KR100702114B1 - Method for solution gap of photoresist by photoresist processing - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법 중 노광 공정에서 웨이퍼 상의 토폴로지로 인해 발생되는 포토레지스트의 두께 차이가 해결된 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 해결방법에 관한 것으로, 토폴로지가 존재하는 웨이퍼 상에 제 1 네거티브 포토레지스트를 도포하여, 웨이퍼 상에 함몰되어진 부위가 네거티브 포토레지스트로 매립되어 평탄한 웨이퍼를 형성함으로써, 상기 평탄화된 웨이퍼 상에서 제 2 네거티브 포토레지스트를 이용하여 노광공정을 진행하여 반도체 소자의 특성, 신뢰성 및 수율을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술로 매우 유용하고 효과적인 장점을 지닌 발명에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for resolving a step of photoresist by an exposure process in which a difference in thickness of a photoresist generated due to a topology on a wafer in an exposure process is solved. By applying a negative photoresist, the recessed portions on the wafer are filled with the negative photoresist to form a flat wafer, thereby performing an exposure process using a second negative photoresist on the planarized wafer to provide characteristics and reliability of the semiconductor device. And it relates to an invention having a very useful and effective advantage as a technique for improving the yield and thereby high integration of the semiconductor device.
네거티브 포토레지스트, 용해도, 토폴로지(topology)Negative photoresist, solubility, topology
Description
도 1a 또는 도 1b는 종래의 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 발생 과정을 순차적으로 나타낸 단면도이다.1A or 1B are cross-sectional views sequentially illustrating a step generation process of a photoresist by a conventional exposure process.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 해결방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
2A to 2C are cross-sectional views sequentially illustrating a method for solving the step difference of the photoresist by the exposure process according to the present invention.
-- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ---Explanation of symbols for the main parts of the drawing-
100 : 웨이퍼 102 : 토폴로지 100: wafer 102: topology
103 : 제 1 네거티브포토레지스트103: first negative photoresist
105 : 제 2 네거티브포토레지스트
105: second negative photoresist
본 발명은 포토레지스트의 단차 해결방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 토폴로지가 존재하는 웨이퍼 상에 제 1 네거티브 포토레지스트를 도포하여, 웨이퍼 상에 함몰되어진 부위가 네거티브 포토레지스트로 매립되어 평탄한 웨이퍼를 형성함으로써, 상기 평탄화된 웨이퍼 상에서 제 2 네거티브 포토레지스트를 이용하여 노광공정을 진행하는 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 해결방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for solving the step difference of the photoresist, and more particularly, by applying a first negative photoresist on a wafer having a topology, the recessed portion of the wafer is filled with the negative photoresist to form a flat wafer. Thus, the present invention relates to a method for resolving a step of photoresist by an exposure step of performing an exposure step using a second negative photoresist on the planarized wafer.
최근 반도체 공정은 선폭의 크기가 다운됨에 따라서 어셉트 레티오(aspect ratio)가 증가하고 있으며, 포토레지스트의 두께는 패턴의 해상력 확보를 위하여 계속 낮아지고 있는 추세이다.In recent years, as the line width decreases, the aspect ratio of the semiconductor process is increasing, and the thickness of the photoresist is continuously decreasing to secure the resolution of the pattern.
일반적으로 포토레지스트는 포토 에칭에 의해서 반도체 표면 등을 에칭할 때 사용하는 감광성 수지이며, 반도체 소자의 정밀도를 결정하는 미세한 패턴을 얻기 위해서는 포토레지스트는 막이 얇고 균일하여야 하고, 실리콘 웨이퍼 및 실리콘 산화막과 같은 기재와의 밀착성이 좋으며, 내산성이 좋고 자외선 등에 대해서도 감도가 좋아야 한다.In general, photoresists are photosensitive resins used to etch semiconductor surfaces and the like by photo etching, and in order to obtain fine patterns that determine the accuracy of semiconductor devices, the photoresist should be thin and uniform, such as silicon wafers and silicon oxide films. It should have good adhesion with the substrate, good acid resistance and good sensitivity to ultraviolet rays and the like.
도 1a 또는 도 1b는 종래의 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 발생 과정을 순차적으로 나타낸 단면도이다.1A or 1B are cross-sectional views sequentially illustrating a step generation process of a photoresist by a conventional exposure process.
도 1a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 상(1)에는 토폴로지가 존재하여 웨이퍼의 표면이 균일하지 않으며, 상기 토폴로지로 인한 웨이퍼 상(1)의 함몰된 부위의 깊이 또한 균일하지 않다.As shown in Fig. 1A, there is a topology on the
이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 토폴로지가 존재하는 웨이퍼 상(1)에 포지티브 포토레지스트(3)를 이용한 노광공정을 실시하면, 상기 웨이퍼 상(1)의 함몰된 부분이 평탄화 되지 않고 단차가 생긴다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, when the exposure process using the
상기와 같이 포지티브 포토레지스트는 노광기에서 노광작업 진행 후 현상액에 용해되는 특성을 지니고 있으므로, 웨이퍼 상에 생긴 토폴로지(홀, 라인 및 공간 패턴 등)는 노광공정 후에 포토레지스트의 단차 차이로 나타난다.As described above, since the positive photoresist has a property of dissolving in a developer after the exposure operation is performed in the exposure machine, the topology (holes, lines, and space patterns, etc.) generated on the wafer appears as a difference in the photoresist level after the exposure process.
또한, 상기 토폴로지로 기인한 포토레지스트의 높이 차이는 후속공정인 식각공정 시 식각상태가 불균일하게 될 수 있는 문제점을 야기한다.
In addition, the height difference of the photoresist due to the topology causes a problem that the etching state may become uneven during the subsequent etching process.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 토폴로지가 존재하는 웨이퍼 상에 제 1차 공정으로 네거티브 포토레지스트를 도포하여, 웨이퍼 상에 함몰되어진 부위가 네거티브 포토레지스트로 매립되어 평탄한 웨이퍼를 형성함으로써, 제 2차 공정에서 평탄화된 웨이퍼 상에서 네거티브 포토레지스트를 이용하여 노광공정을 진행하여 포토레지스트의 단차를 해결하는 것이 목적이다.
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to apply a negative photoresist in a first process on a wafer in which a topology exists, so that a portion recessed on the wafer becomes a negative photoresist. It is an object of the present invention to solve the step difference of the photoresist by forming an exposed wafer by forming a flat wafer, and performing an exposure process using a negative photoresist on the flattened wafer in the second process.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 토폴로지가 존재하는 웨이퍼 상에 상기 토폴로지의 함몰부가 매립되도록 제 1 네거티브 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 웨이퍼 상부면 위에 있는 제 1 네거티브 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 단계; 상기 웨이퍼 상부면 위에 제 2 네거티브 포토레지스트를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 네거티브 포토레지스트를 패터닝하는 단계를 포함하는 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 해결방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of forming a first negative photoresist such that the depression of the topology is buried on a wafer in which the topology exists; Selectively removing a first negative photoresist on the wafer top surface; Forming a second negative photoresist on the top surface of the wafer; And patterning the second negative photoresist.
본 발명은 홀, 라인 및 공간 패턴과 같은 토폴로지가 존재하는 웨이퍼 상에 제 1 네거티브 포토레지스트를 도포하여, 웨이퍼 상에 함몰되어진 부위가 제 1 네거티브 포토레지스트로 매립되어 단차가 없이 평탄한 웨이퍼를 형성한 후, 상기 평탄화된 웨이퍼 상에서 제 2 네거티브 포토레지스트를 이용하여 노광공정을 진행하여 균일한 포토레지스트층을 형성할 수 있다.
According to the present invention, a first negative photoresist is applied onto a wafer on which topologies such as holes, lines, and space patterns exist, and recessed portions of the wafer are filled with the first negative photoresist to form a flat wafer without steps. Thereafter, an exposure process may be performed using the second negative photoresist on the planarized wafer to form a uniform photoresist layer.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 해결방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.2A to 2C are cross-sectional views sequentially illustrating a method for solving the step difference of the photoresist by the exposure process according to the present invention.
도 2a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(100)의 상부면에는 토폴로지(102)가 존재하여 웨이퍼의 표면이 균일하지 않으며, 상기 토폴로지(102)로 인한 웨이퍼(100) 상의 함몰된 부위의 깊이 또한 균일하지 않다.As shown in FIG. 2A, the top surface of the
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 토폴로지(102)가 존재하는 웨이퍼 (100)의 상부면에 제 1 네거티브 포토레지스트(103)를 이용하여 도포한다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, a first
이때, 상기 결과물은 노광기로 전달되지 않고 트랙 내에 현상액이 존재하는 곳으로 보내져서, 웨이퍼 상부의 제 1 네거티브 포토레지스트(103)는 500Å/min의 용해 속도를 가지고 수지 분자량 분포를 조절하여 원하는 높이만큼 용해시킬 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 상(100)의 토폴로지(102)에서 함몰되어진 부위만 제 1 네거티브 포토레지스트(103)가 잔존하게 된 상태로 만들 수 있다.
At this time, the resultant is not transferred to the exposure machine, but is sent to the place where the developer exists in the track, so that the first
도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 결과물 상에 제 2 네거티브 포토레지스트(105)를 이용하여 노광공정을 진행한다.As shown in FIG. 2C, an exposure process is performed on the resultant using a second
여기서, 상기 결과물처럼 토폴로지(102)가 없어져 평탄해진 웨이퍼 상에 500Å/min의 용해속도를 가지고 있는 제 2 네거티브 포토레지스트(105)를 도포하고 노광공정을 거친 후에 현상 공정을 실시한다. Here, the second
이때, 상기 제 1 네거티브 포토레지스트(103)를 통하여 웨이퍼(100)의 상부면 함몰 부위가 매립되어있는 상태임으로써, 상기 제 2 네거티브 포토레지스트(105)를 도포하여도 단차가 존재하지 않기 때문에 포토레지스트의 단차가 없이 평탄해진다.
In this case, since the recessed portion of the upper surface of the
따라서, 상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 노광공정에 의한 포토레지스트의 단차 해결방법을 이용하게 되면, 홀, 라인 및 공간 패턴과 같은 토폴로지가 존재하는 웨이퍼 상에 제 1 네거티브 포토레지스트를 도포하여, 웨이퍼 상에 함몰되어진 부위가 제 1 네거티브 포토레지스트로 매립되어 단차가 없이 평탄한 웨이퍼를 형성한 후, 상기 평탄화된 웨이퍼 상에서 제 2 네거티브 포토레지스트를 이용하여 노광공정을 진행하여 균일한 포토레지스트층을 형성할 수 있는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.
Therefore, as described above, when using the photoresist step resolution method according to the exposure process according to the present invention, by applying a first negative photoresist on a wafer having a topology such as a hole, a line and a space pattern, After the recessed part of the wafer is filled with the first negative photoresist to form a flat wafer without a step, an exposure process is performed on the flattened wafer using a second negative photoresist to form a uniform photoresist layer. It is a very useful and effective invention that can be done.
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