KR100660856B1 - Apparatus for monitoring plural voltages - Google Patents

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    • G01R19/16576Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 comparing DC or AC voltage with one threshold

Abstract

복수 전압 모니터링 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 복수 전압 모니터링 장치는 각각 개별적인 전압을 갖는 복수 노드들, 복수 노드들 각각과 모니터링 노드 사이에 연결되는 복수 저항들, 모니터링 노드와 접지 사이에 연결되는 공통 저항 및 모니터링 노드의 전압을 소정의 임계 전압과 비교함으로써 복수 노드들의 전압 변화를 감지하는 전압 모니터링 회로를 포함한다. 본 발명에 의하면, 하나의 전압 모니터링 회로를 이용하여 복수 노드의 전압들을 모니터링할 수 있다. A multiple voltage monitoring device is disclosed. The plurality of voltage monitoring apparatuses according to the present invention determine a plurality of nodes each having a separate voltage, a plurality of resistors connected between each of the plurality of nodes and the monitoring node, a common resistor connected between the monitoring node and the ground, and a voltage of the monitoring node. And a voltage monitoring circuit for detecting a voltage change of the plurality of nodes by comparing with a threshold voltage of. According to the present invention, one voltage monitoring circuit may be used to monitor voltages of a plurality of nodes.

Description

복수 전압 모니터링 장치{Apparatus for monitoring plural voltages}Apparatus for monitoring plural voltages

도1a는 종래의 전압 모니터링 장치의 개략도이다. 1A is a schematic diagram of a conventional voltage monitoring apparatus.

도1b는 도1a의 제1 상세도이다. FIG. 1B is a first detail view of FIG. 1A.

도1c는 도1a의 제2 상세도이다. FIG. 1C is a second detail view of FIG. 1A.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 HDD에 관한 전기 회로의 개략도이다.2 is a schematic diagram of an electrical circuit relating to an HDD according to an embodiment of the present invention.

도3은 도2의 전기 회로에서 복수 전압 모니터링 장치의 회로도이다. 3 is a circuit diagram of a plurality of voltage monitoring apparatus in the electrical circuit of FIG.

본 발명은 전압 모니터링 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수 노드의 전압 변화를 모니터링하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a voltage monitoring apparatus, and more particularly, to an apparatus for monitoring a voltage change of a plurality of nodes.

일반적으로 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive: HDD)에서의 전압 모니터링은 콤보 IC(combo Integrated Circuit) 내부의 전압 모니터링 회로를 통하여 이루어진다. In general, voltage monitoring in a hard disk drive (HDD) is performed through a voltage monitoring circuit inside a combo integrated circuit (IC).

도1a는 종래의 전압 모니터링 장치의 개략도이다. 도1a를 참조하면, 노드(110)는 전압을 모니터링하고자 하는 노드이다. 현재, 노드(110)의 전압은 3.3V이다. 그러나, 노드(110)의 전압은 변할 수 있다. 이러한 전압 변화를 감지하기 위하 여 노드(110)가 HDD의 콤보 IC(170)에 연결된다. 1A is a schematic diagram of a conventional voltage monitoring apparatus. Referring to FIG. 1A, a node 110 is a node for which a voltage is to be monitored. Currently, the voltage at node 110 is 3.3V. However, the voltage at node 110 may vary. In order to detect such a voltage change, the node 110 is connected to the combo IC 170 of the HDD.

HDD의 콤보 IC(170) 내부에는 전압 모니터링 회로가 존재한다. 노드(110)의 전압 변화는 콤보 IC(170) 내부의 전압 모니터링 회로를 통하여 감지된다. There is a voltage monitoring circuit inside the combo IC 170 of the HDD. The voltage change of the node 110 is sensed through a voltage monitoring circuit inside the combo IC 170.

도1b는 도1a의 제1 상세도이다. 도1b를 참조하면, 전압 모니터링 회로(180)가 모니터링 노드(130)에 연결된다. FIG. 1B is a first detail view of FIG. 1A. Referring to FIG. 1B, a voltage monitoring circuit 180 is connected to the monitoring node 130.

노드(110)와 모니터링 노드(130) 사이에 Ra(120)가 연결되고 모니터링 노드(130)와 접지(150) 사이에 Rb(140)가 연결된다. 이에 따라, 노드(110)의 전압이 Ra(120) 및 Rb(140)에 분배된다. Ra 120 is connected between node 110 and monitoring node 130 and Rb 140 is connected between monitoring node 130 and ground 150. Accordingly, the voltage at node 110 is distributed to Ra 120 and Rb 140.

전압 모니터링 회로(180)에는 임계 전압 및 허용치가 설정되어 있다. 예를 들어, 임계 전압 2.2V 및 허용치 ±5%가 설정되어 있다. Ra(120) 및 Rb(140)의 값은 노드(110)의 전압이 3.3V일 때 모니터링 노드(130)의 전압이 전압 모니터링 회로(180)의 임계 전압 2.2V를 갖도록 설정된다. The threshold voltage and the allowable value are set in the voltage monitoring circuit 180. For example, a threshold voltage of 2.2 V and a tolerance of ± 5% are set. The values of Ra 120 and Rb 140 are set such that the voltage of the monitoring node 130 has a threshold voltage of 2.2V of the voltage monitoring circuit 180 when the voltage of the node 110 is 3.3V.

전압 모니터링 회로(180)는 모니터링 노드(130)의 전압을 임계 전압 2.2V와 비교한다. 전압 모니터링 회로(180)는 모니터링 노드(130)의 전압이 2.2V의 ±5% 이내인지 여부에 따라 모니터링 노드(130)의 전압 변화를 감지한다. The voltage monitoring circuit 180 compares the voltage of the monitoring node 130 with a threshold voltage of 2.2V. The voltage monitoring circuit 180 detects a voltage change of the monitoring node 130 according to whether the voltage of the monitoring node 130 is within ± 5% of 2.2V.

모니터링 노드(130)의 전압은 노드(110)의 전압이 변하면 그에 따라 함께 변하게 된다. 따라서, 전압 모니터링 회로(180)가 모니터링 노드(130)의 전압 변화를 감지하는 것에 의하여 노드(110)의 전압 변화가 감지된다. The voltage of the monitoring node 130 changes with the voltage of the node 110 accordingly. Accordingly, the voltage change of the node 110 is sensed by the voltage monitoring circuit 180 detecting the voltage change of the monitoring node 130.

도1c는 도1a의 제2 상세도이다. 도1c를 참조하면, 전압 모니터링 회로(180)가 모니터링 노드(130)에 연결된다. 그리고, 노드(110)와 모니터링 노드(130) 사이 에 Rc(160)가 연결된다. 이에 따라, 노드(110)의 전압이 Rc(160) 및 전압 모니터링 회로(180)에 분배된다. FIG. 1C is a second detail view of FIG. 1A. Referring to FIG. 1C, a voltage monitoring circuit 180 is connected to the monitoring node 130. In addition, an Rc 160 is connected between the node 110 and the monitoring node 130. Accordingly, the voltage at node 110 is distributed to Rc 160 and voltage monitoring circuit 180.

Rc(120)의 값은 노드(110)의 전압이 3.3V일 때 모니터링 노드(130)의 전압이 전압 모니터링 회로(180)의 임계 전압 2.2V를 갖도록 설정된다. 전압 모니터링 회로(180)가 모니터링 노드(130)의 전압 변화를 감지하는 것에 의하여 전압 노드(110)의 전압 변화가 감지되는 것은 도1b와 같다. The value of Rc 120 is set such that the voltage of the monitoring node 130 has a threshold voltage of 2.2V of the voltage monitoring circuit 180 when the voltage of the node 110 is 3.3V. As shown in FIG. 1B, the voltage change of the voltage node 110 is sensed by the voltage monitoring circuit 180 detecting the voltage change of the monitoring node 130.

종래의 전압 모니터링 장치는 하나의 전압 모니터링 회로가 단일 노드의 전압을 모니터링한다. HDD의 콤보 IC 내부에는 전압 모니터링 회로의 개수가 고정되어 있다. 따라서, 전압을 모니터링할 수 있는 노드의 갯수가 한정적이라는 문제점이 있다. In a conventional voltage monitoring apparatus, one voltage monitoring circuit monitors a voltage of a single node. The number of voltage monitoring circuits is fixed inside the combo IC of the HDD. Therefore, there is a problem in that the number of nodes capable of monitoring the voltage is limited.

그리고, 더 많은 노드의 전압들을 모니터링하기 위하여 콤보 IC 내부에 전압 모니터링 회로를 추가한다면 그만큼 비용이 높아진다는 문제점이 있다. In addition, if a voltage monitoring circuit is added inside the combo IC to monitor the voltages of more nodes, the cost increases.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 하나의 전압 모니터링 회로를 이용하여 복수 노드의 전압들을 모니터링하는 복수 전압 모니터링 장치를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide a multi-voltage monitoring device for monitoring the voltage of a plurality of nodes using a single voltage monitoring circuit.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 복수 전압 모니터링 장치는, 각각 개별적인 전압을 갖는 복수 노드들, 상기 복수 노드들 각각과 모니터링 노드 사이에 연결되는 복수 저항들, 상기 모니터링 노드와 접지 사이 에 연결되는 저항 및 상기 모니터링 노드의 전압을 소정의 임계 전압과 비교함으로써 상기 복수 노드의 전압 변화를 감지하는 모니터링 회로를 포함한다. According to one or more exemplary embodiments, a plurality of voltage monitoring devices may include a plurality of nodes each having a separate voltage, a plurality of resistors connected between each of the plurality of nodes and a monitoring node, and the monitoring node. And a monitoring circuit that senses a voltage change of the plurality of nodes by comparing a voltage connected between the resistor and a voltage of the monitoring node with a predetermined threshold voltage.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive: HDD)에 관한 전기 회로의 개략도이다. 도2를 참조하면, 회로(150)는 헤드(110)에 연결되는 전치-증폭 회로(152)를 포함할 수 있다. 전치-증폭 회로(152)는 판독/기록 채널 회로(162)에 연결된 판독 데이터 채널(154) 및 기록 데이터 채널(156)을 갖는다. 2 is a schematic diagram of an electrical circuit for a hard disk drive (HDD) according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the circuit 150 may include a pre-amplification circuit 152 connected to the head 110. Pre-amplification circuit 152 has a read data channel 154 and a write data channel 156 connected to read / write channel circuit 162.

전치-증폭 회로(152)는 또한 제어부(164)에 연결된 판독/기록 인에이블 게이트(160)를 갖는다. 데이터는 판독/기록 인에이블 게이트(160)를 인에이블함으로써 디스크(102)상에 기록되거나 디스크(102)로부터 판독될 수 있다. The pre-amplifier circuit 152 also has a read / write enable gate 160 connected to the controller 164. Data may be written to or read from disk 102 by enabling read / write enable gate 160.

판독/기록 채널 회로(162)는 각각 판독 및 기록 채널(166, 168)을 통하여, 그리고 각각 판독 및 기록 게이트(170, 172)를 통하여 제어부(164)에 연결된다. 판독 게이트(170)는 데이터가 디스크(102)로부터 판독되어야 할 때 인에이블된다. 기록 게이트(172)는 디스크(102)에 데이터를 기록할 때 인에이블되어야 한다. Read / write channel circuit 162 is coupled to control unit 164 through read and write channels 166 and 168, respectively, and through read and write gates 170 and 172, respectively. Read gate 170 is enabled when data is to be read from disk 102. The write gate 172 should be enabled when writing data to the disc 102.

제어부(164)는 소프트웨어 루틴에 따라서 동작하는 디지털 신호 프로세서가 될 수 있다. 여기서, 소프트웨어 루틴은 디스크(102)로부터 데이터를 기록하고 판독하는 루틴을 포함한다. The controller 164 may be a digital signal processor operating according to a software routine. Here, the software routine includes a routine for writing and reading data from the disk 102.

제어부(164)는 비-휘발성 메모리 디바이스(176)에 연결될 수 있다. 예를 들 면, 비-휘발성 메모리 디바이스(176)는 읽기용 기억 장치("ROM")일 수 있다. 비-휘발성 메모리 디바이스(176)는 제어부(164) 및 HDD(100)를 동작시키는 명령어들을 저장할 수 있다. 양자택일로, 제어부(164)는 HDD(100)를 동작시키는 펌웨어를 가질 수 있다. The controller 164 can be coupled to the non-volatile memory device 176. For example, non-volatile memory device 176 may be a read memory (“ROM”). The non-volatile memory device 176 can store instructions for operating the controller 164 and the HDD 100. Alternatively, the controller 164 may have firmware for operating the HDD 100.

판독/기록 채널 회로(162)와 제어부(164)는 또한 HDD(100)의 보이스 코일 모터와 스핀들 모터(104)를 제어하는 모터 제어 회로(174)에 연결될 수 있다. Read / write channel circuit 162 and controller 164 may also be connected to motor control circuit 174 that controls voice coil motor and spindle motor 104 of HDD 100.

모터 제어 회로(174)는 콤보 IC(combo Integrated Circuit)를 포함한다. 그리고, 콤보 IC는 복수 전압 모니터링 장치를 포함한다. 복수 전압 모니터링 장치는 하나의 모니터링 노드의 전압 변화를 감지함으로써 복수 노드의 전압들을 모니터링한다. The motor control circuit 174 includes a combo integrated circuit (IC). The combo IC includes a plurality of voltage monitoring devices. The multi-voltage monitoring apparatus monitors voltages of the multi-nodes by sensing a voltage change of one monitoring node.

모터 제어 회로(174)는 보이스 코일 모터와 스핀들 모터(104)를 제어한다. 모터 제어 회로(174)는 복수 전압 모니터링 장치에서 모니터링된 복수 노드의 전압 변화에 따라 보이스 코일 모터와 스핀들 모터(104)를 제어할 수 있다. The motor control circuit 174 controls the voice coil motor and the spindle motor 104. The motor control circuit 174 may control the voice coil motor and the spindle motor 104 according to the voltage change of the plurality of nodes monitored by the plurality of voltage monitoring devices.

예를 들어, 모터 제어 회로(174)는 복수 노드의 전압들이 개별적으로 소정의 전압을 가지면 A라는 동작이 수행되도록 제어하고, 복수 노드의 전압들 중에서 한 노드의 전압이라도 변하면 A라는 동작 대신 B라는 동작이 수행되도록 제어할 수 있다. For example, the motor control circuit 174 controls the operation of A to be performed when the voltages of the plurality of nodes individually have a predetermined voltage, and if the voltage of one node among the voltages of the plurality of nodes changes, the operation of B may be B. The operation may be controlled to be performed.

도3은 도2의 전기 회로에서 복수 전압 모니터링 장치의 회로도이다. 도3을 참조하면, 복수 전압 모니터링 장치는 각각 개별적인 전압을 갖는 복수 노드들(310-1 내지 310-5), 복수 노드들(310-1 내지 310-5) 각각과 모니터링 노드(330) 사이에 연결되는 복수 저항들(320-1 내지 320-5), 모니터링 노드(330)와 접지(350) 사이에 연결되는 저항(340) 및 전압 모니터링 회로(380)를 포함한다. 3 is a circuit diagram of a plurality of voltage monitoring apparatus in the electrical circuit of FIG. Referring to FIG. 3, a plurality of voltage monitoring apparatuses are provided between a plurality of nodes 310-1 to 310-5, each of the plurality of nodes 310-1 to 310-5, and a monitoring node 330 having respective voltages. The plurality of resistors 320-1 to 320-5 connected to each other include a resistor 340 and a voltage monitoring circuit 380 connected between the monitoring node 330 and the ground 350.

제1 노드(310-1)의 전압을 V1, 제2 노드(310-2)의 전압을 V2, 제3 노드(310-3)의 전압을 V3, 제4 노드(310-4)의 전압을 V4, 제5 노드의 전압을 V5라 한다. V1 내지 V5의 값은 가변적이다. The voltage of the first node 310-1 V1, the voltage of the second node 310-2 V2, the voltage of the third node 310-3 V3, and the voltage of the fourth node 310-4 The voltage at V4 and the fifth node is referred to as V5. The values of V1 through V5 are variable.

제1 저항(320-1)은 제1 노드(310-1)와 모니터링 노드(330) 사이에 연결된다. 제2 저항(320-2)은 제2 노드(310-2)와 모니터링 노드(330) 사이에 연결된다. 제3 저항(320-3)은 제3 노드(310-3)와 모니터링 노드(330) 사이에 연결된다. 제4 저항(320-4)은 제4 노드(310-4)와 모니터링 노드(330) 사이에 연결된다. 제5 저항(320-5)은 제5 노드(310-5)와 모니터링 노드(330) 사이에 연결된다. The first resistor 320-1 is connected between the first node 310-1 and the monitoring node 330. The second resistor 320-2 is connected between the second node 310-2 and the monitoring node 330. The third resistor 320-3 is connected between the third node 310-3 and the monitoring node 330. The fourth resistor 320-4 is connected between the fourth node 310-4 and the monitoring node 330. The fifth resistor 320-5 is connected between the fifth node 310-5 and the monitoring node 330.

제1 저항(320-1)은 R1[Ω]을 갖는다. 제2 저항(320-2)은 R2[Ω]을 갖는다. 제3 저항(320-3)은 R3[Ω]을 갖는다. 제4 저항(320-4)은 R4[Ω]을 갖는다. 제5 저항(320-5)은 R5[Ω]을 갖는다. The first resistor 320-1 has R 1 [Ω]. The second resistor 320-2 has R 2 [Ω]. The third resistor 320-3 has R 3 [Ω]. The fourth resistor 320-4 has R 4 [Ω]. The fifth resistor 320-5 has R 5 [Ω].

제6 저항(340)은 모니터링 노드(330)와 접지(350) 사이에 연결된다. 제6 저항(340)은 R6[ohm]을 갖는다. The sixth resistor 340 is connected between the monitoring node 330 and the ground 350. The sixth resistor 340 has R6 [ohm].

전압 모니터링 회로(380)는 모니터링 노드(330)에 연결된다. 전압 모니터링 회로(380)는 모니터링 노드(330)의 전압을 소정의 임계 전압과 비교함으로써 제1 노드 내지 제5 노드(310-1 내지 310-5)의 전압 변화를 감지한다. The voltage monitoring circuit 380 is connected to the monitoring node 330. The voltage monitoring circuit 380 senses a voltage change of the first to fifth nodes 310-1 to 310-5 by comparing the voltage of the monitoring node 330 with a predetermined threshold voltage.

전압 모니터링 회로(380)에는 소정의 임계 전압 및 허용치가 설정되어 있다. 예를 들어, 임계 전압 2.2V 및 허용치 ±5%가 설정되어 있다. In the voltage monitoring circuit 380, predetermined threshold voltages and allowable values are set. For example, a threshold voltage of 2.2 V and a tolerance of ± 5% are set.

모니터링 노드(330)의 전압을 Vm이라 하면, 전압 모니터링 회로(380)는 Vm을 임계 전압 2.2V와 비교한다. 전압 모니터링 회로(380)는 Vm이 2.2V의 ±5% 이내인지 여부에 따라 모니터링 노드(330)의 전압 변화를 감지한다. If the voltage at the monitoring node 330 is Vm, the voltage monitoring circuit 380 compares Vm with a threshold voltage of 2.2V. The voltage monitoring circuit 380 detects a voltage change of the monitoring node 330 according to whether Vm is within ± 5% of 2.2V.

제1 저항 내지 제6 저항(320-1 내지 320-5, 340)은 제1 노드 내지 제5 노드(310-1 내지 310-5)가 소정의 전압을 가질 때 Vm이 전압 모니터링 회로(380)의 임계 전압을 갖도록 조정된다. The first to sixth resistors 320-1 to 320-5 and 340 may have a voltage Vm of the voltage monitoring circuit 380 when the first to fifth nodes 310-1 to 310-5 have a predetermined voltage. Is adjusted to have a threshold voltage of.

예를 들어, 제1 저항 내지 제6 저항(320-1 내지 320-5, 340)은 V1 내지 V5가 각각 소정 전압 3.3[V], 3.5[V], 3.5[V], 3.3[V], 3.1[V]일 때, Vm이 2.2[V]가 되도록 조정된다. For example, the first to sixth resistors 320-1 to 320-5 and 340 have V1 to V5 at predetermined voltages of 3.3 [V], 3.5 [V], 3.5 [V], 3.3 [V], When 3.1 [V], Vm is adjusted to be 2.2 [V].

이하에서 제1 저항 내지 제6 저항(320-1 내지 320-5, 340)의 조정에 관하여 설명한다. Hereinafter, adjustment of the first to sixth resistors 320-1 to 320-5 and 340 will be described.

도3에서 각 저항에 흐르는 전류는 다음의 수학식1과 같다. In FIG. 3, a current flowing through each resistor is represented by Equation 1 below.

Figure 112005004706039-pat00001
Figure 112005004706039-pat00002
Figure 112005004706039-pat00003
, , ,
Figure 112005004706039-pat00001
Figure 112005004706039-pat00002
Figure 112005004706039-pat00003
,,,

Figure 112005004706039-pat00004
,
Figure 112005004706039-pat00005
,
Figure 112005004706039-pat00006
.
Figure 112005004706039-pat00004
,
Figure 112005004706039-pat00005
,
Figure 112005004706039-pat00006
.

i1 내지 i6 사이의 관계는 다음의 수학식2와 같다. The relationship between i1 and i6 is shown in Equation 2 below.

Figure 112005004706039-pat00007
.
Figure 112005004706039-pat00007
.

수학식2에 수학식1을 대입하면 다음의 수학식3과 같다. Substituting Equation 1 into Equation 2 is the same as Equation 3 below.

Figure 112005004706039-pat00008
.
Figure 112005004706039-pat00008
.

수학식3에서 Vm을 구하면 다음의 수학식4와 같다. When Vm is obtained from Equation 3, Equation 4 is obtained.

Figure 112005004706039-pat00009
.
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전압 모니터링 회로(380)의 임계 전압이 2.2[V]이고 Vm을 모니터링 회로(380)의 임계 전압으로 맞추고자 하므로 수학식4의 Vm에 2.2를 대입한다. 제1 노드(310-1)의 소정 전압이 3.3[V], 제2 노드(310-2)의 소정 전압이 3.5[V], 제3 노드(310-3)의 소정 전압이 3.5[V], 제4 노드(310-4)의 소정 전압이 3.3[V], 제5 노드(310-5)의 소정 전압이 3.1[V]이므로, 수학식4의 V1에 3.3, V2에 3.5, V3에 3.5, V4에 3.3, V5에 3.1을 대입한다. Since the threshold voltage of the voltage monitoring circuit 380 is 2.2 [V] and Vm is set to the threshold voltage of the monitoring circuit 380, 2.2 is substituted into Vm of Equation (4). The predetermined voltage of the first node 310-1 is 3.3 [V], the predetermined voltage of the second node 310-2 is 3.5 [V], and the predetermined voltage of the third node 310-3 is 3.5 [V]. Since the predetermined voltage of the fourth node 310-4 is 3.3 [V] and the predetermined voltage of the fifth node 310-5 is 3.1 [V], 3.3 in V1, 3.5 in V2 and 3.5 in V3. Replace 3.5, 3.3 for V4, and 3.1 for V5.

그러면, 수학식4는 다음의 수학식5가 된다. Then, equation (4) becomes the following equation (5).

Figure 112005004706039-pat00010
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Figure 112005004706039-pat00010
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이제 수학식5에서 시행착오(trial and error) 방식을 이용하여 R1 내지 R6를 설정한다. 즉, R1 내지 R6에 여러 가지 경우의 값들을 대입해보고, 우변이 좌변과 같이 2.2가 되는 R1 내지 R6의 값을 찾는다. 이러한 과정을 통하여 R1 내지 R6이 결정될 수 있다. Now, in Equation 5, R1 to R6 are set using a trial and error method. In other words, various values are substituted into R1 to R6, and the values of R1 to R6 where the right side becomes 2.2 like the left side are found. Through this process, R1 to R6 may be determined.

이렇게 결정된 R1 내지 R6은 V1 내지 V5가 소정의 전압(V1=3.3[V], V2=3.5[V], V3=3.5[V], V4=3.3[V], V5=3.1[V])을 가질 때 Vm이 전압 모니터링 회로(380)의 임계 전압(2.2[V])으로 되게 한다. R1 to R6 determined in this way is V1 to V5 is a predetermined voltage (V1 = 3.3 [V], V2 = 3.5 [V], V3 = 3.5 [V], V4 = 3.3 [V], V5 = 3.1 [V]) Vm is brought to the threshold voltage (2.2 [V]) of the voltage monitoring circuit 380.

한편, 수학식4에서 저항들의 값이 R1=R2=R3=R4=R5=R6=10[kΩ]이라 가정하고 정리해보면 다음의 수학식6과 같다. On the other hand, assuming that the values of the resistors in the equation (4) R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = R6 = 10 [kΩ] and summarized as in the following equation (6).

Figure 112005004706039-pat00011
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수학식6에서, V1 내지 V5 중의 하나라도 변화가 생기면 Vm도 그에 따라 함께 변하게 된다. 즉, 제1 노드 내지 제5 노드(310-1 내지 310-5)의 전압들(V1 내지 V5) 중에서 하나라도 변화가 생기면 모니터링 노드(330)의 전압(Vm)도 그에 따라 변하게 되는 것이다. In Equation 6, if any one of V1 to V5 changes, Vm changes accordingly. That is, when any one of the voltages V1 to V5 of the first to fifth nodes 310-1 to 310-5 changes, the voltage Vm of the monitoring node 330 also changes accordingly.

모니터링 노드(330)의 전압 변화는 전압 모니터링 회로(380)에 의하여 감지된다. 따라서, 전압 모니터링 회로(380)가 모니터링 노드(330)의 전압 변화를 감지하는 것에 의하여 복수 전압 모니터링 장치는 제1 노드 내지 제5 노드(310-1 내지 310-5)의 전압 변화를 감지할 수 있다. The voltage change of the monitoring node 330 is sensed by the voltage monitoring circuit 380. Therefore, the voltage monitoring circuit 380 detects the voltage change of the monitoring node 330 so that the plurality of voltage monitoring devices can detect the voltage change of the first to fifth nodes 310-1 to 310-5. have.

도3에서 전압 모니터링 회로(380)가 직접적으로 전압을 모니터링하는 노드는 종래와 같이 하나의 모니터링 노드(330)이다. 그러나, 실질적으로 전압 모니터링이 가능한 노드는 제1 노드 내지 제5 노드(310-1 내지 310-5)로 확장된다. 결국, 전압 모니터링 장치는 하나의 전압 모니터링 회로(380)를 이용하여 복수 노드(310-1 내지 310-5)의 전압을 모니터링할 수 있다. In FIG. 3, the node to which the voltage monitoring circuit 380 directly monitors the voltage is one monitoring node 330 as in the related art. However, the node capable of substantially voltage monitoring is extended to the first to fifth nodes 310-1 to 310-5. As a result, the voltage monitoring apparatus may monitor voltages of the plurality of nodes 310-1 to 310-5 using one voltage monitoring circuit 380.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention.

본 실시예에서 복수 전압 모니터링 장치는 다섯개 노드들(310-1 내지 310-5)의 전압을 모니터링한다. 그러나, 이것은 예시에 불과하다. 복수 전압 모니터링 장치는 두개 이상의 복수 노드들을 모니터링하는 것이 가능하다. In the present embodiment, the plurality of voltage monitoring apparatus monitors the voltages of the five nodes 310-1 to 310-5. However, this is merely an example. The multi-voltage monitoring device is capable of monitoring two or more multi-nodes.

본 실시예에서는 전압 모니터링 회로(380)의 임계 전압에 따라 제1 저항 내지 제6 저항(320-1 내지 320-5, 340)의 값이 조정된다. 그러나, 이것은 예시에 불과하다. 만일 전압 모니터링 회로(380)의 임계 전압이 조정 가능하다면, 제1 저항 내지 제6 저항(320-1 내지 320-5, 340)의 값에 따라 전압 모니터링 회로(380)의 임계 전압이 조정될 수도 있을 것이다. In the present embodiment, the values of the first to sixth resistors 320-1 to 320-5 and 340 are adjusted according to the threshold voltage of the voltage monitoring circuit 380. However, this is merely an example. If the threshold voltage of the voltage monitoring circuit 380 is adjustable, the threshold voltage of the voltage monitoring circuit 380 may be adjusted according to the values of the first to sixth resistors 320-1 to 320-5 and 340. will be.

본 실시예에서는 HDD의 콤보칩 내부에서 사용되는 복수 전압 모니터링 장치에 관하여 설명하였다. 그러나, 이것은 예시에 불과하다. 본 발명은 HDD 이외의 기술분야에서도 사용될 수 있다. 그리고, HDD의 콤보칩 이외에도 하나의 전압 모니터링 회로를 사용하여 둘 이상의 전압을 공통으로 모니터링하는 모든 SOC(System On Chip)에서 사용될 수 있다. In the present embodiment, a plurality of voltage monitoring apparatuses used in the combo chip of the HDD have been described. However, this is merely an example. The present invention can also be used in the technical field other than HDD. In addition to the combo chip of the HDD, it can be used in any SOC (System On Chip) that monitors two or more voltages in common using one voltage monitoring circuit.

그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 하나의 전압 모니터링 회로를 이용하여 복수 노드의 전압들을 모니터링할 수 있다. 이에 따라, 하나의 전압 모니터링 회로가 모니터링할 수 있는 노드의 갯수가 확장된다. As described above, according to the present invention, one voltage monitoring circuit may be used to monitor voltages of a plurality of nodes. This expands the number of nodes that one voltage monitoring circuit can monitor.

한정된 전압 모니터링 회로를 이용하여 더 많은 노드의 전압들을 모니터링하는 것이 가능하므로, 더 많은 노드의 전압들을 모니터링하기 위하여 전압 모터터링 회로를 추가하는데 따르는 비용이 절감된다. Since it is possible to monitor the voltages of more nodes using a limited voltage monitoring circuit, the cost of adding a voltage motoring circuit to monitor the voltages of more nodes is saved.

Claims (2)

각각 개별적인 전압을 갖는 복수 노드들;A plurality of nodes each having a separate voltage; 상기 복수 노드들 각각과 모니터링 노드 사이에 연결되는 복수 저항들;A plurality of resistors coupled between each of the plurality of nodes and a monitoring node; 상기 모니터링 노드와 접지 사이에 연결되는 공통 저항;및A common resistor coupled between the monitoring node and ground; and 상기 모니터링 노드의 전압을 소정의 임계 전압과 비교함으로써 상기 복수 노드들의 전압 변화를 감지하는 전압 모니터링 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 복수 전압 모니터링 장치. And a voltage monitoring circuit for detecting a voltage change of the plurality of nodes by comparing the voltage of the monitoring node with a predetermined threshold voltage. 제1항에 있어서, 상기 복수 저항들 및 상기 공통 저항은 The method of claim 1, wherein the plurality of resistors and the common resistor are: 상기 복수 노드들이 소정의 전압을 가질 때 상기 모니터링 노드가 상기 모니터링 회로의 임계 전압을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 복수 전압 모니터링 장치. And the monitoring node has a threshold voltage of the monitoring circuit when the plurality of nodes have a predetermined voltage.
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