KR100640049B1 - Method and apparatus for driving organic electroluminescence device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터의 문턱전압을 보상하여 휘도균일도를 높이도록 한 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a driving method and apparatus of an organic EL device to increase the brightness uniformity by compensating for the threshold voltage of the thin film transistor.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치는 구동 트랜지스터에 공급되는 데이터의 신호전송패스 상에 형성된 다이오드의 문턱전압으로 데이터를 보상하고, 보상된 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하게 된다. Drive method and apparatus of an organic EL device according to an embodiment of the present invention to compensate for the data to a threshold voltage of the diodes formed on the signal transmission path of the data to be supplied to the driving transistor, and supplying the compensated data to the drive transistor do.

Description

유기전계발광소자의 구동방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE} Drive method and apparatus of an organic EL device {METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}

도 1은 통상의 유기전계발광소자의 단면구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing the sectional structure of the conventional organic EL device.

도 2는 통상의 유기전계발광소자의 화소배치를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 2 is a plan view schematically showing a pixel arrangement of a conventional organic electroluminescent device.

도 3은 도 2에 도시된 픽셀의 등가회로도이다. Figure 3 is an equivalent circuit diagram of the pixel illustrated in FIG.

도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 컬럼라인과 로우라인에 공급되는 신호를 나타내는 파형도이다. Figure 4 is a waveform diagram illustrating the signal supplied to the column lines and row lines shown in Figs.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 화소배치를 나타내는 평면도이다. Figure 5 is a plan view showing a pixel arrangement of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 픽셀의 등가회로도이다. 6 is an equivalent circuit diagram of the pixel illustrated in FIG.

도 7은 도 5 및 도 6에 도시된 컬럼라인과 로우라인에 공급되는 신호를 나타내는 파형도이다. Figure 11 is a waveform diagram illustrating the signal supplied to the column lines and row lines shown in FIGS.

도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치를 나타내 는 블록도이다. Figure 8 shows the drive system of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention is a block diagram.

도 9는 도 8에 도시된 컬럼드라이버의 내부에 설치된 데이터/초기화전압 선택회로를 상세히 나타내는 회로도이다. 9 is a circuit diagram showing a data / initialization voltage selection circuit provided in the interior of the column driver shown in Fig. 8 in detail.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 화소배치를 나타내는 평면도이다. 10 is a plan view showing a pixel arrangement of an organic EL device according to a second embodiment of the present invention.

도 11은 도 10에 도시된 픽셀의 등가회로도이다. 11 is an equivalent circuit diagram of the pixel illustrated in FIG.

도 12는 도 10 및 도 11에 도시된 컬럼라인과 로우라인에 공급되는 신호를 나타내는 파형도이다. 12 is a waveform diagram illustrating the signal supplied to the column lines and row lines shown in FIGS.

도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치를 나타내는 블록도이다. 13 is a block diagram showing a driving apparatus of an organic EL device according to a second embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기전계발광소자의 픽셀 구성을 나타내는 픽셀의 등가회로도이다. 14 is an equivalent circuit diagram of a pixel representing a pixel structure of the organic EL device according to the third embodiment of the present invention.

도 15는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기전계발광소자의 픽셀 구성을 나타내는 픽셀의 등가회로도이다. 15 is an equivalent circuit diagram of a pixel representing a pixel structure of the organic EL device according to the fourth embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 > <Description of the Related Art>

1 : 유리기판 2 : 애노드전극 1: Glass substrate 2: anode

3 : 정공주입층 4 : 발광층 3: hole injection layer 4: light-emitting layer

5 : 전자주입층 6 : 캐소드전극 5: electron injection layer 6: cathode

81,131 : 비디오신호발생부 82,132 : 인터페이스부 81 131: video signal generating section 82 132: interface unit

83,133 : 타이밍콘트롤러 84,134 : 감마전압발생부 83 133: 84 134 a timing controller: a gamma voltage generation unit

85,135 : 컬럼드라이버 86,136 : 유기전계발광패널 85 135: 86 136 column drivers: an organic light emitting panel,

87,137 : 로우드라이버 D1,D11 : 다이오드 87 137: row driver D1, D11: Diode

DRV_TFT,DRV : 구동 박막트랜지스터 OLED : 전계발광셀 DRV_TFT, DRV: the driving TFT OLED: light emitting cells

Cst : 캐패시터 RL : 로우라인 Cst: capacitor RL: Low Line

CL : 컬럼라인 B1,B2 : 버퍼 CL: column lines B1, B2: Buffer

SW_TFT,SW1,SW2,SW3,SW11,SW12,SW31,SW32,SW33,SW41,SW42,SW43 : 스위치 박막트랜지스터 SW_TFT, SW1, SW2, SW3, SW11, SW12, SW31, SW32, SW33, SW41, SW42, SW43: switch TFTs

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로 특히, 박막트랜지스터의 문턱전압을 보상하여 휘도균일도를 높이도록 한 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a driving method and apparatus of that particular organic light emitting one to increase the brightness uniformity by compensating for the threshold voltage of the thin film transistor element of the organic EL device.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. Recently, the CRT (Cathode Ray Tube) various flat panel display devices that can be reduced weight and volume have been developed. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED) 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. These flat panel display devices are liquid crystal display (Liquid Crystal Display: hereinafter "LCD" quot;), field emission display (Field Emission Display: FED), plasma display panel (Plasma Display Panel: hereinafter referred to as "PDP" and), and electroluminescent and the like element (Electroluminescence device).

이들 중에 PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. Of these PDP has a trifling chancel while most attracting attention as a favorable display device, but disadvantages are the light emitting efficiency and brightness is low in power consumption to a large screen size because it simplifies the structure and the manufacturing process. 이에 비하여, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 한다)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체공정을 이용하기 때문에 대화면화에 어려움이 있지만 노트북 컴퓨터의 표시소자로 주로 이용되면서 수요가 늘고 있다. In contrast, the thin film transistor as a switching element (Thin Film Transistor: hereinafter referred to as "TFT") is applied to an active matrix LCD, the demand increasing as, but is difficult in large screen mainly used as display devices of the laptop computer because the use of a semiconductor process have. 이에 비하여, 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기전계발광소자로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. In contrast, the EL devices are classified into inorganic EL device and an organic EL device according to the light emitting layer material can have a response time fast and light emission efficiency, a large brightness and viewing angle of the advantages as a self-luminous element that emits light by itself.

유기전계발광소자는 도 1과 같이 유리기판(1) 상에 투명전극패턴으로 애노드전극(2)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(3), 발광층(4), 전자주입층(5)이 적층된다. The glass substrate 1 to form an anode electrode (2) of a transparent electrode pattern on, and those on the hole injection layer 3, a light emitting layer 4, an electron injection layer 5, such as an organic electroluminescent element 1 is also a It is laminated. 전자주입층(5) 상에는 금속전극으로 캐소드전극(6)이 형성된다. The cathode electrode 6 is formed of a metal electrode formed on the electron injection layer 5.

애노드전극(2)과 캐소드전극(6)에 구동전압이 인가되면 정공주입층(3) 내의 정공과 전자주입층(5) 내의 전자는 각각 발광층(33) 쪽으로 진행하여 발광층(4)을 여기시켜 발광층(4)으로 하여금 가시광을 발산하게 한다. When the anode electrode 2 and a drive voltage applied to the cathode electrode 6, the electrons in the hole injection layer 3, a hole and an electron injection layer 5 in the excite the light emitting layer 4 proceeds toward the respective light-emitting layer 33 and causing the light-emitting layer 4 emits visible light. 이렇게 발광층(4)으로부터 발생되는 가시광으로 화상 또는 영상을 표시하게 된다. This will display a picture or image into a visible light generated from the light emitting layer (4).

도 2 및 도 3을 참조하면, 유기발광다이오드소자는 m 개의 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과, 이 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 교차되도록 n 개의 로우라인들(RL1 내지 RLn)이 형성되어 매트릭스타입으로 배치된 m×n 개의 화소들(P)을 가지게 된다. 2 and 3, the organic light emitting diode elements of m column lines (CL1 to CLm) and the column lines (CL1 to CLm) of the n row lines to intersect the (RL1 to RLn) is formed It is is to have an m × n of pixels (P) arranged in a matrix type.

또한, 유기전계발광소자는 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 로우라인들(RL1 내지 RLn)의 교차부에 형성되어 스위칭소자 역할을 하는 스위치 TFT(SW_TFT)와, 셀구동전압원(VDD)과 전계발광셀(OLED) 사이에 형성되어 전계발광셀(OLED)을 구동하기 위한 구동 TFT(DRV_TFT)와, 스위치 TFT(SW_TFT)와 구동 TFT(DRV_TFT) 사이에 접속된 캐패시터(Cst)를 구비한다. In addition, the organic EL device is the column lines (CL1 to CLm) and the row lines are formed at the intersection of the (RL1 to RLn) switches the switching element acts TFT (SW_TFT), cell driving voltage source (VDD) and the electric field and a capacitor (Cst) connected between the light emitting cell (OLED) is formed between the electric field and the light-emitting cell driving TFT for driving the (OLED) (DRV_TFT), switch TFT (SW_TFT) and the driving TFT (DRV_TFT). 스위치 TFT(SW_TFT)와 구동 TFT(DRV_TFT)는 P 타입 MOS-FET로 구현된다. TFT switch (SW_TFT) and the driving TFT (DRV_TFT) is implemented with a P-type MOS-FET.

스위치 TFT(SW_TFT)는 로우라인(RL1 내지 RLn)으로부터의 부극성 스캔전압에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스를 도통시킴과 아울러 로우라인(RL1 내지 RLn) 상의 전압이 자신의 문턱전압(Threshold Voltage : Vth) 이하일 때 오프 상태를 유지하게 된다. Switch TFT (SW_TFT) the row lines (RL1 to RLn) in response to a negative scan voltage from the turned-on one being the conductive Sikkim a current path between its source and drain terminals as well as row lines (RL1 to RLn) voltage is its threshold voltage: maintains the oFF state when less than (threshold voltage Vth). 이 스위치 TFT(SW_TFT)의 온타임기간에 컬럼라인들(CL)로부터의 데이터전압(Vcl)은 스위치 TFT(SW_TFT)의 소스단자와 게이트단자를 경유하여 구동 TFT(DRV_TFT)의 게이트단자에 인가된다. Data voltage (Vcl) from a switch TFT (SW_TFT) column lines (CL) to the on-time period is by way of the source terminal and the gate terminal of the switch TFT (SW_TFT) is applied to the gate terminal of the driving TFT (DRV_TFT) . 이와 반대로, 스위치 TFT(SW_TFT)의 오프타임기간에는 스위치 TFT(SW_TFT)의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스가 개방되어 데이터전압(Vcl)이 구동 TFT(DRV_TFT)에 인가되지 않는다. On the other hand, it is not applied to the TFT switch-off time period (SW_TFT) there is a current path between the source terminal of the switch TFT (SW_TFT) and the drain terminal opens a data voltage (Vcl) the driving TFT (DRV_TFT).

구동 TFT(DRV_TFT)는 자신의 게이트단자에 공급되는 데이터전압(Vcl)에 의해 따라 소스단자와 드레인단자간의 전류를 조절하여 데이터전압(Vcl)에 대응하는 밝기로 전계발광셀(OLED)을 발광하게 된다. Driving TFT (DRV_TFT) is to emit a light-emitting cell (OLED) to the brightness corresponding to adjust the current between the source terminal and the drain terminal to the data voltage (Vcl) followed by a data voltage (Vcl) to be supplied to the gate terminal do.

캐패시터(Cst)는 데이터전압(Vcl)과 셀구동전압(VDD) 사이의 차전압을 저장하여 구동 TFT(DRV_TFT)의 게이트단자에 인가되는 전압을 한 프레임기간동안 일정 하게 유지함과 아울러 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류를 한 프레임기간 동안 일정하게 유지시킨다. A capacitor (Cst) is well electro luminescence cell and constantly maintaining during a data voltage (Vcl) and the cell drive voltage (VDD) of the voltage that is applied to the gate terminal a frame of the store the difference voltage driving TFT (DRV_TFT) between the period ( kept constant during the current frame period is applied to the OLED).

도 4는 도 2에 도시된 유기발광소자에 인가되는 스캔전압과 데이터전압을 나타낸다. Figure 4 shows the scanning voltage and the data voltage applied to the organic light emitting element illustrated in FIG.

도 4를 참조하면, 로우라인들(RL1 내지 RLn)에는 부극성의 스캔펄스(scan)가 순차적으로 인가되며 컬럼라인들(CL1 내지 CLn)에는 스캔펄스(scan)에 동기되어 데이터전압(data)이 동시에 인가된다. 4, the row lines (RL1 to RLn) is a scan pulse (scan) of a negative polarity is, the synchronization with the scan pulse (scan) is sequentially applied to and column lines (CL1 to CLn) of data voltage (data) At the same time, it is applied.

그런데, 종래의 유기발광다이오드소자는 구동 TFT(DRV_TFT)의 문턱전압(Vth)으로 인하여 유기발광다이오드소자의 휘도가 떨어지는 문제점이 있다. However, the conventional organic light emitting diode device is due to a threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DRV_TFT), there is a problem that the luminance of the organic light emitting diode device falling. 이를 수학식 1을 결부하여 상세히 하기로 한다. This will be detailed in conjunction with Equation (1).

Figure 112002017890203-pat00001

여기서, Vth는 구동 TFT(DRV_TFT)의 문턱전압을 의미한다. Here, Vth denotes a threshold voltage of the driving TFT (DRV_TFT).

수학식 1에서 알 수 있는 바, 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류(I OLED )는 구동 TFT(DRV_TFT)의 문턱전압(Vth) 만큼 낮아지게 된다. Current (I OLED) applied to the Al bars, electroluminescent cell (OLED) that can be in the equation (1) is lowered by the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DRV_TFT). 이에 따라, 유기발광다이오드소자의 휘도를 높이기 위하여 구동 TFT(DRV_TFT)의 문턱전압을 보상할 수 있는 방안이 요구되고 있다. Accordingly, a way to compensate for the threshold voltage of the driving TFT (DRV_TFT) is required in order to increase the brightness of the organic light emitting diode device.

따라서, 본 발명의 목적은 TFT의 문턱전압을 보상하여 휘도균일도를 높이도록 한 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치에 관한 것이다. Accordingly, it is an object of the invention to compensate for the threshold voltage of the TFT of the driving method and apparatus of an organic EL device to increase the brightness uniformity.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 데이터가 공급되는 다수의 컬럼라인들과, 컬럼라인들에 교차되며 주사라인을 선택하기 위한 다수의 로우라인들과, 컬럼라인들과 로우라인들 사이의 화소영역에 형성된 셀과, 데이터에 응답하여 셀에 공급되는 전류를 제어하기 위한 구동 트랜지스터와, 로우라인들 중에서 N 번째(단, N은 0보다 큰 양의 정수) 로우라인 상의 전압에 응답하여 컬럼라인들로부터의 데이터를 구동 트랜지스터에 공급하기 위한 스위치 트랜지스터와, 구동 트랜지스터에 공급되는 데이터에 대하여 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 다이오드를 구비한다. In order to achieve the above object, the organic EL device is crossing a plurality of column lines and a column line in which the data is supplied to a plurality of row lines for selecting a scanning line and a column according to an embodiment of the present invention lines and row lines and a driving transistor for controlling the current supplied to the cell and a cell in response to the data formed in the pixel region between the, N-th among the row lines (where, N is a positive integer greater than 0) and a switch transistor for in response to a low voltage on the line supplying the data from the column lines to the driving transistor, and a diode for compensating for the threshold voltage of the driving transistor with respect to the data supplied to the driving transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에 있어서, 상기 다이오드의 문턱전압은 구동 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 것을 특징으로 한다. In the organic EL device according to the embodiment of the invention, the threshold voltage of the diode is characterized in that equal to the threshold voltage of the driving transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에 있어서, 상기 다이오드는 컬럼라인에 접속되는 것을 특징으로 한다. In the organic EL device according to the embodiment of the invention, the diodes being connected to the column line.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에 있어서, 상기 다이오드는 스위치 트랜지스터와 구동 트랜지스터 사이에 접속되는 것을 특징으로 한다. In the organic EL device according to the embodiment of the present invention, the diode being connected between the switching transistor and a driving transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 셀에 구동전압을 공급하기 위 한 구동전압원과, 구동 트랜지스터와 구동전압원 및 스위치 트랜지스터 사이에 설치되어 데이터를 충전하기 위한 캐패시터와, 로우라인들 중에서 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 캐패시터에 공급되는 전압을 제어하는 제2 스위치 트랜지스터를 더 구비한다. The organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention from among the installed between the driving voltage source in order to supply a driving voltage to the cell, the driving transistor and the driving voltage source and the switching transistor a capacitor and a row line for charging the data N a second switch transistor for controlling the voltage supplied to the capacitor in response to a voltage on the -1-th row line is further provided.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 로우라인들 중에서 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 셀에 공급되는 전류를 제어하는 제3 스위치 트랜지스터를 더 구비한다. The organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention further includes a third switching transistor that controls the current supplied to the cell to N-1 in response to the voltage on the second row line among the row lines.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 상기 데이터와 다른 초기화전압을 발생하는 초기화전압원을 더 구비한다. The organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention further comprises an initialization voltage source for generating the data and the different initialization voltage.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에 있어서, 상기 제2 스위치 트랜지스터는 N-1 번째 로우라인과 초기화전압원 사이에 접속되어 데이터와 다른 초기화전압을 캐패시터에 공급하는 것을 특징으로 한다. In the organic EL device according to the embodiment of the invention, the second switching transistor is connected between the N-1 first row line and the initialization voltage source characterized in that to be supplied to the capacitor and other initialization data voltage.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에 있어서, 상기 캐패시터는 제2 스위치 트랜지스터의 제어에 의해 데이터를 충전하기 전에 초기화전압을 충전하여 초기화되며, 상기 제3 스위치 트랜지스터는 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 캐패시터의 초기화기간에 셀에 공급되는 전류를 차단하는 것을 특징으로 한다. In the organic EL device according to the embodiment of the present invention, the capacitor is initialized by charging the reset voltage prior to charge the data under the control of the second switch transistor, the third switching transistor is N-1 first row line in response to the voltage on the characterized in that it blocks the current supplied to the cell in the setup period of the capacitor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에 있어서, 상기 컬럼라인에는 데이터와 초기화전압이 교대로 공급되는 것을 특징으로 한다. In the organic EL device according to the embodiment of the invention, the column line is characterized in that the data and initialization voltage which is supplied to the shift.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 초기화전압원과 제2 스위치 트랜지스터 사이에 형성되어 초기화전압을 제2 스위치 트랜지스터에 공급하기 위한 적어도 하나의 초기전압라인을 더 구비한다. The organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention is formed between the initialization voltage and the second switching transistor further comprises at least one initial voltage line for supplying the initialization voltage to the second switching transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에 있어서, 상기 초기화전압은 데이터보다 다이오드의 문턱전압 이하 만큼 더 낮은 것을 특징으로 한다. In the organic EL device according to the embodiment of the invention, the initialization voltage is characterized by a lower threshold voltage than the diode than the data.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법은 구동 트랜지스터에 공급되는 데이터의 신호전송패스 상에 형성된 다이오드의 문턱전압으로 데이터를 보상하는 단계와, 보상된 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하는 단계를 포함한다. Driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises a step of compensating the data in the threshold voltage of the diodes formed on the signal transmission path of the data to be supplied to the driving transistor, for supplying the compensated data to the drive transistor and a step.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법에 있어서, 상기 다이오드는 컬럼라인 상에 형성되는 것을 특징으로 한다. In the driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the diode is characterized in that formed on the column line.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법에 있어서, 상기 다이오드는 스위치 트랜지스터와 구동 트랜지스터 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다. In the driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the diode is characterized in that formed between the switch transistor and the driving transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법에 있어서, 상기 다이오드의 문턱전압은 구동 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 것을 특징으로 한다. In the driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the threshold voltage of the diode is characterized in that equal to the threshold voltage of the driving transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법은 구동 트랜지스터와 스위치 트랜지스터 사이에 설치된 캐패시터에 데이터와 다른 초기화전압을 공급하여 캐패시터를 초기화하는 단계를 더 포함한다. The drive method of an organic light emitting device according to an embodiment of the invention further comprises the step of initializing the capacitor to supply data and other initialization voltage to a capacitor provided between the drive transistor and the switch transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법에 있어서, 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하는 단계는 캐패시터가 초기화된 후에 데이터를 구동 트랜지스터에 공급하는 것을 특징으로 한다. In the driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the invention, the step of supplying the data to the drive transistor is characterized in that it supplies the data to the driving transistor after the capacitor is reset.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법은 컬럼라인들에 데이터와 초기화전압을 교대로 공급하는 단계와, 로우라인들 중에서 N-1 번째(단, N은 0보다 큰 양의 정수) 로우라인에 초기화전압에 동기되는 스캔전압을 공급하는 단계와, 로우라인들 중에서 N 번째 로우라인에 데이터에 동기되는 스캔전압을 공급하는 단계를 더 포함한다. Driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, among the steps of: supplying alternately the data and initialization voltage to the column lines, row lines N-1-th (where, N is a positive integer greater than zero ) further comprises the step of supplying the scan voltage that is synchronized with the data in the step of supplying the scan voltage that is synchronized with the initialization voltage to the row lines, N-th row line among the row lines.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법은 데이터와 다른 초기화전압을 초기전압라인에 공급하는 단계와, 로우라인들 중에서 N-1 번째(단, N은 0보다 큰 양의 정수) 로우라인에 초기화전압에 동기되는 스캔전압을 공급하여 N-1 번째 로우라인에 접속된 제2 스위치 트랜지스터를 턴-온시킴으로써 구동 트랜지스터와 스위치 트랜지스터 사이에 설치된 캐패시터를 초기화하는 단계와, 로우라인들 중에서 N 번째 로우라인에 데이터에 동기되는 스캔전압을 공급하는 단계를 더 포함한다. Driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention data with a different initialization voltage from among the method for supplying the initial voltage line, row lines N-1-th (where, N is a positive integer greater than 0) among the steps of initializing the capacitor is provided between the driving transistor and the switching transistor by turning a row line by supplying the scan voltage that is synchronized with the initialization voltage to the row lines N-1 first row line of the second turns on the switching transistor connected to the the step of supplying the scan voltage that is synchronized with the data on N-th row line is further included.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법에 있어서, 상기 초기화전압은 데이터보다 다이오드의 문턱전압 이하 만큼 더 낮은 것을 특징으로 한다. In the driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the invention, the initialization voltage is characterized by a lower threshold voltage than the diode than the data.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동방법에 있어서, 상기 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 N-1 번째 로우라인과 셀 및 구동 트랜지스터 사이에 설치된 제3 스위치 트랜지스터를 턴-오프시켜 셀에 공급되는 전류를 차단하는 단계를 더 포함한다. In the driving method of an organic light emitting device according to an embodiment of the invention, turns on the third switching transistor is provided between the N-1 in response to the voltage on the second row lines N-1-th row line and cell and the driving transistor off by further comprising the step of blocking the current supplied to the cell.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치는 다수의 컬럼라인들과 다수의 로우라인들이 교차되며 상기 컬럼라인들과 로우라인들 사이의 화소영역 에 배치된 셀이 형성되며 데이터에 응답하여 셀을 구동하기 위한 구동 트랜지스터와 데이터를 구동 트랜지스터에 공급하기 위한 스위치 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 다이오드를 가지는 표시패널과, 컬럼라인들에 데이터를 공급하기 위한 컬럼구동부와, 로우라인들에 스캔전압을 순차적으로 공급하기 위한 로우구동부와, 컬럼구동부에 데이터를 공급함과 아울러 컬럼구동부와 로우구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어부를 구비한다. The driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the present invention includes a plurality of column lines and a plurality of row lines that are crossed are formed the cells arranged on the pixel region between the column lines and row lines in response to the data to the column driver for supplying data to the display panel and a column line having a diode for compensating the threshold voltage of the switch transistor and a drive transistor for supplying the driving transistor and the data for driving the cell to the driving transistor, the low and a and row driver for sequentially supplying a scan voltage to the line, and supplies the data to the column driver as well as a control unit for controlling the operation timing of the column driver and the row driver.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 다이오드의 문턱전압은 구동 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 것을 특징으로 한다. In the driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the invention, the threshold voltage of the diode is characterized in that equal to the threshold voltage of the driving transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 다이오드는 컬럼라인에 접속되는 것을 특징으로 한다. In the driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the invention, the diodes being connected to the column line.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 다이오드는 스위치 트랜지스터와 구동 트랜지스터 사이에 접속되는 것을 특징으로 한다. In the driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the present invention, the diode being connected between the switching transistor and a driving transistor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 스위치 트랜지스터는 N(단, N은 0보다 큰 양의 정수) 번째 로우라인 상의 스캔전압에 응답하여 데이터를 구동 트랜지스터에 공급하는 것을 특징으로 한다. In the driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the invention, the switch transistor to the N in response to the scan voltage on the (where, N is a positive integer greater than 0) th row lines supplying data to the driving transistor It characterized.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치는 셀에 구동전압을 공급하기 위한 구동전압원과, 구동 트랜지스터와 구동전압원 및 스위치 트랜지스터 사이에 설치되어 데이터를 충전하기 위한 캐패시터와, N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 캐패시터에 공급되는 전압을 제어하는 제2 스위치 트랜지스터를 더 구비한다. The driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the present invention includes a capacitor for is provided between the driving voltage source to supply a driving voltage to the cell, the driving transistor and the driving voltage source and the switching transistor to charge the data, N-1 further includes a second switching transistor responsive to the voltage on the second row lines for controlling the voltage supplied to the capacitor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치는 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 셀에 공급되는 전류를 제어하는 제3 스위치 트랜지스터를 더 구비한다. The driving apparatus of an organic EL device according to an embodiment of the present invention further comprising a third switching transistor and N-1 in response to the voltage on the second row lines for controlling the current supplied to the cell.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치는 상기 데이터와 다른 초기화전압을 발생하는 초기화전압원을 더 구비한다. Driving device of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention further comprises an initialization voltage source for generating the data and the different initialization voltage.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 제2 스위치 트랜지스터는 N-1 번째 로우라인과 초기화전압원 사이에 접속되어 초기화전압을 캐패시터에 공급하는 것을 특징으로 한다. In the driving device of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the second switching transistor is connected between the N-1 first row line and the initialization voltage source characterized in that to supply an initialization voltage to the capacitor.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 캐패시터는 제2 스위치 트랜지스터의 제어에 의해 데이터를 충전하기 전에 초기화전압을 충전하여 초기화되며, 상기 제3 스위치 트랜지스터는 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 캐패시터의 초기화기간에 셀에 공급되는 전류를 차단하는 것을 특징으로 한다. In the driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the present invention, the capacitor is initialized by charging the reset voltage prior to charge the data under the control of the second switch transistor, the third switching transistor is N-1 in response to a voltage on the second row lines and is characterized in that the set-up period of the capacitor blocks the current supplied to the cell.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 컬럼라인에는 데이터와 초기화전압이 교대로 공급되는 것을 특징으로 한다. In the driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the invention, the column line is characterized in that the data and initialization voltage which is supplied to the shift.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 표시패널은 초기화전압원과 제2 스위치 트랜지스터 사이에 형성되어 초기화전압을 제2 스위치 트랜지스터에 공급하기 위한 적어도 하나의 초기전압라인을 더 구비한다. In the driving device of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the display panel is formed between the initialization voltage and the second switching transistor at least one initial voltage line for supplying the initialization voltage to the second switch transistor further provided.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치에 있어서, 상기 초기 화전압은 데이터보다 다이오드의 문턱전압 이하 만큼 더 낮은 것을 특징으로 한다. In the driving apparatus of an organic EL device according to the embodiment of the invention, the initialization voltage is characterized by a lower threshold voltage than the diode than the data.

이하, 도 5 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, will be described with respect to preferred embodiments of the present invention will be described with reference to Figures 5 to 15 for example.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광소자는 m 개의 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 n+1 개의 로우라인들(RL0,RL1 내지 RLn) 사이의 화소영역에 매트릭스 타입으로 m×n 개의 픽셀들((1,1) 내지 (m,n)) 형성된다. 5 and 6, between the organic EL device according to the first embodiment of the present invention m the two column lines (CL1 to CLm) and n + 1 of row lines (RL0, RL1 to RLn) a pixel region in a matrix type are formed of n pixels × m ((1,1) to (m, n)).

픽셀들((1,1) 내지 (m,n)) 각각은 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 N(단, N은 0보다 크고 n 이하의 양의 정수) 번째 로우라인(RL(N))의 교차부에 형성되는 제1 스위치 TFT(SW1)와, 셀구동전압원(VDD)과 전계발광셀(OLED) 사이에 형성되어 전계발광셀(OLED)을 구동하기 위한 구동 TFT(DRV)와, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))의 교차부에 형성되는 제2 스위치 TFT(SW2)와, 제1 스위치 TFT(SW1)와 구동 TFT(DRV_TFT) 사이에 접속된 캐패시터(Cst)와, 제1 스위치 TFT(SW1)와 캐패시터(Cst) 사이에 접속된 다이오드(D1)를 구비한다. Pixels ((1, 1) to (m, n)) each of the column lines (CL1 to CLm) and N (where, N is greater than 0 n a positive integer less than) the second row lines (RL (N) a) cross-section a first switch TFT (SW1), and a cell driving voltage source (VDD) and the electroluminescent cell (formed between OLED) electroluminescent cell (OLED) driving TFT (DRV) for driving formed in the, column lines (CL1 to CLm) and N-1 first row line (RL (N-1)) the second switch TFT (SW2), a first switch TFT (SW1) and the driving TFT (DRV_TFT formed at the intersection of ) and a diode (D1) connected between the capacitor (Cst) connected between the first switching TFT (SW1) and a capacitor (Cst). 스위치 TFT(SW1,SW2), 구동 TFT(DRV_TFT) 및 다이오드(D1)는 P 타입 MOS-FET로 구현된다. Switch TFT (SW1, SW2), the driving TFT (DRV_TFT) and a diode (D1) is implemented with a P-type MOS-FET.

제1 스위치 TFT(SW1)의 소스단자는 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 접속되며, 드레인단자는 제1 노드(n1)를 경유하여 다이오드(D1)에 접속된다. A first source terminal of the switch TFT (SW1) is connected to the column lines (CL1 to CLm), the drain terminal is connected to the diode (D1) via the first node (n1). 그리고 제1 스위치 TFT(SW1)의 게이트단자는 N 번째 로우라인(RL(N))에 접속된다. And the gate terminal of the first switch TFT (SW1) is connected to the N-th row line (RL (N)). 이 제1 스위치 TFT(SW1)는 N 번째 로우라인(RL(N))으로부터의 부극성 스캔전압에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스를 도통시킴과 아울러 N 번째 로우라인(RL(N)) 상의 전압이 자신의 문턱전압 이하일 때 오프 상태를 유지하 게 된다. The first switch TFT (SW1) is turned on in response to a negative scan voltage from the N-th row line (RL (N)) - and the whole by being conductive Sikkim a current path between its source and drain terminals as well as N th the voltage on the row lines (RL (N)) is to maintain the off-state when below their threshold voltage. 이 스위치 TFT(SW1)의 온타임기간에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터의 데이터전압(Vcl)은 제1 스위치 TFT(SW1)의 소스단자와 드레인단자를 경유하여 다이오드(D1)에 인가된다. Data voltage (Vcl) from the switch TFT column lines in the on-time period (SW1) (CL1 to CLm) is applied to the diode (D1) via the source terminal and the drain terminal of the first switch TFT (SW1) . 이와 반대로, 제1 스위치 TFT(SW1)의 오프타임기간에는 제1 스위치 TFT(SW1)의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스가 개방되어 데이터전압(Vcl)이 다이오드(D1)에 인가되지 않는다. On the other hand, the first switch-off time period of the TFT (SW1), the first switch TFT (SW1) a current path between the source terminal and the drain terminal is opened the data voltage (Vcl) is not applied to the diode (D1).

구동 TFT(DRV)의 소스단자는 공통전압라인(VDDL)에 접속됨과 아울러 캐패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 드레인단자는 전계발광셀(OLED)의 애노드전극에 접속된다. The source terminal of the driving TFT (DRV) will soon as connected to the common voltage line (VDDL) as well as being coupled to one terminal of a capacitor (Cst), the drain terminal is connected to the anode electrode of the electroluminescent cell (OLED). 그리고 구동 TFT(DRV)의 게이트단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 다이오드(D1), 캐패시터(Cst) 및 제2 스위치 TFT(SW2)의 드레인단자에 접속된다. And the gate terminal of the driving TFT (DRV) is connected to the drain terminal of the by way of the second node (n2) a diode (D1), a capacitor (Cst) and a second switch TFT (SW2). 이 구동 TFT(DRV)는 자신의 게이트단자에 공급되는 게이트전압(Vcl-Vth)에 응답하여 소스단자와 드레인단자간의 전류를 조절하여 게이트전압(Vcl-Vth)에 대응하는 밝기로 전계발광셀(OLED)을 발광하게 한다. The driving TFT (DRV) is a light-emitting cell to a brightness corresponding to the gate voltage (Vcl-Vth) to control the current between their response to the gate voltage (Vcl-Vth) is supplied to the gate terminal and the source terminal and the drain terminal ( It makes the light emitting OLED). 여기서, 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)은 컬럼라인(CL1 내지 CLm)으로부터의 데이터전압(Vcl)에서 다이오드(D1)의 문턱전압(Vth) 만큼 차감된 전압이다. Here, the gate voltage (Vcl-Vth) of the driving TFT (DRV) is a voltage by subtracting the threshold voltage (Vth) of the diode (D1) in the data voltage (Vcl) from the column lines (CL1 to CLm).

캐패시터(Cst)는 N 번째 로우라인(RL(N))에 스캔전압이 공급되기 전에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터 공급되는 부극성 전압을 미리 충전하여 초기화된다. A capacitor (Cst) is initialized to pre-charge the negative voltage supplied from the column lines (CL1 to CLm) before the scan voltage is applied to the N-th row line (RL (N)). 이렇게 캐패시터(Cst)를 초기화시키는 것은 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 접속된 제2 노드(n2)에 제1 노드(n1) 상의 데이터전압(Vcl)이 공급될 수 있게 하기 위하여 데이터전압(Vcl)이 공급되기 전에 제2 노드(n2) 상의 전압을 제1 노드(n1) 상의 전압보다 다이오드(D1)의 문턱전압 이상 더 낮은 전압으로 충전시키기 위함이다. It is for this reset the capacitor (Cst) data voltage (Vcl to allow the subject to supply a data voltage (Vcl) on the first node (n1) to a second node (n2) connected to the gate terminal of the driving TFT (DRV) ) the second node (n2) is intended to charge the voltage to a threshold voltage above the lower voltage of the first node (n1) a diode (D1) than the voltage on the on before the supply. 다 시 말하여, 캐패시터(Cst)는 데이터전압(Vcl)이 공급되기 전에 일정 기간동안 데이터전압(Vcl)보다 다이오드(D1)의 문턱전압(Vth) 이상 더 낮은 전압이 공급되어 초기화된다. When the end of the capacitor (Cst) is initialized data voltage (Vcl) is no longer a threshold voltage (Vth) during the low period of the diode (D1) than the data voltage (Vcl) voltage is supplied before the supply. 이렇게 캐패시터(Cst)가 초기화된 후, 데이터전압(Vcl)이 인가되면 캐패시터(Cst)는 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)과 셀구동전압(VDD) 사이의 차전압을 저장하여 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)을 한 프레임기간동안 일정하게 유지함과 아울러 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류를 한 프레임기간 동안 일정하게 유지시킨다. After this capacitor (Cst) is initialized, when a data voltage (Vcl) applied to the capacitor (Cst) by storing the difference voltage between the gate voltage (Vcl-Vth) and the cell drive voltage (VDD) of the driving TFT (DRV) maintaining the gate voltage (Vcl-Vth) of the driving TFT (DRV) constant during one frame period as well as maintains a constant current applied to the light emitting cell (OLED) during one frame period.

제2 스위치 TFT(SW2)의 소스단자는 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 접속되고, 드레인단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 다이오드(D1), 캐패시터(Cst), 구동 TFT(DRV)에 접속된다. A second switch a source terminal of the TFT (SW2) is connected to the column lines (CL1 to CLm), the drain terminal to the second via a node (n2) a diode (D1), a capacitor (Cst), the driving TFT (DRV) It is connected. 그리고 제2 스위치 TFT(SW2)의 게이트단자는 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))에 접속된다. And a second gate terminal of the switch TFT (SW2) is connected to the N-1 first row line (RL (N-1)). 이 제2 스위치 TFT(SW2)는 데이터전압(Vcl)이 캐패시터(Cst)에 공급되기 전에 N-1 번째 로우라인(RL(N-1)) 상의 전압에 의해 턴-온되어 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 초기화전압을 캐패시터(Cst)에 공급함으로써 캐패시터(Cst)를 초기화시키게 된다. The second switch TFT (SW2) is a data voltage (Vcl) before it is supplied to the capacitor (Cst) N-1 first turn by the voltage on the row lines (RL (N-1)) - is one column line (CL1 to by supplying the reset voltage on the CLm) in the capacitor (Cst), thereby initializing the capacitor (Cst).

다이오드(D1)는 P 타입 MOS TFT로 구현된다. A diode (D1) is implemented with a P-type MOS TFT. 다이오드용 TFT(D1)의 소스단자는 제1 노드(n1)를 경유하여 제1 스위치 TFT(SW1)의 드레인단자에 접속된다. The source terminal of the diode TFT (D1) for a is connected to the drain terminal of the first switch TFT (SW1) through the first node (n1). 이 TFT(D1)의 드레인단자와 게이트단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 단락된다. The drain terminal and gate terminal of the TFT (D1) is short-circuited via the second node (n2). 또한, 다이오드용 TFT(D1)의 드레인단자와 게이트단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 제2 스위치 TFT(SW2), 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에 접속된다. Further, the drain terminal and gate terminal of the TFT diode (D1) for a is connected to the second via a node (n2) a second switch TFT (SW2), the capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV). 이 다이오드(D1)는 구동 TFT(DRV)와 동일한 문턱전압(Vth)을 가짐으로써 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 공급되는 데이터전압을 구동 TFT(DRV)의 문턱전압(Vth) 만큼 보상하게 된다. A diode (D1) is compensated by the driving TFT (DRV) and a threshold voltage (Vth) of the same threshold voltage of the driving TFT to the data voltage supplied to the gate terminal of the driving TFT (DRV) by having the (Vth) (DRV) . 이러한 다이오드(D1)는 P 타입 MOS TFT로 구현되므로 소스단자 전압에 따라 스위치 온/오프 동작을 하게 된다. The diode (D1) is to switch the on / off operation according to the source voltage terminal is implemented as a P-type MOS TFT. 즉, 다이오드(D1)는 낮은 초기화전압(V1)이 자신의 소스단자에 인가될 때 턴-오프되며 데이터전압이 자신의 소스단자에 인가될 때 턴-온된다. That is, the diode (D1) is initialized low voltage (V1) is turned on when applied to its source terminal is turned on-off, and to turn off when applied to the data voltage on their source terminals.

도 7은 도 5 및 도 6에 도시된 유기전계발광소자에 인가되는 스캔전압과 데이터전압을 나타낸다. Figure 7 shows the scanning voltage and the data voltage applied to the organic light emitting element shown in FIGS.

도 7을 참조하면, Ta 기간 동안 최상측의 더미 로우라인(RL0)에는 부극성의 스캔전압이 인가된다. 7, is applied to the scan voltage of the negative dummy row line (RL0) in the top side for a period Ta. Ta 기간의 후기에 포함된 Tc 기간에는 더미 로우라인(RL0) 상의 전압이 부극성 스캔전압을 유지하게 되며, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 캐패시터(Cst)를 초기화하기 위한 초기화전압(VI)이 공급된다. Tc period contained in the reviews of Ta period, a dummy row line (RL0) and to keep the scan voltage polarity voltage is negative on the column lines, the initialization voltage (VI) for initializing the capacitor (Cst) to (CL1 to CLm) It is supplied. Ta 및 Tc 기간 동안에, 더미 로우라인(RL0)에 접속된 제2 스위치 TFT(SW2)가 턴-온된다. Ta and Tc during the period, the second switch TFT (SW2) connected to the dummy row line (RL0) is turned on. 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 초기화전압(VI)은 Tc 기간동안 온 상태를 유지하는 제2 스위치 TFT(SW2)에 의해 제2 스위치 TFT(SW2)를 경유하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제2 노드(n2) 및 캐패시터(Cst)에 공급된다. Reset voltage (VI) on the column lines (CL1 to CLm) is in the second switching TFT (SW2) pixels included by way of the second switch TFT (SW2) by the first scanning line to maintain the ON state for a Tc duration ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m, 1)) is supplied to the second node (n2) and a capacitor (Cst) of the. 한편, Ta 기간 내에서 별도의 더미 데이터가 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급될 수도 있다. On the other hand, a separate dummy data in the period Ta is also be supplied to the column lines (CL1 to CLm).

Ta 기간에서 Tb 기간으로 전이되는 시점에 더미 로우라인(RL1) 상의 전압은 하이논리전압으로 반전되어 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제1 스위치 TFT(SW1)를 턴-오프시킨다. The low voltage on the dummy line (RL1) to the point at which a transition period Tb in the period Ta is inverted to the high logic voltage of the pixel included in the first scan line ((1,1), (2,1), ..., ( turns on the first switch TFT (SW1) of the m-1,1), (m, 1)) - turning off.

Tb 기간 동안 제1 로우라인(RL1)에는 부극성의 스캔전압이 인가됨과 동시에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 데이터가 공급된다. During the period Tb first row lines (RL1), the data is supplied to the soon as applied to a scan voltage of a negative polarity at the same time, column lines (CL1 to CLm). 이 때, 제1 로우라인(RL1) 상의 스캔전압에 응답하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제1 스위치 TFT(SW1)는 턴-온되어 데이터전압(Vcl)을 제1 노드(n1) 에 공급한다. At this time, the first row lines in response to a scan voltage of the pixel included in the first scan line on the (RL1) ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m , a first switch TFT (SW1) of a)) is turned on, turns on to supply the data voltage (Vcl) to the first node (n1). 이렇게 데이터전압(Vcl)이 인가되면, 다이오드(D1)는 제2 노드(n2) 상의 전압이 초기화에 의해 제1 노드(n1) 상의 데이터전압보다 자신의 문턱전압(Vth) 만큼 더 낮기 때문에 턴-온되어 제1 노드(n1) 상의 데이터전압(Vcl)을 제2 노드(n2)에 공급하게 된다. So when the data voltage (Vcl) is applied, since the diode (D1) to the second node (n2) voltage by initializing the first node (n1) data voltage than its threshold voltage (Vth) as the lower, on the on the turn- It is turned on to supply the data voltage (Vcl) on the first node (n1) to a second node (n2). 이 때, 제2 노드(n2)에 접속된 구동 TFT(DRV)는 자신의 게이트단자에 공급되는 데이터전압(Vcl)에 의해 전계발광셀(OLED)에 데이터값에 대응하는 전류를 공급하게 되며, 캐패시터(Cst)는 구동 TFT(DRV)의 게이트전압을 유지시키게 된다. At this time, the second driving TFT connected to the node (n2) (DRV) is to supply a current corresponding to a data value to the electroluminescent cell (OLED) by the data voltage (Vcl) to be supplied to the gate terminal, a capacitor (Cst) is thereby holding the gate voltage of the driving TFT (DRV). Tb 기간의 후기에 포함된 Tc 기간에는 제1 로우라인(RL1) 상의 전압이 부극성 스캔전압을 유지하게 되며, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 캐패시터(Cst)를 초기화하기 위한 초기화전압(VI)이 공급된다. Tc period contained in the reviews of Tb period, the first row lines (RL1) voltage is maintained for a negative scan voltage, and the column lines (CL1 to CLm) initializing voltage (VI for initializing the capacitor (Cst) to over ) it is supplied. 그러면 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 초기화전압(VI)은 Tb 기간의 후기에 포함된 Tc 기간 동안에 온 상태를 유지하는 제2 스위치 TFT(SW2)에 의해 제2 스위치 TFT(SW2)를 경유하여 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 제2 노드(n2)에 공급된다. The two, initializing voltage (VI) on the column lines (CL1 to CLm) is via a second switch TFT (SW2) by a second switch TFT (SW2) for holding the on-state while the Tc time period contained in the reviews of Tb period the pixels included in the second scan line ((1,2), (2,2) ... (m-1,2), (m, 2)) is supplied to the second node (n2) of the.

결과적으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광소자는 이전 주사라인에 해당하는 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))에 연결된 제2 스위치 TFT(SW2)가 온 상태를 유지하는 기간에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터의 초기화전압(VI)을 다음 주사라인의 픽셀들에 포함된 제2 노드(n2) 및 캐패시터(Cst)에 미리 공급한다. As a result, the organic EL device according to the first embodiment of the present invention, the second switch TFT (SW2) connected to the N-1 first row line (RL (N-1)) corresponding to the previous scan line on state an initialization voltage (VI) from the column lines in the period for holding (CL1 to CLm) then pre-supplied to the second node (n2) and a capacitor (Cst) included in the pixels of the scanning line. 이렇게 제2 노드(n2) 및 캐패시터(Cst)가 초기화된 후, 다음 주사라인의 픽셀들에는 N 번째 로우라인(RL(N))에 스캔펄스가 공급될 때 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터 데이터전압(Vcl)이 공급된다. So from the second node (n2) and a capacitor (Cst) is then initialized, in the pixels of the next scan line is a column line, when a scan pulse is supplied to the N-th row line (RL (N)) (CL1 to CLm) data voltage (Vcl) is supplied.

본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광소자는 전술한 바와 같이 다이오드(D1)의 문턱전압을 이용하여 구동 TFT(DRV)의 문턱전압을 보상하여 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류(I OLED )의 감소를 예방하게 된다. The organic EL device according to the first embodiment of the present invention includes a current applied to the diode (D1) light emitting cell (OLED) and compensate for the threshold voltage of the driving TFT (DRV) with a threshold voltage as described above ( thereby preventing the decrease of I OLED). 이를 수학식으로 표현하면 아래의 수학식 2와 같다. And it can also be represented by the equation shown in equation (2) below.

Figure 112002017890203-pat00002

여기서, Vth는 구동 TFT(DRV) 및 다이오드(D1)의 문턱전압을 의미한다. Here, Vth denotes a threshold voltage of the driving TFT (DRV) and a diode (D1).

수학식 2에서 알 수 있는 바, 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류(I OLED )는 다이오드(D1)의 문턱전압(Vth)에 의해 구동 TFT(DRV)의 문턱전압(Vth)이 보상되므로 구동 TFT(DRV)의 문턱전압(Vth)으로 인하어 낮아지지 않게 된다. Bar can be seen in equation (2), the current (I OLED) applied to the light emitting cell (OLED) it is because the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DRV) compensated by a threshold voltage (Vth) of the diode (D1) to a threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DRV) it is not supported low cut control.

도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광소자를 구동하기 위한 구동장치를 나타낸다. Figure 8 shows a drive system for driving the organic EL device according to the first embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치는 비디오신호발생부(81)로부터 데이터와 동기신호를 입력받는 인터페이스부(82)와, m 개의 컬럼라인(CL1 내지 CLm)과 n+1 개의 로우라인들(RL0 내지 RLn)이 교차되며 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 로우라인들(RL0 내지 RLn) 사이의 화소영역에 m×n 개의 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 유기전계발광패널(86)과, 유기전계발광 패널(86)의 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 데이터를 공급하기 위한 컬럼드라이버(85)와, 유기전계발광패널(86)의 로우라인들(RL0 내지 RLn)에 스캔펄스를 공급하기 위한 로우드라이버(87)와, 컬럼드라이버(85)에 감마전압(Vγ)을 공급하기 위한 감마전압발생부(84)와, 컬러드라이버(85) 및 로우드라이버(87)를 제어하기 위한 타이밍콘트롤러(83)와, 패널드라이버(85,87)와 타이밍콘트 8, in the first exemplary driving apparatus of an organic EL device according to the example is a video signal generating unit for receiving data and synchronization signals from the 81 interface unit 82 of the present invention, m-column line ( CL1 to CLm) and n + 1 of row lines (RL0 to RLn) intersect and the column lines (CL1 to CLm) and row lines (RL0 to RLn) m × n pixels are matrix form in the pixel region between the of the organic light emitting panel 86 and the organic electroluminescence panel 86, a column line of the column driver 85 and the organic electroluminescence panel 86 for supplying data to (CL1 to CLm) of the batch to a low and lines (RL0 to RLn) gamma voltage generating section 84 for supplying a gamma voltage (Vγ) to the row driver 87 and column driver 85 for supplying a scan signal, a color driver 85 and a timing controller 83 for controlling and row drivers 87, the panel drivers (85,87) with the timing contrail 러(83)에 필요한 구동전압과 셀구동전압(VDD) 및 초기화전압(VI)을 발생하기 위한 전원발생부(88)를 구비한다. And a multiple (83) the power generation portion 88 for generating a driving voltage and a cell driving voltage (VDD), and the initialization voltage (VI) required for.

유기전계발광패널(86)은 애노드전극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층이 적층되는 전계발광셀(OLED), 제1 및 제2 스위치(SW1,SW2), 다이오드(D1), 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV) 등을 포함한 m×n 개의 픽셀들이 유리기판 상에 형성된다. The organic electroluminescence panel 86 is an anode electrode, a hole injection layer, a light emitting cell that is a light emitting layer, are laminated electron injection layer (OLED), first and second switches (SW1, SW2), a diode (D1), a capacitor (Cst ) and the driving TFT (DRV) m × n pixels, including are formed on the glass substrate.

비디오신호발생부(81)는 도시하지 않은 입력라인으로부터의 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변환함과 아울러 수직 및 수평동기신호와 클럭신호를 인터페이스부(82)에 공급한다. Video signal generating section 81 is also converts analog data from the input line (not shown) into digital data and supply as well as the vertical and horizontal synchronizing signals and a clock signal to the interface unit 82.

인터페이스부(82)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 방식, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 방식, RSDS 방식 등의 인터페이스방식을 이용하여 비디오신호발생부(81)로부터의 데이터(RGB)와 함께 동기신호(HV) 및 클럭신호 등을 포함한 제어신호(TCS)를 타이밍콘트롤러(83)에 공급하게 된다. Interface unit 82 a synchronization signal with the data (RGB) from using the interface method such as LVDS (Low Voltage Differential Signaling) method, TMDS (Transition Minimized Differential Signaling) method, RSDS scheme video signal generating section 81 a control signal (TCS), including (HV) and a clock signal is supplied to the timing controller 83.

타이밍콘트롤러(83)는 컬럼제어신호(CCS)를 발생하고 인터페이스부(83)로부터의 데이터(RGB)를 제어신호(TCS)에 따라 샘플링하여 그 데이터(RGB)를 컬럼제어 신호(CCS)와 함께 컬럼드라이버(85)에 공급한다. The timing controller 83 receives the column control signal (CCS) occurs, and the sampled along the data (RGB) from the interface unit 83 to a control signal (TCS) to with the data (RGB) and the column control signal (CCS) and supplies it to the column driver (85). 컬럼제어신호(CCS)에는 컬럼 드라이버(85)의 쉬프트클럭, 래치신호, 멀티플렉서 제어신호 등을 포함한다. The column control signal (CCS) includes a shift clock, a latch signal, a multiplexer control signal, such as a column driver (85). 또한, 타이밍콘트롤러(83)는 쉬프트레지스터의 동작개시를 지시하는 스타트펄스와 쉬프트레지스터의 쉬프트클럭 등을 포함한 로우제어신호(RCS)를 발생하고 그 로우제어신호(RCS)를 로우드라이버(87)에 공급하게 된다. Further, the timing controller 83, a shift start pulse and generates a row control signal (RCS) including a shift clock such as a shift register and the row control signal (RCS), the row driver (87) for instructing the operation start of the register It is supplied.

감마전압발생부(84)는 전원발생부(88)로부터 공급되는 고전위공통전압과 저전위공통전압을 분압하여 데이터의 각 계조레벨에 대응하는 감마전압(Vγ)을 발생하고 그 감마전압(Vγ)을 컬럼드라이버(85)에 공급하게 된다. A gamma voltage generating section 84 generates a gamma voltage (Vγ) corresponding to the partial pressure of the high-potential common voltage and low potential common voltage supplied from the power generation unit 88 for each gradation level of the data and the gamma voltages (Vγ ) it is supplied to the column driver (85).

컬럼드라이버(85)는 타이밍콘트롤러(83)로부터 공급되는 컬럼제어신호(CCS)에 응답하여 데이터(RGB)를 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급하게 된다. Column driver 85 is supplied to the column lines (CL1 to CLm) data (RGB) in response to the column control signal (CCS) which is supplied from the timing controller 83. 이 컬럼드라이버(85)는 타이밍콘트롤러(83)로부터의 데이터(RGB)를 샘플링한 후에, 그 데이터를 래치한 다음, 래치된 데이터를 디코드하여 데이터값에 대응하는 감마전압(Vγ)을 데이터전압(Vcl)으로써 선택하게 된다. The column driver 85 is then sampled data (RGB) from the timing controller 83, a latch the data, and then, the decodes the latched data, a gamma voltage (Vγ) corresponding to the data value of the data voltage ( is selected as Vcl). 컬럼드라이버(85)로부터 발생된 데이터전압(Vcl)은 로우드라이버(87)로부터 발생된 스캔펄스에 동기되어 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 동시에 공급된다. The data voltage generated from a column driver (85), (Vcl) is supplied in synchronization with the scan pulses generated from the row driver 87, while the column lines (CL1 to CLm). 또한, 컬럼드라이버(85)는 데이터공급기간 사이에 할당된 기간 동안 초기화전압(VI)을 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 동시에 공급하게 된다. Also, the column driver 85 is to supply an initialization voltage (VI) for the duration allocated between data supplied at the same time period on the column lines (CL1 to CLm).

로우구동부(87)는 타이밍콘트롤러(83)로부터 공급되는 로우제어신호(RCS)에 응답하여 부극성의 스캔전압까지 떨어지는 스캔펄스를 발생하고, 그 스캔펄스를 유기전계발광패널(86)의 로우라인들(RL0 내지 RLn)에 순차적으로 공급하게 된다. Row lines of the row driver 87 is a timing controller row control signal in response to the (RCS) generating a falling scan pulse to a scan voltage of a negative polarity to, and the scan pulse of the organic electroluminescence panel 86 is supplied from the 83 the (RL0 to RLn) is supplied in sequence. 이 로우드라이버(87)는 부극성의 스캔펄스를 순차적으로 발생하는 쉬프트 레지스터와, 스캔전압의 스윙폭을 스위치 TFT(SW1,SW2)의 구동에 적합한 레벨로 쉬프트시키기 위한 레벨쉬프터를 포함한다. A row driver (87) includes a level shifter for shifting a scan pulse to an appropriate level of negative polarity for driving the shift register and, TFT (SW1, SW2) switches the swing width of the scanning voltage which is generated sequentially.

전원발생부(88)는 고전위공통전압과 저전위공통전압을 발생하고 그 공통전압들을 감마전압발생부(84)에 공급함과 아울러, 컬럼드라이버(85)의 집적회로(Integrated Circuit : IC)의 구동전압과 초기화전압(VI) 및 셀 구동전압(VDD) 등을 발생하고 그 전압들을 컬럼드라이버(85)에 공급하게 된다. Of: (IC Integrated Circuit), the power generation unit 88 is an integrated circuit on the high potential common voltage and low potential common voltage generate the tray and, at the same time, the column driver 85 of the common voltage to the gamma voltage generation unit 84 generating a driving voltage and the initialization voltage (VI) and the cell drive voltage (VDD) and the like to supply those voltages to the column driver 85. 또한, 전원발생부(88)는 부극성의 스캔전압을 발생하고, 그 스캔전압을 로우드라이버(87)에 공급하게 된다. In addition, the power generation section 88 is to generate a scan voltage of a negative polarity, and supplies the scan voltage to the row driver 87.

도 9는 컬럼드라이버(85)의 내부에 설치된 데이터/초기화전압 선택회로를 상세히 나타낸다. 9 shows a data / initialization voltage selection circuit provided in the interior of the column driver 85 in detail.

도 9를 참조하면, 컬럼드라이버(85)의 데이터/초기화전압 선택회로는 타이밍콘트롤러(83)의 제어하여 절환되어 데이터전압(Vcl1 내지 Vclm)과 초기화전압(VI)을 교대로 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급하기 위한 스위치(SW3)를 구비한다. S 9, the column data / initialization voltage selection circuit of the driver 85 is switched by the control of the timing controller 83, a data voltage (Vcl1 to Vclm) alternates with a column line as the initialization voltage (VI) (CL1 to a switch (SW3) for supplying the CLm). 초기화전압(VI)은 스위치(SW3)의 제1 입력단자에 공급되고, 데이터전압(Vcl1 내지 Vclm)은 버퍼(B1)를 통하여 스위치(SW3)의 제2 입력단자에 공급된다. Reset voltage (VI) is supplied to the first input terminal of the switch (SW3), a data voltage (Vcl1 to Vclm) is supplied to the second input terminal of the switch (SW3) through a buffer (B1). 스위치(SW3)는 타이밍콘트롤러(83)의 컬럼제어신호(CCS)에 포함된 멀티플렉서 제어신호에 응답하여 입력단자를 선택하는 멀티플렉서(Multiplexer)로 구현될 수 있다. Switch (SW3) can be implemented by a multiplexer (Multiplexer) in response to a multiplexer control signal included in the column control signal (CCS) of the timing controller 83 to select the input terminal. 이 스위치(SW3)는 도 7에서 Ta 기간과 Tb 기간의 초기기간과 같은 데이터 공급기간에 제2 입력단자를 선택하여 데이터전압(Vcl1 내지 Vclm)을 해당 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급한다. The switch (SW3) is supplied to the selection a second input terminal to the data voltage (Vcl1 to Vclm) the column lines (CL1 to CLm) the data supplied during the same period with the initial period of the Ta time and Tb periods 7 . 그리고 스위치(SW3)는 도 7에서 Tc 기간과 같은 초기화기간에 제1 입력단자를 선택하여 초기화전압(VI)을 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급한다. And the switch (SW3) is supplied to the first input terminal to select a column line for initializing voltage (VI) (CL1 to CLm) in the set-up period such as the period Tc in Fig. 스위치(SW3)의 출력전압(VI,Vcl1 내지 Vclm)은 출력버퍼(B2)를 통하여 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급된다. Output voltage (VI, Vcl1 to Vclm) of the switch (SW3) is supplied to the column lines (CL1 to CLm) via the output buffer (B2).

도 10 내지 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자 및 그 구동방법 및 장치를 나타낸다. 10 to 13 shows an organic electroluminescent device and a driving method and apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자는 서로 직교하는 m 개의 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 n+1 개의 로우라인들(RL0,RL1 내지 RLn)과, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 로우라인들(RL0,RL1 내지 RLn) 사이의 화소영역에 매트릭스 타입으로 m×n 개의 픽셀들((1,1) 내지 (m,n))과, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm) 각각에 직렬로 접속된 다이오드들(D11)을 구비한다. Referring to FIGS. 10 and 11, the present invention a second embodiment in the organic EL device is the m number of column lines that are orthogonal to each other (CL1 to CLm) and (n + 1) row lines in accordance with the (RL0, RL1 to RLn ) and column lines (CL1 to CLm) and row lines (RL0, RL1 to RLn) the matrix type the m × n pixels in the pixel area ((1, 1 between a) to (m, n)) and and having a diodes (D11) connected in series to the column lines (CL1 to CLm) respectively.

픽셀들((1,1) 내지 (m,n)) 각각은 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 N 번째 로우라인(RL(N))의 교차부에 형성되는 제1 스위치 TFT(SW11)와, 셀구동전압원(VDD)과 전계발광셀(OLED) 사이에 형성되어 전계발광셀(OLED)을 구동하기 위한 구동 TFT(DRV)와, 제1 스위치 TFT(SW1)와 구동 TFT(DRV_TFT) 사이에 접속된 캐패시터(Cst)와, N-1 번째 로우라인(RL(N-1)) 상의 전압에 응답하여 초기전압라인(VIL) 상의 초기화전압(VI)을 캐패시터(Cst)에 공급하기 위한 제2 스위치 TFT(SW12)를 구비한다. Pixels ((1, 1) to (m, n)) each of the column lines (CL1 to CLm) and the first switching TFT (SW11) are formed at the intersection of the N-th row line (RL (N)) and between the cell driving voltage source (VDD) and the electroluminescent cell (OLED) is formed between the light emitting cells and the driving TFT (DRV) for driving the (OLED), a first switch TFT (SW1) and the driving TFT (DRV_TFT) and a connection capacitor (Cst), and N-1 in response to the voltage on the second row lines (RL (N-1)) for supplying the reset voltage (VI) on the initial voltage line (VIL) to the capacitor (Cst) 2 a switch TFT (SW12). 스위치 TFT(SW11,SW12), 구동 TFT(DRV) 및 다이오드(D11)는 P 타입 MOS-FET로 구현된다. Switch TFT (SW11, SW12), the driving TFT (DRV) and a diode (D11) is implemented with a P-type MOS-FET.

다이오드용 TFT(D11)의 소스단자는 도시하지 않은 컬럼드라이버의 출력단자에 접속된다. The source terminal of the diode TFT (D11) for is connected to the output terminal of the column driver (not shown). 이 TFT(D11)의 드레인단자와 게이트단자는 컬럼라인들(CL1 내지 CLm) 상에서 단락된다. The drain terminal and gate terminal of the TFT (D11) is short-circuited on the column lines (CL1 to CLm). 이러한 다이오드(D11)는 구동 TFT(DRV)와 동일한 문턱전압(Vth)을 가짐으로써 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 공급되는 데이터전압(Vcl)을 구동 TFT(DRV)의 문턱전압(Vth) 만큼 보상하게 된다. The diode (D11) includes a driving TFT (DRV) column lines by a have the same threshold voltage (Vth) (CL1 to CLm) compensated for the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DRV) of data voltage (Vcl) to be supplied to the It is.

한편, 폴리실리콘 기판 상 TFT들이 직접 형성되는 경우에 일반적으로 세로방향의 TFT들은 동일한 도메인영역 내에 형성되므로 동일한 특성을 가지게 된다. On the other hand, generally TFT in the vertical direction when a polysilicon TFT substrate are directly formed are have the same characteristics is formed in the same domain region. 이 때문에 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 하나씩 연결된 다이오드(D11)는 수직방향의 픽셀들 예컨데 (1,1), (1,2), (1,3), ... , (1,n-1), (1,n)의 픽셀들 각각에 설치된 구동 TFT(DRV)의 문턱전압을 균일하게 보상할 수 있게 된다. For this reason, the column line (CL1 to CLm), one associated diode (D11) are the pixels in the vertical direction for example (1,1), (1,2), (1,3), a ..., (1, n- 1), (it is possible to uniformly compensate for the threshold voltage of the driving TFT (DRV) is installed in each of the pixels in the 1, n).

제1 스위치 TFT(SW11)의 소스단자는 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 접속되며, 드레인단자는 제2 스위치 TFT(SW12)의 드레인단자, 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 접속된다. A first source terminal of the switch TFT (SW11) is connected to the column lines (CL1 to CLm), the drain terminal to the gate terminal of the second switching TFT (SW12) a drain terminal, a capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV) of It is connected. 그리고 제1 스위치 TFT(SW11)의 게이트단자는 N 번째 로우라인(RL(N))에 접속된다. And the gate terminal of the first switch TFT (SW11) is connected to the N-th row line (RL (N)). 이 제1 스위치 TFT(SW11)는 N 번째 로우라인(RL(N))으로부터의 부극성 스캔전압에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스를 도통시킴과 아울러 N 번째 로우라인(RL(N)) 상의 전압이 자신의 문턱전압 이하일 때 오프 상태를 유지하게 된다. The first switch TFT (SW11) is turned on in response to a negative scan voltage from the N-th row line (RL (N)) - and the whole being Sikkim conducting a current path between its source and drain terminals as well as N th the voltage on the row lines (RL (N)) is maintained in an oFF state when below their threshold voltage. 이 스위치 TFT(SW11)의 온타임기간에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터의 데이터전압(Vcl)은 제1 스위치 TFT(SW11)의 소스단자와 드레인단자를 경유하여 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 인가된다. A switch TFT (SW11) column lines in the on-time period of the data voltage (Vcl) from (CL1 to CLm) of the first switch TFT (SW11) via the source terminal and the drain terminal of the capacitor (Cst) and the driving TFT is applied to the gate terminal of the (DRV). 이와 반대로, 제1 스위치 TFT(SW11)의 오프타임기간에는 제1 스위치 TFT(SW11)의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스가 개방되어 데이터전압(Vcl)이 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에 인가되지 않는다. On the other hand, the first switch-off time period of the TFT (SW11), the first switch TFT (SW11) a current path between the source terminal and the drain terminal is opened the data voltage (Vcl) a capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV ) it is not applied to.

구동 TFT(DRV)의 소스단자는 공통전압라인(VDDL)에 접속됨과 아울러 캐패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 드레인단자는 전계발광셀(OLED)의 애노드전극에 접속된다. The source terminal of the driving TFT (DRV) will soon as connected to the common voltage line (VDDL) as well as being coupled to one terminal of a capacitor (Cst), the drain terminal is connected to the anode electrode of the electroluminescent cell (OLED). 그리고 구동 TFT(DRV)의 게이트단자는 캐패시터(Cst)와 제1 및 제2 스위치 TFT(SW11,SW12)의 드레인단자에 접속된다. And the gate terminal of the driving TFT (DRV) is coupled to the drain terminal of the capacitor (Cst) and the first and second switching TFT (SW11, SW12). 이 구동 TFT(DRV)는 자신의 게이트단자에 공급되는 게이트전압(Vcl-Vth)에 응답하여 자신의 소스단자와 드레인단자간의 전류를 조절하여 게이트전압(Vcl-Vth)에 대응하는 밝기로 전계발광셀(OLED)을 발광하게 한다. The driving TFT (DRV) is a light emitting brightness corresponding to the gate voltage (Vcl-Vth) to control the current between its source and drain terminals in response to a gate voltage (Vcl-Vth) is supplied to the gate terminal and the light emitting cell (OLED). 여기서, 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)은 컬럼라인(CL1 내지 CLm)으로부터의 데이터전압(Vcl)에서 다이오드(D11)의 문턱전압(Vth) 만큼 차감된 전압이다. Here, the gate voltage (Vcl-Vth) of the driving TFT (DRV) is a voltage by subtracting the threshold voltage (Vth) of the diode (D11) in the data voltage (Vcl) from the column lines (CL1 to CLm).

캐패시터(Cst)는 N 번째 로우라인(RL(N))에 스캔전압이 공급되기 전에 제2 스위치 TFT(SW12)로부터 공급되는 부극성의 초기화전압(VI)을 미리 충전하여 초기화된다. A capacitor (Cst) is initialized to pre-charge the N-th row line (RL (N)) initializing voltage (VI) of negative polarity supplied from the second switch TFT (SW12) before the scan voltage is supplied to. 이렇게 캐패시터(Cst)를 초기화시키는 것은 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 데이터전압(Vcl-Vth)이 공급될 수 있게 하기 위하여 데이터전압(Vcl)이 공급되기 전에 구동 TFT(DRV)의 게이트단자의 전압을 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 전압보다 더 낮은 전압으로 충전시키기 위함이다. To do so, initialize the capacitor (Cst) is driven before the data voltage (Vcl) is applied to allow can be supplied with the data voltage (Vcl-Vth) on the column lines (CL1 to CLm) to the gate terminal of the driving TFT (DRV) It is charged to a voltage of the gate terminal of the TFT (DRV) to a lower voltage than the voltage on the column lines (CL1 to CLm) in order. 다시 말하여, 캐패시터(Cst)는 데이터전압(Vcl)이 공급되기 전에 일정 기간동안 데이터전압(Vcl)보다 다이오드(D1)의 문턱전압(Vth) 이상 더 낮은 전압이 공급되어 초기화된다. Words, a capacitor (Cst) is initialized data voltage (Vcl) is lower than the threshold voltage (Vth) of the diode (D1) than for a period of time the data voltage (Vcl) voltage is supplied before the supply. 이렇게 캐패시터(Cst)가 초기화된 후, 데이터전압(Vcl)이 인가되면 캐패시 터(Cst)는 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)과 셀구동전압(VDD) 사이의 차전압을 저장하여 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)을 한 프레임기간동안 일정하게 유지함과 아울러 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류를 한 프레임기간 동안 일정하게 유지시킨다. After this capacitor (Cst) is initialized, when a data voltage (Vcl) applying the difference voltage between the capacitor when emitter (Cst) is a gate voltage (Vcl-Vth) and the cell drive voltage (VDD) of the driving TFT (DRV) stored and maintained constant during the constant while maintaining the gate voltage (Vcl-Vth) and the one frame period as well as the current one frame period is applied to the electroluminescent cell (OLED) of the driving TFT (DRV).

제2 스위치 TFT(SW12)의 소스단자는 초기전압라인(VIL)에 접속되고, 드레인단자는 다이오드(D1), 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 접속된다. A second source terminal of the switch TFT (SW12) is connected to the initial line voltage (VIL), a drain terminal is connected to the gate terminal of the diode (D1), a capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV). 그리고 제2 스위치 TFT(SW12)의 게이트단자는 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))에 접속된다. And a second gate terminal of the switch TFT (SW12) is connected to the N-1 first row line (RL (N-1)). 이 제2 스위치 TFT(SW12)는 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 전압(Vcl-Vth)이 캐패시터(Cst)에 공급되기 전에 N-1 번째 로우라인(RL(N-1)) 상의 전압에 의해 턴-온되어 초기전압라인(VIL) 상의 초기화전압(VI)을 캐패시터(Cst)에 공급함으로써 캐패시터(Cst)를 초기화시키게 된다. The second switch TFT (SW12) is a column line (CL1 to CLm) by the voltage on N-1 first row line (RL (N-1)) before it is supplied to the capacitor (Cst) voltage (Vcl-Vth) on the It turned on by the initialization voltage supply (VI) on the initial line voltage (VIL) to the capacitor (Cst), thereby initializing the capacitor (Cst).

도 12는 도 10 및 도 11에 도시된 유기전계발광소자에 인가되는 스캔전압과 데이터전압을 나타낸다. 12 shows the scanning voltage and the data voltage applied to the organic light emitting element shown in FIGS.

도 12를 참조하면, Ta 기간 동안 최상측의 더미 로우라인(RL0)에는 부극성의 더미 스캔전압이 인가된다. 12, is applied to the dummy scan voltage of the negative dummy row line (RL0) in the top side for a period Ta. 이 때, 더미 로우라인(RL0) 상의 부극성 전압에 응답하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제2 스위치 TFT(SW12)는 턴-온되어 초기전압라인(VIL) 상의 초기화전압(VI)을 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에 공급하게 된다. At this time, the first scanning line included in the pixel in response to the negative voltage on the dummy row line (RL0) ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m is turned on to supply the initialization voltage (VI) on the initial line voltage (VIL) to the capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV) -, the second switch TFT (SW12) is turned on in 1)). 한편, Ta 기간 내에서 별도의 더미 데이터가 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급될 수도 있다. On the other hand, a separate dummy data in the period Ta is also be supplied to the column lines (CL1 to CLm).

Tb 기간 동안 제1 로우라인(RL1)에는 부극성의 스캔전압이 인가됨과 동시에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 다이오드(D11)의 문턱전압(Vth) 만큼 낮아진 데이터전압(Vcl-Vth)이 공급된다. A first row line (RL1) has soon as applied to a scan voltage of a negative polarity at the same time the column lines (CL1 to CLm) to the threshold voltage (Vth) by a lower data voltage (Vcl-Vth) of the diode (D11) is supplied during the Tb period do. 이 때, 제1 로우라인(RL1) 상의 부극성 전압에 응답하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제1 스위치 TFT(SW11)가 턴-온됨과 동시에 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 제2 스위치 TFT(SW12)가 턴-온된다. At this time, the first row lines included in the first scan line of pixels in response to the negative voltage on the (RL1) ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), ( m, 1)) a first switch TFT (SW11) is turned on - the on-as soon pixels included at the same time to the second scan line ((1,2), (2,2) ... (m-1,2) , the (m, 2)) the second switch TFT (SW12) of the turned-on. 또한, Tb 기간 동안 더미 로우라인(RL0) 상의 전압은 하이논리전압으로 반전되어 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제2 스위치 TFT(SW12)를 턴-오프시킨다. In addition, the voltage on the dummy row line (RL0) for a period of Tb is inverted to the high logic voltage of the pixel included in the first scan line ((1,1), (2,1) ... (m-1,1 ), (m, 1)) of turns on the second switch TFT (SW12) - turning off. 따라서, Tb 기간 동안 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에는 다이오드(D11)에 의해 문턱전압이 보상된 데이터전압(Vcl-Vth)이 공급되어 전계발광셀(OLED)을 발광시키게 되며, 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 캐패시터(Cst)는 제2 스위치 TFT(SW12)를 경유하여 공급되는 초기화전압(VI)을 충전하여초기화된다. Therefore, a capacitor (Cst) and the driving of the pixels included in the first scan line for a period of time Tb ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m, 1)) TFT (DRV), the diode (D11) the data voltage (Vcl-Vth) the threshold voltage is compensated by the supplied and thereby emit a light-emitting cell (OLED), the two pixels included in the second scan line ((1, 2), (2,2) ... (m-1,2), (m, 2) a capacitor (Cst) of a) is charged to the second switching TFT (initialization voltage (VI) that is supplied via SW12) and it is initialized.

결과적으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자는 다이오드(D11)를 통과하여 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상에 공급되는 전압을 구동 TFT(DRV)의 문턱전압만큼 보상하고, 이렇게 보상된 전압이 구동 TFT(DRV) 및 캐팻시터(Cst)에 공급될 수 있도록 이전 주사라인에 해당하는 N-1 번째 라인을 스캔시 현재 주사되어야 하는 주사라인의 캐패시터를 초기화하게 된다. As a result, the organic EL device according to the second embodiment of the invention compensated for the threshold voltage of the voltage through the diode (D11) fed to the column lines (CL1 to CLm) driving TFT (DRV), so scanning the N-1 th line for the previous scan line to the compensation voltage can be supplied to the driving TFT (DRV) and kaepaet capacitors (Cst) it is to initialize the capacitors of the scanning line to be currently scanned.

본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자는 전술한 바와 같이 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 연결되도록 다이오드(D11)를 설치하여 그 다이오드(D11)의 문 턱전압을 이용하여 구동 TFT(DRV)의 문턱전압을 보상함으로써 구동 TFT(DRV)의 문턱전압으로 인한 전계발광셀(OLED)의 전류(I OLED )의 감소를 예방하게 된다. The organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention is driven using the jaws voltage by installing a diode (D11) to be connected to the column lines (CL1 to CLm) the diode (D11), as described above TFT ( by compensating the threshold voltage of the DRV) it is to prevent a decrease in the current (I OLED) of the electroluminescent cell (OLED) due to the threshold voltage of the driving TFT (DRV). 전계발광셀(OLED)에 공급되는 전류(I OLED )는 수학식 2와 같다. Current (I OLED) supplied to the electro luminescence cell (OLED) is equal to the equation (2).

도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자를 구동하기 위한 구동장치를 나타낸다. 13 shows a driving apparatus for driving the organic EL device according to the second embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동장치는 비디오신호발생부(131)로부터 데이터와 동기신호를 입력받는 인터페이스부(132)와, m 개의 컬럼라인(CL1 내지 CLm)과 다이오드(D11)가 연결된 n+1 개의 로우라인들(RL0 내지 RLn)이 교차되며 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 로우라인들(RL0 내지 RLn) 사이의 화소영역에 m×n 개의 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 유기전계발광패널(136)과, 유기전계발광패널(136)의 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 데이터를 공급하기 위한 컬럼드라이버(135)와, 유기전계발광패널(136)의 로우라인들(RL0 내지 RLn)에 스캔펄스를 공급하기 위한 로우드라이버(137)와, 컬럼드라이버(135)에 감마전압(Vγ)을 공급하기 위한 감마전압발생부(134)와, 컬러드라이버(135) 및 로우드라이버(137)를 제어하기 위한 타이밍콘트롤러(133)와, 13, in the second embodiment in the organic EL device driving apparatus includes an interface unit 132 for receiving data and synchronization signals from the video signal generating section 131 according to the present invention, m-column line ( CL1 to CLm) and diode (D11) is the associated (n + 1) row lines (RL0 to RLn) is are cross the pixel region between the column lines (CL1 to CLm) and the row lines (RL0 to RLn) m × and n pixels to the column driver 135 for supplying data to the column lines of the organic light emitting panel 136 and the organic light emitting panel 136 arranged in a matrix form (CL1 to CLm), organic electroluminescent the row lines of the panel (136) (RL0 to RLn) row driver 137 and the gamma voltage generator 134 for supplying a gamma voltage (Vγ) to the column driver 135 for supplying a scan pulse to the and a timing controller 133 for controlling a color driver 135 and the row driver 137, 널드라이버(135,137)와 타이밍콘트롤러(133)에 필요한 구동전압과 셀구동전압(VDD) 및 초기화전압(VI)을 발생하기 위한 전원발생부(138)를 구비한다. Board and a power generation unit 138 for generating a driver (135 137) and the driving voltage and the cell voltage required for driving the timing controller (133) (VDD), and the initialization voltage (VI).

유기전계발광패널(136)은 애노드전극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층이 적층되는 전계발광셀(OLED), 제1 및 제2 스위치(SW1,SW2), 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV) 등을 포함한 m×n 개의 픽셀들이 유리기판 상에 형성됨과 아울러, 컬럼드라이버(135)와 픽셀들 사이에서 각 컬럼라인들(CL1 내지 CLm) 상에 다이오드(D11)가 형성된다. The organic light emitting panel 136 is an anode electrode, a hole injection layer, a light emitting layer, an electron injection layer, light-emitting cell (OLED), which is stacked first and second switches (SW1, SW2), the capacitor (Cst) and the driving TFT ( DRV) formed on the glass substrate are m × n pixels, including the addition, the diode (D11) on each of the column lines (CL1 to CLm) between the column driver 135 and the pixels are formed.

비디오신호발생부(131)는 도시하지 않은 입력라인으로부터의 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변환함과 아울러 수직 및 수평동기신호와 클럭신호를 인터페이스부(132)에 공급한다. Video signal generation unit 131 also converts analog data from the input line (not shown) into digital data and supply as well as the vertical and horizontal synchronizing signals and a clock signal to the interface unit 132.

인터페이스부(132)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 방식, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 방식, RSDS 방식 등의 인터페이스방식을 이용하여 비디오신호발생부(131)로부터의 데이터(RGB)와 함께 동기신호(HV) 및 클럭신호 등을 포함한 제어신호(TCS)를 타이밍콘트롤러(133)에 공급하게 된다. Interface unit 132 with data (RGB) from the LVDS (Low Voltage Differential Signaling) method, TMDS (Transition Minimized Differential Signaling) method, RSDS scheme such as a video signal generation unit 131 by using the interface method of the synchronization signal a control signal (TCS), including (HV) and a clock signal is supplied to the timing controller 133.

타이밍콘트롤러(133)는 컬럼제어신호(CCS)를 발생하고 인터페이스부(133)로부터의 데이터(RGB)를 제어신호(TCS)에 따라 샘플링하여 그 데이터(RGB)를 컬럼제어신호(CCS)와 함께 컬럼드라이버(135)에 공급한다. The timing controller 133 is the column control signal (CCS) occurs, and the sampled along the data (RGB) from the interface unit 133, a control signal (TCS) to with the data (RGB) and the column control signal (CCS) and it supplies it to the column driver 135. 컬럼제어신호(CCS)에는 컬럼 드라이버(135)의 쉬프트클럭, 래치신호, 멀티플렉서 제어신호 등을 포함한다. The column control signal (CCS) includes a shift clock, a latch signal, a multiplexer control signal, such as a column driver 135. 또한, 타이밍콘트롤러(133)는 쉬프트레지스터의 동작개시를 지시하는 스타트펄스와 쉬프트레지스터의 쉬프트클럭 등을 포함한 로우제어신호(RCS)를 발생하고 그 로우제어신호(RCS)를 로우드라이버(137)에 공급하게 된다. Further, the timing controller 133 generates a row control signal (RCS) including a shift clock of the start pulse and a shift register for instructing the operation start of the shift register and the row control signal (RCS) to the row driver 137 It is supplied.

감마전압발생부(134)는 전원발생부(138)로부터 공급되는 고전위공통전압과 저전위공통전압을 분압하여 데이터의 각 계조레벨에 대응하는 감마전압(Vγ)을 발 생하고 그 감마전압(Vγ)을 컬럼드라이버(135)에 공급하게 된다. A gamma voltage generating unit 134 to the gamma voltage (Vγ) corresponding to the gradation level of the high potential common voltage and the divided data with a low potential common voltage supplied from the power generating section 138 is generated, and the gamma voltages ( a Vγ) is supplied to the column driver 135.

컬럼드라이버(135)는 타이밍콘트롤러(133)로부터 공급되는 컬럼제어신호(CCS)에 응답하여 데이터(RGB)를 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급하게 된다. Column driver 135 is to supply data (RGB) in response to the column control signal (CCS) which is supplied from the timing controller 133 to the column lines (CL1 to CLm). 이 컬럼드라이버(135)는 타이밍콘트롤러(133)로부터의 데이터(RGB)를 샘플링한 후에, 그 데이터를 래치한 다음, 래치된 데이터를 디코드하여 데이터값에 대응하는 감마전압(Vγ)을 데이터전압(Vcl)으로써 선택하게 된다. After the column driver 135 is a sampled data (RGB) from the timing controller 133, and a latch that data, and then, the decodes the latched data, a gamma voltage (Vγ) corresponding to the data value of the data voltage ( is selected as Vcl). 컬럼드라이버(85)로부터 발생된 데이터전압(Vcl)은 로우드라이버(137)로부터 발생된 스캔펄스에 동기되어 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 동시에 공급된다. The data voltage generated from a column driver (85), (Vcl) is supplied in synchronization with the scan pulses generated from the row driver 137, while the column lines (CL1 to CLm).

로우구동부(137)는 타이밍콘트롤러(133)로부터 공급되는 로우제어신호(RCS)에 응답하여 부극성의 스캔전압까지 떨어지는 스캔펄스를 발생하고, 그 스캔펄스를 유기전계발광패널(136)의 로우라인들(RL0 내지 RLn)에 순차적으로 공급하게 된다. Row lines of the row driver 137 in response to the row control signal (RCS) supplied from the timing controller 133 generates the falling scan pulse to a scan voltage of a negative polarity to, and the scan pulse organic electroluminescence panel 136, the (RL0 to RLn) is supplied in sequence. 이 로우드라이버(137)는 부극성의 스캔펄스를 순차적으로 발생하는 쉬프트 레지스터와, 스캔전압의 스윙폭을 스위치 TFT(SW11,SW12)의 구동에 적합한 레벨로 쉬프트시키기 위한 레벨쉬프터를 포함한다. This is a row driver 137 includes a level shifter for shifting a scan pulse of a negative polarity to a level suitable for driving the shift register, and a scan voltage swing width of the switch TFT (SW11, SW12) that occur in sequence.

전원발생부(138)는 고전위공통전압과 저전위공통전압을 발생하고 그 공통전압들을 감마전압발생부(134)에 공급함과 아울러, 컬럼드라이버(135)의 집적회로(Integrated Circuit : IC)의 구동전압과 초기화전압(VI) 및 셀 구동전압(VDD) 등을 발생하고 그 전압들을 컬럼드라이버(135)에 공급하게 된다. Of: (IC Integrated Circuit), the power generation unit 138 is the high potential common voltage and generates a low potential common voltage and supplying the addition of the common voltage to the gamma voltage generator 134, an integrated circuit column driver 135 generating a driving voltage and the initialization voltage (VI) and the cell drive voltage (VDD) and the like to supply those voltages to the column driver 135. 또한, 전원발생부(138)는 부극성의 스캔전압을 발생하고, 그 스캔전압을 로우드라이버(137)에 공급하게 된다. In addition, the power generation unit 138 is to generate a scan voltage of a negative polarity, and supplies the scan voltage to the row driver 137.

도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸다. 14 shows an organic electroluminescent device according to a third embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기전계발광소자의 각 픽셀은 N 번째 로우라인(RL(N))과 컬럼라인(CL1 내지 CLm)의 교차부에 형성되는 제1 스위치 TFT(SW31)와, N-1 번째 로우라인(RL(N-1))과 컬럼라인(CL1 내지 CLm)의 교차부에 형성되는 제2 스위치 TFT(SW32)와, 전계발광셀(OLED)을 구동하기 위한 구동 TFT(DRV)와, 구동 TFT(DRV)와 공통전압라인(VDDL) 사이에 접속된 캐패시터(Cst)와, 제1 스위치 TFT(SW31)와 구동 TFT(DRV) 사이에 접속되어 구동 TFT(DRV)의 문턱전압을 보상하기 위한 다이오드(D31)와, 캐패시터(Cst)의 초기화기간 동안 전계발광셀(OLED)에 공급되는 전류를 차단하기 위한 제3 스위치 TFT(SW33)를 구비한다. 14, each pixel of the organic EL device according to the third embodiment of the present invention is the N-th row line (RL (N)) and the first switch formed at the intersection of column lines (CL1 to CLm) a TFT (SW31) and, N-1 first row line (RL (N-1)) the second switch TFT (SW32) and the electroluminescent cell (OLED) formed at intersections of the column lines (CL1 to CLm) is connected between the driving TFT (DRV), and a driving TFT (DRV) and the common voltage line a capacitor (Cst) connected between the (VDDL), the first switch TFT (SW31) and the driving TFT (DRV) for driving the driving and a and TFT diode (D31) for compensating for a threshold voltage of (DRV), the third switch TFT (SW33) for cutting off the current supplied to the electroluminescent cell (OLED) during the setup period of the capacitor (Cst). 제1 및 제2 스위치 TFT(SW31,32), 다이오드(D31) 및 구동 TFT(DRV)는 P 타입 MOS-FET로 구현되며, 제3 스위치 TFT(SW33)는 N 타입 MOS-FET로 구현된다. The first and second switching TFT (SW31,32), a diode (D31) and the driving TFT (DRV) is implemented as a P-type MOS-FET, a third switch TFT (SW33) is implemented with N-type MOS-FET.

제1 스위치 TFT(SW31)의 소스단자는 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 접속되며, 드레인단자는 제1 노드(n1)를 경유하여 다이오드(D31)에 접속된다. A first source terminal of the switch TFT (SW31) is connected to the column lines (CL1 to CLm), the drain terminal is connected to the diode (D31) through the first node (n1). 그리고 제1 스위치 TFT(SW31)의 게이트단자는 N 번째 로우라인(RL(N))에 접속된다. And the gate terminal of the first switch TFT (SW31) is connected to the N-th row line (RL (N)). 이 제1 스위치 TFT(SW31)는 N 번째 로우라인(RL(N))으로부터의 부극성 스캔전압에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스를 도통시킴과 아울러 N 번째 로우라인(RL(N)) 상의 전압이 자신의 문턱전압 이하일 때 오프 상태를 유지하게 된다. The first switch TFT (SW31) is turned on in response to a negative scan voltage from the N-th row line (RL (N)) - and the whole being Sikkim conducting a current path between its source and drain terminals as well as N th the voltage on the row lines (RL (N)) is maintained in an oFF state when below their threshold voltage. 이 스위치 TFT(SW31)의 온타임기간에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터의 데이터전압(Vcl)은 제1 스위치 TFT(SW31)의 소스단자와 드레인단자를 경유하여 다이오드(D31)에 인가된다. Data voltage (Vcl) from the switch TFT column lines in the on-time period (SW31) (CL1 to CLm) is applied to the diode (D31) through the source terminal and the drain terminal of the first switch TFT (SW31) . 이와 반대로, 제1 스위치 TFT(SW31)의 오프타임기간에는 제1 스위치 TFT(SW31)의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스가 개방되어 데이터전압(Vcl)이 다이오드(D31)에 인가되지 않는다. On the other hand, the first switch-off time period of the TFT (SW31), the first switch TFT is a current path between the source terminal and the drain terminal opening (SW31) data voltage (Vcl) is not applied to the diode (D31).

제2 스위치 TFT(SW32)의 소스단자는 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 접속되고, 드레인단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 다이오드(D31), 캐패시터(Cst), 구동 TFT(DRV)에 접속된다. A second switch a source terminal of the TFT (SW32) is connected to the column lines (CL1 to CLm), the drain terminal to the second via a node (n2) a diode (D31), the capacitor (Cst), the driving TFT (DRV) It is connected. 그리고 제2 스위치 TFT(SW32)의 게이트단자는 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))에 접속된다. And a second gate terminal of the switch TFT (SW32) is connected to the N-1 first row line (RL (N-1)). 이 제2 스위치 TFT(SW32)는 데이터전압(Vcl)이 캐패시터(Cst)에 공급되기 전에 N-1 번째 로우라인(RL(N-1)) 상의 전압에 의해 턴-온되어 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 초기화전압(VI)을 캐패시터(Cst)에 공급함으로써 캐패시터(Cst)를 초기화시키게 된다. The second switch TFT (SW32) is a data voltage (Vcl) before it is supplied to the capacitor (Cst) N-1 first turn by the voltage on the row lines (RL (N-1)) - is one column line (CL1 to CLm), thereby initializing the capacitor (Cst) by supplying the reset voltage (VI) on the capacitor (Cst).

구동 TFT(DRV)의 소스단자는 공통전압라인(VDDL)에 접속됨과 아울러 캐패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 드레인단자는 전계발광셀(OLED)의 애노드전극에 접속된다. The source terminal of the driving TFT (DRV) will soon as connected to the common voltage line (VDDL) as well as being coupled to one terminal of a capacitor (Cst), the drain terminal is connected to the anode electrode of the electroluminescent cell (OLED). 그리고 구동 TFT(DRV)의 게이트단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 다이오드(D31), 캐패시터(Cst) 및 제2 스위치 TFT(SW32)의 드레인단자에 접속된다. And the gate terminal of the driving TFT (DRV) is connected to the drain terminal of the by way of the second node (n2) a diode (D31), the capacitor (Cst) and a second switch TFT (SW32). 이 구동 TFT(DRV)는 자신의 게이트단자에 공급되는 게이트전압(Vcl-Vth)에 응답하여 소스단자와 드레인단자간의 전류를 조절하여 게이트전압(Vcl-Vth)에 대응하는 밝기로 전계발광셀(OLED)을 발광하게 한다. The driving TFT (DRV) is a light-emitting cell to a brightness corresponding to the gate voltage (Vcl-Vth) to control the current between their response to the gate voltage (Vcl-Vth) is supplied to the gate terminal and the source terminal and the drain terminal ( It makes the light emitting OLED). 여기서, 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)은 컬럼라인(CL1 내지 CLm)으로부터의 데이터전압(Vcl)에서 다이오드(D31)의 문턱전압(Vth) 만큼 차감된 전압이다. Here, the gate voltage (Vcl-Vth) of the driving TFT (DRV) is a voltage by subtracting the threshold voltage (Vth) of the diode (D31) in the data voltage (Vcl) from the column lines (CL1 to CLm).

캐패시터(Cst)는 N 번째 로우라인(RL(N))에 스캔전압이 공급되기 전에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터 공급되는 부극성 전압을 미리 충전하여 초기화된다. A capacitor (Cst) is initialized to pre-charge the negative voltage supplied from the column lines (CL1 to CLm) before the scan voltage is applied to the N-th row line (RL (N)). 이렇게 캐패시터(Cst)가 초기화된 후, 데이터전압(Vcl)이 캐패시터(Cst)에 인가되면 캐패시터(Cst)는 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)과 셀구동전압(VDD) 사이의 차전압을 저장하여 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)을 한 프레임기간동안 일정하게 유지함과 아울러 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류를 한 프레임기간 동안 일정하게 유지시킨다. Between this is applied after the capacitor (Cst) is initialized, the data voltage (Vcl) a capacitor (Cst) a capacitor (Cst) is a gate voltage (Vcl-Vth) and the cell drive voltage (VDD) of the driving TFT (DRV) storing the difference voltage and kept constant for a certain period while maintaining the gate voltage (Vcl-Vth) for one frame period as well as a frame period the current applied to the light emitting cell (OLED) of the driving TFT (DRV).

다이오드(D31)는 P 타입 MOS TFT로 구현된다. A diode (D31) is implemented with a P-type MOS TFT. 다이오드용 TFT(D31)의 소스단자는 제1 노드(n1)를 경유하여 제1 스위치 TFT(SW31)의 드레인단자에 접속된다. The source terminal of the diode TFT (D31) for is connected to the drain terminal of the first switch TFT (SW31) via the first node (n1). 이 TFT(D31)의 드레인단자와 게이트단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 단락된다. The drain terminal and gate terminal of the TFT (D31) is short-circuited via the second node (n2). 또한, 다이오드용 TFT(D31)의 드레인단자와 게이트단자는 제2 노드(n2)를 경유하여 제2 스위치 TFT(SW32), 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에 접속된다. Further, the drain terminal and gate terminal of the TFT diode (D31) for is connected to the second via a node (n2) a second switch TFT (SW32), a capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV). 이 다이오드(D31)는 구동 TFT(DRV)와 동일한 문턱전압(Vth)을 가짐으로써 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 공급되는 데이터전압을 구동 TFT(DRV)의 문턱전압(Vth) 만큼 보상하게 된다. A diode (D31) is compensated by the driving TFT (DRV) and a threshold voltage (Vth) of the same threshold voltage of the driving TFT to the data voltage supplied to the gate terminal of the driving TFT (DRV) by having the (Vth) (DRV) .

제3 스위치 TFT(SW33)의 소스단자는 구동 TFT(DRV)의 드레인단자에 접속되고, 드레인단자는 전계발광셀(OLED)의 애노드전극에 접속된다. A third source terminal of the switch TFT (SW33) is connected to the drain terminal of the driving TFT (DRV), the drain terminal is connected to the anode electrode of the electroluminescent cell (OLED). 그리고 제3 스위치 TFT(SW33)의 게이트단자는 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))에 접속된다. And a third gate terminal of the TFT switch (SW33) is connected to the N-1 first row line (RL (N-1)). 이 제3 스위치 TFT(SW33)는 이전 라인의 스캐닝시 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))로부터 공급되는 부극성의 스캔전압에 의해 턴-오프되고 그 이외의 기간에 온 상태를 유지한다. The third switch TFT (SW33) is by a scan voltage of a negative polarity is supplied from the time of scanning of the previous line N-1 first row line (RL (N-1)) it turned off to the on state in a period other than that maintained. 따라서, 제3 스위치 TFT(SW33)는 이전 라인의 스캐닝시 자신의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스를 개방하여 초기화전압에 의해 구동 TFT(DRV)의 게이트전압이 상승함에 따라 전계발광셀(OLED)에 공급되는 전류를 차단하는 반면에, 데이터전압(Vcl)이 공급되는 기간에 자신의 소스단자와 드레인단자 사이에 전류패스를 형성하여 전계발광셀(OLED)에 전류가 공급되도록 한다. Thus, the third switch TFT (SW33) is a light emitting cell, as the gate voltage increases of the driving TFT (DRV) by the initialization voltage to open a current path between its source and drain terminals when the scanning of the previous line (OLED ), the current supplied to the other hand to block in, to form a current path between its source and drain terminals in the period in which the data voltage (Vcl) is applied such that current is supplied to the electro luminescence cell (OLED).

본 발명의 제3 실시예에 따른 유기전계발광소자의 픽셀은 도 6에 도시된 픽셀 구성에 초기화기간 동안 전계발광셀(OLED)에 입력되는 전류를 차단하기 위한 제3 스위치 TFT(SW33)가 추가된 구성과 실질적으로 동일하다. The third switch TFT (SW33) for cutting off the current input to the light emitting cell (OLED) for a pixel is set-up period in the pixel configuration shown in Figure 6 of the organic EL device according to the third embodiment of the present invention is added a is substantially the same as the configuration. 이 유기전계발광소자의 동작을 도 7을 결부하여 설명하기로 한다. This will be described with the operation of the organic light emitting device coupled to FIG.

도 7 및 도 14를 참조하면, Ta 기간 동안 최상측의 더미 로우라인(RL0)에는 부극성의 스캔전압이 인가된다. 7 and 14, is a scan voltage of a negative polarity, the dummy row line (RL0) of the top side during application period Ta. Ta 기간의 후기에 포함된 Tc 기간에는 더미 로우라인(RL0) 상의 전압이 부극성 스캔전압을 유지하게 되며, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 캐패시터(Cst)를 초기화하기 위한 초기화전압(VI)이 공급된다. Tc period contained in the reviews of Ta period, a dummy row line (RL0) and to keep the scan voltage polarity voltage is negative on the column lines, the initialization voltage (VI) for initializing the capacitor (Cst) to (CL1 to CLm) It is supplied. Ta 및 Tc 기간 동안에, 더미 로우라인(RL0)에 접속된 제2 스위치 TFT(SW32)가 턴-온되는 반면에, 제3 스위치 TFT(SW33)는 턴-오프된다. Ta and Tc during the period, the second switch TFT (SW32) connected to the dummy row line (RL0) turned on while the whole, the third switch TFT (SW33) is turned off. 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 초기화전압(VI)은 Tc 기간동안 온 상태를 유지하는 제2 스위치 TFT(SW32)에 의해 제2 스위치 TFT(SW32)를 경유하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제2 노드(n2) 및 캐패시터(Cst)에 공급된다. Reset voltage (VI) on the column lines (CL1 to CLm) is in the second switching TFT of the pixel and a second switch TFT (SW32) by (SW32) to the first scan line by way of maintaining an on state for a Tc duration ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m, 1)) is supplied to the second node (n2) and a capacitor (Cst) of the. 이와 동시에, 제3 스위치 TFT(SW33)는 더미 로우라인(RL0) 상의 부극성 스캔전압에 응답하여 턴-오프됨으로써 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류를 차단하게 된다. Is cut off the current applied to the light emitting cell (OLED) being off-the same time, a third switch TFT (SW33) is turned on in response to a negative scan voltage on the dummy row line (RL0). 한편, Ta 기간 내에서 별도의 더미 데이터가 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급될 수도 있다. On the other hand, a separate dummy data in the period Ta is also be supplied to the column lines (CL1 to CLm).

Ta 기간에서 Tb 기간으로 전이되는 시점에 더미 로우라인(RL1) 상의 전압은 하이논리전압으로 반전되어 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제1 스위치 TFT(SW31)를 턴-오프시키는 반면에, 제3 스위치 TFT(SW33)를 턴-온시킨다. The low voltage on the dummy line (RL1) to the point at which a transition period Tb in the period Ta is inverted to the high logic voltage of the pixel included in the first scan line ((1,1), (2,1), ..., ( m-1,1), (m, 1)) a first switch TFT (SW31) turned on - thereby on-the other hand, for turning off the third switch turns on the TFT (SW33).

Tb 기간 동안 제1 로우라인(RL1)에는 부극성의 스캔전압이 인가됨과 동시에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 데이터가 공급된다. During the period Tb first row lines (RL1), the data is supplied to the soon as applied to a scan voltage of a negative polarity at the same time, column lines (CL1 to CLm). 이 때, 제1 로우라인(RL1) 상의 스캔전압에 응답하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제1 스위치 TFT(SW31)는 턴-온되어 데이터전압(Vcl)을 제1 노드(n1)에 공급한다. At this time, the first row lines in response to a scan voltage of the pixel included in the first scan line on the (RL1) ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m , a first switch TFT (SW31) of a)) is turned on, turns on to supply the data voltage (Vcl) to the first node (n1). 이렇게 데이터전압(Vcl)이 인가되면, 다이오드(D31)는 제2 노드(n2) 상의 전압이 초기화에 의해 제1 노드(n1) 상의 데이터전압(Vcl)보다 자신의 문턱전압(Vth) 만큼 더 낮기 때문에 턴-온되어 제1 노드(n1) 상의 데이터전압(Vcl)을 제2 노드(n2)에 공급하게 된다. So when the data voltage (Vcl) is a diode (D31) to the second node (n2) as the lower, data voltages their threshold voltage (Vth) than (Vcl) on the first node (n1) by the initialization voltage on the since it turned on so to supply a data voltage (Vcl) on the first node (n1) to a second node (n2). 이 때, 제2 노드(n2)에 접속된 구동 TFT(DRV)는 자신의 게이트단자에 공급되는 데이터전압(Vcl)에 의해 전계발광셀(OLED)에 데이터값에 대응하는 전류를 공급하게 되며, 캐패시터(Cst)는 구동 TFT(DRV)의 게이트전압을 유지시키게 된다. At this time, the second driving TFT connected to the node (n2) (DRV) is to supply a current corresponding to a data value to the electroluminescent cell (OLED) by the data voltage (Vcl) to be supplied to the gate terminal, a capacitor (Cst) is thereby holding the gate voltage of the driving TFT (DRV). Tb 기간의 후기에 포함된 Tc 기간에는 제1 로우라인(RL1) 상의 전압이 부극성 스캔전압을 유지하게 되며, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 캐패시터(Cst)를 초기화하기 위한 초기화전압(VI)이 공급된다. Tc period contained in the reviews of Tb period, the first row lines (RL1) voltage is maintained for a negative scan voltage, and the column lines (CL1 to CLm) initializing voltage (VI for initializing the capacitor (Cst) to over ) it is supplied. 그러면 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 초기화전압(VI)은 Tb 기간의 후기에 포함된 Tc 기간 동안에 온 상태를 유지하는 제2 스위치 TFT(SW32)에 의해 제2 스위치 TFT(SW32)를 경유하여 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 제2 노드(n2)에 공급된다. The two, initializing voltage (VI) on the column lines (CL1 to CLm) is via a second switch TFT (SW32) by a second switch TFT (SW32) for holding the on-state while the Tc time period contained in the reviews of Tb period the pixels included in the second scan line ((1,2), (2,2) ... (m-1,2), (m, 2)) is supplied to the second node (n2) of the.

도 15는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸다. 15 shows an organic electroluminescent device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기전계발광소자의 픽셀들 각각은 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 접속된 다이오드(D41)와, 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)과 N 번째 로우라인(RL(N))의 교차부에 형성되는 제1 스위치 TFT(SW41)와, 셀구동전압원(VDD)과 전계발광셀(OLED) 사이에 형성되어 전계발광셀(OLED)을 구동하기 위한 구동 TFT(DRV)와, 제1 스위치 TFT(SW1)와 구동 TFT(DRV_TFT) 사이에 접속된 캐패시터(Cst)와, N-1 번째 로우라인(RL(N-1)) 상의 전압에 응답하여 전계발광셀(OLED)에 전류를 공급하기 위한 전류패스를 제어하는 제3 스위치 TFT(SW43)를 구비한다. 15, and a diode (D41) connected to each of the pixels of the organic EL device according to a fourth embodiment of the present invention, column lines (CL1 to CLm), column lines (CL1 to CLm) and the N-th and a row line (RL (N)) the first switch TFT (SW41) are formed at the intersection of, is formed between the cell driving voltage source (VDD) and the electroluminescent cell (OLED) drives the light emitting cell (OLED) and a driving TFT (DRV) for the first switch TFT (SW1) and the capacitor (Cst) connected between the driving TFT (DRV_TFT), N-1 first row line (RL (N-1)) in response to the voltage on the It will be provided with a third switch TFT (SW43) for controlling a current path for supplying current to the light emitting cell (OLED). 제1 및 제2 스위치 TFT(SW41,SW42), 구동 TFT(DRV) 및 다이오드(D41)는 P 타입 MOS-FET로 구현되며, 제3 스위치 TFT(SW43)는 N 타입 MOS-FET로 구현된다. The first and second switching TFT (SW41, SW42), the driving TFT (DRV) and a diode (D41) is implemented as a P-type MOS-FET, a third switch TFT (SW43) is implemented with N-type MOS-FET.

다이오드용 TFT(D41)의 소스단자는 도시하지 않은 컬럼드라이버의 출력단자에 접속된다. The source terminal of the diode TFT (D41) for is connected to the output terminal of the column driver (not shown). 이 TFT(D41)의 드레인단자와 게이트단자는 컬럼라인들(CL1 내지 CLm) 상에서 단락된다. The drain terminal and gate terminal of the TFT (D41) is short-circuited on the column lines (CL1 to CLm). 이러한 다이오드(D41)는 구동 TFT(DRV)와 동일한 문턱전압(Vth)을 가짐으로써 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 공급되는 데이터전압(Vcl)을 구동 TFT(DRV)의 문턱전압(Vth) 만큼 보상하게 된다. The diode (D41) includes a driving TFT (DRV) column lines by a have the same threshold voltage (Vth) (CL1 to CLm) compensated for the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DRV) of data voltage (Vcl) to be supplied to the It is.

제1 스위치 TFT(SW41)의 소스단자는 컬럼라인(CL1 내지 CLm)에 접속되며, 드레인단자는 제2 스위치 TFT(SW42)의 드레인단자, 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 접속된다. A first source terminal of the switch TFT (SW41) is connected to the column lines (CL1 to CLm), the drain terminal to the gate terminal of the second switching TFT (SW42) a drain terminal, a capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV) of It is connected. 그리고 제1 스위치 TFT(SW41)의 게이트단자는 N 번째 로우라인(RL(N))에 접속된다. And the gate terminal of the first switch TFT (SW41) is connected to the N-th row line (RL (N)). 이 제1 스위치 TFT(SW41)는 N 번째 로우라인(RL(N))으로부터의 부극성 스캔전압에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스단자와 드레인 단자 사이의 전류패스를 도통시킴과 아울러 N 번째 로우라인(RL(N)) 상의 전압이 자신의 문턱전압 이하일 때 오프 상태를 유지하게 된다. The first switch TFT (SW41) is turned on in response to a negative scan voltage from the N-th row line (RL (N)) - and the whole being Sikkim conducting a current path between its source and drain terminals as well as N th the voltage on the row lines (RL (N)) is maintained in an oFF state when below their threshold voltage. 이 스위치 TFT(SW41)의 온타임기간에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)로부터의 데이터전압(Vcl)은 제1 스위치 TFT(SW41)의 소스단자와 드레인단자를 경유하여 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 인가된다. A switch TFT (SW41) column lines in the on-time period of the data voltage (Vcl) from (CL1 to CLm) of the first switch TFT (SW41) via the source terminal and the drain terminal of the capacitor (Cst) and the driving TFT is applied to the gate terminal of the (DRV). 이와 반대로, 제1 스위치 TFT(SW41)의 오프타임기간에는 제1 스위치 TFT(SW41)의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스가 개방되어 데이터전압(Vcl)이 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에 인가되지 않는다. On the other hand, the first switch-off time period of the TFT (SW41), the first switch TFT (SW41) a current path between the source terminal and the drain terminal is opened the data voltage (Vcl) a capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV ) it is not applied to.

구동 TFT(DRV)의 소스단자는 공통전압라인(VDDL)에 접속됨과 아울러 캐패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 드레인단자는 제3 스위치 TFT(SW43)의 소스단자에 접속된다. The source terminal of the driving TFT (DRV) will soon as connected to the common voltage line (VDDL) as well as being coupled to one terminal of a capacitor (Cst), the drain terminal is connected to the source terminal of the third switch TFT (SW43). 그리고 구동 TFT(DRV)의 게이트단자는 캐패시터(Cst)와 제1 및 제2 스위치 TFT(SW41,SW42)의 드레인단자에 접속된다. And the gate terminal of the driving TFT (DRV) is coupled to the drain terminal of the capacitor (Cst) and the first and second switching TFT (SW41, SW42). 이 구동 TFT(DRV)는 자신의 게이트단자에 공급되는 게이트전압(Vcl-Vth)에 응답하여 자신의 소스단자와 드레인단자간의 전류를 조절하여 게이트전압(Vcl-Vth)에 대응하는 밝기로 전계발광셀(OLED)을 발광하게 한다. The driving TFT (DRV) is a light emitting brightness corresponding to the gate voltage (Vcl-Vth) to control the current between its source and drain terminals in response to a gate voltage (Vcl-Vth) is supplied to the gate terminal and the light emitting cell (OLED). 여기서, 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)은 컬럼라인(CL1 내지 CLm)으로부터의 데이터전압(Vcl)에서 다이오드(D11)의 문턱전압(Vth) 만큼 차감된 전압이다. Here, the gate voltage (Vcl-Vth) of the driving TFT (DRV) is a voltage by subtracting the threshold voltage (Vth) of the diode (D11) in the data voltage (Vcl) from the column lines (CL1 to CLm).

캐패시터(Cst)는 N 번째 로우라인(RL(N))에 스캔전압이 공급되기 전에 제2 스위치 TFT(SW42)로부터 공급되는 부극성의 초기화전압(VI)을 미리 충전하여 초기화된다. A capacitor (Cst) is initialized to pre-charge the N-th row line (RL (N)) initializing voltage (VI) of negative polarity supplied from the second switch TFT (SW42) before the scan voltage is supplied to. 이렇게 캐패시터(Cst)가 초기화된 후, 데이터전압(Vcl)이 캐패시터(Cst)에 인가되면 캐패시터(Cst)는 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)과 셀구동전압(VDD) 사이의 차전압을 저장하여 구동 TFT(DRV)의 게이트전압(Vcl-Vth)을 한 프레임기간동안 일정하게 유지함과 아울러 전계발광셀(OLED)에 인가되는 전류를 한 프레임기간 동안 일정하게 유지시킨다. Between this is applied after the capacitor (Cst) is initialized, the data voltage (Vcl) a capacitor (Cst) a capacitor (Cst) is a gate voltage (Vcl-Vth) and the cell drive voltage (VDD) of the driving TFT (DRV) storing the difference voltage and kept constant for a certain period while maintaining the gate voltage (Vcl-Vth) for one frame period as well as a frame period the current applied to the light emitting cell (OLED) of the driving TFT (DRV).

제2 스위치 TFT(SW42)의 소스단자는 초기전압라인(VIL)에 접속되고, 드레인단자는 다이오드(D1), 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)의 게이트단자에 접속된다. A second source terminal of the switch TFT (SW42) is connected to the initial line voltage (VIL), a drain terminal is connected to the gate terminal of the diode (D1), a capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV). 그리고 제2 스위치 TFT(SW42)의 게이트단자는 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))과 제3 스위치 TFT(43)에 접속된다. And a second gate terminal of the switch TFT (SW42) is connected to the N-1 first row line (RL (N-1)) and the third switching TFT (43). 이 제2 스위치 TFT(SW42)는 컬럼라인(CL1 내지 CLm) 상의 전압(Vcl-Vth)이 캐패시터(Cst)에 공급되기 전에 N-1 번째 로우라인(RL(N-1)) 상의 전압에 의해 턴-온되어 초기전압라인(VIL) 상의 초기화전압(VI)을 캐패시터(Cst)에 공급함으로써 캐패시터(Cst)를 초기화시키게 된다. The second switch TFT (SW42) is a column line (CL1 to CLm) by the voltage on N-1 first row line (RL (N-1)) before it is supplied to the capacitor (Cst) voltage (Vcl-Vth) on the It turned on by the initialization voltage supply (VI) on the initial line voltage (VIL) to the capacitor (Cst), thereby initializing the capacitor (Cst).

제3 스위치 TFT(SW43)의 소스단자는 구동 TFT(DRV)의 드레인단자에 접속되고, 드레인단자는 전계발광셀(OLED)의 애노드전극에 접속된다. A third source terminal of the switch TFT (SW43) is connected to the drain terminal of the driving TFT (DRV), the drain terminal is connected to the anode electrode of the electroluminescent cell (OLED). 그리고 제3 스위치 TFT(SW33)의 게이트단자는 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))과 제2 스위치 TFT(SW42)의 게이트단자에 접속된다. And a third gate terminal of the TFT switch (SW33) is connected to the gate terminal of the N-1 first row line (RL (N-1)) and a second switch TFT (SW42). 이 제3 스위치 TFT(SW43)는 이전 라인의 스캐닝시 N-1 번째 로우라인(RL(N-1))로부터 공급되는 부극성의 스캔전압에 의해 턴-오프되고 그 이외의 기간에 온 상태를 유지한다. The third switch TFT (SW43) is by a scan voltage of a negative polarity is supplied from the time of scanning of the previous line N-1 first row line (RL (N-1)) it turned off to the on state in a period other than that maintained. 따라서, 제3 스위치 TFT(SW43)는 이전 라인의 스캐닝시 자신의 소스단자와 드레인단자 사이의 전류패스를 개방하여 초기화전압에 의해 구동 TFT(DRV)의 게이트전압이 상승함에 따라 전계발광셀(OLED)에 공급되는 전류를 차단하는 반면에, 데이터전압(Vcl)이 공급되는 기간에 자신의 소스단자와 드레인단자 사이에 전류패스를 형성하여 전계발광셀(OLED)에 전류가 공급되도록 한 다. Thus, the third switch TFT (SW43) is a light emitting cell, as the gate voltage increases of the driving TFT (DRV) by the initialization voltage to open a current path between its source and drain terminals when the scanning of the previous line (OLED ), the current supplied to the other hand to block in, to form a current path between its source and drain terminals in the period in which the data voltage (Vcl) is supplied is such that the current is supplied to the electro luminescence cell (OLED).

본 발명의 제4 실시예에 따른 유기전계발광소자의 픽셀은 도 11에 도시된 픽셀 구성에 초기화기간 동안 전계발광셀(OLED)에 입력되는 전류를 차단하기 위한 제3 스위치 TFT(SW43)가 추가된 구성과 실질적으로 동일하다. The third switch TFT (SW43) is added for cutting off the current input to the light emitting cell (OLED) for the organic electroluminescent device pixel period initialized to the pixel configuration shown in Figure 11 according to a fourth embodiment of the present invention a is substantially the same as the configuration. 이 유기전계발광소자의 동작을 도 12를 결부하여 설명하기로 한다. This will be described in conjunction to Fig. 12. The operation of the organic electroluminescent device.

도 15 및 도 12를 참조하면, Ta 기간 동안 최상측의 더미 로우라인(RL0)에는 부극성의 더미 스캔전압이 인가된다. 15 and 12, is dummy row line (RL0) in the top side has applied to the dummy scan voltage of a negative polarity during the period Ta. 이 때, 더미 로우라인(RL0) 상의 부극성 전압에 응답하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제2 스위치 TFT(SW42)는 턴-온됨과 동시에 제3 스위치 TFT(43)는 턴-오프된다. At this time, the first scanning line included in the pixel in response to the negative voltage on the dummy row line (RL0) ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m , 1 second TFT switch (SW42) of a)) is turned on as soon at the same time the third switching TFT (43) is turned off. 그러면 초기전압라인(VIL) 상의 초기화전압(VI)은 제2 스위치 TFT(SW42)의 소스단자와 드레인단자를 경유하여 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에 공급되며, 구동 TFT(DRV)의 소스단자와 드레인단자를 경유하여 전계발광셀(OLED) 쪽으로 흐르는 전류는 제3 스위치 TFT(SW43)에 의해 차단된다. The initialization voltage (VI) on the initial voltage line (VIL) is of the second switching TFT through the source terminal and the drain terminal of the (SW42) is supplied to the capacitor (Cst) and the driving TFT (DRV), the driving TFT (DRV) by way of the source terminal and the drain terminal of the current flowing into the light emitting cell (OLED) it is cut off by a third switch TFT (SW43). 한편, Ta 기간 내에서 별도의 더미 데이터가 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 공급될 수도 있다. On the other hand, a separate dummy data in the period Ta is also be supplied to the column lines (CL1 to CLm).

Tb 기간 동안 제1 로우라인(RL1)에는 부극성의 스캔전압이 인가됨과 동시에 컬럼라인들(CL1 내지 CLm)에 다이오드(D11)의 문턱전압(Vth) 만큼 낮아진 데이터전압(Vcl-Vth)이 공급된다. A first row line (RL1) has soon as applied to a scan voltage of a negative polarity at the same time the column lines (CL1 to CLm) to the threshold voltage (Vth) by a lower data voltage (Vcl-Vth) of the diode (D11) is supplied during the Tb period do. 이 때, 제1 로우라인(RL1) 상의 부극성 전압에 응답하여 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제1 스위치 TFT(SW11)가 턴-온된다. At this time, the first row lines included in the first scan line of pixels in response to the negative voltage on the (RL1) ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), ( the first switch TFT (SW11) of m, 1)) is turned on. 이와 동시에 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 제2 스위치 TFT(SW12)가 턴-온되고, 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 제3 스위치 TFT(SW43)가 턴-오프된다. In the same time the pixels included in the second scan line ((1,2), (2,2) ... (m-1,2), (m, 2)) The second switch TFT (SW12) are turned on - on and, of the pixels included in the second scan line ((1,2), (2,2) ... (m-1,2), (m, 2)), the third switch TFT (SW43) of It is turned off. 또한, Tb 기간 동안 더미 로우라인(RL0) 상의 전압은 하이논리전압으로 반전되어 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 제2 스위치 TFT(SW42)를 턴-오프시킨다. In addition, the voltage on the dummy row line (RL0) for a period of Tb is inverted to the high logic voltage of the pixel included in the first scan line ((1,1), (2,1) ... (m-1,1 ), (m, 1)) of turns on the second switch TFT (SW42) - turning off. 따라서, Tb 기간 동안 첫 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,1),(2,1) ... (m-1,1),(m,1))의 캐패시터(Cst) 및 구동 TFT(DRV)에는 다이오드(D41)에 의해 문턱전압이 보상된 데이터전압(Vcl-Vth)이 공급되어 전계발광셀(OLED)을 발광시키게 된다. Therefore, a capacitor (Cst) and the driving of the pixels included in the first scan line for a period of time Tb ((1,1), (2,1) ... (m-1,1), (m, 1)) TFT (DRV), the diode (D41) the data voltage (Vcl-Vth) in threshold voltage is compensated by the supply, thereby light-emitting the light emitting cell (OLED). 그리고 Tb 기간 동안 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 캐패시터(Cst)는 초기화되고 두 번째 주사라인에 포함된 픽셀들((1,2),(2,2) ... (m-1,2),(m,2))의 제3 스위치 TFT(SW43)는 턴-오프되어 전계발광셀(OLED) 쪽으로 흐르는 전류를 차단하게 된다. And the pixels included in the second scan line during the period Tb ((1,2), (2,2) ... (m-1,2), (m, 2)) a capacitor (Cst) is initialized in two third switch TFT (SW43) is turned on in the pixels included in the second scan line ((1,2), (2,2) ... (m-1,2), (m, 2)) - off is thereby cut off the current flowing into the light emitting cell (OLED).

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치는 구동 TFT의 문턱전압을 보상하기 위한 다이오드를 컬럼라인과 구동 TFT 사이 또는 컬럼라인 상에 설치하게 된다. As described above, the driving method and apparatus of an organic EL device according to the present invention is to install the diodes for compensating the threshold voltage of the driving TFT on the line between the columns and the driving TFT or the column lines. 이에 따라, 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치는 다이오드를 이용하여 구동 TFT의 문턱전압을 보상함으로써 데이터전압의 저하를 줄여 전계발광셀에 인가되는 전류의 세기를 높은 수준으로 유지할 수 있으므로 그 만큼 유기전계발광소자의 휘도균일도를 높일 수 있게 된다. Accordingly, the driving method of an organic light emitting device according to the invention and apparatus can use the diode to maintain the intensity of the current applied to the light emitting cell by compensating for the threshold voltage of the driving TFT by reducing the degradation of the data voltage to a high level so that as it is possible to increase the luminance uniformity of an organic EL device. 나아가, 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치는 데이터가 공급되기 전 에 다이오드의 문턱전압 이하로 설정된 초기화전압을 캐패시터에 공급하여 데이터전압을 안정하게 공급할 수 있게 되며, 초기화기간에 구동 TFT를 경유하여 전계발광셀 쪽으로 흐르는 전류를 차단하기 위한 스위치소자를 구동 TFT와 전계발광셀 사이에 형성함으로써 비표시라인의 발광을 억제하여 콘트라스트를 높일 수 있게 된다. Further, the driving method of the organic EL device according to the invention and the device is able to supply an initialization voltage is set to less than the threshold voltage of the diode before the data is supplied to the capacitor can be supplied to stabilize the data voltage, driving the set-up period by way of the TFT by forming a switching element for interrupting a current flowing into the light emitting cell between the driving TFT and the light emitting cells to suppress the emission of the non-display lines can be increased in contrast.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. Those skilled in the art what is described above will be appreciated that various changes and modifications within the range which does not depart from the spirit of the present invention are possible. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다. Accordingly, the technical scope of the present invention will have to be not limited to the contents described in the description of the specification appointed by the claims.

Claims (33)

  1. 데이터가 공급되는 다수의 컬럼라인들과, A plurality of column lines to which data is supplied and,
    상기 컬럼라인들에 교차되며 주사라인을 선택하기 위한 다수의 로우라인들과, And intersecting the said column lines and a plurality of row lines for selecting a scanning line,
    상기 컬럼라인들과 상기 로우라인들 사이의 화소영역에 형성된 셀과, And cells formed in pixel regions between said row lines and said column lines,
    상기 데이터에 응답하여 상기 셀에 공급되는 전류를 제어하기 위한 구동 트랜지스터와, And in response to the data driving transistor for controlling the current supplied to the cell,
    상기 로우라인들 중에서 N 번째(단, N은 0보다 큰 양의 정수) 로우라인 상의 전압에 응답하여 상기 컬럼라인들로부터의 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하기 위한 스위치 트랜지스터와, And the row lines from the N-th transistors for switch in response to the voltage on the row lines (where, N is a positive integer greater than 0), supplying the data from said column line to the driving transistor,
    상기 스위치 트랜지스터를 통해 상기 구동 트랜지스터에 공급되는 데이터에 대하여 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 다이오드를 구비하며, With respect to data supplied to the driving transistor through said switching transistor and having a diode for compensating for the threshold voltage of the driving transistor,
    상기 다이오드는 상기 컬럼라인에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The diode is an organic light emitting element, characterized in that connected to the column line.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 다이오드의 문턱전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The threshold voltage of the diode is an organic light emitting element, characterized in that equal to the threshold voltage of the driving transistor.
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  5. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 셀에 구동전압을 공급하기 위한 구동전압원과, And the driving voltage source to supply a driving voltage to said cell,
    상기 구동 트랜지스터와 상기 구동전압원 및 상기 스위치 트랜지스터 사이에 설치되어 상기 데이터를 충전하기 위한 캐패시터와, And it is provided between the drive transistor and the driving voltage source and the switching transistor a capacitor for charging the data,
    상기 로우라인들 중에서 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 상기 캐패시터에 공급되는 전압을 제어하는 제2 스위치 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The organic electroluminescent device characterized in that the further comprises a second switch transistor from among the row lines to N-1 in response to the voltage on the second row lines controlling the voltage supplied to the capacitor.
  6. 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 로우라인들 중에서 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 상기 셀에 공급되는 전류를 제어하는 제3 스위치 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The third organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising a switch transistor for from among the row lines to N-1 in response to the voltage on the second row lines control the current supplied to the cell.
  7. 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 데이터와 다른 초기화전압을 발생하는 초기화전압원을 더 구비하고, Further comprising a voltage source for generating the initialization data and the different initialization voltage,
    상기 제2 스위치 트랜지스터는 상기 N-1 번째 로우라인과 상기 초기화전압원 사이에 접속되어 상기 데이터와 다른 초기화전압을 상기 캐패시터에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. It said second switch transistor is an organic electroluminescent device characterized in that it is connected between the initialization voltage and the N-1 first row line supplying the data and other initialization voltage to the capacitor.
  8. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 데이터와 다른 초기화전압을 발생하는 초기화전압원을 더 구비하고, Further comprising a voltage source for generating the initialization data and the different initialization voltage,
    상기 캐패시터는 상기 제2 스위치 트랜지스터의 제어에 의해 상기 데이터를 충전하기 전에 상기 초기화전압을 충전하여 초기화되며, The capacitors are initialized by the initialization voltage charge before charging the data under the control of the second switching transistor,
    상기 제3 스위치 트랜지스터는 상기 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 상기 캐패시터의 초기화기간에 상기 셀에 공급되는 전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The third switch transistor organic electroluminescent device is characterized in that in response to the voltage on the N-1 first row line off the current supplied to the cell in the setup period of the capacitor.
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  10. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 초기화전압원과 상기 제2 스위치 트랜지스터 사이에 형성되어 상기 초 기화전압을 상기 제2 스위치 트랜지스터에 공급하기 위한 적어도 하나의 초기전압라인을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The initialization is formed between the voltage source and the second switch transistor organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising at least one initial voltage line for supplying the initialization voltage to the second switch transistor.
  11. 제 7 항, 제 8 항, 및 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, The method of claim 7, claim 8, and any one of items 10,
    상기 초기화전압은 상기 데이터보다 상기 다이오드의 문턱전압 이하 만큼 더 낮은 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The initialization voltage of the organic electroluminescent device, characterized in that as lower a threshold voltage or less of the diode than the data.
  12. 데이터가 공급되는 다수의 컬럼라인들과 주사라인을 선택하기 위한 다수의 로우라인들 사이의 화소영역에 셀이 형성되며 상기 데이터에 응답하여 상기 셀에 공급되는 전류를 제어하기 위한 구동 트랜지스터 및 상기 컬럼라인들로부터의 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하기 위한 스위치 트랜지스터가 형성된 유기전계발광소자를 구동하는 방법에 있어서, A plurality of cells are formed in pixel regions between the row line drive transistor and the column for controlling the current supplied to the cell in response to said data for selecting a plurality of column lines and a scan line to which data is supplied according to data from the line to a method for driving the organic electroluminescent device is formed of a switch transistor for supplying the driving transistor,
    상기 구동 트랜지스터에 공급되는 데이터의 신호전송패스 상에 형성된 다이오드의 문턱전압으로 상기 데이터를 보상하는 단계와, And compensating for the data to a threshold voltage of the diodes formed on the signal transmission path of the data supplied to the driving transistor,
    상기 보상된 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하는 단계를 포함하며, Comprising the step of supplying the compensated data to the drive transistor,
    상기 다이오드는 상기 컬럼라인 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. The diode driving method of an organic light emitting element, characterized in that formed on the column line.
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  15. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 다이오드의 문턱전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. The threshold voltage of the diode is the driving method of the organic electroluminescent device, characterized in that equal to the threshold voltage of the driving transistor.
  16. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 구동 트랜지스터와 상기 스위치 트랜지스터 사이에 설치된 캐패시터에 상기 데이터와 다른 초기화전압을 공급하여 상기 캐패시터를 초기화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. The driving method of the organic electroluminescent device characterized in that it supplies the data and the different initialization voltage to a capacitor provided between the drive transistor and the switching transistor further comprising the step of initializing the capacitor.
  17. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 보상된 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하는 단계는, Supplying the compensated data to the drive transistor,
    상기 캐패시터가 초기화된 후에 상기 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. The driving method of the organic electroluminescent device, characterized in that for supplying the data to the drive transistor, after which the capacitor is initialized.
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  19. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 데이터와 다른 초기화전압을 초기전압라인에 공급하는 단계와, And the step of supplying the data and other initialization voltage to the initial voltage line,
    상기 로우라인들 중에서 N-1 번째(단, N은 0보다 큰 양의 정수) 로우라인에 상기 초기화전압에 동기되는 스캔전압을 공급하여 상기 N-1 번째 로우라인에 접속된 제2 스위치 트랜지스터를 턴-온시킴으로써 상기 구동 트랜지스터와 상기 스위치 트랜지스터 사이에 설치된 캐패시터를 초기화하는 단계와, From among the row lines N-1-th (where, N is a positive integer greater than 0) the second switch transistor connected to the N-1 first row lines to supply the scan voltage that is synchronized with the initialization voltage to the row line and initializing a capacitor is provided between the driving transistor and the switching transistor by turning, turn-
    상기 로우라인들 중에서 N 번째 로우라인에 상기 데이터에 동기되는 스캔전압을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. The driving method of the organic electroluminescent device is characterized in that the N-th row line among the row lines further comprises the step of supplying the scan voltage that is synchronized with the data.
  20. 제 19 항에 있어서, 20. The method of claim 19,
    상기 초기화전압은 상기 데이터보다 상기 다이오드의 문턱전압 이하 만큼 더 낮은 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. It said initialization voltage is a driving method of an organic light emitting element, characterized in that as lower a threshold voltage or less of the diode than the data.
  21. 제 19 항에 있어서, 20. The method of claim 19,
    상기 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 상기 N-1 번째 로우라인과 상기 셀 및 상기 구동 트랜지스터 사이에 설치된 제3 스위치 트랜지스터를 턴-오프시켜 상기 셀에 공급되는 전류를 차단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. The N-1 beonjjae in response to the voltage on the row line turns on the third switching transistor is provided between the N-1 first row line and the cells and the drive transistors, the step of blocking the current supplied to the cell was turned off more driving method of an organic light emitting device comprising.
  22. 다수의 컬럼라인들과 다수의 로우라인들이 교차되며 상기 컬럼라인들과 로우라인들 사이의 화소영역에 배치된 셀이 형성되며 데이터에 응답하여 상기 셀을 구동하기 위한 구동 트랜지스터와 상기 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하기 위한 스위치 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 다이오드를 가지는 표시패널과, A plurality of column lines and a plurality of row lines intersect and the column lines and row lines of the pixel region of the cell is formed placed in the drive for driving the cell in response to the data transistor and the driving the data between and a display panel having a diode for compensating for the switching transistor and a threshold voltage of the drive transistor for supplying the transistor,
    상기 컬럼라인들에 상기 데이터를 공급하기 위한 컬럼구동부와, And a column driver for supplying the data to said column lines,
    상기 로우라인들에 스캔전압을 순차적으로 공급하기 위한 로우구동부와, And a row driving unit for supplying a scan voltage to the row lines sequentially,
    상기 컬럼구동부에 상기 데이터를 공급함과 아울러 상기 컬럼구동부와 상기 로우구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어부를 구비하며, And supplies the data to the column drivers as well, and a control section for controlling the operation timing of the column driver and the row driver,
    상기 다이오드는 상기 컬럼라인 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동방법. The diode driving method of an organic light emitting element, characterized in that formed on the column line.
  23. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 다이오드의 문턱전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. The threshold voltage of the diode driving apparatus of an organic EL device, characterized in that equal to the threshold voltage of the driving transistor.
  24. 삭제 delete
  25. 삭제 delete
  26. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 스위치 트랜지스터는 상기 로우라인들 중에서 N(단, N은 0보다 큰 양의 정수) 번째 로우라인 상의 상기 스캔전압에 응답하여 상기 데이터를 상기 구동 트랜지스터에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. The switch transistor of the organic EL device, characterized in that for supplying the data to N (where, N is a positive integer greater than 0) in response to the scan voltage on the second row line among the row lines to the driving transistor drive device.
  27. 제 26 항에 있어서, 27. The method of claim 26,
    상기 셀에 구동전압을 공급하기 위한 구동전압원과, And the driving voltage source to supply a driving voltage to said cell,
    상기 구동 트랜지스터와 상기 구동전압원 및 상기 스위치 트랜지스터 사이에 설치되어 상기 데이터를 충전하기 위한 캐패시터와, And it is provided between the drive transistor and the driving voltage source and the switching transistor a capacitor for charging the data,
    상기 로우라인들 중에서 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 상기 캐패시터에 공급되는 전압을 제어하는 제2 스위치 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. Drive system of the organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising a second switch transistor and N-1 in response to the voltage on the second row line among the row lines to the control voltage supplied to the capacitor.
  28. 제 27 항에 있어서, 28. The method of claim 27,
    상기 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하여 상기 셀에 공급되는 전류를 제어하는 제3 스위치 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. The N-1 driving apparatus of an organic EL device according to claim 1, further comprising a third switching transistor in response to a voltage on the second row lines for controlling the current supplied to the cell.
  29. 제 27 항에 있어서, 28. The method of claim 27,
    상기 데이터와 다른 초기화전압을 발생하는 초기화전압원을 더 구비하고, Further comprising a voltage source for generating the initialization data and the different initialization voltage,
    상기 제2 스위치 트랜지스터는 상기 N-1 번째 로우라인과 상기 초기화전압원 사이에 접속되어 상기 데이터와 다른 초기화전압을 상기 캐패시터에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. The second switching transistor is a drive system of the organic electroluminescent device characterized in that it is connected between the N-1 first row line and the initialization voltage source supplying the data and other initialization voltage to the capacitor.
  30. 제 28 항에 있어서, 29. The method of claim 28,
    상기 데이터와 다른 초기화전압을 발생하는 초기화전압원을 더 구비하고, Further comprising a voltage source for generating the initialization data and the different initialization voltage,
    상기 캐패시터는 상기 제2 스위치 트랜지스터의 제어에 의해 상기 데이터를 충전하기 전에 상기 초기화전압을 충전하여 초기화되며, The capacitors are initialized by the initialization voltage charge before charging the data under the control of the second switching transistor,
    상기 제3 스위치 트랜지스터는 상기 N-1 번째 로우라인 상의 전압에 응답하 여 상기 캐패시터의 초기화기간에 상기 셀에 공급되는 전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. The third switch transistor drive system of the organic electroluminescent device characterized in that it blocks the current supplied to the cell in the set-up period of more than the capacitor in response to the voltage on the N-1 first row line.
  31. 삭제 delete
  32. 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 29,
    상기 표시패널은, The display panel,
    상기 초기화전압원과 상기 제2 스위치 트랜지스터 사이에 형성되어 상기 초기화전압을 상기 제2 스위치 트랜지스터에 공급하기 위한 적어도 하나의 초기전압라인을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. The initialization voltage source and is formed between the second switch transistor drive system of the organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising at least one initial voltage line for supplying the initialization voltage to the second switch transistor.
  33. 제 29 항, 제 30 항 및 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of Items 29, claim 30 and claim 32,
    상기 초기화전압은 상기 데이터보다 상기 다이오드의 문턱전압 이하 만큼 더 낮은 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 구동장치. It said initialization voltage is a drive system of the organic electroluminescent device, characterized in that as lower a threshold voltage or less of the diode than the data.
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