KR100718576B1 - Dry etching apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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Abstract

드라이 에칭에서 고(高)이방성, 저(低)게이트 파괴율의 가공을 달성한다.In dry etching, high anisotropy and low gate breaking rate are achieved.

진공의 내외(內外)를 분리하는 유전체(2)의 대기측의 면에 설치된 마이크로 스트립 라인(4)에 UHF 전력을 공급하는 것에 의해 발생한 전자파와 자장의 ECR 공명에 의해 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마에 의해 도전막의 드라이 에칭을 행한다.Plasma is generated by ECR resonance of electromagnetic waves and magnetic fields generated by supplying UHF power to the microstrip line 4 provided on the atmospheric side of the dielectric 2 separating the inside and outside of the vacuum. The dry etching of the conductive film is performed.

안정하고 균일한 플라즈마를 만들 수 있다.It is possible to create stable and uniform plasma.

Description

드라이 에칭 장치 및 반도체 장치의 제조방법{DRY ETCHING APPARATUS AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE}DRY ETCHING APPARATUS AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

도 1은 본 발명의 드라이 에칭 장치의 일예를 나타내는 도면,1 is a view showing an example of a dry etching apparatus of the present invention,

도 2는 마이크로 스트립 안테나(MSA) 구조를 나타내는 도면,2 is a view showing a micro strip antenna (MSA) structure;

도 3은 TM01 모드 MSA의 원반형상 전극(3) 상의 전계를 나타내는 도면,3 is a diagram showing an electric field on the disk-shaped electrode 3 of TM01 mode MSA;

도 4는 도 1의 장치의 방전 안정성의 맵을 나타내는 도면,4 shows a map of the discharge stability of the device of FIG. 1,

도 5는 이온 전류밀도의 UHF 주파수 의존성을 나타내는 도면,5 is a diagram showing UHF frequency dependence of ion current density;

도 6은 도 1의 장치 중의 방사 전계강도의 분포를 나타내는 도면,6 is a diagram showing the distribution of the radiated field strength in the apparatus of FIG. 1;

도 7은 도 1의 장치 중의 방사 전계의 방향을 나타내는 도면,7 shows the direction of the radiated electric field in the apparatus of FIG. 1, FIG.

도 8은 도 1의 장치 중의 자력선 및 ECR 면의 예를 나타내는 도면,8 is a view showing an example of a magnetic force line and an ECR plane in the apparatus of FIG. 1;

도 9는 자장에 의한 이온 전류밀도 면내 분포의 변화를 나타내는 도면,9 is a view showing a change in ion current density in-plane distribution due to a magnetic field;

도 10은 솔레노이드 코일(14)을 구비한 장치 중의 발산 자장의 경우의 자력선의 예를 나타내는 도면,FIG. 10 is a diagram showing an example of a magnetic force line in the case of a diverging magnetic field in a device provided with a solenoid coil 14;

도 11은 솔레노이드의 내경(內徑)과 이온 전류밀도 면내 분포의 균일성의 관계를 나타내는 도면,11 is a view showing the relationship between the inner diameter of the solenoid and the uniformity of the ion current density in-plane distribution;

도 12는 도 10의 장치 중의 ECR 면의 예를 나타내는 도면,12 is a view showing an example of an ECR surface in the apparatus of FIG. 10;

도 13은 자장에 의한 이온 전류밀도의 면내 분포의 변화를 나타내는 도면,13 is a view showing a change in in-plane distribution of ion current density due to a magnetic field;

도 14는 어스 도체에 공동부를 설치한 드라이 에칭 장치의 예를 나타내는 도면,14 is a diagram illustrating an example of a dry etching apparatus in which a cavity is provided in an earth conductor;

도 15는 도 14의 장치의 이온 전류밀도의 면내 분포를 나타내는 도면,FIG. 15 is a diagram showing an in-plane distribution of ion current density of the apparatus of FIG. 14;

도 16은 솔레노이드 코일(16)을 구비한 장치의 예를 나타내는 도면,16 shows an example of a device with a solenoid coil 16,

도 17은 하측 볼록(凸) 자장의 곡률과 이온 전류밀도의 면내 분포의 균일성의 관계를 나타내는 도면,Fig. 17 is a graph showing the relationship between the curvature of the lower convex magnetic field and the uniformity of the in-plane distribution of ion current density;

도 18은 다층막 에칭 중의 이온 전류 면내 분포를 균일하게 유지하기 위한 피드백 회로의 예를 나타내는 도면,18 shows an example of a feedback circuit for uniformly maintaining an ion current in-plane distribution during multilayer film etching;

도 19는 금속배선의 피(被) 에칭 시료의 단면 구조를 나타내는 도면,19 is a view showing a cross-sectional structure of an etched sample of a metal wiring;

도 20은 에칭, 레지스트 애싱(ashing) 제거 및 웨트 처리 후의 금속 배선의 단면 구조를 나타내는 도면,20 is a view showing a cross-sectional structure of metal wiring after etching, resist ashing removal, and wet processing;

도 21은 시료-샤워 플레이트간 거리와 성긴 패턴 CD 게인의 관계를 나타내는 도면,21 is a diagram showing a relationship between a sample-shower plate distance and a coarse pattern CD gain;

도 22는 본 발명의 장치로 에칭한 금속배선 시료에서의 게이트 파괴의 상황을 나타내는 도면,Fig. 22 is a diagram showing the state of gate breakage in the metallization sample etched with the apparatus of the present invention;

도 23은 CMOS 게이트 가공공정의 흐름을 나타내는 도면이다.Fig. 23 shows the flow of the CMOS gate processing process.

(부호의 설명)(Explanation of the sign)

1 원반형상 전극 2 유전체1 disk-shaped electrode 2 dielectric

3 원반형상 전극 4 MSA3 disk-shaped electrodes 4 MSA

5,6 솔레노이드 코일 7 시료대5,6 solenoid coil 7 sample stand

8 시료 9 샤워 플레이트8 Sample 9 Shower Plate

10 유전체 11 원추상 급전부10 Dielectric 11 Conical Feeder

12 석영 내통 13 도체 원통12 quartz cylinder 13 conductor cylinder

14 솔레노이드 코일 15 공동부14 solenoid coil 15 cavity

16 솔레노이드 코일 17 산화 실리콘16 solenoid coil 17 silicon oxide

18 질화 티탄 19 알루미늄·동·실리콘의 혼정18 Titanium nitride 19 Mixed crystal of aluminum, copper, silicon

20 질화 티탄 21 레지스트 마스크 20 Titanium Nitride 21 Resist Mask

본 발명은 반도체 장치를 제조할 때의 드라이 에칭공정에 이용되는 유(有)자장 플라즈마 발생장치 및 이 유자장 플라즈마 발생장치를 이용한 반도체 장치의 배선 등의 드라이 에칭공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, including a dry etching step such as an embedded magnetic field plasma generator used in a dry etching step in the manufacture of a semiconductor device and wiring of a semiconductor device using the field magnetic plasma generator. It is about.

종래, 반도체 장치를 제조할 때에 이용되는 플라즈마 처리의 공정에, 유자장 플라즈마 발생장치가 이용되어 왔다. 이 유자장 플라즈마 발생장치에 대해서는 예를 들면 일본특허공개 평 8-337887 이나 일본특허공개 평 9-321031에 기재되어 있다.Conventionally, a magnetic field plasma generator has been used in the process of plasma processing used when manufacturing a semiconductor device. This magnetic field plasma generator is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-337887 and Japanese Patent Laid-Open No. 9-321031.

일본특허공개 평 9-337887은 도 2에 나타내는 바와 같이 어스(earth)에 접지된 원반형상 전극(1)과 유전체(2) 및 유전체를 통해서 대향하는 면에 설치된 고주파가 인가된 원반형상 전극(3)으로 이루어지는 마이크로 스트립 안테나(이하 MSA라 고 한다)에, 고주파로서 마이크로파를 공급했을 때에 MSA에서 방사되는 전자파와, 솔레노이드 코일에 의해 형성되는 자장과의 전자 사이클론 공명(ECR)에 의해서, 진공처리실내에 반응성 가스의 플라즈마를 형성하는 것이다. 이 플라즈마를 시료대 상에 유지된 시료에 조사하는 것에 의해 시료를 가공한다. 반응성 가스는 시료에 대향하는 면에 설치된 유전체의 샤워 플레이트 구조로부터 공급된다. 또, MSA는 진공처리실의 내부와 외부를 나누는 유전체의 대기측에 설치되는 구조로 되어 있다.Japanese Patent Laid-Open No. 9-337887 discloses a disk-shaped electrode 1 grounded to earth, a disk-shaped electrode 3 to which a high frequency is applied to a surface facing each other through the dielectric 2 and the dielectric. The microstrip antenna (hereinafter referred to as MSA) is a vacuum processing chamber in which the electromagnetic radiation emitted from the MSA and the magnetic field formed by the solenoid coil are applied to the microstrip antenna (hereinafter referred to as MSA). To form a reactive gas plasma. The sample is processed by irradiating the plasma held on the sample stage. The reactive gas is supplied from the shower plate structure of the dielectric provided on the side opposite to the sample. In addition, the MSA has a structure provided on the atmospheric side of the dielectric that divides the inside and the outside of the vacuum processing chamber.

일본특허공개 평 9-321031은 진공처리실내에 설치한 MSA에 UHF파를 공급하는 것에 의해 MSA에서 방사되는 전자파와, 솔레노이드 코일에 의해 형성되는 자장의 ECR 공명에 의해서, 플라즈마를 형성하는 것이다.Japanese Patent Laid-Open No. 9-321031 forms plasma by supplying UHF waves to an MSA installed in a vacuum processing chamber and electromagnetic waves radiated from the MSA and ECR resonance of a magnetic field formed by a solenoid coil.

근년 반도체의 미세 가공에서는 이방성 에칭을 위해서 0.5㎩ 이하의 저압력에서의 처리가 필수로 되어 있다. 또, 차지 업(charge up)에 의한 게이트 파괴 방지를 위해, 게이트 배선이나 게이트 배선에 전기적으로 연결된 금속배선을 에칭하는 경우, (1) 웨이퍼 상의 이온 전류밀도를 저감하는 것과 (2) 이온 전류밀도의 면내 분포를 균일하게 하는 것 2개가 중요하게 되어 있다.In recent years, in the microfabrication of semiconductors, processing at low pressure of 0.5 Pa or less is essential for anisotropic etching. In addition, in order to prevent gate breakdown due to charge up, when etching a gate wiring or a metal wiring electrically connected to the gate wiring, (1) reducing ion current density on the wafer and (2) ion current density It is important to make two uniform in-plane distributions.

그러나, 종래의 유자장 플라즈마 발생장치에서는 저압력의 조건에서 저이온 전류밀도로 안정하고 균일한 방전을 시키는 것이 어려웠다. 상기의 일본특허공개 평 8-337887은 마이크로파를 이용하고 있기 때문에, 파장이 처리실에 대해서 짧고, 처리실내에서는 복수 모드의 플라즈마가 존재 가능하다. 그 때문에 저압 저이온 전 류의 조건에서는 플라즈마가 존재 가능한 모드 사이에서 빈번하게 전위하고, 방전이 안정하지 않는 것을 알았다. 또, 상기의 일본특허공개 평 9-321031은 MSA를 진공처리실 내부에 설치하고 있기 때문에, 근접 장소에 의한 MSA의 원반형상 전극(3)의 단부의 강전계에 의해서, 안테나 단부의 부근에서 고밀도의 플라즈마가 생성되고, 저압영역에서 균일한 플라즈마를 생성할 수 없다는 것을 알았다.However, in the conventional magnetic field plasma generator, it is difficult to provide stable and uniform discharge at low ion current density under low pressure conditions. Since Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 8-337887 uses microwaves, the wavelength is short with respect to the processing chamber, and a plurality of modes of plasma can exist in the processing chamber. Therefore, it was found that under conditions of low pressure and low ion current, the electric potential frequently occurs between modes in which plasma can be present, and the discharge is not stable. In addition, in Japanese Patent Laid-Open No. 9-321031, since the MSA is provided inside the vacuum processing chamber, a high-density electric field at the end of the disk-shaped electrode 3 of the MSA in the vicinity of the high density allows high density in the vicinity of the antenna end. It has been found that plasma is generated and a uniform plasma cannot be generated in the low pressure region.

또, 이온 전류밀도의 면내 분포가 불균일하게 되어 버리면, 면내의 에칭 속도가 불균일하게 되어 버리고, 더 나아가서는 수율에 영향을 미쳐 버린다.Moreover, when the in-plane distribution of ion current density becomes nonuniform, the in-plane etching rate becomes nonuniform, and further affects the yield.

본 발명의 목적은 이온 전류밀도나 에칭 속도의 면내 분포가 균일하고, 저압의 조건에서, 또 저이온 전류밀도에서 안정하고 균일한 방전을 할 수 있는 유자장 플라즈마 발생장치 및 이 장치를 이용한 반도체 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is a magnetic field plasma generator and a semiconductor device using the device having a uniform in-plane distribution of ion current density and etching rate and capable of stable and uniform discharge at low pressure and at low ion current density. It is to provide a manufacturing method.

상기 목적은, (1) 분리판을 통한 진공처리실 외부에 설치한 안테나(MSA)에 300MHz 이상 1GHz 이하의 UHF파를 공급하는 것에 의해 MSA에서 방사되는 전자파와, 솔레노이드 코일에 의해 형성되는 자장의 ECR 공명에 의해서, 플라즈마를 형성하는 방식을 이용함으로써 달성된다. UHF파를 이용하고 있기 때문에, 파장이 처리실 내경과 동등하게 되고, 단일 모드의 플라즈마 밖에 존재할 수 없다. 그 때문에, 모드간 전위에 의한 플라즈마의 불안정이 없어진다. 또 진공처리실의 내부와 진공처리실내보다도 압력이 높은 대기측의 외부를 나누는 유전체(분리판)의 대기측에 MSA를 설치한 구조로 함으로써, 근접 장소에 의한 원반형상 전극 MSA 단부의, 강전계에 의한 고밀도 플라즈마의 생성이 억제되며, 저압에서도 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다. 또한 본 명세서에서 UHF대(帶)라는 것은, 300MHz 이상 1GHz 이하의 주파수 영역을 말한다.The above object is to (1) the electromagnetic wave radiated from the MSA by supplying UHF waves of 300 MHz or more and 1 GHz or less to the antenna (MSA) installed outside the vacuum processing chamber through the separator plate, and the ECR of the magnetic field formed by the solenoid coil. Resonance is achieved by using a method of forming a plasma. Since UHF waves are used, the wavelength becomes equal to the inside diameter of the processing chamber, and only a single mode plasma can exist. Therefore, plasma instability due to the inter-mode potential is eliminated. In addition, the structure in which the MSA is provided on the atmosphere side of the dielectric (separation plate) that divides the inside of the vacuum processing chamber and the outside of the atmospheric side that is higher in pressure than the vacuum processing chamber is applied to the strong electric field of the end of the disk-shaped electrode MSA near the place. Generation of high-density plasma is suppressed, and uniform plasma can be generated even at low pressure. In addition, in this specification, a UHF band means the frequency range of 300 MHz or more and 1 GHz or less.

또, 가스를 공급하는 샤워 플레이트와 시료대와의 거리를 100㎜ 미만으로 함으로써, 밀집한 패턴과 성긴 패턴의 CD 게인의 차가 작게 되는 효과가 있다. 더욱이, 샤워 플레이트 지름을 웨이퍼 지름의 3/4로 함으로써, 더욱 더 CD 게인의 차를 작게하는 것이 가능하게 된다.Moreover, when the distance between the shower plate which supplies gas and a sample stand is less than 100 mm, there exists an effect that the difference of CD gain of a dense pattern and a loose pattern becomes small. Furthermore, by setting the shower plate diameter to 3/4 of the wafer diameter, it is possible to further reduce the CD gain difference.

(2) 또, UHF대의 주파수를 이용하여 0.1 ~ 0.5㎩의 저압의 조건에서, 또 0.6㎃/㎠ ~ 2㎃/㎠의 저이온 전류밀도로 플라즈마 처리를 행함으로써 달성된다. 0.1㎩ 이상의 압력, 또한 이온 전류밀도 0.6㎃/㎠ 이상으로 함으로써, 실용적인 에칭 속도를 유지할 수 있다. 한편, 차지 업 저감을 위해, 이온 전류밀도는 2㎃/㎠ 이하로 하는 것이, 또 이방성 에칭을 달성하기 위해, 0.5㎩ 이하의 압력으로 하는 것이 필요하다.(2) It is also achieved by performing a plasma treatment using a UHF band frequency at a low pressure of 0.1 to 0.5 kW and a low ion current density of 0.6 kW / cm 2 to 2 kW / cm 2. By using a pressure of 0.1 Pa or more and an ion current density of 0.6 Pa / cm 2 or more, a practical etching rate can be maintained. On the other hand, in order to reduce the charge-up, the ion current density should be 2 Pa / cm 2 or less, and in order to achieve anisotropic etching, it is necessary to set the pressure to 0.5 Pa or less.

여기서, 0.5㎩의 조건에서 MSA에 인가하는 주파수를 변화시킨 경우의 방전 특성을 도 5에 나타낸다. 주파수가 1GHz 이상과, 0.5㎩ 이하의 저압에서는, 방전 불안정의 문제가 있기 때문에, 2㎃/㎠ 이하의 저밀도 영역을 실현할 수 없다. 또, 주파수 300MHz 이하의 주파수에서는, 전자파의 방사 효율이 나쁘기 때문에, 근접 장소 전계에 의한 플라즈마 발생이 없는 본 구조에서는, 플라즈마 방전을 유지할 수 없다. 즉, 0.5㎩의 저압에서 2㎃/㎠ 이하의 저이온 전류밀도의 플라즈마를 효율적으로 생성할 수 있는 것은 300MHz 이상 1GHz 이하의 영역에 한정되는 것을 알 수 있다. Here, FIG. 5 shows discharge characteristics when the frequency applied to the MSA is changed under the condition of 0.5 Hz. When the frequency is 1 GHz or more and low pressure of 0.5 Hz or less, there is a problem of discharge instability, so a low density region of 2 Hz / cm 2 or less cannot be realized. Moreover, at the frequency below 300 MHz, since the radiation efficiency of an electromagnetic wave is bad, in this structure without plasma generation by an electric field electric field, plasma discharge cannot be maintained. That is, it can be seen that the plasma capable of efficiently generating a low ion current density plasma of 2 mA / cm 2 or less at a low pressure of 0.5 mA is limited to an area of 300 MHz or more and 1 GHz or less.                         

(3) 또한, 안테나로부터 보아서 볼록(凸)형의 ECR면이 되는 것 처럼 자장분포를 형성하여, 플라즈마 처리하는 것에 의해 달성된다. 특히, ECR면과 샤워 플레이트와의 교점이 안테나 지름보다도 내측이 되면 효과적이다. 이렇게 함으로써, ECR 공명이 중심부에서 발생하고, 중심부의 플라즈마 밀도가 증가하여, 균일한 분포를 형성할 수 있다.(3) Furthermore, it is achieved by forming a magnetic field distribution and plasma-processing as if it becomes a convex ECR surface from an antenna. In particular, it is effective when the intersection between the ECR surface and the shower plate is inside the antenna diameter. In this way, ECR resonance occurs in the center portion, the plasma density of the center portion increases, and a uniform distribution can be formed.

구체적으로는, 안테나의 상방에 지름이 작은 코일을 설치한다. 이 지름이 작은 코일의 내경은 안테나 지름보다도 작게 한다.Specifically, a coil having a small diameter is provided above the antenna. The inner diameter of this small coil is smaller than the antenna diameter.

또, 플라즈마 방전을 착화할 때에는 안테나로부터 보아서 오목(凹)형의 ECR면이 되도록 하고, 착화 후 볼록형의 ECR면이 되도록 제어하면 된다. 플라즈마 방전의 착화성은 볼록형의 ECR면의 경우에는 나쁘고, 오목형의 ECR면의 경우는 양호하기 때문이다. 특히, ECR면과 샤워 플레이트와의 교점이 안테나 지름의 외측이 되는 경우, 착화성이 향상한다. 이와 같은 ECR면의 요철면의 제어는 시료대 외주부의 자장 코일을 제어함으로써 행할 수 있다.When the plasma discharge is ignited, the condensed ECR plane may be viewed from the antenna, and controlled to be the convex ECR plane after ignition. It is because the ignition property of plasma discharge is bad in the case of convex ECR surface, and is favorable in the case of concave ECR surface. In particular, when the intersection between the ECR surface and the shower plate is outside the antenna diameter, the ignition property is improved. Such uneven surface control of the ECR surface can be performed by controlling the magnetic field coil of the outer periphery of the sample stage.

(4) 또한, 특히 플라즈마 밀도가 외고(外高)분포로 되어 있는 경우, 안테나 뒷면에 높이가 30㎜ 이상의 공동부를 설치함으로써 달성된다. 이렇게 함으로써, 전계의 외주에서의 집중을 완화하고, 플라즈마 밀도의 외고분포를 해소할 수 있다. 그리고, 이온 전류밀도의 내면 분포가 균일화되며, 에칭 속도의 면내 균일화를 도모할 수 있게 된다.(4) In addition, especially when the plasma density is an outer height distribution, it is achieved by providing a cavity having a height of 30 mm or more on the rear surface of the antenna. In this way, concentration on the outer periphery of the electric field can be alleviated and the external height distribution of the plasma density can be eliminated. Then, the inner surface distribution of the ion current density becomes uniform, and the in-plane uniformity of the etching rate can be achieved.

(5) 또, 에칭 중의 플라즈마 밀도의 변화를 모니터링 하여, 플라즈마 밀도가 증가한 경우는, 안테나로부터 보아서 볼록형의 ECR의 곡률을 증가시키고, 반대로 플라즈마 밀도가 감소한 경우는, 안테나로부터 보아서 볼록형의 ECR의 곡률을 감소시키도록 자장 코일에 피드백을 거는 것에 의해서도 달성된다. 특히, 플라즈마 밀도가 증가하면 외주 고플라즈마 분포가 되며, 플라즈마 밀도가 감소하면 중심 고플라즈마 분포가 되기 때문이다. 다층막을 에칭 할 때에는, 피 에칭막의 종류에 따라 플라즈마 중에 방출되는 반응 생성물이 변화하고, 플라즈마 밀도가 변화하기 때문에, 특히 다층막을 에칭 할 때, 이와 같이 모니터링 하면 효과적이다.(5) If the plasma density during the etching is monitored to increase the plasma density, the curvature of the convex ECR is increased when viewed from the antenna; on the contrary, when the plasma density is decreased, the curvature of the convex ECR is seen from the antenna. It is also achieved by feedback to the magnetic field coil to reduce the power. In particular, when the plasma density is increased, the outer circumferential high plasma distribution is reduced, and when the plasma density is decreased, it is the central high plasma distribution. When etching the multilayer film, the reaction product emitted in the plasma changes and the plasma density changes depending on the type of the etching film, and thus monitoring is particularly effective when etching the multilayer film.

(실시예 1)(Example 1)

도 1은 본 발명의 드라이 에칭장치의 일예이다.1 is an example of a dry etching apparatus of the present invention.

이 장치에서는 MSA(4)에서 방사되는 전자파와, 솔레노이드 코일(5, 6)에 의해 형성되는 자장과의 전자 사이클론 공명에 의해서, 진공처리실내에 반응성 가스의 플라즈마가 형성된다. 이 플라즈마를 시료대(7) 상에 유지된 시료(8)에 조사하는 것에 의해 시료(8)를 가공한다. 반응성 가스는 시료에 대향하는 면에 설치된 샤워 플레이트(9)에서 공급하는 것에 의해서, 균일한 반응성 가스의 공급이 가능하다. 또, 진공처리실의 내부와 외부를 나누는 유전체(10)의 대기측에 MSA(4)가 설치되는 것에 의해서, 근접 장소에 의한 원반형상 전극(3)의 단부에서의 고밀도 플라즈마의 생성이 억제된다. 또, 원반형상 전극(3)의 부식에 의한 특성의 변화나 원반형상 전극(3)의 부식 반응 생성물에 의한 시료의 오염도 방지할 수 있다. 본 실시예에서는, 유전체(10)로서 두께 35㎜의 석영 원반을 이용했다.In this apparatus, plasma of a reactive gas is formed in a vacuum processing chamber by electron cyclone resonance of electromagnetic waves emitted from the MSA 4 and magnetic fields formed by the solenoid coils 5 and 6. The sample 8 is processed by irradiating the sample 8 held on the sample stage 7 with the plasma. By supplying the reactive gas from the shower plate 9 provided on the surface opposite to the sample, a uniform reactive gas can be supplied. In addition, since the MSA 4 is provided on the atmospheric side of the dielectric 10 that divides the inside and the outside of the vacuum processing chamber, generation of high-density plasma at the end of the disk-shaped electrode 3 due to the proximity is suppressed. Moreover, the change of the characteristic by the corrosion of the disk shaped electrode 3, and the contamination of the sample by the corrosion reaction product of the disk shaped electrode 3 can also be prevented. In this embodiment, a 35 mm thick quartz disk was used as the dielectric 10.

또, 본 장치에서는 원반형상 전극(3)에 인가하는 고주파로서 UHF대의 고주파 를 이용하는 것에 의해서, 저압 저밀도의 플라즈마라도 안정한 플라즈마를 형성할 수 있다. 또한, 균일 플라즈마 형성에 최적인 축 대칭의 플라즈마를 형성할 수 있도록 다음의 2개의 연구를 하고 있다. 첫번째는 MSA(4)에서 도 3과 같은 축 대칭의 TM01 모드가 공진할 수 있도록 원반형상 전극(3)에 인가하는 UHF파의 주파수, 원반형상 전극(3)의 지름, 유전체 원반(2)의 재료 및 두께를 설정하고 있다. 본 실시예에서는 UHF파의 주파수를 450MHz, 원반형상 전극(3)의 지름을 255㎜, 유전체(2)로서 두께 20㎜의 알루미나를 이용했다. 두번째는 원반형상 전극(3)에 축 대칭으로 고주파를 급전할 수 있도록, 급전부(11)를 원추형상으로 하고, 원추의 정점에서 안테나에 급전하는 구조로 되어 있다. 또, 본 장치에서 금속 오염 대책으로서 석영의 내통(12)을 집어 넣고 있다. 이와 같은 유전체성의 내통(12)을 집어 넣는 경우, 내통이 조금이라도 편심(偏心)하여 설치되면, 플라즈마가 축 대칭에서 어긋나는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해서는, 어스 전위에 접지된 도체 원통(13)을 설치하고, 또한 도 1 중에 어스 반환 높이로서 정의되는 내통(12)과 도체 원통(13)의 겹치는 부분의 길이를 10㎜ 이상으로 함으로써, 완전하게 방지할 수 있다는 것을 알 수 있었다.Moreover, in this apparatus, stable plasma can be formed even with low pressure and low density plasma by using a high frequency of the UHF band as a high frequency applied to the disk-shaped electrode 3. In addition, the following two studies have been conducted to form an axially symmetric plasma that is optimal for uniform plasma formation. First, the frequency of the UHF wave applied to the disk-shaped electrode 3, the diameter of the disk-shaped electrode 3, and the dielectric disk 2 of the axially symmetric TM01 mode as shown in FIG. The material and thickness are set. In this embodiment, an alumina having a thickness of 450 MHz, a disk electrode 3 having a diameter of 255 mm, and a dielectric 2 having a thickness of 20 mm were used as the frequency of the UHF wave. Second, the feed section 11 has a conical shape so that the high frequency power can be supplied axially to the disk-shaped electrode 3, and has a structure of feeding the antenna at the top of the cone. In this apparatus, the inner cylinder 12 of quartz is inserted as a countermeasure for metal contamination. In the case where the dielectric inner cylinder 12 is inserted, there is a problem that the plasma is deviated from the axial symmetry if the inner cylinder is installed at least eccentrically. In order to solve this problem, a conductor cylinder 13 grounded at an earth potential is provided, and the length of the overlapping portion of the inner cylinder 12 and the conductor cylinder 13 defined as the earth return height in FIG. 1 is 10 mm or more. By doing so, it was found that it could be completely prevented.

본 장치를 이용하여 염소 가스 플라즈마의 방전 특성을 평가한 결과를 도 4에 나타낸다. 또, 비교를 위해서 종래의 유자장 마이크로파 플라즈마 발생장치의 방전 특성도 도 4에 나타낸다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 종래의 유자장 마이크로파 플라즈마에서는 압력이 낮을수록, 또 이온 전류밀도가 낮을수록, 방전이 불안정하게 되어 버렸다. 그러나, 본 발명과 같이, UHF대의 주파수를 MSA에 인가함으로 써, 종래의 유자장 마이크로파 플라즈마 발생장치에서는 할 수 없었던 저압 저이온 전류의 영역에서도, 안정하고 균일한 방전을 할 수 있게 되었다.The result of having evaluated the discharge characteristic of chlorine gas plasma using this apparatus is shown in FIG. Moreover, the discharge characteristic of the conventional magnetic field microwave plasma generator is also shown in FIG. 4 for a comparison. As shown in Fig. 4, in the conventional magnetic field microwave plasma, discharge becomes unstable as the pressure is lower and the ion current density is lower. However, as in the present invention, by applying the frequency of the UHF band to the MSA, stable and uniform discharge can be performed even in a region of low pressure low ion current which was not possible in the conventional magnetic field microwave plasma generator.

또한, 실시예 1의 안테나 구조에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이 중심의 전계강도가 세기 때문에, 자장이 없던가 또는 자장이 상당히 약할 경우, 중심에서의 플라즈마 밀도가 높게 된다. 따라서, 더욱 고(高)균일의 플라즈마를 얻기 위해서는 외주의 플라즈마 밀도를 증대시키던가 또는 중심의 플라즈마 밀도를 저하시킬 필요가 있다. 외주의 플라즈마 밀도를 증가시키는 ECR 자장의 조정방법을 실시예 2에서, 중심의 플라즈마 밀도를 저하시키는 방법을 실시예 3에서 각각 설명한다.In addition, in the antenna structure of the first embodiment, as shown in Fig. 6, since the electric field strength of the center is strong, when there is no magnetic field or the magnetic field is very weak, the plasma density at the center becomes high. Therefore, in order to obtain a more uniform plasma, it is necessary to increase the plasma density of the outer circumference or to decrease the plasma density of the center. In Example 2, the method of adjusting the ECR magnetic field for increasing the plasma density of the outer circumference is described in Example 3, respectively.

(실시예 2)(Example 2)

본 실시예는 상술한 바와 같이, 외주의 플라즈마 밀도를 증가시키는 ECR 자장의 형성방법에 대해서 기술한다.This embodiment describes a method of forming an ECR magnetic field that increases the plasma density of the outer circumference as described above.

도 7은 실시예 1의 안테나 구조의 경우의 전계의 방향을 나타내고 있다. 본 구조에서는 외주부에서 횡방향, 중심부에서 종방향의 전계가 발생한다. 이 때문에, 도 8과 같이, 전자 사이클론 공명이 생기는 레벨 크기의 종방향의 자장이 있는 경우, 전계와 자장이 직교하는 외주에서 강한 공명이 발생하기 때문에, 외주의 플라즈마 밀도를 증가시킬 수 있다. 이와 같은 자장을 만들기 위해서는, 도 8의 솔레노이드 코일(6)과 같이 상단면이 원반형상 도체(3)보다 높고, 하단면이 샤워 플레이트 하단보다 낮고, 안테나에서 샤워 플레이트의 외주를 덮는 것 처럼 솔레노이드 코일을 탑재할 필요가 있다. 이 솔레노이드 코일(6)의 전류의 크기를 조절하고, 종방향의 자장의 크기를 증감시키는 것에 의해, 이온 전류밀도의 분포를 조정할 수 있다.7 shows the direction of the electric field in the case of the antenna structure of the first embodiment. In this structure, an electric field is generated in the transverse direction at the outer circumference and in the longitudinal direction at the center. For this reason, as shown in FIG. 8, when there exists a longitudinal magnetic field of the level magnitude which an electron cyclone resonance produces, since strong resonance generate | occur | produces in the outer periphery which an electric field and a magnetic field cross orthogonally, plasma density of an outer periphery can be increased. To create such a magnetic field, as in the solenoid coil 6 of FIG. 8, the upper surface is higher than the disk-shaped conductor 3, the lower surface is lower than the lower portion of the shower plate, and the solenoid coil is covered by the antenna covering the outer circumference of the shower plate. It is necessary to mount it. The distribution of ion current density can be adjusted by adjusting the magnitude | size of the electric current of this solenoid coil 6, and increasing and decreasing the magnitude | size of the longitudinal magnetic field.

예를 들면 조건 1과 같이 자장 강도가 약하고 전자 사이클론 공명을 일으키는 영역(이하 ECT면이라 한다)이 진공처리실 외부에 있는 경우는, 도 9와 같이 중심 고이온 전류밀도 분포에, 또 조건 3과 같이 자장 강도가 센 ECR면이 진공처리실 내부에 완전하게 포함되는 경우에는, 외주 고분포가 된다. 특히 자장 강도가 외주에서 세고, 외주에만 ECT면이 있는 경우(조건 2), 도 9와 같이 고균일성의 플라즈마를 실현할 수 있다.For example, in the case where the magnetic field strength is weak and electron cyclone resonance (hereinafter referred to as ECT plane) is outside the vacuum chamber as in condition 1, the central high ion current density distribution is as shown in FIG. When the ECR surface having a high magnetic field strength is completely contained in the vacuum processing chamber, the outer circumferential high distribution is obtained. In particular, when the magnetic field strength is counted on the outer circumference and the ECT surface is present only on the outer circumference (condition 2), a highly uniform plasma can be realized as shown in FIG.

(실시예 3)(Example 3)

본 실시예에서는 상술한 바와 같이, 중심의 플라즈마 밀도를 저하시키는 방법을 설명한다.In the present embodiment, as described above, a method of lowering the center plasma density will be described.

도 10과 같은 발산 자장을 이용한 경우, 플라즈마가 자장에 따라 외주방향으로 확산해 가기 때문에, 중심의 플라즈마 밀도를 저감할 수 있다. 이와 같은 발산 자장을 만들기 위해서는, 내경이 작은 솔레노이드 코일(14)을 MSA(4)의 상부에 설치하는 것에 의해서 실현할 수 있다는 것을 알 수 있었다.In the case of using a diverging magnetic field as shown in Fig. 10, since the plasma diffuses in the outer circumferential direction according to the magnetic field, the central plasma density can be reduced. In order to produce such a diverging magnetic field, it has been found that the solenoid coil 14 having a small inner diameter can be provided on the upper portion of the MSA 4.

도 11에 솔레노이드 코일(14)의 내경과 균일성의 관계를 나타내고 있다. 솔레노이드 코일의 내경이 안테나 지름보다 큰 경우, 코일 전류를 크게해도 이온 전류밀도의 웨이퍼 면내 분포는 중고(中高)를 나타내는 플러스 값을 갖는다. 내경이 안테나 지름 255㎜ 보다 작아지게 되는 것이므로, 코일 전류에 의존하여 균일성이 변화하게 되며, 전류를 증가시킴에 따라서 중고분포를 나타내는 플러스의 균일성에서, 웨이퍼 면내 분포가 균일인 것을 나타내는 균일성 0%, 또 외고분포를 나타내는 마이너스의 균일성에까지 조정할 수 있게 되는 것을 알 수 있다. 이것으로부터, 균일한 플라즈마를 만들기 위해서는 내경이 안테나 지름보다 작은 솔레노이드 코일(14)을 설치하는 것이 적합하다는 것을 알 수 있었다.11 shows the relationship between the inner diameter of the solenoid coil 14 and the uniformity. When the inner diameter of the solenoid coil is larger than the antenna diameter, the wafer in-plane distribution of ion current density has a positive value indicating a high value even when the coil current is increased. Since the inner diameter is smaller than the antenna diameter of 255 mm, the uniformity varies depending on the coil current, and the uniformity indicating that the in-plane distribution is uniform at the positive uniformity indicating the medium distribution as the current increases. It can be seen that it is possible to adjust to the uniformity of minus 0% and negative distribution. From this, it turned out that it is suitable to provide the solenoid coil 14 whose internal diameter is smaller than an antenna diameter in order to make a uniform plasma.

(실시예 4)(Example 4)

본 실시예에서는 ECR면의 볼록형상과 이온 전류밀도의 관계에 대해서 나타낸다.In this embodiment, the relationship between the convex shape of the ECR surface and the ion current density is shown.

실시예 2 및 3의 솔레노이드 코일을 이용하여 이온 전류밀도의 면내 분포의 균일화를 도모했다. 2개의 솔레노이드 코일의 전류를 조정하여 도 12에 나타내는 바와 같이 ECR면이 플래트(flat)한 자장(조건 1), 하측에 볼록하게 되도록 조정한 자장(조건 2), 또 곡률이 크고, 외주부의 ECR면이 진공처리실의 외부로 나오는 자장(조건 3)의 경우의 이온 전류밀도의 면내 분포를 도 13에 나타낸다. ECR면의 곡률이 큰 조건에 있어서도, 외주부의 ECR면이 진공처리실의 외부로 나오지 않는 경우는, 외주 고분포밖에 얻을 수 없다. ECR면의 외주부가 진공처리실 외부로 나오는 조건에서만, 균일에서 중고의 분포가 얻어지는 것을 알 수 있었다.The solenoid coils of Examples 2 and 3 were used to achieve uniform in-plane distribution of ion current density. As shown in FIG. 12, the electric field of two solenoid coils was adjusted and the ECR surface was flat (condition 1), the magnetic field adjusted so as to be convex on the lower side (condition 2), and the curvature was large, and the ECR of the outer peripheral part was large. FIG. 13 shows an in-plane distribution of ion current density in the case of a magnetic field (condition 3) in which the surface emerges out of the vacuum processing chamber. Even in a condition where the curvature of the ECR surface is large, when the ECR surface of the outer circumferential portion does not come out of the vacuum processing chamber, only the outer circumferential high distribution can be obtained. It was found that only the distribution of the used medium was obtained uniformly only under the condition that the outer circumferential portion of the ECR surface came out of the vacuum processing chamber.

다음으로, ECR면의 상측을 볼록하게 하여, 이온 전류밀도의 면내 분포를 측정했다. 이 장치 구성에 있어서도 실시예 2의 경우와 같이 ECR면의 중심부가 진공처리실의 외부로 나오는 조건에서만 이온 전류밀도의 면내 분포가 균일하게 되는 것이 확인되었다.Next, the upper side of the ECR surface was convex, and the in-plane distribution of ion current density was measured. Also in this apparatus configuration, as in the case of Example 2, it was confirmed that the in-plane distribution of ion current density became uniform only under the condition that the central portion of the ECR surface emerges outside the vacuum processing chamber.

(실시예 5)(Example 5)

본 실시예에서는 외고의 이온 전류밀도 분포로 저하시켜서, 면내 균일성을 높이는 방법을 나타낸다.In this embodiment, a method of lowering the ion current density distribution of the outer height to increase in-plane uniformity is shown.

실시예 2의 조건 3의 상측 볼록형 자장에서도, 이온 전류밀도를 균일하게 할 수 있는 방법으로서, 다음의 방법이 있다. 도 14와 같이 원반형상 전극(1)에 링 형태의 공동부(15)를 설치함으로써, 원반형상 전극(3)의 외주 전계강도를 저감하고, 외주의 이온 전류밀도를 저하시키는 방법이다. 이때의 시료(8) 상의 이온 전류밀도의 면내 분포를 도 15에 나타낸다. 공동의 크기를 30㎜ 이상으로 함으로써, 외주의 플라즈마 밀도가 저감하고, 외고분포가 완화되는 것을 알 수 있었다. 또, 이때, 플라즈마 밀도 자체도 증대하는 것을 알 수 있었다.Also in the upper convex magnetic field of the condition 3 of Example 2, the following method is available as a method which can make ion current density uniform. By providing the ring-shaped cavity 15 in the disk-shaped electrode 1 as shown in FIG. 14, the outer-circuit electric field strength of the disk-shaped electrode 3 is reduced and the ion current density of the outer circumference is reduced. In-plane distribution of the ion current density on the sample 8 at this time is shown in FIG. By setting the size of the cavity to 30 mm or more, it was found that the plasma density of the outer circumference was reduced and the outer height distribution was relaxed. At this time, it was found that the plasma density itself also increased.

(실시예 6)(Example 6)

본 실시예에서는 플라즈마 방전의 착화와 플라즈마 처리의 ECR면과의 관계에 대해서 나타낸다.In this embodiment, the relationship between the ignition of the plasma discharge and the ECR surface of the plasma processing is shown.

실시예 3의 하측 볼록 ECR 자장을 이용한 경우, 플라즈마의 착화성이 나쁜 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해, ECR면이 상측으로 볼록하게 되는 자장 분포, 즉 안테나로부터 보아서 오목형의 ECR면으로 되는 상태에서 플라즈마를 착화시키고, 그 후, 이온 전류밀도의 면내 분포가 균일하게 되도록 자장 분포를 조정하는 방법을 검토했다.When the lower convex ECR magnetic field of Example 3 is used, there is a problem that the ignition of plasma is poor. In order to solve this problem, the magnetic field distribution in which the ECR plane becomes convex upward, that is, the plasma is ignited in the state of becoming the concave ECR plane as viewed from the antenna, and then the magnetic field so that the in-plane distribution of ion current density becomes uniform. We reviewed how to adjust the distribution.

ECR면의 상측 볼록의 곡률을 크게하기 위해서는 도 16의 솔레노이드 코일(16)과 같은 안테나 면보다 아래쪽에, 처리실 지름보다 큰 내경의 솔레노이드 코일을 설치하고, 여기에 고전류를 흐르게 하는 것에 의해 달성된다. 이와 같은 코일을 이용하여, 상측에 볼록한 ECR 자장을 만들며, 1200W의 UHF 전력을 1초간 투입 하여 플라즈마를 착화시키고, 그 후, 하측 볼록 ECR 자장 즉 안테나로부터 보아서 볼록형의 ECR면이 되는 자장 분포로 전환하여 균일한 플라즈마를 생성했다. 이것에 의해, 양호한 착화성과 안정한 균일 방전이 지속되는 것이 확인되었다.In order to increase the curvature of the upper convexity of the ECR surface, a solenoid coil having an inner diameter larger than the process chamber diameter is provided below the antenna surface such as the solenoid coil 16 of FIG. 16 and a high current flows therethrough. Using this coil, an upper convex ECR magnetic field is made, and a plasma is ignited by inputting 1200W of UHF power for 1 second, and then switched to a lower convex ECR magnetic field, that is, a convex type ECR surface viewed from an antenna. To generate a uniform plasma. This confirmed that good flammability and stable uniform discharge persisted.

또한, 실시예 2 ~ 6의 자장 제어에 의한 플라즈마의 균일화 및 플라즈마 착화성의 개선에 대해서는 게이트·금속 등의 배선 재료의 에칭뿐만 아니라, 산화막, 저유전율막 등의 절연막 재료의 에칭에서도 효과가 있다.In addition, the plasma uniformity and the plasma ignition improvement by the magnetic field control of Examples 2 to 6 are effective not only in etching of wiring materials such as gate and metal, but also in etching of insulating film materials such as oxide films and low dielectric constant films.

(실시예 7)(Example 7)

실시예 3의 장치에서 측정한 이온 전류밀도 및 하측 볼록 ECR 자장의 곡률과 이온 전류밀도의 면내 분포의 균일성과의 관계를 도 17에 나타낸다. 하측 볼록 ECR 자장의 곡률이 동일한 조건에서, UHF 전력을 높게 하여 이온 전류밀도를 증가시켰을 경우, 이온 전류밀도 면내 분포의 균일성이 중고를 나타내는 플러스에서 외주고를 나타내는 마이너스로 변화하는 것을 알 수 있다.The relationship between the ion current density measured by the apparatus of Example 3, the curvature of the lower convex ECR magnetic field, and the uniformity of the in-plane distribution of ion current density is shown in FIG. When the UHF power is increased to increase the ion current density under the same curvature of the lower convex ECR magnetic field, it can be seen that the uniformity of the ion current density in-plane distribution changes from positive to negative to negative. .

이것으로부터, 다층막 구조의 시료의 에칭을 상정하면, 에칭 중에 피 에칭 재료가 변화하기 때문에, 플라즈마 중에 방출되는 에칭 반응생성물의 종류가 변하는 것에 의해서, 이온 전류밀도가 변화하고, 이온 전류밀도의 면내 균일성이 저하하는 것이 예상된다. 따라서, 다층 구조의 시료의 에칭 중에서도, 균일한 이온 전류밀도의 면내 분포를 유지하기 위해서는 이온 전류밀도의 변화에 따라서, 하측 볼록 ECR 자장의 곡률을 변화시킬 필요가 있다.From this, when the etching of the sample of the multilayer film structure is assumed, the material to be etched changes during etching, and thus, the ion current density changes and the in-plane uniformity of the ion current density changes by changing the type of the etching reaction product released in the plasma. It is expected that the deterioration will occur. Therefore, even during etching of a sample having a multilayer structure, in order to maintain a uniform in-plane distribution of ion current density, it is necessary to change the curvature of the lower convex ECR magnetic field in accordance with the change in ion current density.

이것에 대응하기 위해, 도 18과 같이, 시료에 인가하는 바이어스의 파워와 피크 투 피크(peak to peak)전압(바이어스 전압의 최소치와 최대치의 차)의 관계에 서 이온 전류밀도를 계산하고, 그 결과를 이용하여 하측 볼록 ECR 자장의 곡률의 최적치를 계산하며, 솔레노이드 코일 전류에 피드백하는 시스템을 개발했다. 본 시스템을 이용하여 에칭하는 것에 의해 다층 구조의 시료의 에칭 중에서도, 이온 전류밀도 면내 분포를 균일하게 유지할 수 있다.To cope with this, as shown in Fig. 18, the ion current density is calculated from the relationship between the power of the bias applied to the sample and the peak to peak voltage (the difference between the minimum value and the maximum value of the bias voltage). Using the results, we developed a system that calculates the optimum curvature of the lower convex ECR magnetic field and feeds back the solenoid coil current. By etching using this system, the ion current density in-plane distribution can be maintained uniformly even during the etching of the sample having the multilayer structure.

(실시예 8)(Example 8)

본 실시예에서는 다층 배선의 에칭을 행한 예를 나타낸다. 실시예 7의 장치를 이용하여 다층 구조의 금속배선의 에칭을 행하였다. 피 에칭 시료로서는, 도 19에 나타내는 바와 같이, 게이트 배선 상에 CVD로 퇴적시킨 산화실리콘(15) 상에, 질화티탄(TiN)(18), 알루미늄·동·실리콘 혼정(Al-Cu-Si)(19), 질화티탄(TiN)(20)의 순서대로 퇴적시키고, 그 위에 레지스트 마스크(21)를 형성시킨 구조의 것을 이용하였다. 이 시료를 Cl2와 BCl3, CH4 4% Ar 희석가스(이하 NR이라 한다)의 혼합가스의 플라즈마를 이용하여 0.5㎩의 저압에서, 1㎃/㎠의 저이온 전류밀도가 얻어지는 UHF 전력 800W의 조건에서, 시료에는 40W, 800KHz의 RF 바이어스를 인가하여 에칭했다. 에칭 후, CF4와 O2의 혼합가스 플라즈마로 레지스트를 애싱 제거하고, NMD-3에서 웨트 처리한 후의 형상을 도 20에 나타낸다.In this embodiment, an example of etching the multilayer wirings is shown. The metal wiring of the multilayer structure was etched using the apparatus of Example 7. As an etched sample, as shown in FIG. 19, on the silicon oxide 15 deposited by CVD on the gate wiring, titanium nitride (TiN) 18, aluminum copper, silicon mixed crystal (Al-Cu-Si) (19) and titanium nitride (TiN) 20 were deposited in this order, and a structure having a resist mask 21 formed thereon was used. The UHF power 800W was obtained by using a plasma of a mixed gas of Cl 2 , BCl 3 , and CH 4 4% Ar diluted gas (hereinafter referred to as NR) at a low pressure of 0.5 mA and a low ion current density of 1 mA / cm 2. Under the condition of, the sample was etched by applying an RF bias of 40 W and 800 KHz. After etching, the resist is ashed and removed from the mixed gas plasma of CF 4 and O 2 , and the shape after wet treatment in NMD-3 is shown in FIG. 20.

도 20에 나타낸 성긴 패턴의 CD 게인과 시료-샤워 플레이트간의 거리의 관계를 측정했다. 그 결과를 도 21에 나타낸다. 또한, CD 게인이라는 것은, 도 20에 나타낸 바와 같이, 에칭 패턴의 치수 증가량(감소량)을 말한다.The relationship between the CD gain and the sample-shower plate of the sparse pattern shown in FIG. 20 was measured. The result is shown in FIG. In addition, CD gain means the dimension increase amount (reduction amount) of an etching pattern, as shown in FIG.

샤워 플레이트와 시료대의 사이의 거리가 100㎜ 이상이 되는 종래 장치의 에 칭 조건에서는 주변의 패턴에 비하여, 중심 패턴의 CD 게인이 크게되는 문제가 있었지만, 샤워 플레이트와 시료대의 사이의 거리를 100㎜ 미만으로 함으로써, 중심 패턴의 CD 게인이 저감되고, 주변 패턴과 중심 패턴의 CD 게인의 차가 작게 되는 것을 알 수 있다. 또, 이 효과에는 도 1 중에 나타낸 샤워 플레이트 지름도 중요한 요인이고, 샤워 플레이트 지름 170㎜ 에서는 효과가 없고, 샤워 플레이트 지름이 웨이퍼 지름의 3/4이 되는 샤워 플레이트 지름 150㎜ 이하에서 CD 게인 저감의 효과가 나타나는 것을 알 수 있다. 샤워 플레이트 지름 100㎜에서는 시료-샤워 플레이트 사이의 거리를 60㎜ 까지 짧게 하는 것에 의해서, CD 게인의 면내 차이가 없는 가공을 할 수 있는 것을 알 수 있었다.Under the etching conditions of the conventional apparatus in which the distance between the shower plate and the sample stand is 100 mm or more, there is a problem that the CD gain of the center pattern is larger than that of the surrounding pattern, but the distance between the shower plate and the sample stand is 100 mm. By setting it as less than this, it turns out that the CD gain of a center pattern is reduced and the difference of the CD gain of a peripheral pattern and a center pattern becomes small. In addition, the shower plate diameter shown in FIG. 1 is also an important factor in this effect, and it is ineffective in the shower plate diameter of 170 mm, and the CD gain reduction is performed at the shower plate diameter of 150 mm or less, where the shower plate diameter is 3/4 of the wafer diameter. It can be seen that the effect appears. When the shower plate diameter was 100 mm, it was found that by shortening the distance between the sample and the shower plates to 60 mm, processing without in-plane difference in CD gain can be performed.

샤워 플레이트 지름 100㎜, 시료-샤워 플레이트 사이의 거리 60㎜의 조건에서 에칭한 시료의 게이트의 파괴를 측정한 결과를 도 22에 나타낸다. 게이트 파괴를 받은 IC칩을 나타내는 검은 부분이 전혀 보이지 않는다. 즉, 1㎃/㎠ 이하의 저이온 전류밀도로 하는 것에 의해, 이방선 가공이 가능한 0.5㎩ 이하의 저압에서도 게이트 파괴가 없는 에칭을 실현할 수 있는 것을 알 수 있었다.The result of having measured the destruction of the gate of the sample etched on condition of 100 mm of shower plate diameters, and 60 mm of distances between a sample and a shower plate is shown in FIG. The black part showing the IC chip subjected to the gate breakage is not seen at all. That is, it turned out that the etching without gate destruction can be implement | achieved even by the low pressure of 0.5 mA or less which can be anisotropic process by setting it as the low ion current density of 1 mA / cm <2> or less.

여기서는, 금속의 에칭에 대해서 기술했지만, 본 실시예의 시료-샤워 플레이트 간 거리의 효과나, 저압 저이온 전류에서의 에칭의 효과는 게이트의 에칭에서도 동일하다.Although the etching of metal is described here, the effect of the sample-shower plate distance of this Example, and the effect of the etching in low pressure low ion current are the same also in the etching of a gate.

또한, 상기의 밀집 패턴이라는 것은, 예를 들어 DRAM에서는 메모리 매트부의 배선 패턴을 말하며, 성긴 패턴이라는 것은, 주변회로의 배선 패턴을 말한다.In addition, the said dense pattern means the wiring pattern of a memory mat part in DRAM, for example, and a loose pattern means the wiring pattern of a peripheral circuit.

(실시예 9)(Example 9)

도 23은 CMOS 게이트 가공공정의 흐름을 나타내는 도면이다. 우선, CVD법에 의해 실리콘 산화막 상에 i-Poly를 퇴적시킨다. 이 i-Poly 상에 포토레지스트를 도포하고 리소그래피 기술에 의해 패터닝을 행하여 레지스트 패턴을 형성한다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, p+의 이온주입을 행한 후, 레지스트를 박리하여 어닐을 행하는 것에 의해서, 인접하는 i-Poly층 n+Poly-Si층을 형성한다. 이 i-Poly/n+Poly-Si층 상에 CVD에 의해 Si3N4를 퇴적시킨다. 다음으로, 포토레지스트를 도포해서 리소그래피 기술에 의해 패터닝을 행하여 레지스트 패턴을 형성한다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 Si3N4층을 CHF3/O2/Ar 혼합가스 플라즈마에 의해 이방성 에칭한다. 또한 레지스트를 애싱(ashing) 제거하여 Si3N4 마스크를 형성한다. 이 샘플의 i-Poly/n+Poly-Si층을 Si3N4를 마스크로하여 실시예 2의 장치를 이용해서, 이방성 에칭을 행하였다. 이방성 에칭은 Cl2, O2, HBr의 혼합가스를 이용하여 0.1 ~ 0.2㎩의 저압, 1㎃/㎠의 저이온 전류밀도가 얻어지는 UHF 전력 800W에서, 시료에 800KHz·40W의 RF 바이어스를 인가하여 행하였다. 본 장치에서 에칭하는 것에 의해서, i-Poly 패턴과 n+Poly-Si 패턴에서 형상 차이가 없는 에칭을 행하였다. 다음으로, 남은 Si3N4/Poly-Si 패턴을 마스크로 인의 도핑공정을 행하여 CMOS 게이트를 형성시켰다.Fig. 23 shows the flow of the CMOS gate processing process. First, i-Poly is deposited on the silicon oxide film by the CVD method. A photoresist is applied on the i-Poly and patterned by lithography to form a resist pattern. After implanting p + with the resist pattern as a mask, the resist is stripped and annealed to form an adjacent i-Poly layer n + Poly-Si layer. Si 3 N 4 is deposited on the i-Poly / n + Poly-Si layer by CVD. Next, a photoresist is applied and patterned by lithography to form a resist pattern. The Si 3 N 4 layer is anisotropically etched by CHF 3 / O 2 / Ar mixed gas plasma using this resist pattern as a mask. The resist is also ashed off to form a Si 3 N 4 mask. The anisotropic etching was performed for the i-Poly / n + Poly-Si layer of this sample using Si 3 N 4 as a mask using the apparatus of Example 2. Anisotropic etching is performed by applying an RF bias of 800KHz and 40W to a sample at 800W of UHF power, which obtains a low pressure of 0.1 to 0.2 mA and a low ion current density of 1 mA / cm 2 using a mixed gas of Cl 2 , O 2 , and HBr. It was done. By etching in this apparatus, etching with no shape difference was performed between the i-Poly pattern and the n + Poly-Si pattern. Next, a phosphorous doping step was performed using the remaining Si 3 N 4 / Poly-Si pattern as a mask to form a CMOS gate.

본 발명의 구성으로 하는 것에 의해, 이방성 가공이 가능한 0.5㎩ 이하의 저압에서도 1㎃/㎠ 이하의 균일 또한 저이온 전류밀도의 플라즈마를 실현할 수 있기 때문에, 게이트 파괴가 없는 균일한 에칭이 가능하다.According to the configuration of the present invention, a plasma having a uniformity of 1 mA / cm 2 or less and a low ion current density can be realized even at a low pressure of 0.5 kPa or less, which allows anisotropic processing, so that uniform etching without gate breakage is possible.

Claims (31)

삭제delete 처리실과,Treatment chamber, 상기 처리실 내에 설치된, 피가공물을 설치하기 위한 시료대와,A sample table for installing a work piece installed in the processing chamber; 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 배기수단과,Exhaust means for exhausting the gas in the processing chamber; 상기 처리실 내에 가스를 도입하는 샤워 플레이트와,A shower plate for introducing gas into the processing chamber; UHF 전원과,With UHF power, 상기 UHF 전원과 접속되고, 원반형상 전극판을 가지는 안테나와,An antenna connected to the UHF power supply and having a disk-shaped electrode plate; 상기 처리실 내에 발생하는 플라즈마를 제어하는 자장형성수단과,Magnetic field forming means for controlling plasma generated in said processing chamber; 상기 안테나와 상기 처리실을 분리하는 분리판을 구비하고,A separating plate separating the antenna and the processing chamber, 상기 샤워 플레이트의 샤워 플레이트 지름은 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작은 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the shower plate diameter of the shower plate is smaller than 3/4 of the diameter of the workpiece. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 분리판은 유전체인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the separator is a dielectric. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 분리판은, 상기 안테나측을 대기측으로 하고, 상기 처리실측을 진공측과 분리하기 위한 분리판인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the separating plate is a separating plate for separating the processing chamber side from the vacuum side with the antenna side as the air side. 삭제delete 처리실과,Treatment chamber, 상기 처리실 내에 설치된, 피에칭물을 설치하는 대와,A stand for installing an object to be etched in the processing chamber, 상기 처리실 내에 가스를 도입하는 샤워 플레이트와,A shower plate for introducing gas into the processing chamber; 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 수단과,Means for exhausting gas in the processing chamber; 상기 처리실과, 상기 처리실 내의 압력보다도 높은 압력의 제 2 영역으로 분리하는 분리판과,A separating plate separating the processing chamber and a second region having a pressure higher than the pressure in the processing chamber; 상기 제 2 영역에 배치된 안테나와,An antenna disposed in the second region, 그 안테나에 접속된 UHF 전원과,UHF power supply connected to the antenna, 상기 처리실의 외주에 설치된 코일을 가지고,Having a coil installed on the outer periphery of the processing chamber, 상기 샤워 플레이트의 샤워 플레이트 지름은 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작은 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the shower plate diameter of the shower plate is smaller than 3/4 of the diameter of the workpiece. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 UHF 전원은, 주파수 300㎒이상 1㎓이하의 UHF파를 공급하는 전원인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the UHF power supply is a power supply for supplying UHF waves with a frequency of 300 MHz or more and 1 kHz or less. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 안테나는, 제 1 원반형상 전극판과, 어스(earth)전극을 구성하는 제 2 원반형상 전극판과, 상기 제 1 원반형상 전극판과 제 2 원반형상 전극판과의 사이에 배치된 유전체판을 구비하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.The antenna includes a first disc-shaped electrode plate, a second disc-shaped electrode plate constituting an earth electrode, and a dielectric plate disposed between the first disc-shaped electrode plate and the second disc-shaped electrode plate. Dry etching apparatus comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 안테나는, TM01 모드가 공진할 수 있도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And said antenna is set so that TM01 mode can resonate. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 UHF 전원으로부터의 전력을 상기 안테나에 공급하는 급전부는, 원추형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And a feed part for supplying electric power from the UHF power supply to the antenna is formed in a conical shape. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 처리실 내에 설치된, 유전체의 내통(內筒)과의 높이의 겹침부분이 10mm이상인 도체의 내통을 가지는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.A dry etching apparatus characterized by having an inner cylinder of a conductor having a height of 10 mm or more overlapped with an inner cylinder of a dielectric provided in the processing chamber. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 자장형성수단은, 상기 안테나와 상기 샤워 플레이트의 외주부를 둘러싸도록 설치된 코일인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And said magnetic field forming means is a coil provided to surround an outer circumferential portion of said antenna and said shower plate. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 코일은, 상단면이 상기 도체보다 높고, 하단면이 상기 샤워 플레이트보다도 낮게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 드라이 에치장치.And said coil has an upper end surface higher than said conductor and a lower end surface lower than said shower plate. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 안테나의 상부에, 상기 안테나의 지름보다도 작은 지름의 코일을 가지는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And a coil having a diameter smaller than that of the antenna, on the upper portion of the antenna. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 안테나로부터 보아서 볼록(凸)형인 ECR면을 형성하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And a means for forming a convex ECR surface when viewed from the antenna. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 볼록형의 ECR면을 형성하는 수단은, 상기 안테나 상에 설치된, 안쪽 지름이 255mm이하의 솔레노이드 코일인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the means for forming the convex ECR surface is a solenoid coil having an inner diameter of 255 mm or less provided on the antenna. 처리실과,Treatment chamber, 상기 처리실 내에 설치된, 피가공물을 설치하기 위한 시료대와,A sample table for installing a work piece installed in the processing chamber; 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 배기수단과,Exhaust means for exhausting the gas in the processing chamber; 상기 처리실 내에 가스를 도입하는 샤워 플레이트 수단과,Shower plate means for introducing gas into the processing chamber; UHF 전원과,With UHF power, 상기 UHF 전원과 접속된 안테나와,An antenna connected to the UHF power supply; 상기 처리실 내에 발생하는 플라즈마를 제어하는 자장형성수단과,Magnetic field forming means for controlling plasma generated in said processing chamber; 상기 안테나와 상기 처리실을 분리하는 분리판을 가지고,Has a separator separating the antenna and the processing chamber, 상기 안테나는, 유전체판과, 그 유전체판에 대하여 상기 분리판측에 배치된 제 1 원반형상 전극판과, 상기 유전체판에 대하여 상기 제 1 원반형상 전극판과는 반대측에 배치된 제 2 원반형상 전극판을 가지고,The antenna includes a dielectric plate, a first disk-shaped electrode plate disposed on the separation plate side with respect to the dielectric plate, and a second disk-shaped electrode disposed on a side opposite to the first disk-shaped electrode plate with respect to the dielectric plate. Take the plate, 상기 제 2 원반형상 전극판은 공동부(空洞部)를 가지는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the second disk-shaped electrode plate has a cavity. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 샤워 플레이트의 샤워 플레이트 지름은, 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작은 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.The shower plate diameter of the said shower plate is smaller than 3/4 of the diameter of the to-be-processed object, The dry etching apparatus characterized by the above-mentioned. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 자장형성수단은, 상기 안테나의 하부외주에 설치된, 상기 처리실의 지름보다도 큰 안쪽 지름의 솔레노이드 코일인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And said magnetic field forming means is a solenoid coil having an inner diameter larger than the diameter of said processing chamber provided on the lower periphery of said antenna. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,The method of claim 17 or 18, 상기 자장형성수단에 더하여, 상기 공동부 상에 설치된 상기 안테나의 지름보다도 작은 지름의 솔레노이드 코일을 구비한 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And a solenoid coil having a diameter smaller than the diameter of the antenna provided on the cavity, in addition to the magnetic field forming means. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 샤워 플레이트 지름이 150mm 이하인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the shower plate has a diameter of 150 mm or less. 삭제delete 처리실과,Treatment chamber, 상기 처리실 내에 설치된, 피가공물을 설치하기 위한 시료대와,A sample table for installing a work piece installed in the processing chamber; 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 배기수단과,Exhaust means for exhausting the gas in the processing chamber; 상기 처리실 내에 가스를 도입하는 샤워 플레이트와,A shower plate for introducing gas into the processing chamber; UHF 전원과,With UHF power, 상기 UHF 전원과 접속된 안테나와,An antenna connected to the UHF power supply; 상기 처리실 내에 발생하는 플라즈마를 제어하는 자장형성수단과,Magnetic field forming means for controlling plasma generated in said processing chamber; 그 안테나와 상기 처리실과의 사이에 설치된 유전체판을 가지고,Having a dielectric plate provided between the antenna and the processing chamber, 상기 샤워 플레이트의 샤워 플레이트 지름은, 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작은 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.The shower plate diameter of the said shower plate is smaller than 3/4 of the diameter of the to-be-processed object, The dry etching apparatus characterized by the above-mentioned. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 샤워 플레이트 지름이 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작고, 또한 1/2보다도 큰 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the shower plate diameter is smaller than 3/4 of the diameter of the workpiece and larger than 1/2. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 샤워 플레이트 지름이 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작고, 또한 1/2보다도 큰 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the shower plate diameter is smaller than 3/4 of the diameter of the workpiece and larger than 1/2. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 샤워 플레이트 지름이 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작고, 또한 1/2보다도 큰 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the shower plate diameter is smaller than 3/4 of the diameter of the workpiece and larger than 1/2. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, 상기 샤워 플레이트 지름이 상기 피가공물의 지름의 3/4보다도 작고, 또한 1/2보다도 큰 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.And the shower plate diameter is smaller than 3/4 of the diameter of the workpiece and larger than 1/2. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4658309B2 (en) * 2000-12-04 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
US20050051273A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-10 Kenji Maeda Plasma processing apparatus
US7262139B2 (en) * 2004-06-02 2007-08-28 Avx Israel, Ltd. Method suitable for batch ion etching of copper
JP4801522B2 (en) * 2006-07-21 2011-10-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ Semiconductor manufacturing apparatus and plasma processing method
GB201021853D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
CN103505757B (en) * 2012-06-30 2015-09-30 老肯医疗科技股份有限公司 Plasma air purification-sterilidevice device
CN103557562B (en) * 2013-11-18 2016-03-02 苏州大学 A kind of plasma air purifier and purification method thereof
KR102085044B1 (en) * 2015-05-22 2020-03-05 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 Plasma processing device and plasma processing method using same
JP6899035B2 (en) * 2019-07-29 2021-07-07 株式会社日立ハイテク Plasma processing equipment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940011662A (en) * 1992-11-19 1994-06-21 가나이 쓰도무 Anisotropic Etching Method and Apparatus
JPH09321031A (en) * 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd Plasma treating apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60158629A (en) * 1984-01-30 1985-08-20 Hitachi Ltd Microwave plasma processor
JP3314409B2 (en) * 1992-06-01 2002-08-12 株式会社日立製作所 Plasma generator
JP3132599B2 (en) * 1992-08-05 2001-02-05 株式会社日立製作所 Microwave plasma processing equipment
JP3085021B2 (en) * 1993-05-21 2000-09-04 株式会社日立製作所 Microwave plasma processing equipment
JPH06333848A (en) * 1993-05-27 1994-12-02 Hitachi Ltd Plasma generating device
US5614055A (en) * 1993-08-27 1997-03-25 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD and etching reactor
US5779925A (en) * 1994-10-14 1998-07-14 Fujitsu Limited Plasma processing with less damage
JP3257328B2 (en) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP3355926B2 (en) * 1995-05-19 2002-12-09 株式会社日立製作所 Plasma processing equipment
EP0743671A3 (en) * 1995-05-19 1997-07-16 Hitachi Ltd Method and apparatus for plasma processing apparatus
JPH09102400A (en) * 1995-07-31 1997-04-15 Hitachi Ltd Processing device using microwave plasma
JPH09148097A (en) * 1995-11-22 1997-06-06 Hitachi Ltd Plasma producing device, manufacture of semiconductor element using it, and semiconductor element
TW312815B (en) * 1995-12-15 1997-08-11 Hitachi Ltd
JP3499104B2 (en) * 1996-03-01 2004-02-23 株式会社日立製作所 Plasma processing apparatus and plasma processing method
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6009830A (en) * 1997-11-21 2000-01-04 Applied Materials Inc. Independent gas feeds in a plasma reactor
US6155202A (en) * 1997-11-28 2000-12-05 Alps Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus, matching box, and feeder
US6189484B1 (en) * 1999-03-05 2001-02-20 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940011662A (en) * 1992-11-19 1994-06-21 가나이 쓰도무 Anisotropic Etching Method and Apparatus
JPH09321031A (en) * 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd Plasma treating apparatus

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