KR100714218B1 - Micro patterning by decal transfer using elastomer - Google Patents

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KR100714218B1
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장문익
박인성
안진호
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한양대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 미세전사법에 있어서 TiO2 등 산화박막의 광촉매 특성을 이용함으로써 종래와 같이 기판과 형판의 접착력을 증가시키기 위한 별도의 UVO 처리 및 열처리 또는 UV 경화 처리공정을 제거한 간단하고도 경제적인 미세패턴 형성방법을 제공한다.In the present invention, by using the photocatalytic properties of an oxide thin film such as TiO 2 in the microtransfer method, a simple and economical microstructure that eliminates a separate UVO treatment and heat treatment or UV curing treatment process to increase the adhesion between the substrate and the template as in the prior art It provides a pattern forming method.

이를 위하여 본 발명에 의한 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴의 형성방법은 고분자 탄성 중합체로 되는 특정 패턴의 형판과, 광촉매 물질로 되는 박막층이 코팅된 박막층 기판을 각각 제조하는 형판 및 박막층 기판의 제조 단계와, 상기 형판과 상기 기판을 정렬하여 접촉시키고 이에 광을 조사하여 상호 접착시키는 정렬 및 접착 단계와, 상기 접착된 형판의 일부를 상기 기판으로부터 분리해내어 상기 특정 패턴을 상기 기판에 전사하는 전사 단계를 포함하여 이루어진다.To this end, a method of forming a micropattern by self-transfer using the polymer elastomer according to the present invention is a template and a thin film layer substrate for manufacturing a thin film layer substrate coated with a specific pattern of a polymer elastomer and a thin film layer of a photocatalyst material, respectively. A manufacturing step of aligning and aligning and contacting the template with the substrate and irradiating light to each other, and aligning and adhering a portion of the bonded template from the substrate to transfer the specific pattern to the substrate. It comprises a transfer step.

고분자탄성중합체, 전사, 미세패턴, 광촉매, PDMS, TiO2, 형판, 박막층, SAMs Polymer elastomer, transfer, fine pattern, photocatalyst, PDMS, TiO2, template, thin film layer, SAMs

Description

고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴의 형성방법 {MICRO PATTERNING BY DECAL TRANSFER USING ELASTOMER}Method of forming micropattern by self-transfer using polymer elastomer {MICRO PATTERNING BY DECAL TRANSFER USING ELASTOMER}

도 1은 일반적인 미세전사법의 개략 설명도.1 is a schematic explanatory diagram of a general micro transcription method;

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 미세패턴 형성방법의 개략 설명도.2A to 2D are schematic explanatory diagrams of a method for forming a micropattern according to the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 있어서 RTA로 열처리한 TiO2 박막층의 각 RTA 열처리 온도에 따른 XRD 회절 데이터.3 is XRD diffraction data according to respective RTA heat treatment temperatures of the TiO 2 thin film layer heat-treated with RTA in an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 있어서 광 조사 시간(Exposure time)에 따른 PDMS의 전사특성을 나타내는 현미경 사진.Figure 4 is a micrograph showing the transfer characteristics of PDMS according to the exposure time (Exposure time) in an embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 있어서 PDMS가 TiO2 박막층 기판으로 전사된 상태를 나타내는 전자 현미경 사진.5A and 5B are electron micrographs showing a state in which PDMS is transferred to a TiO 2 thin film substrate in an embodiment of the present invention.

도 5c는 도 5a의 라인 형태에 대한 원자현미경 스캐닝 데이터.FIG. 5C is atomic microscope scanning data for the line form of FIG. 5A. FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1: 형판 2: 마스터1: template 2: master

3: 박막층 4: 기판3: thin film layer 4: substrate

본 발명은 미세 패턴을 형성하기 위한 소프트 리소그라피(Soft Lithography) 기술에 관한 것으로, 특히 미세 패턴이 형성되어 있는 고분자 탄성 중합체 형판(Elastomer Mold)을 광촉매 반응이 가능한 박막 기판에 접촉시키고 이를 노광하여 그 일부를 기판에 전사하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a soft lithography technique for forming a fine pattern. In particular, a polymer elastomer mold in which a fine pattern is formed is contacted with a thin film substrate capable of photocatalytic reaction and exposed to a part thereof. The present invention relates to a method for forming a micropattern by self-transfer using a polymer elastic polymer which is transferred to a substrate.

일반적으로 나노미터 또는 마이크로미터 크기의 미세 패턴을 형성하기 위해서는 패턴이 형성되어 있는 투명 마스크에 광을 조사하여 상기 패턴을 기판에 등배 또는 축소 전사하는 포토 리소그라피(Photo Lithography) 기술이 사용된다. In general, in order to form a nanometer or micrometer-sized fine pattern, a photolithography technique is used in which the pattern is formed by irradiating light to the transparent mask on which the pattern is equally magnified or reduced on the substrate.

이러한 기술은 통상적으로 기판에 패턴이 형성될 박막을 증착하는 단계, 이 박막 위에 PR(Photoresist) 유기물을 코팅하는 단계, 이에 광을 조사하여 마스크의 패턴을 전사하는 단계, 광의 조사에 의하여 경화되지 않은 부분의 PR을 현상액으로 제거하는 단계와 형성된 PR 패턴으로 박막을 에칭하는 단계로 이루어진다. Such techniques typically include depositing a thin film on which a pattern is to be formed on a substrate, coating a photoresist (PR) organic material on the thin film, transferring a pattern of a mask by irradiating light thereto, and uncuring by irradiation of light. Removing the PR of the portion with a developer and etching the thin film with the formed PR pattern.

그러나, 이러한 기술은 마스크와 복잡한 노광 장비의 제작비용이 많이 들어 소량 생산 대상의 디바이스 제조에는 부적합하다. 또한, 전사 면적이 작아서 대면적 디바이스(예를 들어, 디스플레이 디바이스)를 제작하기 위해서는 상당한 시간이 소요되며, 유연한 기판에의 패턴 전사가 불가능하다는 문제가 있다.However, such a technique is expensive to manufacture masks and complex exposure equipment, and thus is unsuitable for manufacturing a device for a small amount of production. In addition, since the transfer area is small, it takes a considerable time to manufacture a large area device (for example, a display device), and there is a problem that pattern transfer to a flexible substrate is impossible.

이러한 문제를 극복하기 위하여 제시된 새로운 방법 중의 하나가 바로 소프트 리소그라피 기술이다. One of the new methods proposed to overcome this problem is soft lithography technology.

이 기술은 자기 조립 단일막(SAMs: Self Assembled Monolayers) 등의 유기물 질이나 PDMS(Polydimethylsiloxane) 등의 고분자 탄성 중합체와 같이 소프트한 물질을 이용하여 특정 패턴을 기판에 기계적으로 등배 전사하는 미세패턴 형성기술이다. This technology is a micropattern forming technology that mechanically equalizes and transfers a specific pattern onto a substrate using organic materials such as self-assembled monolayers (SAMs) or soft materials such as polymer elastomers such as polydimethylsiloxane (PDMS). to be.

소프트 리소그라피 기술에는 미세 접촉 인쇄(Microcontact Printing), 모세관 내 미세주물(Micromolding In Capillaries), 미세 전이 주조 (Microtransfer Molding), 용매원용 미소 몰딩(Solvent Assisted Micromolding), 복제 주조 (Replica Molding), 미세 전사법(Decal Transfer Microlithography) 등이 있다. Soft lithography techniques include Microcontact Printing, Micromolding In Capillaries, Microtransfer Molding, Solvent Assisted Micromolding, Replica Molding, Microtransfer (Decal Transfer Microlithography).

이들 기술들을 간략히 소개하면, 먼저 미세 접촉 인쇄는 고분자 탄성 중합체로 패턴을 형성한 형판에 SAMs를 전면 코팅하고 상기 형판을 기판과 접촉시킨 후, SAMs를 상기 기판에 전사하여 패턴을 전사하는 방법이다. 모세관 내 미세주물은 패턴이 형성된 고분자 탄성 중합체 형판과 기판을 접촉시켜 접촉면 사이의 비어있는 채널에 점도가 낮은 액상 폴리머가 모세관현상에 의하여 저절로 채워지도록 하여 패턴을 형성하는 방법이다. 미세 전이 주조는 고분자 탄성 중합체 형판의 오목한 부분에 다른 종류의 폴리머를 부어서 채우고 형판과 기판을 접촉시킨 다음, UV 경화나 열경화 방법으로 폴리머만 경화시키고 형판을 떼어내어 패턴을 형성하는 방법이다. 용매원용 미소 몰딩은 고분자 탄성 중합체 형판의 표면에 폴리머를 녹일 수 있는 휘발성 용매를 코팅한 후, 폴리머가 코팅된 기판과의 접촉을 통해서 폴리머 재료를 녹여 패턴형성을 하는 방법이다. 복제 주조는 탄성이 있는 고분자 탄성 중합체 형판의 기계변형 및 열변형을 이용하여 사이즈를 조절한 후 폴리우레탄과 같은 고분자를 코팅하고 경화시켜서 패턴을 형성하는 방법이다.Briefly introducing these techniques, first, micro-contact printing is a method of completely coating SAMs on a template formed with a polymer elastomer and contacting the template with a substrate, and then transferring the SAMs to the substrate to transfer the pattern. The micro casting in the capillary is a method of forming a pattern by contacting a substrate with a patterned polymer elastomer template with a substrate so that a liquid polymer having a low viscosity is filled by capillarity in an empty channel between contact surfaces. Microtransition casting is a method of pouring a different kind of polymer into a recess of a polymer elastomer template, contacting the template with the substrate, curing only the polymer by UV curing or thermosetting, and removing the template to form a pattern. Solvent source micro molding is a method of coating a volatile solvent capable of dissolving a polymer on the surface of a polymer elastomer template and then melting the polymer material through contact with a polymer-coated substrate to form a pattern. Replication casting is a method of forming a pattern by adjusting the size using mechanical deformation and heat deformation of the elastic polymer elastomer template and then coating and curing a polymer such as polyurethane.

그러나, 이들 기술에 있어서 유동성이 큰 SAMs나 폴리머가 기판에 전사되는 경우에는 이러한 전사 물질이 전사 도중 또는 전사 후에 기판 상에 번져서 패턴 사이즈가 변하거나 패턴이 변형되기 쉽다는 심각한 단점이 있다. However, in these techniques, when the SAMs or polymers having high fluidity are transferred to the substrate, there is a serious disadvantage that such transfer material is spread on the substrate during or after the transfer and the pattern size is easily changed or the pattern is easily deformed.

그리하여, 이러한 단점을 극복하기 위하여 유동성이 낮은 PDMS 자체를 기판에 전사시키는 미세전사법이 개발되었다. Thus, in order to overcome this drawback, a microtransfer method for transferring PDMS itself having low fluidity to a substrate has been developed.

미세전사법은 먼저 기판과 고분자 탄성 중합체의 일종인 PDMS 형판을 각각 자외선 산화처리(UVO)하고 형판과 기판을 서로 접촉을 시킨 후에, 접촉 상태에서 열 또는 자외선을 조사하여 PDMS와 기판의 접착력을 향상시키고, PDMS 형판의 특정 부위를 기계적으로 분리시킴으로써 기판에 패턴이 전사되는 방법이다. 미세전사법은 일단 기판에 형성된 패턴의 변형이 작으며, 기판과의 균일접촉(Conformal Contact)에 의하여 유연한 기판에도 패턴전사가 가능하다는 장점이 있으나, 반면 공정이 다소 복잡하다는 단점을 가진다(William R. Childs and Ralph G. Nuzzo, "Decal Transfer Microlithography", Journal of American Chemical Society, volume 124, pp.13583-13596; William R. Childs and Ralph G. Nuzzo, "Patterning of Thin-Film Microstructures on Non-Planar Substrate Surfaces Using Decal Transfer Lithography", Advanced materials, volume 16, pp.1323-1327).In the micro-transfer method, the PDMS template, which is a kind of substrate and a polymer elastomer, is subjected to ultraviolet oxidation (UVO), respectively, and the template and the substrate are brought into contact with each other. And a specific portion of the PDMS template is mechanically separated to transfer the pattern onto the substrate. The microtransfer method has the advantage that the deformation of the pattern formed on the substrate is small and the pattern transfer is possible even on the flexible substrate by the conformal contact with the substrate, but the process is somewhat complicated (William R Childs and Ralph G. Nuzzo, "Decal Transfer Microlithography", Journal of American Chemical Society, volume 124, pp.13583-13596; William R. Childs and Ralph G. Nuzzo, "Patterning of Thin-Film Microstructures on Non-Planar Substrate Surfaces Using Decal Transfer Lithography ", Advanced materials, volume 16, pp.1323-1327).

도 1은 일반적인 미세전사법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for schematically explaining a general microtransfer method.

먼저, 패턴이 형성되어 있는 마스터에 PDMS의 올리고머와 경화제를 붓고 이를 오븐에서 70℃의 온도로 경화시킨 후에, 마스터로부터 분리하여 PDMS 형판을 완성한다(a). First, the oligomer and the curing agent of the PDMS is poured into the master on which the pattern is formed and cured at 70 ° C. in an oven, and then separated from the master to complete the PDMS template (a).

그리고, 기판 및 PDMS 형판의 표면 접착력을 증가시키기 위하여 기판 및 PDMS 형판을 각각 습식세정(Wet Cleaning)하고 UVO 처리한다(b). Then, in order to increase the surface adhesion between the substrate and the PDMS template, the substrate and the PDMS template are wet cleaned and UVO treated, respectively (b).

그리고, 기판과 PDMS 형판을 접촉시킨 상태에서 열을 가하거나 UV를 조사하여 PDMS와 기판의 접착을 향상시킨다(c).In addition, the adhesion between the PDMS and the substrate is improved by applying heat or UV irradiation while the substrate and the PDMS template are in contact with each other (c).

마지막으로 PDMS 상부의 특정 부위에서 PDMS가 물리적으로 분리되도록 하여 기판과 접착된 PDMS의 일부만이 기판에 남도록 하여 최종 패턴을 형성한다(d). 이로써 PDMS 형판의 일부가 떨어져서 PDMS 자체가 기판에 전사되게 된다.Finally, the PDMS is physically separated at a specific portion of the PDMS so that only a part of the PDMS bonded to the substrate remains on the substrate to form a final pattern (d). This causes a portion of the PDMS template to fall off so that the PDMS itself is transferred to the substrate.

그런데, 이러한 미세전사법은 PDMS와 기판이 상기 3 단계들(a 내지 c 단계)에서 충분히 접착되어야만 d단계에서 PDMS가 기판으로부터 떨어져 나가지 않는다. 따라서, 기판과 PDMS의 충분히 강한 접착력을 확보하기 위하여 반드시 PDMS와 기판이 접착되기 이전에 기판과 PDMS를 습식세정과 UVO 처리를 하여야 하며, 또한 PDMS와 기판이 접착된 후에 다시 70℃의 열처리를 하여야 하므로, 공정이 복잡하다는 심각한 문제점이 있었다. 또한, b단계에서의 UVO 처리 후, 1분 이상 PDMS 또는 기판이 대기 중에 노출되는 경우에는 PDMS의 전사가 일어나지 않는다는 문제점도 있었다. However, this microtransfer method requires that the PDMS and the substrate be sufficiently bonded in the above three steps (a to c) so that the PDMS does not fall off from the substrate in step d. Therefore, in order to secure a sufficiently strong adhesion between the substrate and the PDMS, the substrate and the PDMS must be wet-cleaned and UVO treated before the PDMS and the substrate are adhered, and further heat treated at 70 ° C. after the PDMS and the substrate are bonded. Therefore, there was a serious problem that the process is complicated. In addition, when the PDMS or the substrate is exposed to the air for 1 minute or more after the UVO treatment in step b, there is a problem that the transfer of the PDMS does not occur.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 상기와 같은 미세전사법에 있어서 TiO2 등 산화박막의 광촉매 특성을 이용함으로써 종래와 같이 기판과 형판의 접착력을 증가시키기 위한 별도의 UVO 처 리 및 열처리 또는 UV 경화 처리공정을 제거한 간단하고도 경제적인 미세패턴 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention was devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to use the photocatalytic properties of an oxide thin film such as TiO 2 in the microtransfer method as described above to improve adhesion between the substrate and the template. It is an object of the present invention to provide a simple and economical micropattern forming method that eliminates the separate UVO treatment and heat treatment or UV curing process to increase.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법은 고분자 탄성 중합체로 되는 특정 패턴의 형판과, 광촉매 물질로 되는 박막층이 코팅된 박막층 기판을 각각 제조하는 형판 및 박막층 기판의 제조 단계와, 상기 형판과 상기 기판을 정렬하여 접촉시키고 이에 광을 조사하여 상호 접착시키는 정렬 및 접착 단계와, 상기 접착된 형판의 일부를 상기 기판으로부터 분리해내어 상기 특정 패턴을 상기 기판에 전사하는 전사 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the method for forming a micropattern by self-transfer using the polymer elastomer according to the present invention is to prepare a specific pattern template made of a polymer elastomer and a thin film layer substrate coated with a thin film layer made of a photocatalyst material, respectively. A step of manufacturing a template and a thin film layer substrate, an alignment and adhesion step of aligning and contacting the template with the substrate and irradiating light thereto, and separating a portion of the adhered template from the substrate to form the specific pattern. It characterized in that it comprises a transfer step for transferring to the substrate.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 광촉매 물질은 TiO2, ZnO, Nb2O5, WO3, SnO2, ZrO2, SrTiO3, KTaO3, Ni-K4N6O17, CdS, ZnS, CdSe, GaP, CdTe, MoSe2, WSe2 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 한다.Further, another aspect of the invention, the photocatalytic material is TiO 2, ZnO, Nb 2 O 5, WO 3, SnO 2, ZrO 2, SrTiO 3, KTaO 3, Ni-K 4 N 6 O 17, CdS, ZnS, At least one of CdSe, GaP, CdTe, MoSe 2 , WSe 2 is characterized in that the.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 고분자 탄성 중합체는 PDMS, 폴리이미드계 고분자 물질, 폴리우레탄계 고분자 물질, 플로로카본계 고분자 물질, 아크릴계 고분자 물질, 폴리아닐린계 고분자 물질, 폴리에스테르계 고분자 물질, 폴리실리콘계 고분자 물질 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, the polymer elastomer is PDMS, polyimide polymer, polyurethane polymer, fluorocarbon polymer, acrylic polymer, polyaniline polymer, polyester polymer, polysilicon At least one of the polymer material is characterized in that.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 형판 및 박막층 기판의 제조 단계는 상기 박막층 기판을 RTA(Rapid Thermal Annealing)로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the manufacturing of the template and the thin film layer substrate may further include heat treating the thin film layer substrate with Rapid Thermal Annealing (RTA).

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도범위로 하는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, the heat treatment is characterized in that the temperature range of 300 ℃ to 800 ℃.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 광촉매 물질이 TiO2로 되는 경우에는 상기 TiO2는 Anatase 구조, Rutile 구조 또는 이들 구조가 혼합된 결정 구조 중의 적어도 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, when the photocatalyst material is TiO 2 , the TiO 2 has at least one of an anatase structure, a rutile structure, or a crystal structure in which these structures are mixed.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 광은 주파장이 290nm 내지 500nm 범위의 근자외선 또는 가시광선으로 되는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, the light is characterized in that the dominant wavelength is near ultraviolet or visible light in the range of 290nm to 500nm.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 광을 조사하는 시간은 20분 내지 60분으로 하는 것을 특징으로 한다.Further, as another feature of the invention, the time for irradiating the light is characterized in that 20 minutes to 60 minutes.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 특정 패턴의 형판은 소정의 웨이퍼를 마스킹하고 이를 식각하여 마스터를 형성하는 단계와, 상기 마스터의 상부에 고분자 탄성 중합체를 부어 경화시키는 단계와, 상기 경화된 고분자 탄성 중합체를 상기 마스터로부터 분리해내는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, the specific pattern of the template masking a predetermined wafer and etching it to form a master, the step of curing a polymer elastomer on top of the master, and the cured polymer elastic And separating the polymer from the master.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 마스터는 PR/Si3N4/Si층 구조로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, the master is characterized in that formed in a PR / Si 3 N 4 / Si layer structure.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 상기 박막층이 코팅된 기판은 스퍼터링, 이베포레이션, 화학기상법, 원자층 증착법 중의 적어도 어느 하나에 의하여 박막층이 코팅되는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, the thin film layer-coated substrate is characterized in that the thin film layer is coated by at least one of sputtering, evaporation, chemical vapor deposition, atomic layer deposition method.

또한, 발명의 다른 특징으로서, 본 발명에 의한 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법은 고분자 탄성 중합체로 되고 미세패턴을 지니는 형판을 소정의 기판과 상호 접착한 후 상기 기판을 상기 형판으로부터 분리해내어 전사하는 미세패턴 형성방법에 있어서, 상기 접착은 상기 기판이 광촉매 물질로 코팅되어 상기 기판과 상기 형판의 접촉부에 근자외선 또는 가시광선을 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, as another feature of the invention, the method of forming a micropattern by the self-transfer using the polymer elastomer according to the present invention is a polymer elastomer and after bonding a template having a micropattern to a predetermined substrate and the substrate is bonded to the template In the method of forming a fine pattern separated from the transfer, the adhesion is characterized in that the substrate is coated with a photocatalytic material to irradiate near ultraviolet or visible light to the contact portion of the substrate and the template.

이하, 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the present invention will be described in detail.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 미세패턴 형성방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.2A to 2D are views for schematically explaining a method for forming a micropattern according to the present invention.

본 발명에 의한 미세패턴 형성방법에 있어서는, 먼저 제1단계로서 고분자 탄성 중합체로서 PDMS를 이용하여 형판(1)을 제작한다(도 2a). 즉, 실리콘 등의 웨이퍼를 마스킹하고 식각하여 마스터(2)를 형성한 후, 그 상부에 PDMS를 부어(Pouring) 경화시키고 이를 마스터(2)로부터 분리하여 형판(1)을 형성한다. In the method for forming a micropattern according to the present invention, first, as a first step, a template 1 is produced using PDMS as a polymer elastomer (FIG. 2A). That is, after forming a master 2 by masking and etching a wafer such as silicon, PDMS is poured on top of the wafer to harden and separated from the master 2 to form a template 1.

이때, 상기 고분자 탄성 중합체로서 상기 PDMS 이외에도 폴리이미드(Polyimide)계 고분자 물질, 폴리우레탄(Polyurethane)계 고분자 물질, 플로로카본(Fluorocarbon)계 고분자 물질, 아크릴(Acrylic)계 고분자 물질, 폴리아닐린(Polyaniline)계 고분자 물질, 폴리에스테르(polyester)계 고분자 물질, PDMS가 속하는 폴리실리콘(polysilicon)계 고분자 물질 등이 사용될 수 있다.In this case, as the polymer elastomer, in addition to the PDMS, a polyimide polymer material, a polyurethane polymer material, a fluorocarbon polymer material, an acrylic polymer material, and a polyaniline Based polymer material, polyester (polyester) polymer material, polysilicon (polysilicon) polymer material to which the PDMS belongs can be used.

제2단계로서, Si 등의 웨이퍼(4) 상에 광에 반응하여 형판(1)과 접착될 수 있는 광촉매 물질로 되는 박막층(3)을 코팅하여 기판을 제조한다(도 2b). As a second step, a substrate is prepared by coating a thin film layer 3 made of a photocatalytic material that can be adhered to the template 1 in response to light on a wafer 4 such as Si (FIG. 2B).

이때, 물론 상기 제1단계 및 상기 제2단계는 순차적으로 실시할 필요가 없으며, 편의에 따라 동시에 또는 역순으로도 실시할 수 있음은 당연하다.At this time, of course, the first step and the second step do not need to be performed sequentially, of course, it can be performed simultaneously or in reverse order for convenience.

본 발명에 있어서 박막층(3)을 형성하는 방법으로는 일반적인 증착법이 사용된다. 즉, 스퍼터링(Sputtering), 이베포레이션(Evaporation) 등의 물리적 증착법과, 화학기상법(CVD: chemical vapor deposition), 원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition) 등의 화학적 증착법이 사용될 수 있다. 또한, 박막층(3)의 성질을 향상시키기 위하여 박막 증착 후에는 로(Furnace) 등으로 열처리를 하거나, 또는 급속하게 온도를 올려서 단시간에 열을 가하는 RTA(Rapid Thermal Annealing) 처리를 할 수 있다.In the present invention, as a method of forming the thin film layer 3, a general vapor deposition method is used. That is, physical vapor deposition such as sputtering, evaporation, and chemical vapor deposition such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD) may be used. In addition, in order to improve the properties of the thin film layer 3, after the thin film deposition, a heat treatment may be performed using a furnace or the like, or a rapid thermal annealing (RTA) treatment may be performed to rapidly heat and apply heat in a short time.

본 발명에 있어서 박막층(3)의 재료로 되는 광촉매 물질의 경우, 이에 광이 조사되면, 그 물질의 에너지 띠 간격(Energy Band Gap) 이상의 에너지를 갖는 광자가 흡수되어, 공유 띠(Valence Band)에서 전도 띠(Conduction Band)로 전자가 여기되며, 이에 따라 상기 공유 띠에는 정공(Hole)이, 상기 전도 띠에는 전자(Electron)가 생성되어 이른바 전자-정공쌍이 생성된다. 그리고 이들 전자와 정공이 PDMS 형판(1)의 CH3기를 분해하여 최종적으로 계면에 Si-O-Ti의 결합이 생겨서 형판(1)과 박막층 기판(3, 4)의 접착력을 증가시키게 된다.In the present invention, in the case of the photocatalyst material made of the material of the thin film layer 3, when light is irradiated, photons having energy above the energy band gap of the material are absorbed, and in the shared band, Electrons are excited by a conduction band, whereby holes are generated in the shared band and electrons are formed in the conduction band, thereby creating a so-called electron-hole pair. The electrons and holes decompose the CH 3 group of the PDMS template 1, and finally, Si-O-Ti bonds are formed at the interface to increase the adhesion between the template 1 and the thin film layer substrates 3 and 4.

본 발명에서는 광촉매 물질로서 TiO2, ZnO, Nb2O5, WO3, SnO2, ZrO2, SrTiO3, KTaO3, Ni-K4N6O17, CdS, ZnS, CdSe, GaP, CdTe, MoSe2, WSe2 등을 사용할 수 있고, 대체로 에너지 띠 간격이 1.7 내지 5 eV 정도 되는 물질들이다. In the present invention, a photocatalytic material TiO 2, ZnO, Nb 2 O 5, WO 3, SnO 2, ZrO 2, SrTiO 3, KTaO 3, Ni-K 4 N 6 O 17, CdS, ZnS, CdSe, GaP, CdTe, MoSe 2 , WSe 2, etc. may be used, and materials having energy band gaps of about 1.7 to 5 eV are generally used.

특히, TiO2의 경우 에너지 띠 간격이 3.2eV 정도로서 생물학적 및 화학적으로 불활성이고 광부식이나 화학적 부식에 대해 안정하며 값이 저렴하다는 장점을 가지므로 본 발명에 있어서 매우 유리하다. TiO2는 일반적인 결정 구조로서 Anatase, Rutile, Brookite의 세 가지 결정상을 가지며, 이들 상은 증착 온도, 열처리 온도, 증착 방법 등에 의하여 결정될 수 있다. 특히, 이들 결정 구조 중에서도 Anatase ＞ Rutile ＞ 비정질의 순서로 광촉매 반응이 활발하다고 알려져 있으므로, 본 발명에서는 Anatase 구조, Rutile 구조, 또는 이들이 혼합된 결정 구조 중의 적어도 어느 하나를 가지도록 박막층(3)을 형성함이 매우 바람직하다. In particular, TiO 2 is very advantageous in the present invention because the energy band spacing is about 3.2 eV, which is biologically and chemically inert, stable to photo corrosion or chemical corrosion, and inexpensive. TiO 2 has three crystal phases of Anatase, Rutile, and Brookite as a general crystal structure, and these phases may be determined by a deposition temperature, a heat treatment temperature, a deposition method, and the like. Particularly, among these crystal structures, the photocatalytic reaction is known to be active in the order of Anatase>Rutile> amorphous. Thus, in the present invention, the thin film layer 3 is formed to have at least one of an Anatase structure, a Rutile structure, or a mixed crystal structure thereof. Very desirable.

제3단계로서, 박막층 기판(3, 4) 상에 형판(1)을 접촉시키고 이에 광을 조사한다(도 2c). 이때, 사용되는 광은 주파장이 290nm 내지 500nm 범위의 근자외선이나 가시광선으로 함이 바람직하며, 고분자 탄성 중합체로 되는 형판(1)은 상기 광이 형판(1) 및 박막층 기판(3, 4)의 접촉부위까지 도달할 수 있도록 투명하게 제조됨이 바람직하다. 상기와 같이 광이 조사되면, 형판(1) 및 박막층 기판(3, 4)은 박막층(3)의 광촉매 반응에 의해 발생하는 화학반응 및 열에너지에 의하여 접착력을 얻게 된다.As a third step, the template 1 is brought into contact with the thin film layer substrates 3 and 4 and irradiated with light (FIG. 2C). In this case, the light used is preferably a near-ultraviolet or visible light having a dominant wavelength in the range of 290 nm to 500 nm, and the template 1 made of a polymer elastomer has the light template 1 and the thin film substrates 3 and 4 It is preferable that the production is made transparent so that it can reach the contact portion of. When light is irradiated as described above, the template 1 and the thin film layer substrates 3 and 4 obtain adhesive strength by chemical reaction and thermal energy generated by the photocatalytic reaction of the thin film layer 3.

제4단계로서, 물리적으로 형판(1)을 박막층 기판(3, 4)으로부터 분리하며, 이때 형판(1) 및 박막층 기판(3, 4)의 접착력으로 인하여 형판(1)의 일부가 박막층 기판(3, 4)에 접착된 상태로 남게 되어 결국 패턴 전사가 이루어지게 된다(도 2d). 물론, 이는 상기 접착력이 상기 분리되는 힘보다 큰 경우에만 한정된다.As a fourth step, the template 1 is physically separated from the thin film layer substrates 3 and 4, wherein a part of the template 1 is formed by the thin film layer substrate due to the adhesive force between the template 1 and the thin film layer substrates 3 and 4. 3, 4) is left in a state of being bonded, resulting in pattern transfer (FIG. 2D). Of course, this is limited only if the adhesive force is greater than the separating force.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 다만, 본 발명이 하술하는 실시예는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위하여 제공되는 것이며, 본 발명은 상기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail. However, the embodiments described below are provided to help the overall understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments.

실시예Example

먼저, Si 웨이퍼 상부에 Si3N4를 250nm 두께로 증착한 후, PR를 800nm 두께로 코팅하고 포토 리소그라피 공정으로 PR/Si3N4/Si 구조의 마스터를 형성하였다. PDMS는 올리고머(Dow Corning사, Sylgard 184)와 경화제를 10:1로 섞어서 5분간 교반한 후에 진공 챔버에 넣어서 40분간 기포를 제거하였고, 이를 상기 마스터 상부에 3 ~ 5mm 정도의 두께로 부은 후 1일간 상온에서 경화시켰다. 그리고, 이를 핫 플레이트로 65℃에서 1시간 동안 추가 경화시킨 후, PDMS를 상기 마스터로부터 분리시켜서 PDMS 형판을 완성하였다.First, Si 3 N 4 was deposited to a thickness of 250 nm on the Si wafer, and then PR was coated to a thickness of 800 nm and a master of PR / Si 3 N 4 / Si structure was formed by a photolithography process. PDMS was mixed with an oligomer (Dow Corning, Sylgard 184) and a curing agent 10: 1, stirred for 5 minutes and then put into a vacuum chamber to remove the air bubbles for 40 minutes, poured into a thickness of 3 ~ 5mm on the master top 1 Cured at room temperature daily. Then, after further curing for 1 hour at 65 ℃ with a hot plate, PDMS was separated from the master to complete the PDMS template.

그리고, RF 마그네트론 스퍼터를 사용하여 순도 99.995%의 TiO2 타겟으로 초기압력 6.1×10-7torr, 공정압력 5mTorr, Ar 유량 60sccm, RF 파워 200W의 조건에서 20분간 증착하여 Si (100) 웨이퍼 상부에 27nm 두께의 TiO2 박막층을 형성하였다. 그리고, 이를 300 ~ 800℃, N2 50sccm 분위기에서 1분간 RTA 열처리하여 TiO2 박막층 기판을 제조하였다.In addition, TiO 2 having a purity of 99.995% using an RF magnetron sputter. The target layer was deposited for 20 minutes under conditions of 6.1 × 10 −7 torr, process pressure of 5 mTorr, Ar flow rate of 60 sccm, and RF power of 200 W to form a 27 nm thick TiO 2 thin film on the Si (100) wafer. Then, the TiO 2 thin film layer substrate was prepared by RTA heat treatment for 1 minute in a 300 ~ 800 ℃, N 2 50sccm atmosphere.

그리고, 상기 TiO2 박막층 기판 상부에 상기 PDMS 형판을 정렬하여 접촉시킨 다음, 상기 PDMS 형판의 상부에 아크 램프(주파장 436nm)를 이용하여 광을 10 ~ 60 분간 조사하여 상기 PDMS 형판과 상기 TiO2 박막층 기판을 접착시켰다.Then, the PDMS template is aligned and contacted on the TiO 2 thin film substrate, and then the PDMS template and the TiO 2 are irradiated with light on the upper portion of the PDMS template using an arc lamp (436 nm) for 10 to 60 minutes. The thin film layer substrate was bonded.

그리고, 트위저 등을 이용하여 상기 PDMS 형판의 한쪽 모서리를 잡아당겨서 강제적으로 상기 TiO2 박막층 기판으로부터 이를 분리시켜 패턴 전사를 하였다.Then, by pulling a corner of the PDMS template using a tweezer or the like and forcibly separated from the TiO 2 thin film substrate to perform a pattern transfer.

도 3은 본 발명의 실시예에 있어서 RTA로 열처리한 TiO2 박막층의 각 RTA 열처리 온도에 따른 XRD 회절 결과를 나타낸다. 이때, "as depo"는 열처리를 하지 않은 TiO2 박막층을 가리키며, "300C", "500C", "800C"는 각 해당 온도(300℃, 500℃, 800℃)에서 열처리된 TiO2 박막층을 가리킨다.Figure 3 shows the XRD diffraction results according to the RTA heat treatment temperature of the TiO 2 thin film layer heat-treated with RTA in the embodiment of the present invention. In this case, "as depo" refers to the TiO 2 thin film layer which has not been heat-treated, and "300C", "500C", and "800C" refer to the TiO 2 thin film layer heat-treated at the respective temperatures (300 ° C, 500 ° C and 800 ° C). .

이를 보면, TiO2 증착 후에 열처리를 하지 않은 as depo 시료의 경우에는 특정 방향에서 회절 피크가 나타나지 않은 것으로 보아 비정질 상태임을 알 수 있다. 이때, 물론 본 실시예와 다른 증착 방법을 채택하여 증착 온도를 더욱 고온으로 증가시킨 경우에는 as depo 시료의 경우라도 결정구조가 나올 수 있으며, 이 경우 Anatase 구조, Rutile 구조 또는 이들이 혼합된 결정구조로 될 수 있음은 당연히 예상될 수 있다.As a result, it can be seen that the as depo sample, which was not heat-treated after TiO 2 deposition, was in an amorphous state because no diffraction peak appeared in a specific direction. At this time, of course, when the deposition temperature is increased to a higher temperature by adopting a deposition method different from the present embodiment, a crystal structure may be obtained even in the case of as depo sample, and in this case, an anatase structure, a rutile structure, or a mixed crystal structure thereof. Of course it can be expected.

또한, 본 실시예에 있어서 300℃ 이상의 온도로 열처리한 시료에서는 모두 Anatase 구조를 가짐을 알 수 있다. In addition, in the present Example, it turns out that all the samples heat-treated at the temperature of 300 degreeC or more have Anatase structure.

도 4는 본 발명의 실시예에 있어서 광 조사 시간(Exposure time)에 따른 PDMS의 전사특성을 나타내는 현미경 사진이다. 이때, 앞서와 마찬가지로 "as depo"는 열처리를 하지 않은 TiO2 박막층을 가리키며, "400C"는 400℃에서 열처리된 TiO2 박막층을 가리킨다.Figure 4 is a micrograph showing the transfer characteristics of the PDMS according to the exposure time (Exposure time) in the embodiment of the present invention. In this case, as described above, "as depo" refers to the TiO 2 thin film layer which has not been heat treated, and "400C" refers to the TiO 2 thin film layer which has been heat treated at 400 ° C.

본 실시예에 있어서 비정질인 as-depo의 경우에는 전체 광조사 시간범위에서 PDMS가 전사된 흔적이 없음을 알 수 있다(a). In the case of the amorphous as-depo in the present embodiment it can be seen that there is no trace of PDMS transcription in the entire light irradiation time range (a).

그러나, 본 실시예에 있어서 Anatase 결정구조를 가지는 400C의 경우에는 광을 20분 이상 조사하였을 때에는 PDMS의 패턴 전사가 일어남을 알 수 있으며, 30분간의 광 조사에서는 패턴 전사가 명확하게 나타남을 알 수 있다(b). 이는 앞서 설명하였듯이 TiO2 박막층의 광촉매 반응에 기인한 것으로서, 광 조사 시간이 길어짐에 따라 광촉매 반응이 활발해져 이에 방출되는 열에너지가 PDMS 형판과 TiO2 박막층 간의 접착력을 증가시켰기 때문으로 추정된다.However, in the present Example, in the case of 400C having an Anatase crystal structure, it can be seen that the pattern transfer of PDMS occurs when light is irradiated for 20 minutes or more, and the pattern transfer is clearly seen after 30 minutes of light irradiation. (B). This is due to the photocatalytic reaction of the TiO 2 thin film layer as described above, and it is presumed that the photocatalytic reaction is active as the light irradiation time increases, so that the thermal energy released therein increases the adhesion between the PDMS template and the TiO 2 thin film layer.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 있어서 PDMS가 TiO2 박막층 기판으로 전사된 상태를 나타내는 전자 현미경 사진이며, 도 5a는 1㎛의 폭을 가진 라인들이 1㎛ 간격으로 배열된 라인 형태로 전사된 것이고, 도 5b는 1㎛의 직경을 가진 도트들이 1㎛ 간격으로 배열된 도트 형태로 전사된 것이다. 5A and 5B are electron micrographs showing a state in which PDMS is transferred to a TiO 2 thin film substrate in an embodiment of the present invention, and FIG. 5A is a line in which lines having a width of 1 μm are arranged at intervals of 1 μm. 5B illustrates transfer of dots having a diameter of 1 μm in the form of dots arranged at intervals of 1 μm.

또한, 도 5c는 도 5a의 라인 형태를 원자현미경(AFM: Atomic Force Microscope)로 스캐닝한 결과를 나타낸다. 전사된 PDMS의 라인 형태는 대략 1㎛의 폭을 가진 라인들이 1㎛ 간격으로 배열되었으며, PDMS의 높이는 약 800nm 정도이다.In addition, FIG. 5C shows a result of scanning the line form of FIG. 5A with an atomic force microscope (AFM). Lines of the transferred PDMS were arranged at intervals of 1 μm with lines having a width of about 1 μm, and the height of the PDMS was about 800 nm.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 미세패턴 형성방법은 광촉매 반 응을 일으키는 박막 기판을 사용하여 고분자 탄성 중합체인 형판과 박막 기판의 접착력을 증가시킴으로써 습식세정 공정 및 UVO 처리공정이 제거되어 종래의 복잡한 공정이 크게 단순화될 수 있다.As described above, the method for forming a micropattern according to the present invention uses a thin film substrate that generates a photocatalytic reaction to increase the adhesion between the polymer elastomer template and the thin film substrate, thereby removing the wet cleaning process and the UVO treatment process. Complex processes can be greatly simplified.

또한, 본 발명에 의하면, 근자외선이나 가시광선 영역에서 광촉매 반응을 일으켜 형판과 박막 기판을 접착시킴으로써 저가의 광원을 사용할 수 있으므로, 공정비용이 크게 절감된다.In addition, according to the present invention, since a low-cost light source can be used by causing a photocatalytic reaction in the near-ultraviolet or visible light region to bond the template and the thin film substrate, the process cost is greatly reduced.

또한, 본 발명에 의하면, 미세전사법이 가지는 특징인 PDMS와 같이 유동성이 낮은 고분자 탄성 중합체로 미세 패턴을 형성하므로, 패턴 형성 도중이나 형성 후의 패턴의 왜곡을 방지할 수 있어 미세 패턴을 정밀하게 형성할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, since the micropattern is formed of a polymer elastomer having low fluidity, such as PDMS, which is characterized by the microtransfer method, it is possible to prevent distortion of the pattern during or after the pattern formation, thereby precisely forming the fine pattern. You can do it.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.In addition, the preferred embodiment of the present invention is disclosed for the purpose of illustration, anyone of ordinary skill in the art will be possible to various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the present invention, such modifications, changes, Additions and the like should be considered to be within the scope of the claims.

Claims (12)

고분자 탄성 중합체로 되는 특정 패턴의 형판과, 광촉매 물질로 되는 박막층이 코팅된 박막층 기판을 각각 제조하는 형판 및 박막층 기판의 제조 단계와;A step of producing a template and a thin film layer substrate for producing a template of a specific pattern made of a polymer elastomer and a thin film layer substrate coated with a thin film layer made of a photocatalytic material; 상기 형판과 상기 기판을 정렬하여 접촉시키고 이에 광을 조사하여 상호 접착시키는 정렬 및 접착 단계와;An alignment and adhesion step of aligning and contacting the template with the substrate, and irradiating light to each other to form the template; 상기 접착된 형판의 일부를 상기 기판으로부터 분리해내어 상기 특정 패턴을 상기 기판에 전사하는 전사 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.And a transfer step of separating a part of the bonded template from the substrate to transfer the specific pattern to the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광촉매 물질은 TiO2, ZnO, Nb2O5, WO3, SnO2, ZrO2, SrTiO3, KTaO3, Ni-K4N6O17, CdS, ZnS, CdSe, GaP, CdTe, MoSe2, WSe2 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The photocatalytic material is TiO 2, ZnO, Nb 2 O 5, WO 3, SnO 2, ZrO 2, SrTiO 3, KTaO 3, Ni-K 4 N 6 O 17, CdS, ZnS, CdSe, GaP, CdTe, MoSe 2 And at least any one of WSe 2 . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고분자 탄성 중합체는 PDMS, 폴리이미드계 고분자 물질, 폴리우레탄계 고분자 물질, 플로로카본계 고분자 물질, 아크릴계 고분자 물질, 폴리아닐린계 고 분자 물질, 폴리에스테르계 고분자 물질, 폴리실리콘계 고분자 물질 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법. The polymer elastomer may be at least one of PDMS, polyimide polymer material, polyurethane polymer material, fluorocarbon polymer material, acrylic polymer material, polyaniline polymer material, polyester polymer material, and polysilicon polymer material. Method of forming a fine pattern by self-transfer using a polymer elastomer, characterized in that the. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 형판 및 박막층 기판의 제조 단계는 상기 박막층 기판을 RTA(Rapid Thermal Annealing)로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The manufacturing of the template and the thin film layer substrate may further include heat treating the thin film layer substrate by RTA (Rapid Thermal Annealing). 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도범위로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The heat treatment is a fine pattern forming method by self-transfer using a polymer elastomer, characterized in that the temperature range of 300 ℃ to 800 ℃. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 광촉매 물질이 TiO2로 되는 경우에는 상기 TiO2는 Anatase 구조, Rutile 구조 또는 이들 구조가 혼합된 결정 구조 중의 적어도 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.When the photocatalyst material is TiO 2 , the TiO 2 has at least one of an anatase structure, a rutile structure, or a crystalline structure in which these structures are mixed. . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광은 주파장이 290nm 내지 500nm 범위의 근자외선이나 가시광선으로 되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The light is a fine pattern forming method by the self-transfer using a polymer elastomer, characterized in that the dominant wavelength is near ultraviolet or visible light in the range of 290nm to 500nm. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 광을 조사하는 시간은 20분 내지 60분으로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The time for irradiating the light is 20 minutes to 60 minutes fine pattern formation method by self-transfer using a polymer elastomer, characterized in that. 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 상기 특정 패턴의 형판은 The template of the specific pattern is 소정의 웨이퍼를 마스킹하고 이를 식각하여 마스터를 형성하는 단계와;Masking a predetermined wafer and etching the wafer to form a master; 상기 마스터의 상부에 고분자 탄성 중합체를 부어 경화시키는 단계와;Pouring and curing a polymer elastomer on top of the master; 상기 경화된 고분자 탄성 중합체를 상기 마스터로부터 분리해내는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.Method of forming a fine pattern by self-transfer using a polymer elastomer, characterized in that it comprises the step of separating the cured polymer elastomer from the master. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 마스터는 PR/Si3N4/Si층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The master is a fine pattern formation method by self-transfer using a polymer elastomer, characterized in that formed in a PR / Si 3 N 4 / Si layer structure. 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 상기 박막층이 코팅된 기판은 스퍼터링, 이베포레이션, 화학기상법, 원자층 증착법 중의 적어도 어느 하나에 의하여 박막층이 코팅되는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The substrate coated with the thin film layer is a method of forming a fine pattern by self transfer using a polymer elastomer, characterized in that the thin film layer is coated by at least one of sputtering, evaporation, chemical vapor deposition, atomic layer deposition. 고분자 탄성 중합체로 되고 미세패턴을 지니는 형판을 소정의 기판과 상호 접착한 후 상기 기판을 상기 형판으로부터 분리해내어 전사하는 미세패턴 형성방법에 있어서,In the micropattern forming method of bonding a template having a microelastic polymer and having a micropattern to a predetermined substrate and then separating the substrate from the template and transferring the template, 상기 접착은 상기 기판이 광촉매 물질로 코팅되어 상기 기판과 상기 형판의 접촉부에 근자외선 또는 가시광선을 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴 형성방법.The adhesion is fine pattern formation method by self-transfer using a polymer elastomer, characterized in that the substrate is coated with a photocatalytic material to irradiate near ultraviolet or visible light to the contact portion of the substrate and the template.
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