KR100672256B1

KR100672256B1 - 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법

Info

Publication number: KR100672256B1
Application number: KR1020050119855A
Authority: KR
Inventors: 이창복; 손정웅
Original assignee: 주식회사 탑 엔지니어링
Priority date: 2005-12-08
Filing date: 2005-12-08
Publication date: 2007-01-24
Also published as: CN100538482C; US20070148560A1; US7834332B2; JP2007152346A; CN1979317A; TW200801787A; TWI314669B

Abstract

본 발명은 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법에 관한 것으로, 본 발명은 내부 공간이 외부와 연통된 챔버 케이스와, 상기 챔버 케이스에 구비되는 제1 고정 유닛과, 소정 형상의 패턴으로 돌출 형성된 돌출 전극이 구비되며 상기 고정 유닛에 고정되는 패턴 전극 플레이트와, 상기 패턴 전극 플레이트와 일정 간격을 이루도록 상기 챔버 케이스에 구비되며 잉크화된 금속성 나노 물질이 박막으로 도포된 기판을 고정하는 제2 고정 유닛과, 상기 제1 고정 유닛과 제2 고정 유닛이 전극을 이루도록 그 제1,2 고정 유닛에 전원을 공급하는 전원 공급유닛과, 상기 기판에 패터닝된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키는 건조 유닛을 포함하여 구성되며, 또한 그 구성을 통해 진행되는 성형 방법이 제공된다. 이로 인하여, 본 발명은 기판에 게이트 라인 등과 같은 금속 박막 라인을 성형하는 공정을 간단하게 할 뿐만 아니라 그 작업 시간을 단축시키고, 또한 제조 장비를 간단하게 함으로써 제품의 생산성을 높이고 설비 투자를 절감시킬 수 있도록 한 것이다.

Description

박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법{PATTERN FORMING DEVICE AND METHOD THEREOF}

도 1은 일반적인 스퍼터링 장치의 일예를 도시한 정단면도,

도 2는 종래 기판에 금속 박막 패턴을 형성하는 과정을 도시한 순서도,

도 3은 본 발명의 박막 패턴 성형 장치의 일 실시예를 도시한 정단면도,

도 4는 본 발명의 박막 패턴 성형 장치를 구성하는 패턴 전극 플레이트의 변형예를 도시한 정면도,

도 5,6은 상기 박막 패턴 성형 장치를 구성하는 제2 고정 유닛의 변형예를 각각 도시한 정면도,

도 7은 본 발명의 박막 패턴 성형 방법의 일 실시예를 도시한 순서도,

도 8은 본 발명의 박판 패턴 성형 장치의 작동 상태를 도시한 정면도.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **

100; 챔버 케이스 200; 제1 고정 유닛

300; 패턴 전극 플레이트 310,420; 돌출 전극

400; 제2 고정 유닛 500; 전원 공급유닛

600; 건조 유닛 S; 기판

본 발명은 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법에 관한 것으로, 특히, 기판에 게이트 라인 등과 같은 금속 박막 라인을 성형하는 공정을 간단하게 할 뿐만 아니라 그 작업 시간을 단축시키고, 또한 제조 장비를 간단하게 할 수 있도록 한 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법에 관한 것이다.

일반적으로 엘시디는 판형 글라스에 트랜지스터와 같은 구동 소자들 등이 구비된 하부 기판과, 판형 글라스에 컬러 필터층 등이 구비된 상부 기판과, 그 하부 기판과 상부 기판을 접합시키는 실링재와, 그 하부 기판과 상부 기판사이에 충진된 액정층을 포함하여 구성된다.

이와 같은 엘시디는 하부 기판에 형성된 구동 소자들에 의해 액정층의 액정 분자들을 구동하게 되며 그 액정 분자들의 구동에 의해 그 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.

상기 하부 기판 및 상부 기판을 제작시 반도체 제조 공정에 의해 기판(글라스)에 구동 소자들 또는 컬러 필터층을 형성하게 된다. 상기 반도체 제조 공정 중 기판에 게이트 라인(gate line) 등의 금속 박막 라인을 성형하는 일반적인 공정은 다음과 같다.

먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 스퍼터링 장치에 의해 기판의 표면에 금속 박막이 형성된다. 상기 스퍼터링 장치는 진공 챔버 케이스(10)의 내부 일측에 구비되어 기판(S)이 고정되는 기판 홀더(20)와, 상기 기판 홀더(20)와 일정 간격을 두 고 구비되어 금속 박막 재료인 스퍼터링 타겟(sputtering target)(T)을 고정하는 타겟 홀더(30)와, 상기 진공 챔버 케이스(10)의 일측에 구비되어 상기 기판 홀더(20)와 타겟 홀더(30)에 전압을 인가하는 전원(40)을 포함하여 구성된다.

상기 진공 챔버 케이스(10)의 일측에 배기 펌프(50)가 설치되고, 그 진공 챔버 케이스(10)에 스퍼터링 가스가 공급되는 가스 공급관(60)이 연결된다.

이와 같은 스퍼터링 장치에서 기판(S)에 금속 박막이 형성되는 과정은 다음과 같다.

먼저, 상기 기판 홀더(20)에 기판(S)이 고정되고, 상기 타겟 홀더(30)에 스퍼터링 타겟(T)이 고정된 상태에서 그 진공 챔버 케이스(10) 내부의 공기를 배기하여 진공 상태로 만든 후 그 진공 챔버 케이스(10)내에 스퍼터링 가스를 유입시킨다. 그리고 전원(40)을 통해 고주파 전압을 인가시키게 되면 그 진공 챔버 케이스(10)내부에 플라즈마가 발생된다. 그 진공 챔버 케이스(10) 내부에 형성된 플라즈마에 의해 스퍼터링 타겟(T)에서 파티클(particle)이 형성되며 그 파티클이 기판(S)에 증착되면서 그 기판(S)에 금속 박막이 형성된다. 여기서, 전원(40)에 고주파 전압을 인가시 상기 기판 홀더(20)는 아노드(anode)를 이루고 상기 타겟 홀더(30)는 캐소드(cathode)를 이루게 된다.

상기 스퍼터링 장치에 의해 스퍼터링 공정이 끝난 후 기판(S)상에 형성된 금속 박막에 포토 레지스트 막(photo register layer) 을 도포한 다음, 사진묘화공정및 현상공정(lithography and developing process)을 통해 게이트 라인과 같은 패턴을 제외한 상기 금속 박막의 식각될 부분이 드러나도록 상기 포토 레지스트 막을 패터닝한다. 이 후, 상기 금속 박막의 드러난 부분을 건식 혹은 습식 식각공정을 통해 제거한 다음, 남아있는 포토 레지스트 막을 제거함으로써 게이트 라인과 같은 금속 박막 라인이 형성된다.

위와 같은 공정순서는, 도 2에 도시한 바와 같으며, 각 공정들은 그 공정이 진행되는 장비들에 의해 각각 진행된다.

그러나 상기한 바와 같이 기판에 게이트 라인 등의 금속 박막 라인을 성형하는 공정은 기판에 금속 박막 라인을 성형하기 위하여 스퍼터링 공정, 포토 레지스터막 도포 공정, 노광 및 현상 공정, 식각 공정 등을 포함하여 진행하게 되므로 공정들이 매우 복잡하게 되고 또한 그 기판에 금속 박막 라인을 성형하는 시간이 매우 많이 소요되는 문제점이 있다. 뿐만 아니라 각 공정을 진행하기 위한 장비들이 구비되어야 하므로 설비 투자가 많게 된다.

또한, 스퍼터링 장치에서 스퍼터링 공정이 진행되는 과정에서 그 진공 챔버에서 플라즈마를 형성하는 조건이 매우 복잡하다. 즉, 상기 진공 챔버를 진공 상태로 유지하고 그 진공 상태의 진공 챔버에 스퍼터링 가스를 유입시킨 후 고주파 전압을 인가하여 플라즈마를 형성하게 되므로 그 스퍼터링 장치의 구성 및 제어가 매우 어려운 문제점이 있다.

상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 고안한 본 발명의 목적은 기판에 게이트 라인 등과 같은 금속 박막 라인을 성형하는 공정을 간단하게 할 뿐만 아니라 그 작업 시간을 단축시키고, 또한 제조 장비를 간단하게 할 수 있도록 한 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법을 제공함에 있다.

상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 내부 공간이 외부와 연통된 챔버 케이스와, 상기 챔버 케이스에 구비되는 제1 고정 유닛과, 소정 형상의 패턴으로 돌출 형성된 돌출 전극이 구비되며 상기 고정 유닛에 고정되는 패턴 전극 플레이트와, 상기 패턴 전극 플레이트와 일정 간격을 이루도록 상기 챔버 케이스에 구비되며 잉크화된 금속성 나노 물질이 박막으로 도포된 기판이 고정되는 제2 고정 유닛과, 상기 제1 고정 유닛과 제2 고정 유닛이 전극을 이루도록 그 제1,2 고정 유닛에 전원을 공급하는 전원 공급유닛과, 상기 기판에 패터닝된 금속 박막 라인을 건조시키는 건조 유닛을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 장치가 제공된다.

또한, 기판에 잉크화된 금속성 나노 물질을 도포하는 단계와, 상기 나노 물질이 도포된 기판에 설정된 패턴 형태의 플럭스를 인가하는 단계와, 상기 플럭스에 의해 설정된 패턴 형태로 패터닝된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키는 단계를 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 방법이 제공된다.

이하, 본 발명의 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법을 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명의 박막 패턴 성형 장치의 일실시예를 도시한 사시도이다.

이에 도시한 바와 같이, 상기 박막 패턴 성형 장치는 소정의 내부 공간을 갖도록 형성된 챔버 케이스(100)와, 상기 챔버 케이스(100) 내부에 구비된 제1 고정 유닛(200)과, 소정 형상의 패턴으로 돌출 형성된 돌출 전극(310)이 구비되며 상기 제1 고정 유닛(200)에 고정되는 패턴 전극 플레이트(300)와, 상기 패턴 전극 플레이트(300)와 일정 간격을 이루도록 상기 챔버 케이스(100) 내부에 구비되는 제2 고정 유닛(400)과, 상기 제1 고정 유닛(200)과 제2 고정 유닛(400)이 전극을 이루도록 그 제1,2 고정 유닛(200)(400)에 전원을 공급하는 전원 공급유닛(500)과, 상기 챔버 케이스(100)내에 구비되는 건조 유닛(600)을 포함하여 구성된다.

상기 챔버 케이스(100)의 내부는 대기압 상태가 되도록 외부와 연통되게 형성된다.

상기 챔버 케이스(100)에 상기 제1 고정 유닛(200)을 직선 왕복 운동시키는 구동 유닛(700)이 장착된다. 상기 구동 유닛(700)은 상기 제1 고정 유닛(200)과 연결되어 그 제1 고정 유닛(200)을 직선 왕복 운동시키게 된다.

상기 패턴 전극 플레이트(300)는 일정 면적과 두께를 갖는 베이스부(320)의 일면에 설정된 소정 형상의 패턴으로 연장 돌출된 돌출 전극(310)이 형성되어 이루어진다. 상기 돌출 전극(310)은 게이트 라인 등과 같이 기판(S)에 형성될 패턴이 형성된다.

한편, 상기 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310)에 전극의 형성을 강화시키기 위하여, 도 4에 도시한 바와 같이, 그 돌출 전극(310)에 별도의 전원 공급라인(330)이 형성될 수 있다. 상기 전원 공급라인(330)은 상기 제1 고정 유닛(200)에 전원을 공급하는 전원 공급부에 연결되거나 별도의 전원 공급부에 연결될 수 있다. 상기 전원 공급라인은 상기 패턴 전극 플레이트보다 전기 전도성이 우수 한 재질로 형성될 수 있다.

상기 제1 고정 유닛(200)에 패턴 전극 플레이트(300)가 고정되는 구조는 다양하게 구현될 수 있으며, 그 중 하나로 제1 고정 유닛(200)에 에어 흡착 구조를 구비하여 그 에어 흡착 구조에 의해 상기 패턴 전극 플레이트(300)를 고정시킬 수 있다.

상기 제2 고정 유닛(400)은 소정의 면적을 갖도록 형성되며 그 상면에 기판(S)이 놓여지는 지지 평면(410)이 구비되고, 그 지지 평면(410)에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 도포된 기판(S)이 고정된다. 상기 기판(S)은 일정 두께와 면적을 갖도록 형성되며, 그 기판의 일예로 글라스 등이 될 수 있다. 상기 잉크화된 금속성 나노 물질(m)은 용액에 분말 형태의 금속성 나노 물질(m)을 섞은 것이다.

상기 제2 고정 유닛(400)에 기판(S)이 고정되는 구조는 다양하게 구현될 수 있으며, 그 중 하나로 제2 고정 유닛(400)에 에어 흡착 구조를 구비하여 그 에어 흡착 구조에 의해 상기 기판(S)을 고정시킬 수 있다.

상기 제2 고정 유닛(400)의 변형예로, 도 5에 도시한 바와 같이, 그 제2 고정 유닛(400)의 지지 평면(410)이 상기 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310) 형상과 상응하게 돌출 전극(420)이 형성된다.

상기 제2 고정 유닛(400)의 돌출 전극(420)에 전극의 형성을 강화시키기 위하여, 도 6에 도시한 바와 같이, 그 돌출 전극(420)에 별도의 전원 공급라인(430)이 형성될 수 있다. 상기 전원 공급라인은 상기 제2 고정 유닛(400)에 전원을 공급하는 전원 공급부에 연결되거나 별도의 전원 공급부에 연결될 수 있다.

상기 건조 유닛(600)은 상기 기판(S)위에 도포된 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 설정된 형상으로 패턴이 형성된 후 그 기판(S)위에 패터닝된 잉크화된 금속성 나노 물질(m)을 건조시킨다. 상기 건조 유닛(600)은 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 그 건조 유닛(600)의 일예로 자외선을 방출시키는 자외선 램프임이 바람직하다.

상기 건조 유닛(600)은 상기 제2 고정 유닛(400)의 상측에 위치하도록 상기 챔버 케이스(100)의 내부에 설치되며, 그 건조 유닛(600)은 복수 개 구비됨이 바람직하다.

도 7은 본 발명의 박판 패턴 성형 방법의 일 실시예를 도시한 순서도이다.

이에 도시한 바와 같이, 상기 박막 패턴 성형 방법은 기판에 잉크화된 금속성 나노 물질을 도포하는 단계와, 상기 나노 물질이 도포된 기판에 설정된 패턴 형태의 플럭스를 인가하는 단계와, 상기 플럭스에 의해 설정된 패턴 형태로 패턴이 형성된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키는 단계를 포함하여 진행된다. 위의 각 단계는 대기압 상태에서 진행된다.

상기 기판의 일예로, 그 기판은 일정 두께와 면적을 갖는 글라스이다.

상기 잉크화된 금속성 나노 물질은 용액에 나노 크기의 금속성 분말을 섞은 것이다.

상기 기판에 플럭스를 형성하는 방법은, 도 7에 도시한 바와 같이, 설정된 패턴이 형성된 아노드(anode)와 그 아노드의 크기와 상응하는 크기를 갖는 캐소드(cathode)사이에 상기 기판(S)을 위치시키고 그 아노드와 캐소드에 전원을 인가하 여 플럭스를 형성하게 된다. 상기 아노드에 형성된 패턴은 게이드 라인 등 다양한 형태가 될 수 있다.

상기 기판위에 설정된 패턴 형태로 형성된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키는 단계는 다양한 방법으로 진행될 수 있다. 그 일예로 상기 기판위에 자외선을 조사하여 그 기판위에 설정된 패턴 형태로 형성된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키게 된다.

이하, 본 발명의 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.

먼저, 설정된 패턴 형태로 돌출 전극(310)이 형성된 패턴 전극 플레이트(300)를 제1 고정 유닛(200)에 고정시키고, 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 도포된 기판(S)을 상기 제2 고정 유닛(400)의 지지 평면(410)에 고정시킨다. 그리고 상기 구동 유닛(700)을 구동시켜 제1 고정 유닛(200)의 위치를 이동시켜 그 제1 고정 유닛(200)에 고정된 패턴 전극 플레이트(300)와 제2 고정 유닛(400)에 고정된 기판(S)사이의 간격을 설정된 간격이 되도록 조절하게 된다.

상기 패턴 전극 플레이트(300)와 기판(S)이 설정된 간격으로 고정된 후 상기 제1 고정 유닛(200)과 제2 고정 유닛(400)에 전압을 인가하게 된다. 이때 상기 패턴 전극 플레이트(300)에 아노드(양극)가 형성되고 제2 고정 유닛(400)에 캐소드(음극)이 형성되도록 전압을 인가하게 된다.

상기 제1 고정 유닛(200)과 제2 고정 유닛(400)에 전압이 인가됨에 따라 그 패턴 전극 플레이트(300)와 제2 고정 유닛(400)사이에 플럭스가 형성된다. 그 플럭 스는 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310) 부분에 집중되도록 형성되며 그 플럭스에 의해 기판(S)에 도포된 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 그 플럭스를 따라 집중되면서 그 기판(S)위에 도포된 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310) 형태로 그 기판(S)위에 패터닝된다.

한편, 제2 고정 유닛(400)의 상면에 상기 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310)과 같은 형상으로 돌출 전극(420)이 형성된 경우 그 패턴 전극 플레이트의 돌출 전극(310)과 제2 고정 유닛의 돌출 전극(420)사이에 형성되는 플럭스의 집중도, 즉 세기가 더 커지게 되며 이에 따라 기판(S)위에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)의 패턴 형성이 보다 효과적으로 이루어지게 된다.

또한 상기 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310)에 배선(330)이 형성된 경우 그 돌출 전극(310)에 형성되는 플럭스의 집중도가 더 커지게 되며 이에 따라 기판(S)위에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)의 패턴 형성이 보다 효과적으로 이루어지게 된다.

상기 기판(S)위에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 설정된 형태로 패턴이 완료된 후 상기 제1 고정 유닛(200)과 제2 고정 유닛(400)에 공급된 전압을 차단시키게 된다. 그리고 상기 구동 유닛(700)을 구동시켜 제1 고정 유닛(200)과 제2 고정 유닛(400)이 일정 간격을 유지하도록 제1 고정 유닛(200)을 이동시키게 된다. 그리고 상기 건조 유닛(600)을 작동시켜 기판(S)위에 패턴닝된 잉크화된 금속성 나노 물질(m)을 건조시키게 된다. 이로 인하여, 상기 기판(S)위에 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310) 형상과 상응하는 형상의 패턴을 갖는 금속 박막 패턴이 형 성된다. 즉, 상기 패턴 전극 플레이트(300)의 돌출 전극(310)의 패턴에 따라 기판(S)에 금속 박막 패턴이 형성된다.

한편, 상기 기판(S)위에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 설정된 패턴으로 패턴이 완료된 후 상기 제1 고정 유닛(200)과 제2 고정 유닛(400)에 전압이 공급된 상태에서 상기 건조 유닛(600)을 작동시켜 그 기판(S)위에 패턴닝된 잉크화된 금속성 나노 물질(m)을 건조시킬 수 있다.

본 발명의 박막 패턴 성형 방법은 기판(S)위에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 도포되고 그 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 도포된 기판(S)에 설정된 패턴 형상의 플럭스를 형성시키고 그 기판(S)위에 도포된 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 플럭스를 따라 기판(S)위에 패턴을 형성하게 되며 그 기판(S)위에 형성된 패턴을 건조시키게 된다.

상기 기판(S)위에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 도포된 후 그 이후의 과정은 본 발명의 박막 패턴 성형 장치에서 진행된다.

이와 같이 본 발명은 기판(S)에 잉크화된 금속성 나노 물질(m)을 도포한 후 그 기판(S)에 플럭스를 인가시켜 패턴을 형성시키고 이어 그 패턴을 건조시켜 기판(S)에 패턴이 형성되는 것을 완료하게 되므로 동일한 패턴을 다량으로 형성할 때 종래에 비하여 공정이 매우 단순하고 간단하게 되며, 또한 작업 시간이 매우 단축된다.

또한 본 발명은 잉크화된 금속성 나노 물질(m)이 도포된 기판(S)을 하나의 장비에 의해 그 기판(S)에 금속 박막 패턴을 형성하게 되므로 종래와 같이 많은 장 비의 사용이 배제된다.

또한 본 발명은 대기압 상태에서 기판(S)에 금속 박막 패턴을 형성하게 되므로 작업 조건이 매우 간단하다. 종래의 경우 스퍼터링 공정시 그 스퍼터링 장치의 내부가 플라즈마 상태로 유지되면서 공정이 진행되므로 공정 조건이 매우 복잡하게 되었으나, 본 발명은 별도의 조건이 요구되지 않으므로 공정 조건이 매우 간단하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 박막 패턴 성형 장치 및 그 성형 방법은 기판에 금속 박막 패턴을 형성하는 공정이 단순하고 간단하게 됨으로써 기판에 금속 박막 패턴을 형성하는 작업 시간이 대폭 단축되어 생산성을 높일 수 있고, 또한 기판에 금속 박막 패턴을 형성하는 장비가 간단하게 됨으로써 설비 투자비를 절감시키게 되어 제품의 제조 단가를 줄이게 되므로 제품의 경쟁력을 높일 수 있는 효과가 있다.

Claims

내부 공간이 외부와 연통된 챔버 케이스와;

상기 챔버 케이스에 구비되는 제1 고정 유닛과;

소정 형상의 패턴으로 돌출 형성된 돌출 전극이 구비되며 상기 고정 유닛에 고정되는 패턴 전극 플레이트와;

상기 패턴 전극 플레이트와 일정 간격을 이루도록 상기 챔버 케이스에 구비되며 잉크화된 금속성 나노 물질이 도포된 기판이 고정되는 제2 고정 유닛과;

상기 제1 고정 유닛과 제2 고정 유닛이 전극을 이루도록 그 제1,2 고정 유닛에 전원을 공급하는 전원 공급유닛과;

상기 기판에 패터닝된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키는 건조 유닛을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 패턴 전극 플레이트의 돌출 전극에 전원 공급라인이 구비된 것을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제2 고정 유닛에 상기 패턴 전극 플레이트와 상응하는 형태의 패턴으로 돌출 형성된 돌출 전극이 구비된 것을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 장치.
제 3 항에 있어서, 상기 제2 고정 유닛의 돌출 전극에 전원 공급라인이 구비된 것을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 건조 유닛은 자외선을 발사시켜 기판에 패터닝된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 장치.
기판에 잉크화된 금속성 나노 물질을 도포하는 단계와;

상기 나노 물질이 도포된 기판에 설정된 패턴 형태의 플럭스를 인가하는 단계와;

상기 플럭스에 의해 설정된 패턴 형태로 패턴이 형성된 잉크화된 금속성 나노 물질을 건조시키는 단계를 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 방법.
제 6 항에 있어서, 각 단계는 대기압 상태에서 진행됨을 특징으로 하는 박막 패턴 성형 방법.