KR100773934B1 - OLED display panel and its fabrication method - Google Patents

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Abstract

오엘이디 디스플레이 패널은 유기물층과 무기물층이 각각 한층 또는 두층 이상 조합되어 형성되는 오엘이디 패널 패시베이션층에 있어서, 패시베이션층에 빈공간을 형성하여 빈공간의 패시베이션층에 전달된 열이 빈공간의 하부 패시베이션층으로 전달이 용이하지 않도록 하는 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 또한, 오엘이디 패널 패시베이션층의 제조 방법이 제공된다.The OLED display panel is an OLED panel passivation layer formed by combining an organic layer and an inorganic layer with one or more layers, respectively, in which an empty space is formed in the passivation layer so that heat transferred to the passivation layer of the empty space is lower passivation of the empty space. It is characterized by having a structure that is not easy to transfer to the layer. Also provided is a method for producing an ODL panel passivation layer.

오엘이디, OLED, 패시베이션, 빈공간, 열완충 OLED, OLED, passivation, void, heat buffer

Description

오엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{OLED display panel and its fabrication method}OLED display panel and its manufacturing method {OLED display panel and its fabrication method}

도 1은 종래의 오엘이디 디스플레이 패널을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional LED display panel.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an LED display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 오엘이디 디스플레이 패널의 패시베이션층을 형성함에 있어서 빈공간을 형성하기 위한 방법을 설명하기 위한 공정흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a method for forming an empty space in forming a passivation layer of the ODL display panel of FIG. 2.

도 4a 내지 도 4g는 도 3의 각 공정단계에 있어서의 공정단면도들이다.4A to 4G are cross-sectional views showing the process steps in FIG. 3.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

400: 기판 410: 유기물층400: substrate 410: organic material layer

420: 제1 무기물층 430: 용해성 고분자층420: first inorganic layer 430: soluble polymer layer

440: 제2 무기물층 450: 감광막패턴440: second inorganic layer 450: photosensitive film pattern

431: 열완충용 빈공간431: empty space for thermal buffer

본 발명은 오엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오엘이디 디스플레이 패널을 레이저를 이용하여 패시베이션 해주는 공정에 있어서 열에 의한 오엘이디 패널의 손상을 방지할 수 있는 오엘이디 디스플레이 패널의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LED display panel and a method of manufacturing the same, and more particularly, in the process of passivating the LED display panel using a laser of the LED display panel that can prevent the damage of the LED panel by heat It relates to a structure and a method of manufacturing the same.

오엘이디(OLED)라 함은 Organic Light Emitting Diode의 약자로서 발광성(luminescent) 유기화합물을 전기적으로 여기시켜(excited) 발광시키는 자발광형 디스플레이를 말한다.OLED stands for Organic Light Emitting Diode, and refers to a self-luminous display that emits light by electrically exciting a luminescent organic compound.

오엘이디는 낮은 전압에서 구동이 가능하고 박형화, 광시야각, 빠른 응답속도 등 LCD에서 문제로 지적되고 있는 결점을 해소할 수 있으며, 다른 디스플레이 소자에 비해 중형 이하에서는 TFT-LCD와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있다는 점과 제조 공정이 단순하여 향후 가격 경쟁에서 유리하다는 등의 장점을 가진 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.OLED can be operated at low voltage and eliminates the drawbacks of LCDs such as thinning, wide viewing angles, and fast response speeds.It is equivalent to or better than TFT-LCD in medium size and lower than other display devices. It is attracting attention as a next-generation display that has advantages such as being able to have a simple manufacturing process and advantageous in future price competition.

이러한 오엘이디는 투명 유리 기판 상에 양전극으로서 ITO 투명 전극 패턴이 형성되어 있는 형태를 가진 하판과 기판 상에 음전극으로서 금속 전극이 형성되어 있는 상판 사이의 공간에 유기 발광성 소재가 형성되어, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 소정의 전압이 인가될 때 유기 발광성 소재에 전류가 흐르면서 빛을 발광하는 성질을 이용하는 디스플레이 장치이다.The OLED is formed of an organic luminescent material in a space between a lower plate having a form in which an ITO transparent electrode pattern is formed as a positive electrode on a transparent glass substrate and an upper plate in which a metal electrode is formed as a negative electrode on the substrate. And a display device that emits light while a current flows through the organic light emitting material when a predetermined voltage is applied between the metal electrode and the metal electrode.

도 1은 종래의 오엘이디 디스플레이 패널을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional LED display panel.

도 1에 도시된 바와 같이 종래의 오엘이디 디스플레이 패널(10)은 기판(100)상에 하부전극패턴(110)이 형성되고, 상기 하부전극패턴(110) 상에는 화소영역이 정의되는 화소영역을 제외하고 전면에 걸쳐 절연체(insulator; 120)가 형성되며, 상기 절연체(120) 상에는 역테이프형(역마름모형)의 분리체(separator; 130)가 형성되며, 상기 절연체(120)에 의해 노출된 하부전극패턴(110) 상에는 발광유기물층(140)과 상부전극층(150)이 차례대로 적층되어 있으며, 상기의 모든 구조물들은 패시베이션층(passivation layer; 160)에 의해 덮여져 있다.As shown in FIG. 1, in the conventional LED display panel 10, a lower electrode pattern 110 is formed on a substrate 100, and a pixel region in which pixel regions are defined is defined on the lower electrode pattern 110. And an insulator 120 is formed over the entire surface, and a separator 130 of reverse tape type (reverse diamond shape) is formed on the insulator 120, and the lower part exposed by the insulator 120 is formed. The light emitting organic layer 140 and the upper electrode layer 150 are sequentially stacked on the electrode pattern 110. All of the above structures are covered by a passivation layer 160.

패시베이션층(160)을 형성하는 이유는 상부전극층(150)의 산화를 방지하고 수분이나 산소에 민감한 발광유기물층(140)을 보호하기 위함이다.The reason for forming the passivation layer 160 is to prevent oxidation of the upper electrode layer 150 and to protect the light emitting organic layer 140 sensitive to moisture or oxygen.

이러한 패시베이션층(160)은 형성 후에 보다 단단한 층을 형성하기 위하여 레이저, 구체적으로는 엑시머 레이저(excimer laser)와 같은 고출력 단파장(약 150~400nm)을 가진 광을 조사하여 어닐링(annealing) 해주는 과정을 거쳐는데, 이러한 어닐링 공정을 패시베이션층(160) 깊숙히 해줄 경우 오엘이디 단위셀에 열적충격을 주어 오엘이디 소자에 손상을 줄 우려가 있다.In order to form a harder layer after formation, the passivation layer 160 is irradiated with annealing by irradiating light having a high power short wavelength (about 150 to 400 nm) such as a laser, specifically an excimer laser. However, if the annealing process is deepened in the passivation layer 160, there is a risk of damaging the ODL element by giving a thermal shock to the ODL unit cell.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 패시베이션층 깊숙히 어닐링을 해주더라도 공정 중에 열에 의한 소자의 열적충격을 방지할 수 있는 오엘이디 디스플레이 패널을 제공하는데에 있다.An object of the present invention is to provide an OLED display panel that can prevent the thermal shock of the device due to heat during the process even if the passivation layer deeply annealed.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 오엘이디 디스플레이 패 널의 제조방법을 제공하는데에 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the ODL display panel.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 오엘이디 디스플레이 패널은 유기물층과 무기물층이 각각 한층 또는 두층 이상 조합되어 형성되는 오엘이디 패널 패시베이션층에 있어서, 패시베이션층에 빈공간을 형성하여 빈공간의 패시베이션층에 전달된 열이 빈공간의 하부 패시베이션층으로 전달이 용이하지 않도록 하는 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.In the embodiment of the present invention for solving the above technical problem, the ODL display panel is an OLED panel passivation layer formed by combining one or two or more organic and inorganic layers, respectively, to form a blank space in the passivation layer The heat transferred to the passivation layer of the space is characterized in that it has a structure that is not easy to transfer to the lower passivation layer of the empty space.

상기의 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 소자의 패시베이션 방법은 (a)단위셀 제조공정이 완료된 기판 상에 전체적으로 콘포말하게 유기물층 및 제1 무기물층을 차례대로 도포하는 단계, (b)무기물층 상에 용해성 고분자층을 형성하는 단계, (c)용해성 고분자층 상에 제2 무기물층을 형성하는 단계, (d)제2 무기물층 상에 포토-에칭공정을 통해 일부영역에서 제2 무기물층이 노출되도록 하는 감광막패턴을 형성하는 단계, (e)감광막패턴을 마스크로 노출된 제2 무기물층을 에칭하여 용해성 고분자층을 노출시키는 단계, 및 (f)유기용매를 이용하여 노출된 용해성 고분자층을 제거하여 열완충층을 형성하는 단계를 포함한다.In order to solve the other technical problem described above, the passivation method of an LED element according to an embodiment of the present invention (a) coating the organic material layer and the first inorganic layer in order conformally as a whole on the substrate on which the unit cell manufacturing process is completed Step (b) forming a soluble polymer layer on the inorganic layer, (c) forming a second inorganic layer on the soluble polymer layer, (d) a photo-etching process on the second inorganic layer Forming a photoresist pattern for exposing the second inorganic layer in the region, (e) etching the second inorganic layer exposed with the photoresist pattern as a mask to expose the soluble polymer layer, and (f) using an organic solvent And removing the exposed soluble polymer layer to form a heat buffer layer.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

또한, 도면에서 층과 막 또는 영역들의 크기 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어 기술된 것이며, 어떤 막 또는 층이 다른 막 또는 층의 "상에" 형성된다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막 또는 층이 상기 다른 막 또는 층의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막 또는 층이 개재될 수도 있다.In addition, in the drawings, the size and thickness of layers and films or regions are exaggerated for clarity of description, and when any film or layer is described as being formed "on" of another film or layer, It may be directly on top of the other film or layer, and a third other film or layer may be interposed therebetween.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an LED display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

다만, 도 2에 있어서, 기판, 하부전극패턴, 절연체(insulator), 분리체(separator), 발광유기물층 및 상부전극패턴이 형성된 오엘이디 소자 구조는 종래의 것과 동일하므로 그 설명을 생략하기로 하며, 본 발명은 이들 소자를 보호하기 위한 패시베이션층에 관한 발명이므로 이하에서는 패시베이션층에 대한 설명만을 하기로 한다.However, in FIG. 2, the structure of the LED element formed with the substrate, the lower electrode pattern, the insulator, the separator, the light emitting organic layer, and the upper electrode pattern is the same as that of the conventional art, and a description thereof will be omitted. Since the present invention relates to a passivation layer for protecting these devices, only the description of the passivation layer will be described below.

도 2에 도시된 바와 같이 오엘이디 디스플레이 패널의 패시베이션층(200)은 유기물층과 무기물층이 한층 또는 두층 이상 조합되어 형성되어 있으며, 이러한 유기물층 및 무기물층 사이에는 반드시 한 층이상의 빈공간을 가지는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 2, the passivation layer 200 of the OLED display panel is formed by combining one or more layers of an organic material layer and an inorganic material layer, and having at least one empty space between the organic material layer and the inorganic material layer. It is done.

도 2에서는 화소영역이 형성되어 있는 오엘이디 소자상에 전체적으로 콘포말(피도포층의 표면과 전체적으로 접하며 피도포층의 형상을 그대로 유지하도록의 의미임)하게 도포되어 있는 유기물층(201) 상에 SiNx와 같은 제1 무기물층(202)이 형성되어 있고, 상기 제1 무기물층(202) 상에 비어 있는 빈공간(203)이 형성되어 있다.In FIG. 2, SiN is formed on the organic material layer 201 that is coated onto the OLED element on which the pixel region is formed, which is generally coated with a foam (which means that the surface of the coating layer is in contact with the surface of the coating layer. A first inorganic layer 202 such as x is formed, and an empty space 203 is formed on the first inorganic layer 202.

상기 빈공간층(203)의 상부에는 상기 빈공간(203)의 형성하기 위해 유기용매가 유입되는 유입공이 형성되어 있는데, 이러한 유입공으로 수분이나 산소가 침투되는 것을 방지하기 위해 빈공간(203) 상부에는 다시 유기물층과 무기물층들이 단독 또는 조합되는 형태로 적층될 수 있다.An inlet hole through which an organic solvent flows is formed on the hollow space layer 203 to form the hollow space 203. In order to prevent moisture or oxygen from penetrating into the inlet hole, the hollow space 203 is formed on the hollow space layer 203. The organic layer and the inorganic layer may be stacked in a form of singly or in combination.

다만, 본 발명의 기술적 사상은 단층 또는 수층의 유기물층과 무기물층으로 오엘이디 소자의 패시베이션층을 형성하되 그 중간 영역에 빈공간을 형성하여, 빈공간의 상부 패시베이션층으로부터 빈공간의 하부 패시베이션층으로 열의 전달이 용이하지 못하도록 하는데에 있다.However, the technical idea of the present invention is to form a passivation layer of the OED element with a single layer or a water layer of organic material and an inorganic layer, but to form an empty space in the middle region, from the upper passivation layer of the empty space to the lower passivation layer of the empty space. This is to make it difficult to transfer heat.

따라서, 빈공간(203)을 형성하는 것 외에 구체적인 유기물층 및 무기물층의 갯수, 그 적층순서, 그 물질의 종류에 의해서는 본 발명의 권리범위가 제한되지 아 니한다.Accordingly, the scope of the present invention is not limited by the number of specific organic material layers and inorganic material layers, the stacking order, and the types of materials other than the formation of the empty space 203.

도 2에서도 빈공간(203) 상에 네층의 유기물 내지 무기물층이 조합되어 이루어지는 층이 형성되어 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하다.In FIG. 2, four layers of organic to inorganic layers are formed on the empty space 203, but this is merely an example.

빈공간(203)은 진공상태로 되어 있어도 무방하나, 질소 또는 그와 등가의 불활성가스로 충전해주는 것이 바람직하다.The empty space 203 may be in a vacuum state, but is preferably filled with nitrogen or an inert gas equivalent thereto.

도 3은 도 2의 오엘이디 디스플레이 패널의 패시베이션층을 형성함에 있어서 빈공간을 형성하기 위한 방법을 설명하기 위한 공정흐름도이고, 도 4a 내지 도 4g는 도 3의 각 공정단계에 있어서의 공정단면도들이다.FIG. 3 is a flowchart illustrating a method for forming an empty space in forming the passivation layer of the ODL display panel of FIG. 2, and FIGS. 4A to 4G are cross-sectional views of the process steps in FIG. 3. .

본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널의 패시베이션층을 형성하기 위해서는 먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 단위셀(unit cell) 제조공정이 완료된 기판(400) 상에 전체적으로 콘포말(conformal)하게 유기물층(410) 및 제1 무기물층(420)을 차례대로 도포한다(S310).In order to form the passivation layer of the LED display panel according to an embodiment of the present invention, first, as shown in Figure 4a to conformally (formal) on the substrate 400, the unit cell (unit cell) manufacturing process is completed as a whole The organic layer 410 and the first inorganic layer 420 are sequentially applied (S310).

이때, 콘포말의 의미는 피도포층의 표면과 전체적으로 접하며 피도포층의 형상을 그대로 유지하도록 도포된다는 것을 의미한다.In this case, the meaning of the foam means that it is in contact with the surface of the coating layer as a whole and is applied to maintain the shape of the coating layer as it is.

기판(400) 상에는 단위셀을 정의하는 하부전극패턴(401), 절연체(402), 분리체(405), 및 발광유기물층(403)과 상부전극층(404)이 형성되어 있는데, 이는 종래의 단위셀 공정에 의해 제조된 것들을 모두 포함한다.A lower electrode pattern 401, an insulator 402, a separator 405, and a light emitting organic layer 403 and an upper electrode layer 404 are formed on the substrate 400, which is a conventional unit cell. It includes all those produced by the process.

유기물층(410)은 상기 단위셀 제조공정이 완료된 기판(400) 상에 상기 단위셀들이 모두 덮이도록 도포되는데, 유기물층(410)을 형성하기 위한 유기물로는 감광막으로 사용되는 소재나 아크릴계, 우레탄계의 고분자 재료가 사용될 수 있다.The organic material layer 410 is coated to cover all of the unit cells on the substrate 400 on which the unit cell manufacturing process is completed. The organic material for forming the organic material layer 410 is a material used as a photosensitive film, or an acrylic or urethane-based polymer. Materials can be used.

유기물층(410)으로 단위셀 제조공정이 완료된 기판(400)을 도포하는 이유는 외부의 수분이나 산소의 침입으로부터 단위셀의 상부전극(404)의 산화 방지 및 발광유기물층(403)의 열화(degradation)를 방지하기 위함이다.The reason for applying the substrate 400 on which the unit cell manufacturing process is completed to the organic layer 410 is to prevent oxidation of the upper electrode 404 of the unit cell and deterioration of the light emitting organic layer 403 due to external moisture or oxygen invasion. This is to prevent.

제1 무기물층(420)은 상기 유기물층(410) 상에 콘포말하게 도포되며, 제1 무기물층(420)으로는 SiO2, SiNx와 같은 무기물들이 사용될 수 있다.The first inorganic layer 420 is conformally coated on the organic layer 410, and inorganic materials such as SiO 2 and SiN x may be used as the first inorganic layer 420.

다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 제1 무기물층(420) 상에 용해성 고분자층(430)을 형성한다(S320).Next, as shown in Figure 4b to form a soluble polymer layer 430 on the first inorganic material layer 420 (S320).

용해성 고분자층(430)이란 후에 유기용매와 같은 용매에 의해 거의 대부분 제거될 수 있는 고분자로 구성된 층을 의미하며, 이러한 용해성 고분자층(430)이 용매에 의해 후에 제거됨으로써 본 발명의 열완충용 빈공간(도 2의 203참조)이 만들어진다.The soluble polymer layer 430 means a layer composed of a polymer which can be almost almost removed by a solvent such as an organic solvent, and the soluble polymer layer 430 is later removed by a solvent to thereby remove the thermal buffer bin of the present invention. A space (see 203 in FIG. 2) is created.

용해성 고분자층(430)으로는 일반적으로 비극성 유기용매에 쉽게 용해될 수 있도록 비극성 고분자로 된 소재가 사용될 수 있으며, 그 구체적인 물질로는 폴리이미드수지를 들 수 있다.Generally, the soluble polymer layer 430 may be a material made of a nonpolar polymer so that it can be easily dissolved in a nonpolar organic solvent. Examples of the soluble polymer layer 430 include polyimide resin.

다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이 용해성 고분자층(430) 상에 제2 무기물층(440)을 형성한다(S330).Next, as shown in FIG. 4C, a second inorganic layer 440 is formed on the soluble polymer layer 430 (S330).

제2 무기물층(440)에는 후에 진행되는 에칭공정을 통해 하부의 용해성 고분자층(430)이 노출되도록 하는 홀이 형성되며, 이 홀들을 통해 유기용매가 용해성 고분자층(430)에 침투되어 용해성 고분자층(430)을 용해시키게 된다.Holes are formed in the second inorganic layer 440 to expose the lower soluble polymer layer 430 through an etching process, and the organic solvent penetrates into the soluble polymer layer 430 through the holes. The layer 430 will be dissolved.

제2 무기물층(440)의 형성에 사용되는 무기물로는 SiO2, SiNx가 등을 예로 들 수 있는데, 이외에도 다양한 무기물들이 사용가능하다.Examples of the inorganic material used to form the second inorganic material layer 440 include SiO 2 , SiN x , and the like, and various inorganic materials may be used.

다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이 제2 무기물층(440) 상에 감광막패턴(450)을 형성한다(S340).Next, as illustrated in FIG. 4D, a photosensitive film pattern 450 is formed on the second inorganic layer 440 (S340).

상기 감광막패턴(450)은 포토마스크를 이용한 포토-에칭공정에 의해 형성되며, 일부영역에서 제2 무기물층(440)이 노출되어 있는 형태로 패터닝 되어 있다.The photoresist pattern 450 is formed by a photo-etching process using a photomask, and is patterned in such a manner that the second inorganic layer 440 is exposed in a partial region.

다음으로, 도 4e에 도시된 바와 같이 상기 감광막패턴(450)을 식각마스크로하여 제2 무기물층(440)을 에칭한다(S350).Next, as shown in FIG. 4E, the second inorganic material layer 440 is etched using the photoresist pattern 450 as an etching mask (S350).

감광막패턴(450)에 있어서 일부영역에서 노출되어 있는 제2 무기물층(440)은 에칭공정에 의해 제거되며 그 결과 동일영역에서 용해성 고분자층(430)이 노출된다.The second inorganic layer 440 exposed in a portion of the photoresist pattern 450 is removed by an etching process, and as a result, the soluble polymer layer 430 is exposed in the same region.

이때의 에칭공정은 플라즈마에 의한 건식에칭도 가능하나, 선택성(selectivity)이 우수한 식각액을 사용한 습식에칭 방식을 사용하는 것이 바람직하다.At this time, the etching process may be dry etching by plasma, but it is preferable to use a wet etching method using an etchant having excellent selectivity.

다음으로, 도 4f에 도시된 바와 같이 유기용매를 이용하여 용해성 고분자층(430)을 제거하여 열완충용 빈공간(431)을 형성한다(S360).Next, as shown in FIG. 4F, the soluble polymer layer 430 is removed using an organic solvent to form a heat buffer empty space 431 (S360).

이때 사용되는 유기용매는 용해성 고분자층(430)의 형성에 사용되는 재질에 따라 결정되는데, 본 발명에서는 아세톤(acetone)이 사용되었다.The organic solvent used at this time is determined according to the material used to form the soluble polymer layer 430. Acetone was used in the present invention.

또한, 용해성 고분자층(430)의 제거시 감광막패턴(450)도 동시에 제거(이를 애싱공정이라 함)하는 것이 바람직한데, 그러기 위해서는 앞서 설명한 바와 같이 용해성 고분자층(430)을 감광막패턴(450)의 형성에 사용되는 소재와 같은 것을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, when the soluble polymer layer 430 is removed, it is preferable to simultaneously remove the photoresist pattern 450 (which is referred to as an ashing process). To this end, as described above, the soluble polymer layer 430 may be removed from the photoresist pattern 450. It is preferable to use the same material as that used for formation.

다음으로, 도 4g에 도시된 바와 같이 열완충용 빈공간(431)이 형성된 구조물상에 콘포말하게 유기물층 또는/및 무기물층을 조합하여 적층시킨다.Next, as shown in FIG. 4G, the organic material layer and / or the inorganic material layer are laminated in a conformal manner on the structure on which the thermal buffer space 431 is formed.

이때, 사용되는 유기물층과 무기물층의 층수, 종류 및 배열은 본 발명의 권리범위를 제한하지 아니한다.At this time, the number, type and arrangement of the organic layer and the inorganic layer to be used does not limit the scope of the present invention.

마지막으로, 상기의 단계에 의해 제조된 적층구조물 상에 엑시머 레이저와 같은 고출력 단파장(150~400nm)의 광을 조사하여 장시간동안 노출시키더도 열완충용 빈공간(431)으로 인해 열완충용 빈공간(431)의 상부에 전달된 열은 열완충용 빈공간(431)의 하부로 전달되지 않게 된다.Finally, even when exposed to a high power short wavelength (150 ~ 400nm) light such as an excimer laser on the laminated structure manufactured by the above step for a long time exposure due to the heat buffer empty space 431 The heat transferred to the upper portion of the space 431 is not transferred to the lower portion of the thermal buffer empty space 431.

이로 인해, 패시베이션층 깊숙히 어닐링하는 공정이 가능해진다.This makes it possible to anneal deeply into the passivation layer.

다만, 상기의 공정단계에 있어서, 열완충용 빈공간(431)을 형성하는 단계 후, 열완충용 빈공간(431)에 질소 또는 이와 등가의 불활성 가스를 빈공간(431)에 채워주는 공정단계를 더 둘 수도 있다.However, in the above process step, after the step of forming the heat buffer empty space 431, the process step of filling the empty space 431 with nitrogen or equivalent inert gas in the heat buffer empty space 431. You can also put more.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에 서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments but may be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not limiting.

본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 의하면 패시베이션층의 중간에 상부의 열을 하부로 전달하는 것을 용이하지 못하도록 하는 열완충용 빈공간을 형성함으로써 보다 깊숙한 어닐링 처리가 가능하며, 종래에 유리를 이용하여 봉지캡을 형성하는 것에 비해 비교적 간단하고도 저가의 비용으로 보다 신뢰성 있는 봉지캡 공정수행이 가능해 진다.According to the LED display panel according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same, a deeper annealing treatment is possible by forming an empty space for buffering the heat in the middle of the passivation layer so that it is not easy to transfer the heat from the upper side to the lower side. Compared to conventionally forming a sealing cap using glass, it becomes possible to perform a more reliable sealing cap process at a relatively simple and low cost.

Claims (6)

유기물층과 무기물층이 각각 한층 또는 두층 이상 조합되어 형성되는 오엘이디 패널 패시베이션층에 있어서,In the ODL panel passivation layer formed by combining one or two or more organic and inorganic layers, respectively, 상기 패시베이션층에 빈공간을 형성하여 상기 빈공간의 상부 패시베이션층에 전달된 열이 상기 빈공간의 하부 패시베이션층으로 전달이 용이하지 않도록 하는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 패널.And an empty space in the passivation layer, so that the heat transferred to the upper passivation layer of the empty space is not easily transferred to the lower passivation layer of the empty space. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 빈공간은 질소 또는 이와 등가의 불활성기체로 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 패널.And the empty space is filled with nitrogen or an equivalent inert gas. (a) 단위셀 제조공정이 완료된 기판 상에 전체적으로 콘포말하게 유기물층 및 제1 무기물층을 차례대로 도포하는 단계;(a) sequentially applying an organic material layer and a first inorganic material layer onto the substrate on which the unit cell manufacturing process is completed; (b) 상기 제1 무기물층 상에 용해성 고분자층을 형성하는 단계;(b) forming a soluble polymer layer on the first inorganic material layer; (c) 상기 용해성 고분자층 상에 제2 무기물층을 형성하는 단계;(c) forming a second inorganic material layer on the soluble polymer layer; (d) 상기 제2 무기물층 상에 포토-에칭공정을 통해 일부영역에서 상기 제2 무기물층이 노출되도록 하는 감광막패턴을 형성하는 단계;(d) forming a photoresist pattern on the second inorganic layer to expose the second inorganic layer in a partial region through a photo-etching process; (e) 상기 감광막패턴을 마스크로 노출된 상기 제2 무기물층을 에칭하여 상기 용해성 고분자층을 노출시키는 단계; 및(e) etching the second inorganic material layer in which the photoresist pattern is exposed as a mask to expose the soluble polymer layer; And (f) 유기용매를 이용하여 노출된 상기 용해성 고분자층을 제거하여 열완충용 빈공간을 형성하는 단계를 포함하는 오엘이디 소자의 패시베이션 방법.(f) removing the soluble polymer layer exposed by using an organic solvent to form an empty space for thermal buffering. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 용해성 고분자는 감광막패턴과 같은 소재로 되어 있어 상기 유기용매에 의해 동시에 제거되는 것을 특징으로 하는 오엘이디 소자의 패시베이션 방법.The soluble polymer is made of the same material as the photosensitive film pattern passivation method of the LED element, characterized in that at the same time removed by the organic solvent. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제1 무기물층 및 제2 무기물층은 SiNx로 이루어지는 것을 특징으로 하는 오엘이디 소자의 패시베이션 방법.The first inorganic layer and the second inorganic layer passivation method of the LED element, characterized in that made of SiN x . 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 빈공간은 질소 또는 이와 등가의 불활성기체로 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 오엘이디 소자의 패시베이션 방법.And said void space is filled with nitrogen or an inert gas equivalent thereto.
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