KR100684544B1 - Apparatus for measuring stress of wafer in high temperature process of high speed temperature variation - Google Patents

Apparatus for measuring stress of wafer in high temperature process of high speed temperature variation Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 스트레스 측정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 제조 및 가공하는 공정중 고속으로 고온처리되는 과정에서 웨이퍼가 받는 스트레스를 측정함으로써 웨이퍼의 제조 및 가공공정중에 발생할 수 있는 불량률을 감소시킬 수 있도록한 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a stress measuring apparatus of a wafer, and more particularly, to measure a stress received by a wafer during a high temperature process at a high speed during the manufacturing and processing of the wafer, thereby measuring a defect rate that may occur during the manufacturing and processing of the wafer. The present invention relates to an apparatus for measuring the stress of a wafer in a high-speed processing high temperature process that can be reduced.

본 발명은 유리판재에 의해 상부공간과 하부공간으로 나뉘어지는 챔버와, 상기 챔버의 상부면에 형성된 윈도우를 통해 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사한 후 반사되는 레이저를 검출하는 카메라와, 상기 챔버의 상부공간에 놓여진 웨이퍼에 유리판재를 통해 고온의 열을 인가하기 위하여 하부공간에 설치되는 할로겐램프와, 상기 챔버의 상부공간에 질소가스를 주입하는 질소가스공급부와, 상기 상부공간에 존재하는 불필요한 가스를 배출하는 가스배출포트와, 상기 상부공간을 진공상태로 만들기 위해 공기를 외부로 배출시키는 진공포트와, 상기 상부공간의 진공상태를 나타내는 진공게이지와, 상기 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 상부면에 설치되어 웨이퍼에 인가되는 온도를 감지하는 온도감지센서와, 그리고 상기 레이저카메라, 할로겐램프, 온도감지센서, 질소가스공급부, 진공포트 및 가스배출포트에 접속되면서 레이저카메라, 할로겐램프, 온도감지센서, 질소가스공급부, 진공포트 및 가스배출포트의 동작을 제어하여 지지플레이트에 놓여진 웨이퍼의 스트레스를 고온에서 자동으로 측정하는 메인컨트롤러로 이루어지는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention is a chamber divided into an upper space and a lower space by a glass plate material, a camera for detecting a laser reflected after irradiating a laser to the surface of the wafer placed in the upper space through a window formed on the upper surface of the chamber, A halogen lamp installed in the lower space for applying high temperature heat to the wafer placed in the upper space of the chamber through the glass plate, a nitrogen gas supply unit for injecting nitrogen gas into the upper space of the chamber, and A gas discharge port for discharging unnecessary gas, a vacuum port for discharging air to make the upper space into a vacuum state, a vacuum gauge indicating a vacuum state of the upper space, and an upper surface of the wafer placed in the upper space A temperature sensor installed on the wafer for sensing a temperature applied to the wafer, and the laser camera, Wafer placed on the support plate by controlling operation of laser camera, halogen lamp, temperature sensor, nitrogen gas supply part, vacuum port and gas discharge port while being connected to halogen lamp, temperature sensor, nitrogen gas supply part, vacuum port and gas discharge port It is characterized by providing a stress measuring device of the wafer in a high-speed processing high temperature process consisting of a main controller for automatically measuring the stress at high temperature.

챔버, 웨이퍼, 할로겐램프, 메인컨트롤러, 진공펌프 Chamber, Wafer, Halogen Lamp, Main Controller, Vacuum Pump

Description

고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치{APPARATUS FOR MEASURING STRESS OF WAFER IN HIGH TEMPERATURE PROCESS OF HIGH SPEED TEMPERATURE VARIATION}FIELD OF MEASURING STRESS OF WAFER IN HIGH TEMPERATURE PROCESS OF HIGH SPEED TEMPERATURE VARIATION

도 1은 본 발명에 따른 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing an apparatus for measuring stress of a wafer in a high-speed processing high temperature process according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 개략적으로 나타낸 블럭도이다.2 is a block diagram schematically illustrating an apparatus for measuring a stress of a wafer in a high-speed processing high temperature process according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치의 동작을 나타낸 흐름도이다.Figure 3 is a flow chart showing the operation of the wafer stress measuring device in the high-speed processing high temperature process according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 챔버 12 : 상부공간10 chamber 12 upper space

14 : 하부공간 16 : 유리판재14: lower space 16: glass plate

18 : 윈도우 20 : 덮개18: Windows 20: cover

22 : 덮개구동부 24 : 지지플레이트22: cover drive part 24: support plate

26 : 웨이퍼 28 : 온도감지센서26: wafer 28: temperature sensor

30 : 할로겐램프 50 : 레이저카메라30: halogen lamp 50: laser camera

60 : 메인컨트롤러 60: main controller

본 발명은 웨이퍼의 스트레스 측정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 제조 및 가공하는 공정중 고속으로 고온처리되는 과정에서 웨이퍼가 받는 스트레스를 측정함으로써 웨이퍼의 제조 및 가공공정중에 발생할 수 있는 불량률을 감소시킬 수 있도록한 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a stress measuring apparatus of a wafer, and more particularly, to measure a stress received by a wafer during a high temperature process at a high speed during the manufacturing and processing of the wafer, thereby measuring a defect rate that may occur during the manufacturing and processing of the wafer. The present invention relates to an apparatus for measuring the stress of a wafer in a high-speed processing high temperature process that can be reduced.

일반적으로 반도체 웨이퍼나 LCD와 같은 제품의 제조시에는 화학기상증착법(CVD : Chemical Vapor Deposition) 및 스퍼터링(Sputtering)과 식각(etching) 등의 다양한 고속처리 온도공정을 필요로 하는바, 이러한 온도공정에서 필요한 적절한 온도를 선택하고, 상기 온도공정중의 선택된 온도에서 웨이퍼 등의 재질이 받는 스트레스를 분석하여 웨이퍼의 제조공정에 적용하는 것은 매우 중요하다. In general, the manufacture of products such as semiconductor wafers and LCDs requires a variety of high-speed processing temperature processes such as chemical vapor deposition (CVD) and sputtering and etching, It is very important to select the appropriate temperature required and to analyze the stress applied to the material such as the wafer at the selected temperature during the temperature process and apply it to the wafer manufacturing process.

이러한 웨이퍼 등의 제조공정중 고온의 상태에서 웨이퍼가 받는 스트레스가 높을 경우에 불량률이 크게 증가할 수 있으며, 이러한 웨이퍼가 갖는 스트레스의 정도를 미리 파악하여 제조공정에 적용함으로써 웨이퍼의 제조공정에서 발생되는 불량률을 크게 줄일 수 있으며, 상기 웨이퍼의 제조공정중 효율성을 높이도록 하기 위하여 웨이퍼가 받는 스트레스를 측정하는 시스템이 반드시 필요한 공정임을 알 수 있다. The defect rate can be greatly increased when the stress applied to the wafer at a high temperature during the manufacturing process of the wafer is high, and the degree of stress of the wafer can be grasped in advance and applied to the manufacturing process. It can be seen that the defect rate can be greatly reduced, and that a system for measuring stress on the wafer is a necessary process in order to increase the efficiency of the wafer manufacturing process.

본 발명은 상기한 바에 착안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼를 제조하는 공정중 고속처리 고온공정에서 웨이퍼에 인가되는 스트레스를 자동 측정함으로써, 웨이퍼의 불량률을 감소시킬 수 있는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the foregoing, and an object of the present invention is to provide a high-speed processing high temperature that can reduce a defect rate of a wafer by automatically measuring a stress applied to the wafer in a high-speed processing high temperature process during a semiconductor wafer manufacturing process. To provide a stress measuring device of the wafer in the process.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유리판재에 의해 상부공간과 하부공간으로 나뉘어지는 챔버와, 상기 챔버의 상부면에 형성된 윈도우를 통해 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사한 후 반사되는 레이저를 검출하는 카메라와, 상기 챔버의 상부공간에 놓여진 웨이퍼에 유리판재를 통해 고온의 열을 인가하기 위하여 하부공간에 설치되는 할로겐램프와, 상기 챔버의 상부공간에 질소가스를 주입하는 질소가스공급부와, 상기 상부공간에 존재하는 불필요한 가스를 배출하는 가스배출포트와, 상기 상부공간을 진공상태로 만들기 위해 공기를 외부로 배출시키는 진공포트와, 상기 상부공간의 진공상태를 나타내는 진공게이지와, 상기 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 상부면에 설치되어 웨이퍼에 인가되는 온도를 감지하는 온도감지센서와, 그리고 상기 레이저카메라, 할로겐램프, 온도감지센서, 질소가스공급부, 진공포트 및 가스배출포트에 접속되면서 레이저카메라, 할로겐램프, 온도감지센서, 질소가스공급부, 진공포트 및 가스배출포트의 동작을 제어하여 지지플레이트에 놓여진 웨이퍼의 스트레스를 고온에서 자동으로 측정하는 메인컨트롤러로 이루어지는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chamber that is divided into an upper space and a lower space by a glass plate material, and a laser that is reflected after irradiating a laser onto a surface of a wafer placed in an upper space through a window formed on an upper surface of the chamber. A halogen lamp installed in the lower space for applying a high temperature heat to the wafer placed in the upper space of the chamber through a glass plate, a nitrogen gas supply unit for injecting nitrogen gas into the upper space of the chamber; A gas discharge port for discharging unnecessary gas existing in the upper space, a vacuum port for discharging air to make the upper space vacuum, an vacuum gauge indicating a vacuum state of the upper space, and the upper space Temperature sensing sensor installed on the upper surface of the wafer placed on the wafer to sense the temperature applied to the wafer And control the operation of the laser camera, halogen lamp, temperature sensor, nitrogen gas supply unit, vacuum port and gas discharge port while being connected to the laser camera, halogen lamp, temperature sensor, nitrogen gas supply unit, vacuum port and gas discharge port. It is characterized by providing a stress measuring device of the wafer in a high-speed processing high temperature process consisting of a main controller for automatically measuring the stress of the wafer placed on the support plate at a high temperature.

또 상기 챔버의 상부공간과 하부공간을 형성하는 벽체에는 각각 물이 채워지는 물재킷이 형성되고, 상기 물재킷에는 물공급파이프 및 물배출파이프가 각각 설치되어 물펌프로부터 물공급파이프를 통해 물재킷에 물이 공급됨과 동시에 물배출파이프를 통해 배출되는 것을 특징으로 한다. In addition, a water jacket is formed in each of the walls forming the upper space and the lower space of the chamber, and the water jacket is provided with a water supply pipe and a water discharge pipe, respectively, through the water supply pipe from the water pump. At the same time the water is supplied to the discharge through the water discharge pipe.

또 상기 챔버의 상부공간에는 지지플레이트가 설치되고, 상기 챔버의 상부공간을 형성하는 벽체의 일측부에 구비되는 게이트도어를 통해 지지플레이트의 상부면에 웨이퍼를 놓거나 꺼내는 것을 특징으로 한다.In addition, a support plate is installed in the upper space of the chamber, and the wafer is placed or taken out on the upper surface of the support plate through a gate door provided at one side of the wall forming the upper space of the chamber.

또 상기 챔버의 상부공간을 구성하는 벽체의 상부면에 형성되는 윈도우에는 셔터가 설치되어 웨이퍼를 검사하지 않는 동안 할로겐램프로부터 발생되는 열이 레이저카메라에 인가되는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다. In addition, the window formed on the upper surface of the wall constituting the upper space of the chamber is characterized in that the shutter is installed to prevent the heat generated from the halogen lamp to be applied to the laser camera while not inspecting the wafer.

또 상기 질소가스공급부에는 자동밸브 및 자동밸브제어기 그리고 수동밸브가 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the nitrogen gas supply unit is characterized in that the automatic valve and automatic valve controller and a manual valve is provided.

또 상기 진공포트에는 상부공간에 존재하는 공기를 외부로 배출시키기 위한 배기펌프 및 배기밸브가 구비되는 것을 특징으로 한다. In addition, the vacuum port is characterized in that the exhaust pump and exhaust valve for discharging the air present in the upper space to the outside.

또 상기 가스배출포트에는 상부공간에 존재하는 해로운 가스를 배출시키기 위한 가스배출펌프 및 가스배출밸브가 구비되는 것을 특징으로 한다. In addition, the gas discharge port is characterized in that the gas discharge pump and the gas discharge valve for discharging the harmful gas existing in the upper space.

이하, 본 발명을 첨부된 도면과 관련하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 2는 본 발명에 따른 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 개략적으로 나타낸 블록 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치의 동작을 나타낸 흐름도면이다.1 is a view schematically showing a wafer stress measuring apparatus in a high speed processing high temperature process according to the present invention, Figure 2 is a block diagram schematically showing a wafer stress measuring apparatus in a high speed processing high temperature process according to the present invention, 3 is a flowchart showing the operation of the wafer stress measuring apparatus in the high-speed processing high temperature process according to the present invention.

본 발명을 도 1 내지 도 3 을 참조하여 설명하자면 먼저, 반도체용 웨이퍼(26)를 제조하는 공정은 고온에서 주로 이루어지므로 고온에서 웨이퍼(26)에 인가되는 스트레스의 정도를 미리 확인하여 웨이퍼 제조공정에 적용하는 것은 매우 중요하다.
따라서, 상기 웨이퍼(26)를 일정한 공간을 갖는 챔버(10)에 위치시킨 후, 고온의 열을 웨이퍼(26)에 인가함으로써 고온에 의해 웨이퍼(26)에 인가되는 스트레스를 측정하게 된다.Referring to the present invention with reference to Figures 1 to 3, first, the process for manufacturing the semiconductor wafer 26 is mainly made at a high temperature, so the wafer manufacturing process by checking the degree of stress applied to the wafer 26 at a high temperature in advance It is very important to apply.
Therefore, after placing the wafer 26 in the chamber 10 having a predetermined space, the stress applied to the wafer 26 by the high temperature is measured by applying high temperature heat to the wafer 26.

그리고 상기 챔버(10)는 유리판재(16)에 의해 상부공간(12)과 하부공간(14)으로 나뉘어지고, 상기 챔버(10)의 상부면은 석영유리로 이루어진 윈도우(18) 및 윈도우를 개폐시키는 덮개(20)로 구분시키되, 챔버(10)의 측면을 형성하는 벽체에는 물이 채워지는 물재킷(40)이 형성된다.
또한 상기 물재킷(40)에는 물이 주입되는 물공급파이프(42)및 물을 물재킷(40)으로부터 배출시키는 물배출파이프(44)가 설치되어 챔버(10)의 내부에 고온의 열이 인가되는 동안 물재킷(40)에 물을 순환시킴으로써 챔버(10)의 벽체에 인가되는 열을 식혀주게 된다.
상기 물공급파이프(42)에는 물펌프(47)가 구비되고, 상기 물펌프(47)는 물펌프구동부(49)에 의해 구동되어 물탱크(46)에 있는 물이 물재킷(40)에 공급되어 지되, 상기 물재킷(40)에 공급된 물은 다시 물배출파이프(44)를 통해 물탱크(46)로 순환 된다. The chamber 10 is divided into an upper space 12 and a lower space 14 by a glass plate 16, and an upper surface of the chamber 10 opens and closes a window 18 and a window made of quartz glass. The cover 20 is divided into, but the wall forming the side of the chamber 10, the water jacket 40 is filled with water is formed.
In addition, the water jacket 40 is provided with a water supply pipe 42 into which water is injected and a water discharge pipe 44 for discharging water from the water jacket 40 so that high temperature heat is applied to the inside of the chamber 10. By circulating the water in the water jacket 40, the heat applied to the wall of the chamber 10 is cooled.
The water supply pipe 42 is provided with a water pump 47, the water pump 47 is driven by the water pump driving unit 49 to supply the water in the water tank 46 to the water jacket 40 The water supplied to the water jacket 40 is circulated back to the water tank 46 through the water discharge pipe 44.

상기 윈도우(18)에 설치되는 덮개(20)는 할로겐램프(30)로부터 발생되는 고온의 열이 레이저카메라(50)에 장시간 인가됨으로써 고온의 열에 의해 레이저카메라(50)가 파손되는 것을 방지하기 위하여 설치되며, 상기 덮개(20)는 덮개구동부(22)에 의해 개폐동작을 함으로써 레이저카메라(50)가 웨이퍼(26)에 레이저를 조사하여 웨이퍼(26)의 스트레스를 검출하는 동안에만 오픈된다.The cover 20 installed in the window 18 is a high temperature heat generated from the halogen lamp 30 is applied to the laser camera 50 for a long time to prevent the laser camera 50 from being damaged by the high temperature heat. The cover 20 is opened and closed only while the cover 20 is opened and closed by the cover driver 22 to detect the stress of the wafer 26 by irradiating a laser onto the wafer 26.

상기 상부공간(12)에는 웨이퍼(26)가 놓여지는 지지플레이트(24)가 설치되고, 상기 석영유리재질로 이루어진 지지플레이트(24) 위에 놓여지는 웨이퍼(26)에는 하부공간(14)에 설치되는 할로겐램프(30)로 부터 발생되는 고온의 열이 인가된다.
상기 할로겐램프(30)가 고온의 열을 발생시키는 동안에는 물재킷(40)의 물이 순환되는바, 이를 위해 할로겐램프(30)에는 할로겐램프구동부(31)가 구비되고, 상기 할로겐램프구동부(31)는 외부전원을 할로겐램프(30)에 인가하게 된다. A support plate 24 on which the wafer 26 is placed is installed in the upper space 12, and a lower plate 14 is installed in the wafer 26 placed on the support plate 24 made of the quartz glass material. The high temperature heat generated from the halogen lamp 30 is applied.
While the halogen lamp 30 generates high temperature heat, the water in the water jacket 40 is circulated. To this end, the halogen lamp 30 includes a halogen lamp driver 31, and the halogen lamp driver 31 is provided. ) Is to apply external power to the halogen lamp (30).

상기 웨이퍼(26)의 상부면에는 다수개의 온도감지센서(28)가 착설되고, 상기 온도감지센서(28)는 할로겐램프(30)로부터 인가되는 고온의 열에 의해 웨이퍼(26)에 인가되는 온도를 감지하게 된다.
상기 챔버(10)의 상부면에 설치되는 윈도우(18)의 상부에는 레이저카메라(50)가 설치되고, 상기 레이저카메라(50)는 온도감지센서(28)에 의해 감지되는 온도가 설정된 온도값이 되면 웨이퍼(26)에 레이저를 조사시켜 반사되는 레이저값을 검출하여 메인컨트롤러(60)에 인가하며, 상기 메인컨트롤러(60)는 레이저카메라(50)로부터 인가되는 레이저값을 분석하여 웨이퍼(26)에 인가되는 스트레스를 산출하게 된다.A plurality of temperature sensors 28 are mounted on the upper surface of the wafer 26, and the temperature sensors 28 detect the temperature applied to the wafer 26 by the high temperature heat applied from the halogen lamp 30. Will be detected.
The laser camera 50 is installed on the upper portion of the window 18 installed on the upper surface of the chamber 10, the laser camera 50 has a temperature value set by the temperature detected by the temperature sensor 28 When the laser beam is irradiated onto the wafer 26 to detect the reflected laser value, the laser is applied to the main controller 60, and the main controller 60 analyzes the laser value applied from the laser camera 50 to the wafer 26. Calculate the stress applied to.

상기 챔버(10)의 상부공간(12)에는 질소가스공급부(38)와 가스배출포트(54)가 일측에 설치되고, 상기 상부공간(12)의 다른 일측에는 진공포트(66) 및 게이트도어(48)가 설치된다.
상기 질소가스공급부(38)는 질소공급파이프(32)를 통해 상부공간(12)에 질소가스를 공급하게 되고, 상기 가스배출포트(54)는 상부공간(12)에 존재하는 해로운 가스를 배출하게 된다.
상기 진공포트(66)는 상부공간(12)을 진공상태로 만들기 위하여 상부공간(12)에 존재하는 공기를 외부로 배출하게 된다. The upper space 12 of the chamber 10 is provided with a nitrogen gas supply unit 38 and a gas discharge port 54 on one side, the other side of the upper space 12, the vacuum port 66 and the gate door ( 48) is installed.
The nitrogen gas supply unit 38 supplies nitrogen gas to the upper space 12 through the nitrogen supply pipe 32, and the gas discharge port 54 discharges harmful gas existing in the upper space 12. do.
The vacuum port 66 discharges the air present in the upper space 12 to the outside to make the upper space 12 in a vacuum state.

상기 할로겐램프(30)가 고온의 열을 발생시켜 상부공간(12)의 웨이퍼(26)에 인가하게 되면 고온의 열에 의해 웨이퍼(26)로 부터 가스가 발생하게 되고, 상기 웨이퍼(26)로부터 발생되는 가스가 공기와 반응을 하여 챔버(10)내의 윈도우 등을 덮개됨으로써 측정을 방해하게 된다.
따라서, 할로겐램프(30)로 부터 고온의 열을 발생시키기 전에 진공포트(66)를 통해 상부공간(12)에 존재하는 공기를 외부로 배출시켜 상부공간(12)을 진공상태로 전환시키게 된다. When the halogen lamp 30 generates high temperature heat and is applied to the wafer 26 in the upper space 12, gas is generated from the wafer 26 by high temperature heat, and is generated from the wafer 26. The gas is reacted with the air to cover the window and the like in the chamber 10 to interfere with the measurement.
Therefore, before the high temperature heat is generated from the halogen lamp 30, the air present in the upper space 12 is discharged to the outside through the vacuum port 66 to convert the upper space 12 into a vacuum state.

상기 할로겐램프(30)로 부터 발생되는 고온의 열에 의해 웨이퍼(26)에 설정된 온도가 인가되면 레이저카메라(50)를 이용하여 웨이퍼(26)의 표면에 레이저를 조사하여 웨이퍼(26)의 표면으로부터 검출되는 레이저값을 메인컨트롤러(60)가 분석함으로써 고온의 열에 의해 웨이퍼(26)의 표면에 인가되는 스트레스를 측정하는 동안 챔버(10)의 상부공간(12)에는 웨이퍼(26)로부터 발생되는 해로운 가스가 존재하게 된다.
이후, 상부공간(12)에는 질소가스공급부(38)를 이용하여 질소가스를 공급하게 되는바, 이때 질소가스는 상부공간(12)에 존재하는 해로운 가스와 반응을 하여 상부공간(12)의 내부를 정화시키면서 내부의 온도를 식혀주게 되고, 동시에 질소가스를 상부공간(12)에 주입함으로써 상부공간(12)의 진공상태를 대기압상태로 전환시켜주게 된다.
상기 가스배출포트(54)에는 상부공간(12)에 존재하는 해로운 가스를 배출시키기 위한 가스배출펌프(58) 및 가스배출밸브(56)가 구비된다. When the temperature set on the wafer 26 is applied by the high temperature heat generated from the halogen lamp 30, the laser is irradiated to the surface of the wafer 26 by using the laser camera 50, and the surface of the wafer 26 is removed from the surface of the wafer 26. The main controller 60 analyzes the detected laser value to determine the harmful stress generated from the wafer 26 in the upper space 12 of the chamber 10 while measuring the stress applied to the surface of the wafer 26 by high temperature heat. There will be gas.
After that, the nitrogen gas is supplied to the upper space 12 using the nitrogen gas supplying part 38. In this case, the nitrogen gas reacts with harmful gas present in the upper space 12 to thereby form the interior of the upper space 12. The internal temperature is cooled while purifying, and at the same time, nitrogen gas is injected into the upper space 12 to convert the vacuum state of the upper space 12 to an atmospheric pressure state.
The gas discharge port 54 is provided with a gas discharge pump 58 and a gas discharge valve 56 for discharging harmful gas existing in the upper space 12.

또한 질소가스공급부(38)에는 자동밸브(34)가 구비되고, 상기 자동밸브(34)는 자동밸브제어기(36)에 의해 자동으로 개폐동작을 하게 되어 질소가스공급부(38)로부터 공급되는 질소가스는 자동밸브제어기(36)에 의해 자동으로 개폐되는 자동밸브(34)를 통해 챔버(10)의 상부공간(12)에 공급된다.In addition, the nitrogen gas supply unit 38 is provided with an automatic valve 34, the automatic valve 34 is automatically opened and closed by the automatic valve controller 36 nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply unit 38 Is supplied to the upper space 12 of the chamber 10 through an automatic valve 34 which is automatically opened and closed by an automatic valve controller 36.

한편, 상기 챔버(10)를 이루는 상부공간(12)의 일측에는 진공게이지(52)가 설치되고, 상기 진공게이지(52)는 진공포트(66)를 통해 외부로 공기가 배출된 상태에서 상부공간(12)의 진공상태를 감지하여 메인컨트롤러(60)에 인가하게 된다.
상기의 진공포트(66)에는 배기밸브(62)및 배기펌프(64)가 구비되며, 상기 배기펌프(64)에 의해 상부공간(12)에 존재하는 공기가 외부로 배출된 후, 배기밸브(62)를 닫음으로써 상부공간(12)이 진공상태를 유지하게 된다.On the other hand, a vacuum gauge 52 is installed on one side of the upper space 12 constituting the chamber 10, the vacuum gauge 52 is the upper space in the air discharged to the outside through the vacuum port 66 Detects the vacuum state of the (12) is applied to the main controller 60.
The vacuum port 66 is provided with an exhaust valve 62 and an exhaust pump 64. After the air present in the upper space 12 is discharged to the outside by the exhaust pump 64, the exhaust valve ( By closing 62, the upper space 12 maintains the vacuum state.

상기 챔버(10)를 구성하는 상부공간(12)의 일측에 설치되는 게이트도어(48)는 상부공간(12)의 지지플레이트(24)에 웨이퍼(26)를 위치시키거나 상부공간(12)으로부터 웨이퍼(26)를 꺼낼경우에 이용된다.The gate door 48 installed at one side of the upper space 12 constituting the chamber 10 may position the wafer 26 on the support plate 24 of the upper space 12 or from the upper space 12. It is used to take out the wafer 26.

상기 메인컨트롤러(60)에는 레이저카메라(50), 할로겐램프구동부(31), 온도감지센서(28), 진공게이지(52), 질소가스를 공급하는 자동밸브제어기(36), 진공포트(66)를 개폐시키는 배기밸브(62) 및 배기펌프(64) 그리고 가스배출포트(54)를 개폐시키는 가스배출펌프(58) 및 가스배출밸브(56), 물재킷(40)에 물을 공급하는 물펌프구동부(49), 그리고 덮개(20)를 개폐시키는 덮개구동부(22)가 접속된다. The main controller 60 has a laser camera 50, a halogen lamp driver 31, a temperature sensor 28, a vacuum gauge 52, an automatic valve controller 36 for supplying nitrogen gas, and a vacuum port 66. Water pump for supplying water to the exhaust valve 62 and the exhaust pump 64 to open and close the gas discharge port 58 and the gas discharge pump 58 to open and close the gas discharge port 54, the water jacket 40 The drive part 49 and the cover drive part 22 which open and close the cover 20 are connected.

상기 메인컨트롤러(60)는 고온의 상태에서 웨이퍼(26)의 스트레스를 측정할 경우에 진공포트(66)의 배기펌프(64)및 배기밸브(62)를 제어하여 상부공간(12)을 진공상태로 변환시킨 후, 진공게이지(52)로부터 인가되는 신호가 진공상태를 나타내면 물펌프구동부(49)를 제어하여 물펌프(47)를 구동시킴으로써 물재킷(40)에 물을 순환시킴과 아울러 할로겐램프구동부(31)를 구동시켜 할로겐램프(30)에서 고온의 열을 발생시키도록 한다. The main controller 60 controls the exhaust pump 64 and the exhaust valve 62 of the vacuum port 66 to measure the stress of the wafer 26 in a high temperature state, so that the upper space 12 is vacuumed. After converting to, the signal applied from the vacuum gauge 52 indicates the vacuum state by controlling the water pump driving unit 49 to drive the water pump 47 to circulate water in the water jacket 40 and the halogen lamp The driving unit 31 is driven to generate high temperature heat in the halogen lamp 30.

상기 웨이퍼(26)의 상부면에 설치된 다수개의 온도감지센서(28)로 부터 인가되는 온도가 설정된 온도값에 해당하면 메인컨트롤러(60)는 덮개구동부(22)를 제어하여 윈도우(18)를 덮고있는 덮개(20)를 오픈시킨다.
이때 윈도우(18)가 오픈된 상태에서 레이저카메라(50)를 구동시키고, 상기 레이저카메라(50)는 메인컨트롤러(60)의 제어에 의해 웨이퍼(26)에 레이저를 조사하도록 한 후, 웨이퍼(26)의 표면으로부터 반사되는 레이저를 검출하여 메인컨트롤러(60)에 인가한다. If the temperature applied from the plurality of temperature sensors 28 installed on the upper surface of the wafer 26 corresponds to the set temperature value, the main controller 60 controls the cover driver 22 to cover the window 18. Open the cover (20).
At this time, the laser camera 50 is driven while the window 18 is opened, and the laser camera 50 irradiates a laser to the wafer 26 under the control of the main controller 60, and then the wafer 26. Laser is reflected from the surface of the) and is applied to the main controller 60.

상기 메인컨트롤러(60)는 레이저카메라(50)로부터 인가되는 레이저값을 분석하여 고온의 열에 의해 웨이퍼(26)에 인가되는 스트레스의 정도를 산출하여 표시부(70)에 표시하게 된다.
상기 메인컨트롤러(60)는 웨이퍼(26)의 스트레스를 측정한 후, 자동밸브제어기(36)를 제어하여 질소가스를 상부공간(12)에 공급시키고, 이어서 가스배출펌프(58) 및 가스배출밸브(56)를 제어하여 상부공간에 존재하는 유해한 가스를 제거한 후, 온도감지센서(28)로부터 인가되는 상부공간(12)의 온도가 식혀진 상태에서 게이트도어(48)를 오픈시켜 웨이퍼(26)를 상부공간(12)으로 부터 꺼낼 수 있도록 한다. The main controller 60 analyzes a laser value applied from the laser camera 50 to calculate a degree of stress applied to the wafer 26 by high temperature heat and display the same on the display unit 70.
The main controller 60 measures the stress of the wafer 26, and then controls the automatic valve controller 36 to supply nitrogen gas to the upper space 12, and then the gas discharge pump 58 and the gas discharge valve. After controlling the 56 to remove the harmful gas present in the upper space, the gate door 48 is opened by opening the gate door 48 in a state where the temperature of the upper space 12 applied from the temperature sensor 28 is cooled. To be taken out of the upper space (12).

위와같은 일 실시예를 통한 본 발명의 작용을 설명하면, 먼저 챔버(10)의 상부공간(12)을 대기압의 상태로 하여 배기밸브(62) 및 게이트도어(48)를 닫은 초기상태를 유지토록 하는 단계(S100)와,
상기 단계(S100) 다음에 웨이퍼(26)의 스트레스를 고온에서 측정할 것인가 또는 상온에서 측정할 것인가를 설정하는 하는 단계(S110)와.
상기 설정단계(S110)중 고온에서 웨이퍼(26)의 스트레스를 측정하도록 설정되면 원하는 측정온도를 하나 이상을 설정하는 단계(S120)와,
상기 단계(S120) 다음에 할로겐램프구동부(31)를 할로겐램프(30)에서 고온의 열을 발생시키도록 하여 미리 100℃~150℃ 정도 상온의 온도로 상부공간(12)을 예열시키는 단계(S130)와,
상기 상온에서 측정하는 단계(S110) 또는 예열단계(S130)중 예열이 완료된 상태에서 웨이퍼(26)의 스트레스를 측정하기 위하여 챔버(10)를 구성하는 상부공간(12)의 일측부에 구비된 게이트도어(48)를 통해 상부공간(12)의 지지플레이트(24)에 웨이퍼(26)를 위치시키고 게이트도어(48)를 닫는 단계(S140)와,Referring to the operation of the present invention through one embodiment as described above, first to maintain the initial state of closing the exhaust valve 62 and the gate door 48 to the upper space 12 of the chamber 10 to the atmospheric pressure state. Step (S100) and
And setting the stress of the wafer 26 at a high temperature or at room temperature following the step (S100).
Setting at least one desired measurement temperature when the stress of the wafer 26 is set at a high temperature during the setting step S110 (S120);
After the step S120, the halogen lamp driver 31 generates heat at a high temperature in the halogen lamp 30 to preheat the upper space 12 to a temperature of about 100 ° C. to 150 ° C. in advance (S130). )Wow,
The gate provided at one side of the upper space 12 constituting the chamber 10 to measure the stress of the wafer 26 in the pre-heating step (S110) or the preheating step (S130) of the measurement at room temperature Placing the wafer 26 on the support plate 24 of the upper space 12 through the door 48 and closing the gate door 48 (S140);

상기 단계(S140) 다음에 배기펌프(64) 및 배기밸브(62)를 제어하여 상부공간(12)에 존재하는 공기를 외부로 배출시켜 상부공간(12)을 진공상태로 전환시키는 단계(S150)와,
상기 단계(S150) 다음에 진공게이지(52)를 통해 상부공간(12)이 진공상태가 감지되면 물펌프구동부(49)를 제어하여 물펌프(470를 구동시킴으로써, 물재킷(40)에 물을 순환시키는 단계(S160)와,
상기 단계(S160) 다음에 할로겐램프구동부(31)를 구동시켜 할로겐램프(30)에서 고온의 열을 발생시키도록 하는 단계(S170)와, After the step (S140) to control the exhaust pump 64 and the exhaust valve 62 to discharge the air present in the upper space 12 to the outside to convert the upper space 12 to a vacuum state (S150) Wow,
After the step (S150) and the upper space 12 through the vacuum gauge 52 is detected a vacuum state by controlling the water pump driving unit 49 to drive the water pump 470, water in the water jacket 40 Circulating (S160),
After the step (S160) to drive the halogen lamp driving unit 31 to generate a high temperature heat in the halogen lamp (S170),

상기 단계(S170) 다음에 웨이퍼(26)의 상부면에 설치된 다수개의 온도감지센서(28)로부터 인가되는 온도가 실행되지 않은 가장 낮은 설정된 온도값에 해당하는가를 판단하는 단계(S180)와,
상기 단계(S180)에서 설정된 온도에 해당하거나 또는 상기 단계(S110)에서 상온에서 측정할 경우에는 덮개구동부(22)를 제어하여 윈도우(18)를 덮고있는 덮개(20)를 오픈시키는 단계(S190)와,
상기 단계(S190) 다음에 윈도우(18)가 오픈된 상태에서 레이저카메라(50)를 구동시켜 레이저카메라(50)가 웨이퍼(26)에 레이저를 조사하도록 한 후, 웨이퍼(26)의 표면으로부터 반사되는 레이저를 검출하여 메인컨트롤러(60)에 인가하도록 하는 단계(S200)와,Determining whether the temperature applied from the plurality of temperature sensors 28 installed on the upper surface of the wafer 26 corresponds to the lowest set temperature value which has not been performed (S180) after step S170;
When the temperature corresponds to the temperature set in the step (S180) or when measured at room temperature in the step (S110) by controlling the cover driver 22 to open the cover 20 covering the window 18 (S190) Wow,
After the step S190, the laser camera 50 is driven while the window 18 is opened to cause the laser camera 50 to irradiate the laser to the wafer 26, and then reflects from the surface of the wafer 26. Detecting the laser to be applied to the main controller 60 (S200),

상기 단계(S200) 다음에 덮개구동부(22)를 제어하여 윈도우(18)를 덮개(20)가 덮도록 하는 단계(S210)와,
상기 단계(S210) 다음에 웨이퍼(26)의 표면으로부터 반사되는 레이저를 검출한 레이저카메라(50)로 부터 인가되는 레이저값을 분석하여 고온의 열에 의해 웨이퍼(26)에 인가되는 스트레스의 정도를 산출하는 단계(S220)와, After the step (S200) to control the cover driving unit 22 to cover the window 18 to the cover 20 (S210),
After the step S210, the laser value applied from the laser camera 50 that detects the laser reflected from the surface of the wafer 26 is analyzed to calculate the degree of stress applied to the wafer 26 by high temperature heat. And step (S220),

상기 메인컨트롤러(60)는 산출된 웨이퍼(26)의 스트레스 정도를 표시부(70)에 표시하는 단계(S230)와,
상기 단계(S230) 다음에 웨이퍼(26)를 측정할 다른 온도가 설정되었는가를 판단하는 단계(S240)와,
상기 단계(S240)에서 다른 온도가 설정되었으면 단계(S170)를 반복하여 실행하도록 하고, 상기 단계(S240)에서 다른 온도가 설정되어 있지 않으면 할로겐램프구동부(31)를 오프시키는 단계(S250)와, The main controller 60 displays the calculated stress level of the wafer 26 on the display unit 70 (S230);
Determining whether another temperature for measuring the wafer 26 is set next to the step S230;
If another temperature is set in the step S240, the step S170 is repeated, and if the other temperature is not set in the step S240, the halogen lamp driving unit 31 is turned off (S250);

상기 단계(S250) 다음에 웨이퍼(26)의 스트레스를 설정된 모든 온도에서 측정한 후, 자동밸브제어기(36)를 제어하여 질소가스를 상부공간(12)에 공급하는 단계(S260)와,
상기 상부공간(12)에 질소가스를 공급한 후, 가스배출펌프(58) 및 가스배출밸브(56)를 제어하여 상부공간에 존재하는 유해한 가스를 제거하는 단계(S270)와,
상기 단계(S270) 다음에 온도감지센서(28)로부터 인가되는 상부공간(12)의 온도가 100℃~150℃ 정도 상온의 온도로 식혀진 상태에서 게이트도어(48)를 오픈시켜 웨이퍼(26)를 상부공간(12) 으로 부터 꺼내는 단계(S280)로 이루어 진다 .
상기 단계별 작용관계를 본 발명에 따른 장치구성과 관련하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 메인컨트롤러(60)를 통해 챔버(10)의 상부공간(12)을 대기압의 상태로 한 후, 배기밸브(62) 및 게이트도어(48)를 닫은 초기상태로 상온에서 웨이퍼의 스트레스를 측정할 것인가 또는 고온에서 웨이퍼의 스트레스를 측정할것인가를 판단한다.
상기에서 고온에서의 측정으로 설정되었으면 원하는 측정온도를 하나 이상을 설정을 한 다음에 할로겐램프구동부(31)를 제어하여 할로겐램프(30)에서 고온의 열을 발생시켜 미리 100℃~150℃ 정도 상온의 온도로 상부공간을 예열시킨다.
한편, 상기의 측정방법중 상온에서 측정 하거나 또는 예열중 예열이 완료된 상태에서 게이트도어(48)를 통해 상부공간(12)의 지지플레이트(24)에 웨이퍼(26)를 위치시키고 게이트도어(48)를 닫는 웨이퍼로딩을 실행한다.
그리고 상기의 웨이퍼로딩 다음에 배기펌프(64) 및 배기밸브(62)를 제어하여 상부공간(12)에 존재하는 공기를 외부로 배출시켜 상부공간(12)을 진공상태로 전환시킨 다음에 진공게이지(52)를 통해 상부공간(12)의 진공상태가 감지되면 물펌프구동부(49)를 제어하여 물펌프(47)를 구동시킴으로써 물재킷(40)에 물을 순환시키게 된다.
또한 할로겐램프구동부(31)를 동작시켜 할로겐램프(30)에서 고온의 열을 발생시키면서 웨이퍼(26)의 상부면에 설치된 다수개의 온도감지센서(28)로 부터 인가되는 온도가 실행되지 않은 가장 낮은 설정된 온도값에 해당하는가를 판단하여, 상기 설정된 온도에 해당하거나 또는 상기 측정방법중 상온에서 측정할 경우에는 덮개구동부(22)를 제어하여 윈도우(18)를 덮고있는 덮개(20)를 오픈시키고, 윈도우(18)가 오픈된 상태에서는 레이저카메라(50)를 구동시켜 레이저카메라(50)로 웨이퍼(26)에 레이저를 조사한 후, 웨이퍼(26)의 표면으로부터 반사되는 레이저를 검출하여 메인컨트롤러(60)를 통해 인가토록 한 다음에 덮개구동부(22)를 제어하여 윈도우(18)를 덮개(20)로 차단 하고, 차단 후 에는 웨이퍼(26)의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 분석하여 고온의 열에 의해 웨이퍼(26)에 인가되는 스트레스의 정도를 산출토록 한다.
한편, 상기의 스트레스산출 공정에서 산출된 웨이퍼의 스트레스 정도를 표시부에 표시한 다음에 웨이퍼(26)를 측정할 다른 온도가 설정되었는가를 판단하여 다른 온도가 설정되었으면 다시 가열을 반복 실행하도록 하고, 다른 온도가 설정되어 있지 않으면 할로겐램프구동부(31)를 오프시켜 가열을 멈춘다.
상기 가열을 멈춘 다음에는 웨이퍼(26)의 스트레스를 설정된 모든 온도에서 측정한 후, 자동밸브제어기(36)를 제어하여 질소가스를 상부공간(12)에 공급하고, 가스배출펌프(58) 및 가스배출밸브(56)를 제어하여 상부공간(12)에 존재하는 유해한 가스를 제거한 다음에 온도감지센서(28)로부터 인가되는 상부공간(12)의 온도가 100℃~150℃ 정도 상온의 온도로 식혀진 상태에서 게이트도어(48)를 오픈시켜 웨이퍼(26)를 상부공간(12)으로부터 꺼내는 언로딩단계를 실행한다. After measuring the stress of the wafer 26 at all the set temperature after the step (S250), and controlling the automatic valve controller 36 to supply nitrogen gas to the upper space 12 (S260),
After supplying nitrogen gas to the upper space 12, controlling the gas discharge pump 58 and the gas discharge valve 56 to remove harmful gas present in the upper space (S270),
After the step S270, the gate door 48 is opened by opening the gate door 48 in a state where the temperature of the upper space 12 applied from the temperature sensor 28 is cooled to a temperature of about 100 ° C. to 150 ° C. at room temperature. Take out from the upper space 12 is made to the step (S280).
The above step-by-step relationship is described in more detail with reference to the device configuration according to the present invention.
First, the upper space 12 of the chamber 10 is set to atmospheric pressure through the main controller 60, and the stress of the wafer is measured at room temperature in an initial state in which the exhaust valve 62 and the gate door 48 are closed. Determine whether or not to measure the stress of the wafer at high temperature.
If it is set to the measurement at high temperature in the above, after setting at least one desired measurement temperature, the halogen lamp driving unit 31 is controlled to generate high temperature heat in the halogen lamp 30, and the temperature is about 100 ° C. to 150 ° C. in advance. Preheat the upper space to a temperature of.
Meanwhile, the wafer 26 is placed on the support plate 24 of the upper space 12 through the gate door 48 in the state of measuring at room temperature or preheating during preheating, and then placing the gate door 48. Execute the wafer loading to close.
After the wafer loading, the exhaust pump 64 and the exhaust valve 62 are controlled to discharge the air present in the upper space 12 to the outside to convert the upper space 12 into a vacuum state, and then the vacuum gauge. When the vacuum state of the upper space 12 is detected through the 52, the water pump driving unit 49 is controlled to drive the water pump 47 to circulate water in the water jacket 40.
In addition, the halogen lamp driving unit 31 is operated to generate high temperature heat in the halogen lamp 30 while the temperature applied from the plurality of temperature sensor 28 installed on the upper surface of the wafer 26 is the lowest. If it corresponds to the set temperature, or when measured at room temperature in the measurement method or the measurement method, by controlling the cover driver 22 to open the cover 20 covering the window 18, In the state where the window 18 is opened, the laser camera 50 is driven to irradiate the laser to the wafer 26 with the laser camera 50, and then the laser reflected from the surface of the wafer 26 is detected to detect the main controller 60. The cover driving part 22 is controlled to block the window 18 by the cover 20, and after the blocking, the laser value reflected from the surface of the wafer 26 is analyzed to detect high temperature heat. The ever calculated by the degree of stress applied to the wafer 26.
On the other hand, after displaying the stress level of the wafer calculated in the above stress calculation process on the display unit, it is determined whether another temperature to measure the wafer 26 is set, and if another temperature is set, the heating is repeated again, and the other If the temperature is not set, the halogen lamp driver 31 is turned off to stop heating.
After the heating is stopped, the stress of the wafer 26 is measured at all set temperatures, and then, the automatic valve controller 36 is controlled to supply nitrogen gas to the upper space 12, and the gas discharge pump 58 and the gas. By controlling the discharge valve 56 to remove harmful gas present in the upper space 12, the temperature of the upper space 12 applied from the temperature sensor 28 is cooled to a temperature of about 100 ℃ ~ 150 ℃ In the closed state, the gate door 48 is opened to unload the wafer 26 from the upper space 12.

이상과 같은 본 발명은 반도체용 웨이퍼를 챔버에 위치시킨 후, 웨이퍼 제조공정에서 이용되는 고온의 온도를 챔버에 인가하고, 상기 챔버에 놓여진 웨이퍼에 설정된 고온의 온도가 인가되는 상태에서 레이저카메라를 이용하여 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사함으로써 고온의 열이 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스를 검출하게 됨은 물론 상기 레이저카메라에 의해 검출되는 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 분석함으로써 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스의 정도를 정확하게 산출하여 상기 산출된 웨이퍼의 스트레스 산출값을 웨이퍼 제조공정에 적용함으로써 웨이퍼의 불량률을 크게 감소시킬 수 있다. In the present invention as described above, after placing the semiconductor wafer in the chamber, a high temperature used in the wafer manufacturing process is applied to the chamber, and a laser camera is used in a state where a high temperature set to the wafer placed in the chamber is applied. The laser is irradiated to the surface of the wafer to detect the stress applied to the surface of the wafer, as well as the stress applied to the surface of the wafer by analyzing the laser value reflected from the surface of the wafer detected by the laser camera. By accurately calculating the degree of and applying the calculated stress calculation value of the wafer to the wafer manufacturing process, the defect rate of the wafer can be greatly reduced.

Claims (6)

유리판재(16)에 의해 상부공간(12)과 하부공간(14)으로 나뉘어지는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 상부면에 형성된 윈도우(18)를 통해 상부공간(12)에 놓여진 웨이퍼(26)의 표면에 레이저를 조사한 후 반사되는 레이저를 검출하는 레이저카메라(50)와, 상기 챔버(10)의 상부공간(12)에 놓여진 웨이퍼(26)에 유리판재(16)를 통해 고온의 열을 인가하기 위하여 하부공간(14)에 설치되는 할로겐램프(30)와, 상기 챔버(10)의 상부공간(12)에 질소가스를 주입하는 질소가스공급부(38)와, 상기 상부공간(12)에 존재하는 불필요한 가스를 배출하는 가스배출포트(54)와, 상기 상부공간(12)을 진공상태로 만들기 위해 공기를 외부로 배출시키는 진공포트(66)와, 상기 상부공간(12)의 진공상태를 나타내는 진공게이지(52)와, 상기 상부공간(12)에 놓여진 웨이퍼(26)의 상부면에 설치되어 웨이퍼(26)에 인가되는 온도를 감지하는 온도감지센서(28)와, 그리고 상기 레이저카메라, 할로겐램프, 온도감지센서, 질소가스공급부, 진공포트 및 가스배출포트에 접속되면서 레이저카메라, 할로겐램프, 온도감지센서, 질소가스공급부, 진공포트 및 가스배출포트의 동작을 제어하여 지지플레이트(24)에 놓여진 웨이퍼(26)의 스트레스를 고온에서 자동으로 측정하는 메인컨트롤러(60)로 이루어짐을 특징으로 하는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치The chamber 10 is divided into the upper space 12 and the lower space 14 by the glass plate 16, and placed in the upper space 12 through the window 18 formed on the upper surface of the chamber 10. The laser camera 50 detects the reflected laser after irradiating the laser onto the surface of the wafer 26 and the wafer 26 placed in the upper space 12 of the chamber 10 through the glass plate 16. Halogen lamp 30 installed in the lower space 14 to apply the heat of the nitrogen gas supply unit 38 for injecting nitrogen gas into the upper space 12 of the chamber 10, and the upper space ( 12, a gas discharge port 54 for discharging unnecessary gas present in the gas, a vacuum port 66 for discharging air to the outside to make the upper space 12 into a vacuum state, and the upper space 12 A vacuum gauge 52 showing a vacuum state and an upper surface of the wafer 26 placed in the upper space 12, Temperature sensor 28 for sensing the temperature applied to the 26 and the laser camera, halogen lamp, temperature sensor, nitrogen gas supply, vacuum port and gas discharge port while being connected to the laser camera, halogen lamp, temperature High speed, characterized in that the main controller 60 for controlling the operation of the sensor, the nitrogen gas supply unit, the vacuum port and the gas discharge port to automatically measure the stress of the wafer 26 placed on the support plate 24 at a high temperature Wafer stress measuring device in high temperature processing 제 1 항에 있어서, 상기 상기 챔버(10)의 상부공간(12) 하부공간(14)을 형성하는 벽체에는 각각 물이 채워지는 물재킷(40)이 형성되고, 상기 물재킷(40)에는 물공급파이프(42) 및 물배출파이프(44)가 각각 설치되며, 상기 메인컨트롤러(60)는 물펌프(47)를 제어하여 할로겐램프(30)가 열을 발생하는 동안 물재킷(40)에는 물펌프(47)에 의해 물탱크(46)로부터 공급되는 물이 물공급파이프(42)를 통해 공급된 후 물배출파이프(44)를 통해 배출되어 순환되도록 하는 것을 특징으로 하는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치. The water jacket 40 of claim 1, wherein the wall forming the upper space 12 and the lower space 14 of the chamber 10 is filled with water, and the water jacket 40 has water. A supply pipe 42 and a water discharge pipe 44 are respectively installed, and the main controller 60 controls the water pump 47 so that the water jacket 40 generates water while the halogen lamp 30 generates heat. The water supplied from the water tank 46 by the pump 47 is supplied through the water supply pipe 42 and then discharged through the water discharge pipe 44 so that the wafer is circulated at a high speed high temperature process. Stress measuring device. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버(10)의 상부공간(12)을 구성하는 벽체의 상부면에 형성되는 윈도우(18)에는 덮개(20)가 설치되고, 상기 메인컨트롤러(60)는 할로겐램프(30)가 고온의 열을 발생하는 동안에 덮개(20)가 윈도우(18)를 닫은 상태를 유지하는 상태에서 레이저카메라(50)가 레이저를 웨이퍼(26)에 조사하기 전에 덮개구동부(22)를 제어하여 덮개(20)를 오픈시키고, 상기 레이저카메라(50)가 레이저를 검출하는 동작을 완료하면 덮개구동부(22)를 제어하여 덮개(20)가 윈도우(18)를 덮도록 하는 것을 특징으로 하는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치. The method of claim 1, wherein a cover 20 is installed in the window 18 formed on the upper surface of the wall constituting the upper space 12 of the chamber 10, the main controller 60 is a halogen lamp ( While the cover 20 keeps the window 18 closed while the 30 generates high heat, the cover driver 22 controls the cover driver 22 before the laser camera 50 irradiates the wafer 26 with the laser. When the cover 20 is opened and the laser camera 50 completes the operation of detecting the laser, the cover driver 22 is controlled to cover the window 18 by the high speed. Treatment of wafer stress in high temperature processes. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버(10)의 상부공간(12)에는 질소가 저장된 질소가스공급부(38)가 접속되고, 상기 메인컨트롤러(60)는 웨이퍼(26)의 표면에 발생되는 스트레스를 모두 산출하여 표시부에 표시한 후 상부공간(12)에 존재하는 해로운 가스를 정화하면서 동시에 상부공간(12)을 대기압의 상태로 만들기 위하여 자동밸브제어기(36)를 제어하여 자동밸브(34)를 개폐시킴으로써 질소가스공급부(38)로부터 질소가스가 상부공간(12)에 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치. The nitrogen gas supply unit 38, in which nitrogen is stored, is connected to the upper space 12 of the chamber 10, and the main controller 60 has all the stresses generated on the surface of the wafer 26. After calculating and displaying on the display unit, the automatic valve controller 36 is opened and closed by controlling the automatic valve controller 36 to purify harmful gas existing in the upper space 12 and bringing the upper space 12 to atmospheric pressure. Device for measuring the stress of the wafer in the high-temperature processing high-temperature process, characterized in that the nitrogen gas from the nitrogen gas supply unit 38 to be supplied to the upper space (12). 제 1 항에 있어서, 상기 상부공간(12)에는 가스배출포트(54)가 접속되고, 상기 가스배출포트(54)에는 상부공간(12)에 존재하는 해로운 가스를 배출시키기 위한 가스배출펌프(58) 및 가스배출밸브(56)가 구비되며, 상기 메인컨트롤러(60)는 질소가스공급부(38)로부터 공급된 질소가스에 의해 공급된 질소가스 및 상부공간(12)에 존재하는 해로운 가스를 상부공간(12)으로부터 배출시키는 것을 특징으로 하는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치. The gas discharge pump (58) of claim 1, wherein a gas discharge port (54) is connected to the upper space (12), and a gas discharge pump (58) for discharging harmful gas existing in the upper space (12) is connected to the gas discharge port (54). ) And a gas discharge valve 56, the main controller 60 receives the nitrogen gas supplied by the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply unit 38 and the harmful gas present in the upper space 12. An apparatus for measuring stress on a wafer in a high-speed processing high temperature process, wherein the wafer is discharged from (12). 삭제delete
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