KR100637569B1

KR100637569B1 - 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 반도체 웨이퍼의 지지부재

Info

Publication number: KR100637569B1
Application number: KR1020000026304A
Authority: KR
Inventors: 이와카타유이치; 노구치하야토; 다구치가쯔히사; 에베가즈요시
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 1999-05-18
Filing date: 2000-05-17
Publication date: 2006-10-20
Also published as: DE10023758A1; JP2000331962A; US6718223B1; TW504729B; MY123518A; GB2351606B; GB2351606A; GB0012077D0; SG100617A1; KR20000077293A

Abstract

데이터 캐리어를 구비한 반도체 웨이퍼 지지부재에, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정;

반도체 웨이퍼의 가공에 필요한 정보를 데이터 캐리어에 입력하는 공정; 및

상기 정보를 데이터 캐리어로부터 읽어내고, 그 정보에 따라 반도체 웨이퍼의 가공을 행하는 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가공방법.

반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 정보가 반도체 웨이퍼 지지부재에 설치된 데이터 캐리어에 기억되어 있기 때문에, 호스트 컴퓨터의 부담을 경감시키고, 공장간에 웨이퍼를 이송하는 경우에도 웨이퍼와 함께 필요한 정보도 같이 이송되기 때문에 정보관리가 용이해진다.

또한, 본 발명에서는 이면연삭, 다이싱 및 픽업의 일련의 공정을 웨이퍼(칩)가 지지부재 상에 유지되어 있는 동일한 형태로 행할 수 있기 때문에 공정관리가 용이해지고, 또한 공정간 반송을 웨이퍼가 지지부재 상에 유지된 형태로 행할 수 있기 때문에 반송 중 웨이퍼의 파손도 방지할 수 있다.

반도체 웨이퍼

Description

반도체 웨이퍼의 가공방법 및 반도체 웨이퍼의 지지부재{Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member}

도 1은 본 발명에 따른 제1의 반도체 웨이퍼 지지부재의 단면도를 나타낸다.

도 2는 본 발명에 따른 제2의 반도체 웨이퍼 지지부재의 단면도를 나타낸다.

도 3은 본 발명에 따른 제2의 반도체 웨이퍼 지지부재의 한 변형예의 단면도를 나타낸다.

도 4는 본 발명에 따른 제2의 반도체 웨이퍼 지지부재의 다른 변형예의 단면도를 나타낸다.

도 5는 본 발명에 따른 제3의 반도체 웨이퍼 지지부재의 단면도 및 사시도를 나타낸다.

도 6은 본 발명에 따른 제4의 반도체 웨이퍼 지지부재의 단면도 및 사시도를 나타낸다.

본 발명은 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 이 방법에 바람직하게 사용되는 반도체 웨이퍼 지지부재에 관한 것이다.

최근, 반도체 제조공정에서는 다품종 ·소로트 생산이 증가하는 경향에 있다. 따라서, 각각의 웨이퍼마다 그 가공조건이 다르기 때문에 각 품종 및 각 로트에 맞는 공정관리가 필요해진다. 또한, 웨이퍼 상에 형성된 개개의 회로(칩)마다 매우좋음, 좋음, 보통, 또는 나쁨이라는 품질수준에 관한 정보를 관리할 필요도 있다.

이러한 공정관리 또는 품질관리를 위해서는 소위 "바코드법"이 채용되고 있다. 바코드법에서는 웨이퍼의 표면에 각인되어 있는 일련번호를 바코드라벨상의 바코드에 전기(transcribe)하고, 그 바코드라벨을 웨이퍼 지지부재에 첨부한다. 한편, 그 웨이퍼에 관한 여러가지 정보를 해당 일련번호에 대응시켜 호스트 컴퓨터에 등록한다. 그리고, 반도체 웨이퍼 가공의 각 공정에서, 해당 공정의 관리에 필요한 정보를 일련번호에 따라 호스트 컴퓨터로부터 이끌어내어, 이끌어낸 정보를 기초로 필요한 처리를 행한다.

이러한 바코드법에 의한 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리법은, 예를 들면 일본 특개평4(1992)-146649호 공보, 일본 특개평9(1997)-7977호 공보 등에 자세하게 기재되어 있다.

상기와 같은 바코드법에서는 정보를 관리하는 호스트 컴퓨터에서 웨이퍼에 관한 모든 정보를 관리할 필요가 있어, 호스트 컴퓨터의 부담이 크다는 문제가 있다. 또한, 통상 웨이퍼의 가공은 하나의 공장에서 모든 공정이 행해지는 것이 아니라, 한 공장에서 다른 공장으로 이송되어 가공이 계속된다. 웨이퍼에 관한 정보는 전부 호스트 컴퓨터에 등록되어 있기 때문에, 웨이퍼가 한 공장에서 다른 공장으로 이송될 경우 웨이퍼가 이송된 공장에서 새롭게 호스트 컴퓨터에 접속하여 필요한 정보를 이끌어내던가, 또는 호스트 컴퓨터에 등록되어 있는 정보를 정보기록매체에 기억시켜 웨이퍼와 함께 이송하여, 이송처 공장의 호스트 컴퓨터에 다시 웨이퍼에 관한 정보를 등록할 필요가 있어 공정관리가 번잡해진다.

본 발명은 상기와 같은 종래기술을 감안하여 이루어진 것으로, 호스트 컴퓨터의 부담을 경감하고, 공장간에 웨이퍼를 이송하는 경우에도 정보관리가 용이한 반도체 제조 공정관리 시스템의 구축을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 가공방법은,

데이터 캐리어(data carrier)를 구비한 반도체 웨이퍼 지지부재에, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정;

반도체 웨이퍼 가공에 필요한 정보를 데이터 캐리어에 입력하는 공정; 및

상기 정보를 데이터 캐리어로부터 읽어내고, 그 정보에 따라 반도체 웨이퍼의 가공을 행하는 공정을 포함한다.

여기서 상기 반도체 웨이퍼의 가공을 행하는 공정은 바람직하게는 반도체 웨이퍼의 이면연삭, 반도체 웨이퍼의 다이싱(dicing) 및 다이싱에 의해 형성된 반도체칩의 픽업으로부터 선택되는 적어도 하나의 공정을 포함하는 공정이다.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 지지부재는 상기 반도체 웨이퍼의 가공방법에 바람직하게 사용되는 것으로서, 데이터 캐리어를 포함한다.

이러한 본 발명의 반도체 웨이퍼 지지부재로는, 예를 들어

데이터 캐리어가 그 위에 고정된 경질판을 포함하는 제1의 반도체 웨이퍼 지지부재;

데이터 캐리어가 내부에 묻힌(buried) 경질판을 포함하는 제2의 반도체 웨이퍼 지지부재;

데이터 캐리어가 그 위에 고정된 링프레임(ring frame)을 포함하는 제3의 반도체 웨이퍼 지지부재; 또는

링프레임, 링프레임에 장설된(spread) 점착시트, 그 점착시트 상에 부착된 데이터 캐리어를 포함하는 제4의 반도체 웨이퍼 지지부재를 들 수 있다.

본 발명의 반도체 웨이퍼 지지부재에 있어서, 상기 데이터 캐리어에는 지지되는 반도체 웨이퍼의 상태, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 회로의 품질 및 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 데이터에 관한 정보가 기억되는 것이 바람직하다.

이러한 본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 정보가 반도체 웨이퍼 지지부재에 설치된 데이터 캐리어에 기억되어 있기 때문에, 호스트 컴퓨터의 부담을 경감시키고, 공장간에 웨이퍼를 이송하는 경우에도, 웨이퍼와 함께 필요한 정보도 같이 이송되기 때문에 정보관리가 용이해진다.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명에 대해 더욱 구체적으로 설명한다.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 가공방법은 상술한 바와 같이,

(1) 데이터 캐리어를 구비한 반도체 웨이퍼 지지부재에, 회로가 형성된 반도 체 웨이퍼를 고정하는 공정 (이하, "웨이퍼고정 공정(1)"이라 한다);

(2) 반도체 웨이퍼의 가공에 필요한 정보를 데이터 캐리어에 입력하는 공정 (이하, "정보입력 공정(2)"이라 한다); 및

(3) 상기 정보를 데이터 캐리어로부터 읽어내고, 그 정보에 따라 반도체 웨이퍼의 가공을 행하는 공정 (이하, "가공 공정(3)"이라 한다)을 포함한다.

반도체 웨이퍼로는 종래부터 사용되고 있는 실리콘 반도체 웨이퍼, 갈륨 ·비소 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않고 각종 반도체 웨이퍼를 사용할 수 있다.

웨이퍼 표면으로의 회로의 형성은 에칭법(ethching process), 리프트오프법(lift-off process) 등의 종래부터 범용되고 있는 방법을 포함하는 다양한 방법에 의해 행할 수 있다. 이 때, 웨이퍼 이면에 산화물 피막이 형성되는 경우가 있는데 이러한 산화물 피막은 후술하는 웨이퍼 이면의 연삭에 의해 제거된다.

웨이퍼고정 공정(1)에서는 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 지지부재에 고정한다. 이 반도체 웨이퍼 지지부재는 데이터 캐리어를 포함하며, 이것에 관한 상세한 것은 후술한다.

웨이퍼를 지지부재에 고정하는 수단은 특별히 한정되지 않고, 종래부터 사용되고 있는 여러가지 수단에 의해 행할 수 있다. 후술하는 제1 및 제2의 반도체 웨이퍼 지지부재에 대해서는 왁스, 양면 점착시트 등에 의해 웨이퍼를 고정할 수 있다. 특히 본 발명에 있어서는 수축성 기재 및 그 기재의 양면에 형성된 점착제층을 포함하는 양면 점착시트가 바람직하게 사용된다.

수축성 기재로는 열수축성 필름이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 나일론, 우레탄, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐 등의 1축 또는 2축연신 필름 등을 예시할 수 있다.

상기와 같은 수축성 필름의 두께는 통상 5∼300㎛이며, 바람직하게는 10∼200㎛이다.

또한, 수축성 필름은 상기한 각종 수축성 필름으로부터 선택된 단일 수축성 필름으로 이루어진 단층구조(monolayer structure) 또는 상기한 각종 수축성 필름으로부터 선택된 복수의 수축성 필름으로 이루어진 적층구조(laminate structure)를 가질 수 있다. 수축성 필름이 적층구조를 가질 경우, 적층은 수축률(shrinkage factor)이 서로 다른 필름들로 이루어지는 것이 바람직하다. 수축률이 다른 필름끼리의 적층품을 기재로 사용하면 수축 후의 기재의 변형이 더욱 촉진된다. 기재의 수축에 따라 점착시트 자체도 변형되어, 점착시트와 웨이퍼(또는 칩)와의 접촉면적이 감소된다. 이 결과, 웨이퍼(또는 칩)와의 접착력도 감소하기 때문에 후술하는 칩의 픽업을 용이하게 행할 수가 있다.

또한, 기재로서 사용되는 수축성 필름에는 다수의 미세한 홈(cuts)이 마련되어 있어도 좋다.

이러한 홈을 마련해 놓으면 개개 칩의 픽업이 더욱 용이해진다.

본 발명에서 사용할 수 있는 양면 점착시트는 적어도 한쪽 또는 양쪽의 점착제층이 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 것이 바람직하고, 구체적으로는 웨이 퍼가 부착되는 쪽의 점착제층이 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 것이 바람직하다.

에너지선 경화형 점착제는 일반적으로 아크릴계 점착제와 에너지선 중합성 화합물을 주성분으로 포함한다.

이러한 에너지선 경화형 점착제의 상세한 것은 예를들면 일본 특개소60(1985)-196956호 공보 및 일본 특개소60(1985)-223139호 공보 등에 기재되어 있다.

또한, 에너지선 경화형 점착제층은 측쇄에 에너지선 중합성기를 갖는 에너지선 경화형 공중합체로 형성되어 있어도 좋다. 이러한 에너지선 경화형 공중합체는 점착성과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다. 측쇄에 에너지선 중합성기를 갖는 에너지선 경화형 공중합체는, 예를들면 일본 특개평5(1993)-32946호 공보, 일본 특개평8(1996)-27239호 공보 등에 자세하게 기재되어 있다.

상기와 같은 아크릴계 에너지선 경화형 점착제는 에너지선 조사 이전에는 웨이퍼(또는 칩)에 대해 충분한 접착력을 갖고, 에너지선 조사 후에는 접착력이 현저히 감소된다. 즉, 에너지선 조사 이전에는 웨이퍼(또는 칩)를 충분한 접착력으로 유지하지만, 에너지선 조사 후에는 접착력이 감소되기 때문에 얻어진 칩을 용이하게 박리할 수가 있다.

또한, 에너지선 경화형 점착제층 이외의 점착제층은 공지의 여러가지 점착제에 의해 형성될 수 있다. 이러한 점착제로는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리우레탄계, 폴리비닐 에테르 등의 재박리형 점착제 가 사용된다. 그러나, 본 발명에 있어서는 점착제층 양면 모두가 상술한 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 것이 특히 바람직하다.

각 점착제층의 두께는, 그 재질에도 따르지만, 통상은 각각 3∼100㎛ 정도이고, 바람직하게는 10∼50㎛ 정도이다.

제3의 반도체 웨이퍼 지지부재에 대해서는 링프레임에 장설된 점착시트에 의해 웨이퍼를 고정할 수 있다. 이러한 점착시트로는 예를 들면 일본 특개소60(1985)-196956호 공보, 일본 특개평8(1996)-27239호 공보 등에 기재된 점착시트를 사용할 수 있다.

또한, 후술하는 제4의 반도체 웨이퍼 지지부재 그 자체는 웨이퍼의 고정수단인 점착시트를 구비하고 있다. 점착시트로는 제3의 반도체 웨이퍼 지지재에 사용한 것과 같은 것을 사용할 수 있다.

정보입력 공정(2)에서는, 반도체 웨이퍼의 상태 및 개개 회로의 품질수준에 관한 정보 및 공정관리에 필요한 데이터에 관한 정보가 데이터 캐리어에 입력된다. 여기서, "반도체 웨이퍼의 상태"란, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 두께, 두께의 정밀도, 흠(flaw)의 유무 등이며, 이들 정보는 후술하는 반도체 웨이퍼 이면의 연삭공정에서 이용될 수 있다. 또한, 예를 들면 회로의 수, 크기, 회로간 거리 등의 정보는 후술하는 반도체 웨이퍼의 다이싱공정에서 이용될 수 있다. "개개 회로의 품질수준"이란, 구체적으로는 개개 회로의 구동성, 내구성 등이며, 매우좋음, 좋음, 보통, 또는 나쁨 등의 순위가 정해진다. 이 정보는 후술하는 반도체칩의 픽업공정에서 이용될 수 있다. 이렇게 각 칩의 순위를 정함으로써 용도에 따라 칩을 적절하게 분류하고 사용할 수 있게 되어, 예를 들어 우량칩은 고급품 또는 엄격한 환경하에서 사용되는 제품 등에 탑재되고, 우량품은 아니지만 충분히 구동하는 칩은 범용품 또는 온화한 환경하에서 사용되는 제품 등에 탑재된다. 불량칩은 픽업공정에서 제외된다. 공정관리에 필요한 데이터란, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 이면연삭 공정에서는 연삭량, 연삭속도, 최종적인 웨이퍼의 두께 등에 관한 정보이고, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에서는 다이싱 블레이드의 종류, 다이싱속도, 다이싱라인의 간격 등에 관한 정보이다. 또한 픽업공정에서는 회로의 품질수준과 관련된 칩의 탑재장소에 관한 정보이다.

또한, 상기 웨이퍼고정 공정(1) 및 정보입력 공정(2)은 정보입력 공정(2),

웨이퍼고정 공정(1)의 순으로 행하여도 좋다.

또한, 공정의 진전에 따라 복수회에 걸쳐 정보입력 공정(2)을 행하여도 좋다.

웨이퍼 가공 공정(3)에서는 반도체 웨이퍼의 이면연삭, 반도체 웨이퍼의 다이싱 및 다이싱에 의해 형성된 반도체칩의 픽업 등, 회로가 형성된 웨이퍼로부터 칩을 얻기 위해서 필요한 모든 공정으로부터 선택되는 적어도 하나의 공정이 행하여진다. 이들 공정을 행함에 있어, 상기 정보가 기록된 데이터 캐리어로부터 각각의 공정에 필요한 정보가 이끌어 내어진다.

반도체 웨이퍼의 이면연삭 공정은 회로 형성시에 반도체 웨이퍼 이면에 형성되는 산화물 피막을 제거하며, 반도체 웨이퍼의 두께를 소정의 두께까지 연삭하는 공정이다. 이 때, 상기 데이터 캐리어로부터 이면연삭 전의 반도체 웨이퍼의 두께, 두께의 정밀도, 흠의 유무 등 반도체 웨이퍼의 상태에 관한 정보 및 이면연삭시의 연삭량, 연삭속도, 최종적인 웨이퍼의 두께 등의 공정관리에 필요한 데이터가 이끌어 내어진다. 이면연삭은, 예를 들면 연삭기 등의 공지의 방법에 의해 행할 수 있다.

반도체 웨이퍼의 다이싱공정은 반도체 웨이퍼를 회로마다 절단하여 반도체칩을 얻는 공정이다. 이 때, 상기 데이터 캐리어로부터 회로의 수, 크기, 회로간 거리 등의 반도체 웨이퍼 표면에 형성되는 회로의 형성상태에 관한 정보 및 다이싱시에 사용하는 다이싱블레이드의 종류, 다이싱속도, 다이싱라인의 간격 등의 공정관리에 필요한 데이터가 이끌어 내어진다. 반도체 웨이퍼의 다이싱은 공지의 다이싱 장치에 의해 행할 수 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼의 가공방법에 있어서는 다이싱시, 회로면이 반도체 웨이퍼 지지부재에 당접하여 회로의 상태를 직접 눈으로 볼 수 없는 경우가 있다. 그러나, 이 경우에도 투명한 반도체 웨이퍼 지지부재를 사용하면 지지부재측에서 회로의 형성상태를 확인하면서 다이싱을 행할 수가 있다. 또한, 웨이퍼가 극히 얇게 연삭되는 경우, 웨이퍼 이면으로부터 회로의 형성상태를 확인할 수 있는 경우가 있어, 다이싱에 지장을 초래하는 일은 없다.

다이싱에 의해 형성된 반도체칩의 픽업공정은, 반도체 웨이퍼 지지부재로부터 칩을 박리하여 리드 프레임(lead frame) 등의 소정의 기대(substrate) 상에 탑재하는 공정이다. 이 때, 상기 데이터 캐리어로부터 개개 회로의 구동성, 내구성 등의 검사결과에 기초하여, 매우좋음, 좋음, 보통, 나쁨 등의 칩의 품질수준에 관한 정보 및 회로의 품질수준과 관련된 칩의 탑재장소에 관한 데이터 등의 공정관리 에 필요한 정보가 이끌어 내어진다.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 가공방법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 반도체 웨이퍼 지지부재에 고정한다. 수축성 기재와 그 기재의 양면에 형성된 점착제층을 포함하는 양면 점착시트를 반도체 웨이퍼 지지부재로 사용하는 경우, 기재를 수축시킴으로써 양면 점착시트가 변형되어 칩과 점착제층과의 접촉면적이 감소하기 때문에 칩의 픽업을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 점착제층에 에너지선 경화형 점착제를 사용하는 경우, 점착제층에 에너지선을 조사함으로써 점착제층이 경화하여 접착력이 감소하기 때문에 칩의 픽업이 더욱 용이해진다.

다음으로, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 지지부재에 대해서 더욱 구체적으로 설명한다.

본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 지지부재는 상기 반도체 웨이퍼의 가공방법에 바람직하게 사용되는 것으로, 데이터 캐리어를 포함하고 있다.

여기서, "데이터 캐리어"란 정보의 기억부를 갖는 담체로, 정보의 입력, 수정(reloading)을 행하거나 입력된 정보에 대해서 질문기로부터의 질문에 대한 응답을 회신하는 장치를 의미한다. 본 발명에 있어서는 전자기파를 통신매체로 하여 비접촉으로 정보의 입력 또는 출력을 행할 수 있는 비접촉 데이터 캐리어가 바람직하게 사용된다. 이러한 비접촉 데이터 캐리어로는 IC 칩과 도전성 코일을 접속하여 이루어지는, 소위 "RF 메모리"를 들 수 있다.

이러한 본 발명의 반도체 웨이퍼 지지부재로는, 구체적으로는

데이터 캐리어가 그 위에 고정된 경질판을 포함하는 제1의 반도체 웨이퍼 지 지부재;

데이터 캐리어가 내부에 묻힌 경질판을 포함하는 제2의 반도체 웨이퍼 지지부재;

데이터 캐리어가 그 위에 고정된 링프레임을 포함하는 제3의 반도체 웨이퍼 지지부재;

링프레임, 링프레임에 장설된 점착시트, 그 점착시트 상에 부착된 데이터 캐리어를 포함하는 제4의 반도체 웨이퍼 지지부재를 들 수 있다.

또한 상기 데이터 캐리어에는 상술한 것과 같은 지지되는 반도체 웨이퍼의 상태, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 회로의 품질수준 및 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 데이터에 관한 정보가 기억되는 것이 바람직하다.

이하, 상기 다양한 형태의 반도체 웨이퍼 지지부재에 대해서 도면을 참조하면서 더욱 구체적으로 설명한다.

제1의 반도체 웨이퍼 지지부재(11)는 도1에 나타내는 것과 같이 데이터 캐리어(1)가 그 위에 고정된 경질판(2)을 포함한다.

경질판(2)으로는, 예를 들면 유리판, 석영판이나 아크릴판, 폴리염화비닐판, 폴리에틸렌테레프탈레이트판, 폴리프로필렌판, 폴리카보네이트판 등의 플라스틱판을 사용할 수 있다. 플라스틱판의 경도(ASTM D 883에 따라 측정)는 바람직하게는 70MPa 이상이다. 경질판(2)의 두께는 그 재질에도 따르지만 통상 0.1∼10mm 정도이다. 또한 웨이퍼의 고정시에 상술한 에너지선 경화형 점착제층을 구비한 양면 점착시트를 사용하고, 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는 경질판(2)은 자외선 투과성 재질로 형성된다.

경질판(2)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 원형, 방형(rectangle) 또는, 방형의 한변이 반원으로 되어 있는 형상 등의 어느 것이어도 좋지만, 지지되는 반도체 웨이퍼보다 큰 것이 필요하다.

반도체 웨이퍼는 경질판(2)의 중심부에 지지되어, 반도체 웨이퍼와 데이터 캐리어(1)가 겹치지 않도록 데이터 캐리어(1)는 경질판(2)의 주변부에 고정된다. 경질판(2) 상에 데이터 캐리어(1)의 고정수단은 특별히 한정되지 않고, 접착제나 양면 점착테이프 등의 범용수단에 의해 행할 수 있다. 또한, 에칭법이나 프린트법 등에 의해 경질판(2) 상에 직접 데이터 캐리어(1)를 형성할 수도 있다.

또한, 제1의 반도체 웨이퍼 지지부재(11)에 있어서는 데이터 캐리어(1) 상에 보호시트(3)를 부착해 놓는 것이 바람직하다. 보호시트로는 폴리에틸렌 필름이나 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 기재에 점착제를 도포한 점착시트를 들 수 있다. 보호시트의 두께는 10∼200㎛ 정도가 바람직하다. 또한 보호시트에 대신하여 에폭시 수지나 우레탄 수지등의 수지를 사용하여 봉함(sealing)을 행할 수도 있다. 반도체 웨이퍼의 이면연삭시나 다이싱시는 연삭찌꺼기나 연삭열의 제거를 위해 물을 분무하면서 행하지만, 보호시트(3)를 부착해 놓으면 연삭찌꺼기나 물 등으로부터 데이터 캐리어를 보호할 수 있다.

제2의 반도체 웨이퍼 지지부재(12)는, 도2에 나타내는 것과 같이 데이터 캐리어(1)가 내부에 묻힌 경질판(2)을 포함한다. 경질판(2)으로는 상기와 같은 것이 사용된다. 도2에 나타내는 구성에서는, 경질판(2)의 주변부의 일부에는 절결부(cut)가 마련되어, 이 절결부에 데이터 캐리어(1)가 놓여지고, 또한 수지(4)로 봉해진다.

또한, 도3에 나타내는 것과 같이 경질판(2)의 측면에 구멍을 뚫어 이 구멍에 데이터 캐리어(1)를 삽입하고, 수지(4)로 봉함으로써 반도체 웨이퍼 지지부재(12)를 얻을 수도 있다.

또한, 도4에 나타내는 것과 같이 2장의 경질판(2)을 데이터 캐리어(1) 및 데이터 캐리어(1)의 두께와 동일한 지름을 갖는 스페이서(5)를 통해 적층하고, 주변부를 수지(4)로 봉함으로써 반도체 웨이퍼 지지부재(12)를 얻을 수도 있다.

제1 및 제2의 반도체 웨이퍼 지지부재에 양면 점착테이프를 사용하여 반도체 웨이퍼 회로면이 반도체 웨이퍼 지지부재에 당접하도록 반도체 웨이퍼를 고정하면, 반도체 웨이퍼의 이면연삭, 다이싱, 칩의 픽업공정을 반도체 웨이퍼를 반도체 웨이퍼 지지부재에 유지시킨 동일한 형태(configuration)로 행할 수 있다.

제3의 반도체 웨이퍼 지지부재(13)는, 도5에 나타내는 것과 같이 데이터 캐리어(1)가 그 위에 고정된 링프레임(6)을 포함한다.

제4의 반도체 웨이퍼 지지부재(14)는, 도6에 나타내는 것과 같이 링프레임(6), 링프레임(6)에 장설된 점착시트(7), 그 점착시트(7) 상에 부착된 데이터 캐리어(1)를 포함한다.

또한, 제3의 반도체 웨이퍼 지지부재(13) 및 제4의 반도체 웨이퍼 지지부재 (14)에 있어서도, 상기 제1의 반도체 웨이퍼 지지부재(11)와 같이 데이터 캐리어(1)를 보호하기 위한 보호시트(3)를 데이터 캐리어(1)에 부착해 놓아도 좋 고, 데이터 캐리어(1)를 수지로 봉해도 좋다.

또한, 제4의 반도체 웨이퍼 지지부재(14)에 있어서 링프레임(6)에 장설되는 점착시트(7)로는 종래부터 반도체 웨이퍼의 가공에 사용되어 온 점착시트가 특별히 제한없이 사용될 수 있으나, 본 발명에 있어서는 특히 에너지선 경화형 점착제층을 구비한 점착시트가 바람직하게 사용된다. 이러한 에너지선 경화형 점착시트의 상세한 것은, 예를 들면 일본 특개소60(1985)-196956호 공보, 일본 특개소60(1985)-223139호 공보, 일본 특개평5(1993)-32946호 공보, 일본 특개평8(1996)-27239호 공보 등에 기재되어 있다.

이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

실시예

데이터 캐리어 및 데이터 입출력장치로는, 이하의 것을 사용하였다.

데이터 캐리어: 세로 1cm, 가로 3cm, 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어진 기판에 직경 0.2mm의 동선을 사용하여 1O권(10-turns) 코일을 형성하여, IC 칩 MIFARE ICS50 (필립스사 제)을 코일에 접속하여 데이터 캐리어를 제작하였다.

질문기(interrogator): MIFARE EV500 (필립스사 제)

실시예 1

직경 150mm, 두께 1mm의 유리판의 주변부에 데이터 캐리어를 양면 점착테이 프를 사용하여 붙이고, 두께 25㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 아크릴계 점착제를 도포한 보호테이프를 데이터 캐리어 표면에 부착하여, 도1에 나타낸 반도체 웨이퍼 지지부재를 얻었다.

회로가 형성된 두께 700㎛, 5인치의 반도체 웨이퍼를 두께 25㎛의 열수축성 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재의 양면에, 아크릴계 점착제 100중량부와 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 30중량부, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤 5중량부로 이루어진 두께 15㎛의 자외선 경화형 점착제층을 설치한 양면 점착테이프를 사용하여 유리판에 고정하였다.

이어서, 공정관리 정보(반도체 웨이퍼의 완성두께: 100㎛, 칩사이즈: 2mm× 3mm, 다이싱라인의 간격: 110㎛)를 질문기(interrogator)를 사용하여 데이터 캐리어에 입력하였다.

이면연삭 및 다이싱에 필요한 정보를 데이터 캐리어로부터 출력하여 이면연삭 및 다이싱을 행한 결과, 공정관리 정보에 따른 반도체 웨이퍼 가공을 할 수 있었다.

다음으로, 다이싱 후 각 칩의 전기특성을 검사하고, 각 칩의 구동성과 내구성에 관한 정보를 데이터 캐리어에 입력하였다.

이어서, 양면 점착테이프에 유리판측에서 자외선 (조도 160W/cm)을 조사하여 1O0℃로 가열한 후, 데이터 캐리어로부터 각 칩의 구동성, 내구성에 관한 정보를 읽어내면서 칩을 픽업한 결과, 그 정보에 따른 픽업을 행할 수 있었다.

실시예 2

회로가 형성된 5인치의 반도체 웨이퍼를 실시예 1과 같은 자외선 경화형 점착제층을 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재가 한쪽 면에 설치된 점착테이프를 사용하여 폴리카보네이트제의 링프레임에 고정하였다.

이어서, 링프레임에 데이터 캐리어를 붙이고, 데이터 캐리어 표면에 보호테이프를 부착하였다.

실시예 1과 같은 정보를 데이터입출력 장치를 사용하여 데이터 캐리어에 입력하였다.

다이싱에 필요한 정보를 데이터 캐리어로부터 출력하여 반도체 웨이퍼를 다이싱한 결과, 그 정보에 따른 다이싱을 행할 수 있었다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 정보가 반도체 웨이퍼 지지부재에 설치된 데이터 캐리어에 기억되어 있기 때문에, 호스트 컴퓨터의 부담을 경감시키고, 공장간에 웨이퍼를 이송하는 경우에도 웨이퍼와 함께 필요한 정보도 같이 이송되기 때문에 정보관리가 용이해진다.

Claims

RF 메모리를 구비한 반도체 웨이퍼 지지부재에, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정;

반도체 웨이퍼의 상태, 회로의 품질, 그리고 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 데이터에 관한 정보를 RF 메모리에 입력하고, 상기에서 반도체 웨이퍼 가공이 반도체 웨이퍼의 이면연삭, 반도체 웨이퍼의 다이싱 및 다이싱에 의해 생산된 반도체 칩의 픽업으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것인 공정; 그리고

상기 지지부재 상에 웨이퍼를 유지하면서 반도체 웨이퍼의 이면연삭 및 반도체 웨이퍼의 다이싱, 그리고 다이싱에 의해 생산된 반도체 칩의 픽업으로부터 선택된 하나 이상의 단계를 수행하고, 상기에서 연삭, 다이싱 및 픽업으로부터 선택된 하나 이상의 단계가 입력 공정에서 입력된 RF 메모리로부터의 정보를 읽음으로써 얻어진 정보에 따라 수행되는 것인 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가공방법.
제1항에 있어서,

상기 반도체 웨이퍼 지지부재가, RF 메모리가 그 위에 고정된 경질판을 포함하는 것인 방법.
제1항에 있어서,

상기 반도체 웨이퍼 지지부재가, RF 메모리가 내부에 묻힌 경질판을 포함하는 것인 방법.
개개의 칩으로 웨이퍼를 분리하기 위해 웨이퍼를 다이싱하거나 연삭하는 동안, 또는 다이싱에 의해 형성된 개개의 칩을 픽업하는 동안 웨이퍼를 유지하고,

웨이퍼 고정 기능을 가지며, 그리고 웨이퍼의 상태, 웨이퍼 상에 형성된 회로의 품질 및 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 데이터에 관한 정보를 기억할 수 있는 RF 메모리를 포함하는 반도체 웨이퍼 지지부재.
제4항에 있어서,

RF 메모리가 그 위에 고정된 경질판을 포함하는 반도체 웨이퍼 지지부재.
제4항에 있어서,

RF 메모리가 내부에 묻힌 경질판을 포함하는 반도체 웨이퍼 지지부재.
제4항에 있어서,

RF 메모리가 그 위에 고정된 링프레임을 포함하는 반도체 웨이퍼 지지부재.
제4항에 있어서,

링프레임, 및 그 둘레에서 링프레임에 부착된 점착 시트를 포함하고, 상기 점착 시트가 그 위에 부착된 RF 메모리를 가지는 반도체 웨이퍼 지지부재.
제4항에 있어서,

지지된 반도체 웨이퍼의 상태, 반도체 웨이퍼 표면 상에 형성된 회로의 품질 및 반도체 웨이퍼 가공의 공정관리에 필요한 데이터에 관한 정보가 RF 메모리에 기억되는 반도체 웨이퍼 지지부재.