KR100689847B1 - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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이수호
이승무
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은, 화학기상증착(VCD)장치에 관한 것으로서, 반응공간을 형성하며 상부개구를 갖는 챔버본체와; The present invention relates to chemical vapor deposition (VCD) device, to form a reaction space, and a chamber body having an upper opening; 상기 상부개구에 설치되어 공정가스를 분배하며 고주파전극을 형성하는 샤워헤드와; And a showerhead that is installed on the upper opening distribute process gas to form a high-frequency electrode; 상기 챔버본체의 벽면과 상기 샤워헤드 사이에 개재되어 상호 절연하는 절연부와, 상기 절연부에서 하향 연장되며 공정가스의 흐름이 분산되도록 방사상으로 다수의 공정가스배출공이 형성된 스커트부를 갖는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 한다. And insulating part for mutually insulating interposed between the wall surface of the chamber body and the showerhead, extends downward from the insulating portion, and including an insulator having a radially into a plurality of process gas exhaust hole skirt portion formed to be distributed, the flow of process gas and that is characterized. 이에 의하여, 부품수를 줄여 간단하며 공정가스의 흐름이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있는 화학기상증착장치가 제공된다. In this way, simply by reducing the number of components and the process chemical vapor deposition device equipped with a flow of gas it can be made relatively smoothly, is provided.

Description

화학기상증착장치 {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS} The chemical vapor deposition apparatus CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS} {

도 1은 종래기술에 따른 조립단면도, 1 is a assembled cross-sectional view of the prior art,

도 2는 본 발명에 따른 분해단면도, Figure 2 is an exploded sectional view according to the invention,

도 3은 본 발명에 따른 절연체와 새도우링의 분해사시도, Figure 3 is an exploded perspective view of the insulator and the shadow ring in accordance with the invention,

도 4는 본 발명에 따른 공정가스 흐름을 나타낸 공정가스흐름도이다. Figure 4 is a flow diagram illustrating a process gas to the process gas flow in accordance with the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * * Description of the Related Art *

20 : 화학기상증착장치 20: chemical vapor deposition apparatus

30 : 챔버본체 31 : 반응공간 30: a chamber body 31: reaction space

33 : 상부개구 35 : 접지부 33: upper opening 35: ground

37 : 챔버리드 37: a chamber lid

40 : 샤워헤드 41 : 분배유로 40: showerhead 41: distribution passage

43 : 고주파전원 43: high-frequency power

50 : 절연체 51 : 절연부 50: insulator 51: insulating section

53 : 스커트부 55 : 공정가스배출공 53: skirt 55: the process gas discharging hole

57 : 돌기수용부 57: projection receiving portion

60 : 지지대 61 : 작업물 60: support 61: workpiece

70 : 섀도링 71 : 돌기 70: Shadow ring 71: projections

본 발명은, 화학기상증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 부품수를 줄여 간단하며 공정가스의 흐름이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있는 화학기상증착장치에 관한 것이다. The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, to a chemical vapor deposition apparatus which can be made more particularly to a simplified by reducing the number of components and relatively smooth flow of the process gas.

화학기상증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)장치는 반도체 등의 제조공정에 이용되며 공정가스를 반응공간 내로 공급하여 기상화학반응을 통해 작업물에 얇은 증착막을 형성한다. Chemical vapor deposition (CVD: Chemical Vapor Deposition) apparatus is used in the manufacturing process, such as a semiconductor by supplying a process gas into the reaction space to form a thin deposition film on a workpiece through a chemical gas phase reaction.

종래의 화학기상증착장치(20)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응공간(3)을 형성하며 상향 개구된 개구부(5)를 갖는 챔버본체(1)를 가지며, 챔버본체(1)의 개구부(5)에 배치되어 공정가스를 분배하는 분배유로(8)가 형성되며 고주파전원(17)과 연결되어 전극을 형성하는 샤워헤드(7)를 가지고 있다. Conventional chemical vapor deposition apparatus 20, as shown in Figure 1, having a reaction space chamber body (1) with (3) the formation and the upwardly opening openings (5), the chamber body (1) forming a dispensing passage 8 which is arranged in the opening (5) distributing a process gas and has a showerhead 7 which is connected to the high frequency power source 17 to form an electrode. 그리고, 종래기술은 챔버본체(1)와 샤워헤드(7) 사이에 개재되어 상호 절연시키는 절연체(9)와, 작업물(15)을 지지하는 지지대(13)를 갖는다. Further, the prior art has a chamber body (1) and the showerhead insulator 9, and a supporting base 13 for supporting a workpiece (15) for mutual insulation is interposed between the (7). 또한, 종래기술은 고리상으로 마련되어 샤워헤드(7)와 지지대(13) 사이에서 작업물(15)을 감싸서 공정분위기를 형성하며 공정가스의 배출을 위해 배출공(12)이 방사상으로 형성된 라이너(liner, 11)을 갖는다. In addition, the prior art liner provided with a ring shower head 7 and the discharge hole (12) the workpiece (15) between the support (13) wrapped to form a process atmosphere, and for discharging the process gas is radially formed in the ( It has a liner, 11).

이러한 구성을 갖는 종래기술에서는 공급된 공정가스가 샤워헤드(7), 라이너(11) 및 지지대(13)로 둘러싸여 소정의 온도 및 압력의 공정분위기가 형성되면 고 주파에 의해 플라즈마상태에서 공정가스가 반응을 일으켜 작업물(15)에 증착막을 형성한다. When the prior art having such a construction the supply process gas in the shower head 7, the liner 11 and the support 13, the process atmosphere of a predetermined temperature and pressure to form surrounded by a high process gas in a plasma state by high-frequency is causing a reaction to form a deposition layer on the workpiece (15). 그리고, 소정의 증착공정이 완료된 후에 샤워헤드, 챔버본체 내벽 등에 형성된 불필요한 증착막을 제거하기 위하여 클리닝 과정이 이루어 질 수 있다. And, a cleaning process can be done in order to remove unwanted deposition layer formed like the showerhead, the chamber body wall after a predetermined deposition process is complete. 또한, 공정가스의 배출 시에는 반응공간(3)의 공정가스는 라이너(11)의 배출공(12)을 통해 챔버본체(1)의 내벽에 형성된 유통통로(18)를 따라 배출펌프(19)를 통하여 이루어진다. In addition, as the flow passage 18 formed in the inner wall of the process, the reaction space during the discharge of the gas (3) The process gas chamber body 1 through the discharge hole 12 of the liner 11 of the discharge pump 19 a is via. 그리고, 소정의 증착공정이 완료된 후에 샤워헤드, 챔버본체 내벽 등에 형성된 불필요한 증착막을 제거하기 위한 클리닝 과정도 이루어 질 수 있다. Then, after a predetermined deposition process is complete the cleaning process to remove unwanted deposition layer formed like the showerhead, the chamber body is also the inner wall can be achieved.

그런데, 이러한 종래기술에서는 고가의 세라믹으로 된 라이너가 별도로 마련되어 있어 라이너를 소정의 위치에서 중심을 유지 및 고정하도록 하는 부품 등이 필요하여 구조가 복잡하며 원료비 및 제작비에 따른 경제적인 비용도 증가된다는 문제점이 있다. However, such a prior art problem that the liner expensive ceramic additionally provided it requires components such as the liner, so as to maintain and secure the center at a predetermined position and the structure is complicated and increased economic costs of raw material and production costs there is. 또한, 종래기술에서는 부품수가 많아 구조가 복잡하며 내부막의 열팽창을 고려하여 챔버본체와 내부막의 이격거리가 비교적 커서 넓은 이격공간에서 공정가스의 흐름이 원활하게 이루어지지 않아 클리닝의 효율이 떨어질 우려가 있다. In addition, the prior art the number of parts increases the structure is complex, and does not occur to the flow of process gases over a wide spaced a chamber body and the inner membrane separation distance is relatively large in consideration of the internal film of thermal expansion there is a possibility to fall, the efficiency of the cleaning .

따라서, 본 발명의 목적은, 부품수를 줄여 간단하며 공정가스의 흐름이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있는 화학기상증착장치를 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of this invention to simply reduce the number of parts and provides a chemical vapor deposition device equipped with a flow of process gas can be made relatively smoothly.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 화학기상증착(CVD)장치에 있어서, 반응공간을 형성하며 상부개구를 갖는 챔버본체와; The above object is, according to the present invention, there is provided a chemical vapor deposition (CVD) apparatus, to form a reaction space, and a chamber body having an upper opening; 상기 상부개구에 설치되어 공정가스를 분배하며 고주파전극을 형성하는 샤워헤드와; And a showerhead that is installed on the upper opening distribute process gas to form a high-frequency electrode; 상기 챔버본체의 벽면과 상기 샤워헤드 사이에 개재되는 절연부와, 상기 절연부에서 하향 연장되며 다수의 공정가스배출공이 방사상으로 형성된 스커트부를 갖는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 ㅇ화학기상증착장치에 의하여 달성된다. The insulating section, and a o chemical vapor deposition apparatus, and downwardly extending from the insulating part, comprising an insulator having a plurality of process gas exhaust hole skirt radially formed in a portion which is interposed between the wall surface of the chamber body and the showerhead It is achieved by.

또한, 상기 절연체에 지지 및 안내되어 작업물의 외주면 및 하부면에 증착막이 형성되지 않도록 상기 작업물의 외주면를 커버하는 섀도링(shadow ring)을 포함할 수 있다. In addition, the support and guidance on the insulator may comprise a shadow ring (shadow ring) to which the vapor-deposited film of water so as not work oejumyeonreul cover formed on an outer peripheral surface and a bottom surface of the workpiece.

또한, 상기 섀도링은 반경방향으로 외향 형성된 돌기를 가지며, 상기 절연체는 내벽면에 반경방향으로 함몰형성되어 상기 돌기를 수용하는 돌기수용부를 가질 수 있다. In addition, the shadow ring has an outward protrusion formed in the radial direction, the insulator may be formed recessed in the radial direction on the inner surface have a projection receiving portion for receiving the projection.

그리고, 상기 돌기 및 상기 돌기수용부는 복수인 것을 포함할 수 있다. In addition, the projection and the projection receiving portion may include a plurality.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명의 일실시예인 화학기상증착장치에 대하여 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in one embodiment the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention;

본 발명에 따른 화학기상증착장치(20)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반응공간(31)을 형성하며 상부개구(33)를 갖는 챔버본체(30)와; The chemical vapor deposition apparatus 20 according to the present invention, as shown in Figs. 2 and 3, to form a reaction space 31 and the chamber body 30 having an upper opening (33) and; 상부개구(33)에 설치되어 공정가스를 분배하며 고주파전극을 형성하는 샤워헤드(40)와; Installation is distributed to the process gas to the upper opening 33 and the shower head 40 to form a high-frequency electrode; 상기 챔버본체(30)의 벽면과 상기 샤워헤드(40) 사이에 개재되는 절연부(51)와, 상기 절연부(51)에서 하향 연장되며 방사상으로 형성된 다수의 공정가스배출공(55)이 형성된 스커트부(53)를 갖는 절연체(50)를 갖는다. And the insulating portion 51 interposed between the wall and the shower head 40 of the chamber body 30, and downwardly extending from the insulating part (51) radially a number of process gas exhaust hole 55 is formed, formed by has an insulator (50) having a skirt portion (53). 화학기상증착장치(20)는 작업물(61)을 지지하는 지지대(60)를 더 포함할 수 있다. The chemical vapor deposition apparatus 20 may further include a supporter 60 for supporting a workpiece (61).

화학기상증착장치(20)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체제조와 같은 전자부품제조공정에 채용되며 반응공간(31) 내로 공정가스를 공급하여 기상화학반응을 통해 작업물(61)에 얇은 증착막을 형성시킨다. As a chemical vapor deposition apparatus 20, shown in Figure 2, it is employed in the electronic component manufacturing process, such as a semiconductor production in the reaction space 31, the process workpiece 61 by the gas supply through a gas phase chemical reaction into to form a thin deposition film. 화학기상증착장치(20)에서는 증착공정 이외에도 전극, 챔버본체(30) 등에 불필요하게 형성된 증착막을 제거하기 위한 클린공정도 수행할 수 있음은 물론이다. The chemical vapor deposition apparatus 20 may also perform a clean process for removing the deposited film unnecessarily formed like electrode, the chamber body 30 in addition to the deposition process. FIG. 화학기상증착장치(20)는 작업물(61)의 크기에 대응하여 챔버본체(30)의 크기 등을 선택적으로 채용할 수 있다. The chemical vapor deposition apparatus 20 may be in response to the size of the workpiece (61) selectively employed on the size of the chamber body 30.

챔버본체(30)는, 도 2에 도시된 바와 같이. The chamber body 30 has, as shown in Figure 2. 반응공간(31)을 형성하며 상향 개구된 상부개구(33)를 갖는다. Forming a reaction space 31 and has an upwardly opening the top opening (33). 챔버본체(30)는 후술할 고주파전원(43)과 연결된 전극을 형성하는 샤워헤드(40)에 대응하여 고주파가 발생될 수 있도록 접지부(35)를 갖는다. The chamber body 30 has a ground portion (35) to allow the high frequency generation in response to forming the electrode connected to the high frequency power source 43 to be below the shower head 40. 챔버본체(30)는 상부에 분해 및 조립을 용이하게 하기 위하여 챔버리드(37)를 가질 수 있다. Chamber body 30 may have a chamber lid 37, to facilitate disassembly and assembly to the upper.

샤워헤드(40)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버본체(30)의 상부개구(33)에 배치되어 공정가스를 분배하는 분배유로(41)를 가지며, 고주파전원(43)과 연결되어 전극을 형성한다. Shower head 40, the cost and has a dispensing passage 41 which is arranged on the upper opening 33 of the chamber body 30 distributes the process gas, connected to the high frequency power source 43 as shown in Figure 2, to form an electrode. 샤워헤드(40)의 분배유로(41)는 작업물(61)에 증착막을 형성하기 위한 반응가스 및 불필요한 막을 제거하기 위해 공급되는 반응가스와 같은 공정가스를 작업물(61)에 균일하게 안내할 수 있도록 관통 형성되어 있다. Distribution passage 41 of the shower head 40 is to direct a uniform process gas such as reactive gas to be supplied in order to remove the reaction gas and the unnecessary film for forming a deposition layer on the workpiece 61 on the workpiece 61 It may be formed to pass through. 샤워헤드(40)는 알루미늄과 같은 재질을 포함할 수 있다. The showerhead 40 may include a material such as aluminum. 샤워헤드(40)는 인가된 고주파전원에 의해 지지대(60)의 전극과 상호 작용하여 고주파를 발생시킨다. Shower head 40 generates a high frequency to interact with the electrode of the support 60 by the applied high frequency power.

절연체(50)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버본체(30)와 샤워헤드(40) 사이에 개재되어 상호 절연시키는 절연부(51)와, 절연부(51)에서 하향 연장되 며 방사상으로 다수의 공정가스배출공(55)이 형성된 스커트부(53))를 갖는다. Insulator 50, 2 and 3, the disposed between the chamber body 30 and the shower head 40 mutually isolated portion 51, downwardly extending from the insulating part (51) of It said back has a radially into a plurality of process gas exhaust hole 55 is formed in the skirt portion 53). 절연체(50)는 내벽면에 반경방향으로 함몰형성되어 후술할 섀도링(70)의 돌기(71)를 수용하며 섀도링(70)을 지지 및 안내할 수 있는 돌기수용부(57)를 가진다. Insulator 50 has a receiving projections 71 of the shadow ring 70 to be described later is formed recessed in the radial direction on the inner wall surface and projections which can support and guide the shadow ring 70 receiving portion 57. 절연체(50)는 전기적 절연성을 가진 세라믹과 같은 재질을 포함할 수 있다. Insulator 50 may include a material such as a ceramic having electrical insulating properties.

절연부(51)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버본체(30)와 샤워헤드(40) 사이에 개재되어 챔버본체(30)와 샤워헤드(40)가 절연시켜 상호 간에 전류가 흐르지 않도록 한다. Insulating portion 51, as shown in Figure 3, the chamber body 30 and the shower head 40 is disposed between so as to the chamber body 30 and the shower head 40 insulating the current flow to one another do. 절연부(51)는 챔버본체(30)의 수평상부와 샤워헤드(40)의 최외측 수평하단부 사이에 개재되어 상호 절연시키는 영역과, 챔버리드(37)의 내벽과 샤웨헤드(40)의 수직부(미도시)에 개재되어 상호 절연시키는 영역으로 나누어진다. Perpendicular of the insulation portion 51 has a chamber main body 30, the horizontal top and the shower head 40 is disposed between the outermost horizontal bottom cross-insulating region and the inner wall and syawe head 40 of the chamber lid 37 to the portion is interposed (not shown) is divided into areas of mutual insulation.

스커트부(53)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 절연부(51)에서 연장되며 공정가스가 유통되는 다수의 공정가스배출공(55)을 갖는다. The skirt portion 53, as shown in Figure 3, extends from the insulating unit 51 has a plurality of process gas exhaust hole 55 which the process gas flow. 스커트부(53)는 챔버본체(30)와 이격되어 공정가스배출공(55)을 통과한 공정가스가 이격공간을 통과하여 클린닝 등이 이루어지도록 한다. The skirt portion 53 so that such clean done by turning the process gas that has been separated from the chamber body 30 through the process gas discharge hole 55 is passed through the spacing area.

돌기수용부(57)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 절연체(50)의 내벽에 반경방향으로 함몰형성되어 후술할 섀도링(70)를 지지 및 안내한다. Projection receiving portion 57, the supporting and guiding, the shadow ring 70 to be described later is formed recessed radially on an inner wall of insulation 50, as shown in Fig. 섀도링(70)이 작업물(61)을 커버하는 경우에 지지대(60)가 상승하여 지지대(60)가 섀도링(70)을 지지하며 돌기수용부(57)는 섀도링(70)을 안내한다. Shadow ring 70 supporting the workpiece 61, the support 60 is elevated by the support 60, the shadow ring 70 when the cover and the projection receiving portion 57 guide the shadow ring 70 do. 돌기수용부(57)는 복수 개로 마련되어 섀도링(70)이 안정적으로 지지 및 안내될 수 있다. The projection accommodating portion 57 is provided with a plurality pieces shadow ring 70 can be stably supported and guided.

이에, 절연체(50)는 챔버본체(30)와 샤워헤드(40) 사이를 절연할 뿐만 아니라 공정가스가 유통되는 다수의 공정가스배출공(55)이 형성되어 있어 하나로 종래 기술의 내부막의 기능까지 수행할 수 있으므로 부품수가 줄어 장치가 간단하다. Thus, the insulator 50 includes a chamber body 30 and the shower head 40 a number of process gases is a process gas distribution as well as insulation between the hole 55 to the inside film functions of the prior art in one there is formed it is possible to perform a simple device reduces the number of components. 또한, 절연부(51)와 스커트부(53)가 하나로 이루어져 구조가 복잡하지 않고 열팽창에 따른 변화도 적어 챔버본체(30)와 이격거리를 적게 할 수 있으므로 이격공간이 좁아 공정가스의 흐름이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있다. In addition, the insulating portion 51 and the skirt portion 53, the one composed of the structure flows because without the complexity can be reduced to Figure chamber body 30 and the spacing distance less changes in thermal expansion are spaced narrower process gas is relatively It can be smoothly. 그리고, 절연체(50)는 돌기수용부(57)를 마련하여 공정의 변화에 따라 선택적으로 섀도링(70)을 채용할 수 있다. Then, the insulator 50 may optionally employ a shadow ring 70 in accordance with the change of the process by providing a protrusion receiving portion (57).

지지대(60)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 작업물(61)을 지지하며, 필요에 따라 히터(미도시)를 포함할 수 있다. Support 60 is, as shown in Figure 2, and support the workpiece 61 can include a heater (not shown), if necessary. 지지대(60)는 고주파전원과 연결된 샤워헤드(40)에 대응하여 고주파를 발생시킬 수 있도록 전극(미도시)을 포함할 수 있다. Support 60 can comprise an electrode (not shown) so as to generate a high frequency in response to the shower head 40 is connected with the radio frequency. 지지대(60)의 상부면에 지지된 작업물(61)은 절연체(50)의 고리상으로 된 스커트부(53)로 둘러싸여 공정분위기가 형성될 수 있다. The workpiece 61 is supported on the upper surface of the support 60 is the process atmosphere can be formed surrounded by the skirt portion 53 into the ring of the insulator 50.

섀도링(70)은, 도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 절연체(50)에 지지 및 안내되어 작업물(61)의 외주면 및 하부면에 증착막이 형성되지 않도록 작업물(61)의 외주면을 커버한다. The shadow ring 70, an outer peripheral surface of the, is supported and guided by the insulator 50, the workpiece 61, the outer peripheral surface and so that the deposition layer is not formed on the lower surface the workpiece 61 as shown in Figures 2 and 3 It covers. 섀도링(70)은, 안정적으로 이동 가능하도록 복수의 돌기(71)를 반경방향으로 외향 형성할 수 있다. Shadow ring 70 can be formed outward the plurality of protrusions 71 in the radial direction to be stably moved. 섀도링(70)은 세라믹과 같은 내열성이 강한 재질을 포함할 수 있다. Shadow ring 70 may comprise a strong heat-resistant material such as ceramic.

이러한 구성에 의해, 본 발명에 따른 화학기상증착장치(20)의 작동과정을 도 4를 참조하여 살펴보면 다음과 같다. With this configuration, referring to the operation of the CVD apparatus 20 according to the present invention Referring to Figure 4 as follows.

먼저, 반응가스가 샤워헤드(40)를 통해 공급되며, 반응공간(31)에 소정의 온도 및 압력이 유지되도록 히터(미도시) 및 진공펌프(미도시) 등이 작동된다. First, the reaction and the gas is supplied through the shower head 40, such as a reaction space (not shown) with a predetermined temperature and pressure, a heater (not shown) and the vacuum pump is kept on 31 is activated. 소정 의 온도 및 압력에 도달 시 고주파전원(43)이 인가되면 챔버본체(30)의 접지부(35) 및 지지대(60)의 전극에 의해 고주파가 발생되어 반응공간(31) 내의 플라스마상태에서 반응가스가 반응하여 작업물(61) 상부면에 증착막이 형성된다. Predetermined reaching the temperature and pressure of the high-frequency power supply 43 is applied when the high-frequency by the electrode of the ground unit 35 and the support 60 of the chamber body 30 generating reaction in the plasma state in the reaction space 31 the vapor-deposited film is formed on the top surface the workpiece 61 by the reaction gas. 이 때, 섀도링(70)은 작업물(61)의 가장자리를 커버하여 작업물(61)의 가장자리 및 하부면에 증착막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. At this time, the shadow ring 70 can be prevented from being deposited film is formed on the edge and bottom surfaces of the workpiece 61, the workpiece 61 is to cover the edges of the. 다음, 증착공정이 일 회 내지 수 회 반복된 후에 클린공정에서는 불필요한 증착막을 제거하여 배출시킨다. After then, the deposition process is repeated once to several times a day in the clean process is discharged to remove unwanted deposition layer. 이에, 스커트부(53)는 절연부(51)와 일체로 형성되어 형상이 간단하고 열팽창도 일정하여 챔버본체(30)와 이격거리를 비교적 적게 할 수 있으므로 좁은 이격공간 내에서 공정가스의 흐름을 원활하게 하여 클리닝이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있다. Thus, the skirt portion 53 is the flow of process gas in the narrow spaced, so the insulation portion 51 and are integrally formed shape is simple, and also a certain thermal expansion can be made relatively small the chamber body 30 and the spacing to facilitate the cleaning can be made relatively smoothly.

이에, 본 발명에 따르면, 절연체가 챔버본체와 샤워헤드를 절연할 뿐만이 아니라 공정가스가 유통되는 다수의 배출공을 마련하여 하나로 다양한 기능을 수행할 수 있으므로 부품수가 줄어 장치가 간단하며 원료비 및 제작비와 같은 경제적 비용을 절감할 수 있다. Thus, according to the present invention, the insulation chamber body and to not only to insulate the showerhead providing a plurality of the exhaust hole in which the process gas flows, one can perform a variety of functions reduces the number of parts the device is simple, and raw material costs and production costs and It can reduce the economic costs of such. 또한, 부품수가 단순하여 챔버본체와 내부막의 이격거리가 적어 좁은 이격공간에서 공정가스의 흐름이 원활하게 이루어질 수 있어 클린공정 등의 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, the number of parts simple write the chamber body and the inner membrane separation distance can be made in the flow of process gas in the narrow spaced it is possible to improve the efficiency of such clean processes.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 부품수를 줄여 간단하며 공정가스의 흐름이 비교적 원활하게 이루어 질 수 있는 화학기상증착장치가 제공된다. As described above, according to the present invention, simply by reducing the number of components and the process chemical vapor deposition device equipped with a flow of gas can be made relatively smoothly, it is provided.

Claims (4)

  1. 화학기상증착(CVD)장치에 있어서, In the chemical vapor deposition (CVD) apparatus,
    반응공간을 형성하며 상부개구를 갖는 챔버본체와; Forming a reaction space, and a chamber body having an upper opening;
    상기 상부개구에 설치되어 공정가스를 분배하며 고주파전극을 형성하는 샤워헤드와; And a showerhead that is installed on the upper opening distribute process gas to form a high-frequency electrode;
    상기 챔버본체의 벽면과 상기 샤워헤드 사이에 개재되어 상호 절연하는 절연부와, 상기 절연부에서 하향 연장되며 공정가스의 흐름이 분산되도록 방사상으로 다수의 공정가스배출공이 형성된 스커트부를 갖는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치. And insulating part for mutually insulating interposed between the wall surface of the chamber body and the showerhead, extends downward from the insulating portion, and including an insulator having a radially into a plurality of process gas exhaust hole skirt portion formed to be distributed, the flow of process gas the chemical vapor deposition apparatus according to claim.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 절연체에 지지 및 안내되어 작업물의 외주면 및 하부면에 증착막이 형성되지 않도록 상기 작업물의 외주면를 커버하는 섀도링(shadow ring)을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치. The chemical vapor deposition apparatus characterized in that it comprises a shadow ring (shadow ring) for supporting and guiding the vapor-deposited film is the workpiece oejumyeonreul cover from being formed on the outer peripheral surface and a bottom surface of the workpiece on the insulator.
  3. 제2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 섀도링은 반경방향으로 외향 형성된 돌기를 가지며, The shadow ring has an outward protrusion formed in the radial direction,
    상기 절연체는 내벽면에 반경방향으로 함몰형성되어 상기 돌기를 수용하는 돌기수용부를 갖는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치. The insulator is formed recessed in the radial direction on the inner wall surface of a chemical vapor deposition apparatus characterized in that it has a receiving portion for receiving the protrusion projections.
  4. 제3항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 돌기 및 상기 돌기수용부는 복수인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치. The protrusion and the chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the plurality of projection receiving portions.
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