KR100646974B1 - Organic light emitting device and fabricating method thereof - Google Patents

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KR100646974B1
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신현억
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to prevent defective dark points from being generated on the display device by preventing Ag from being applied on an upper surface of a multilayered first electrode layer. An organic light emitting display device includes a first electrode layer(110), an organic layer(120), and a second electrode layer(130). The first electrode layer includes first to third anodes. The first anode is formed on a substrate and made of a conductive metal oxide. The second anode is formed on the first anode and made of a metal with a high reflection property. The third anode is formed on the second anode and made of the conductive metal oxide. The organic layer is formed on the first electrode layer. The second electrode layer is formed on the organic layer. The third anode of the first electrode layer has a film structure.

Description

유기 발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}Organic light emitting device and its manufacturing method {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도 1은 종래의 능동 구동형(Active Matrix;AM) 유기 발광표시장치의 일예를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing an example of a conventional active matrix (AM) organic light emitting display device;

도 2는 종래의 상부 ITO 막에 Ag 파티클이 부착된 모습을 도시한 확대도,2 is an enlarged view showing a state in which Ag particles are attached to a conventional upper ITO film;

도 3은 본 발명에 따른 유기 발광소자의 일실시예를 도시한 단면도,3 is a cross-sectional view showing an embodiment of an organic light emitting device according to the present invention;

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 유기 발광표시장치의 제조방법을 단계적으로 나타낸 단면도,4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention;

♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣♣ Explanation of symbols for the main parts of the drawing ♣

101 : 기판 110 : 제1 전극층101 substrate 110 first electrode layer

111 : 제1 애노드 112 : 제2 애노드111: first anode 112: second anode

113 : 제3 애노드 120 : 유기층113: third anode 120: organic layer

130 : 제2 전극층130: second electrode layer

본 발명은 유기 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다층 구조를 갖는 반사 애노드전극의 상부 ITO표면에 Ag 파티클이 재부착되는 것을 방지하여 근본적인 암점불량의 원인을 제거할 수 있는 유기 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to prevent Ag particles from re-adhering to the upper ITO surface of the reflective anode electrode having a multi-layered structure, which can eliminate the cause of fundamental dark spot defects. A light emitting device and a method of manufacturing the same.

일반적으로 유기 발광소자는 전자(electron)주입전극과 정공(hole)주입전극으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 여기자(exciton)가 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다. In general, the organic light emitting device injects electrons and holes into the light emitting layer from the electron injection electrode and the hole injection electrode, respectively, so that the exciton of the injected electrons and holes may fall from the excited state to the ground state. When the device emits light.

첨부한 도 1은 종래의 능동 구동형(Active Matrix;AM) 유기 발광표시장치의 일예를 도시한 단면도로서, 기판(1) 상에 버퍼층(11)이 형성되어 있고, 이 버퍼층(11) 상부로 TFT가 구비된다. 여기서, TFT는 반드시 도 1에 도시된 구조로만 가능한 것은 아니며, 그 수와 구조는 다양하게 변형 가능하다. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional active matrix (AM) organic light emitting display device, in which a buffer layer 11 is formed on a substrate 1, and the buffer layer 11 is disposed above the buffer layer 11. TFT is provided. Here, the TFT is not necessarily possible with the structure shown in Fig. 1, and the number and structure thereof can be variously modified.

상기 TFT는 버퍼층(11) 상에 형성된 활성층(12)과, 이 활성층(12)의 상부에 형성된 게이트 절연막(13)과, 게이트 절연막(13) 상부의 게이트 전극(14)을 갖는다. 상기 활성층(12)은 비정질 실리콘 박막 또는 다결정질 실리콘 박막으로 형성될 수 있다. 이 반도체 활성층은 N형 또는 P형 불순물이 고농도로 도핑된 소스 및 드레인 영역을 갖는다.The TFT has an active layer 12 formed on the buffer layer 11, a gate insulating film 13 formed on the active layer 12, and a gate electrode 14 on the gate insulating film 13. The active layer 12 may be formed of an amorphous silicon thin film or a polycrystalline silicon thin film. This semiconductor active layer has source and drain regions doped with N-type or P-type impurities at a high concentration.

상기 활성층(12)의 상부에는 SiO2 등에 의해 게이트 절연막(13)이 구비되고, 게이트 절연막(13) 상부의 소정 영역에는 도전막으로 게이트 전극(14)이 형성된다. 상기 게이트 전극(14)은 TFT 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인과 연결되어 있 다. 그리고, 상기 게이트 전극(14)이 형성되는 영역은 활성층(12)의 채널 영역에 대응된다.The gate insulating layer 13 is formed on the active layer 12 by SiO 2, and the gate electrode 14 is formed as a conductive layer on a predetermined region above the gate insulating layer 13. The gate electrode 14 is connected to a gate line for applying a TFT on / off signal. The region where the gate electrode 14 is formed corresponds to the channel region of the active layer 12.

상기 게이트 전극(14)의 상부로는 층간 절연막(inter-insulator:15)이 형성되고, 컨택 홀을 통해 소스 전극(16)과 드레인 전극(17)이 각각 활성층(12)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접하도록 형성된다. 소스 및 드레인 전극(16)(17) 상부로는 SiO2 등으로 이루어진 패시베이션막(18)이 형성되고, 이 패시베이션 막(18)의 상부에는 아크릴, 폴리 이미드 등에 의한 평탄화층(19)이 형성되어 있다.An inter-insulator 15 is formed on the gate electrode 14, and the source and drain regions of the active layer 12 are connected to the source electrode 16 and the drain electrode 17 through contact holes. It is formed to be in contact with. A passivation film 18 made of SiO 2 or the like is formed on the source and drain electrodes 16 and 17, and a planarization layer 19 made of acryl, polyimide, etc. is formed on the passivation film 18. It is.

비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 TFT에는 적어도 하나의 캐패시터가 연결된다.Although not shown in the drawings, at least one capacitor is connected to the TFT.

한편, 상기 드레인 전극(17)에 유기 발광소자(OLED)가 연결되는 데, 상기 유기 발광소자(OLED)의 애노드 전극이 되는 제1 전극층(21)에 연결된다. 상기 제1 전극층(21)은 패시베이션 막(18)의 상부에 형성되어 있고, 그 상부로는 절연성 평탄화층(19)이 형성되어 있으며, 이 평탄화층(19)에 소정의 개구부를 형성한 후, 유기 발광소자(OLED)를 형성한다.Meanwhile, an organic light emitting diode OLED is connected to the drain electrode 17, and is connected to the first electrode layer 21 serving as an anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The first electrode layer 21 is formed on the passivation film 18, and an insulating planarization layer 19 is formed thereon, and after forming a predetermined opening in the planarization layer 19, An organic light emitting diode (OLED) is formed.

상기 유기 발광소자는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, TFT의 드레인 전극(17)에 연결되어 이로부터 플러스 전원을 공급받는 제1 전극층(21)과, 전체 화소를 덮도록 구비되어 마이너스 전원을 공급하는 제2 전극층(24), 및 이들 제1 전극층(21)과 제2 전극층(24)의 사이에 배치되어 발광하는 유기층(23)으로 구성된다.The organic light emitting diode emits red, green, and blue light according to a current to display predetermined image information. The organic light emitting diode is connected to the drain electrode 17 of the TFT and receives positive power from the first electrode layer ( 21 and the second electrode layer 24 provided to cover all the pixels to supply negative power, and the organic layer 23 disposed between the first electrode layer 21 and the second electrode layer 24 to emit light. It is composed.

배면 발광형일 경우 상기 제1 전극층(21)은 ITO 등의 투명 전극으로 형성될 수 있고, 전면 발광형인 경우에는 제2 전극층(24)이 투명 전극으로 구비될 수 있다. 이때, 제2 전극층(24)은 Mg-Ag 등의 금속에 의해 얇은 반투과성 박막을 형성한 후, 그 위로 투명한 ITO를 증착하여 형성할 수 있다. 상기 제2 전극층(24)은 반드시 전면 증착될 필요는 없으며, 다양한 패턴으로 형성될 수 있음은 물론이다. In the case of the bottom emission type, the first electrode layer 21 may be formed of a transparent electrode such as ITO, and in the case of the top emission type, the second electrode layer 24 may be provided as a transparent electrode. In this case, the second electrode layer 24 may be formed by forming a thin semi-permeable thin film made of metal such as Mg-Ag, and then depositing transparent ITO thereon. The second electrode layer 24 does not necessarily have to be entirely deposited, and of course, may be formed in various patterns.

한편, 상기 애노드 전극이 되는 제1 전극층(21)은 ITO 등의 투명 전극이 한 층으로 형성되는 단일 구조로 되거나, 또는 금속에 의해 얇은 박막을 형성한 후 그 위로 투명 전극을 순차적으로 적층구성하는 다층 구조로 할 수 있다.Meanwhile, the first electrode layer 21 serving as the anode electrode has a single structure in which a transparent electrode such as ITO is formed in one layer, or a thin thin film is formed of metal, and then the transparent electrodes are sequentially stacked thereon. It can be set as a multilayer structure.

다층 구조를 갖는 애노드 전극의 경우, 상기 하부의 금속 박막은 반사막의 역할을 하므로 반사율이 60 내지 99.9%인 금속으로서, Al, Al 합금, Ag, Ag 합금 등이 이용가능하며, 상부의 투명 전극층은 일함수가 커야하므로 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO) 등의 물질로 형성하는 것이 바람직하다.In the case of the anode electrode having a multilayer structure, since the lower metal thin film serves as a reflective film, a metal having a reflectance of 60 to 99.9%, Al, Al alloy, Ag, Ag alloy, etc. can be used, and the upper transparent electrode layer is Since the work function must be large, it is preferable to form a transparent and conductive material such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).

여기서, 상기 제1 전극층(21)은 금속 박막의 상면 뿐 아니라 하면에도 투명 전극층을 형성하여 예를 들어, ITO/Ag/ITO로 이루어진 3층 구조를 갖도록 할 수 있다. Here, the first electrode layer 21 may have a three-layer structure made of, for example, ITO / Ag / ITO by forming a transparent electrode layer on the upper surface as well as the lower surface of the metal thin film.

그러나, 종래의 ITO/Ag/ITO 구조를 갖는 제1 전극층에서, 하부 ITO와 달리 상부 ITO의 경우에는 Ag 박막위에 ITO를 성막할 때 Ag의 결정성과 유사한 결정성을 갖게 되어 습식 식각(Wet etching) 후 Ag 파티클과 강한 결합력으로 ITO표면에 Ag가 재부착이 일어나 암점의 근본 원인이 되는 문제점이 있다.However, in the first electrode layer having a conventional ITO / Ag / ITO structure, unlike the lower ITO, in the case of the upper ITO, when the ITO is deposited on the Ag thin film, the crystallinity is similar to that of the Ag, and wet etching is performed. There is a problem that Ag is reattached to the surface of the ITO due to the strong bonding force with the Ag particles, which is the root cause of dark spots.

도 2는 암점의 원인인 Ag 파티클이 재부착된 모습을 도시한 것으로, 이와 같이 재부착된 파티클은 강한 결합력에 의해 세정 시에도 잘 떨어지지 않는다.FIG. 2 illustrates a state in which Ag particles, which are a cause of dark spots, are reattached, and the particles reattached as described above do not fall well upon cleaning due to strong bonding force.

이와 같이 상부의 ITO에 생긴 암점(Dark Spot)의 발생은 유기 EL소자의 신뢰성 및 표시품위에 심각한 영향을 미치는 단점이 있게 된다.As such, the occurrence of dark spots in the upper ITO has a disadvantage of seriously affecting the reliability and display quality of the organic EL device.

따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로, 다층 구조를 갖는 제1 전극층에서 상부 ITO표면에 Ag가 재부착되는 것을 방지하도록 상부 ITO의 강한 결정성을 제거하여 암점불량을 줄일 수 있는 유기 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and removes the strong crystallinity of the upper ITO to prevent the re-adhesion of Ag on the upper ITO surface in the first electrode layer having a multi-layer structure to reduce the dark spot defects An object of the present invention is to provide an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 기판상에 형성되며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드와, 상기 제1 애노드 상부에 위치하며 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드와, 상기 제2 애노드 상부에 위치하며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드로 구성되는 다층구조를 갖는 제1 전극층; 상기 제1 전극층의 상부에 형성되는 유기층; 및 상기 유기층의 상부에 형성되는 제2 전극층을 포함하며, 상기 제1 전극층의 제3 애노드는 결정성을 제거하여 비결정성으로 형성된 막구조를 갖는 유기 발광소자가 제공된다.In order to achieve the above object, in the present invention, a first anode formed on a substrate and made of a conductive metal oxide, a second anode made of a metal having a high reflectivity and positioned on the first anode, and the second anode A first electrode layer positioned on the upper side and having a multi-layer structure composed of a third anode made of a conductive metal oxide; An organic layer formed on the first electrode layer; And a second electrode layer formed on the organic layer, wherein the third anode of the first electrode layer is provided with an organic light emitting device having a film structure formed amorphous by removing crystallinity.

여기서, 상기 제2 애노드는 은(Ag)으로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 제1 애노드 및 제3 애노드는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO) 중 선택된 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the second anode is preferably made of silver (Ag), the first anode and the third anode is preferably made of one selected from indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO).

또한, 상기 제3 애노드의 성막 시 주입되는 산소범위는 0.5sccm 이상~10sccm 미만으로 할 수 있다.In addition, the oxygen range injected when the third anode is formed may be 0.5 sccm or more and less than 10 sccm.

상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는 기판상에 형성되며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드와, 상기 제1 애노드 상부에 위치하며 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드와, 상기 제2 애노드 상부에 위치하며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드로 구성되는 다층구조를 갖는 제1 전극층; 상기 제1 전극층의 상부에 형성되는 유기층; 및 상기 유기층의 상부에 형성되는 제2 전극층을 포함하며, 상기 제1 전극층의 제3 애노드는 표면을 산화처리하여 결정성을 제거하는 유기 발광소자가 제공된다.In order to achieve the above object, in the present invention, a first anode formed on a substrate and made of a conductive metal oxide, a second anode formed on the first anode and having a high reflectance metal, and the second anode A first electrode layer positioned on the upper side and having a multi-layer structure composed of a third anode made of a conductive metal oxide; An organic layer formed on the first electrode layer; And a second electrode layer formed on the organic layer, wherein the third anode of the first electrode layer is oxidized to remove an crystalline surface.

여기서, 상기 제2 애노드는 은(Ag)으로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 제1 애노드 및 제3 애노드는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO) 중 선택된 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the second anode is preferably made of silver (Ag), the first anode and the third anode is preferably made of one selected from indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO).

또한, 상기 제3 애노드는 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 공급하여 표면을 산화하거나, 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화할 수 있다.In addition, the third anode may oxidize the surface by supplying oxygen radicals generated by the plasma, or oxidize the surface through ozone generated by using UV ultraviolet rays in a vacuum state.

상술한 목적을 달성하기 위한 유기 발광소자 제조방법은, 기판 상에 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드를 형성하고, 상기 제1 애노드 상부에 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드를 형성하고, 상기 제2 애노드 상부에 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드를 형성하여 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층의 상부에 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 유기층의 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계로 이루어지며, 상기 제1 전극층의 제3 애노드의 표면을 산화시켜 결정성을 제거하는 단계를 더 포함한다.The organic light emitting device manufacturing method for achieving the above object, to form a first anode made of a conductive metal oxide on the substrate, and to form a second anode made of a metal having a high reflectance on the first anode, Forming a first anode layer formed of a conductive metal oxide on the second anode to form a first electrode layer; Forming an organic layer on the first electrode layer; And forming a second electrode layer on the organic layer, and removing the crystallinity by oxidizing the surface of the third anode of the first electrode layer.

여기서, 상기 제3 애노드의 표면을 산화시키는 단계는, 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 공급하여 표면을 산화하거나, 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하여 이루어진다.Here, the step of oxidizing the surface of the third anode, by oxidizing the surface by supplying oxygen radicals generated by the plasma, or by oxidizing the surface through ozone generated by using UV ultraviolet light in a vacuum state.

이하에서는 본 발명의 실시예를 도시한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 발광소자 및 그 제조방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings showing an embodiment of the present invention will be described in detail an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

본 발명의 유기 발광소자는 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(101) 상에 형성되는 제1 전극층(110)과, 상기 제1 전극층(110)의 상부에 형성되는 유기층(120)과, 상기 유기층(120)의 상부에 형성되는 제2 전극층(130)으로 구성된다.As shown in FIG. 3, the organic light emitting diode of the present invention includes a first electrode layer 110 formed on the substrate 101, an organic layer 120 formed on the first electrode layer 110, and The second electrode layer 130 is formed on the organic layer 120.

여기서, 상기 제1 전극층(110)은 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드(111)와, 상기 제1 애노드(111) 상부에 위치하며 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드(112)와, 상기 제2 애노드(112) 상부에 위치하며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드(113)로 구성되는 다층구조를 갖는다.Here, the first electrode layer 110 is a first anode 111 made of a conductive metal oxide, a second anode 112 made of a metal having a high reflectance located on the first anode 111, and Located above the second anode 112 and has a multi-layer structure consisting of a third anode 113 made of a conductive metal oxide.

다층 구조를 갖는 애노드 전극의 경우, 상술한 바와 같이 상기 제2 애노드(112)는 반사막의 역할을 하므로 반사율이 60 내지 99.9%인 금속, 즉, Al, Al 합금, Ag, Ag 합금 등이 이용가능하며, 본 발명에서는 제2 애노드(112)로 은(Ag)이 적용된 경우를 예시한다.In the case of an anode having a multilayer structure, as described above, since the second anode 112 serves as a reflective film, a metal having a reflectance of 60 to 99.9%, that is, an Al, Al alloy, Ag, Ag alloy, or the like may be used. In the present invention, a case where silver (Ag) is applied to the second anode 112 is illustrated.

또한, 상기 제1 애노드(111) 및 제3 애노드(113)는 일함수가 커야하므로 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO) 등의 물질로 형성 하는 것이 바람직하다.In addition, since the first anode 111 and the third anode 113 have a large work function, the first anode 111 and the third anode 113 may be formed of a material such as transparent indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

이와 같이, 상기 제1 전극층(110)은 ITO/Ag/ITO 또는 IZO/Ag/IZO 구조로 이루어진 3층 구조를 갖는다.In this way, the first electrode layer 110 has a three-layer structure consisting of ITO / Ag / ITO or IZO / Ag / IZO structure.

여기서, 본 발명에 따른 상기 제1 전극층(110)의 제3 애노드(113)는 결정성을 제거하여 비결정성으로 형성된 막구조를 갖는 것을 특징으로 한다.Here, the third anode 113 of the first electrode layer 110 according to the present invention is characterized in that it has a film structure formed amorphous by removing the crystallinity.

즉, 종래에는 Ag으로 구성된 제2 애노드(112)의 상부에 ITO를 성막하여 제3 애노드(113)를 형성할 때, 상기 제3 애노드(113)가 Ag의 결정성과 유사한 결정성을 갖게 되어 Ag 파티클이 ITO의 표면에 부착되는 바, 본 발명에서는 상기 제3 애노드(113)의 결정성을 제거하여 비결정성으로 형성된 막구조를 갖도록 하는 것이다.That is, conventionally, when ITO is formed on the second anode 112 made of Ag to form the third anode 113, the third anode 113 has crystallinity similar to that of Ag, so that the Ag Particles are attached to the surface of the ITO, in the present invention is to remove the crystallinity of the third anode 113 to have a film structure formed amorphous.

이를 위하여, 본 발명에서는 상기 제3 애노드(113)의 성막 시 산소의 주입량을 일반적인 ITO의 산소 주입량보다 크게 늘려 충분한 산소 가스를 주입함으로써, 제3 애노드(113)의 결정성을 제거하고 비결정성 막을 형성한다. To this end, in the present invention, by injecting sufficient oxygen gas by increasing the injection amount of oxygen when forming the third anode 113 to be larger than the oxygen injection amount of general ITO, the crystallinity of the third anode 113 is removed and the amorphous film is removed. Form.

통상, ITO의 성분은 원자비율로 금속 인듐이 40%, 금속 주석이 5%, 산소는 55% 정도로 구성되어 있으므로, 산소의 구성비를 높여 55% 이상으로 산소를 주입하면 ITO를 비결정성으로 형성할 수 있다.In general, since ITO is composed of 40% of metal indium, 5% of metal tin, and 55% of oxygen in atomic ratio, if I inject oxygen at 55% or more by increasing the composition of oxygen, ITO can be made amorphous. Can be.

또한, 주입되는 산소범위는 0.5sccm 이상~10sccm 미만으로 하는 것이 바람직하다. 이를 ITO 성막시 산소와 같이 주입되는 아르곤(Ar)과의 비율로 보면, 산소/아르곤의 비율이 0.5%~10% 범위인 것이 바람직하다. In addition, the injected oxygen range is preferably 0.5 sccm or more to less than 10 sccm. In view of the ratio of argon (Ar) which is injected together with oxygen during ITO film formation, the ratio of oxygen / argon is preferably in the range of 0.5% to 10%.

예를 들어, 산소가 0.5sccm인 경우, 아르곤(Ar)은 100sccm으로 하여 0.5% 산소비율을 유지하며 주입하면, 제3 애노드(113)의 결정성을 제거하고 비결정성 막을 형성할 수 있다.For example, when oxygen is 0.5 sccm, when argon (Ar) is injected at 100 sccm while maintaining a 0.5% oxygen ratio, the crystallinity of the third anode 113 may be removed to form an amorphous film.

이와 같이 비결정성으로 형성된 제3 애노드(113)는 Ag 파티클과 결합되지 않으므로 Ag 파티클로 인한 암점의 발생을 근본적으로 방지할 수 있다.As described above, since the third anode 113 formed as amorphous is not combined with Ag particles, dark spots due to Ag particles may be fundamentally prevented.

한편, Ag 파티클이 제3 애노드(113)에 부착되는 것을 방지하기 위한 다른 구성으로서, 상기 제3 애노드(113)의 표면을 산화처리하여 결정성을 제거하는 구조도 가능하다.On the other hand, as another configuration for preventing the Ag particles from adhering to the third anode 113, a structure in which the surface of the third anode 113 is oxidized to remove crystallinity is also possible.

즉, Ag으로 구성된 제2 애노드(112)의 상부에 ITO를 성막하여 제3 애노드(113)를 형성한 후, 상기 제3 애노드(113)의 표면을 산화처리하여 Ag이 부착되는 것을 방지하는 것이다. That is, after forming ITO on the second anode 112 made of Ag to form the third anode 113, the surface of the third anode 113 is oxidized to prevent the adhesion of Ag. .

상기 제3 애노드(113)의 표면을 산화처리하는 방법으로는 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 제3 애노드(113)의 표면에 공급하는 방법을 들 수 있다.As a method of oxidizing the surface of the third anode 113, a method of supplying oxygen radicals generated by plasma to the surface of the third anode 113 may be used.

이와 같이 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 제3 애노드(113)의 표면에 공급하면, 제3 애노드(113)의 표면이 산화되므로 표면의 결정성을 제거할 수 있게 된다.When the oxygen radicals generated by the plasma are supplied to the surface of the third anode 113, the surface of the third anode 113 is oxidized, thereby removing the crystallinity of the surface.

또한, 제3 애노드(113)의 표면을 산화처리하는 방법으로서, 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 ITO 표면을 산화하는 방법도 가능하다.In addition, as a method of oxidizing the surface of the third anode 113, it is also possible to oxidize the surface of the ITO through ozone generated using UV ultraviolet rays in a vacuum state.

이와 같이 표면이 산화된 제3 애노드(113)는 Ag 파티클과 결합되지 않으므로 Ag 파티클로 인한 암점의 발생을 근본적으로 방지할 수 있다.Since the third anode 113 whose surface is oxidized as described above is not combined with Ag particles, dark spots due to Ag particles may be fundamentally prevented.

이와 같은 본 발명에 따른 유기 발광소자는 능동 매트릭스형 유기 발광표시장치 뿐 아니라 수동 매트릭스형 유기 발광표시장치에도 적용할 수 있다.The organic light emitting diode according to the present invention can be applied not only to an active matrix organic light emitting display device but also to a passive matrix organic light emitting display device.

이하, 본 발명에 따른 유기 발광소자의 제조공정을 도 4a 내지 도 4e를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the organic light emitting diode according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4E.

먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(101) 상에 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드(111)를 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, a first anode 111 made of a conductive metal oxide is formed on the substrate 101.

다음으로, 상기 제1 애노드(111) 상부에 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드(112)를 형성한다.Next, a second anode 112 made of a metal having a high reflectance is formed on the first anode 111.

이후, 상기 제2 애노드(112) 상부에 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드(113)를 형성하여 제1 전극층(110)을 형성한다.Thereafter, a third anode 113 made of a conductive metal oxide is formed on the second anode 112 to form a first electrode layer 110.

이후, 상기와 같이 형성된 상기 제1 전극층(110)의 제3 애노드(113)의 표면을 산화시켜 결정성을 제거하기 위하여, 제3 애노드(113)의 표면을 산화시키는 공정을 수행한다.Thereafter, in order to oxidize the surface of the third anode 113 of the first electrode layer 110 formed as described above to remove crystallinity, a surface of the third anode 113 is oxidized.

여기서, 상기 제3 애노드(113)의 표면을 산화시키기 위하여 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 공급하거나, UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 제3 애노드(113)의 표면을 산화한다.Here, the oxygen radicals generated by the plasma are supplied to oxidize the surface of the third anode 113 or the surface of the third anode 113 is oxidized through ozone generated by using UV ultraviolet rays.

이 경우, 상기 제3 애노드(113)의 표면을 산화시켜 결정성을 제거하는 공정은 제1 전극층(110)의 성막 후 뿐 아니라 습식 식각(Wet etching) 전후에도 가능하며, 화소정의막(PDL)을 형성하는 경우 화소정의막의 형성공정 전후에도 할 수 있다. In this case, the process of oxidizing the surface of the third anode 113 to remove crystallinity may be performed not only after the deposition of the first electrode layer 110 but also before and after wet etching, and the pixel definition layer PDL may be used. Can be formed before or after the formation process of the pixel definition layer.

다음으로, 상기 제1 전극층(110)의 상부에 유기층(120)을 형성하고, 상기 유기층(120)의 상부에 제2 전극층(130)을 형성하여 유기 발광소자의 제조를 완료한 다.Next, the organic layer 120 is formed on the first electrode layer 110, and the second electrode layer 130 is formed on the organic layer 120 to complete the manufacture of the organic light emitting device.

이와 같은 본 발명은 다층으로 구성된 제1 전극층(110)의 상부 ITO 표면에 Ag이 부착하는 것을 방지하여 근본적인 암점의 발생을 막을 수 있다.The present invention can prevent the adhesion of Ag to the upper ITO surface of the first electrode layer 110 composed of a multi-layer to prevent the occurrence of fundamental dark spots.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the scope of the invention.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, ITO/Ag/ITO 혹은 IZO/Ag/IZO로 구성된 다층 구조의 제1 전극층에서 상부 막 표면에 Ag가 재부착하는 것을 방지하여 근본적인 암점 불량의 원인을 제거할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, in the first electrode layer having a multi-layer structure composed of ITO / Ag / ITO or IZO / Ag / IZO, Ag is prevented from reattaching to the upper film surface, thereby eliminating the cause of fundamental dark spot defects. You can do it.

따라서, 유기 발광표시장치 제품의 품질을 향상할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the quality of the OLED display product can be improved.

Claims (12)

기판상에 형성되며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드와, 상기 제1 애노드 상부에 위치하며 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드와, 상기 제2 애노드 상부에 위치하며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드로 구성되는 다층구조를 갖는 제1 전극층; A first anode formed on the substrate and made of a conductive metal oxide, a second anode formed on the first anode and having a high reflectance metal, and a third made on the second anode and made of a conductive metal oxide A first electrode layer having a multilayer structure composed of an anode; 상기 제1 전극층의 상부에 형성되는 유기층; 및An organic layer formed on the first electrode layer; And 상기 유기층의 상부에 형성되는 제2 전극층을 포함하며, A second electrode layer formed on the organic layer, 상기 제1 전극층의 제3 애노드는 결정성을 제거하여 비결정성으로 형성된 막구조를 갖는 유기 발광소자.And a third anode of the first electrode layer having a film structure formed amorphous by removing crystallinity. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 애노드는 은(Ag)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.And the second anode is made of silver (Ag). 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 애노드 및 제3 애노드는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO) 중 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.And the first anode and the third anode are selected from indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 제3 애노드의 성막 시 주입되는 산소범위는 0.5sccm 이상~10sccm 미만으로 하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.An organic light emitting device, characterized in that the oxygen range injected during the deposition of the third anode is 0.5sccm or more ~ less than 10sccm. 기판상에 형성되며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드와, 상기 제1 애노드 상부에 위치하며 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드와, 상기 제2 애노드 상부에 위치하며 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드로 구성되는 다층구조를 갖는 제1 전극층; A first anode formed on the substrate and made of a conductive metal oxide, a second anode formed on the first anode and having a high reflectance metal, and a third made on the second anode and made of a conductive metal oxide A first electrode layer having a multilayer structure composed of an anode; 상기 제1 전극층의 상부에 형성되는 유기층; 및An organic layer formed on the first electrode layer; And 상기 유기층의 상부에 형성되는 제2 전극층을 포함하며, A second electrode layer formed on the organic layer, 상기 제1 전극층의 제3 애노드는 표면을 산화처리하여 결정성을 제거하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.And a third anode of the first electrode layer to oxidize the surface to remove crystallinity. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제2 애노드는 은(Ag)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.And the second anode is made of silver (Ag). 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제1 애노드 및 제3 애노드는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO) 중 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.And the first anode and the third anode are selected from indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제3 애노드는 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 공급하여 표면을 산화하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.And the third anode supplies oxygen radicals generated by the plasma to oxidize the surface. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제3 애노드는 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.The third anode is an organic light emitting device, characterized in that to oxidize the surface through the ozone generated by using UV ultraviolet light in a vacuum state. 기판 상에 전도성 금속 산화물로 이루어진 제1 애노드를 형성하고, 상기 제1 애노드 상부에 높은 반사율을 갖는 금속으로 이루어진 제2 애노드를 형성하고, 상기 제2 애노드 상부에 전도성 금속 산화물로 이루어진 제3 애노드를 형성하여 제1 전극층을 형성하는 단계; Forming a first anode made of a conductive metal oxide on the substrate, forming a second anode made of a metal having high reflectivity on the first anode, and forming a third anode made of conductive metal oxide on the second anode Forming a first electrode layer; 상기 제1 전극층의 상부에 유기층을 형성하는 단계; 및Forming an organic layer on the first electrode layer; And 상기 유기층의 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계로 이루어지며,Forming a second electrode layer on the organic layer; 상기 제1 전극층의 제3 애노드의 표면을 산화시켜 결정성을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자의 제조방법.And removing the crystallinity by oxidizing the surface of the third anode of the first electrode layer. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제3 애노드의 표면을 산화시키는 단계는, 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 공급하여 표면을 산화하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자의 제조방 법.The step of oxidizing the surface of the third anode, the method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that to oxidize the surface by supplying oxygen radicals generated by the plasma. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제3 애노드의 표면을 산화시키는 단계는, 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자의 제조방법.The step of oxidizing the surface of the third anode, the method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that for oxidizing the surface through ozone generated by using UV ultraviolet light in a vacuum state.
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