KR100721810B1 - 극초박막의 두께 측정을 위한 xrr 분석방법 - Google Patents

극초박막의 두께 측정을 위한 xrr 분석방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 극초박막의 두께 측정을 위한 X선 반사율 분석방법에 관한 것으로, 시료에서 입사된 X선의 세기에 대하여 반사된 X선의 세기의 비인 X선 반사율(X-ray reflectivity, XRR)를 이용하여 파동벡터 q의 함수로 나타내며,
Figure 112006076730609-pat00001
(d는 박막의 두께)의 주기를 갖고 진동하는 XRR을 측정하는 제1단계와, 측정된 XRR의 측정치(Rmea)에 웨이팅 펙터(Rref)를 곱하여 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정하는 제2단계와, XRR의 감쇄를 보정한 후, 파동벡터 q의 값이 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여 파동벡터의 값을
Figure 112006076730609-pat00002
으로 보정하는 제3단계와, 보정 과정을 거쳐 측정된 XRR에 대하여 퓨리에 변환을 수행하여 극초박막의 두께를 측정하는 제4단계를 포함한다. 따라서, 고유전율 산화막과 실리콘 기판 사이의 계면층의 두께를 비파괴적으로 측정할 수 있게 됨으로써 반도체 공정에서 인 라인(in-line) 분석 장비로 개발을 기대할 수 있다. 또한, 본 발명은 반도체의 고집적화에 따라 산화막의 두께가 감소함에 의한 성능저하를 막기 위한 대안으로 개발중인 고유전율 박막의 제조과정에서 불가피하게 생성되는 계면층의 두께를 분석하기 위한 분석방법으로 활용할 수 있다.

Description

극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법{METHOD FOR FOURIER ANALYSIS OF X-RAY REFLECTIVITY OF ULTRA THIN LAYER THICKNESS MEASUREMENT}

도 1은 NMOSFET를 도시한 도면,

도 2는 종래 12㎚ 두께의 HfO2 박막과 실리콘 기판 사이에 두께 대략 1㎚의 SiO2 계면층 박막이 있는 경우를 도시한 TEM 도면,

도 3은 SiO2 계면층 박막이 있을 때와 없을 때의 그 결과 그래프가 다르게 나타남을 도시한 도면,

도 4는 도 3에 도시된 XRR들을 퓨리에 변환한 결과 도면,

도 5는 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 계산 결과를 나타낸 도면,

도 6은 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정한 도면,

도 7은 극초박막 두께 값의 오차를 도시한 도면,

도 8 및 도 9는 여러 두께의 HfO2 박막과 실리콘 기판 사이에 계면층이 있는 경우에 대하여 상기와 같은 본 발명에 의한 방법을 적용시켜 분석한 도면,

도 10은 본 발명에 따른 극초박막의 두께 측정을 위한 X선 반사율의 분석방법을 위한 흐름도.

본 발명은 극초박막의 두께 측정을 위한 X선 반사율(X-Ray Reflectivity, XRR) 분석방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 XRR에 대한 퓨리에 변환 전에 XRR의 측정치에 웨이팅 펙터(Weighting Factor)를 곱하여 XRR의 감쇄 효과를 보정하고, 파동벡터 q의 값이 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여

Figure 112006076730609-pat00003
으로 보정하여 극초박막의 두께를 측정할 수 있는 방법에 관한 것이다. 여기서, qc는 박막의 임계 파동벡터의 값이다.

주지된 바와 같이, NMOSFET는 도 1에 도시된 바와 같은 구조로 이루어져 있다. 이중 게이트 절연막(Gate Dielectric)은 NMOSFET의 한 부분으로서, 예컨대 SiO2의 극초박막의 경우 그 두께가 수 ㎚에 이른다.

한편, SiO2 게이트 절연막에 대응하는 극초박막의 두께를 측정하기 위해서는 XRR 측정법을 이용하여 해당 극초박막의 층을 분석할 수 있다. 이러한 XRR 기법은 널리 알려져 온 측정기법이며, 이 XRR 기법은 X선이 시료에서 입사된 X선의 세기에 대하여 반사된 X선 세기의 비를 측정하여 분석하는 기법을 의미한다.

다시 말하여, X선이 박막에 입사될 때 박막의 윗 계면에서 반사된 X선과 박막의 아래 계면에서 반사된 X선이 서로 간섭하는 현상이 일어나는데, 이로 인하여 X선의 입사각(θ)을 변화시키면 X선의 반사율이 변화하게 되는데, 이때 X선 반사율 은 파동벡터

Figure 112005038895686-pat00004
의 함수로 나타낼 때 d를 박막의 두께라 하면
Figure 112005038895686-pat00005
의 주기를 갖고 진동하는 모습이므로, XRR 기법을 통해 박막의 두께를 측정할 수 있다.

상기와 같이, XRR 기법을 통해 박막의 두께를 측정하는 방법은 기존의 ellipsometry를 이용하여 측정하는 방법에 비해 유리한 점이 있다. 즉, 서로 다른 두 계면에서 반사된 빛의 간섭들에 의해 나타나는 반사율의 변화를 분석하여 두께를 측정하는 점에서는 같은 원리이다. 그러나 ellipsometry를 이용한 분석방법에서는 박막의 굴절율을 알아야 두께를 분석할 수 있는데 반하여, XRR 기법을 통한 영역에서는 가시광선 영역과는 달리 굴절율의 변화가 수 ppm에 불과하여 박막 내부의 굴절율의 오차가 두께의 측정치에 미치게 되는 것을 무시할 수 있어 박막 두께의 절대치를 측정을 가능케 함으로써, ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)에서는 XRR 기법을 이용한 박막 구조 분석 방법을 개발해야 할 필요성이 강조되고 있다.

또한, XRR 기법을 이용한 측정치들은 Parratt의 회귀법(recursion formula)을 이용하여 두께를 측정하였으며, 이 측정방법은 박막의 구조에 대한 모형을 세운 후 모형의 각 파라미터 크기를 가정하여 계산된 XRR과 측정치를 비교하는 피팅(fitting)을 통해 박막의 두께를 분석하는 방법이다. 이 방법은 XRR을 가장 원리에 가까운 방법으로 분석하는 것이나 분석 결과가 박막의 구조 모형에 따라 달라질 수 있는 단점이 있다.

더불어, 분석 대상인 박막이 다른 층 사이에 끼어있는 계면층이고 다른 층과의 X선의 굴절율의 차이가 작다면 동박막의 두께로 인한 XRR의 진동이 구별하기 어려울 정도로 미약하여 분석하는데 있어서 오류가 발생하게 되는 결점이 있으며, 이와 같은 경우에는 반도체 제조공정에서 고유전율 박막과 실리콘 기판 사이에 계면층이 존재하는데, 고유전율 박막층과 실리콘 기판 사이의 X선 굴절율의 차이에 비해 계면층과 실리콘 기판 사이의 굴절율의 차이가 미미하여 박막의 두께에 해당하는 XRR의 진동을 구별하기가 매우 어렵다는 문제점이 있다.

도 2는 종래 12㎚ 두께의 HfO2 박막(S20)과 실리콘 기판(Si substrate) 사이에 대략 1㎚의 두께 SiO2 계면층(Interface layer) 박막(S10)이 있는 경우를 도시한 도면으로서, 이때의 XRR 기법을 통해 계산하면, 도 3에 도시된 바와 같이 SiO2 계면층 박막(S10)이 있을 때와 없을 때의 그 결과 그래프가 거의 차이가 없음을 알 수 있다. 즉 S1은 10nm 두께의 HfO2 박막과 실리콘 기판 사이에 두께 1nm의 SiO2 계면층 박막이 있을 때의 그래프이며, S2는 12nm 두께의 HfO2 박막과 실리콘 기판 사이에 두께 1nm의 SiO2 계면층 박막이 없을 때의 그래프이다.

다시 말하여, 도 3을 참조하면, SiO2 계면층 박막(S10)이 있을 때와 없을 때 모두 거의 일치하게 되는 것을 볼 수 있는데, 이와 같이 계면층의 두께에 해당하는 진동폭이 매우 작을 경우에는 종래 XRR 기법으로는 신뢰성이 높은 분석이 불가능하다는 문제점이 있다.

한편, XRR 기법을 통한 다른 박막 분석 방법으로는 각 계면에서 X선이 한번만 반사된다고 가정하고 분석하는 것, 즉 kinematic scattering 분석방법을 사용할 수도 있다. 이때 파동벡터(q)의 함수로 표시된 XRR의 세기 I(q)를 퓨리에 변환한 함수

Figure 112006076730609-pat00042
, 패터슨 함수로 불리우며 x의 값이 각 박막들의 두께 d1, d2, d3,....들의 값 또는 그들의 합이나 차이에 해당하는 위치에서 피크를 나타냄에 따라 P(x)가 피크를 나타내는 x의 값들로부터 박막들의 두께를 분석한다.

도 4는 도 3에 도시된 XRR들을 퓨리에 변환한 결과 도면으로서, SiO2 계면층이 있는 경우(S11)에는 HfO2 박막 두께에 해당하는 위치 이외에도 HfO2층과 계면층 두께의 합에 해당하는 위치에서 추가적인 피크가 나타나며, 이 분석 방법은 박막들의 구조 모형을 미리 만들 필요가 없는 독립적인 모델(model-independent)의 분석방법인 것이다. 그러나 XRR이라는 현상 자체에서 전반사가 나타나기도 하는 등 계면에서의 동적 스캐터링(dynamic scattering)에 의한 현상인데 반하여, 이 분석 방법은 운동학적 스캐터링(kinematic scattering)으로 가정하고 분석하는 방법으로서 이로 인한 오차의 발생이 발생하며, 이를 피하기 위해 퓨리에 변환시 파동벡터 q의 적분구간을 적절히 취해야 하며, 이로 인해 분석 결과가 적분구간의 선택에 따라 달라지게 되는 문제점이 있다.

그리고, XRR의 세기는 도 3에 도시된 바와 같이 q의 값이 커짐에 따라 급격히 감쇄하는 것을 볼 수 있으며, 도 5와 같이 시료 표면의 거칠기가 있는 경우에는 XRR의 세기가 더욱 급격하게 감쇄한다. 다시 말하여, 보통 거칠기가 없을 때의 XRR의 세기 I(q)가 거칠기의 rms 값이 σ인 경우

Figure 112005038895686-pat00007
으로 줄어든다. 이를 퓨리에 변환시
Figure 112005038895686-pat00008
의 퓨리에 변환식은
Figure 112005038895686-pat00009
가 되나
Figure 112005038895686-pat00010
의 변환식은
Figure 112005038895686-pat00011
가 되기 때문에 이러한 감쇄 효과는 패터슨 함수의 피크의 폭을 확장시키는 결과로 나타나며(도 4에 도시된 바와 같이 두 개의 피크가 잘 분리되어 나타나지 않고, 두께값에 오차가 발생하는 이유), 박막의 두께 분석에 오차를 가져오게 되는 문제점을 갖는다. 특히 보통 계면 거칠기의 rms 값들은 수 Å(=0.1nm) 정도이기 때문에 1nm정도의 두께 측정에서 신뢰성을 훼손하기에 충분한 오차를 갖음에 따라 박막의 두께 x의 정확한 값의 측정을 위해서는 표면의 거칠기를 감안한 감쇄 효과의 보정이 필수적이다.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 그 목적은 XRR에 대한 퓨리에 변환을 수행하기 전에 XRR의 측정치에 웨이팅 펙터를 곱하여 XRR의 감쇄 효과를 보정하며, 또한 동적 스캐터링에 의한 XRR의 결과를 운동학적 스캐터링으로 가정하고 분석하는 경우에 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여

Figure 112005038895686-pat00012
으로 보정함으로써 나노의 두께를 갖는 극초박막(ultra-thin layer)에 대한 측정 오차를 줄이면서 그 두께를 측정할 수 있는 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법을 제공함에 있다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에서 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법은 시료에서 입사된 X선의 세기에 대하여 반사된 X선의 세기의 비인 XRR은 파동벡터 q의 함수로 나타내며,

Figure 112006076730609-pat00013
(d는 박막의 두께)의 주기를 갖고 진동하는 XRR을 측정하는 제1단계와, 측정된 XRR의 측정치(Rmea)에 웨이팅 펙터(Rref)를 곱하여 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정하는 제2단계와, XRR의 감쇄를 보정한 후, 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여
Figure 112006076730609-pat00014
으로 보정하는 제3단계와, 보정 과정을 거쳐 측정된 XRR에 대하여 퓨리에 변환을 수행하여 극초박막의 두께를 측정하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시 예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해하게 될 것이다.

도 10은 본 발명에 따른 다이나믹 스캐터링에 의한 XRR의 결과를 키너메틱 스캐터링으로 가정한 퓨리에 변환을 통하여 분석하는 방법을 도시한 흐름도로서, 이에 대하여 보다 상세하게 설명하면 하기와 같다.

즉, 다이나믹 스캐터링에 의한 XRR의 결과를 키너메틱 스캐터링으로 가정한 퓨리에 변환을 통하여 분석하는 경우에는, 시료에 대하여 극초박막의 두께를 측정하기 위해서는 X선이 시료에서 입사된 X선의 세기에 대하여 반사된 X선의 세기의 비를 의미하는 XRR 기법을 통해 XRR을 측정한다(단계 101). 이때, XRR은 파동벡터

Figure 112006076730609-pat00015
의 함수로 나타내고, d를 박막의 두께라 하면
Figure 112006076730609-pat00016
(d는 박막의 두께)의 주기로 진동한다.

이어서, 상술한 바와 같이 측정된 XRR의 측정치(Rmea)에 웨이팅 펙터(Rref)를 수학식 1과 같이 곱하여 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정한다(단계 102).

Figure 112006076730609-pat00043

여기서, Rmea는 XRR의 측정치이고, Rref는 XRR의 측정치(Rmea)와 동일한 형태를 갖도록 하기 위하여 임계각(critical angle), 거칠기(roughness), 최대치 파동벡터(QZ max)를 도 5 및 도 6 그리고 도 7에 도시된 계산 값들을 고려하여 얻을 수 있다.

즉, 임계각은 검출기의 노이즈 이전 부분까지 분석이 가능한 최대 Qz 영역을 정한 다음 아래의 수학식 2를 이용하여 결정한다.

Figure 112005038895686-pat00018

여기서, ρe 는 표면에 위치한 굴절율이 큰 물질의 전자 밀도이고, qc는 박막의 임계 파동벡터의 값이다.

그리고, 거칠기는 수학식 3을 사용하여 실제 데이터와 비교하면서 앞서 정한 Qz,max 까지 데이터에 가장 근접하는 커브의 σ값을 선택한다.

Figure 112006076730609-pat00019
Figure 112006076730609-pat00044
여기서, RFresnel 는 프레넬(Fresnel) 반사율이며, 예컨대, RFresnel = 로 표시할 수 있다.

다음으로, 도 5는 XRR 커브들의 표면 거칠기에 대한 의존도를 도시한 도면으로서, 레퍼런스 커브의 임계각을 일치시키기 위하여 HfO2 기판 커브를 선택한 것을 나타낸다. 그리고, 도 6은 수학식 1의 계산과정을 통해 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정한 도면으로서, 기울기의 편차가 발생하며, 이 편차는 얇은 두께 정보가 있는 high-Q 영역에서 점점 커짐을 알 수 있다. 더불어 도 7은 극초박막 두께 값의 오차를 도시한 도면으로서, 극초박막 두께 값의 오차가 도 6에 의한 기울기 편차가 커짐에 따라 점점 커짐을 알 수 있다.

다음으로, 수학식 1과 같이 XRR의 측정치(Rmea)에 웨이팅 펙터(Rref)를 곱하여 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정한 후, 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여

Figure 112006076730609-pat00020
으로 적용하여 파동벡터의 값을 x축 방향으로 보정(단계 103)한 다음에 수학식 4

Figure 112006076730609-pat00045
여기서, |F(q)|2는 △R이다.

이와 같은 패터슨(Patterson) 함수를 이용하여 전자밀도 차이가 작은 층의 두께 정보를 얻기 위한 퓨리에 변환을 수행하여 극초박막의 두께를 측정한다(단계 104).

한편, 상기와는 달리 본 발명은, 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여

Figure 112006076730609-pat00022
으로 적용하여 파동벡터의 값을 x축 방향으로 보정하는 과정은, XRR의 측정치(Rmea)에 웨이팅 펙터(Rref)를 곱하여 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정하는 과정 전에 수행할 수도 있다.

한편, 도 8 및 도 9는 여러 두께(6㎚, 9㎚, 12㎚)의 HfO2 박막과 실리콘 기판 사이에 계면층이 있는 경우에 대하여 상기와 같은 본 발명에 의한 방법을 적용 시켜 분석한 도면으로서, 도 8은 XRR 데이터가 측정된 것을 도시한 것을 나타내며, 도 9는 XRR의 분석방법에 의해 그 결과를 도시한 도면이다.

즉, 도 9를 참조하면, 여러 두께(6㎚, 9㎚, 12㎚)의 HfO2 박막과 실리콘 기판 사이에 있는 계면층의 두께를 XRR 기반을 통해 측정한 분석 결과를 살펴보면, 종래 도 4에서와는 달리 각 피크들이 잘 분리되어 나타나고 있을 뿐만 아니라 고조파(higher harmonics)에 해당하는 피크들도 뚜렷하게 나타나고 있음을 알 수 있으며, 또한 분석 결과를 TEM의 측정치와 비교해 볼 때 두 가지의 분석 결과들이 잘 일치하고 있어, 본 발명에 의한 분석 결과의 신뢰도가 매우 높은 것임을 알 수 있다.

따라서, XRR의 변화를 분석하여 고유전율 박막과 실리콘 기판 사이에 존재하는 계면층인 박막의 두께를 측정함에 있어서, XRR에 대한 퓨리에 변환을 수행하기 전에 XRR의 측정치에 웨이팅 펙터를 곱하여 XRR의 감쇄 효과를 보정하며, 또한 동적 스캐터링에 의한 XRR의 결과를 운동학적 스캐터링으로 가정하고 분석하는 경우에 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여

Figure 112005038895686-pat00023
으로 보정함으로써, 나노의 두께를 갖는 극초박막에 대한 측정 오차를 줄이면서 그 두께가 1㎚정도의 계면층 박막의 두께까지도 측정할 수 있어 분해능을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 사상 및 특허청구범위 내에서 권리로서 개시하고 있으므로, 본 발명은 일반적인 원리들을 이용한 임의의 변형, 이용 및/또는 개작을 포함할 수 도 있으며, 본 명세서의 설명으로부터 벗어나는 사항으로서 본 발명이 속하는 업계에서 공지 또는 관습적 실시의 범위에 해당하고 또한 첨부된 특허청구범위의 제한 범위 내에 포함되는 모든 사항은 포함한다.

이상, 상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 XRR의 변화를 분석하여 고유전율 박막과 실리콘 기판 사이에 존재하는 계면층인 박막의 두께를 측정함에 있어서, XRR에 대한 퓨리에 변환을 수행하기 전에 XRR의 측정치에 웨이팅 펙터를 곱하여 XRR의 감쇄 효과를 보정하며, 또한 동적 스캐터링에 의한 XRR의 결과를 운동학적 스캐터링으로 가정하고 분석하는 경우에 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여

Figure 112005038895686-pat00024
으로 보정함으로써, 나노의 두께를 갖는 극초박막에 대한 측정 오차를 줄이면서 그 두께가 1㎚정도의 계면층 박막의 두께까지도 측정할 수 있어 분해능을 향상시킬 수 있다.

상기와 같이 X선 굴절율의 차이가 큰 층 사이에 있는 1㎚의 계면층(X선 굴절율의 차이가 작은)의 두께를 정확하게 측정할 수 있고, 특히 고유전율 산화막과 실리콘 기판 사이의 계면층의 두께를 비파괴적으로 측정할 수 있게 됨으로써 반도체 공정에서 인 라인(in-line) 분석 장비로 개발을 기대할 수 있다.

또한, 본 발명은 반도체의 고집적화에 따라 산화막의 두께가 감소함에 의한 성능저하를 막기 위한 대안으로 개발중인 고유전율 박막의 제조과정에서 불가피하게 생성되는 계면층의 두께를 분석하기 위한 분석방법으로 활용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 시료에 대하여 극초박막의 두께를 측정하기 위한 XRR 분석방법에 있어서,
    상기 시료에서 입사된 X선의 세기에 대하여 반사된 X선의 세기의 비인 XRR을 파동벡터 q의 함수로 나타내며,
    Figure 112006076730609-pat00025
    (d는 박막의 두께)의 주기를 갖고 진동하는 XRR을 측정하는 제1단계와,
    상기 측정된 XRR의 측정치(Rmea)에 웨이팅 펙터(Rref)를 곱하여 상기 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정하는 제2단계와,
    상기 XRR의 감쇄를 보정한 후, 상기 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여
    Figure 112006076730609-pat00026
    (qc는 박막의 임계 파동벡터의 값)으로 보정하는 제3단계와,
    상기 보정 과정을 거쳐 측정된 XRR에 대하여 퓨리에 변환을 수행하여 상기 극초박막의 두께를 측정하는 제4단계
    를 포함하는 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이팅 펙터의 역수(Rref)는, 상기 XRR의 측정치(Rmea)와 동일한 형태를 갖도록 하기 위하여
    수학식 2
    Figure 112006076730609-pat00046
    (여기서, ρe 는 표면에 위치한 굴절율이 큰 물질의 전자 밀도이고, qc는 박막의 임계 파동벡터의 값이다.) 에 의해 결정되는 레퍼런스 커브의 임계각(critical angle)과,
    수학식 3
    Figure 112006076730609-pat00047
    (여기서, RFresnel 는 프레넬(Fresnel) 반사율이다.)
    에 의해 결정되는 시료 표면의 거칠기(roughness)와,
    상기 박막의 두께 값의 오차가 기울기 편차에 비례하게 증가하므로 최대치 파동벡터(QZ max)까지의 구간을 통해 거칠기의 크기를 얻는 것을 특징으로 하는 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 거칠기는,
    수학식 3
    Figure 112006076730609-pat00027
    (여기서, RFresnel 는 프레넬(Fresnel) 반사율이다.)
    을 사용하여 실제 데이터와 비교하면서 정한 Qz,max 까지 데이터에 가장 근접하는 커브의 σ값을 선택하여 결정하는 것을 특징으로 하는 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 에 있어서,
    상기 제3단계에서
    Figure 112005038895686-pat00028
    으로의 보정은, 상기 임계값을 파동벡터 방향으로 보정하는 것을 특징으로 하는 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 2단계에서 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄 보정은,
    수학식 4
    Figure 112006076730609-pat00029
    (여기서, Rmea는 XRR의 측정치이고, Rref는 XRR의 측정치(Rmea)와 동일한 형태를 갖도록 하기 위한 웨이팅 펙터의 역수 임.)
    에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법.
  6. 시료에 대하여 극초박막의 두께를 측정하기 위한 XRR 분석방법에 있어서,
    상기 시료에서 입사된 X선의 세기에 대하여 반사된 X선의 세기의 비인 XRR을 파동벡터 q의 함수로 나타내며,
    Figure 112006076730609-pat00030
    (d는 박막의 두께)의 주기를 갖고 진동하는 XRR을 측정하는 단계와,
    상기 파동벡터 q의 값을 X선의 굴절율에 의해 변하는 것을 감안하여
    Figure 112006076730609-pat00031
    으로 보정하는 단계와,
    상기 측정된 XRR의 측정치(Rmea)에 웨이팅 펙터(Rref)를 곱하여 상기 시료 표면의 거칠기에 따른 XRR의 감쇄를 보정하는 단계와,
    상기 XRR의 감쇄를 보정한 후, XRR에 대하여 퓨리에 변환을 수행하여 상기 극초박막의 두께를 측정하는 단계
    를 포함하는 극초박막의 두께 측정을 위한 XRR 분석방법.
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