KR100688484B1 - Apparatus of treating substrate using activated oxygen and method thereof - Google Patents

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Abstract

활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 그 방법이 개시되어 있다. Device and method for processing a substrate by using the active oxygen is disclosed. 그 장치는, 자외선을 방출하는 자외선 방출램프와 활성화 산소의 이동을 차단하는 투명차단막과, 오존을 이용하여 활성화 산소를 형성하는 제1 반응실과, 그 하부에 다수의 분사구를 갖는 제1 샤워헤드판과 제2 샤워헤드 판이 일정한 간격으로 배열되어 활성화 산소를 균일하게 뿌려주는 불투명한 이중샤워헤드를 구비한다. The apparatus comprises a first reaction chamber, the first showerhead plate having a plurality of nozzle openings in a lower portion for blocking the ultraviolet radiation emitted light and active oxygen, the movement of which emits ultraviolet transparent protection film and using the ozone forming radicals and a second shower head plate having an array of uniformly ppuryeoju the active oxygen at regular intervals is opaque double showerhead. 그 처리방법은, 오존에 자외선을 조사하여 생성된 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 오존에 자외선을 조사하여 오존을 분해함으로써 활성화 산소를 생성하는 단계 및 상기 활성화 산소를 기판 상에 고르게 분사하여 기판을 처리하는 단계를 포함하되, 상기 자외선이 상기 기판이 안착된 처리실 내로는 투과하지 못하도록 하여, 상기 처리실 내에서는 오존이 분해되지 않도록 한다. The processing method includes a method for using active oxygen generated by irradiation with ultraviolet rays in the ozone treatment of the substrate, the step and the active oxygen that generates free radicals by decomposing the ozone is irradiated with ultraviolet rays in the ozone on the substrate comprising the step of processing the substrate by spraying evenly, and to prevent the ultraviolet rays to prevent the transmission into the treatment chamber of the substrate mounting, the ozone being decomposed within the treatment chamber. 따라서, 활성화 산소를 이용하여 반도체 기판 상에 산화막을 증착 또는 열처리할 때 불투명한 이중샤워헤드를 이용함으로써 자외선이 반도체 기판에 닿지 않고 불균일한 오존의 분해에 의해 영향을 받지 않으므로 기판에 형성되는 산화막의 두께가 달라지는 것을 방지한다. Thus, by using the active oxygen of the oxide film formed on the substrate is ultraviolet light by using a non-transparent dual shower heads when depositing or annealing the oxide film on the semiconductor substrate is not affected by the decomposition of a non-uniform ozone without contact with the semiconductor substrate, prevents vary in thickness.
활성화 산소, 이중샤워헤드, 자외선, 오존, 산화막 Activated oxygen, dual shower heads, UV, ozone, oxide

Description

활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 그 방법{Apparatus of treating substrate using activated oxygen and method thereof} Apparatus for processing a substrate using the active oxygen and a method of treating substrate using activated oxygen {Apparatus and method thereof}

도 1은 종래의 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치의 개략도이다. 1 is a schematic view of an apparatus for processing a substrate using a conventional active oxygen.

도 2는 도1의 장치의 샤워헤드판의 평면도이다. 2 is a plan view of the shower head plate of the apparatus of Figure 1;

도 3은 본 발명에 따른 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 그 방법을 설명하기 위한 개략도이다. Figure 3 is a schematic diagram for explaining the apparatus and method for processing a substrate by using the active oxygen in accordance with the present invention.

도 4는 도 3의 장치의 샤워헤드판의 평면도이다. 4 is a plan view of the shower head plate of the apparatus of Fig.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 Description of the drawings ※

100 ; 100; 하우징 102 ; Housing 102; 자외선 램프 UV lamp

104 ; 104; 투명차단막 106 ; A transparent protection film 106; 오존생성기 Ozone Generator

108 ; 108; 흡입관 110 ; Introducing tube 110; 제1 반응실 A first reaction chamber

112 ; 112; 샤워헤드판 114 ; A shower head plate 114; 제2 반응실 A second reaction chamber

116 ; 116; 기판 118 ; A substrate 118; 지지대 support fixture

120 ; 120; 배출구 200 ; Outlet 200; 이중샤워헤드 Dual shower heads

202 ; 202; 제1 샤워헤드판 204 ; The first shower head plate 204; 제2 샤워헤드판 Second shower head plate

206 ; 206; 제1 분사구 208 ; A first injection port 208; 제2 분사구 The second ejection port

본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 박판형 기판의 처리장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 특히 활성화 산소를 이용한 기판의 처리장치 및 그 방법에 관한 것이다. The present invention relates to relates to a processing apparatus and method for a thin plate substrate, in particular of a substrate processing apparatus using the active oxygen and a method such as a semiconductor wafer.

반도체 소자의 제조공정 중에는 자외선을 이용하여 오존(O 3 )을 활성화 산소로 분해하여 기판상에 산화막을 증착하는 공정이 이용되고 있다. There are ozone (O 3) a step of decomposition by depositing an oxide film on the substrate with active oxygen is used with ultraviolet light during the manufacturing process of the semiconductor device. 특히, 자외선에 의해 분해된 활성화 산소를 이용하여 산화막을 증착하는 것을 포토 CVD(Photo Chemcal Vapor Deposition)라 한다. In particular, referred to as photo CVD (Photo Chemcal Vapor Deposition) to deposit the oxide film by using the active oxygen decomposed by the ultraviolet light. 또한, 자외선에 의해 분해된 활성화 산소로 산화막의 열처리를 수행할 수 있다. Further, as the active oxygen decomposed by the ultraviolet light to perform the heat treatment of the oxide film. 예를 들면, 탄탈륨산화물(예; Ta 2 O 5 )을 증착하여 막을 형성한 후 증착된 탄탈륨산화막에 존재하는 산소공공(Oxygen vacancy)을 채워 막의 조직을 치밀화하는 데 자외선과 오존에 의해 생성된 활성화 산소를 이용하기도 한다. For example, tantalum oxide (such as; Ta 2 O 5) to the one generated by a fill densification of the membrane tissue of oxygen vacancies (Oxygen vacancy) present in the deposited tantalum oxide layer to ultraviolet light and ozone activated after a film deposition sometimes using oxygen. 다시말하면, 오존은 자외선에 의해 산소 기체와 활성화 산소로 분해되는 데, 이때 생성된 활성화 산소가 산화막을 증착하거나 열처리할 때 사용되는 것이다. In other words, ozone is to be used that is decomposed into oxygen gas and free radicals by ultraviolet light, wherein the generated active oxygen is used for the deposition or heat treatment of the oxide film.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 활성화 산소를 이용한 기판의 처리장치 및 그 방법에 대해 설명하기로 한다. With reference to the accompanying drawings, description will be made on a processing apparatus and method of a substrate using a conventional active oxygen.

도 1은 종래의 기판의 처리장치의 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a processing unit of a conventional substrate.

도 1을 참조하면, 하우징(100)의 상부 안쪽에 설치되어 자외선을 방출하는 자외선 방출램프(102)와 자외선 방출램프(102)의 하부에 설치되어 활성화 산소의 이동을 차단하고 자외선을 통과시키는 투명차단막(104)과 투명차단막(104)의 하부에 위치하여 활성화 산소를 형성하는 제1 반응실(110)과 하우징(100)의 외부에서 오존을 생성하여 흡입관(108)을 통하여 제1 반응실(110)로 공급하는 오존생성기(106)와 제1 반응실(110)의 하부에 위치하여 다수의 분사구를 통하여 활성화 산소를 균일하게 분사하는 투명한 샤워헤드판(112) 및 샤워헤드판(112)의 하부에 있으며 기판 (116)을 지지하는 지지대(118)를 포함하는 제2 반응실(114)을 구비하고 있다. 1, is installed inside the upper portion of the housing 100 is transparent (108) installed in the lower portion of the ultraviolet radiation emitted for emitting ultraviolet lamp 102 and the ultraviolet light emitting lamp 102 to block the movement of the active oxygen, and pass through the ultraviolet blocking film 104 and the first reaction chamber through the suction pipe 108 to generate the ozone from the outside of the first reaction chamber 110 and the housing 100 to form the radicals located in the lower part of the transparent protection film (104) ( 110), ozone generator 106 and the first reaction chamber (transparent showerhead plate 112 and the showerhead plate 112 to the lower position by uniformly spraying the radicals through the plurality of ejection port in the 110) to be supplied to the the bottom and provided with a second reaction chamber 114 comprises a support 118 for supporting a substrate (116).

산화막 증착 또는 열처리과정을 구체적으로 살펴보면, 오존생성기(106)에서 생성된 오존은 제1 반응실(110)에서 자외선에 의해 산소 기체와 활성화 산소로 분해된다. Looking at the oxide layer deposition or heat treatment in detail, the ozone generated in the ozone generator 106 is decomposed into oxygen gas and free radicals by ultraviolet rays in the first reaction chamber (110). 이어서, 활성화된 산소는 다수의 분사구가 형성된 샤워헤드판(112)을 통과하여 지지대(118)에 안착되어 있는 기판(116)에 뿌려진다. Then, the active oxygen is sprayed on the substrate 116, which is seated on a plurality of supports (118) through a shower head plate 112, the injection hole is formed. 최종적으로, 기판에 뿌려진 활성화 산소는 기판에 산화막을 증착하기도 하고 이미 증착된 산화막을 치밀화시키기도 한다. Finally, the active oxygen is sprayed on the substrate may deposit a oxide film on the substrate, and they cause already densification of the deposited oxide film.

도 2는 활성화 산소를 분사하는 샤워헤드판(112)을 설명하기 위한 평면도이다. 2 is a plan view illustrating a shower head plate 112 for injecting radicals.

도 2를 참조하면, 석영과 같은 투명한 재질로 이루어진 샤워헤드판(112) 상에서 수직선분인 b 1 b 2 , b 3 b 4 등과 수평선분인 a 1 a 2 , a 3 a 4 등의 교차점에 자외선이 통과될 수 있는 제1 분사구(206)가 형성된다. 2, the ultraviolet light at an intersection, such as a vertical line minute of b 1 b 2 b 3 b 4 as horizontal minutes in a 1 a 2 a 3 a 4 on the shower head plate 112 made of a transparent material such as quartz a first opening (206) which can be passed through is formed. 이때, 샤워헤드판(112)의 형상은 하우징 (100)의 형상에 따라 달라질 수 있다. At this time, the shape of the showerhead plate 112 may vary depending on the shape of the housing 100.

상술한 종래의 기판을 처리하는 장치 및 그 방법에는 다음과 같은 문제점이 발생한다. Handling the conventional substrate above apparatus and method has caused the following problems. 반도체소자의 제작에 있어서 반도체 기판의 크기가 커져감에 따라, 자외선과 오존을 이용한 산화막의 증착이나 열처리시 형성되는 산화막의 두께가 불균일해진다. In the manufacture of semiconductor devices according to the sense of the size of the semiconductor substrate becomes larger, the thickness of the oxide film becomes non-uniform to be formed during the deposition or heat treatment of the oxide film with ultraviolet light and ozone. 구체적으로 살펴보면, 기판에 오존만 흘려서 열처리한 경우의 산화막의 두께는 균일했으나, 자외선에 의해 생성된 활성화 산소로 처리된 산화막의 두께의 균일성이 불량해진다. Referring specifically to, but is a uniform oxide film thickness in the case where only the ozone to the substrate by flowing the heat treatment, the uniformity of the thickness of the oxide film treatment by activated oxygen generated by ultraviolet light becomes poor. 이와 같은 불균일의 원인은 기판에 자외선이 조사됨으로써 일어난다. The causes of such non-uniformity occurs in the substrate being a ultraviolet irradiation. 즉, 자외선 방출램프(102)에서 방출된 자외선은 투명 샤워헤드판(112)을 투과하여, 기판(116) 근처의 제2 반응실(114)에서도 자외선에 의해 오존이 산소가스와 활성화 산소로 분해된다. That is, the ultraviolet radiation emitted from the ultraviolet light emitting lamp 102 includes a transparent shower head passes through the plate 112, the substrate 116 is a second reaction chamber 114 is decomposed by the ozone by ultraviolet oxygen gas and free radicals in the vicinity do. 그런데, 기판의 크기가 증가하면서 부분별로 자외선의 세기가 차이가 있으므로 이로 인하여 오존이 분해되는 정도가 부분별로 달라진다. However, different by this reason the degree of ozone decomposition part, so that the increase in the intensity of the ultraviolet rays by the difference part while the size of the substrate. 그러므로, 반도체 기판에 증착되는 산화막두께는 오존의 분해정도가 부분별로 달라지면서 불균일하게 된다. Therefore, the oxide film thickness to be deposited on the semiconductor substrate is non-uniform As the degree of decomposition of ozone varies part by part.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 활성화 산소를 이용하여 반도체 기판 상에 산화막을 증착 또는 열처리할 때 자외선이 반도체 기판에 닿지 않고 또한 불균일한 오존의 분해에 의한 영향을 받지 않게 하여 기판에 형성되는 산화막의 두께가 달라지는 것을 방지하는 기판의 처리장치 및 그 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the object of the present invention using the active oxygen to ultraviolet light when the deposition or annealing of the oxide film on the semiconductor substrate, without contact with the semiconductor substrate, also not affected by the decomposition of a non-uniform ozone formed in the substrate to provide a substrate for preventing varying the thickness of the oxide film treatment apparatus and method.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판을 처리하는 장치는, 하우징 내측 상부에 설치되어 자외선을 방출하는 자외선 방출램프와, 상기 자외선 방출램프의 하부에 설치되어 활성화 산소의 이동을 차단하는 투명차단막과, 상기 투명차단막의 하부에 위치하여 활성화 산소를 생성하는 제1 반응실과, 상기 하우징의 외부에서 오존을 생성하여 상기 제1 반응실으로 공급하는 오존생성기와, 상기 제1 반응실의 하부에 설치되어 각각 다수의 분사구를 갖는 불투명한 제1 샤워헤드판과 제2 샤워헤드 판이 상기 제1 샤워헤드판에 형성된 제1 분사구와 제2 샤워헤드판에 형성된 제2 분사구가 서로 엇갈리도록 배열되어 활성화 산소를 균일하게 뿌려주는 이중샤워헤드와 상기 이중샤워헤드 하부에 놓여지는 기판을 지지하는 지지대를 포함하는 제2 반응실 The transparent barrier film to block the apparatus aspect processing a substrate of the present invention for achieving the ultraviolet emission that is provided inside the upper housing emits an ultraviolet lamp and the ultraviolet radiation emitted is provided in the lower portion of the lamp radicals movement of and the first reaction chamber and, with the ozone generator for supplying the generated ozone from the outside of the housing into the first reaction chamber, installed on the bottom of the first reaction chamber to generate active oxygen located in the lower part of the transparent protection film is an opaque first showerhead plate and the second shower head plate is the second ejection port formed in the first injection hole and a second shower head plate formed on the first showerhead plate having a plurality of nozzle openings each arranged ridorok intersect with each other radicals a second reaction chamber to uniformly ppuryeoju comprises a support for supporting a substrate is placed in the double bottom and double showerhead showerhead 구비한다. And a.

또한, 상기 이중샤워헤드에 형성된 분사구 사이의 간격은 0.5㎝ 내지 5.0㎝ 가 바람직하며, 상기 이중샤워헤드를 이루는 상기 제1 샤워헤드판과 제2 샤워헤드판사이의 간격이 0.5㎝ 내지 5.0㎝가 되는 것이 바람직하다. In addition, the distance between the double jet opening formed in the shower head and the 0.5㎝ to 5.0㎝ preferably, the distance of the first showerhead plate and the second showerhead pansayi make up the double shower head that 0.5㎝ to 5.0㎝ it is desirable.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판을 처리하는 방법은, 오존에 자외선을 조사하여 생성된 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 오존에 자외선을 조사하여 오존을 분해함으로써 활성화 산소를 생성하는 단계 및 상기 활성화 산소를 기판 상에 고르게 분사하여 기판을 처리하는 단계를 포함하되, 상기 자외선이 상기 기판이 안착된 처리실 내로는 투과하지 못하도록 하여, 상기 처리실 내에서는 오존이 분해되지 않도록 한다. Method of processing a substrate according to the present invention for achieving the other object of the present invention provides a process for using the active oxygen generated by irradiation with ultraviolet rays in the ozone treatment of the substrate, it is irradiated with ultraviolet rays in the ozone comprising the step of generating free radicals by decomposing the ozone and the step of processing the substrate by the activated oxygen evenly sprayed on a substrate, by the ultraviolet rays to prevent the transmission into the processing chamber of the substrate is mounted, the treatment chamber within the Do not decompose ozone.

또한, 상기 이중샤워헤드가 불투명한 것이 바람직하며, 상기 이중샤워헤드를 이루는 제1샤워헤드판에 형성된 제1 분사구와 제2 샤워헤드판에 형성된 제2 분사구가 서로 엇갈리도록 배치하여 상기 자외선이 처리실내로 투과하지 못하도록 하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. In addition, the ultraviolet light is processed to place enabling the double in the shower head is preferably opaque, the second ejection port formed in the first injection hole and a second shower head plate formed in the first showerhead plate forming the double shower head intersect each other it comprises the step of preventing the transmission to the inside of the room is preferred.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. With reference to the accompanying drawings, a description of the present invention in more detail. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. The present invention is not limited to the embodiments set forth herein may be embodied in many different forms, but the present embodiment is to complete the disclosure of the present invention, than to those of skill from the scope of the invention They are provided to fully described.

도 3은 본 발명의 실시예에 의한 기판의 처리장치 및 그 방법을 설명하기 위한 개략도이다. Figure 3 is a schematic diagram for explaining the processing apparatus and method of the substrate according to an embodiment of the present invention. 또한, 상기 개략도를 중심으로 본 발명의 실시예에 의한 기판의 처리방법을 함께 설명하기로 한다. Furthermore, a description with the treatment method of the substrate according to an embodiment of the present invention Focusing on the schematic.

도 3을 참조하면, 하우징(100)의 상부에 설치되어 자외선을 방출하는 자외선 방출램프(102)와 자외선 방출램프(102)의 하부에 설치되어 활성화 산소의 이동을 차단하고 자외선을 통과시키는 투명차단막(104)이 있다. A transparent protection film that reference to Figure 3 when, installed in the lower portion of the ultraviolet light emitting lamp 102 and the ultraviolet light emitting lamp 102, which is installed on the upper portion of the housing 100 emits ultraviolet rays to block the movement of the active oxygen, and pass through the ultraviolet there are 104. 그리고, 투명차단막(104)의 하부에는 활성화 산소를 형성하는 제1 반응실(110)이 있으며, 제1 반응실의 측면에는 하우징(100)의 외부에서 오존을 생성하여 흡입관(108)을 통하여 제1 반응실 (110)로 공급하는 오존생성기(106)가 연결되어 있다. Then, the transparent lower portion of the blocking film 104 has a first reaction chamber 110 to form the active oxygen, on the side of the first reaction chamber to generate the ozone from the outside of the housing 100 through the suction pipe 108. The 1, ozone generator 106 in response to the supply chamber 110 is connected. 제1 반응실(110)의 하부에는 다수의 분사구를 갖는 제1 샤워헤드판 (202)과 제2 샤워헤드판(204)이 일정한 간격으로 배열되어 활성화 산소를 균일하게 뿌려주는 이중샤워헤드(200)가 위치한다. A first reaction chamber of claim 1, the showerhead plate 202 and the second shower head plate 204 are arranged at regular intervals uniformly ppuryeoju double showerhead activated oxygen having a lower portion with a plurality of jetting ports (110) (200 ) it is located. 또한, 상기 이중샤워헤드(200)의 하부에는 기판(116)을 지지하는 지지대(118)를 포함하는 제2 반응실(114)을 구비하여 기판을 처리하는 장치를 이루고 있다. Further, in the lower portion of the double shower head 200 can achieve an apparatus for processing a substrate in a second reaction chamber 114 comprises a support 118 for supporting a substrate (116).

한편, 본 발명에 의한 기판의 처리방법은 자외선이 기판(116)에 다다르지 않아야 하므로, 이중샤워헤드(200)는 자외선에 대하여 불투명해야 하고, 제1 샤워헤드판(202)의 제1 분사구(206)와 제2 샤워헤드판(204)의 제2 분사구(208)는 서로 엇갈리게 배치되는 것이 바람직하다. On the other hand, the first injection hole of so processing method of a substrate according to the present invention should not UV different from the substrate 116, a dual shower head 200 should be non-transparent with respect to ultraviolet light, the first showerhead plate 202 ( 206) and a second opening (208 of the showerhead plate 204) are preferably staggered from each other.

이어서, 활성화 산소를 균일하게 뿌려주는 샤워헤드를 살펴보기로 한다. Then, the active oxygen to look at the shower head is uniformly ppuryeoju.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 활성화 산소를 분사하는 이중샤워헤드(200)를 설명하기 위한 평면도이다. Figure 4 is a plan view illustrating a dual shower head 200 for injecting the active oxygen in the embodiment;

도 4를 참조하면, 상기 이중샤워헤드(200)는 수직선분(가는 실선으로 표시됨)인 b 1 b 2 , b 3 b 4 등과 수평선분(가는 실선으로 표시됨)인 a 1 a 2 , a 3 a 4 등의 교차점에 활성화 산소가 통과될 수 있는 제1 분사구(206)가 형성된 제1 샤워헤드판(202)과, 수직선분(가는 점선으로 표시됨)인 b 1 'b 2 ', b 3 'b 4 ' 등과 수평선분(가는 점선으로 표시됨)인 a 1 'a 2 ', a 3 'a 4 ' 등의 교차점에 제2 분사구(208)가 형성된 제2 샤워헤드판 (204)으로 나뉜다. 4, the double shower head 200 is a vertical line minutes in a 1 a 2, a b 1 b 2, b 3 b. 4 as the horizon min (indicated by the thin solid line) (indicated by a thin solid line), a 3 a 4, such as the b 1 'b 2' the first showerhead plate 202 and the vertical line minutes of the first injection port 206, which is activated oxygen may be passed through a cross point formed (shown by the thin dotted line) of, b 3 'b 4 is divided into, as in a horizontal minutes 1 (indicated by a thin broken line), a 2 ', a 3, a 4, a second showerhead plate 204 and the second injection hole 208 formed at the junction of such. 한편, 제1 샤워헤드판(202)과 제2 샤워헤드판(204)은 자외선이 투과되지 않도록 불투명해야 한다. On the other hand, the first showerhead plate 202 and the second shower head plate 204 should be non-transparent so that ultraviolet rays are not transmitted. 또한, 제1 분사구(206)와 상기 제2 분사구(208)는 제1 반응실(110)에서 제2 반응실(114)을 향해 내리 쬐는 자외선을 통과시키지 않도록 상호 일직선상에 놓여 있지 않아야 한다. The first injection hole 206 and the second injection hole 208 must not be placed on each other in line so as not to pass through the UV bask down towards the second reaction chamber 114 in the first reaction chamber (110). 또한, 이중샤워헤드(200)에 형성된 분사구 사이의 간격은 공정별 또는 제품별로 다양하게 설정할 수 있으며, 통상 0.5㎝ 내지 5.0㎝인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. Further, the double distance between the injection hole formed in the shower head 200 may be variously set by process-specific or product, preferably in a one normal 0.5㎝ to 5.0㎝ is not limited thereto. 그리고 이중샤워헤드(200)에 형성된 분사구의 직경도 다양하게 설정할수 있으며, 통상 0.5㎜ 내지 5.0㎜인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. And a dual shower heads and also can variously set the diameter of the injection hole formed on the (200), one preferably in the normal 0.5㎜ to 5.0㎜ not necessarily limited to this. 덧붙여, 이중샤워헤드(200)의 형상은 하우징(100)의 형상에 따라 달라질 수 있다. In addition, the shape of the double shower head 200 may be changed according to the shape of the housing 100.

마지막으로, 산화막 증착 또는 열처리과정을 구체적으로 살펴보면, 오존생성기(106)에서 생성된 오존은 제1 반응실(110)에서 자외선에 의해 산소 기체와 활성화 산소로 분해된다. Finally, referring to oxide deposition or heat treatment in detail, the ozone generated in the ozone generator 106 is decomposed into oxygen gas and free radicals by ultraviolet rays in the first reaction chamber (110). 이어서, 활성화된 산소는 다수의 분사구가 형성된 이중샤워헤드(200)를 통과하여 지지대(118)에 안착되어 있는 기판(116)에 뿌려진다. Then, the active oxygen is sprayed to a plurality of substrate 116 that is secured to the support 118 to the injection hole is passed through a dual shower head 200 is formed. 결과적으로, 기판에 뿌려진 활성화 산소는 기판에 산화막을 증착하기도 하고 이미 증착된 산화막을 치밀화시키기도 한다. As a result, active oxygen is sprayed on the substrate they cause densification of the deposited oxide film on the substrate may already deposited oxide.

이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고 당업자에 의해 많은 변형 및 개량이 가능하다. Above been described in detail and the invention, the invention is capable of many variations and modifications by those skilled in the art is not limited to the above embodiment. 예컨대, 자외선이 기판(116)에 다다르지 않게 하는 방법을 이중샤워헤드를 이용하는 것으로 설명하였지만, 제2 반응실(114)을 자외선이 닿지 않도록 이격되게 설치함으로써도 가능하다. For example, although the ultraviolet is described as using a method for not unlike the substrate 116, a dual shower head, it is possible also by providing spaced apart so that the ultraviolet rays to the second reaction chamber 114 to touch.

상술한 본 발명에 의한 기판의 처리장치 및 처리방법에 따르면, 활성화 산소 이용하여 반도체 기판 상에 산화막을 증착 또는 열처리할 때에 불투명한 이중샤워헤드를 이용함으로써, 자외선이 반도체 기판에 닿지 않고 또한 불균일한 오존의 분해에 의해서 영향을 받지 않게 되므로 기판에 형성되는 산화막의 두께가 달라지는 것을 방지할 수 있다. According to the processing apparatus and processing method of a substrate according to the present invention described above, by using active oxygen by using a dual shower head opaque when the deposition or annealing of the oxide film on a semiconductor substrate, an ultraviolet ray is also non-uniform, without contact with the semiconductor substrate, It not affected by the decomposition of the ozone, so can be prevented from varying the thickness of the oxide film formed on the substrate.

Claims (6)

  1. 하우징 내측 상부에 설치되어 자외선을 방출하는 자외선 방출램프; It is provided inside the upper housing ultraviolet light emitting lamp which emits ultraviolet light;
    상기 자외선 방출램프의 하부에 설치되어 활성화 산소의 이동을 차단하는 투명차단막; A transparent protection film that is provided at a lower portion of the ultraviolet light emitting lamps to block the movement of the active oxygen;
    상기 투명차단막의 하부에 위치하여 활성화 산소를 생성하는 제1 반응실; A first reaction chamber to generate active oxygen located in the lower part of the transparent protection film;
    상기 하우징의 외부에서 오존을 생성하여 상기 제1 반응실로 공급하는 오존생성기; An ozone generator for supplying chamber wherein the first reaction to generate the ozone from the outside of the housing;
    상기 제1 반응실의 하부에 설치되어 각각 다수의 분사구를 갖는 불투명한 제1 샤워헤드판과 제2 샤워헤드 판이, 상기 제1 샤워헤드판의 분사구와 제2 샤워헤드판의 분사구가 서로 엇갈리도록 배열되어 활성화 산소를 균일하게 뿌려주는 이중샤워헤드; Ridorok the opaque first showerhead plate and the second shower head plate, the injection hole of the first showerhead plate of the injection hole and the second showerhead plate having a plurality of nozzle openings, respectively installed on the bottom of the first reaction chamber intersect one another be arranged uniformly radicals ppuryeoju dual shower head; And
    상기 이중샤워헤드 하부에 놓여지는 기판을 지지하는 지지대를 포함하는 제2 반응실; A second reaction chamber comprising a support for supporting a substrate is placed on the double shower head lower;
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치. Device that using the active oxygen, characterized in treating the substrate comprising a.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이중샤워헤드에 형성된 분사구의 간격이 0.5㎝ 내지 5.0㎝인 것을 특징으로 하는 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치. The method of claim 1 wherein the apparatus for processing a substrate using the active oxygen, characterized in that said double the spacing of the injection hole formed in the shower head to the 0.5㎝ 5.0㎝.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 샤워헤드판과 제2 샤워헤드판사이의 간격이 0.5㎝ 내지 5.0㎝인 것을 특징으로 하는 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치. The method of claim 1 wherein the apparatus for processing a substrate using the active oxygen in the first plate and the showerhead characterized in that the second shower head is 0.5㎝ to 5.0㎝ interval pansayi.
  4. 오존에 자외선을 조사하여 생성된 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, A method for processing a substrate by using the active oxygen generated by irradiation with ultraviolet rays with ozone,
    오존에 자외선을 조사하여 오존을 분해함으로써 활성화 산소를 생성하는 단계; By decomposing the ozone is irradiated with ultraviolet rays in the ozone generating free radicals; And
    상기 활성화 산소를 기판 상에 고르게 분사하여 기판을 처리하는 단계를 포함하되, And the radicals evenly sprayed on a substrate comprising the step of processing a substrate,
    상기 오존을 분해하여 상기 활성화산호를 생성하는 오존분해실과 상기 기판을 처리하는 처리실을 불투명한 샤워헤드로 분리함으로써, 상기 자외선이 상기 처리실 내로는 투과하지 못하도록 하는 것을 특징으로 하는 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 방법. Substrate by separating the ozone decomposition chamber and the showerhead opaque to the processing chamber for processing the substrate to produce the activated coral to break down the ozone, wherein the ultraviolet light by using the active oxygen, characterized in that to prevent permeation into the treatment chamber how to handle.
  5. 삭제 delete
  6. 제5항에 있어서, 상기 샤워헤드는 각각에 형성된 분사구가 서로 엇갈리도록 배치된 2 이상의 불투명한 샤워헤드판을 구비하여, 상기 분사구를 통해 자외선이 상기 처리실내로 투과하지 못하도록 하는 것을 특징으로 하는 활성화 산소를 이용 하여 기판을 처리하는 방법. The method of claim 5 wherein the activating the showerhead and having a jet opening has a staggered ridorok more disposed second non-transparent shower head plate to each other is formed in each of the ultraviolet ray via the injection orifice, characterized in that to prevent permeation into the treatment chamber method for processing a substrate using oxygen.
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