KR100766727B1 - Laser beam machining method - Google Patents

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카즈히로 아츠미
토시미츠 와쿠다
나오키 우치야마
켄시 후쿠미츠
후미츠구 후쿠요
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks

Abstract

절단 예정 라인을 따라 가공 대상물을 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능한 레이저 가공 방법을 제공한다. It is possible to provide a laser processing method for cutting the object to be processed accurately along the line along. 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역(7)에 의해, 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)의 내부에 절단 기점 영역(8)을 형성한다. It is by the modified region 7 formed by multiphoton absorption forms a starting point region for cutting 8 within the object 1 along the line along which the substrate should be cut 5. 그 후, 가공 대상물(1)의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광 L2를 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)에 조사함으로써, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)에 갈라짐(24)을 발생시켜, 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)을 정밀도 좋게 절단할 수가 있다. Then, by irradiating the object 1 along the planned cutting the laser beam L2 having a transmitting line 5 for the non-modified region of the object 1, by starting from the starting point region for cutting (8) Object to be processed by generating cracks (24) in (1), can be accurately cut the object 1 along the line along which the substrate should be cut 5. 또한, 가공 대상물(1)이 고정된 확장 필름(19)을 확장시킴으로써, 각 칩(25)이 이간하게 되기 때문에, 절단 예정 라인(5)을 따른 가공 대상물(1)의 절단의 확실성을 한층 더 향상시킬 수가 있다. Further, by extending the expansion film 19, the object 1 is fixed, since the respective chips 25 are spaced apart, even more certainty of cutting the object 1 along the line along which the substrate should be cut 5 It can be improved.
레이저 가공, 절단 기점 영역, 개질 영역, 갈라짐, 절단 The laser processing, the starting point region for cutting, the modified region, cracking, cutting

Description

레이저 가공 방법{LASER BEAM MACHINING METHOD} The laser processing method {LASER BEAM MACHINING METHOD}

본 발명은 반도체 재료 기판, 압전 재료 기판이나 유리 기판 등의 가공 대상물의 절단에 사용되는 레이저 가공 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a laser processing method used for cutting the object to be processed such as semiconductor material substrate, piezoelectric material substrate, or glass substrate.

종래에 있어서의 이런 종류의 기술을 개시하는 문헌으로서 국제공개 제 02/22301호 팜플릿을 예시할 수가 있다. By reference for starting this type of technique in the prior art it can be mentioned International Publication WO 02/22301 pamphlet entitled call. 이 문헌의 명세서에는 레이저 광을 조사함으로써 가공 대상물의 내부에 절단 예정 라인을 따라 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역을 기점(起點)으로 하여 가공 대상물을 절단하는 기술이 기재되어 있다. The literature of a technique for cutting the object to be processed to form a modified region along the line along which the inner and, starting from the modified regions (起點) of the object to be processed by irradiating a laser light is described herein.

상기 문헌 기재의 기술은 가공 대상물을 절단 예정 라인을 따라 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능한 매우 유효한 기술이기 때문에, 개질 영역을 기점으로 하여 가공 대상물을 한층 더 고정밀도로 절단하는 기술이 요망되고 있었다. The techniques described in the literature had been desired a technology to cut the object to be processed more accurately in that the origin of the reforming zone because it is very effective technology capable of high precision along the lines to be cut the object to be processed.

그래서 본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물을 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능한 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. So the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a laser processing method capable of cutting the object to be processed accurately along the line along which the substrate should be cut.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명과 관련되는 레이저 가공 방법은, 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 가공 대상물의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점(起點) 영역을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정 후, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 개질 영역에 조사하여, 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a laser processing method according to the present invention is a converging point within the object of the wafer shape by the laser beam, and it is generated within the object to be processed to form a modified region caused by multiphoton absorption after the first step, a first step of forming a cutting starting point (起點) area at a predetermined distance inside from the laser light incident face of the object to be processed along the line along which the object to be processed by the modified region, a non-modification of the object for the area with a transmittance while irradiated with non than the modified region having a high absorption for the modified region laser light in the modified region, a second process for causing a stress on the part to be cut in the object to be processed along the line along which the material is to be and it characterized in that.

이 레이저 가공 방법에 의하면, 제1 공정에 있어서, 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하고 한편 다광자 흡수라고 하는 현상을 이용함으로써, 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하고 있다. According to this laser processing method, in the first step, and converging point within the object by utilizing the phenomenon that irradiation and The multiphoton absorption with a laser beam, to form a modified region within the object. 가공 대상물의 절단하는 개소에 어떠한 기점이 있으면, 가공 대상물을 비교적 작은 힘으로 나누어 절단할 수가 있다. If you have any starting points for the cutting of the object, it can be cut into the object to be processed with a relatively small force. 이 레이저 가공 방법에 의하면, 제2 공정에 있어서, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 절단 예정 라인을 따라 조사하기 때문에, 가공 대상물이 개질 영역을 따라 가열되어 온도차에 의한 열응력 등의 스트레스가 생긴다. According to this laser processing method, since the second to check in the step, with the transmissivity to a non-modified region of the object On the other hand along the lines to be cut with a laser beam having a high absorption for the modified region as compared to non-modified region, the object to be processed is heated in accordance with a modified region caused a stress such as thermal stress due to temperature difference. 이 스트레스에 의해, 개질 영역을 기점으로 하여 가공 대상물의 두께 방향으로 크랙(crack)을 성장시켜 가공 대상물을 나누어 절단하는 것이 가능하게 된다. By the stress, by using the modified region as a starting point grow a crack (crack) in the thickness direction of the object it is possible to cut into the object to be processed. 따라서, 온도차에 의한 열응력 등의 스트레스라고 하는 비교적 작은 힘으로 가공 대상물을 절단할 수가 있으므로, 가공 대상물의 표면에 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐을 발생시키는 일 없이 가공 대상물의 고정밀의 절단이 가능하게 된다. Thus, it is possible to cut the object to be processed with a relatively small force that stress such as thermal stress due to temperature difference, to without generating any unnecessary cracks out from the line along which the surface of the object can be highly accurate cutting of the object to be processed do.

또한, 이 레이저 가공 방법에 의하면, 제1 공정에서는, 가공 대상물의 내부에 국소적으로 다광자 흡수를 발생시켜 개질 영역을 형성하고 있다. Further, according to this laser processing method, in the first process, and by generating a multiphoton absorption is locally within the object to form a modified region. 제2 공정에서는, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서는 투과성을 가지는 레이저 광을 조사하고 있다. In the second step, it is irradiated with laser light having a permeability for a non-modified region of the object. 따라서, 가공 대상물의 표면에서는 레이저 광이 거의 흡수되지 않기 때문에, 양쪽 공정에 있어서, 가공 대상물의 표면이 용융하는 일은 없다. Therefore, since the surface of the object to be processed is not the laser light is hardly absorbed, in both processes, there is no thing that the surface of the object melt. 또한, 비개질 영역이라는 것은 제1 공정 후, 가공 대상물에 있어서 개질 영역이 형성되어 있지 않은 영역이다. Also, that non-modified region is a region that does not have the modified region is formed in after the first step, the object to be processed. 또, 집광점은 레이저 광이 집광한 개소이다. In addition, the light-converging point is a place where the laser light is converged. 절단 예정 라인은 가공 대상물의 표면이나 내부에 실제로 그어진 선이어도 좋고, 가상의 선이어도 좋다. Along the line is actually drawn may be a line on the surface or inside of the object may be a virtual line.

또, 본 발명과 관련되는 레이저 가공 방법은, 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 가공 대상물의 내부에 크랙 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정 후, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 개질 영역에 조사하여, 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. The laser processing method according to the present invention is a converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width is 1μs at the light or less at, a predetermined distance inward from the laser light incident face of the object to be processed along the line along which the object to be processed by the modified region to form a modified region including a crack region within the object after the first step, a first step of forming a starting point region for cutting, with the transmissivity to a non-modified region of the object while the investigation compared to non-modified region with a laser beam having a high absorption with respect to the modified region in the modified region, along the line along which the material is to be characterized by a second step of causing a stress to the part to be cut in the object to be processed.

이 레이저 가공 방법에 의하면, 제1 공정에 있어서, 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하고 있다. According to this laser processing method, in the first process, a converging point within the object, at least with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) and the other hand the conditions not more than a pulse width of 1μs as it has been irradiated with a laser beam. 이 때문에, 가공 대상물의 내부에서는 다광자 흡수에 의한 광학적 손상이라고 하는 현상이 발생한다. For this reason, there arises a phenomenon that within the object to be processed as optical damage caused by multiphoton absorption. 이 광학적 손상에 의해 가공 대상물의 내부에 열왜곡이 야기되고, 이에 의해 가공 대상물의 내부에 크랙 영역이 형성된다. Is the thermal distortion within the object caused by the optical damage, thereby a crack region is formed within the object. 이 크랙 영역은 상기 개질 영역의 일례이고 한편 제2 공정은 상술한 것과 동등하므로, 이 레이저 가공 방법에 의하면, 가공 대상물의 표면에 용융이나 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐을 발생시키는 일 없이 레이저 가공이 가능하게 된다. The crack region is an example of the modified region while the second process is therefore equivalent to that described above, according to this laser processing method, without the surface of the object to generate an unnecessary cracks out from the melt or the line along which the laser processing It is possible. 이 레이저 가공 방법의 가공 대상물로서는, 예를 들면, 유리를 포함한 부재가 있다. As the object to be processed in this laser processing method, for example, a member including glass. 또한, 피크파워(peak-power) 밀도라는 것은, 펄스 레이저 광의 집광점의 전기장 강도를 의미한다. Also, that the peak power (peak-power) density, means the electric field intensity of pulse laser light at the light-converging point.

또, 본 발명과 관련되는 레이저 가공 방법은, 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정 후, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 개질 영역에 조사하여, 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. The laser processing method according to the present invention is a converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width is 1μs at the light or less condition, to form a modified region including a molten processed region within the object, and given from a laser light incident face of the object to be processed along the line along which the object to be processed by the modified region distance inside after the first step, a first step of forming a starting point region for cutting, with the transmissivity to a non-modified region of the object while the investigation compared to non-modified region with a laser beam having a high absorption with respect to the modified region in the modified region and a second characteristic in that it comprises a second step of causing a stress to the part to be cut in the object to be processed along the line along which the substrate should be cut.

이 레이저 가공 방법에 의하면, 제1 공정에 있어서, 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하고 있다. According to this laser processing method, in the first process, a converging point within the object, at least with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) and the other hand the conditions not more than a pulse width of 1μs as it has been irradiated with a laser beam. 따라서, 가공 대상물의 내부는 다광자 흡수에 의해 국소적으로 가열된다. Thus, the inside of the object to be processed is locally heated by multiphoton absorption. 이 가열에 의해 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역이 형성된다. The molten processed region is formed within the object by the heating. 이 용융 처리 영역은 상기 개질 영역의 일례이고 한편 제2 공정은 상술한 것과 동등하므로, 이 레이저 가공 방법에 의하면, 가공 대상물의 표면에 용융이나 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐을 발생시키는 일 없이 레이저 가공이 가능하게 된다. The molten processed region is an example of the modified region while the second step is therefore equivalent to that described above, according to this laser processing method, the laser processing without the surface of the object to generate an unnecessary cracks out from the melt or the line along which the material is to be this is made possible. 이 레이저 가공 방법의 가공 대상물로서는, 예를 들면, 반도체 재료를 포함한 부재가 있다. As the object to be processed in this laser processing method, for example, a member including a semiconductor material.

또, 본 발명과 관련되는 레이저 가공 방법은, 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1ns 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 가공 대상물의 내부에 굴절률이 변화한 영역인 굴절률 변화 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정 후, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 개질 영역에 조사하여, 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 The laser processing method according to the present invention is a converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width 1ns at the light or less condition, to form a modified region including the inner refractive index changes by the area of ​​the refractive index change region in the object to be processed, the laser of the object to be processed along the line along which the object to be processed by the modified region is light after joining the first step, a first step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the surface, with the transmissivity to a non-modified region of the object while having a high absorption for the modified region as compared to the unmodified area laser light by irradiating the modified region along the line along which a second step of causing a stress to the part to be cut in the object 것을 특징으로 한다. And that is characterized.

이 레이저 가공 방법에 의하면, 제1 공정에 있어서, 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1ns 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하고 있다. According to this laser processing method, in the first process, a converging point within the object, at least with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) and the other hand the conditions not more than a pulse width of 1ns as it has been irradiated with a laser beam. 이와 같이 펄스폭을 매우 짧게 하여 다광자 흡수를 가공 대상물의 내부에 일으키게 하면, 다광자 흡수에 의한 에너지가 열에너지로 바뀌지 않고, 가공 대상물의 내부에는 이온 가수 변화, 결정화 또는 분극 배향 등의 영속적인 구조 변화가 야기되어 굴절률 변화 영역이 형성된다. In this manner a very short pulse width to all when causing multiphoton absorption within the object, the permanent structure such as energy is not changed by the heat energy, the interior of the structural change such as ionic valence change, crystallization, or polarization orientation by multiphoton absorption change is induced refractive index change region is formed. 이 굴절률 변화 영역은 상기 개질 영역의 일례이고 한편 제2 공정은 상술한 것과 동등하므로, 이 레이저 가공 방법에 의하면, 가공 대상물의 표면에 용융이나 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐을 발생시키는 일 없이 레이저 가공이 가능하게 된다. This refractive index change region is an example of the modified region while the second step is therefore equivalent to that described above, according to this laser processing method, the laser processing without the surface of the object to generate an unnecessary cracks out from the melt or the line along which the material is to be this is made possible. 이 레이저 가공 방법의 가공 대상물로서는, 예를 들면, 유리를 포함한 부재이다. As the object to be processed in this laser processing method, for example, a member including glass.

또, 제2 공정에서는, 개질 영역에 집광점을 맞추어, 제1 공정과, 같은 레이저 광조사를 하는 것이 바람직하다. Further, in the second process, the converging point in the modified region, it is preferable that the first step and, as the laser beam. 제2 공정에 있어서 제1 공정과, 같은 레이저 광조사를 해도, 개질 영역에 의한 산란이나 개질 영역의 물성의 변화 등에 의한 레이저 광의 흡수, 혹은 개질 영역에서의 다광자 흡수의 발생에 의해, 가공 대상물의 표면을 용융시키는 일 없이 가공 대상물을 개질 영역을 따라 가열시켜 온도차에 의한 열응력 등의 스트레스를 생기게 할 수가 있다. By the second process, the first step of generation of the multiphoton absorption in the laser light absorption, or a modified region caused by even the same laser light irradiation, the change of the physical properties of the scattered or modified region caused by a modified region in, the object of the object to be processed without melting the surface by heating in accordance with the modified region can be induced stress such as thermal stress due to temperature difference.

또, 본 발명과 관련되는 레이저 가공 방법은, 확장 가능한 보유부재의 표면에 고정된 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 개질 영역에 조사함으로써, 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물을 절단하는 공정과, 가공 대상물을 절단하는 공정 후, 보유부재를 확장시킴으로써, 절단된 가공 대상물의 각각의 부분을 이간시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. The laser processing method according to the present invention is irradiated with expanded laser light converging point within the object of the wafer-like fixed to the surface of the retention member, to form a modified region within the object, the step of the step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the laser light incident face of the object to be processed along the line along which the object to be processed by the modified region to form a starting point region for cutting, the non-modified region of the object by about by irradiating a laser light having a permeability to the modified region, the step of cutting the step of the object of cutting the object to be processed along the line along which extends the bearing member, spaced to each portion of cutting an object to be processed It characterized in that it comprises a step of.

이 레이저 가공 방법에 있어서는, 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역에 의해, 가공 대상물을 절단해야할 소망의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 내부에 절단 기점 영역을 형성할 수가 있다. In this laser processing method, and by the modified region formed by multiphoton absorption, the number of the object to be processed along a line along a desired cutting need to form a starting point region for cutting within the object. 그리고, 비개질 영역(가공 대상물에 있어서의 개질 영역 이외의 부분)에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물에 조사함으로써, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물에 갈라짐을 발생시켜, 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물을 정밀도 좋게 절단할 수가 있다. And, by irradiating the non-modified region the object to be processed along the line along which a laser beam having a transmissivity to (a portion other than the modified region in the object to be processed), by starting from the starting point region for cutting by generating a crack in the object , it is possible to cut the object accurately along the line along. 또한, 가공 대상물이 고정된 보유부재를 확장시킴으로써 가공 대상물의 각각의 부분이 이간하게 되기 때문에, 절단 예정 라인을 따른 가공 대상물의 절단의 확실성을 한층 더 향상시킬 수가 있다. In addition, since the object to be processed is separated from the respective portions of the object to be processed by extending the fixed holding member, it is possible to further improve the reliability of cutting the object to be processed along the line along which the substrate should be cut.

또, 본 발명과 관련되는 레이저 가공 방법은, 확장 가능한 보유부재의 표면에 고정된 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 개질 영역에 조사하는 공정과, 가공 대상물에 조사하는 공정 후, 보유부재를 확장시킴으로써 가공 대상물을 절단하고, 한편 절단된 가공 대상물의 각각의 부분을 이간시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. The laser processing method according to the present invention is irradiated with expanded laser light converging point within the object of the wafer-like fixed to the surface of the retention member, to form a modified region within the object, the step of the step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the laser light incident face of the object to be processed along the line along which the object to be processed by the modified region to form a starting point region for cutting, the non-modified region of the object for the step of irradiating a laser light having a permeability to the step of the object to examine the modified region, and cut the object to be processed by extending the holding member, while having a step of separating the respective portions of the cut object to be processed and that is characterized.

이 레이저 가공 방법에 있어서는, 상술한 레이저 가공 방법과 마찬가지로 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물의 내부에 절단 기점 영역을 형성할 수가 있다. In this laser processing method, it is possible to form a starting point region for cutting within the object along a line along which, like the above-mentioned laser processing method. 그리고, 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물에 조사함으로써, 이러한 조사를 하지 않는 경우에 비해 작은 힘에 의해, 절단 기점 영역을 기점으로 한 갈라짐을 가공 대상물의 표면과 이면에 도달시킬 수가 있다. Then, the ratio by irradiating the object to be processed with laser light for having a transmittance along the line along which the modified region, by a small force as compared with the case not such a survey, a surface of the object to a cracking starting from the starting point region for cutting and it is possible to reach the back surface. 따라서, 가공 대상물이 고정된 보유부재를 보다 작은 힘으로 확장시킬 수가 있어 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물을 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능하게 된다. Therefore, it is possible to further expand a small force to the object retaining member is fixed it is possible to cut the object accurately along the line along which the substrate should be cut. 또한, 이 보유부재를 확장시킴으로써 가공 대상물의 각각의 부분이 이간하게 되기 때문에, 절단 예정 라인을 따른 가공 대상물의 절단의 확실성을 한층 더 향상시킬 수가 있다. Further, since the respective parts of the object to be processed separated by extending the holding member, it is possible to further improve the reliability of cutting the object to be processed along the line along which the substrate should be cut.

또한, 절단 기점 영역이라는 것은 가공 대상물이 절단될 때에 절단의 기점이 되는 영역을 의미한다. Also, of the starting point region for cutting it refers to a region which is a starting point for cutting when cutting the object to be processed. 따라서, 절단 기점 영역은, 가공 대상물에 있어서 절단이 예정되는 절단 예정부이다. Thus, the starting point region for cutting is a cutting example government is expected to be cut in the object to be processed. 그리고, 절단 기점 영역은, 개질 영역이 연속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있고, 개질 영역이 단속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있다. Then, the starting point region for cutting is formed, and in some cases that the modified region continuously formed, which may be formed as a modified region formed intermittently. 또, 가공 대상물은 반도체 재료에 의해 형성되어 개질 영역은 용융 처리 영역인 경우가 있다. In addition, the object is formed by a semiconductor material, the modified region is a case where a molten processed region.

도 1은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법에 의해 레이저 가공중의 가공 대상물의 평면도이다. 1 is a plan view of the object in the laser processing by the laser processing method according to the present embodiment.

도 2는 도 1에 나타내는 가공 대상물의 II-II선을 따른 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the object shown in Fig.

도 3은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법에 의한 레이저 가공 후의 가공 대상물의 평면도이다. 3 is a plan view of the object after laser processing by the laser processing method according to the present embodiment.

도 4는 도 3에 나타내는 가공 대상물의 IV-IV선을 따른 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of the object shown in Fig.

도 5는 도 3에 나타내는 가공 대상물의 VV선을 따른 단면도이다. Figure 5 is a cross-sectional view taken along the VV line of the object shown in Fig.

도 6은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법에 의해 절단된 가공 대상물의 평면도이다. 6 is a plan view of the object cut by the laser processing method according to the present embodiment.

도 7은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법에 있어서의 전기장 강도와 크랙 스폿의 크기와의 관계를 나타내는 그래프이다. 7 is a graph showing the relationship between the size and the electric field intensity and crack spot in the laser processing method according to the present embodiment.

도 8은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법의 제1 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도이다. 8 is a cross-sectional view of the object in the first step of the laser processing method according to the present embodiment.

도 9는 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법의 제2 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도이다. 9 is a cross-sectional view of the object in the second step of the laser processing method according to the present embodiment.

도 10은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법의 제3 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도이다. 10 is a cross-sectional view of the object in the third step of the laser processing method according to the present embodiment.

도 11은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법의 제4 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도이다. 11 is a cross-sectional view of the object in a fourth step of the laser processing method according to the present embodiment.

도 12는 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 일부에 있어서의 단면의 사진을 나타낸 도이다. 12 is a view showing a photograph of a cross section of the portion of a silicon wafer cut by the laser processing method according to the present embodiment.

도 13은 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법에 있어서의 레이저 광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다. 13 is a graph showing the relationship between the inside of the wavelength of laser light and the silicon substrate in the laser processing method according to the present embodiment transmittance.

도 14는 실시예 1과 관련되는 레이저 가공 장치의 개략 구성도이다. Figure 14 is a schematic diagram of a laser processing device according to the first embodiment.

도 15는 실시예 1과 관련되는 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 플로차트이다. Figure 15 is a flow chart for explaining the laser processing method according to the first example.

도 16은 실시예 1과 관련되는 개질 영역 형성 공정에 있어서 레이저 가공중의 크랙 영역을 포함한 가공 대상물의 단면도이다. 16 is a cross-sectional view of the object including the crack region during laser processing in the modified region forming step according to the first example.

도 17은 실시예 1과 관련되는 스트레스 공정에 있어서 레이저 가공중의 크랙 영역을 포함한 가공 대상물의 단면도이다. 17 is a sectional view of the object including the crack region during laser processing in the stress step according to the first example.

도 18은 실시예 1과 관련되는 레이저 가공 방법에 의해 절단 가능한 패턴을 설명하기 위한 가공 대상물의 평면도이다. 18 is a plan view of the object for explaining a pattern cleavable by the laser processing method according to the first example.

도 19는 실시예 2와 관련되는 가공 대상물의 평면도이다. 19 is a plan view of the object according to the second embodiment.

도 20은 실시예 2와 관련되는 가공 대상물에 절단 기점 영역을 형성하고 있는 모습을 나타내는 단면도이다. 20 is a cross-sectional view showing the state, which forms a starting point region for cutting in the object according to the second embodiment.

도 21은 실시예 2와 관련되는 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 조사하고 있는 모습을 나타내는 단면도이다. 21 is a sectional view showing the state that a laser beam having a high absorption for the modified region as compared with the non-permeable while the modified region with respect to the non-modified region of the object according to the second embodiment.

도 22는 실시예 2와 관련되는 가공 대상물을 필름 확장 장치에 세팅한 모습을 나타내는 단면도이다. 22 is a cross-sectional view showing a state that setting the object to be processed according to Example 2 in the film expansion unit.

도 23은 실시예 2와 관련되는 가공 대상물이 고정된 확장 필름을 확장시킨 모습을 나타내는 단면도이다. 23 is a cross-sectional view showing the state in which extends the expansion film object to be processed is fixed according to the second embodiment.

도 24는 실시예 3과 관련되는 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 조사하고 있는 모습을 나타내는 단면도이다. 24 is a cross-sectional view showing the state that a laser beam having a high absorption for the modified region has a permeability while compared to non-modified region with respect to the non-modified region of the object according to the third embodiment.

이하, 본 발명의 매우 적합한 실시 형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. It will be described below with reference to the drawings with respect to a preferred embodiment of the present invention. 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법은, 다광자 흡수에 의해 개질 영역을 형성하고 있다. Laser processing method according to the present embodiment is, there is to form a modified region by multiphoton absorption. 다광자 흡수는 레이저 광의 강도를 매우 크게 하는 경우에 발생하는 현상이다. The multiphoton absorption is a phenomenon occurring when the intensity of laser light is very large. 우선, 다광자 흡수에 대해서 간단하게 설명한다. First, the multiphoton absorption will be briefly described.

재료의 흡수의 밴드(band) 갭(gap) EG보다 광자의 에너지 hν가 작으면 광학적으로 투명하게 된다. If the band (band) gap (gap) EG than the energy hν of a photon of the absorbent material less is optically clear. 따라서, 재료에 흡수가 생기는 조건은 hν>E G 이다. Hence, the condition under which absorption occurs in the material is hν> E G. 그러나, 광학적으로 투명해도, 레이저 광의 강도를 매우 크게 하면 nhν>E G 의 조건(n=2, 3, 4,....이다)으로 재료에 흡수가 생긴다. However, even when optically transparent, if the intensity of laser light is very large nhν> condition E G (n = 2, 3 , 4, .... a) as the absorption occurs in the material. 이 현상을 다광자 흡수라고 한다. This phenomenon is called multiphoton absorption. 펄스파의 경우 레이저 광의 강도는 레이저 광의 집광점의 피크파워 밀도(W/㎠)로 정해지 고, 예를 들면 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상의 조건으로 다광자 흡수가 생긴다. For the pulse wave the intensity of laser light and termination information by the peak power density (W / ㎠) of laser light at the light-converging point, for example, the peak power density is 1 × 10 8 multi-photon absorption occurs in (W / ㎠) or more conditions . 피크파워 밀도는, (집광점에 있어서의 레이저 광의 1 펄스 당의 에너지)÷(레이저 광의 빔스폿(beam-spot) 단면적×펄스폭)에 의해 구해진다. The peak power density is obtained by the (laser light energy per pulse of the light-converging point) ÷ (laser light beam spot (spot-beam), the cross-sectional area × pulse width). 또, 연속파의 경우 레이저 광의 강도는 레이저 광의 집광점의 전기장 강도(W/㎠)로 정해진다. In the case of a continuous wave intensity of laser light is determined by the field intensity (W / ㎠) of laser light at the light-converging point.

이러한 다광자 흡수를 이용하는 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공의 원리에 대해서 도 1∼도 6을 이용하여 설명한다. 1 to FIG on each of the principle of the laser processing according to this embodiment using the multiphoton absorption will be explained with reference to FIG. 도 1은 레이저 가공중의 가공 대상물(1)의 평면도이고, 도 2는 도 1에 나타내는 가공 대상물(1)의 II-II선을 따른 단면도이고, 도 3은 레이저 가공 후의 가공 대상물(1)의 평면도이고, 도 4는 도 3에 나타내는 가공 대상물(1)의 IV-IV선을 따른 단면도이고, 도 5는 도 3에 나타내는 가공 대상물(1)의 VV선을 따른 단면도이고, 도 6은 절단된 가공 대상물(1)의 평면도이다. Figure 1 of the object 1 object 1 is a plan view, and Figure 2 after also a sectional view taken along the line II-II of the object 1 shown in Fig. 1, the laser processing Figure 3 in the laser processing plan view, and Figure 4 is a sectional view taken along the line IV-IV of the object 1 shown in Fig. 3, Fig. 5 is a cross-sectional view taken along the VV line of the object 1 as shown in Figure 3, Figure 6 is a cut a plan view of the object 1 as shown in Fig.

도 1 및 도 2에 나타내듯이, 가공 대상물(1)의 표면(3)에는 절단 예정 라인(5)이 있다. Figures 1 and 2, as shown in Fig., The front face 3 of the object 1 has a line along which the substrate should be cut 5. 절단 예정 라인(5)은 직선상으로 뻗은 가상선이다. Along the line 5 is a virtual line extending in a straight line. 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공은, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 가공 대상물(1)의 내부에 집광점 P를 맞추어 레이저 광 L을 가공 대상물(1)에 조사하여 개질 영역(7)을 형성한다. The laser processing according to this embodiment has, and in situations where the multiphoton absorption occurs according to the light-converging point P within the object 1 is irradiated with laser light L to the object 1 to form a modified region 7 . 또한, 집광점은 레이저 광 L이 집광한 개소이다. Further, the light-converging point is a portion of the laser light L is converged.

레이저 광 L을 절단 예정 라인(5)을 따라(즉, 화살표 A방향을 따라) 상대적으로 이동시킴으로써, 집광점 P를 절단 예정 라인(5)을 따라 이동시킨다. Is moved along the planned cutting line L with a laser beam (5) (that is, along the direction of arrow A) relative to move along a scheduled cutting the light-converging point P line 5. 이에 의해 도 3∼도 5에 나타내듯이, 개질 영역(7)이 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상 물(1)의 내부에만 형성된다. In Figure 3 to show in Figure 5 as a result, in accordance with the modified region 7 will be cut line 5 is formed only inside the machining target object 1. 본 실시 형태와 관련되는 레이저 가공 방법은, 가공 대상물(1)이 레이저 광 L을 흡수함으로써 가공 대상물(1)을 발열시켜 개질 영역(7)을 형성하는 것은 아니다. Laser processing method according to the present embodiment, the object 1 is to heat the object 1 by absorbing the laser beam L does not form a modified region (7). 가공 대상물(1)에 레이저 광 L을 투과시키고 가공 대상물(1)의 내부에 다광자 흡수를 발생시켜 개질 영역(7)을 형성하고 있다. By transmitting the laser beam L in the object 1 to generate multiphoton absorption within the object (1) to form a modified region (7). 따라서, 가공 대상물(1)의 표면(3)에서는 레이저 광 L이 거의 흡수되지 않기 때문에 가공 대상물(1)의 표면(3)이 용융하는 일은 없다. Therefore, since no laser light L is hardly absorbed at the surface 3 of the object 1 it does not work to the front face 3 of the object 1 is melted.

가공 대상물(1)의 절단에 있어서, 절단하는 개소에 기점이 있으면 가공 대상물(1)은 그 기점으로부터 갈라지므로, 도 6에 나타내듯이, 비교적 작은 힘으로 가공 대상물(1)을 절단할 수가 있다. In the cutting of the object 1, when the starting point to the part to be cut because the object 1 is apart from the starting point, it is possible to cut the object 1 as shown in Figure 6, a relatively small force. 따라서, 가공 대상물(1)의 표면(3)에 불필요한 갈라짐을 발생시키는 일 없이 가공 대상물(1)의 절단이 가능하게 된다. Thus, the cutting of the object 1 without generating unnecessary cracks in the front face 3 of the object 1 is made possible.

또한, 개질 영역을 기점으로 한 가공 대상물의 절단은 다음의 2가지가 생각될 수 있다. Further, the cutting of the object to be processed starting from the modified region can be considered are two of the following: 하나는, 개질 영역 형성 후, 가공 대상물에 인위적인 힘이 인가됨으로써, 개질 영역을 기점으로 하여 가공 대상물이 갈라져 가공 대상물이 절단되는 경우이다. One is a case after forming the modified region, the artificial force is applied to the object, whereby the object to be processed divided by the modified region as a starting point cutting the object to be processed. 이것은, 예를 들면 가공 대상물의 두께가 큰 경우의 절단이다. This is the cutting in the case where, for example, the thickness of the object to be processed is large. 인위적인 힘이 인가된다는 것은, 예를 들면, 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물에 휨 응력이나 전단 응력을 가하거나 가공 대상물에 온도차를 줌으로써 열응력을 발생시키거나 하는 것이다. Being artificial force is applied, e.g., to, or to have a bending stress or shear stress to the object to be processed along the line along which the object to be processed, or generating a thermal stress by giving a temperature difference to the object to be processed. 또 다른 하나는, 개질 영역을 형성함으로써, 개질 영역을 기점으로 하여 가공 대상물의 단면 방향(두께 방향)을 향해 자연스럽게 갈라져 결과적으로 가공 대상물이 절단되는 경우이다. The other is, by forming the modified region, and the modified region as a starting point naturally diverged toward the cross-sectional direction (thickness direction) of the object to be processed is a case where as a result cutting the object to be processed. 이것은, 예를 들면 가공 대상물의 두께가 작은 경우 개질 영역이 하나이어도 가능하고, 가공 대상물의 두께가 큰 경우 두께 방향으로 복수의 개질 영역을 형성함으로써 가능하게 된다. This is, for example, is made possible by the case where the thickness of the object may be a small one and the modified region can form a plurality of modified regions in the case where the thickness of the object a large thickness. 또한, 이 자연스럽게 갈라지는 경우도, 절단하는 개소에 있어서 개질 영역이 형성되어 있지 않은 부분상의 표면까지 갈라짐이 앞질러 가는 일이 없고, 개질 영역을 형성한 부분상의 표면만을 할단(割斷)할 수가 있으므로, 할단을 제어하기 좋게 할 수가 있다. Also, the it may naturally diverge, the modified region is no il cracking ahead goes to the surface on are not formed part of the part to be cut, can be only a surface on which to form a modified region part haldan (割斷), haldan to control it can be improved. 최근 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼의 두께는 얇아지는 경향이 있으므로, 이러한 제어성이 좋은 할단 방법은 대단히 유효하다. Recently it tends to be thinner, the thickness of the semiconductor wafer such as a silicon wafer, such a good controllability haldan method is very effective.

그런데, 본 실시 형태에 있어서 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역으로서 다음의 (1)∼(3)이 있다. By the way, as a modified region formed by multiphoton absorption in this embodiment has the following (1) to (3).

(1) 개질 영역이 하나 또는 복수의 크랙 스폿을 포함한 크랙 영역인 경우 (1) Case where the modified region is a crack region including one or a plurality of crack spots

레이저 광을 가공 대상물(예를 들면, 유리나 LiTaO3로 이루어지는 압전 재료)의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 전기장 강도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 조사한다. A laser light object to be processed with the light-converging point in the interior of the (for example, a piezoelectric material made of a glass or LiTaO3), the electric field strength in a light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and a or less while the pulse width is 1μs Examine the condition. 이 펄스폭의 크기는, 다광자 흡수를 생기게 하면서 가공 대상물에 불필요한 손상을 주지 않고, 가공 대상물의 내부에 크랙 영역을 형성할 수 있는 조건이다. The size of the pulse width, and without unnecessary damage to the object while causing multiphoton absorption, a condition under which a crack region can be formed within the object. 이에 의해 가공 대상물의 내부에는 다광자 흡수에 의한 광학적 손상이라고 하는 현상이 발생한다. This phenomenon, known as internal, the optical damage caused by multiphoton absorption in the object to be processed caused by. 이 광학적 손상에 의해 가공 대상물의 내부에 열왜곡이 야기되고, 이에 의해 가공 대상물의 내부에 크랙 영역이 형성된다. Is the thermal distortion within the object caused by the optical damage, thereby a crack region is formed within the object. 전기장 강도의 상한치로서는, 예를 들면 1×10 12 (W/㎠)이다. The upper limit of electric field intensity, for example, 1 × 10 12 (W / ㎠ ). 펄스폭은 예를 들면 1ns∼200ns가 바람직하다. The pulse width is 1ns~200ns is preferable, for example. 또한, 다광자 흡수에 의한 크랙 영역의 형성은, 예를 들면, 제45회 레이저 열가공 연구회 논문집(1998년. 12월)의 제23 페이지∼제28 페이지의 「고체 레이저 고조파에 의한 유리 기판의 내부 마킹(marking)」에 기재되어 있다. In addition, the forming of a crack region by multiphoton absorption is described, for example, the in the 45th Proceedings of Laser Materials Processing Research Group (1998, December) of the glass substrate by the "solid-state laser harmonics on page 23 page ~ 28 It is described therein marking (marking). "

본 발명자는 전기장 강도와 크랙의 크기와의 관계를 실험에 의해 구하였다. The present inventors have found by experiment the relationship between the size and the electric field intensity and crack. 실험 조건은 다음과 같다. Experimental conditions are as follows.

(A) 가공 대상물 : 파이렉스(등록상표) 유리(두께 700μm, 외경 4인치) (A) Object to be processed: Pyrex (registered trademark) glass (with a thickness of 700μm, an outer diameter of 4 inches)

(B) 레이저 (B) laser

광원 : 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저 Light source: semiconductor laser pumping Nd: YAG laser

파장 : 1064nm Wavelength: 1064nm

레이저 광 스폿(spot) 단면적 : 3.14×10 -8 Laser light spot (spot) cross-sectional area: 3.14 × 10 -8

발진 형태 : Q 스위치 펄스 Oscillation mode: Q-switch pulse

반복 주파수 : 100kHz Repeat frequency: 100kHz

펄스폭 : 30ns Pulse Width: 30ns

출력 : 출력<1mJ/펄스(pulse) Output: output <1mJ / pulse (pulse)

레이저 광 품질 : TEM 00 Laser light quality: TEM 00

편광 특성 : 직선 편광 Polarization characteristic: linear polarization

(C) 집광용 렌즈 (C) Light-converging lens

레이저 광파장에 대한 투과율 : 60% Transmittance with respect to laser light wavelength: 60%

(D) 가공 대상물이 재치되는 재치대의 이동 속도 : 100mm/초 (D) Moving speed of a table mounting the object to be processed mounted: 100mm / sec

또한, 레이저 광 품질이 TEM 00 라는 것은, 집광성이 높고 레이저 광의 파장 정도까지 집광가능을 의미한다. Also, the laser light quality of TEM 00, a high house light-converging means up to about the wavelength of laser light.

도 7은 상기 실험의 결과를 나타내는 그래프이다. 7 is a graph showing the results of the experiment. 가로축은 피크파워 밀도이고, 레이저 광이 펄스 레이저 광이므로 전기장 강도는 피크파워 밀도로 나타난다. The horizontal axis is the electric field strength, so the peak power density and the laser light is pulse laser light, is represented by the peak power density. 세로축은 1 펄스의 레이저 광에 의해 가공 대상물의 내부에 형성된 크랙(crack) 스폿(spot)의 크기를 나타내고 있다. The ordinate indicates the size of a crack (crack) spot (spot) formed within the object by one pulse of laser light. 크랙 스폿의 크기는 크랙 스폿의 형상 중 최대의 길이가 되는 부분의 크기이다. The size of crack spots are sizes of portions having the maximum lengths in the shapes of the crack spots. 그래프중의 검은 점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 100배, 개구수(NA)가 0.80인 경우이다. Data represented by black dots in the graph refers to a case where the magnification of the condenser lens (C) x100 and a numerical aperture (NA) of 0.80. 한편, 그래프중의 흰 점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 50배, 개구수(NA)가 0.55인 경우이다. On the other hand, the data indicated by white dots in the graph refers to a case where the magnification of the condenser lens (C) 50 times and a numerical aperture (NA) of 0.55. 피크파워 밀도가 10 11 (W/㎠) 정도에서는 가공 대상물의 내부에 크랙 스폿이 발생하고, 피크파워 밀도가 크게 됨에 따라 크랙 스폿도 커지는 것을 알 수 있다. The peak power density of 10 11 (W / ㎠) the degree can be seen that the crack spots are generated inside the object to be processed, and the peak power density increases greatly as crack spot.

다음에, 크랙 영역 형성에 의한 가공 대상물의 절단의 메카니즘(mechanism)에 대해서 도 8∼도 11을 이용하여 설명한다. Next, described below with reference to FIG. 8 to FIG. 11 with respect to mechanism (mechanism) of the cutting of the object by forming a crack region. 도 8에 나타내듯이, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 가공 대상물(1)의 내부에 집광점 P를 맞추어 레이저 광 L을 가공 대상물(1)에 조사하여 절단 예정 라인을 따라 내부에 크랙 영역(9)을 형성한다. Shown in Figure 8. As, multiphoton absorption is from occurring condition according to the light-converging point P within the object 1 along the line along which the material is to be irradiated with laser light L to the object 1 is a crack in the inner region (9) the form. 크랙 영역(9)은 하나 또는 복수의 크랙 스폿을 포함한 영역이다. The crack region 9 is a region including one or a plurality of crack spots. 도 9에 나타내듯이, 크랙 영역(9)을 기점으로 하여 크랙이 한층 더 성장하고, 도 10에 나타내듯이, 크랙이 가공 대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하고, 도 11에 나타내듯이, 가공 대상물(1)이 갈라짐으로써 가공 대상물(1)이 절단된다. Shown in Figure 9, as, as the starting point cracks further grow the crack regions 9, as shown in Figure 10, the crack reaches the front face 3 and rear face 21 of the object 1, and Fig. 11. as shown, the object 1 is cut as the object 1 in the cracks. 가공 대상물의 표면과 이면에 도달하는 크랙은 자연스럽게 성장하는 경우도 있고, 가공 대상물에 힘이 인가됨 으로써 성장하는 경우도 있다. And even if a crack reaching the surface and rear face of the object to be processed will grow naturally or grow as a force is applied to the search object to be processed.

(2) 개질 영역이 용융 처리 영역인 경우 (2) Case where the modified region is a molten processed region

레이저 광을 가공 대상물(예를 들면, 실리콘과 같은 반도체 재료)의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 전기장 강도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 조사한다. Converging point of laser light within the object to be processed (e.g., semiconductor material such as silicon), the electric field intensity is 1 × 10 8 (W / ㎠ ) than at the light-converging point and the other hand the conditions not more than a pulse width of 1μs The investigation. 이에 의해 가공 대상물의 내부는 다광자 흡수에 의해 국소적으로 가열된다. Thereby the interior of the object to be processed is locally heated by multiphoton absorption. 이 가열에 의해 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역이 형성된다. The molten processed region is formed within the object by the heating. 용융 처리 영역이라는 것은 일단 용융 후 다시 고체화 한 영역이나, 확실히 용융한 상태의 영역이나, 용융 상태로부터 다시 고체화 하는 상태의 영역이고, 상변화한 영역이나 결정 구조가 변화한 영역이라고 할 수도 있다. It is called a molten processed region once melted and then re-solidification may be described as a region, or a region of a state in which the re-solidified from the region of quite a molten state or a melt state, so long as the phase-change area a change in the crystal structure or area. 또, 용융 처리 영역이라는 것은 단결정 구조, 비정질 구조, 다결정 구조에 있어서, 어떤 구조가 다른 구조로 변화한 영역이라고 할 수도 있다. In addition, it is of a molten processed region may be called according to the single crystal structure, an amorphous structure, a polycrystalline structure, a region which the structure is changed into another structure. 즉, 예를 들면, 단결정 구조로부터 비정질 구조로 변화한 영역, 단결정 구조로부터 다결정 구조로 변화한 영역, 단결정 구조로부터 비정질 구조 및 다결정 구조를 포함하는 구조로 변화한 영역을 의미한다. That is, for example, refers to a structure in which a monocrystal structure has changed into an amorphous region, in which a monocrystal structure has changed into a polycrystal structure, one in which a monocrystal structure has changed into a structure including an amorphous structure and a polycrystal structure. 가공 대상물이 실리콘 단결정 구조의 경우, 용융 처리 영역은 예를 들면 비정질 실리콘 구조이다. If the object to be processed is a silicon monocrystal structure, the molten processed region is an amorphous silicon structure, for example. 전기장 강도의 상한치로서는, 예를 들면 1×10 12 (W/㎠)이다. The upper limit of electric field intensity, for example, 1 × 10 12 (W / ㎠ ). 펄스폭은 예를 들면 1ns∼200ns가 바람직하다. The pulse width is 1ns~200ns is preferable, for example.

본 발명자는 실리콘 웨이퍼의 내부에서 용융 처리 영역이 형성되는 것을 실험에 의해 확인했다. The present inventors have confirmed by experiment that a molten processed region is formed within a silicon wafer. 실험 조건은 다음과 같다. Experimental conditions are as follows.

(A) 가공 대상물 : 실리콘 웨이퍼(두께 350μm, 외경 4인치) (A) Object to be processed: silicon wafer (having a thickness of 350μm, an outer diameter of 4 inches)

(B) 레이저 (B) laser

광원 : 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저 Light source: semiconductor laser pumping Nd: YAG laser

파장 : 1064nm Wavelength: 1064nm

레이저 광 스폿(spot) 단면적 : 3.14×10 -8 Laser light spot (spot) cross-sectional area: 3.14 × 10 -8

발진 형태 : Q 스위치 펄스 Oscillation mode: Q-switch pulse

반복 주파수 : 100kHz Repeat frequency: 100kHz

펄스폭 : 30ns Pulse Width: 30ns

출력 : 20μJ/펄스(pulse) Output: 20μJ / pulse (pulse)

레이저 광 품질 : TEM 00 Laser light quality: TEM 00

편광 특성 : 직선 편광 Polarization characteristic: linear polarization

(C) 집광용 렌즈 (C) Light-converging lens

배율 : 50배 Magnification: 50 times

NA : 0.55 NA: 0.55

레이저 광파장에 대한 투과율 : 60% Transmittance with respect to laser light wavelength: 60%

(D) 가공 대상물이 재치되는 재치대의 이동 속도 : 100mm/초 (D) Moving speed of a table mounting the object to be processed mounted: 100mm / sec

도 12는 상기 조건에서의 레이저 가공에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 일부에 있어서의 단면의 사진을 나타낸 도이다. 12 is a view showing a photograph of a cross section of the portion of a silicon wafer cut by laser processing in the condition. 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)이 형성되어 있다. The molten processed region 13 within the silicon wafer 11 are formed. 또한, 상기 조건에 의해 형성된 용융 처리 영역(13)의 두께 방향의 크기는 100μm 정도이다. In addition, the size in the thickness direction of the molten processed region 13 formed by the above-mentioned conditions is about 100μm.

용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 설명한다. The molten processed region 13 is described that is formed by multiphoton absorption. 도 13은 레이저 광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다. 13 is a graph showing the relationship between the internal wavelength of laser light and the transmittance of the silicon substrate. 다만, 실리콘 기판의 표면측과 이면측 각각의 반사 성분을 제거하고, 내부만의 투과율을 나타내고 있다. However, it is to remove the surface side and the back side respective reflecting components on the silicon substrate, and shows only the transmittance therewithin is. 실리콘 기판의 두께 t가 50μm, 100μm, 200μm, 500μm, 1000μm의 각각에 대해서 상기 관계를 나타냈다. The thickness t of the silicon substrate shown the relationship with respect to each of 50μm, 100μm, 200μm, 500μm, 1000μm.

예를 들면, Nd:YAG 레이저의 파장인 1064nm에 있어서, 실리콘 기판의 두께가 500μm 이하의 경우, 실리콘 기판의 내부에서는 레이저 광이 80% 이상 투과하는 것을 알 수 있다. For example, Nd: YAG laser at a wavelength of 1064nm in, it can be seen that the thickness of the silicon substrate is 500μm or less in the transmission case, in the silicon substrate by the laser light is 80% or more. 도 12에 나타내는 실리콘 웨이퍼(11)의 두께는 350μm이므로, 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역(13)은 실리콘 웨이퍼의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175μm의 부분에 형성된다. Since 12 the thickness of the silicon wafer 11 is shown in 350μm, the molten processed region 13 caused by multiphoton absorption is formed on a portion of 175μm from near the center, that is, the surface of the silicon wafer. 이 경우의 투과율은, 두께 200μm의 실리콘 웨이퍼를 참고로 하면, 90% 이상이므로, 레이저 광이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 흡수되는 것은 아주 적고 거의가 투과한다. The transmittance in this case is, to a silicon wafer having a thickness of 200μm as a reference, because it is 90% or more, but the laser light is absorbed within the silicon wafer 11 is very small and substantially impermeable. 이는 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 레이저 광이 흡수되어, 용융 처리 영역(13)이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 형성(즉, 레이저 광에 의한 통상의 가열로 용융 처리 영역이 형성)된 것이 아니고, 용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 의미한다. This is the silicon is laser light absorption within the wafer 11, the molten processed region 13 is formed within the silicon wafer 11 (i.e., the molten processed region is formed of a usual heating with laser light) rather, it means that the molten processed region 13 is formed by multi-photon absorption. 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역의 형성은, 예를 들면, 용접 학회 전국 대회 강연 개요 제66집(2000년 4월)의 제72 페이지∼제73 페이지의 「피코초(pico-second) 펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공 특성 평가」에 기재되어 있다. The forming of a molten processed region by multiphoton absorption is described, for example, Welding Society National Convention Lecture Summary 66th home "picoseconds (pico-second) of the page, page 72 - 73 (April 2000), pulsed laser silicon has been described in the workability evaluation "by.

또한, 실리콘 웨이퍼는, 용융 처리 영역을 기점으로 하여 단면 방향을 향해 갈라짐을 발생시키고, 그 갈라짐이 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달함으로써 결과적으로 절단된다. Further, the silicon wafer, as the starting point the molten processed region to generate the cracks toward the cross direction, the cracks are consequently cut by reaching the front face and rear face of the silicon wafer. 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달하는 이 갈라짐은 자연스럽게 성장하는 경우도 있고, 가공 대상물에 힘이 인가됨으로써 성장하는 경우도 있다. When the cracks grow naturally reaching the surface and rear face of the silicon wafer, and also, may or grow as a force is applied to the object to be processed. 또한, 용융 처리 영역으로부터 웨이퍼의 표면과 이면에 갈라짐이 자연스럽게 성장하는 경우에 있어서, 용융 처리 영역이 용융의 상태로부터 갈라짐이 성장하든지, 혹은 용융의 상태로부터 다시 고체화 할 때에 갈라짐이 성장하는 경우의 어느 것이나 존재한다. In addition, any cases, that in the case where the cracks grow naturally on the back surface and the surface of the wafer from the molten processed region, either the molten processed region is as cracks grow from a molten state, or the cracks grow when the re-solidified from the molten state It would exist. 다만, 이러한 경우도 용융 처리 영역은 웨이퍼의 내부에만 형성되어 절단 후의 절단면은 도 12와 같이 내부에만 용융 처리 영역이 형성되어 있다. However, in this case also the molten processed region is formed only within the wafer is a molten processed region is formed only within the cut surface as shown in Figure 12 after cutting. 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역을 형성하는 경우, 할단(割斷)시 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐이 생기기 어렵기 때문에 할단 제어가 용이하게 된다. When forming a molten processed region within the object, and a control haldan it facilitates because haldan (割斷) when it is difficult to occur unnecessary cracks deviating from the line along.

(3) 개질 영역이 굴절률 변화 영역인 경우 (3) Case where the modified region is a refractive index change region

레이저 광을 가공 대상물(예를 들면, 유리)의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 전기장 강도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1ns 이하인 조건으로 조사한다. The object to be processed with a laser beam converging point in the interior of the (e. G., Glass), the electric field strength in a light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width is irradiated to the 1ns or less condition. 펄스폭을 매우 짧게 하여 다광자 흡수를 가공 대상물의 내부에 일으키게 하면, 다광자 흡수에 의한 에너지가 열에너지로 바뀌지 않고, 가공 대상물의 내부에는 이온 가수 변화, 결정화 또는 분극 배향 등의 영속적인 구조 변화가 야기되어 굴절률 변화 영역이 형성된다. Very short pulse width to all when causing multiphoton absorption within the object, the energy caused by multiphoton absorption is changed into thermal energy, inside a structural change such as ionic valence change, a permanent structural change such as crystallization, or polarization orientation causing a refractive index change region is formed. 전기장 강도의 상한치로서는, 예를 들면 1×10 12 (W/㎠)이다. The upper limit of electric field intensity, for example, 1 × 10 12 (W / ㎠ ). 펄스폭은 예를 들면 1ns 이하가 바람직하고, 1ps 이하가 한층 더 바람직하다. Pulse width, for example, it is 1ns or less are preferred, more preferably a more than 1ps. 다광자 흡수에 의한 굴절률 변화 영역의 형성은, 예를 들면, 제42회 레이저 열가공 연구회 논문집(1997년. 11월)의 제105페이지∼제111페이지의 「펨토초(femto-second) 레이저 조사에 의한 유리 내부에의 광 야기 구조 형성」에 기재되어 있다. The forming of a refractive index change region by multiphoton absorption is described, for example, the 42th to "fs (femto-second) laser irradiation of the page, page 105 - 111th of the laser thermal processing Study Group Proceedings (1997 November) It has been described in light caused by formation of a structure within the glass. "

이상, 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역으로서 (1)∼(3)의 경우를 설명했지만, 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 결정 구조나 그 벽개성(劈開性) 등을 고려하여 절단 기점 영역을 다음과 같이 형성하면, 그 절단 기점 영역을 기점으로 하여 한층 더 작은 힘으로, 또한, 정밀도 좋게 가공 대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다. Or more, and a modified region formed by multiphoton absorption (1) to (3), the explanation, but, the starting point region for cutting in consideration of the crystal structure of the object to be processed of a wafer-like or their cleavage (劈開 性) such as the following cases: If formed, such as, in the starting point region for cutting smaller force even as the starting point a, and also, it is possible to cut the object to be processed with high precision.

즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정 반도체로 이루어지는 기판의 경우는, (111)면(제1 벽개면)이나 (110)면(제2 벽개면)을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. That is, in the case of a substrate made of a single crystal semiconductor of a diamond structure such as silicon, to form a starting point region for cutting in the direction along the (111) plane (first cleavage plane) or (110) plane (second cleavage plane) is preferred. 또, GaAs 등의 섬아연광형 구조의 III-V족 화합물 반도체로 이루어지는 기판의 경우는, (110)면을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. In the case of a substrate made of a III-V compound semiconductor of sphalerite structure such as GaAs, it is preferred to form a starting point region for cutting in the direction along the (110) plane. 또한, 사파이어(Al 2 O 3 ) 등의 육방정계의 결정 구조를 가지는 기판의 경우는, (0001)면(C면)을 주면으로 하여 (1120)면(A면) 혹은 (1100)면(M면)을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. In addition, sapphire (Al 2 O 3) In the case of a substrate having a crystal structure of a hexagonal system is, to 1120, to give the (0001) plane (C plane) surface, such as (A plane) or (1100) plane (M surface) it is desirable to form a starting point region for cutting in the direction along the.

또한, 상술한 절단 기점 영역을 형성해야할 방향(예를 들면, 단결정 실리콘 기판에 있어서의 (111)면을 따른 방향), 혹은 절단 기점 영역을 형성해야할 방향으로 직교하는 방향을 따라 기판에 오리엔테이션(orientation) 플랫(flat)을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 함으로써, 절단 기점 영역을 형성해야할 방 향을 따른 절단 기점 영역을 용이하고 한편 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능하게 된다. In addition, the orientation on the substrate in a direction perpendicular to the need to form a (111 a direction along plane at a, for example, single crystal silicon substrate), or the starting point region for cutting direction need to form the above-mentioned starting point region for cutting direction (orientation ) forming a flat (flat), that by making reference to the orientation flat, it is possible to form a starting point region for cutting along a direction forming a starting point region for cutting need to easily and accurately while the substrate.

이하, 실시예에 의해 본 발명에 대해서 보다 구체적으로 설명한다. More specifically described with respect to the invention by the following examples.

[실시예 1] Example 1

본 발명의 실시예 1에 대해서 설명한다. A description will be given of a first embodiment of the present invention. 실시예 1과 관련되는 레이저 가공 방법은, 가공 대상물의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 개질 영역 형성 공정(제1 공정)과 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 스트레스 공정(제2 공정)을 구비하고 있다. Example 1, a laser processing method according to the stress to the part to be cut in the modified region forming step (first step) to the form a modified region caused by multiphoton absorption within the object and the object causes a stress step ( and a second step). 실시예 1에 있어서는, 개질 영역 형성 공정과 스트레스 공정에서 동일한 레이저 광조사를 한다. In the embodiment 1, the same laser beam irradiation in the modified region forming step and the stress step. 따라서, 후술하는 레이저 가공 장치에 의해, 개질 영역 형성 공정과 스트레스 공정에 있어서 2회, 동일 조건으로 레이저 광이 조사된다. Therefore, the laser beam is irradiated twice with the same conditions on by the laser processing apparatus described later, the modified region forming step and the stress step.

실시예 1의 레이저 가공 장치에 대해서 설명한다. Embodiment will be described a laser working apparatus of Example 1. 도 14는 개질 영역 형성 공정에서 이용되는 레이저 가공 장치(100)의 개략 구성도이다. Figure 14 is a schematic diagram of laser processing apparatus 100 used in the modified region forming step. 도시하듯이 레이저 가공 장치(100)는, 레이저 광 L을 발생하는 레이저 광원(101)과, 레이저 광 L의 출력이나 펄스폭 등을 조절하기 위해서 레이저 광원(101)을 제어하는 레이저 광원 제어부(102)와, 레이저 광 L의 반사 기능을 가지고 한편 레이저 광 L의 광축의 방향을 90° 바꾸도록 배치된 다이크로익미러(dichroic mirror)(103)와, 다이크로익 미러(103)로 반사된 레이저 광 L을 집광하는 집광용 렌즈(105)와, 집광용 렌즈(105)로 집광된 레이저 광 L이 조사되는 가공 대상물(1)이 재치되는 재치대(107)와, 재치대(107)를 X축 방향으로 이동시키기 위한 X축 스테이지(109)와, 재치대(107)를 X 축 방향에 직교하는 Y축 방향으로 이동시키기 위한 Y축 스테이지(111)와, 재치대(107)를 X축 및 Y축 방향에 직교하는 Z축 방향으로 이동시키기 위한 Z축 스테이지(113)와, 이들 3개의 스테이지(109, 1 Shown as the laser processing apparatus 100 includes a laser light source controller for controlling the laser light source (101 and 102 in order to control the laser beam source 101 for generating laser light L, an output and a pulse width, etc. of laser light L ) with, and has the reflecting function of the laser light L while dichroic mirror (dichroic mirror) (103 a direction of the optical axis of laser light L by the dichroic arranged to change 90 °), the laser reflected by a dichroic mirror 103, dichroic and light-converging lens 105 for condensing the light L, and a condenser lens 105, the laser light L is the object 1 the mounting table 107 is to be placed to be irradiated condensing for, the mounting table 107 X and the X-axis stage 109 for moving in the axial direction, a mounting table 107 for the Y-axis stage for moving the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction 111, the mounting table 107, the X-axis, and Y and Z-axis stage 113 for moving the Z-axis direction perpendicular to the axial direction, the three stages (109, 1 11, 113)의 이동을 제어하는 스테이지 제어부(115)를 구비한다. 11, and a stage controller 115 for controlling the movement of 113). 또한, 실시예 1에 있어서, 가공 대상물(1)은 파이렉스(등록상표) 유리 웨이퍼이다. In the first embodiment, the object 1 is a Pyrex (registered trademark) glass wafer.

Z축 방향은 가공 대상물(1)의 표면(3)과 직교하는 방향이므로 가공 대상물(1)로 입사하는 레이저 광 L의 초점심도의 방향이 된다. Z axis direction is the direction of focal depth of laser light L incident on the surface (3) and because it is orthogonal to the object 1 in the object 1 as shown in Fig. 따라서, Z축 스테이지(113)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 가공 대상물(1)의 내부에 레이저 광 L의 집광점 P를 맞출 수가 있다. Thus, by moving the Z-axis stage 113 in the Z-axis direction, it is possible within the object (1) to match the light-converging point P of laser light L. 또, 이 집광점 P의 X(Y)축 방향의 이동은 가공 대상물(1)을 X(Y)축 스테이지(109)(111)에 의해 X(Y)축 방향으로 이동시킴으로써 행한다. Further, the light-converging point X (Y) axis moving in the direction of P is carried out by moving the X (Y) -axis direction by the object 1 in the X (Y) -axis stage 109 (111).

레이저 광원(101)은 펄스 레이저 광을 발생하는 Nd:YAG 레이저이다. The laser light source 101 is Nd which generates a pulsed laser beam: a YAG laser. 레이저 광원(101)에 이용할 수가 있는 레이저로서, 이외에 Nd:YVO 4 As a laser that can take advantage of the laser light source 101 include, in addition to Nd: YVO 4 레이저나 Nd:YLF 레이저가 있다. A YLF laser: laser or Nd. 레이저 광원은 크랙 영역, 용융 처리 영역을 형성하는 경우, 전술의 레이저 광원을 이용하는 것이 적합하고, 굴절률 변화 영역을 형성하는 경우, 티탄 사파이어 레이저를 이용하는 것이 매우 적합하다. A laser light source is well suited to use a titanium sapphire laser if the case of forming a crack region, molten processed region, and is suitable to use a laser light source of the above, forming a refractive index change region. 실시예 1에서는 가공 대상물(1)의 가공에 펄스 레이저 광을 이용하고 있지만, 다광자 흡수를 일으키게 할 수가 있다면 연속파 레이저 광이어도 좋다. In Example 1, but using a pulsed laser light for processing the object 1, if the number to cause multiphoton absorption may be a continuous wave laser light.

레이저 가공 장치(100)는 또한 재치대(107)에 재치된 가공 대상물(1)을 가시광선에 의해 조명하기 위해서 가시광선을 발생하는 관찰용 광원(117)과, 다이크로 익 미러(103) 및 집광용 렌즈(105)와 동일 광축 상에 배치된 가시광용의 빔 분할기(119)를 구비한다. The laser processing apparatus 100 further mounting table 107, the object 1 to the observation light source 117 for generating visible rays for illuminating by the visible light, a dichroic mirror 103, a dichroic mounted on and and a beam splitter (119) for the visible light disposed on the light-converging lens 105 for the same optical axis. 빔 분할기(119)와 집광용 렌즈(105)의 사이에 다이크로익 미러(103)가 배치되어 있다. A dichroic between the beam splitter 119 and light-converging lens 105 is disposed dichroic mirror 103. 빔 분할기(119)는 가시광선의 약 반을 반사하고 나머지의 반을 투과하는 기능을 가지고 한편 가시광선의 광축의 방향을 90° 바꾸도록 배치되어 있다. Beam splitter 119 has a function of reflecting about a half of visible light and transmitting the remaining half of the other hand is arranged to change the direction of the visible light optical axis 90 °. 관찰용 광원(117)으로부터 발생한 가시광선은 빔 분할기(119)로 약 반이 반사되고, 이 반사된 가시광선이 다이크로익 미러(103) 및 집광용 렌즈(105)를 투과하고, 가공 대상물(1)의 절단 예정 라인(5) 등을 포함한 표면(3)을 조명한다. Visible light emitted from the observation light source 117 is approximately half reflected by the beam splitter 119, the reflected visible light is transmitted through the dichroic mirror 103 and light-converging lens 105 to the dichroic, the object to be processed ( 1) to illuminate the front face 3 including the line along which the substrate should be cut 5 in the.

레이저 가공 장치(100)는 또한 빔 분할기(119), 다이크로익 미러(103) 및 집광용 렌즈(105)와 동일 광축 상에 배치된 촬상 소자(121) 및 결상 렌즈(123)를 구비한다. The laser processing apparatus 100 further includes a beam splitter 119, a dichroic mirror of the image pickup device 121 and an imaging lens 123 disposed on the unit 103 and the condenser lens 105 and the same optical axis for a dyke. 촬상 소자(121)로서는 예를 들면 CCD(charge-coupled device) 카메라가 있다. The image pickup device 121 includes, for example a CCD (charge-coupled device) camera. 절단 예정 라인(5) 등을 포함한 표면(3)을 조명한 가시광선의 반사광은, 집광용 렌즈(105), 다이크로익 미러(103), 빔 분할기(119)를 투과하고, 결상 렌즈(123)로 결상되고 촬상 소자(121)로 촬상되어 촬상 데이터로 된다. Along the line (5) of visible light reflected light, a lens 105 for condensing illuminating the front face 3 including the imaging lens 123, transmitted through the dichroic mirror 103, a beam splitter 119, a dichroic, and and the formed image is captured by the image pickup device 121 is a picked-up image data.

레이저 가공 장치(100)는 또한 촬상 소자(121)로부터 출력된 촬상 데이터가 입력되는 촬상 데이터 처리부(125)와, 레이저 가공 장치(100) 전체를 제어하는 전체 제어부(127)와, 모니터(129)를 구비한다. The laser processing apparatus 100 further imaging element captured imaging data, in which data is input and output from (121) 125 and the overall controller 127 for controlling the whole laser processing apparatus 100, the monitor 129 and a. 촬상 데이터 처리부(125)는 촬상 데이터를 기초로 하여 관찰용 광원(117)에서 발생한 가시광의 초점을 표면(3) 상에 맞추기 위한 초점 데이터를 연산한다. The imaging data processor 125 calculates focal point data for adjusting the focal point of visible light generated from the observation light source 117 on the basis of the picked-up image data on the surface (3). 이 초점 데이터를 기초로 하여 스테이지 제어부(115)가 Z축 스테이지(113)를 이동 제어함으로써, 가시광의 초점이 표면(3)에 맞도록 한다. By controlling the focus, move the stage controller 115, the Z-axis stage 113 to the data on the basis of, the focal point of visible light so as to conform to the surface (3). 따라서, 촬상 데이터 처리부(125)는 오토포커스(auto-focus) 유닛(unit)으로서 기능한다. Thus, the imaging data processor 125 functions as an autofocus (auto-focus) unit (unit). 또한, 가시광의 초점은 레이저 광 L의 집광점에 일치하고 있다. In addition, the focal point of visible light coincides with the light-converging point of laser light L. 또, 촬상 데이터 처리부(125)는 촬상 데이터를 기초로 하여 표면(3)의 확대 화상 등의 화상 데이터를 연산한다. In addition, the imaging data processor 125 on the basis of the picked-up image data and calculates image data such as an enlarged image of the surface 3. 이 화상 데이터는 전체 제어부(127)에 보내어지고, 전체 제어부에서 각종 처리가 되어, 모니터(129)에 보내어진다. The image data is sent to the overall controller 127, the various kinds of processing in the overall controller, is sent to the monitor 129. 이에 의해 모니터(129)에 확대 화상 등이 표시된다. In the enlarged image or the like is displayed on the monitor 129 by.

전체 제어부(127)에는, 스테이지 제어부(115)로부터의 데이터, 촬상 데이터 처리부(125)로부터의 화상 데이터 등이 입력되고, 이러한 데이터도 기초로 하여 레이저 광원 제어부(102), 관찰용 광원(117) 및 스테이지 제어부(115)를 제어함으로써, 레이저 가공 장치(100) 전체를 제어한다. In the overall controller 127, stage data from the control unit 115, the image data and the like from the image pickup data processing section 125 is input, such data is a laser light source controller 102, observation light source 117 on the basis of and by controlling the stage controller 115, thereby controlling the laser processing apparatus 100 as a whole. 따라서, 전체 제어부(127)는 컴퓨터 유닛으로서 기능한다. Thus, the overall controller 127 functions as a computer unit.

다음에, 도 14 및 도 15를 참조하여 실시예 1과 관련되는 레이저 가공 방법에 대해서 설명한다. Next, referring to Figs. 14 and 15 will be described with the laser processing method according to the first example. 도 15는 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 플로차트이다. Figure 15 is a flow chart for explaining the laser processing method.

우선, 가공 대상물(1)의 광흡수 특성을 도시하지 않는 분광 광도계 등에 의해 측정한다. First, as determined by a spectrophotometer or the like (not shown) the light absorption characteristic of the object 1. 이 측정 결과에 기초하여 가공 대상물(1)에 대해서 투명한 파장 또는 흡수의(가) 적은 파장의 레이저 광 L을 발생하는 레이저 광원(101)을 선정한다. Based on the measurement results will be selected for a transparent wavelength or absorption of (a) a laser light source 101 for generating laser light L of the wavelength less with respect to the object 1. (S101). (S101). 다음에, 가공 대상물(1)의 두께를 측정한다. Next, measure the thickness of the object 1 as shown in Fig. 두께의 측정 결과 및 가공 대상물(1)의 굴절률을 기초로 하여, 레이저 가공 장치(100)에 있어서의 가공 대상물(1)의 Z축 방향의 이동량을 결정한다(S103). On the basis of the refractive index of the measurement result of the thickness and the object 1, and determines the amount of movement of the Z-axis direction of the object 1. The laser processing device (100) (S103). 이는 레이저 광 L의 집광점 P를 가공 대상물(1)의 내부에 위치시키기 위해서, 가공 대상물(1)의 표면(3)에 위치하는 레이저 광 L의 집광점을 기준으로 한 가공 대상물(1)의 Z축 방향의 이동량이다. This in order to position the converging point P of laser light L within the object 1, the object 1 surface of the object 1 based on the light-converging point of laser light L positioned at 3 of the Z is the amount of movement in the axial direction. 이 이동량은 개질 영역 형성 공정에서 이용되는 레이저 가공 장치(100)의 전체 제어부(127)에 입력된다. The amount of movement is fed into the overall controller 127 of the laser processing apparatus 100 used in the modified region forming step.

가공 대상물(1)을 레이저 가공 장치(100)의 재치대(107)에 재치한다. And mounting the object 1 on the mounting table 107 of the laser processing apparatus 100. 그리고, 관찰용 광원(117)으로부터 가시광을 발생시켜 가공 대상물(1)을 조명한다(S105). And, to generate visible light from the observation light source 117 illuminates the object to be processed (1) (S105). 조명된 절단 예정 라인(5)을 포함한 가공 대상물(1)의 표면(3)을 촬상 소자(121)에 의해 촬상한다. The front face 3 of the object 1 including the illuminated scheduled cutting line (5) picked up by the image pickup device 121. 이 촬상 데이터는 촬상 데이터 처리부(125)에 보내어진다. The captured image data are sent to the imaging data processor 125. 이 촬상 데이터에 기초하여 촬상 데이터 처리부(125)는 관찰용 광원(117)의 가시광의 초점이 표면(3)에 위치할 것 같은 초점 데이터를 연산한다(S107). And on the basis of the picked-up image data calculates the focal point data, such as would be located on the imaging data processor 125 are the focus of visible light from the front face 3 of the light from the observation light source 117 (S107).

이 초점 데이터는 스테이지 제어부(115)에 보내어진다. The focal point data is sent to the stage controller 115. 스테이지 제어부(115)는 이 초점 데이터를 기초로 하여 Z축 스테이지(113)를 Z축 방향으로 이동시킨다(S109). Stage controller 115 moves the Z-axis stage 113 in the Z axis direction to the basis of the focus data (S109). 이에 의해 관찰용 광원(117)의 가시광의 초점이 표면(3)에 위치한다. The focal point of visible light from the observation light source 117 is positioned by the front face 3. 또한, 촬상 데이터 처리부(125)는 촬상 데이터에 기초하여 절단 예정 라인(5)을 포함한 가공 대상물(1)의 표면(3)의 확대 화상 데이터를 연산한다. In addition, the imaging data processor 125 calculates enlarged image data of the front face 3 of the object 1 including the line along which the material is to be 5 based on imaging data. 이 확대 화상 데이터는 전체 제어부(127)를 통해 모니터(129)에 보내어지고, 이에 의해 모니터(129)로 절단 예정 라인(5) 부근의 확대 화상이 표시된다. The enlarged image data is sent to the monitor 129 through the overall controller 127, whereby an enlarged image in the vicinity of this monitor 129 is intended to be cut line 5 is indicated by 0.

전체 제어부(127)에는 미리 단계 S103에서 결정된 이동량 데이터가 입력되어 있고, 이 이동량 데이터가 스테이지 제어부(115)에 보내어진다. Has a total controller 127, and the movement amount data determined in step S103 has been input in advance, the amount of movement data is sent to the stage controller 115. 스테이지 제어부(115)는 이 이동량 데이터에 기초하여 레이저 광 L의 집광점 P가 가공 대상물(1)의 내부가 되는 위치에, Z축 스테이지(113)에 의해 가공 대상물(1)을 Z축 방향으로 이동시킨다(S111). The object 1 by the stage controller 115 is at a position where the interior of the laser light L is the light-converging point P is an object to be processed 1 in the basis of the movement amount data, the Z-axis stage 113 in the Z-direction thereby moving (S111).

다음에, 레이저 광원(101)으로부터 레이저 광 L을 발생시켜, 레이저 광 L을 가공 대상물(1)의 표면(3)의 절단 예정 라인(5)에 조사한다. Next, by generating the laser beam L from the laser light source 101 is irradiated with a laser beam L to the line along which the material is to be 5 in the front face 3 of the object 1 as shown in Fig. 도 16은 개질 영역 형성 공정에 있어서 레이저 가공중의 크랙 영역(9)을 포함한 가공 대상물(1)의 단면도이다. 16 is a cross-sectional view of the object 1 including the crack region 9 during the laser processing in the modified region forming step. 도시하듯이 레이저 광 L의 집광점 P는 가공 대상물(1)의 내부에 위치하고 있으므로, 크랙 영역(9)은 가공 대상물(1)의 내부에만 형성된다. Since as shown the light-converging point P of laser light L is located within the object 1, the crack region 9 is formed only within the object 1. 그리고, 절단 예정 라인(5)을 따르도록 X축 스테이지(109)나 Y축 스테이지(111)를 이동시켜, 크랙 영역(9)을 절단 예정 라인(5)을 따르도록 가공 대상물(1)의 내부에 형성한다(S113). Then, the inside of the X-axis stage 109 and Y-axis by moving the stage 111, the crack region the object (9) to follow a line along which the material is to be 5 (1) to follow a line along which the substrate should be cut 5 to form a (S113).

개질 영역을 형성한 후, 동일한 조건으로 다시 한번(즉, 집광점 P는 개질 영역인 크랙 영역(9)에 합쳐진다.), 레이저 광 L을 가공 대상물(1)의 표면(3)의 절단 예정 라인(5)을 따라 크랙 영역(9)에 조사한다. After forming the modified region, the same condition again, it is intended to be cut in the front face 3 (that is, a light-converging point P is a crack region (summed to 9). The modified region), the object to be processed with laser light L (1) along the line (5) irradiates the crack region 9. 이에 의해 크랙 영역(9)에 의한 산란등에 의한 레이저 광 L의 흡수, 혹은 크랙 영역(9)에서의 다광자 흡수의 발생에 의해, 가공 대상물(1)이 크랙 영역(9)을 따라 가열되어 온도차에 의한 열응력 등의 스트레스가 생긴다(S114). Whereby the crack region 9 is, the object 1 by the generation of photon absorption in the absorbent, or the crack region 9 of the laser light L due to scattering by the heated along the crack regions 9, the temperature difference It produces the stress such as thermal stress (S114) according to the. 도 17은 스트레스 공정에 있어서 레이저 가공중의 크랙 영역(9)을 포함한 가공 대상물(1)의 단면도이다. 17 is a sectional view of the object 1 including the crack region 9 during the laser processing in the stress step. 도시하듯이 스트레스 공정에 의해 크랙 영역(9)을 기점으로 하여 크랙이 한층 더 성장하여 크랙이 가공 대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하고, 가공 대상물(1)에 절단면(10)이 형성되고 가공 대상물(1)이 절단된다(S115). Shown as the cracks further grow as the starting point of a crack region 9 by the stress step to crack reaches the front face 3 and rear face 21 of the object 1, and the cut surface on the object 1 10 is formed and cutting the object to be processed (1) (S115). 이에 의해 가공 대상물(1)을 실리콘 칩으로 분할한다. Thereby it divides the object 1 into silicon chips.

또한, 실시예 1에서는, 스트레스 공정에 있어서는, 개질 영역 형성 공정과 같은 레이저 광조사를 했지만, 가공 대상물에 있어서 크랙 영역이 형성되어 있지 않은 영역인 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 크랙 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광의 조사이면 좋다. Further, in Embodiment 1, in the stress step, but a laser beam, such as a modified region forming step, have a transmissivity to not crack region is formed in the area of ​​the non-modified region in the object to be processed while the unmodified regions than good if the irradiation of the laser beam having a high absorption with respect to the crack region. 이 경우에도, 가공 대상물의 표면에서는 레이저 광이 거의 흡수되지 않고, 가공 대상물이 크랙 영역을 따라 가열되어 온도차에 의한 열응력 등의 스트레스가 생기기 때문이다. Also in this case, without the surface of the object to be processed it is not the laser light is hardly absorbed, because the object to be processed is heated along the crack regions occur a stress such as thermal stress due to temperature difference.

또, 실시예 1에서는, 개질 영역으로서 크랙 영역이 형성되는 경우에 대해서 설명하였지만, 개질 영역으로서 상술한 것 같은 용융 처리 영역이나 굴절률 변화 영역이 형성되는 경우에 대해서도 마찬가지이고, 스트레스 공정에 있어서의 레이저 광의 조사에 의해 스트레스를 생기게 하여 용융 처리 영역이나 굴절률 변화 영역을 기점으로 하여 크랙을 발생, 성장시켜 가공 대상물을 절단할 수가 있다. The embodiment example 1, the explanation is provided for the case where a crack region is formed as a modified region, and the same applies to the case where the molten processed region or refractive index change region, such as those described above as a modified region formed, a laser in the stress step causing a stress by light irradiation to generate a crack as the starting point the molten processed region or refractive index change region, it is possible to grow by cutting the object to be processed.

또, 가공 대상물의 두께가 큰 경우 등에서, 스트레스 공정에 의해 개질 영역을 기점으로서 성장한 크랙이 가공 대상물의 표면과 이면에 도달하지 않는 경우이어도, 휨 응력이나 전단 응력 등의 인위적인 힘을 인가함으로써 가공 대상물을 갈라서 절단할 수가 있다. In the case, such as if the thickness of the object to be processed is large, a crack growth as a starting point a modified region by the stress process that does not reach the surface and rear face of the object may be, the object to be processed by applying an artificial force such as bending stress or shear stress, the galraseo can be cut. 이 인위적인 힘은 보다 작은 힘으로 충분하기 때문에, 가공 대상물의 표면에 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐이 발생하는 것을 방지할 수가 있다. Since the artificial force is more fully with a small force, it is possible to prevent an unnecessary crack deviating from the line along which the surface of the object occurs.

실시예 1의 효과를 설명한다. It will be described the effects of the first embodiment. 이에 의하면 개질 영역 형성 공정에 있어서, 다광자 흡수를 일으키게 하는 조건으로 한편 가공 대상물(1)의 내부에 집광점 P를 맞추어, 펄스 레이저 광 L을 절단 예정 라인(5)에 조사하고 있다. This structure has been investigated in in the modified region forming step, and the conditions for causing multiphoton absorption while aligning the light-converging point P within the object 1, the pulsed laser light L is intended to be cut line (5). 그리고, X축 스테이지(109)나 Y축 스테이지(111)를 이동시킴으로써, 집광점 P를 절단 예정 라인(5)을 따라 이동시키고 있다. And, there by moving the X-axis stage 109 and Y-axis stage 111 is moved along the light-converging point P is intended to be cut the line 5. 이에 의해 개질 영역(예를 들면, 크랙 영역, 용융 처 리 영역, 굴절률 변화 영역)을 절단 예정 라인(5)을 따르도록 가공 대상물(1)의 내부에 형성하고 있다. The modified region is formed within the object (1) to follow (e.g., crack region, molten processing region, a refractive index change region) is intended to be cut in the line 5. 가공 대상물의 절단하는 개소에 어떠한 기점이 있으면, 가공 대상물을 비교적 작은 힘으로 나누어 절단할 수가 있다. If you have any starting points for the cutting of the object, it can be cut into the object to be processed with a relatively small force. 실시예 1에 의하면, 스트레스 공정에 있어서, 개질 영역 성형 공정과 같은 레이저 광조사를 해, 온도차에 의한 열응력 등의 스트레스를 생기게 하고 있다. According to the first embodiment, in the stress step, to the laser light irradiation, such as a modified region forming step, and causes a stress such as thermal stress due to temperature difference. 따라서, 온도차에 의한 열응력 등의 스트레스라고 하는 비교적 작은 힘으로 가공 대상물(1)을 절단할 수가 있다. Therefore, it is possible to cut the object 1 with a relatively small force that stress such as thermal stress due to temperature difference. 이에 의해 가공 대상물(1)의 표면(3)에 절단 예정 라인(5)으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐을 발생시키는 일 없이 가공 대상물(1)을 절단할 수가 있다. Thereby it is possible to cut the object 1 without generating any unnecessary cracks out of the surface (3) going line 5 to cut the object 1.

또, 실시예 1에 의하면, 개질 영역 형성 공정에서는, 가공 대상물(1)에 다광자 흡수를 일으키게 하는 조건으로 한편 가공 대상물(1)의 내부에 집광점 P를 맞추어 펄스 레이저 광 L을 조사하고 있기 때문에, 펄스 레이저 광 L은 가공 대상물(1)을 투과하고, 가공 대상물(1)의 표면(3)에서는 펄스 레이저 광 L이 거의 흡수되지 않는다. In addition, according to the first embodiment, the modified region forming step, under the conditions that cause multiphoton absorption in the object 1 while aligning the light-converging point P within the object 1, it is irradiated with pulsed laser light L Therefore, in the front face 3 of the pulse laser light L is transmitted through the object 1, the object 1 is pulse laser light L is hardly absorbed. 또, 스트레스 공정에서는, 개질 영역 성형 공정과 같은 레이저 광조사를 하고 있다. Further, in the stress step, and the laser light irradiation, such as a modified region forming step. 따라서, 레이저 광의 조사가 원인으로 표면(3)이 용융 등의 손상을 받는 일은 없다. Thus, there is no work surface 3 by the irradiation of the laser beam causes the subject to damages such as melting.

이상 설명한 것처럼 실시예 1에 의하면, 가공 대상물(1)의 표면(3)에 절단 예정 라인(5)으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐이나 용융이 생기는 일 없이, 가공 대상물(1)을 절단할 수가 있다. According to the first embodiment As described above, without the unnecessary cracks and melt-off occurs from the surface (3) going line 5 to cut the object 1, it is possible to cut the object 1. 따라서, 가공 대상물(1)이 예를 들면 반도체 웨이퍼의 경우, 반도체 칩에 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 갈라짐이나 용융이 생기는 일 없이, 반도체 칩을 반도체 웨이퍼로부터 잘라낼 수 있다. Therefore, in the case of the object 1 is a semiconductor wafer, for example, without this resulting unnecessary cracks and melting deviated from the line along which the semiconductor chip, the semiconductor chip can be cut out from the semiconductor wafer. 표면에 전 극 패턴이 형성되어 있는 가공 대상물이나, 압전소자 웨이퍼나 액정 등의 표시 장치가 형성된 유리 기판과 같이 표면에 전자 디바이스가 형성되어 있는 가공 대상물에 대해서도 마찬가지이다. The object to be processed with the electrode pattern is formed on the surface or, The same applies to the object to be processed in the electronic device is formed on the surface, such as a glass substrate formed with display devices such as a piezoelectric element wafer or a liquid crystal. 따라서, 실시예 1에 의하면, 가공 대상물을 절단함으로써 제작되는 제품(예를 들면, 반도체 칩, 압전 디바이스 칩, 액정 등의 표시 장치)의 제품 수율을 향상시킬 수가 있다. Accordingly, the embodiment according to Example 1, it is possible to products prepared by cutting the object to be processed increase the manufacturing yield of the (e. G., A semiconductor chip, a display device such as a piezoelectric device chip, a liquid crystal).

또, 실시예 1에 의하면, 가공 대상물(1)의 표면(3)의 절단 예정 라인(5)은 용융하지 않기 때문에, 절단 예정 라인(5)의 폭(이 폭은, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 경우, 반도체 칩이 되는 영역끼리의 간격이다.)을 작게 할 수 있다. In addition, according to the first embodiment, since the line along which the substrate should be cut 5 in the front face 3 of the object 1 does not melt, the width (the width of the line along which the substrate should be cut 5, for example a semiconductor wafer case, the distance between which a semiconductor chip area) can be reduced. 이에 의해 한 장의 가공 대상물(1)로부터 제작되는 제품의 수가 증가해 제품의 생산성을 향상시킬 수가 있다. This increases the number of products prepared from a single object 1 by it is possible to improve the productivity of products.

또, 실시예 1에 의하면, 가공 대상물(1)의 절단 가공에 레이저 광을 이용하므로, 다이아몬드 컷터(cutter)를 이용한 다이싱((dicing)보다 복잡한 가공이 가능하게 된다. 예를 들면, 도 18에 나타내듯이, 절단 예정 라인(5)이 복잡한 형상이어도 절단 가공이 가능하게 된다. In addition, according to the first embodiment, since using a laser beam for cutting the object (1), a complex process than the dicing ((dicing) by using a diamond cutter (cutter) is made possible, for example, 18 as shown, it is possible the line along which the material is to be cut 5. this processing may be a complicated shape on.

[실시예 2] Example 2

본 발명의 실시예 2에 대해서 설명한다. A description will be given of a second embodiment of the present invention. 또한, 도 20∼도 23은 도 19에 나타내는 가공 대상물(1)의 XX-XX선을 따른 부분 단면도이다. In addition, FIG. 20 through FIG. 23 is a partial cross-sectional view taken along the XX-XX line of the object 1 shown in Fig.

도 19 및 도 20에 나타내듯이, 가공 대상물(1)의 이면(21)으로 확장 가능한 확장 필름(보유부재)(19)을 붙이고, 이 확장 필름(19)의 표면(19a) 상에 가공 대상물(1)을 고정한다. 19 and as shown in FIG. 20, denoted by the back surface (member holding) 21 in the expandable expansion film 19 of the object 1, the object on the surface (19a) of the expansion film 19 ( 1) is fixed. 확장 필름(19)은, 그 외주부분이 링 형상의 필름 고정 프레임 (20)에 붙여져, 이 필름 고정 프레임(20)에 고정되어 있다. Expansion film 19, and the outer peripheral portion is attached to the film, the fixed frame 20 of the ring-shaped, is fixed to the fixing film frame 20. 또한, 이 가공 대상물(1)은, 두께 200μm의 실리콘 웨이퍼이다. In addition, the object 1 is a silicon wafer having a thickness of 200μm.

이와 같이, 가공 대상물(1), 확장 필름(19) 및 필름 고정 프레임(20)으로 이루어지는 유닛 U를, 예를 들면 상술의 레이저 가공 장치(100)의 재치대(107) 상에, 가공 대상물(1)의 표면(3) 측이 집광용 렌즈(105)로 대면하도록 재치한다. In this way, the object (1), the expansion film 19 and the film the unit U composed of a fixed frame 20, for example on the mounting table 107 of the laser processing apparatus 100 of the above, the object to be processed ( 1) the front face 3 of the side and placed to face to the light-converging lens 105. 그리고, 압력부재(107a)에 의해 필름 고정 프레임(20)을 재치대(107)에 고정함과 동시에, 확장 필름(19)을 재치대(107)으로 진공 흡착한다. Then, the vacuum suction at a pressure member and at the same time secured to the film fixing frame 107, the mounting 20 by a (107a), for mounting the expansion film 19, 107. The

이어서, 도 19에 나타내듯이, 가공 대상물(1)의 오리엔테이션 플랫(16)에 평행한 방향과 수직인 방향에 연재(延在)하는 절단 예정 라인(5)을 격자상으로 설정한다. Then, set the orientation flat (16) extending (延 在) along the line (5) which in the direction parallel to the direction perpendicular to the As shown, the object 1 in Fig. 19 in a lattice pattern. 이 절단 예정 라인은 웨이퍼 상에 형성되어 있는 회로 소자나 수광면 등의 기능 소자로 이루어지는 디바이스 형성면(700)의 사이에 설정되어 있다. The line along which is set between the device forming surfaces 700 is made of a functional device such as circuit device or light-receiving surface is formed on the wafer. 또, 도면에서는 간략하게 디바이스 형성면(700)은 일부에만 기재하고 있다. Further, in the drawing and briefly device forming surface 700 it is described only in part.

그리고, 도 20에 나타내듯이, 가공 대상물(1)의 내부에 집광점 P1을 맞추어 레이저 광 L1을 조사하고, 그 집광점 P1을 절단 예정 라인(5)을 따라 이동시킴으로써 가공 대상물(1)의 내부에 개질 영역(7)을 형성한다. Then, the inside of the object 1 by also while matching As shown, the light-converging point P1 within the object 1 to 20 is irradiated with a laser beam L1, and moves along the light-converging point is intended to be cut the P1 line 5 to form a modified region (7). 이 개질 영역(7)에 의해, 가공 대상물(1)의 표면(레이저 광 입사면)(3)으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역(8)이 절단 예정 라인(5)을 따라 형성된다. By the modified region 7 is formed along the starting point region for cutting 8 is along the line (5) at a distance from the inner surface (laser light incident face) 3 of the object (1). 또한, 가공 대상물(1)이 실리콘 웨이퍼이기 때문에 개질 영역(7)으로서는 용융 처리 영역이 형성된다. In addition, as the modified region 7. Since the object 1 is a silicon wafer is formed with a molten processed region.

이어서, 도 21에 나타내듯이, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7) 내에 집광점 P2를 맞추어, 가공 대상물(1)의 비개질 영역(가공 대상물(1)에 있어서의 개질 영역 (7) 이외의 부분)에 대해서 투과성을 가지고, 또한, 바람직하게는 비개질 영역에 비해 개질 영역(7)에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광 L2를 조사하고, 그 집광점 P2를 절단 예정 라인(5)을 따라 이동시킨다. Then, as shown in Figure 21, according to the light-converging point P2 in the modified region 7 in the object 1, other than the modified region 7 in the non-modified regions (object to be processed 1 in the object 1 have a transmissivity to part of), as well as, preferably in accordance with the modified region (pre-cut high with absorbent irradiating laser light L2, and the light-converging point P2 with respect to 7) the line (5) compared to non-modified region moves. 이 레이저 광 L2의 조사에 의해, 절단 기점 영역(8)을 기점으로서 갈라짐(24)이 발생하고, 이 갈라짐(24)이 가공 대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달한다. By irradiation of the laser light L2, and cracks 24 are generated as the starting point the starting point region for cutting 8, and the cracks 24 reach the front face 3 and rear face 21 of the object 1 . 이에 의해 가공 대상물(1)은 절단 예정 라인(5)을 따라 복수의 칩(25)으로 분할된다. Thereby the object 1 is divided into a plurality of chips 25 along the line along which the substrate should be cut 5. 또한, 실시예 2에서는, 레이저 광 L2로서 파장 1064nm의 YAG 레이저를 이용하였다. In the second embodiment, a YAG laser having a wavelength of 1064nm was used as the laser light L2.

이러한 갈라짐(24)의 주된 발생 원인으로서는, 레이저 광 L2의 조사에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)이 가열되어, 가공 대상물(1)로 열응력이 생기는 것을 들 수 있다. Such as cracks cause primary generation of 24, those along the line along which the substrate should be cut 5 by irradiation with the laser light L2 is heating the object 1, the thermal stress generated in the object 1 as shown in Fig. 일례로서 레이저 광 L2를 조사하면, 개질 영역과 비개질 영역과의 계면은 예를 들면 도 12와 같이 연속한 요철상이 되어 평활면은 아니기 때문에, 개질 영역(7)과 비개질 영역과의 계면에서 레이저 광 L2가 산란되어 개질 영역(7)의 주위 부분이 가열된다. When irradiating the laser light L2 by way of example, the interface between the modified region and the unmodified region for the different successive concave and convex as shown in Figure 12 g. Smooth surface because it is not, modified region 7 at the interface with the non-modified region the laser beam L2 is scattered is heated to a peripheral portion of the modified region 7. 이 가열에 의해, 개질 영역(7)과 비개질 영역과의 계면에 미세한 균열이나 일그러짐이 생기고, 이러한 균열이나 일그러짐을 기점으로 하여 인장 응력이 생김으로써, 개질 영역(7)으로부터 표면(3) 또는 이면(21)에 갈라짐(24)이 발생한다. By this heating, the modified region 7 and the non-looking, fine cracks and distortions in the interface between the modified region by the tensile stress causing as the starting point for such a crack and distortion, the modified region 7 from the front face 3 or the cracks 24 generated on the back surface (21).

가공 대상물(1)을 복수의 칩(25)으로 절단한 후, 유닛 U를 필름 확장 장치(200)로 반송한다. After cutting the object 1 into a plurality of chips 25, it is conveyed to the unit U in film expansion device 200. 도 22에 나타내듯이, 유닛 U는, 그 필름 고정 프레임(20)이 링 형상의 받이부재(201)와 링 형상의 압력부재(202)로 협지(挾持)되어 필름 확장 장치(200)에 고정된다. As shown in Figure 22, the unit U has its film securing frame 20 is held between (挾持) a receiving member 201 and the pressure member 202 of a ring shape of a ring shape is fixed to the film expanding device 200 . 그리고, 받이부재(201)의 내측에 배치된 원주상의 압압부재( 押壓部材)(203)를 유닛 U의 하측으로부터 확장 필름(19)의 이면(19b)에 꽉 누르고, 또한, 도 23에 나타내듯이, 압압부재(203)를 상승시킨다. Then, press firmly on the back surface (19b) of the receiving member 201, the inside of the columnar pressing member (押 壓 部 材) expansion film 19 to 203 from the lower side of the unit U disposed in, and, in Fig. 23 as shown, it raises the pressure member (203). 이에 의해 확장 필름(19)에 있어서의 각 칩(25)의 접촉 부분이 외측으로 확장되어, 각 칩(25)이 서로 이간하게 되고, 각 칩(25)을 용이하고 한편 확실하게 픽업(pick-up)하는 것이 가능하게 된다. As a result the contacts of each chip 25 is extended to the outside of the expansion film 19, each chip 25 is the distance from each other, easily and reliably while the respective chips 25 picked up (pick- up) it is possible to.

이상의 실시예 2와 관련되는 레이저 가공 방법에 있어서는, 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역(7)에 의해, 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)의 내부에 절단 기점 영역(8)을 형성할 수가 있다. In the laser processing method related to the above second embodiment, the modified region 7, cutting inside the starting point region 8 of the object 1 along the line along which the substrate should be cut 5 by being formed by multiphoton absorption a it can be formed. 그리고, 가공 대상물(1)의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는(바람직하게는 비개질 영역에 비해 개질 영역(7)에 대해서 높은 흡수성을 가진다) 레이저 광 L2를 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)에 조사함으로써, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)에 갈라짐(24)을 발생시켜, 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)을 정밀도 좋게 절단할 수가 있다. Then, the processing according to the (modified region 7 is high and has the absorbent for the comparison in preferably non-modified region) is intended to be cut to the laser light L2 line (5) having a transmissivity to unmodified regions of the object 1 by irradiating the object 1, by starting from the starting point region for cutting (8) to generate the cracks 24 in the object 1 along the line along which the substrate should be cut (5) be accurately cut the object 1 can. 또한, 가공 대상물(1)이 고정된 확장 필름(19)을 확장시킴으로써, 각 칩(25)이 이간하게 되기 때문에, 절단 예정 라인(5)을 따른 가공 대상물(1)의 절단의 확실성을 한층 더 향상시킬 수가 있다. Further, by extending the expansion film 19, the object 1 is fixed, since the respective chips 25 are spaced apart, even more certainty of cutting the object 1 along the line along which the substrate should be cut 5 It can be improved.

[실시예 3] Example 3

본 발명의 실시예 3에 대해서 설명한다. A description will be given of a third embodiment of the present invention. 실시예 3은, 레이저 광 L2를 조사했을 때에 발생하는 갈라짐(24)이 가공 대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하지 않는 점에서 실시예 2와 다르다. Example 3 is different from the second embodiment in that cracks 24 occurring when irradiating a laser light L2 does not reach the front face 3 and rear face 21 of the object 1 as shown in Fig. 이하, 이 실시예 2와의 상이점을 중심으로 설명한다. Hereinafter, explanation will be made focusing on differences with the second embodiment. 또한, 도 24는 도 19에 나타내는 가공 대상물(1)의 XX-XX선을 따른 부분 단면 도이다. Further, Figure 24 is a partial cross-sectional view along the XX-XX line of the object 1 shown in Fig.

실시예 2와 마찬가지로 가공 대상물(1), 확장 필름(19) 및 필름 고정 프레임(20)으로 이루어지는 유닛 U를 준비하고, 예를 들면 상술의 레이저 가공 장치(100)를 이용하여 가공 대상물(1)의 내부에 개질 영역(7)을 형성하고, 이 개질 영역(7)에 의해, 가공 대상물(1)의 표면(3)으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역(8)을 절단 예정 라인(5)을 따라 형성한다. The object to be processed as in the Example 2 (1), the expansion film 19 and the film preparing unit U composed of a fixed frame 20 and, for example, processing using a laser processing apparatus 100 of the above-described object 1 to form a modified region 7 to the inside, and by the modified region 7, the cutting is intended to be cut to the starting point region 8, lines 5 at a predetermined distance inward from the front face 3 of the object 1 It is formed. 또한, 가공 대상물(1)은 두께 300μm의 실리콘 웨이퍼이다. Further, the object to be processed 1 is a silicon wafer having a thickness of 300μm.

이어서, 도 24에 나타내듯이, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7) 내에 집광점 P2를 맞추어, 가공 대상물(1)의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고, 또한, 바람직하게는 비개질 영역에 비해 개질 영역(7)에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광 L2를 조사하고, 그 집광점 P2를 절단 예정 라인(5)을 따라 이동시킨다. Then, according to the light-converging point P2 in the modified region 7 in As shown, the object 1 in Fig. 24, has transmissivity to unmodified regions of the object 1, as well as, preferably the non-modified region irradiating laser light L2 having a high absorption for the modified region 7 is compared, and is moved along the planned cutting the light-converging point P2 line 5. 이 레이저 광 L2의 조사에 의해, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 갈라짐(24)이 발생한다. By irradiation of the laser light L2, as the starting point the starting point region for cutting (8) generates the cracks 24. 다만, 실시예 3의 가공 대상물(1)의 두께(300μm)는 실시예 2의 가공 대상물(1)의 두께(200μm)에 비해 두껍기 때문에, 갈라짐(24)은 가공 대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에는 도달하지 않고, 가공 대상물(1)의 내부에 머문다. However, the embodiment, since the thickness (300μm) of the object 1 in 3 is thicker than the thickness (200μm) of the object 1 in Example 2, cracks 24 are the surface (3 of the object 1 ) and the back surface 21, without reaching, stay within the object (1). 또한, 레이저 광 L2의 조사 조건은 실시예 2와 같다. The irradiation condition of laser light L2 is the same as in Example 2.

이어서, 실시예 2와 마찬가지로 유닛 U를 필름 확장 장치(200)로 반송한다. Then, the unit U as in the embodiment 2 will be conveyed to the film expanding device 200. 그리고, 필름 확장 장치(200)에 있어서, 유닛 U의 하측으로부터 확장 필름(19)의 이면(19b)에 압압부재(203)를 꽉 누르고, 또한, 이 압압부재(203)를 상승시킨다. Then, in the film expansion unit 200, from the lower side of the unit U holding tight the pressure member 203 on the back surface (19b) of the expansion film 19, and also, to raise the pressing member (203). 이에 의해 확장 필름(19)에 있어서의 가공 대상물(1)의 접촉 부분이 외측으로 확장 된다. Thereby the contact area of ​​the object 1 in the expansion film 19 is expanded outward. 이 확장 필름(19)의 확장에 수반하여, 가공 대상물(1) 내의 갈라짐(24)의 선단이 가공 대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하고, 가공 대상물(1)이 절단 예정 라인(5)을 따라 복수의 각 칩(25)으로 분할되어 각 칩(25)이 서로 이간하게 된다. Along with the expansion, the front face 3 and rear face reaches 21, the object 1 in the cracks 24 are the object 1 the front end of in the object 1 in the expansion film 19 is It is divided into a plurality of the chips 25 along the line along which the substrate should be cut 5 is the respective chips 25 are spaced apart from each other.

또한, 레이저 광 L2의 조사 조건에 따라서는, 레이저 광 L2의 조사시에 갈라짐(24)이 발생하지 않는 경우가 있다. In addition, depending on the irradiation condition of laser light L2 is, there is a case when the laser beam L2 irradiated cracks 24 do not occur. 이러한 경우이어도, 레이저 광 L2를 조사하지 않는 경우에 비하면, 확장 필름(19)의 확장에 의해, 가공 대상물(1)을 절단 예정 라인(5)을 따라 용이하게 한편 고정밀도로 분할할 수가 있다. May be such a case, compared with the case of not irradiating the laser light L2, it is possible to easily divide the other hand with high accuracy along the planned cutting the object 1 line 5 by the expansion of the expansion film 19.

이상의 실시예 3과 관련되는 레이저 가공 방법에 있어서는, 상술한 실시예 2와 관련되는 레이저 가공 방법과 마찬가지로 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)의 내부에 절단 기점 영역(8)을 형성할 수가 있다. In the laser processing method related to the above third embodiment, forming the starting point region for cutting 8 within the object 1 along the line along which the substrate should be cut (5) In the same manner as in the laser processing method according to the second embodiment described above It can be. 그리고, 가공 대상물(1)의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는(바람직하게는 비개질 영역에 비해 개질 영역(7)에 대해서 높은 흡수성을 가진다) 레이저 광 L2를 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)에 조사함으로써, 이러한 조사를 하지 않는 경우에 비해 작은 힘에 의해, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 갈라짐(24)을 가공 대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달시킬 수가 있다. Then, the processing according to the (modified region 7 is high and has the absorbent for the comparison in preferably non-modified region) is intended to be cut to the laser light L2 line (5) having a transmissivity to unmodified regions of the object 1 by irradiating the object 1, by a small force as compared with the case not such a survey, the starting point region for cutting (8) starting with a crack 24 is the back surface and the front face 3 of the object 1 (21 ) it can be reached. 따라서, 가공 대상물(1)이 고정된 확장 필름(19)을 보다 작은 힘으로 확장시킬 수가 있어 절단 예정 라인(5)을 따라 가공 대상물(1)을 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능하게 된다. Thus, to the object 1 it can be further extended to a small force expansion film 19 is fixed there with high precision cutting the object 1 along the line along which the substrate should be cut 5 is made possible. 또한, 이 확장 필름(19)을 확장시킴으로써, 각 칩(24)이 이간하게 되기 때문에, 절단 예정 라인(5)을 따른 가공 대상물(1)의 절단의 확실성을 한층 더 향상시킬 수가 있다. Further, by extension of the expansion film 19, since the respective chips 24 are spaced apart, it is possible to further improve the reliability of cutting the object 1 along the line along which the substrate should be cut 5.

본 발명은 상술한 실시예 1∼실시예 3에는 한정되지 않는다. The invention is not limited to the embodiment above-mentioned example 1 to example 3.

예를 들면, 가공 대상물(1)의 재료, 및 그 가공 대상물(1)의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 비개질 영역에 비해 개질 영역(7)에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광 L2의 종류로서는, 다음과 같은 것이 바람직하다. For example, the material of the object 1, and the object 1 ratio has the transmissivity to the modified region while the type of non than the modified region having a high absorption for the modified region 7, the laser beam L2 of as it is preferably as follows. 즉, 가공 대상물(1)이 실리콘 웨이퍼나 GaAs계 웨이퍼의 경우는, 레이저 광 L2로서 파장이 900nm∼1100nm의 레이저 광을 이용하는 것이 바람직하다. That is, when the object 1 is a silicon wafer or GaAs-based wafer, it is preferable to use a wavelength of the laser light of a laser light 900nm~1100nm L2. 구체적으로는, YAG 레이저(파장 1064nm)가 있다. Specifically, there is a YAG laser (wavelength 1064nm).

또, 레이저 광 L2의 조사에 의해 발생하는 갈라짐(24)을 가공 대상물(1)의 표면(3) 또는 이면(21)의 어느 쪽이든 한쪽에 도달시켜도 좋다. Further, the cracks 24 generated by irradiation with the laser light L2, either the front face 3 or rear face 21 of the object 1 may even reach to one side. 이러한 제어는 가공 대상물(1)의 두께 방향에 있어서의 중심 위치에서 표면(3) 또는 이면(21)의 어느 쪽이든 한쪽에 편의(偏倚)시켜 개질 영역(7)을 형성하는 것으로 가능하게 된다. This control is made possible by by convenience (偏倚) on either side of the front face 3 or rear face 21 in the central position in the thickness direction of the object (1) to form a modified region (7). 특히, 레이저 광 L2의 조사에 의해 갈라짐(24)을 가공 대상물(1)의 확장 필름(19) 측의 면에 도달시키면, 확장 필름(19)의 확장에 의한 가공 대상물(1)의 할단(割斷) 정밀도를 한층 더 향상시킬 수가 있다. In particular, haldan (割斷 of the object 1 due to the expansion of when cracks 24 by the irradiation of the laser beam L2 reaches the surface of the expansion film 19 side of the object (1), the expansion film 19 ) it can be further improved accuracy.

또한, 「가공 대상물(1)의 두께 방향에 있어서의 중심 위치로부터 가공 대상물(1)의 표면(3) 측에 편의(偏倚)시켜 개질 영역(7)을 형성한다」란, 절단 기점 영역(8)을 구성하는 개질 영역(7)이, 가공 대상물(1)의 두께 방향에 있어서의 두께의 반의 위치에서 표면(3) 측에 편의하여 형성되는 것을 의미한다. Further, "to convenience (偏倚) on the side of the front face 3 of the object 1 from the center position in the thickness direction of the object (1) to form a modified region 7" column, the starting point region for cutting (8 ) modified region 7 constituting the, and from the half thickness position in the thickness direction of the object (1) means that the formation by convenience to the side surface (3). 즉, 가공 대상물(1)의 두께 방향에 있어서의 개질 영역(7)의 폭의 중심 위치가, 가공 대상물(1)의 두께 방향에 있어서의 중심 위치에서 표면(3) 측에 편의하여 위치하고 있는 경우를 의미하고, 개질 영역(7)의 모든 부분이 가공 대상물(1)의 두께 방향에 있어서의 중심 위치에 대해서 표면(3) 측에 위치하고 있는 경우에만 한정하는 의미는 아니다. That is located, the width of the center position of the modified region 7 in the thickness direction of the object 1, the front face 3 from the center position convenience on the side in the thickness direction of the object (1) the means, and any portion of the modified region 7 is not meant to limit only the front face 3 is located in the side with respect to the center position in the thickness direction of the object (1). 가공 대상물(1)의 이면(21) 측에 편의(偏倚)시켜 개질 영역(7)을 형성하는 경우에 대해서도 마찬가지이다. To convenience (偏倚) on the side of the rear face 21 of the object 1. The same applies to the case of forming the modified region 7.

또, 상술한 레이저 광 L2의 집광점 P2의 위치는 가공 대상물(1)의 개질 영역(7) 내이었지만, 레이저 광 L2가 개질 영역(7)에 조사되면, 개질 영역(7)의 근방이어도 좋다. The position of light-converging point P2 of the above-mentioned laser light L2 is but within the modified region 7 in the object 1, when the laser light L2 irradiated to the modified region 7 may be a vicinity of the modified region 7 .

이상 설명한 것처럼, 본 발명과 관련되는 레이저 가공 방법에 의하면 절단 예정 라인을 따라 가공 대상물을 정밀도 좋게 절단할 수가 있다. As described above, the laser processing method according to the present invention can be cut accurately along the line along which the object to be processed.

Claims (30)

  1. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer shape by the laser beam, and form a modified region caused by multiphoton absorption within the object to be processed, and by the modified region along the line along which the object to be processed and the first step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the laser light incident face of the object to be processed,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하여, 상기 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. After the first step, has transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region laser beam having a high absorption with respect to the modified region in the modified regions, along the going of the cutting line the laser processing method characterized in that it comprises a second step of causing a stress in the portion which the object to be processed is cut.
  2. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 크랙 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width of the light-1μs or less at the object to be processed to form a modified region including a crack region in the interior, and by the modified region, the first forming the starting point region for cutting to a predetermined distance inward along the line along which the object to be processed from a laser light incident face of the object to be processed a step,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하여, 상기 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. After the first step, has transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region laser beam having a high absorption with respect to the modified region in the modified regions, along the going of the cutting line the laser processing method characterized in that it comprises a second step of causing a stress in the portion which the object to be processed is cut.
  3. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width of the light-1μs or less at the object to be processed forming the the inside modified region including a molten processed region, by a modified region, and along the line along which the object to be processed first to form a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the entrance face the laser light of the object to be processed and the first step,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하여, 상기 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. After the first step, has transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region laser beam having a high absorption with respect to the modified region in the modified regions, along the going of the cutting line the laser processing method characterized in that it comprises a second step of causing a stress in the portion which the object to be processed is cut.
  4. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1ns 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 굴절률이 변화한 영역인 굴절률 변화 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width of the light-1ns or less at the object to be processed inside to form a modified region including a refractive index change in a region of refractive index change region of the cut by the modified region, at a distance inside along the line along which the object to be processed from a laser light incident face of the object to be processed and the first step of forming a starting point region,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하여, 상기 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물이 절단되는 개소에 스트레스를 생기게 하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. After the first step, has transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region laser beam having a high absorption with respect to the modified region in the modified regions, along the going of the cutting line the laser processing method characterized in that it comprises a second step of causing a stress in the portion which the object to be processed is cut.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of the preceding claims,
    상기 제2 공정에서는, 상기 개질 영역에 집광점을 맞추어, 상기 제1 공정과 같은 레이저 광조사를 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. In the second process, the converging point in the above-mentioned modified region, the laser processing method characterized in that the laser light irradiation, such as the first step.
  6. 확장 가능한 보유부재의 표면에 고정된 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, Extended by examining the retention-converging point of laser light to match the inside of a wafer-like object to be processed in the fixed to the surface of the member, to form a modified region within the object to be processed, by the modified region, and the cutting of the object to be processed along the lines to be a step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the incident surface of laser light the object to be processed,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물을 절단하는 공정과, By irradiation of the step of forming the starting point region for cutting, the laser light having transmissivity to unmodified regions of the object to be processed in the above-mentioned modified region, and the step of cutting the object to be processed along the line along which,
    상기 가공 대상물을 절단하는 공정 후, 상기 보유부재를 확장시킴으로써, 절단된 상기 가공 대상물의 각각의 부분을 이간시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. By the step of cutting the object to be processed, expanding the holding member, the laser processing method characterized by comprising the step of separating the respective portions of the cut the object to be processed.
  7. 확장 가능한 보유부재의 표면에 고정된 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, Extended by examining the retention-converging point of laser light to match the inside of a wafer-like object to be processed in the fixed to the surface of the member, to form a modified region within the object to be processed, by the modified region, and the cutting of the object to be processed along the lines to be a step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the incident surface of laser light the object to be processed,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하는 공정과, After the step of forming the starting point region for cutting, the step of irradiating a laser light having a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed in the reforming region;
    상기 가공 대상물에 조사하는 공정 후, 상기 보유부재를 확장시킴으로써, 상기 가공 대상물을 절단하고, 한편 절단된 상기 가공 대상물의 각각의 부분을 이간시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The laser processing method characterized by comprising the step of by the step of irradiation to the object to be processed, expanding the holding member, and cutting the object to be processed, on the other hand separated from the respective portions of the cut the object to be processed.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 7. The method of claim 6 or 7,
    상기 가공 대상물은 반도체 재료에 의해 형성되고, 상기 개질 영역은 용융 처리 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The object to be processed is formed by a semiconductor material, the modified region is a laser processing method, characterized in that a molten processed region.
  9. 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역을 형성하고, 이 용융 처리 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, Converging point within a wafer-like object to be processed made of a semiconductor material is irradiated with laser light to form a molten processed region within the object to be processed, and, the laser beam incident on the object to be processed by a molten processed region surface a step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inwardly from,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. After the step of forming the starting point region for cutting, the laser processing method comprising: a step of irradiating a laser light having a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed in the above-mentioned modified region.
  10. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer shape by the laser beam, and form a modified region caused by multiphoton absorption within the object to be processed, and by the modified region along the line along which the object to be processed and the first step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the laser light incident face of the object to be processed,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 제2 공정을 구비하고, 상기 제2 공정에 의해 변화된 절단 기점 영역은 변화되기 이전의 절단 기점 영역에 비해 갈라짐을 발생시키기 쉬운 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. Change the first step and then, with a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region having a high absorption with respect to the above-mentioned modified region laser light in the modified region, the starting point region for cutting a second and a step, wherein the laser processing method according to claim easy to generate cracks compared to the previous starting point region for cutting to the changed starting point region for cutting is changed by a second step of.
  11. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 크랙 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width of the light-1μs or less at the object to be processed to form a modified region including a crack region in the interior, and by the modified region, the first forming the starting point region for cutting to a predetermined distance inward along the line along which the object to be processed from a laser light incident face of the object to be processed a step,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 제2 공정을 구비하고, 상기 제2 공정에 의해 변화된 절단 기점 영역은 변화되기 이전의 절단 기점 영역에 비해 갈라짐을 발생시키기 쉬운 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. Change the first step and then, with a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region having a high absorption with respect to the above-mentioned modified region laser light in the modified region, the starting point region for cutting a second and a step, wherein the laser processing method according to claim easy to generate cracks compared to the previous starting point region for cutting to the changed starting point region for cutting is changed by a second step of.
  12. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1μs 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width of the light-1μs or less at the object to be processed forming the the inside modified region including a molten processed region, by a modified region, and along the line along which the object to be processed first to form a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the entrance face the laser light of the object to be processed and the first step,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 제2 공정을 구비하고, 상기 제2 공정에 의해 변화된 절단 기점 영역은 변화되기 이전의 절단 기점 영역에 비해 갈라짐을 발생시키기 쉬운 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. Change the first step and then, with a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region having a high absorption with respect to the above-mentioned modified region laser light in the modified region, the starting point region for cutting a second and a step, wherein the laser processing method according to claim easy to generate cracks compared to the previous starting point region for cutting to the changed starting point region for cutting is changed by a second step of.
  13. 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어, 집광점에 있어서의 피크파워 밀도가 1×10 8 (W/㎠) 이상이고 한편 펄스폭이 1ns 이하인 조건으로 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 굴절률이 변화한 영역인 굴절률 변화 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 제1 공정과, Converging point within the object of the wafer-shaped, with a peak power density of the light-converging point 1 × 10 8 (W / ㎠ ) or more and while the pulse width of the light-1ns or less at the object to be processed inside to form a modified region including a refractive index change in a region of refractive index change region of the cut by the modified region, at a distance inside along the line along which the object to be processed from a laser light incident face of the object to be processed and the first step of forming a starting point region,
    상기 제1 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지고 한편 상기 비개질 영역에 비해 상기 개질 영역에 대해서 높은 흡수성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 제2 공정을 구비하고, 상기 제2 공정에 의해 변화된 절단 기점 영역은 변화되기 이전의 절단 기점 영역에 비해 갈라짐을 발생시키기 쉬운 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. Change the first step and then, with a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed while irradiated with compared to the non-modified region having a high absorption with respect to the above-mentioned modified region laser light in the modified region, the starting point region for cutting a second and a step, wherein the laser processing method according to claim easy to generate cracks compared to the previous starting point region for cutting to the changed starting point region for cutting is changed by a second step of.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, A method according to any one of claims 10 to 13,
    상기 제2 공정에서는, 상기 개질 영역에 집광점을 맞추어, 상기 제1 공정과 같은 레이저 광 조사를 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. In the second process, the converging point in the above-mentioned modified region, the laser processing method characterized in that the laser light irradiation, such as the first step.
  15. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, A method according to any one of claims 10 to 13,
    상기 제1 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 제2 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 동일한 레이저 광원에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. Laser processing method according to claim generated by the laser light irradiated in the first step, the second step the same laser light source, laser light is irradiated in the.
  16. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, A method according to any one of claims 10 to 13,
    상기 제1 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 제2 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 펄스 레이저 광이고, 동일한 레이저 광원에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The laser processing method, characterized in that the laser light is irradiated in the first step, in which the first laser light is irradiated in the second step, a pulse laser light, generated by the same laser light source.
  17. 확장 가능한 보유부재의 표면에 고정된 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, Extended by examining the retention-converging point of laser light to match the inside of a wafer-like object to be processed in the fixed to the surface of the member, to form a modified region within the object to be processed, by the modified region, and the cutting of the object to be processed along the lines to be a step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the incident surface of laser light the object to be processed,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 기점 영역을 변화시켜, 상기 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물을 절단하는 공정과, After the step of forming the starting point region for cutting, by irradiating a laser light having a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed in the above-mentioned modified region, by changing the starting point region for cutting, the object to be processed along the line along which the material is to be a step of cutting and,
    상기 가공 대상물을 절단하는 공정 후, 상기 보유부재를 확장시킴으로써, 절단된 상기 가공 대상물의 각각의 부분을 이간시키는 공정을 구비하고, By the step of cutting the object to be processed, expanding the holding member, and a step of separating the respective portions of the cut the object to be processed,
    상기 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하는 것에 의해 변화된 절단 기점 영역은 변화되기 이전의 절단 기점 영역에 비해 갈라짐을 발생시키기 쉬운 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The laser processing method for a laser light having transmissivity to the non-modified region, wherein easy to generate cracks compared to the previous starting point region for cutting to the changed starting point region for cutting is changed by irradiating the above-mentioned modified region.
  18. 제17항에 있어서, 18. The method of claim 17,
    상기 가공 대상물을 절단하는 공정에서는, 상기 개질 영역에 집광점을 맞추어, 상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정과 같은 레이저 광 조사를 하는 것을 특징으로 레이저 가공 방법. In the step of cutting the object to be processed, converging point in the above-mentioned modified region, the laser processing method is characterized in that the laser beam, such as a step of forming the starting point region for cutting.
  19. 제17항에 있어서, 18. The method of claim 17,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 가공 대상물을 절단하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 동일한 레이저 광원에 의해 발생하게 하는 것을 특징으로 레이저 가공 방법. And the laser light irradiated in the step of forming the starting point region for cutting, the laser light is irradiated in the step of cutting the object to be processed, the laser processing method characterized in that it occurs by the same laser light source.
  20. 제17항에 있어서, 18. The method of claim 17,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 가공 대상물을 절단하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 펄스 레이저 광이고, 동일한 레이저 광원에 의해 발생하게 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. And the laser light irradiated in the step of forming the starting point region for cutting, the laser light is irradiated in the step of cutting the object to be processed, the laser processing, characterized in that a pulsed laser light, to be generated by the same laser light source, Way.
  21. 제17항에 있어서, 18. The method of claim 17,
    상기 가공 대상물은 반도체 재료에 의해 형성되고, 상기 개질 영역은 용융 처리 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The object to be processed is formed by a semiconductor material, the modified region is a laser processing method, characterized in that a molten processed region.
  22. 확장 가능한 보유부재의 표면에 고정된 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, Extended by examining the retention-converging point of laser light to match the inside of a wafer-like object to be processed in the fixed to the surface of the member, to form a modified region within the object to be processed, by the modified region, and the cutting of the object to be processed along the lines to be a step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inside from the incident surface of laser light the object to be processed,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정과, After the step of forming the starting point region for cutting, by irradiating a laser light having a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed in the above-mentioned modified region, and the step of changing the starting point region for cutting,
    상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정 후, 상기 보유부재를 확장시킴으로써, 상기 가공 대상물을 절단하고, 한편 절단된 상기 가공 대상물의 각각의 부분을 이간시키는 공정을 구비하고, By after the step of changing the starting point region for cutting, expanding the holding member, and a step of cutting the object to be processed, while the separated portion of each of the cut the object to be processed,
    상기 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하는 것에 의해 변화된 절단 기점 영역은 변화되기 이전의 절단 기점 영역에 비해 갈라짐을 발생시키기 쉬운 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The laser processing method for a laser light having transmissivity to the non-modified region, wherein easy to generate cracks compared to the previous starting point region for cutting to the changed starting point region for cutting is changed by irradiating the above-mentioned modified region.
  23. 제22항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정에서는, 상기 개질 영역에 집광점을 맞추어, 상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정과 같은 레이저 광 조사를 하는 것을 특징으로 레이저 가공 방법. The step of changing the starting point region for cutting, converging point in the above-mentioned modified region, the laser processing method is characterized in that the laser beam, such as a step of forming the starting point region for cutting.
  24. 제22항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 동일한 레이저 광원에 의해 발생하게 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The laser processing method characterized in that the generation by the laser light irradiated in the step of forming the starting point region for cutting, the starting point region for cutting the same laser light source process laser light is irradiated in changing the.
  25. 제22항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 펄스 레이저 광이고, 동일한 레이저 광원에 의해 발생하게 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. And the laser light irradiated in the step of forming the starting point region for cutting, the laser light is irradiated in the step of changing the starting point region for cutting, the laser, characterized in that a pulsed laser light, to be generated by the same laser light source, how machining.
  26. 제22항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 가공 대상물은 반도체 재료에 의해 형성되고, 상기 개질 영역은 용융 처리 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The object to be processed is formed by a semiconductor material, the modified region is a laser processing method, characterized in that a molten processed region.
  27. 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼 형상의 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하여, 상기 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역을 형성하고, 이 용융 처리 영역에 의해, 상기 가공 대상물의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, Converging point within a wafer-like object to be processed made of a semiconductor material is irradiated with laser light to form a molten processed region within the object to be processed, and, the laser beam incident on the object to be processed by a molten processed region surface a step of forming a starting point region for cutting to a predetermined distance inwardly from,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 가공 대상물의 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사함으로써, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정을 구비하고, After the step of forming the starting point region for cutting, by irradiating a laser light having a transmissivity to unmodified regions of the object to be processed in the above-mentioned modified region, and a step of changing the starting point region for cutting,
    상기 비개질 영역에 대해서 투과성을 가지는 레이저 광을 상기 개질 영역에 조사하는 것에 의해 변화된 절단 기점 영역은 변화되기 이전의 절단 기점 영역에 비해 갈라짐을 발생시키기 쉬운 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The laser processing method for a laser light having transmissivity to the non-modified region, wherein easy to generate cracks compared to the previous starting point region for cutting to the changed starting point region for cutting is changed by irradiating the above-mentioned modified region.
  28. 제27항에 있어서, 28. The method of claim 27,
    상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정에서는, 상기 개질 영역에 집광점을 맞추어, 상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정과 같은 레이저 광 조사를 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The step of changing the starting point region for cutting, converging point in the above-mentioned modified region, the laser processing method characterized in that the laser beam, such as a step of forming the starting point region for cutting.
  29. 제27항에 있어서, 28. The method of claim 27,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 동일한 레이저 광원에 의해 발생하게 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. The laser processing method characterized in that the generation by the laser light irradiated in the step of forming the starting point region for cutting, the starting point region for cutting the same laser light source process laser light is irradiated in changing the.
  30. 제27항에 있어서, 28. The method of claim 27,
    상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광과, 상기 절단 기점 영역을 변화시키는 공정에 있어서 조사되는 레이저 광은, 펄스 레이저 광이고, 동일한 레이저 광원에 의해 발생하게 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. And the laser light irradiated in the step of forming the starting point region for cutting, the laser light is irradiated in the step of changing the starting point region for cutting, the laser, characterized in that a pulsed laser light, to be generated by the same laser light source, how machining.
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WO2002022301A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method and laser beam machining device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5968382A (en) 1995-07-14 1999-10-19 Hitachi, Ltd. Laser cleavage cutting method and system
WO2002022301A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method and laser beam machining device
JP2001127015A (en) * 2000-11-15 2001-05-11 Nec Machinery Corp Expander for wafer sheet

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