KR100587663B1

KR100587663B1 - Sputtering apparatus

Info

Publication number: KR100587663B1
Application number: KR1019990027480A
Authority: KR
Inventors: 이재욱; 장성대
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 1999-07-08
Filing date: 1999-07-08
Publication date: 2006-06-08
Also published as: KR20010009208A

Abstract

타깃과 기판 간의 거리를 자유 자재로 조절할 수 있도록 한 스퍼터링 장치가 개시된다. 이를 위하여 본 발명에서는, 기판대와; 상기 기판대 상의 소정 부분에 놓여지며, 실질적인 웨이퍼 탑재가 이루어지는 폐곡선 형상의 벨로우즈 파이프와; 상기 기판대와 대향되도록 상기 기판대 상단에 배치되며, 금속 타깃이 장착되는 타깃 지지판과; 상기 타깃 지지판과 기판대에 의해 정의되는 내부 공간을 에워싸도록 그 내측 에지 라인을 따라 형성되며, 중앙 부분에는 판형의 기둥이 놓여지고 그 양 끝단쪽으로는 상기 기둥의 높·낮이를 조절할 수 있도록 설계된 조정 나사가 놓여진 형상을 갖는 제 1 수직 기둥과; 상기 제 1 수직 기둥과 나란하게 위치하도록 상기 타깃 지지판과 기판대에 의해 정의되는 내부 공간 내에 형성되며, 중앙부에는 상·하 이동이 가능한 벨로우즈 파이프가 놓여지고, 그 양 끝단쪽으로는 이를 지지하는 판형의 기둥이 놓여진 형태를 갖는 제 2 수직 기둥과; 상기 금속 타깃의 주변부를 에워싸도록 상기 타깃 근방의 상기 타깃 지지대를 따라 형성된 제 1 실드와; 상기 기판대에 고정된 임의개의 핀을 매개체로하여 상기 폐곡선 형상의 벨로우즈 파이프 외곽쪽 상단부를 따라 배치된 제 2 실드; 및 상기 제 1 및 제 2 실드 사이에 놓여지도록, 상기 제 2 수직 기둥을 이루는 상기 벨로우즈 파이프 바로 위쪽의 상기 기둥 내측을 따라 형성된 제 3 실드로 이루어진 스퍼터링 장치가 제공된다. A sputtering apparatus is disclosed, which allows freely adjusting the distance between a target and a substrate. To this end, in the present invention, the substrate stage; A closed bellows pipe placed on a predetermined portion on the substrate stage and substantially loaded with wafers; A target support plate disposed on an upper end of the substrate stand so as to face the substrate stand and mounted with a metal target; It is formed along the inner edge line so as to surround the internal space defined by the target support plate and the substrate stand, and a plate-shaped column is placed at the center portion and the height and height of the column can be adjusted toward both ends thereof. A first vertical column having a shape on which the designed adjusting screw is placed; It is formed in the inner space defined by the target support plate and the substrate stand so as to be parallel to the first vertical column, the bellows pipe which can be moved up and down is placed in the center portion, the plate-shaped supporting both ends A second vertical pillar having a form in which the pillar is placed; A first shield formed along the target support in the vicinity of the target to surround the periphery of the metal target; A second shield disposed along an upper end portion of the closed bellows pipe through an arbitrary pin fixed to the substrate; And a third shield formed along the inner side of the pillar just above the bellows pipe forming the second vertical pillar so as to be placed between the first and second shield.

Description

Sputtering apparatus

도 1은 종래 스퍼터링 장치의 단면 구조를 도시한 개략도, 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a conventional sputtering apparatus,

도 2는 본 발명에 의한 스퍼터링 장치의 단면 구조를 도시한 개략도이다.2 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a sputtering apparatus according to the present invention.

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 타깃과 기판 간의 거리를 자유자재로 조절할 수 있도록 한 스퍼터링 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a sputtering apparatus, and more particularly, to a sputtering apparatus capable of freely adjusting the distance between the target and the substrate.

스퍼터링법은 고속으로 충돌하는 아르곤 등의 이온에 의해 타깃의 원자가 외부로 튀어나가서 대향 전극 위의 기판에 부착되는 방식으로 막질 증착이 이루어지는 기술로서, 도 1에는 종래 널리 사용되어 오던 스퍼터링 장치의 단면 구조를 도시한 개략도가 제시되어 있다. Sputtering is a technique in which film deposition is carried out in such a way that atoms of a target are thrown out by an ion such as argon that collides at high speed and adhered to a substrate on a counter electrode. A schematic diagram is shown.

도 1의 개략도에 의하면, 현재 일반적으로 사용되고 있는 스퍼터링 장치는 금속 타깃(음극)(60)이 장착되는 타깃 지지판(20)과 웨이퍼(양극)(50)가 탑재되어질 기판대(10)가 서로 대향되도록 상·하부에 배치되고, 상기 기판대(10) 상에는 웨이퍼가 올려지는 벨로우즈 파이프(40)가 부착되며, 상기 타깃 지지판(20)과 기판대(10) 사이의 최외각쪽 라인을 따라서는 판형의 수직 기둥(30)이 고정되고, 상기 타깃(60) 근방의 타깃 지지대(20)를 따라서는 상기 금속 타깃(60)의 주변부를 에워싸는 형태의 제 1 실드(70a)가 배치되며, 상기 벨로우즈 파이프(40)의 외곽측 상단부를 따라서는 기판대(10)에 고정된 2개의 핀(80)을 매개체로하여 제 2 실드(70b)가 고정 배치되어 있는 구조를 가짐을 알 수 있다. According to the schematic diagram of FIG. 1, a sputtering apparatus currently generally used has a target support plate 20 on which a metal target (cathode) 60 is mounted and a substrate stage 10 on which a wafer (anode) 50 is to be mounted. The bellows pipe 40 which is arrange | positioned at the upper and lower sides so that a wafer is mounted on the said board | substrate stand 10 is attached, and is plate-shaped along the outermost line between the target support plate 20 and the board stand 10. The vertical column 30 of the fixed, the first shield 70a of the form surrounding the periphery of the metal target 60 is disposed along the target support 20 near the target 60, the bellows pipe It can be seen that the second shield 70b is fixedly arranged along the outer edge of the upper end of the 40 via two pins 80 fixed to the substrate table 10.

이때, 상기 제 2 실드(70b)는 기판대(10) 상의 벨로우즈 파이프(40) 위로 웨이퍼(50)의 탑재가 이루어지면, 상기 웨이퍼(50) 상의 에지부를 따라 위치 정렬된 상태로 맞물려지도록 구동되며, 상기 벨로우즈 파이프(40)는 모터 구동에 의해 10 ~ 20mm 정도의 유동폭 내에서 업(up)·다운(down)이 가능하도록 설계되어 있다. At this time, when the second shield 70b is mounted on the bellows pipe 40 on the substrate table 10, the second shield 70b is driven to be engaged in an aligned state along the edge portion of the wafer 50. The bellows pipe 40 is designed to be able to be up and down within a flow width of about 10 to 20 mm by a motor drive.

그리고, 제 1 및 제 2 실드(70a),(70b)는 금속막 증착시, 금속타깃(60)으로부터 스퍼터된 티깃 입자가 불필요한 공간 즉, 챔버 벽인 수직 기둥(30)쪽에 증착되는 것을 막아주는 역할을 한다. In addition, the first and second shields 70a and 70b serve to prevent deposition of the teegit particles sputtered from the metal target 60 into an unnecessary space, that is, the vertical pillars 30, which are chamber walls, when the metal film is deposited. Do it.

따라서, 상기 스퍼터링 장치는 다음과 같은 방법으로 웨이퍼(50) 상에 금속막을 증착하게 된다. 여기서는 일 예로서, 금속 타깃(60)이 Ti 타깃인 경우에 대하여 살펴본다. Therefore, the sputtering apparatus deposits a metal film on the wafer 50 in the following manner. As an example, the case where the metal target 60 is a Ti target will be described.

즉, 상기 장치 내의 진공도를 원하는 레벨까지 낮춘 상태에서 상기 장치 내로 플라즈마, 예컨대 아르곤 이온을 주입한 후, 금속 타깃(60)에 DC를 가하면 아르곤 이온이 여기되어져, 고속으로 금속 타깃에 충돌하게 된다. 이 과정에서 아르곤 이온에 맞은 금속 타깃(60)의 입자(Ti 입자)가 타깃(60)으로부터 떨어져 나와 자유 각도로 웨이퍼(50) 상에 스퍼터링되게 된다. 그 결과 Ti 재질의 금속막 증착이 이루어지게 되는 것이다. That is, when plasma, for example, argon ions are injected into the device while the degree of vacuum in the device is lowered to a desired level, when DC is applied to the metal target 60, the argon ions are excited to collide with the metal target at high speed. In this process, particles (Ti particles) of the metal target 60 hit by argon ions are separated from the target 60 and sputtered on the wafer 50 at a free angle. As a result, the Ti film is deposited.

그러나, 상기 구조를 가지도록 스퍼터링 장치를 설계할 경우에는 웨이퍼상에 금속막 증착시 다음과 같은 문제가 발생하게 된다. However, when the sputtering apparatus is designed to have the above structure, the following problem occurs when the metal film is deposited on the wafer.

최근의 스퍼터링 기술은, 스퍼터링된 입자의 직진성을 확보하기 위하여 타깃과 기판 간의 거리를 점점 멀리하려는 시도가 진행되고 있다. 이는 스퍼터링된 입자의 직전성을 확보해 주어야만 공정 불량 발생(예컨대, 오버행 형태의 공정 불량 발생)없이 원하는 금속막의 단면 프로파일을 깨끗하게 얻을 수 있기 때문이다. 이러한 이유로 인해, 기존에는 타깃과 웨이퍼(기판) 간의 거리가 50mm 내외이던 것이 현재는 최소 100mm 이상으로까지 장거리화하는 경향을 보이고 있다. In recent years, sputtering techniques have attempted to gradually increase the distance between the target and the substrate in order to secure the straightness of the sputtered particles. This is because the cross-sectional profile of the desired metal film can be obtained cleanly without any process defects (eg, overhang type process defects) only if the sputtered particles have the integrity of the sputtered particles. For this reason, the distance between the target and the wafer (substrate) of about 50mm is now tending to a long distance up to at least 100mm.

타깃과 기판 간의 거리를 장거리화하기 위해서는 기판과 타깃 간의 수직거리에 해당하는 스페이스(space)를 확장시켜 주어야 하는데, 도 1에 제시된 기존 설비의 경우는 기판의 움직임이 최대 20mm 정도로 제한되어 있어, 이를 이용해서는 스페이서 확보가 아주 미세한 부분으로 한정될 수밖에 없었다. In order to increase the distance between the target and the substrate, the space corresponding to the vertical distance between the substrate and the target should be expanded. In the case of the existing equipment shown in FIG. 1, the movement of the substrate is limited to about 20 mm at maximum. Inevitably, the securing of the spacer was limited to a very fine part.

따라서, 이제까지는 타깃과 기판 간의 스페이서를 20mm 이상 확장하려면 챔버 자체를 교환해 주어야 했기 때문에 공정 진행상의 번거로움이 뒤따르게 되고, 이로 인한 경제적인 손실 또한 컸었다. Thus, until now, the chamber itself had to be exchanged to extend the spacer between the target and the substrate by more than 20 mm, which caused cumbersome process progress, resulting in significant economic losses.

이에 본 발명의 목적은, 스퍼터링 장치 설계시 타깃과 기판 간의 거리를 자 유 자재로 조절할 수 있도록 그 구조를 변경해 주므로써, 공정 진행상의 번거로움을 해소하고, 경제적인 손실 또한 줄일 수 있도록 한 스퍼터링 장치를 제공함에 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to change the structure of the sputtering device design so that the distance between the target and the substrate can be freely adjusted, thereby eliminating troublesome process and reducing economic losses. In providing.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 기판대와; 상기 기판대 상의 소정 부분에 놓여지며, 실질적인 웨이퍼 탑재가 이루어지는 폐곡선 형상의 벨로우즈 파이프와; 상기 기판대와 대향되도록 상기 기판대의 상단에 배치되며, 금속 타깃이 장착되는 타깃 지지판과; 상기 타깃 지지판과 상기 기판대에 의해 정의되는 내부 공간을 에워싸도록 그 내측 에지 라인을 따라 형성되며, 중앙 부분에는 판형의 기둥이 놓여지고 그 양 끝단쪽으로는 상기 기둥의 높·낮이를 조절할 수 있도록 설계된 조정 나사가 놓여진 형상을 갖는 제 1 수직 기둥과; 상기 제 1 수직 기둥과 나란하게 위치하도록 상기 타깃 지지판과 상기 기판대에 의해 정의되는 내부 공간 내에 형성되며, 중앙부에는 상·하 이동이 가능한 벨로우즈 파이프가 놓여지고, 그 양 끝단쪽으로는 이를 지지하는 판형의 기둥이 놓여진 형태를 갖는 제 2 수직 기둥과; 상기 금속 타깃의 주변부를 에워싸도록 상기 타깃 근방의 상기 타깃 지지대를 따라 형성된 제 1 실드와; 상기 기판대에 고정된 임의개의 핀을 매개체로하여 상기 폐곡선 형상의 벨로우즈 파이프 외곽쪽 상단부를 따라 배치된 제 2 실드; 및 상기 제 1 및 제 2 실드 사이에 놓여지도록, 상기 제 2 수직 기둥을 이루는 상기 벨로우즈 파이프 바로 위쪽의 상기 기둥 내측을 따라 형성된 제 3 실드로 이루어진 스퍼 터링 장치가 제공된다. In the present invention, the substrate stage; A closed bellows pipe placed on a predetermined portion on the substrate stage and substantially loaded with wafers; A target support plate disposed on an upper end of the substrate stand so as to face the substrate stand and mounted with a metal target; It is formed along the inner edge line to surround the internal space defined by the target support plate and the substrate stand, the plate-shaped column is placed at the center portion and the height and height of the column can be adjusted toward both ends thereof. A first vertical column having a shape in which an adjusting screw is designed to be placed; It is formed in the inner space defined by the target support plate and the substrate stand so as to be parallel to the first vertical column, a bellows pipe capable of moving up and down is placed in the center portion, the plate-shaped supporting the both ends A second vertical pillar having a form in which the pillar of the stack is placed; A first shield formed along the target support in the vicinity of the target to surround the periphery of the metal target; A second shield disposed along an upper end portion of the closed bellows pipe through an arbitrary pin fixed to the substrate; And a third shield formed along the inside of the pillar just above the bellows pipe forming the second vertical pillar so as to be placed between the first and second shield.

상기 구조를 가지도록 스퍼터링 장치를 설계한 결과, 기판(웨이퍼)과 타깃 간의 거리를 조절할 필요가 있을 경우, 제 1 수직 기둥을 이루는 조정 나사를 이용하여 그 사이에 놓여진 기둥의 높이를 증가시키면 제 2 수직 기둥을 이루는 벨로우즈 파이프가 펴지면서 타킷과 기판 간의 거리를 확대시킬 수 있게 되므로, 챔버 교환없이도 타깃과 기판 간의 스페이서를 자유자제로 조절할 수 있게 된다.As a result of designing the sputtering apparatus to have the above structure, when the distance between the substrate (wafer) and the target needs to be adjusted, the height of the columns placed therebetween is increased by using the adjusting screw forming the first vertical column. As the bellows pipe forming the vertical column is extended, the distance between the target and the substrate can be extended, and thus the spacer between the target and the substrate can be freely adjusted without changing the chamber.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에서 제안된 스퍼터링 장치의 단면 구조를 도시한 개략도를 나타낸다. Figure 2 shows a schematic diagram showing the cross-sectional structure of the sputtering apparatus proposed in the present invention.

도 2의 개략도에 의하면, 본 발명에서 제안된 스퍼터링 장치는 금속 타깃(음극)(160)이 장착되는 타깃 지지판(110)과 웨이퍼(양극)(150)가 탑재되어질 기판대(100)가 서로 대향되도록 상·하부에 배치되고, 상기 기판대(100) 상에는 웨이퍼가 올려지는 폐곡선 형상의 벨로우즈 파이프(140)가 형성되며, 상기 타깃 지지판(110)과 기판대(100) 사이의 최외각 라인(에지 라인)을 따라서는 상기 지지판(110)과 기판대(100)에 의해 정의되는 내부 공간을 에워싸도록 제 1 수직 기둥(120)이 배치되고, 상기 제 1 수직 기둥(120)과 소정 간격 이격된 지점의 상기 내부 공간 내에는 제 1 수직 기둥(120)과 나란하게 놓여지도록 제 2 수직 기둥(130)이 배치되며, 상기 금속 타깃(160) 근방의 타깃 지지대(110)를 따라서는 상기 타깃(160) 주변부를 에워싸는 형태의 제 1 실드(170a)가 배치되고, 상기 벨로 우즈 파이프(140)의 외곽측 상단부를 따라서는 기판대(100)에 고정된 2개의 핀(180)을 매개체로하여 제 2 실드(170b)가 고정 배치되며, 상기 제 2 수직 기둥(130)의 소정 부분에는 상기 제 1 및 제 2 실드 사이에 놓여지도록 제 3 실드(70c)가 형성되어 있는 구조를 가짐을 알 수 있다. According to the schematic diagram of FIG. 2, in the sputtering apparatus proposed in the present invention, the target support plate 110 on which the metal target (cathode) 160 is mounted and the substrate stage 100 on which the wafer (anode) 150 is mounted are opposed to each other. The bellows pipes 140 having a closed curved shape on which the wafer is placed are formed on the substrate table 100, and are disposed on the substrate table 100, and the outermost line (edge) between the target support plate 110 and the substrate table 100 is formed. Along the line), a first vertical pillar 120 is disposed to surround the internal space defined by the support plate 110 and the substrate stage 100, and spaced apart from the first vertical pillar 120 by a predetermined distance. The second vertical column 130 is disposed in the inner space of the point to be parallel to the first vertical column 120, and the target 160 along the target support 110 near the metal target 160. The first shield (170a) of the form surrounding the periphery is disposed, the Along the outer upper end of the bellows pipe 140, a second shield 170b is fixedly disposed using two pins 180 fixed to the substrate stage 100, and the second vertical pillar 130 is disposed. It can be seen that the predetermined portion of has a structure in which the third shield 70c is formed to be placed between the first and second shields.

이때, 제 1 수직 기둥(120)은 중앙 부분에는 판형의 기둥(120b)이 놓여지고 그 양 끝단쪽으로는 상기 기둥(120b)의 높·낮이를 조절할 수 있도록 설계된 조정 나사(120a)가 놓여지도록 구성되며, 제 2 수직 기둥(130)은 중앙부에는 상·하 이동이 가능한 벨로우즈 파이프(130a)가 놓여지고, 그 양 끝단쪽으로는 이를 지지하는 판형의 기둥(130b)이 놓여지도록 구성된다. 제 3 실드(170c)는 벨로우즈 파이프(130a) 바로 위쪽의 상기 기둥(130b) 내측을 따라 배치되도록 하여 형성된다.At this time, the first vertical column 120 is a plate-shaped column (120b) is placed in the center portion and the adjustment screw (120a) designed to adjust the height and height of the column (120b) is placed on both ends thereof The second vertical column 130 is configured such that a bellows pipe 130a capable of moving up and down is placed at the center thereof, and a plate-shaped column 130b supporting the same is placed at both ends thereof. The third shield 170c is formed to be disposed along the inside of the pillar 130b directly above the bellows pipe 130a.

이 경우 역시, 제 2 실드(170b)는 기판대(100) 상의 벨로우즈 파이프(140) 위로 웨이퍼(150)의 탑재가 이루어지면, 상기 웨이퍼(150) 상의 에지부를 따라 위치 정렬된 상태로 맞물려지도록 구동되며, 상기 벨로우즈 파이프(140)는 모터 구동에 의해 10 ~ 20mm 정도의 유동폭 내에서 업·다운이 가능하도록 설계되어 있다. In this case, too, when the second shield 170b is mounted on the bellows pipe 140 on the substrate stage 100 and the wafer 150 is mounted, the second shield 170b is driven to be engaged in a position aligned along the edge portion of the wafer 150. The bellows pipe 140 is designed to be up and down within a flow width of about 10 to 20 mm by a motor drive.

그리고, 제 1 내지 제 2 실드(170a),(170b),(170c)는 금속막 증착시, 금속타깃(160)으로부터 스퍼터된 티깃 입자가 불필요한 공간 즉, 챔버 벽인 제 2 수직 기둥(130)쪽에 증착되는 것을 막아주는 역할을 한다. 제 1 수직 기둥(130)쪽에 제 3 실드(170c)를 별도로 더 형성한 것은 타깃(160)과 기판(웨이퍼)(150) 간의 거리가 어느 한도 이상으로 멀어질 경우 제 1 및 제 2 실드(170a),(170b) 간의 간격 또한 멀어질 수 밖에 없어 이들이 동일 라인 선상에서 소정 간격 이격된 채로 벌어지게 되므로, 제 3 실드(170c)가 존재하지 않을 경우에는 이 부분을 통해 금속 타깃 입자들이 제 2 수직 기둥(130)쪽으로 증착될 수 있기 때문이다. The first to second shields 170a, 170b, and 170c may be formed on the second vertical column 130, which is a chamber wall, in which spaces are unnecessary for the tee target particles sputtered from the metal target 160 when the metal film is deposited. It serves to prevent deposition. The third shield 170c is additionally formed on the first vertical pillar 130 side when the distance between the target 160 and the substrate (wafer) 150 is greater than a certain limit. Since the distance between the and 170b may also be increased, they are spaced apart by a predetermined interval on the same line, and thus, when the third shield 170c does not exist, the metal target particles are formed through the second vertical portion. This is because it may be deposited toward the pillar 130.

이러한 구조를 가지도록 스퍼터링 장치를 설계할 경우, 제 1 수직 기둥(120)을 이루는 조정 나사(120a)를 이용하여 그 사이에 놓여진 기둥(120b)의 높이를 증가시키면 제 2 수직 기둥(130)을 이루는 벨로우즈 파이프(130a)가 펴지면서 타킷과 기판 간의 거리가 확대되고, 반면 제 1 수직 기둥(120)을 이루는 조정 나사(120a)를 이용하여 그 사이에 놓여진 기둥(120b)의 높이를 감소시키면 제 2 수직 기둥(130)을 이루는 벨로우즈 파이프(130a)가 줄어들면서 타킷과 기판 간의 거리가 감소되므로, 챔버 교환없이도 타깃과 기판 간의 스페이서를 자유자제로 조절할 수 있게 된다. 이때, 상기 장치 내부의 중첩되어 있던 실드(170a),(170b),(170c)들도 같이 펴지게 되므로, 실드 외부로의 타깃 입자 증착은 이루어지지 않는다. When the sputtering device is designed to have such a structure, the height of the column 120b placed therebetween is increased by using the adjusting screw 120a constituting the first vertical column 120 to form the second vertical column 130. As the bellows pipe 130a is extended, the distance between the target and the substrate is enlarged, while the height of the pillar 120b placed therebetween is reduced by using the adjusting screw 120a constituting the first vertical pillar 120. Since the distance between the target and the substrate is reduced as the bellows pipe 130a constituting the two vertical pillars 130 is reduced, the spacer between the target and the substrate can be freely adjusted without changing the chamber. At this time, since the shields 170a, 170b, and 170c, which are overlapped inside the apparatus, are also spread out, target particle deposition to the outside of the shield is not performed.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 스퍼터링 장치를 이루는 제 1 및 제 2 수직 기둥의 높·낮이 조절을 통하여 기판과 타깃 간의 거리를 자유자재로 조절할 수 있게 되므로, 공정 진행시 챔버 교체가 요구되지 않아 공정 진행상의 번거로움을 해소할 수 있게 되고, 경제적인 손실 또한 줄일 수 있게 된다. As described above, according to the present invention, the distance between the substrate and the target can be freely adjusted by adjusting the height and the height of the first and second vertical pillars forming the sputtering apparatus, so that the chamber needs to be replaced during the process. This eliminates the hassle of process progress and reduces economic losses.

Claims

A substrate stage 100;

A bellows pipe 140 having a closed curve placed on a predetermined portion of the upper portion of the substrate stage 100 and having substantially wafer mounting thereon;

A target support plate 110 disposed on an upper end of the substrate stand 100 so as to face the substrate stand 100 and on which a metal target 160 is mounted;

It is formed along the inner edge line to surround the internal space defined by the target support plate 110 and the substrate stage 100, a plate-shaped column 120b is placed in the center portion, the plate-shaped column 120b A first vertical column (120) having a shape in which adjustment screws (120a) designed to adjust the height and the height of the column (120b) are disposed at both ends of the end;

The bellows pipe 130a is formed in an inner space defined by the target support plate 110 and the substrate stage 100 so as to be parallel to the first vertical pillar 120. A second vertical column (130) having a shape in which a plate-shaped column (130b) is placed at both ends of the bellows pipe (130a);

A first shield (170a) formed along the target support plate (110) near the metal target (160) so as to surround the periphery of the metal target (160);

A second shield (170b) disposed along an upper end portion of the bellows pipe (140) of the closed curve shape using an arbitrary pin (180) fixed to the substrate stage (100); And

A third shield formed along the inside of the pillar 130b immediately above the bellows pipe 130a constituting the second vertical pillar 130 so as to be placed between the first and second shields 170a and 170b; Sputtering apparatus, characterized in that consisting of (170c).