KR100751334B1 - OLED and method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 애노드전극을 공통적으로 연결시켜 주는 쇼트바에 양의 전압을 인가하여 플라즈마 처리시 오존이온이 애노드전극에 보다 강한 힘으로 충격을 주도록 하여 줌으로써, 애노드전극의 특성을 향상시킬 수 있는 유기발광소자 및 그의 제조방법을 개시한다.The present invention provides an organic light emitting device that can improve the characteristics of the anode electrode by applying a positive voltage to the short bar that commonly connects the anode electrode to the ozone ion to impact the anode electrode with a stronger force during the plasma treatment And a preparation method thereof.
본 발명의 유기발광소자의 제조방법은 다수의 유기발광부를 구비하는 원판을 제공하는 단계와; 상기 다수의 유기발광부에, 다수의 제1전극과, 상기 제1전극에 소정의 신호를 제공하기 위한 다수의 전극단자부와, 다수의 전극단자부를 통전시켜 주기위한 쇼트바를 형성하는 단계와; 상기 제1전극에 소정의 전압을 제공하는 단계와; 제1전극에 인가된 전압에 의해 제1전극의 표면만을 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 단계와; 기판상에 발광층을 구비한 유기막을 형성하는 단계와; 기판상에 다수의 제2전극을 형성하는 단계와; 상기 다수의 봉지수단을 이용하여 상기 다수의 유기 발광부를 각각 밀봉시키는 단계와; 원판을 절단하는 단계를 구비한다.Method of manufacturing an organic light emitting device of the present invention comprises the steps of providing a disk having a plurality of organic light emitting unit; Forming a plurality of first electrodes, a plurality of electrode terminal portions for providing a predetermined signal to the first electrodes, and short bars for energizing the plurality of electrode terminals; Providing a predetermined voltage to the first electrode; Surface-treating only the surface of the first electrode using plasma by a voltage applied to the first electrode; Forming an organic film having a light emitting layer on the substrate; Forming a plurality of second electrodes on the substrate; Sealing each of the plurality of organic light emitting units by using the plurality of encapsulation means; Cutting the disc.
Description
도 1은 종래의 유기전계 발광소자의 플라즈마 처리공정을 설명하기 위한 평면도,1 is a plan view for explaining a plasma processing process of a conventional organic electroluminescent device;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자용 기판의 개략적인 사시도,2 is a schematic perspective view of a substrate for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 평면도,3A is a plan view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 단면도,3B is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 플라즈마 처리공정을 설명하기 위한 평면도,4 is a plan view for explaining a plasma processing process of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;
도 5a는 종래의 유기전계 발광소자에 있어서, 플라즈마 표면처리 전과 후의 특성도,5A is a characteristic diagram before and after plasma surface treatment in a conventional organic light emitting device,
도 5b는 본 발명의 유기전계 발광소자에 있어서, 플라즈마 표면처리 전과 후의 특성도,5B is a view showing characteristics before and after plasma surface treatment in the organic EL device of the present invention;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 유기전계 발광소자용 기판 110 : 원판100: substrate for the organic EL device 110: disc
120 : 애노드전극 125 : 애노드 전극단자부120: anode electrode 125: anode electrode terminal portion
130 : 유기막층 140 : 캐소드전극130: organic layer 140: cathode electrode
145 : 캐소드 전극단자부 150 ; 봉지기판145: cathode
127 : 쇼트 바 127: Short Bar
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 애노드전극을 공통적으로 연결하는 쇼트바에 양의 전압을 인가하여 플라즈마 처리시 오존이온이 애노드전극에 보다 강한 힘으로 충격을 주도록 하여 줌으로써, 애노드전극의 특성을 개선할 수 있는 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, by applying a positive voltage to a short bar that commonly connects the anode electrode to allow ozone ions to impact the anode electrode with a stronger force during plasma treatment, thereby providing an anode. The present invention relates to an organic light emitting device capable of improving the characteristics of an electrode, and a method of manufacturing the same.
유기전계 발광소자는 기판상에 서로 일정간격을 두고 일방향으로 배열되는 애노드전극과, 상기 애노드전극과 교차하도록 서로 일정간격을 두고 배열되는 캐소드전극 및 애노드전극과 캐소드전극사이에 개재된 유기발광층을 구비하며, 애노드전극과 캐소드전극에 제공되는 전압에 따라 두 전극사이의 유기발광층으로 광이 발광되는 자발광소자이다.The organic light emitting device includes an anode electrode arranged in one direction at a predetermined interval on a substrate, a cathode electrode arranged at a predetermined interval to intersect the anode electrode, and an organic light emitting layer interposed between the anode electrode and the cathode electrode. The light emitting device is a light emitting device in which light is emitted to an organic light emitting layer between two electrodes according to a voltage provided to an anode electrode and a cathode electrode.
자발광소자인 유기전계 발광소자는 해상도와 내충격성이 우수하고 풀칼라를 구현할 수 있는 등의 장점을 가지고 있어서 표시소자로서 널리 이용되고 있다. 이러한 유기전계 발광소자에서 요구되는 가장 중요한 요소중 하나는 발광효율과 장수명화이다. 유기전계 발광소자의 발광층으로부터 발광되는 광의 발광효율은 애노드전극과 애노드전극상에 형성되는 유기막층간의 계면특성에 크게 의존하고, 발광효 율은 소자의 수명에 영향을 미친다. The organic light emitting device, which is a self-light emitting device, is widely used as a display device because of its advantages such as excellent resolution, impact resistance, and full color. One of the most important elements required in such an organic light emitting device is luminous efficiency and long life. The luminous efficiency of the light emitted from the light emitting layer of the organic light emitting device is highly dependent on the interface characteristics between the anode electrode and the organic film layer formed on the anode electrode, the luminous efficacy affects the life of the device.
이러한 유기전계 발광소자의 발광효율을 향상시키기 위한 다양한 방법이 시도되고 있다. 발광효율을 증대시키는 방법중 하나는 애노드전극으로 사용되는 ITO 막의 일함수를 증가시켜 유기 발광층으로의 캐리어 주입을 증가시키는 것이다. 이러한 ITO 막의 일함수를 증가시키는 방법중의 하나는 애노드전극의 표면을 표면처리하는 것이다.Various methods for improving the luminous efficiency of the organic light emitting device have been tried. One method of increasing the luminous efficiency is to increase the work function of the ITO film used as the anode electrode to increase the carrier injection into the organic light emitting layer. One of the methods of increasing the work function of such an ITO film is to surface-treat the surface of the anode electrode.
국내공개특허 제2001-0057125호에는 ITO 막의 표면을 SF 플라즈마로 처리하는 유기발광소자의 제조방법이 개시되었다. 즉 국내특허의 유기발광소자의 제조방법은 기판상에 애노드전극으로 ITO막을 형성한 다음 ITO 막의 표면을 세척하는 단계; 세척된 ITO 막의 표면을 SF 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 단계; ITO 막상에 발광층을 형성하는 단계; 음극을 형성하는 단계를 구비하여, 애노드전극의 일함수를 증가시켜 애노드전극으로부터 발광층으로의 정공주입을 용이하게 하여 소자의 효율을 향상시키는 기술이다.Korean Patent Publication No. 2001-0057125 discloses a method of manufacturing an organic light emitting device for treating the surface of the ITO film by SF plasma. That is, the method of manufacturing an organic light emitting device of the domestic patent comprises forming an ITO film with an anode electrode on a substrate and then cleaning the surface of the ITO film; Surface treating the washed ITO film using SF plasma; Forming a light emitting layer on the ITO film; It is a technique for improving the efficiency of the device by providing a cathode, thereby increasing the work function of the anode electrode to facilitate the injection of holes from the anode electrode to the light emitting layer.
한편, 일본공개특허 2000-133466호에는 산소이온 또는 전자를 이용하여 ITO막을 표면처리하여 애노드전극과 유기막층간의 계면특성을 향상시킨 전하주입형 발광소자가 개시되었다.On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-133466 discloses a charge injection type light emitting device in which an interface between an anode electrode and an organic film layer is improved by surface treatment of an ITO film using oxygen ions or electrons.
즉, 기판상에 애노드전극으로 ITO 막을 형성하는 단계; 산소플라즈마를 발생하여 ITO 막의 표면을 표면처리하는 단계; 발광층을 형성하는 단계; 캐소드전극을 형성하는 단계를 포함하여, ITO 의 표면을 개질하여 ITO 막의 일함수를 증가시켜 소자의 효율을 증대시키는 기술이다.That is, forming an ITO film as an anode electrode on the substrate; Generating an oxygen plasma to surface treat the surface of the ITO film; Forming a light emitting layer; It is a technique for increasing the efficiency of the device by modifying the surface of the ITO to increase the work function of the ITO film, including forming a cathode electrode.
도 1은 종래의 애노드전극인 ITO 막을 플라즈마 처리하는 방법을 설명하기 위한 유기발광소자의 평면도를 개략적으로 도시한 것이다. FIG. 1 schematically illustrates a plan view of an organic light emitting device for explaining a method of plasma treating an ITO film, which is a conventional anode electrode.
도 1을 참조하면, 유기발광소자(10)는 기판상에 일방향으로 배열되는 다수의 제1전극(20)을 구비하고, 상기 다수의 제1전극(20)사이에는 절연막(23)이 배열된다. 상기 다수의 제1전극(20)에 소정의 신호를 제공하기 위한 제1전극단자부(25)가 배열되며, 제1전극단자부(25)는 쇼트바(27)에 의해 서로 연결되어 통전되도록 구성된다.Referring to FIG. 1, the organic
도면상에는 도시되지 않았으나, 상기 제1전극(20)과 교차하는 다수의 제2전극이 배열되고, 상기 제1전극(20)과 제2전극사이에는 발광층을 구비하는 유기막층이 개재된다. Although not shown in the drawing, a plurality of second electrodes intersecting with the first electrode 20 are arranged, and an organic film layer including an emission layer is interposed between the first electrode 20 and the second electrode.
종래에는 산소를 플라즈마 상태로 만들어 오존(O3-) (15)을 만들고, 오존(O3-) (15)을 기판상에 균일하게 뿌려 줌으로써 제1전극(20)을 구성하는 ITO 패턴의 표면에 부착된 파티클 등을 제거하고 ITO 패턴의 표면에 활성산소 즉, 오존(O3-) (15)을 주입하였다.Attached to the surface of the ITO pattern constituting 15 to first electrode 20 by giving sprayed uniformly on the substrate prior art, ozone (O3 - -) made of oxygen into a plasma state to create a 15, ozone (O3) Particles, etc., were removed, and active oxygen, that is, ozone (O 3 − ) 15 was injected to the surface of the ITO pattern.
그러므로, 종래와 같은 방법으로 플라즈마 처리를 수행한 경우에는, 도 5a 에 도시된 바와같이 표면처리를 하지 않은 순수 ITO 패턴에 비하여 O2 플라즈마를 이용하여 표면처리된 ITO 패턴의 정공주입효율이 향상됨을 알 수 있다. Therefore, when the plasma treatment is performed in the same manner as the conventional method, as shown in FIG. 5A, the hole injection efficiency of the ITO pattern surface-treated using O2 plasma is improved as compared to the pure ITO pattern without the surface treatment. Can be.
그러나, 종래의 O2 플라즈마를 이용한 표면처리방법은 유기발광소자를 장시간 사용하는 경우에는 산소가 분해되면서 산소농도가 낮아지고 정공주입효율이 표 면처리를 하지않은 경우보다 낮아짐을 알 수 있다. 이에 따라 유기발광소자의 휘도가 낮아지고 수명이 짧아지는 문제점이 있었다.However, the surface treatment method using the conventional O2 plasma can be seen that when the organic light emitting device is used for a long time, the oxygen concentration is lowered while oxygen is decomposed and the hole injection efficiency is lower than that without the surface treatment. Accordingly, there is a problem that the luminance of the organic light emitting device is lowered and the lifespan is shortened.
또한 종래의 플라즈마 처리방법은 제1전극인 ITO 패턴 뿐만 아니라 ITO 패턴사이에 배열된 절연막의 표면도 오존(O3-)과 접촉하게 되고, 이로 인하여 절연막의 표면에 물리적인 거칠기를 발생하게 된다. In addition, in the conventional plasma processing method, not only the ITO pattern which is the first electrode, but also the surface of the insulating film arranged between the ITO patterns is in contact with ozone (O3 − ), thereby causing physical roughness on the surface of the insulating film.
이러한 절연막의 표면거칠기는 후속공정에서 형성되는 Al으로 된 제2전극의 성막시 그레인이 거칠게 되어 절연막과 제2전극간에 계면산화막을 쉽게 형성하게 된다. 절연막과 제2전극의 계면에 형성되는 산화막은 제2전극을 수축시키거나 또는 소자를 열화시키는 문제점이 있었다.The surface roughness of the insulating film becomes rough when grains of the second electrode made of Al formed in a subsequent process become rough, thereby easily forming an interfacial oxide film between the insulating film and the second electrode. The oxide film formed at the interface between the insulating film and the second electrode has a problem of shrinking the second electrode or deteriorating the device.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 애노드전극인 ITO 패턴에 소정의 전압을 인가한 다음 표면처리를 수행하여 줌으로써 휘도 및 수명을 개선할 수 있는 유기발광소자 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, the organic light emitting device that can improve the brightness and life by applying a predetermined voltage to the ITO pattern of the anode electrode and then performing a surface treatment and its manufacture The purpose is to provide a method.
또한, 본 발명의 다른 목적은 애노드전극인 ITO 패턴에 소정의 전압을 인가한 다음 표면처리를 수행하여 줌으로써 절연막의 표면에 물리적인 거칠기가 발생되는 것을 억제하여 소자의 열화를 방지할 수 있는 유기발광소자 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to apply a predetermined voltage to the ITO pattern of the anode electrode and then perform a surface treatment to suppress the occurrence of physical roughness on the surface of the insulating film to prevent degradation of the organic light emitting device It is to provide an element and a method of manufacturing the same.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다수의 유기발광부를 구비하는 원판을 제공하는 단계와; 상기 다수의 유기발광부에, 다수의 제1전극과, 상기 제1전극에 소정의 신호를 제공하기 위한 다수의 전극단자부와, 다수의 전극단자부를 통전시켜 주기위한 쇼트바를 형성하는 단계와; 상기 제1전극에 소정의 전압을 제공하는 단계와; 제1전극에 인가된 전압에 의해 제1전극의 표면만을 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 단계와; 기판상에 발광층을 구비한 유기막을 형성하는 단계와; 기판상에 다수의 제2전극을 형성하는 단계와; 상기 다수의 봉지수단을 이용하여 상기 다수의 유기 발광부를 각각 밀봉시키는 단계와; 원판을 절단하는 단계를 구비하는 유기발광소자의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of providing a disk having a plurality of organic light emitting unit; Forming a plurality of first electrodes, a plurality of electrode terminal portions for providing a predetermined signal to the first electrodes, and short bars for energizing the plurality of electrode terminals; Providing a predetermined voltage to the first electrode; Surface-treating only the surface of the first electrode using plasma by a voltage applied to the first electrode; Forming an organic film having a light emitting layer on the substrate; Forming a plurality of second electrodes on the substrate; Sealing each of the plurality of organic light emitting units by using the plurality of encapsulation means; It provides a method for producing an organic light emitting device comprising the step of cutting the disc.
상기 제1전극은 ITO 패턴을 포함하며, 상기 제1전극에는 쇼트바를 통해 소정레벨의 양의 전압이 인가된다. The first electrode includes an ITO pattern, and a positive voltage of a predetermined level is applied to the first electrode through a short bar.
상기 제1전극에 인가되는 전압은 0.1kV 내지 10kV 의 범위를 갖는 것을 특징으로 한다.The voltage applied to the first electrode is characterized in that it has a range of 0.1kV to 10kV.
상기 표면처리단계는 O2 플라즈마를 이용하여, 제1전극에 인가되는 양의 전압에 의해 ITO 패턴의 표면에만 O3- 이온을 가속 주입한다. In the surface treatment step, O 3 − ions are accelerated and injected only into the surface of the ITO pattern by a positive voltage applied to the first electrode using an O 2 plasma.
또한, 본 발명은 기판상에 형성되고, 이들사이에 절연막이 개재된 다수의 제1전극과; 상기 제1전극과 교차하도록 배열되는 다수의 제2전극과; 제1전극과 제2전극사이에 개재된 유기막층을 구비하며, 상기 제1전극은 ITO 패턴을 포함하며, 상기 제1전극의 ITO 패턴의 표면만 O2 플라즈마 표면처리된 유기발광소자를 제공하는 것 을 특징으로 한다.In addition, the present invention includes a plurality of first electrodes formed on a substrate, with an insulating film interposed therebetween; A plurality of second electrodes arranged to intersect the first electrode; Providing an organic light emitting device having an organic layer interposed between a first electrode and a second electrode, wherein the first electrode includes an ITO pattern, and the surface of the ITO pattern of the first electrode is O 2 plasma; It is characterized by.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자용 기판의 부분 사시도를 도시한 것이다.2 is a partial perspective view of a substrate for an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유기전계 발광소자용 기판(100)은 단일의 큰 원판(mother board) (110)이 제공된다. 상기 원판(110)은 유리기판 또는 플라스틱기판 등을 포함한다. 상기 원판(110)은 다수의 유기발광부(도 3a의 105)를 구비한다. Referring to FIG. 2, the
상기 원판(110)의 유기발광부(105)에는 유기발광소자(101)가 각각 배열되며, 각 유기발광소자(101)는 도 3a에 도시된 바와같이 다수의 제1전극(120)과 다수의 제2전극(140)을 구비한다. 상기 유기발광부(105)는 밀봉재(도 3b의 170)를 이용하여 봉지수단(150)에 의해 봉지되어진다. 상기 봉지수단(150)은 유리기판, 플라스틱 기판 또는 메탈캡 등을 포함한다.Organic
봉지수단(150)의 일측 가장자리에는 상기 제1전극(120)에 연결되어 제1전극(120)에 소정의 전압, 예를 들어 양의 전압을 제공하기 위한 다수의 제1전극단자부(125)가 인출되고, 봉지수단(150)의 다른 가장자리에는 상기 제2전극(140)에 연결되어 제2전극(140)에 소정의 전압, 예를 들어 음의 전압을 제공하기 위한 다수의 제2전극단자부(145)가 인출된다. A plurality of
본 발명의 실시예에서는 상기 제1전극단자부(125)와 제2전극단자부(145)가 각각 봉지수단(150)의 서로 다른 일측 가장자리로부터 인출되도록 구성되었으나, 제1전극단자부(125)와 제2전극단자부(145)가 동시에 일측 가장자리로부터 인출되도 록 구성될 수도 있다.In the embodiment of the present invention, the first
이때, 상기 제1전극단자부(125)와 제2전극단자부(145)는 후속의 테스트공정에서의 테스트나 에이징을 위하여 쇼트바(127)에 의해 통전되도록 연결구성된다. 통전된 제1전극단자부(125)와 제2전극단자부(145)는 후속의 절단공정에서 절단선(scribe line) (181), (185)을 따라 원판을 절단하여 유기전계 발광소자(101)가 개별소자로 만들어질 때, 개별적으로 분리되어진다.In this case, the first
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적인 평면도를 도시한 것이고, 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 도 3b는 도 3a의 III-III 선에 따른 유기발광소자(101)의 단면도이다.3A illustrates a schematic plan view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B illustrates a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention. 3B is a cross-sectional view of the organic
유기전계 발광소자(101)는 원판(110)의 유기발광부(105)에 일방향으로 서로 일정간격을 두고 배열되는 애노드전극인 다수의 제1전극(120)과, 상기 제1전극(120)과 교차하도록 유기발광부(105)에 서로 일정간격을 두고 배열되는 캐소드전극인 다수의 제2전극(140)을 구비한다. 상기 제1전극(120)은 ITO 막을 포함하고, 제2전극은 Al 막을 포함한다.The organic
상기 제1전극(120)과 제2전극(140)사이에는 발광층을 포함하는 유기막층(130)이 개재된다. 상기 유기막층(130)은 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 전자주입층 및 전자수송층, 정공억제층으로부터 선택되는 유기막을 포함한다. An
상기 유기발광부(101)의 외곽부(111)에는 봉지기판(150)의 일측 가장자리로부터 인출되는 다수의 제1전극단자부(125)와 봉지기판(150)의 다른 일측 가장자리로부터 인출되는 다수의 제2전극단자부(145)가 배열된다. 상기 제1전극단자부(125) 는 유기발광부(101)에 배열되는 다수의 제1전극(120)에 각각 연결되고, 또한 제2전극단자부(145)는 유기발광부(101)에 배열되는 다수의 제2전극(140)에 각각 연결된다.In the
상기 제1전극단자부(125)는 일 예로서 제1전극(120)을 구성하는 ITO 패턴(121)과 Cr 등과 같은 금속패턴(122)의 적층구조를 갖으며, 제2전극단자부(145)도 도면상에는 도시되지 않았으나 제1전극(120)을 구성하는 ITO 패턴과 Cr 등과 같은 금속패턴의 적층구조를 갖는다.As an example, the
상기 유기발광부(105)는 밀봉재(170)에 의해 봉지수단(150)으로 봉지된다. 도면상에는 도시되지 않았으나, 상기 봉지수단(150)의 내측 면에는 흡습제를 구비할 수도 있다.The organic
상기한 바와같은 구성을 갖는 본 발명의 유기발광소자용 기판을 제작하는 방법과 이를 이용하여 유기발광소자를 제조하는 방법을 도2, 도 3a 및 도 3b 그리고 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The method of manufacturing the substrate for an organic light emitting device of the present invention having the configuration as described above and the method of manufacturing the organic light emitting device using the same will be described with reference to FIGS. 2, 3A, 3B and 4 as follows. .
먼저, 다수의 유기전계 발광소자를 제조하게 될 큰 원판(110)을 준비한다. 상기 원판(110)으로 유리기판 또는 플라스틱기판으로 된 기판을 사용한다. 상기 원판(110)은 다수의 유기발광부(105)를 구비한다.First, a
이어서, 원판(110)상에 투명도전막, 예를 들어 ITO막을 증착한 다음 사진식각법을 통해 패터닝하여 ITO 패턴으로 된 다수의 제1전극(120)을 일방향으로 배열되도록 형성한다. 상기 제1전극(120)은 애노드전극으로 작용한다.Subsequently, a transparent conductive film, for example, an ITO film, is deposited on the
제1전극(120)을 형성할 때, 원판(110)중 유기발광부(105)의 외곽부(111)에는 제1전극(120)에 연결되는 다수의 제1전극단자부(125)을 형성함과 동시에 후속공정서 형성될 제2전극(140)에 연결되는 제2전극단자부(145)를 형성한다. When the
이때, 제1전극단자부(125)는 ITO 패턴(121)과 Cr 과 같은 금속패턴(122)의 적층구조를 갖으며, 쇼트바(127)에 의해 통전되도록 형성된다. 제2전극단자부(145)도 마찬가지로 ITO 패턴과 Cr 패턴을 구비한다.In this case, the
이어서, 원판(110)의 제1전극(120)사이에 절연막(123)을 형성한 다음 상기 제1전극(120)인 ITO 패턴의 표면에 대한 플라즈마 처리를 한다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이 쇼트바(127)에 의해 서로 통전되어 있는 제1전극단자부(125)를 통해 소정의 레벨, 예를 들어 0.1kV 내지 10kV 의 범위내의 양의 전압을 제1전극(120)에 인가한다.Subsequently, an insulating
제1전극(120)에 양의 전압을 인가한 다음, 산소를 플라즈마상태로 만들어 오존(O3-) (115)를 형성한다. 음전하를 띠고 있는 오존(O3-) (115)은 양의 전압이 인가된 제1전극(115)의 표면으로 가속된다. 즉, 음전하를 띠고 있는 오존(O3-) (115)은 절연막(123)의 표면으로는 가속되지 않고 전기력에 의해 제1전극(120)의 표면으로만 가속되고, 이에 따라 제1전극(120)의 표면에만 오존(O3-) (115)이 주입되어 산소의 농도가 도 5b에 도시된 바와같이 증대된다.After applying a positive voltage to the
본 발명의 O2 플라즈마를 이용한 제1전극의 표면처리방법은 제1전극(120)의 표면에서 산소의 농도를 집중적으로 증가시키고, 증가된 산소의 농도는 후속공정에서 형성되는 유기발광층과의 계면특성을 향상시켜 휘도를 증가시키게 되고, 유기발 광소자의 수명을 향상시키게 된다.The surface treatment method of the first electrode using the O2 plasma of the present invention intensively increases the concentration of oxygen on the surface of the
또한, 본 발명의 표면처리방법은 도 4에 도시된 바와같이 오존(O3-) (115)이 제1전극(120)의 표면에만 부딪치도록 제1전극(120)에 쇼트바(127)를 통해 양의 전압을 인가하여 줌으로써, 절연막(123)의 표면에는 오존(O3-) (115)이 부딪치지 않게 된다. 따라서, 절연막(123)의 표면에 물리적인 표면거칠기가 형성되지 않게 되고, 후속의 Al으로 된 제2전극(140) 형성시 절연막(123)과 제2전극(140)의 계면에서의 산화막의 형성이 억제된다.In addition, in the surface treatment method of the present invention, as shown in FIG. 4, the
제1전극의 표면을 플라즈마 처리한 다음 통상적인 방법으로 유기막층(130)을 형성한 다음 상기 제1전극(120)과 교차하도록 배열되는 제2전극(140)을 형성한다. 이때, 제2전극(140)은 금속막, 예를 들어 Al 막을 포함하며, 제2전극단자부(145)와 연결되도록 형성된다. 이때, 제2전극단자부(145)도 마찬가지로 도 2에 도시된 바와같이 쇼트바에 의해 통전되도록 연결구성된다.The surface of the first electrode is plasma treated, and then the
이어서, 유기발광부(105)의 주변부에 밀봉제(170)를 도포한 다음 상기 밀봉제(170)에 의해 상기 유기발광부(105)를 봉지수단(150)으로 밀봉시켜 준다. 상기 봉지수단(150)은 유기발광부(105)의 주변부의 밀봉제(170)에 의해 원판(110)과 접착되어 유기발광부(105)를 보호하게 된다. Subsequently, the
봉지수단(150)으로 봉지한 다음, 절단선(181), (185)을 따라 원판(110)을 절단하여 유기발광소자(101)를 제작한다. 이때, 도 1에서와 같이 상기 제1전극단자부(125)와 제2전극단자부(145)도 절단되어 통전된 형태에서 서로 분리되어진다. After encapsulation with the sealing means 150, the
본 발명의 실시예에서는 유기발광소자의 애노드전극으로 사용되는 ITO 패턴에 전압을 인가하여 O2 플라즈마 표면처리를 실시하는 것을 예시하였으나, 이에 반드시 한정되는 것이 아니라 ITO 패턴을 전극으로 이용하는 표시소자에서 ITO 패턴에 전압을 인가하여 O2 플라즈마 표면처리를 수행하여 줌으로써 ITO 패턴의 표면에 부착된 파티클 등을 제거하고, ITO 패턴의 일함수를 증가시키는 것도 가능하다. In the exemplary embodiment of the present invention, the surface treatment of the O2 plasma is applied by applying a voltage to the ITO pattern used as the anode electrode of the organic light emitting diode. However, the present invention is not limited thereto, and the ITO pattern is used in the display device using the ITO pattern as the electrode. It is also possible to remove particles and the like adhering to the surface of the ITO pattern by applying a voltage to the O2 plasma surface treatment to increase the work function of the ITO pattern.
또한, 본 발명의 실시예에서는 서로 교차하도록 배열되는 제1전극과 제2전극사이에 유기막층이 개재된 유기발광소자에 한정하여 설명하였으나, 다양한 형태의 유기전계 발광소자에 적용가능하다.In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, the organic light emitting device having the organic layer interposed between the first electrode and the second electrode arranged to cross each other has been described. However, the present invention is applicable to various types of organic light emitting devices.
상기한 바와같은 본 발명의 실시예에 따르면, 유기발광소자의 애노드전극으로 사용되는 ITO 패턴에 전압을 인가한 다음 O2 플라즈마 처리를 수행하여 줌으로써 ITO 패턴에 부착된 파티클 등을 제거할 수 있을 뿐만 아니라 일함수를 증대시킬 수 있다. 이에 따라 애노드전극으로부터 발광층으로의 정공주입효율을 증대시켜 휘도를 증가시키고 수명을 연장시킬 수 있는 이점이 있다.According to the embodiment of the present invention as described above, by applying a voltage to the ITO pattern used as the anode electrode of the organic light emitting device and then performing O2 plasma treatment, it is possible to remove the particles and the like attached to the ITO pattern as well. Can increase work function Accordingly, there is an advantage in that the hole injection efficiency from the anode electrode to the light emitting layer can be increased to increase the brightness and extend the lifespan.
또한, 본 발명의 O2 플라즈마 처리방법은 애노드전극으로 사용되는 ITO 패턴에 양의 전압을 인가한 다음 O2 플라즈마처리를 수행하여 줌으로써 오존(O3-)이 ITO 패턴의 표면에만 주입되어, 절연막에 물리적인 표면거칠기가 형성되는 것을 방지하여 준다. 따라서, 후속의 Al으로 된 제2전극 형성시 절연막과 제2전극의 계면에 산화막의 형성을 억제하고, 이에 따라 소자의 열화를 방지할 수 있는 이점이 있다.In addition, in the O2 plasma treatment method of the present invention, by applying a positive voltage to the ITO pattern used as the anode electrode and then performing O2 plasma treatment, ozone (O3 − ) is injected only to the surface of the ITO pattern, thereby physically insulating the insulating film. It prevents the formation of surface roughness. Therefore, there is an advantage that the formation of the oxide film at the interface between the insulating film and the second electrode can be suppressed during the formation of the second electrode made of Al, thereby preventing deterioration of the device.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
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