. 유전체판(13)과 처리 용기(11)의 대향 영역(접촉 영역)에는, 수지층(36)이 형성되어 있다. The opposing area (contact area) of the dielectric plate 13 and the processing chamber 11, the resin layer 36 is formed.

처리 용기(11)의 재질은 금속이다. The material of the processing chamber 11 is a metal. 이것에 대하여, 수지층(36)의 재질로서는, 테프론(등록상표), 폴리이미드 등의 엔지니어링 플라스틱(engineering plastic)을 이용할 수 있다. On the other hand, the number of material of the resin layer 36, it is possible to use a Teflon (registered trademark), engineering plastics (engineering plastic) such as a polyimide. 수지층(36)의 재질은 플라즈마 처리 조건, 즉 반응 가스의 종류, 설정 온도 등에 따라 선택하는 것이 바람직하다. Number of the material of the resin layer 36 is preferably selected according to the plasma processing condition, that is, the type, the set temperature of the reaction gas. 수지층(36)의 형성 방법으로서는, 도포·베이킹 처리 이외에, 별도의 부재(수지 필름)를 접착하는 방법을 이용하는 것도 가능하다. As the method for forming the resin layer 36, in addition to coating and baking treatment, it is also possible to use a method of bonding a separate member (resin film).

수지층(36)의 두께로서는, 예를 들면, 40∼100㎛로 하는 것이 바람직하다. The thickness of the resin layer 36, for example, it is preferable that the 40~100㎛. 수지층(36)의 두께가 100㎛를 초과하면, 코팅에 의해 수지층(36)을 형성하기 곤란하게 된다. If the thickness of the resin layer 36 exceeds 100㎛, it is difficult to form the resin layer 36 by coating. 한편, 수지층(36)의 두께가 40㎛ 미만이면, 절연 성능이 저하하기 쉬 워진다. On the other hand, if the thickness of the resin layer 36 is less than 40㎛, the fringed rest to the insulation performance.

또한, 수지층(36)은 처리 용기(11)의 표면, 유전체판(13)의 표면중 어느 것에 형성되는 것도 가능하다. In addition, the resin layer 36 can be formed with any of the surface of the surface of the dielectric plate 13 of the processing chamber 11. 단, 수지층(36)을 코팅에 의해 형성할 때, 수지층의 재질은 고온 소성(燒成) 타입의 수지이고, 처리 용기가 저내열 금속의 조합인 경우에는, 유전체판(13)측에 수지층(36)을 형성하는 편이 공정으로서는 용이하다. However, when the number formed by the resin layer 36 to the coating, the material of the resin layer is a high-temperature plastic (燒成) of the resin type, the treatment vessel is in the case of the combination of the low heat-resistance metal, on the side of the dielectric plate 13 side is easy as the step of forming the resin layer 36.

상기한 바와 같이, 수지층(36)을 설치함으로써, 유전체판(13)과 금속제의 처리 용기(11)의 열팽창율의 차이로 인해 발생하는 마찰, 마모 등의 손상이 억제되고, 또한 유전체판(13)의 에지부 등의 전계 경계부에서 국소 방전의 발생이 억제된다. , Can by providing the resin layer 36, a damage such as a dielectric plate 13 and the friction generated due to a difference in coefficient of thermal expansion of the metal treatment vessel 11, wear is suppressed, and a dielectric plate as described above ( the generation of the local discharge is suppressed in the electric field boundary, such as the edge portion 13). 그 결과, 금속제의 처리 용기(11)에의 손상을 억제할 수 있다. As a result, it is possible to suppress damage to the metal of the processing chamber 11. 또한, 산화막의 성막 등의 플라즈마 처리의 효율을 향상시키는 것이 가능해진다. Further, it is possible to improve the efficiency of plasma processing such as film formation of the oxide film. 또한, 본 발명은 고출력(high power)(예를 들면, 3㎾ 이상)의 플라즈마에 의해, 실리콘 웨이퍼(W)를 처리하는 공정에 있어서 특히 유효하다. The present invention is particularly effective in the step of plasma by a high power (high power) (for example, more than 3㎾), processing a silicon wafer (W).

도 3은 2개의 다른 성막 프로세스 A, B에 있어서의, 처리 시간에 대한 막 두께의 변화를 도시하고 있다. 3 shows the change in film thickness for the processing time of the two different film-forming process A, B. 도면에 있어서, 실선이 수지층을 설치한 본 발명에 의한 결과를 나타내고, 파선이 수지층을 설치하지 않은 종래 기술에 의한 결과를 나타내고 있다. In the figure, indicates the result according to the present invention, a solid line is installed, the resin layer, there is shown the results of the prior art are not broken line is installed, the resin layer. 도면으로부터도 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 의하면, 유전체판(13)의 에지부 등의 전계 경계부에서 국소 방전의 발생이 억제되기 때문에, 성막 효율이 평균적으로 약 25% 향상됐다. As can also be seen from the figure, according to the present invention, since the occurrence of local discharges at electric field boundaries such as suppressing the outer edges of the dielectric plate 13, the deposition efficiency was improved to be about 25% on average.

도 4는 유전체판(13)과 처리 용기(11)의 대향 영역에 있어서의 수지층(36)의 형성 위치의 다른 예를 도시한다. Figure 4 illustrates another example of the positions of formation of the resin layer 36 in the opposing area of ​​the dielectric plate 13 and the processing chamber 11. 도 4의 예에서는, 수지층(36)은 홈(32)의 외측 에만 형성되고, 홈(32)의 내측(용기의 내측)에는 형성되어 있지 않다. In the example of Figure 4, the resin layer 36 is formed only on the outer side of the groove 32, there is not formed inside (inner side of the container) of the groove (32). 이와 같이 배치함으로써, O 2 플라즈마를 이용했을 경우와 같이 플라즈마의 조건에 의해, 수지층(36) 자체가 손상되어, 파티클의 발생 요인이 되는 것을 방지할 수 있다. With this arrangement, by the plasma conditions as in the case of using an O 2 plasma, the resin layer 36 is itself is damaged, it is possible to prevent the generation factor of the particle. 도 4의 예에 있어서도, 도 2의 경우와 같이, 수지층(36)은 처리 용기(11)의 표면, 유전체판(13)의 표면중 어느 것에 형성해도 좋다. Also in the example of Figure 4, as in the case of Figure 2, the resin layer 36 may be formed with any of the surface of the surface of the dielectric plate 13 of the processing chamber 11.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 유전체판과 처리 용기의 대향 영역에 수지층을 설치하고 있기 때문에, 유전체판과 처리 용기의 열팽창율의 차이로 인해 발생하는 마찰, 마모 등에 의한 파티클의 발생이 억제되고, 또한 유전체판의 에지부 등의 전계 경계부에서 국소 방전의 발생이 수지층에 의해 억제된다. As described above, according to the present invention, since the installation of the resin layer on the opposing areas of the dielectric plate and the process vessel, the generation of particles due to the dielectric plate and the friction generated due to a difference in coefficient of thermal expansion of the processing vessel, the wear It is suppressed, and is also suppressed by the number of the occurrence of local discharges at electric field boundaries such as the resin layer of the dielectric plate edge. 그 결과, 금속제의 처리 용기에의 손상을 억제할 수 있다. As a result, it is possible to suppress damage to a metal treatment vessel. 기타, 산화막의 성막 등의 플라즈마 처리의 효율을 향상시키는 것이 가능하다. Other, it is possible to improve the efficiency of plasma treatment of the film forming of an oxide film and so on.

본 발명은 유전체판과 금속제의 처리 용기를 갖는 플라즈마 처리 장치에 대하여 유용하다. The invention is useful for a plasma processing apparatus having a processing container of the dielectric plate and made of metal.

Claims (9)

  1. 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, In the plasma processing apparatus for plasma processing a substrate, comprising:
    처리될 기판을 수용하는 처리 용기와, And a processing container for accommodating a substrate to be processed,
    상기 처리 용기의 상방에 상기 기판에 대응하도록 마련된 개구부를 밀봉하도록 배치하는 유전체 부재와, And a dielectric member disposed so as to seal the opening provided so as to correspond to the substrate above the processing vessel,
    상기 유전체 부재 위에 배치되고, 상기 유전체 부재를 거쳐서 상기 처리 용기내에 전자파를 공급하는 복수의 슬롯을 갖는 안테나와, And disposed on the dielectric member, the dielectric member through the antenna having a plurality of slots for supplying electromagnetic waves into the processing tank,
    상기 유전체 부재를 지지하는 지지부와, And a support portion for supporting the dielectric member,
    상기 유전체 부재와 상기 지지부 사이에서 상기 처리 용기를 기밀하게 밀봉하는 O링과, Between the dielectric member and the support portion and the O ring for hermetically sealing the processing vessel,
    상기 처리 용기내를 배기하는 배기 수단을 포함하며, And an exhaust means for exhausting the inside of the processing tank,
    상기 유전체 부재의 외측 연부가 상기 지지부에 지지되고, 상기 유전체 부재의 외측 연부와 상기 처리 용기의 대향 영역에 수지 부재를 형성하고, 상기 수지 부재의 두께는 40∼100㎛인 The outer edge of the dielectric member is supported on the support, to form a resin member in the opposing area of ​​the outer periphery and the processing vessel of the dielectric member, the thickness of the resin member which is 40~100㎛
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 수지 부재는 상기 O링의 외측에 형성되는 The resin member is formed on the outer side of the O-ring
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  3. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 수지 부재는 엔지니어링 플라스틱인 The resin member is an engineering plastic
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 엔지니어링 플라스틱은 테프론 또는 폴리이미드로 이루어지는 The engineering plastic is made of Teflon or polyimide
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  5. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 수지 부재는 코팅, 도포·베이킹 처리, 접착하는 방법에 의해 형성되는 The resin member is formed by coating, the coating and method of baking treatment, the adhesive
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  6. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유전체 부재는 석영, 알루미나 또는 질화 알루미늄으로부터 선택되는 The dielectric member is selected from quartz, alumina or aluminum nitride
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  7. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 안테나의 상부에 지파 부재 또는 파장 단축 부재를 더 구비하는 Further comprising a member or tribe wavelength shortening member at an upper portion of the antenna
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  8. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유전체 부재는 상기 안테나를 냉각하는 냉각 플레이트를 더 구비하는 It said dielectric member is further provided with a cooling plate for cooling the antenna
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서, According to claim 1 to claim 8, wherein any one of,
    상기 전자파는 마이크로파로 이루어지고, 상기 마이크로파를 안테나에 공급하는 동축 도파관을 더 구비하는 The electromagnetic wave is made of a microwave, further comprising a coaxial waveguide which supplies the microwave to an antenna
    플라즈마 처리 장치. The plasma processing apparatus.
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