KR100693781B1 - Method for forming silicate by using atomic layer deposition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 기판과 실리케이트의 계면 특성을 향상시킬 수 있고 그에 따라 GOI 특성 저하를 방지할 수 있으며, 양호한 단차 피복 특성을 얻을 수 있는 실리케이트 형성 방법에 관한 것이다. The present invention can prevent the GOI characteristic decreases accordingly it is possible to improve the interface characteristics of the silicon substrate with the silicate, to a silicate-forming method that can obtain good step coverage characteristics. 본 발명의 실시예에서는 H 2 O, O, Si 등의 소스를 단계적으로 주입하여 단원자층 증착 방법으로 Hf 실리게이트를 형성하고, Hf 실리케이트의 막질 특성을 향상시키기 위하여 후속 열처리하는 방법을 제시한다. According to an embodiment of the present invention proposes a method for the stepwise injection as a source, such as H 2 O, O, Si forming the Hf Silicate gates section jacheung deposition and subsequent heat treatment in order to improve the film quality characteristics of the Hf silicate.
실리케이트, 단원자층 증착, Hf, 열처리 Silicates, section jacheung deposition, Hf, heat treatment

Description

단원자층 증착법을 이용한 실리케이트 형성 방법{Method for forming silicate by using atomic layer deposition} Silicate-forming method using a vapor deposition section jacheung {Method for forming silicate by using atomic layer deposition}

도 1은 본 발명의 실리케이트 형성 공정에 이용되는 반응 챔버의 구조를 개략적으로 보이는 단면도, 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a reaction chamber used for the silicate forming process of the present invention,

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 Hf 실리케이트 형성 공정 단면도, Figures 2a-2d are sectional views Hf silicate formed in accordance with an embodiment of the invention,

도 3은 Hf 실리케이트와 유사한 구조를 갖는 Zr 실리케이트의 구조도. Figure 3 is a structure of Zr silicate having a structure similar to the Hf silicate.

본 발명은 반도체 소자 제조 분야에 관한 것으로, 특히 MOS 트랜지스터의 게이트 절연막 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to that, in particular, method of forming the gate insulating film of the MOS transistor of the semiconductor device manufacturing field.

반도체 소자의 집적도 향상으로 게이트 절연막의 두께가 얇아진다. The density improvement of the semiconductor device has a thickness of the gate insulating film is thinned. 게이트 절연막이 얇아지면 게이트 절연막을 통한 직접 터널링(direct tunneling)에 의해 누설전류가 커지기 때문에 최근에는 유전률이 높은 물질로 게이트 절연막을 형성한 다. Since the gate insulating film is thinner, the leakage current becomes large by the direct tunneling (direct tunneling) through the gate insulating film recently, a dielectric constant of a gate insulating film with a high material. 즉, 게이트 절연막의 유효 두께를 증가시킴으로써 누설전류를 감소시키는 방법에 대한 많은 연구가 진행되고 있으며, 그 대표적인 예로써 실리콘 기판 상에 Hf 산화막(HfO 2 ) 또는 Hf 실리케이트를 형성하는 방법이 제시되고 있다. That is, by increasing the effective thickness of the gate insulating film, and a number of studies on how to reduce the leakage current in progress, there is a method of forming the Hf oxide film (HfO 2) or Hf silicate is present on the silicon substrate as a representative example .

HfO 2 는 낮은 온도에서 결정화되기 때문에 결정방위에 따라 유전율이 달라져 한 웨이퍼 상에 형성되는 트랜지스터의 문턱전압이 일정하지 않다. HfO 2 is not the threshold voltage of the transistor formed on the dielectric constant alters the wafer according to the crystal orientation constant due to crystallize at low temperatures. 또한 결정립계를 갖게 됨에 따른 누설전류의 증가, GOI의 열화 및 소스에서 드레인 쪽으로 이동하는 전하들이 결정립계에서 밀집(crowding)되는 현상이 발상하여 결국 소자의 동작 속도에 영향을 주는 문제점이 있다. There is also a problem of increased leakage current according As have the grain boundaries, and the electric charge moving toward the drain and the source in the degradation of the GOI are originated the phenomenon of congestion (crowding) from the grain boundaries to influence the operating speed of the end elements.

이에 반하여 Hf 실리케이트는 HfO 2 보다 유전율은 낮지만, 높은 온도에서도 안정된 비정질 구조로 남아있기 때문에 Hf 산화막이 갖는 문제점을 극복할 수 있다. On the other hand Hf silicate it can overcome the problem since the Hf oxide film having a dielectric constant than HfO 2 is only left in a stable amorphous structure in a high temperature low. 즉, Hf 실리케이트는 HfO 2 보다 열역학적으로 안정하여 Si과 안정한 계면 특성을 가질 수 있어 계면특성을 고려한 별도의 층간막(interlayer)을 형성할 필요가 없고, Hf 실리케이트 상에 도핑된 폴리실리콘으로 게이트 전극을 형성할 수 있어 종래 반도체 공정을 그대로 이용할 수 있다. That is, Hf silicate is to thermodynamically stable can have a Si and stable interfacial properties it is not necessary to form a separate interlayer film (interlayer) in consideration of interfacial properties than HfO 2, the gate to the doped polysilicon in the Hf silicate electrode it can be formed may be used as it is for the conventional semiconductor processes.

종래 Hf 실리케이트는 물리기상증착법(physical vapor deposition)을 이용하여 형성한다. Prior Hf silicate is formed using a physical vapor deposition (physical vapor deposition). 즉, Hf과 Si 각각의 타겟(target)을 스퍼터링하거나, Hf과 Si을 함께 스퍼터링(co-sputtering)하고 산화공정을 실시하여 실리콘 기판 상에 Hf 실리케이트를 형성한다. That is, by implementing the Hf and Si oxidation process, and each target (target) or sputtering, sputtering (co-sputtering) with Hf and Si to form an Hf silicate on the silicon substrate.

이러한 종래의 Hf 실리케이트 형성 방법은 물리기상증착방법을 이용하기 때 문에 실리케이트가 기본적으로 플라즈마 손상(plasma damage)을 입게되어 실리콘 기판 계면과 Hf 실리케이트의 계면 특성이 나빠져 소자 동작에 문제가 발생하고, Hf 실리케이트 내에 포획전하(trapped charge)가 발생하여 GOI(gate oxide integrity) 특성이 열화되는 문제점이 발생한다. Conventional Hf silicate forming method such are silicate are basically suffers the plasma damage (plasma damage) to poor interface characteristics of the silicon substrate interface and Hf silicate, a problem with the device operation because they are using the physical vapor deposition method, the trapped charge (trapped charge) generated in the Hf silicate and a problem arises that characteristics are deteriorated (gate oxide integrity) GOI. 또한 물리기상증착 방법은 단차 피복(step coverage) 특성이 나쁘기 때문에 소자분리 영역과 활성영역에 증착되는 실리케이트의 두께가 각기 달라서 GOI 특성이 크게 저하되는 단점이 있다. In addition, the physical vapor deposition method has the disadvantage that because of poor step coverage characteristics (step coverage), each thickness of the silicate deposited on the device isolation region and the active region is considerably reduced due to the difference GOI characteristics.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 실리콘 기판과 실리케이트의 계면 특성을 향상시킬 수 있고 그에 따라 GOI 특성 저하를 방지할 수 있으며, 양호한 단차 피복 특성을 얻을 수 있는 실리케이트 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention for solving the above problems is its object to provide a silicate-forming method that can prevent the GOI characteristic decreases accordingly it is possible to improve the interface characteristics of the silicon substrate with the silicate, to obtain good step coverage characteristics there is.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제1 원소, 산소 및 실리콘으로 이루어지는 실리케이트 형성 방법에 있어서, 반응챔버 내에 상기 제1 원소, 산소 및 실리콘 각각의 소스를 번갈아 주입하여 단원자층 증착법으로 웨이퍼 상에 실리케이트를 형성하며, 상기 제1 원소는, Hf, Zr 또는 La 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법을 제공한다. The present invention for achieving the above object, a first element, in the silicate-forming method consisting of oxygen and silicon, in the reaction chamber to alternately inject the first element, oxygen and silicon, each of the source wafer in section jacheung evaporation to form a silicate, the first element provides a silicate-forming method, characterized in that at least one of Hf, Zr, or La.

또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제1 원소, 산소 및 실리콘으로 이루어지는 실리케이트 형성 방법에 있어서, 반응챔버 내에 웨이퍼를 주입하는 제1 단계; In addition, a first step of the present invention for achieving the abovementioned objects is injected into the wafer in the reaction chamber to the silicate-forming method comprising a first element, oxygen and silicon; 상기 반응챔버 내에 제1 원소가 포함된 제1 소스를 주입하여 단원자층 증착법으로 상기 웨이퍼 상에 제1 원소층을 증착하는 제2 단계; A second step of depositing a first element layer on the wafer by injecting a first source that includes a first element in the reaction chamber in section jacheung deposition; 상기 반응챔버 내에 산소가 포함된 제2 소스를 주입하여 제1 원소와 산소의 화합물층을 형성하는 제3 단계; A third step of forming a compound layer of the first element and oxygen is injected into the second source containing the oxygen in the reaction chamber; 및 상기 반응챔버 내에 실리콘이 포함된 제3 소스를 주입하여 제1 원소, 산소 및 실리콘의 화합물로 이루어지는 실리케이트를 형성하는 제4 단계를 포함하며, 상기 제1 원소는, Hf, Zr 또는 La 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법을 제공한다. And a fourth step of forming a first element, a silicate comprising a compound of oxygen and silicon by implanting a third source that contains the silicon in the reaction chamber, wherein either of the first elements, Hf, Zr or La It provides a silicate-forming method, characterized in that one of the.

본 발명의 실시예에서는 H 2 O, O, Si 등의 소스를 단계적으로 주입하여 단원자층 증착(atomic layer deposition) 방법으로 안정한 Hf 실리게이트를 형성하고, Hf 실리케이트의 막질 특성을 향상시키기 위하여 후속 열처리하는 방법을 제시한다. According to an embodiment of the present invention and the step-by-step injection into the source such as H 2 O, O, Si forms a stable Hf Silicate gates section jacheung deposition (atomic layer deposition) method, a subsequent heat treatment in order to improve the film quality characteristics of the Hf silicate suggest how.

이하, 본 발명의 실시예에 따라 소자분리막으로 각각의 영역이 분리된 실리콘 기판에 표면 포화 원리(surface saturation mechanism)에 의한 단원자층 증착법으로 Hf 실리케이트를 형성하는 방법에 대해 상세하게 설명한다. Hereinafter, a detailed description of the method of forming the Hf silicate section jacheung deposition of the surface saturation principle (surface saturation mechanism) in the respective regions separated silicon substrate by the device isolation film according to an embodiment of the invention.

도 1과 같이 제1 내지 제3의 소스 통로(101, 102, 103)가 각각 열선(heating line, 104)으로 둘러 싸이고, 반응부(reaction part)가 열판(heating block, 105)에 의해 가열되는 챔버(100) 내에 실리콘 웨이퍼(10)를 장착한다. Fig first to the source passage (101, 102, 103) of claim 3, such as 1, each heating coil (heating line, 104) to the navigation wrapped, the reaction portion (reaction part) the hot plate is heated by the (heating block, 105) Fit the silicon wafer 10 in the chamber 100. the 도 1에서 도면부호 '200'은 챔버에 연결된 진공처리 장치, 즉 펌프(pump) 등을 나타낸다. In Figure 1 the reference numeral '200' denotes a vacuum processing apparatus, i.e., the pump (pump) that are linked to the chamber.

이어서 도 2a에 보이는 바와 같이, HfCl 4 또는 하프늄 테트라-부토사이드(Hf(OC 4 H 9 ) 4 ) 등의 Hf 소스를 10 sccm 내지 10 slm 정도 반응 챔버(100)에 넣어, 실리콘 웨이퍼(10) 상에 Hf를 증착시킨다. Then, HfCl 4 or hafnium tetra as shown in Fig. 2a - Ms side (Hf (OC 4 H 9) 4) etc. of the Hf source 10 sccm to 10 slm degree into the reaction chamber 100, the silicon wafer 10 It is deposited on the Hf.

이어서, 실리콘 웨이퍼(10)와 반응하지 않고 반응 챔버(100)내에 남아 있는 Hf 소스를 제거하기 위해, 반응챔버(100) 내에 10 sccm 내지 10 slm의 불활성 가스를 주입하여 불활성 가스와 함께 Hf 소스를 반응챔버(100) 밖으로 배출시킨다. Then, by injecting an inert gas of 10 sccm to 10 slm in the reaction chamber 100 to remove the remaining Hf source within does not react with the silicon wafer 10, the reaction chamber 100, the Hf source with an inert gas The reaction chamber 100 is discharged out.

다음으로 도 2b에 도시한 바와 같이, H 2 O 또는 O 3 를 반응챔버(100) 내에 주입하거나 자외선(UV)으로 여기된 O 2 또는 O 3 를 10 sccm 내지 10 slm 정도 주입하여 실리콘 웨이퍼(10) 상에 이미 증착되어있던 Hf과 반응시켜 HfO 2 를 형성한다. Next, Figure 2b a, H 2 O or O 3 for injection, or ultraviolet (UV) with an excitation of O 2 or O 3 of 10 sccm to 10 slm degree silicon wafer (10, introduced into the reaction chamber 100, as shown in ) by reaction with Hf that has been deposited on to form a HfO 2.

이어서, 반응챔버(100) 내에 10 sccm 내지 10 slm의 불활성 가스를 주입하여, 실리콘 웨이퍼(10)와 반응하지 않고 반응챔버(100)내에 남아 있는 H 2 O 또는 O 3 , 자외선으로 여기된 O 2 또는 O 3 를 불활성 가스와 함께 반응챔버(100) 밖으로 배출시킨다. Then, the injected inert gas of 10 sccm to 10 slm in the reaction chamber 100, a silicon wafer 10 and without the reaction remains in the reaction chamber 100 in H 2 O or O 3, excited with ultraviolet light in O 2 or the O 3 is discharged out of the reaction chamber 100 with an inert gas.

다음으로 도 2c에 보이는 바와 같이, SiH 4 , Si 2 H 6 또는 SiCl 2 H 2 등과 같은 실리콘 화합물을 10 sccm 내지 10 slm 정도 반응챔버(100)에 주입하여 실리콘 웨이퍼(10) 상에 이미 형성되었던 HfO 2 와 Si를 결합시켜 Hf 실리케이트(HfSi x O y )를 형성한다. Next, as shown in Figure 2c, SiH 4, Si 2 H 6 or SiCl 2 was poured into 10 sccm to 10 slm around the reaction chamber 100, a silicon compound such as H 2 which was already formed on a silicon wafer 10 by combining HfO 2 and Si to form the Hf silicate (HfSi x O y).

이어서, 반응챔버(100) 내에 10 sccm 내지 10 slm의 불활성 가스를 주입하여, 실리콘 웨이퍼(10)와 반응하지 않고 반응챔버(100)내에 남아 있는 SiH 4 , Si 2 H 6 또는 SiCl 2 H 2 등을 불활성 가스와 함께 반응챔버(100) 밖으로 배출시킨다. Then, by injecting an inert gas of 10 sccm to 10 slm in the reaction chamber 100, a silicon wafer 10 and that does not react remaining in the reaction chamber 100, SiH 4, Si 2 H 6 or SiCl 2 H 2, etc. the discharged out of the reaction chamber 100 with an inert gas.

Hf 주입에서 SiH 4 , Si 2 H 6 또는 SiCl 2 H 2 등의 배출에 이르는 일련의 과정을 반복적으로 실시하여 일정 두께의 Hf 실리케이트층을 형성한다. Carried in the Hf implanted a series of processes up to the discharge, such as SiH 4, Si 2 H 6 or H 2 SiCl 2 repeatedly to form an Hf silicate layer having a predetermined thickness.

다음으로 도 2d에 보이는 바와 같이, Hf 실리케이트층의 치밀화를 위한 열처리를 실시한다. As shown in the following Fig. 2d, it is subjected to heat treatment for densification of the Hf silicate layer. 이때, 자외선을 이용하여 300 ℃ 내지 500 ℃ 온도에서 O 2 또는 O 3 를 여기시켜 Hf 실리케이트층을 열처리하는 방법, N 2 O, O 2 또는 불활성 가스 분위기에서 500 ℃ 내지 1000 ℃ 온도로 약 30분 동안 급속열처리(rapid thermal process) 또는 퍼니스 열처리(furnace)하여 Hf 실리케이트를 열처리하는 방법을 이용할 수 있다. At this time, by using the ultraviolet rays excite O 2 or O 3 at 300 ℃ to 500 ℃ temperature method for heat treatment of the Hf silicate layer, N 2 O, O 2, or about 30 minutes in an inert gas atmosphere at 500 ℃ to 1000 ℃ temperature during RTP (rapid thermal process) or the heat treatment furnace (furnace) can be used by a method of heat-treating the Hf silicate.

상기 Hf 주입, 산소 주입, Si 소스 주입 단계는 그 순서를 달리하여 챔버내에 주입하여 Hf 실리케이트를 형성할 수도 있다. The Hf implanted oxygen injection, Si source implant step may form an Hf silicate is injected into the chamber by varying their order. 한편, 상기 Hf 실리케이트 형성 공정은 200 ℃ 내지 800 ℃ 온도로 유지된 반응챔버 내에서 진행한다. On the other hand, the Hf silicate forming process proceeds within a reaction chamber maintained at a temperature of 200 ℃ to 800 ℃.

이후, 상기와 같이 형성된 Hf 실리케이트 상에 폴리실리콘막 또는 금속막 등을 증착하고 패터닝 공정을 실시하여 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 등의 후속 공정을 진행한다. Then, the process proceeds to subsequent processes, such as depositing a polysilicon film or a metal film on the Hf silicate formed as above forms a gate electrode of a transistor by performing a patterning process.

전술한 본 발명의 실시예에서는 Hf 실리케이트 형성 방법을 설명하였지만, Hf를 대신하여 Zr 실리케이트 또는 La 실리케이트 등을 형성하기 위해 ZrCl 4 , Zr 테트라-부타옥사이드(Zr(OC 4 H 9 ) 4 ), TaCl 5 , Ta 엔톡시(Ta(OC 2 H 5 ) 5 ), LaCl 3 등과 같은 Zr 소스 또는 La 소스를 이용하여 유전율이 높은 다양한 실리케이트를 형성할 수도 있다. In the above-described embodiments of the present invention it has been described an Hf silicate forming method, ZrCl 4, Zr tetra to in place of the Hf to form such Zr silicate or La silicate-butanone oxide (Zr (OC 4 H 9) 4), TaCl 5, Ta yen ethoxy (Ta (OC 2 H 5) 5), may be formed of a variety of silicates high dielectric constant using a Zr source or La source, such as LaCl 3.

상기와 같이 이루어지는 본 발명은 물리기상증착 방법을 이용하지 않고 Hf 실리케이트를 형성함으로써 물리기상증착에 따른 손상을 방지할 수 있다. The present invention composed as described above can prevent damage due to physical vapor deposition to form an Hf silicate without using a physical vapor deposition method. 또한, Si 소스인 SiH 4 , Si 2 H 6 또는 SiCl 2 H 2 등의 주입량을 적절히 조절함으로써 원하는 조성을 갖는 Hf 실리케이트를 형성할 수 있다. In addition, it is possible to form an Hf silicate having a desired composition by appropriate adjustment of the dose, such as SiH 4, Si 2 H 6 or H 2 SiCl 2 is Si source.

도 3은 Hf 실리케이트(ZrSiO 4 )와 유사한 구조를 갖는 Zr 실리케이트(ZrSiO 4 )의 구조도이다. 3 is a structural diagram of a Zr silicate (ZrSiO 4) having a structure similar to the Hf silicate (ZrSiO 4). Hf 실리케이트도 Zr 실리케이트와 마찬가지로 HfO 2 와 SiO 2 가 주기적으로 연결되어 있는 구조로서 각각의 체인(chain) 안에 Hf과 Si이 각각 4개의 O 원자와 본딩(bonding)을 형성하여 3차원 구조를 갖는 Hf 실리케이트(HfSiO 4 )를 형성함에 있어 본 발명과 같이 Si의 양을 적절히 조절함으로써 유전율도 조절할 수 있으며 비정질의 실리케이트를 형성할 수 있는 이점이 있다. Hf silicate FIG Hf having a three-dimensional structure to form the Hf and Si 4 of O atoms and bonded (bonding) respectively in each chain (chain) as in the Zr silicate as a structure in which HfO 2 and SiO 2 are regularly connected to silicates can be adjusted as appropriate dielectric constant by adjusting the amount of Si present invention as it in forming the (HfSiO 4), and there is an advantage capable of forming an amorphous silicate. 또한, 단차 피복 특성이 우수한 단원자층 증착 방법을 사용함에 따라 게이트 절연막의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In addition, it is possible to improve the reliability of the gate insulating film in accordance with the step coverage characteristics using the superior section jacheung deposition method.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치 환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. The present invention described above is belongs to this is that not limited by the embodiments described above and the accompanying drawings, can be a number of value exchange, changes and modifications may be made without departing from the scope of this invention art in will be apparent to those skilled in the art.

상기와 같이 이루어지는 본 발명은 단원자층 증착 방법으로 Hf 실리케이트를 형성함으로써 물리기상증착에 따른 손상 발생을 방지할 수 있다. The present invention composed as described above can prevent the damage of the physical vapor deposition to form an Hf silicate in section jacheung deposition method. 그에 따라 신뢰성이 높고 안정하며 높은 유전율을 갖는 Hf 실리케이트를 이용한 게이트 절연막을 형성할 수 있다. It is highly reliable and stable, and can be formed along the gate insulating film using the Hf silicate having a high dielectric constant.

Claims (9)

  1. 제1 원소, 산소 및 실리콘으로 이루어지는 실리케이트 형성 방법에 있어서, The silicate according to the forming method composed of a first element, oxygen and silicon,
    반응챔버 내에 상기 제1 원소, 산소 및 실리콘 각각의 소스를 번갈아 주입하여 단원자층 증착법으로 웨이퍼 상에 실리케이트를 형성하며, In the reaction chamber to alternately inject the first element, oxygen and silicon, each of the source to form a silicate on the wafer by vapor deposition section jacheung,
    상기 제1 원소는, Hf, Zr 또는 La 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. The first element, forming a silicate characterized in that Hf, at least one of Zr, or La.
  2. 제1 원소, 산소 및 실리콘으로 이루어지는 실리케이트 형성 방법에 있어서, The silicate according to the forming method composed of a first element, oxygen and silicon,
    반응챔버 내에 웨이퍼를 주입하는 제1 단계; A first step of implanting a wafer in the reaction chamber;
    상기 반응챔버 내에 제1 원소가 포함된 제1 소스를 주입하여 단원자층 증착법으로 상기 웨이퍼 상에 제1 원소층을 증착하는 제2 단계; A second step of depositing a first element layer on the wafer by injecting a first source that includes a first element in the reaction chamber in section jacheung deposition;
    상기 반응챔버 내에 산소가 포함된 제2 소스를 주입하여 제1 원소와 산소의 화합물층을 형성하는 제3 단계; A third step of forming a compound layer of the first element and oxygen is injected into the second source containing the oxygen in the reaction chamber; And
    상기 반응챔버 내에 실리콘이 포함된 제3 소스를 주입하여 제1 원소, 산소 및 실리콘의 화합물로 이루어지는 실리케이트를 형성하는 제4 단계를 포함하며, And a fourth step of forming a first element, made of a silicate compound of oxygen and silicon by implanting a third source that contains the silicon in the reaction chamber,
    상기 제1 원소는, Hf, Zr 또는 La 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. The first element, forming a silicate characterized in that Hf, at least one of Zr, or La.
  3. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 제2 단계 후, After the second step,
    상기 반응챔버 내에 불활성 가스를 주입하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 제1 소스를 상기 불활성 가스와 함께 상기 반응챔버 밖으로 배출시키는 제5 단계를 더 포함하고, With the first source which remains in the reaction chamber by injecting an inert gas into the reaction chamber and the inert gas, and further comprising a fifth step of discharging out of the reaction chamber,
    상기 제3 단계 후, After the third step,
    상기 반응챔버 내에 불활성 가스를 주입하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 제2 소스를 상기 불활성 가스와 함께 상기 반응챔버 밖으로 배출시키는 제6 단계를 더 포함하고, With the second source which remains in the reaction chamber by injecting an inert gas into the reaction chamber and the inert gas, and further comprising a sixth step of discharged outside the reaction chamber,
    상기 제4 단계 후, After the fourth step,
    상기 반응챔버 내에 불활성 가스를 주입하여 상기 반응챔버 내에 잔류하는 상기 제3 소스를 상기 불활성 가스와 함께 상기 반응챔버 밖으로 배출시키는 제7 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. Silicate-forming method according to claim 1, further comprising a seventh step for discharging out of the reaction chamber with the first to the inert gas source 3 which remain in the reaction chamber by injecting an inert gas into the reaction chamber.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 제7 단계 후, After the seventh step,
    상기 제2 단계 내지 상기 제7 단계로 이루어지는 일련의 과정을 적어도 한번 더 실시하는 제8 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. Silicate-forming method for a series of steps comprising the first step to the seventh step 2 further comprising the eighth step further embodiment at least once.
  5. 제 4 항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 제8 단계 후, After the first stage 8,
    상기 실리케이트를 열처리하는 제9 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. Silicate-forming method according to claim 1, further comprising a ninth step of heat-treating the silicate.
  6. 삭제 delete
  7. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 2 to 5,
    상기 제1 소스는, The first source,
    HfCl 4 , 하프늄 테트라-부토사이드(Hf(OC 4 H 9 ) 4 ), ZrCl 4 , Zr 테트라-부타옥사이드(Zr(OC 4 H 9 ) 4 ), TaCl 5 , Ta 엔톡시(Ta(OC 2 H 5 ) 5 ) 또는 LaCl 3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. HfCl 4, hafnium tetra-Ms side (Hf (OC 4 H 9) 4), ZrCl 4, Zr tetra-butanone oxide (Zr (OC 4 H 9) 4), TaCl 5, Ta yen ethoxy (Ta (OC 2 H 5) 5) or LaCl silicate-forming method it characterized in that the third one of the one.
  8. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 2 to 5,
    상기 제2 단계에서 HfCl 4 또는 하프늄 테트라-부토사이드(Hf(OC 4 H 9 ) 4 )를 주입하여 상기 웨이퍼 상에 Hf층을 형성하고, HfCl 4 or hafnium tetra in the second step - by injecting Ms side (Hf (OC 4 H 9) 4) to form a Hf layer onto the wafer,
    상기 제3 단계에서 H 2 O 또는 O 3 , 자외선으로 여기된 O 2 또는 O 3 를 주입하여 상기 웨이퍼 상에 HfO 2 층 형성하고, By injecting H 2 O or O 3, excited with ultraviolet O 2 or O 3 in the third step to form HfO 2 layer on the wafer,
    상기 제4 단계에서 SiH 4 , Si 2 H 6 또는 SiCl 2 H 2 를 주입하여 상기 웨이퍼 상에 Hf 실리케이트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. SiH 4, the silicate-forming method, characterized in that by injecting Si 2 H 6 or H 2 SiCl 2 to form an Hf silicate layer on the wafer in the fourth step.
  9. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8,
    상기 제9 단계는, The ninth step,
    자외선을 이용하여 300 ℃ 내지 500 ℃ 온도에서 O 2 또는 O 3 를 여기시켜 상기 실리케이트를 열처리하거나, Using the UV to excite the O 2 or O 3 at 300 ℃ to 500 ℃ temperature heat-treating the silicate, or
    N 2 O, O 2 또는 불활성 가스 분위기에서 500 ℃ 내지 1000 ℃ 온도로 급속열처리 또는 퍼니스 열처리하는 것을 특징으로 하는 실리케이트 형성 방법. N 2 O, O 2 or silicate-forming method characterized by rapid thermal annealing, or furnace annealing in an inert gas atmosphere at 500 ℃ to 1000 ℃ temperature.
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