KR100562011B1 - Electroplating and/or electropolishing station - Google Patents

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Abstract

웨이퍼를 전기도금 및/또는 전기연마하는 동안 웨이퍼를 보유하기 위한 웨이퍼 척 어셈블리는 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 척을 포함한다. A wafer chuck assembly for holding a wafer to the wafer during the electroplating and / or electrochemical polishing includes a wafer chuck for receiving a wafer. 또한 웨이퍼 척 어셈블리는 제 1 및 제 2 위치 사이에 웨이퍼 척을 이동시키기 위한 액츄에이터 어셈블리를 포함한다. The wafer chuck assembly also includes an actuator assembly for moving the wafer chuck between the first and second positions. 제 1 위치에 있는 경우, 웨이퍼 척이 개방된다. When in the first position, the wafer chuck is opened. 제 2 위치에 있는 경우, 웨이퍼 척이 폐쇄된다. When in the second position, the wafer chuck is closed.

Description

전기도금 및/또는 전기연마 스테이션{ELECTROPLATING AND/OR ELECTROPOLISHING STATION} Electroplating and / or electrochemical polishing station {ELECTROPLATING AND / OR ELECTROPOLISHING STATION}

본 발명의 주제는 명세서의 결론부에서 특히 드러나며 청구된다. Subject of the invention is claimed is revealed, particularly in the concluding portion of the specification. 그러나 본 발명의 동작 구성 및 방법은 청구항 및 첨부 도면과 조합하여 이하 설명에서 참조로할 수 있다. However, the configuration and the operation method of the present invention can be as referred to in the following description in combination with the claims and the accompanying drawings.

도 1은 웨이퍼 처리 장치의 예시적 실시예 상부도; 1 is an exemplary embodiment the upper portion of the wafer processing apparatus;

도 2는 도 1의 라인 2-2를 취한 웨이퍼 처리 장치의 단면도; 2 is a cross-sectional view of the wafer processing apparatus taken the line 2-2 of Figure 1;

도 3은 도 1의 라인 3-3을 취한 웨이퍼 처리 장치의 또다른 단면도; Figure 3 is another cross-sectional view of the wafer processing apparatus taken the line 3-3 of Figure 1;

도 4는 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치를 사용하는 웨이퍼를 처리하는 흐름도; Figure 4 is a flow chart for processing a wafer using the wafer processing apparatus shown in Figure 1;

도 5는 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 또다른 구성의 상부도; Figure 5 is yet another configuration of the upper portion of the wafer processing apparatus shown in Figure 1;

도 6은 도 5의 라인 6-6을 취한 웨이퍼 처리 장치의 단면도; Figure 6 is a cross-sectional view of the wafer processing apparatus taken the line 6-6 of Figure 5;

도 7은 도 5의 라인 7-7을 취한 웨이퍼 처리 장치의 또다른 단면도; Figure 7 is another cross-sectional view of the wafer processing apparatus taken the line 7-7 of Figure 5;

도 8은 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 또다른 구성의 상부도; Figure 8 is yet another configuration of the upper portion of the wafer processing apparatus shown in Figure 1;

도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 또다른 구성의 상부도; 9 is an upper portion of yet another configuration of the wafer processing apparatus shown in Figure 1;

도 10은 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 또다른 구성의 상부도; 10 is a yet another configuration of the upper portion of the wafer processing apparatus shown in Figure 1;

도 11은 도 10에 도시된 라인 11-11을 취한 웨이퍼 처리 장치의 또다른 단면 도; Figure 11 is another cross-section of the wafer processing apparatus taken the line 11-11 shown in Figure 10;

도 12는 도 10에 도시된 라인 12-12를 취한 웨이퍼 처리 장치의 또다른 단면도; Figure 12 is another cross-sectional view of the wafer processing apparatus taken the line 12-12 shown in Figure 10;

도 13은 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 또다른 구성도; 13 is a still another configuration of the wafer processing apparatus shown in Figure 1;

도 14는 도 13에 도시된 라인 14-14를 취한 웨이퍼 처리 장치의 단면도; 14 is a cross-sectional view of the wafer processing apparatus taken the line 14-14 shown in Figure 13;

도 15는 도 13에 도시된 라인 15-15를 취한 웨이퍼 처리 장치의 또다른 단면도; Figure 15 is another cross-sectional view of the wafer processing apparatus taken the line 15-15 shown in Figure 13;

도 16은 전기도금 및/또는 전기연마 셀의 예시적 실시예의 단면도; 16 is electroplated and / or cross-sectional view of an exemplary embodiment of electric grinding cell;

도 17은 도 16에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 셀 일부의 상부도; Figure 17 is a top view of part of the electroplating and / or electrochemical polishing cell shown in Figure 16;

도 18A 내지 도 18C는 웨이퍼 척 어셈블리의 예시적 실시예의 단면도; 18A to 18C are exemplary cross-sectional view of the wafer chuck assembly;

도 19는 도 18A 내지 도 18C에 도시된 웨이퍼 척 어셈블리의 또다른 구성의 단면도; 19 is a cross-sectional view of another configuration of the wafer chuck assembly shown in Figs. 18A to 18C;

도 20은 도 18A 내지 도 18C에 도시된 웨이퍼 척 어셈블리의 또다른 구성의 단면도; 20 is a cross-sectional view of another configuration of the wafer chuck assembly shown in Figs. 18A to 18C;

도 21은 도 18A 내지 도 18C에 도시된 웨이퍼 척 어셈블리의 또다른 구성의 단면도; 21 is a cross-sectional view of another configuration of the wafer chuck assembly shown in Figs. 18A to 18C;

도 22A 및 도 22B는 도 18A 내지 도 18C에 도시된 웨이퍼 척 어셈블리의 또다른 구성의 단면도; 22A and 22B are cross-sectional views of another structure of a wafer chuck assembly shown in Figs. 18A to 18C;

도 23은 웨이퍼 척의 예시적 실시예의 단면도; 23 is a wafer chuck, an exemplary cross-sectional view;

도 24는 도 23에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 단면도; 24 is a cross-sectional view of a wafer chuck, yet another configuration shown in Figure 23;

도 25는 도 23에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 단면도; 25 is a cross-sectional view of a wafer chuck, yet another configuration shown in Figure 23;

도 26은 도 23에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 단면도; 26 is a cross-sectional view of a wafer chuck, yet another configuration shown in Figure 23;

도 27은 도 23에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 단면도; 27 is a cross-sectional view of a wafer chuck, yet another configuration shown in Figure 23;

도 28은 도 23에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 단면도; 28 is a cross-sectional view of a wafer chuck, yet another configuration shown in Figure 23;

도 29는 도 23에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 단면도; 29 is a cross-sectional view of a wafer chuck, yet another configuration shown in Figure 23;

도 30은 도 29에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 단면도; 30 is a cross-sectional view of a wafer chuck, yet another configuration shown in Figure 29;

도 31A 및 31B는 도 16에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션의 또다른 구성의 측면도; Figure 31A and 31B is a side view of another configuration of the electroplating and / or electrochemical polishing station shown in Figure 16;

도 32A 및 도 32B는 도 31A 및 도 31B에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션의 상부도; FIG. 32A and 32B are a top view of the electroplating and / or electrochemical polishing station shown in Fig. 31A and 31B;

도 33A 및 도 33B는 도 31A 및 도 31B에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션의 정면도; Figure 33A and 33B is a front view of the electroplating and / or electrochemical polishing station shown in Fig. 31A and 31B;

도 34는 도 31 내지 도 33에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 셀의 예시적 실시예의 상부도; Figure 34 is an exemplary embodiment of the upper part of the electroplating and / or electrochemical polishing cell shown in Fig 31 to Fig 33;

도 35는 도 34에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 셀의 예시적 실시예의 측면도; 35 is an electroplating and / or side view of an exemplary embodiment of an electrical polishing cell shown in Fig 34;

도 36은 도 34에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 셀의 상부도; Figure 36 is a top view of the electroplating and / or electrochemical polishing cell shown in Fig 34;

도 37은 도 36에 도시된 부분의 측면도; 37 is a side view of the part shown in Figure 36;

도 38은 도 34에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 셀의 또다른 부분의 상부도; Figure 38 is a top portion of yet another portion of the electroplating and / or electrochemical polishing cell shown in FIG;

도 39는 도 38에 도시된 부분의 측면도; 39 is a side view of the part shown in Figure 38;

도 40A 및 40B는 도 38에 도시된 부분의 라인 40을 취한 단면도; Figure 40A and 40B are cross sectional view taken a line 40 of the part shown in Figure 38;

도 41은 도 38에 도시된 부분의 라인 41을 취한 단면도; 41 is a cross sectional view taken a line 41 of the portion shown in Figure 38;

도 42는 도 38에 도시된 부분의 라인 42를 취한 단면도; 42 is a cross sectional view taken a line 42 of the portion shown in Figure 38;

도 43은 도 34에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 부분의 측면도; 43 is an electroplating and / or side view of the electric polishing section shown in Figure 34;

도 44는 도 34에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마의 또다른 부분의 개략도; 44 is a schematic diagram of another portion of the electroplating and / or electrochemical polishing shown in Figure 34;

도 45는 도 34에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 셀의 또다른 부분의 개략도; 45 is a schematic diagram of another portion of the electroplating and / or electrochemical polishing cell shown in Fig 34;

도 46은 도 34에 도시된 전기도금 및/또는 전기연마 셀의 또다른 부분의 바닥도; Figure 46 is a bottom addition of another portion of the electroplating and / or electrochemical polishing cell shown in Fig 34;

도 47은 도 46에 도시된 부분의 측면도; 47 is a side view of the part shown in Figure 46;

도 48은 도 47에 도시된 측면도 일부의 확대도; Figure 48 is an enlarged side view of a part illustrated in Figure 47;

도 49는 웨이퍼 척의 실시예의 확대 개략도; 49 is a wafer chuck embodiment enlarged schematic view;

도 50은 도 49에 도시된 웨이퍼 척의 또다른 구성의 확대 개략도; 50 is a schematic enlarged view of a wafer chuck, another configuration shown in Figure 49;

도 51은 도 49에 도시된 웨이퍼 척의 단면도; 51 is a wafer chuck, a cross-sectional view shown in Figure 49;

도 52A 및 도 52B는 도 49에 도시된 웨이퍼 척의 단면도; Figure 52A and Figure 52B is a cross-sectional view of the wafer chuck shown in Figure 49;

도 53A 내지 도 53G는 도 51에 도시된 웨이퍼 척 부분의 다양한 구성의 단면도; FIG 53A to FIG 53G are cross-sectional views of various configurations of the wafer chuck portion shown in Figure 51;

도 54는 도 51에 도시된 웨이퍼 척을 사용하는 웨이퍼를 처리하는 흐름도; 54 is a flow chart for processing a wafer using the wafer chuck shown in Figure 51;

도 55는 선택 실시예의 웨이퍼 척의 단면도; 55 is a selected embodiment of the wafer chuck section;

도 56은 웨이퍼 척의 제 2 선택 실시예의 단면도; 56 is a wafer chuck, a second embodiment of a cross-sectional view selection;

도 57은 웨이퍼 척의 제 3 선택 실시예의 단면도; 57 is a wafer chuck, a third embodiment of a cross-sectional view selection;

도 58은 웨이퍼 척의 제 4 선택 실시예의 단면도; 58 is a wafer chuck, a fourth embodiment of a cross-sectional view selection;

도 59는 웨이퍼 척의 제 5 선택 실시예의 단면도; 59 is a wafer chuck, a fifth embodiment of a sectional view selection;

도 60은 웨이퍼 척의 제 6 선택 실시예의 단면도; 60 is a wafer chuck, a sixth embodiment of a cross-sectional view selection;

도 61은 웨이퍼 척의 제 7 선택 실시예의 단면도; 61 is a wafer chuck, a seventh embodiment of a sectional view selection;

도 62는 웨이퍼 척의 제 8 선택 실시예의 단면도; 62 is a wafer chuck, the eighth embodiment selection section;

도 63은 웨이퍼 척의 제 9 선택 실시예의 단면도; 63 is a wafer chuck, a ninth embodiment of a sectional view selection;

도 64는 웨이퍼 척의 제 10 선택 실시예의 단면도; 64 is a wafer chuck, the tenth embodiment selected section;

도 65는 웨이퍼 척의 제 11 선택 실시예의 단면도; 65 is a wafer chuck of claim 11 selected embodiment of a cross-sectional view;

도 66은 웨이퍼 척의 제 12 선택 실시예의 단면도; 66 is a wafer chuck of claim 12 selected embodiment of a cross-sectional view;

도 67은 웨이퍼의 상부도. Figure 67 is a top view of the wafer.

본 발명은 반도체 물품을 처리하는 동안 반도체 물품을 보유하고 위치시키는 방법 및 장치에 관한 것이다. The invention relates to a method and apparatus for holding the semiconductor product during the processing of semiconductor products and location. 특히, 본 발명은 반도체 물품을 전기도금 및/또는 전기연마하는 동안 반도체 물품을 보유하고 위치시키는 방법 및 장치에 관한 것이다. In particular, the invention relates to a semiconductor article to a method and apparatus for holding an article and the semiconductor position during the electroplating and / or electrochemical polishing.

일반적으로, 반도체 장치는 웨이퍼 또는 슬라이스라 불리는 반도체 물질의 디스크상에 제작 또는 제조된다. In general, semiconductor devices are manufactured or fabricated on disks of semiconducting materials called wafers or slices. 특히, 웨이퍼는 실리콘 잉곳에서 초기에 절단된다. In particular, the wafer is cut initially in the silicon ingot. 다음 웨이퍼는 다중의 마스킹, 에칭 및 반도체 장치의 전기 회로를 형성하기 위해 증착 공정을 거치게 된다. Next the wafer is subjected to a deposition process to form an electric circuit of multiple masking, etching, and the semiconductor device.

과거 수십년 동안, 반도체 산업은 반도체 장치의 전력이 18 개월마다 2배로 된다고 예언하는, 무어(Moore)의 법칙에 따라 반도체 장치의 전력이 증가되었다. During the past decades, the semiconductor industry is a power semiconductor device has been increased in accordance with the law of Moore (Moore) to predict that a doubling of semiconductor power devices every 18 months. 반도체 장치의 전력 증가는 이러한 반도체 장치의 픽춰 크기(즉, 장치상에서 최소 치수)를 감소시킴에 따라 일부 달성되었다. Power increase of the semiconductor device has been achieved in accordance with some pikchwo reducing the size of such a semiconductor device (i.e., the smallest dimension on the device). 사실, 반도체 장치의 픽춰 크기는 0.35 미크론에서 0.25 미크론으로 급속히 변했고, 현재는 0.18 미크론에 이르고 있다. In fact, pikchwo size of the semiconductor device is rapidly changed from 0.35 microns to 0.25 microns, the current may reach a 0.18 micron. 당연히, 반도체 장치는 소형화되는 이러한 경향으로 0.18 미크론 스테이지를 훨씬 넘게 처리될 것이다. Of course, the semiconductor device will be much more than the 0.18 micron process stage, these tend to be reduced in size.

그러나, 보다 강력한 반도체 장치를 개발하는데 있어 있을 수 있는 제한 요인은 내부배선(단일 반도체 장치의 소자의 연결 및/또는 다수의 반도체 장치를 서로 연결하는 도체 라인)에서 증가하는 신호 지연이다. However, more strong limiting factor, which may be in developing a semiconductor device is to increase the signal delay in the internal wiring (conductor line connecting the connection and / or a plurality of semiconductor devices of elements of a single semiconductor device to each other). 반도체 장치의 픽춰 크기가 감소됨에 따라, 장치 상에서의 내부배선의 밀도는 증가한다. As the pikchwo size of the semiconductor device decreases, the density inside the wiring on the device is increased. 그러나, 내부배선이 보다 가까워지면 내부배선의 라인 대 라인 캐패시턴스가 증가하여, 내부배선에서 신호 지연이 증가되게 된다. However, the closer the internal wiring when increasing the line-to-line capacitance of the internal wiring, and the signal to be delayed increase in internal wiring. 일반적으로, 내부배선 지연은 픽춰 크기 감소의 제곱에 비례하여 증가한다는 것으로 알려졌다. In general, the internal wiring delay is known that increase in proportion to the square of the reduction pikchwo size. 대조적으로, 게이트 지연(즉, 반도체 장치의 게이트 또는 메사에서의 지연)은 픽춰 크기에서의 감소에 따라 선형적으로 증가한다는 것으로 알려졌다. In contrast, gate delays (i.e., delay at the gates or mesas of semiconductor devices) that is known to increase linearly with the reduction in size pikchwo.

종래 방법에서는 내부배선 지연에서의 이러한 증가를 보상하도록 금속층을 부가시켰다. In the conventional method it was added to the metal layer so as to compensate for this increase in the internal wiring delay. 그러나, 이러한 방법은 부가적 금속층의 형성과 관련하여 생산 비용을 증가시킨다는 단점이 있다. However, this method has the disadvantage of increasing the production costs in connection with the formation of additional metal layers. 또한, 이러한 금속층의 부가는 부가적 가열을 발생시키며 이는 칩 성능 및 신뢰성에 악영향을 줄 수 있다. Further, the addition of such a metal layer generates the additional heat which can adversely affect chip performance and reliability.

따라서, 반도체 산업에서 금속 내부배선을 형성하는데 있어 알루미늄보다는 구리를 사용하기 시작했다. Thus, in forming the metal wiring inside the semiconductor industry has started to use copper rather than aluminum. 구리의 장점은 알루미늄보다 전도성이 크다는 것이다. The advantage of copper is greater conductivity than aluminum. 또한, 구리는 알루미늄다 일렉트로마이그레이션에 대한 내성이 작다(구리로 형성된 라인은 전류 부하 상태에서 덜 얇아지는 경향이 있다는 것을 의미한다). In addition, copper is aluminum is less resistant to electromigration (line formed of copper means that there tends to be less thin at a current load).

그러나, 우선 반도체 산업에서 구리가 광범위하게 사용될 수 있도록, 새로운 공정 기술이 요구된다. However, first, so that copper can be widely used in the semiconductor industry, new processing techniques are required. 특히, 구리층은 전기도금 공정을 사용하여 웨이퍼상에 형성되고/또는 전기연마 공정을 사용하여 에칭될 수 있다. In particular, the copper layer can be etched by using the formed and / or electrical polishing process on a wafer by using the electroplating process. 일반적으로, 전기도금 및/또는 전기연마 공정에서, 웨이퍼는 전해질 용액에 보유되어 전하가 웨이퍼에 제공된다. In general, electroplating and / or electro-polishing step, the wafer is held in the electrolyte solution, the charge is provided to the wafer. 따라서, 웨이퍼 척은 전기도금 및/또는 전기연마 공정 동안 웨이퍼를 보유한 후 웨이퍼에 전하를 제공해야 한다. Therefore, the wafer chuck is required to provide the electric charge held in the wafer after the wafer during the electroplating and / or electrochemical polishing.

종래의 웨이퍼 척은 통상적으로 웨이퍼의 하면(즉, 처리될 웨이퍼 면의 반대면)을 고정한다. Chuck conventional wafer is typically fixed to the lower face of the wafer (i.e., the opposite side of the wafer surface to be processed). 웨이퍼는 단순히 웨이퍼 척의 상부에 고정되거나 진공이나 흡입에 의해 웨이퍼 척에 고정된다. The wafer is simply fixed to the wafer chuck or the top is fixed to the wafer chuck by a vacuum or suction. 그러나, 이러한 통상의 웨이퍼 척은 일반적으로 전기도금 및/또는 전기연마 처리용으로 사용하는데 적합하지 않은데, 그 이유는 전기연마 및/또는 전기도금 도중에 전하가 웨이퍼의 전면(즉, 웨이퍼의 처리될 면)에 인가될 필요가 있기 때문이다. However, a conventional wafer chuck These are generally am not suitable for use for electroplating and / or electrochemical polishing process, because the surface to be treated on the front (i.e., a wafer of electro polished and / or charge of the wafer during electroplating ), because the need to be applied.

따라서, 본 발명의 목적은 전기연마 및/또는 전기도금 도중에 웨이퍼를 고정 및 수용하도록 개방 및 폐쇄될 수 있는 웨이퍼 척을 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the invention to provide a wafer chuck which can be opened and closed to secure and receive an electrical polishing, and / or the wafer during electroplating.

본 발명의 실시예에서, 웨이퍼의 전기도금 및/또는 전기연마를 하는 동안 웨이퍼를 보유하는 웨이퍼 척 어셈블리는 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 척을 포함한다. In the preferred embodiment, the wafer chuck assembly for holding the wafer during the electroplating and / or electro-polishing of the wafer includes a wafer chuck for receiving a wafer. 또한 웨이퍼 척 어셈블리는 제 1 위치와 제 2 위치 사이로 웨이퍼 척을 이동시키는 액츄에이터 어셈블리를 포함한다. In addition, the wafer chuck assembly includes an actuator assembly for moving a first position and a second position between the wafer chuck. 제 1 위치에서, 웨이퍼 척은 개방된다. In the first position, the wafer chuck is opened. 제 2 위치에서 웨이퍼 척은 폐쇄된다. The wafer chuck in the second position is closed.

본 발명의 이해를 돕기 위해, 이하 설명은 특정 물질, 파라미터 등에 대해 상세히 설명한다. To facilitate understanding of the invention, the following description will be described in detail for a specific substance or the like, the parameters. 그러나, 이러한 설명은 본 발명의 범주로 제한되는 것이 아니며, 실시예의 설명을 보조하기 위해 제공되는 것이다. However, such description is provided to assist in, the embodiment described is not limited to the scope of the invention.

부가적으로, 본 발명의 당면 과제는 반도체 물품 또는 웨이퍼의 전기도금 및/또는 전기연마와 관련하여 사용하는데 특히 적합하다. Additionally, the challenge of the present invention is particularly suitable for use in connection with the electroplating and / or electro-polishing of the semiconductor wafer or article. 따라서, 본 발명의 실시예는 이러한 조건하에서 설명된다. Thus, embodiments of the present invention is described under these conditions. 그러나, 이러한 설명은 본 발명의 사용 또는 응용에 제한을 두는 것은 아니다. However, this description is not placing restrictions on the use or application of the present invention. 오히려, 이러한 설명은 실시예의 설명을 보조하기 위해 제공된다. Rather, such description is provided to aid in the embodiment described.

먼저 도 1을 참조로, 웨이퍼 처리 장치(100)는 반도체 물품 또는 웨이퍼를 전기도금 및/또는 전기연마하도록 구성된다. First, with reference to Figure 1, the wafer processing apparatus 100 is configured of a semiconductor wafer to the polishing article or electroplating and / or electricity. 실시예에서, 웨이퍼 처리 장치(100)는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102), 세척 스테이션(104), 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110) 및 로봇(106)을 포함한다.다음 도 4를 참조로, 웨이퍼 처리 장치(100)에 의해 수행되는 공정 단계는 흐름도 포맷에서 시작된다. In an embodiment, the wafer processing apparatus 100 comprises a electroplating and / or electrochemical polishing station 102, the cleaning station 104, a wafer processing station 108, and robot 106. The following 4 by reference, the process steps performed by a wafer processing apparatus 100 is started in a flow chart format. 다시 도 1을 참조로, 처리되지 않은 반도체 물품 또는 웨이퍼가 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)으로부터 로봇(106)에 의해 얻어진다(도 4, 블록 402). Back to Figure 1, a semiconductor wafer or article unhandled is obtained by the robot 106 from the wafer processing stations (108, 110) (Fig. 4, block 402). 웨이퍼는 로봇(106)에 의해 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)에서 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)으로 이송된다(도 4, 블록 404). The wafer is transferred to a wafer processing station 108, electroplating and / or electrochemical polishing station at 102 by the robot 106 (FIG. 4, block 404). 이하 보다 상세히 설며되는 것처럼, 웨이퍼는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)에서 전기도금 및/전기연마된다(도 4, 블록 406). As in detail seolmyeo more or less, the wafer is electroplated and / electro polished in the electroplating and / or electrochemical polishing stations 102 (FIG. 4, block 406). 전기도금 및/또는 전기연마된 웨이퍼는 로봇(106)에 의해 세척 스테이션(104)으로 이송된다(도 4, 블록 408). Electroplating and / or electro-polished wafer is conveyed to the washing station 104 by the robot 106 (FIG. 4, block 408). 웨이퍼는 세척 스테이션(104)에서 세척 및 건조된다(도 4, 블록 410). The wafer is washed and dried in a wash station 104 (FIG. 4, block 410). 세척 및 건조된 웨이퍼는 로봇(106)에 의해 다시 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)으로 이송된다(도 4, 블록 412). Washing and drying the wafer is transferred to a wafer processing station 108, again by the robot 106 (FIG. 4, block 412). 전체 공정은 또다른 처리된 웨이퍼에 대해 다시 반복될 수 있다. The whole process may be repeated again for another processed wafer. 그러나, 본 발명의 범주를 벗어나지 않고 상기 설명되고 도 4에 도시된 단계에서 다양한 변형이 있을 수 있다. However, there may be various modifications in the steps shown in the above description and Figure 4 without departing from the scope of the invention.

도 2를 참조로, 본 실시예에서, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102) 및 세척 스테이션(104)은 5개의 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112) 및 5개의 세척 셀(114)을 포함한다. With reference to Figure 2, in this embodiment, electroplating and / or electrochemical polishing station 102 and a wash station 104 includes five electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 and the five three cells 114 It includes. 따라서, 5개의 웨이퍼는 한번에 전기도금 및/또는 전기연마 및 세척될 수 있다. Thus, the wafer 5 may be at a time electroplating and / or electrochemical polishing and cleaning. 그러나, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102) 및 세척 스테이션(104)은 특정 용도에 따라 임의의 수의 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112) 및 세척 셀(114)을 포함할 수 있다. However, electroplating and / or electrochemical polishing station 102 and a wash station 104 may include electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 and cleaning cells 114 of any number depending upon the particular application . 예를 들어, 적은 체적 용도를 위해, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102) 및 세척 스테이션(104)은 각각 1개의 전기 도금 및/또는 전기연마 셀(112) 및 1개의 세척 셀(114)로 구성될 수 있다. For example, for a small volume application, electroplating and / or electrochemical polishing station 102 and a wash station (104) is one electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 and one three-cell, respectively 114 It may consist. 또한, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112) 대 세척 셀(114)의 비율은 특정 용도에 따라 가변적이다. Furthermore, electroplating and / or the ratio of the electric polishing cell 112 for washing cell 114 is variable depending upon the particular application. 예를 들어, 전기도금 및/또는 전기연마 공정이 세척 공정이 세척 공정 보다 처리되는 시간이 더 요구되는 경우, 웨이퍼 처리 장치(100)는 세척 셀(114) 보다 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)을 더 구성할 수 있다. For example, electroplating, and / or if the time the electro-polishing process in which the cleaning process will be processed by the washing process is further required, the wafer processing device 100 includes a electroplating and / or electrochemical polishing cells than three cells 114 ( 112) can be further arranged. 선택적으로, 전기도금 및/또는 전기연마 공정이 세척 공정 보다 처리시간이 덜 요구되는 경우, 웨이퍼 처리 장치(100)는 세척 셀(114) 보다 적은 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)로 구성될 수 있다. Alternatively, electroplating, and / or if the electrical polishing process requires less processing time than the cleaning process, the wafer processing apparatus 100 is composed of three cells 114 small electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 than It can be.

도 2에 도시된 것처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)과 세척 셀(114)은 수직 스택으로써 구성된다. As shown in Figure 2, the electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 with three cell 114 is configured as a vertical stack. 이러한 방식으로, 처리된 다수의 웨이퍼는 웨이퍼 처리 장치(100)의 풋프린트(footprint)(웨이퍼 처리 장치에 의해 점유되는 플로어(floor) 공간의 양)를 증가시키지 않고 증가될 수 있다. In this way, the number of wafers processed can be increased without increasing the (floor (floor) the amount of space occupied by the wafer processing apparatus) footprint (footprint) of the wafer processing apparatus 100. 점점 경쟁력있는 반도체 산업에서, 웨이퍼 처리 장치(100)에 의해 점유되는 제조 플로어(floor) 공간의 스퀘어 풋 당 처리되는 웨이퍼의 비율 증가는 바람직할 수 있다. More competitive in the semiconductor industry, the wafer processing apparatus percentage increase in the manufacturing floor (floor) the wafer to be processed per square foot of space occupied by the 100, which may be desirable.

다시 도 1을 참조로, 상기 설명된 것처럼, 처리되지 않은 웨이퍼가 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)에서 얻어지고, 처리된 웨이퍼는 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)으로 복귀된다. Back to Figure 1, as described above, it is obtained in the unprocessed wafer wafer processing station (108, 110), the processed wafer is returned to the wafer processing stations (108, 110). 보다 상세하게, 도 3을 참조로, 본 실시예에서, 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)(도 1)은 웨이퍼를 보유하는 웨이퍼 카세트(116)를 포함한다. More specifically, and with reference to Figure 3, in this embodiment, the wafer processing stations (108, 110) (Fig. 1) comprises a wafer cassette (116) holding a wafer. 도 3에 도시된 것처럼, 로봇(106)은 웨이퍼 카세트(116)로부터 처리되지 않은 웨이퍼를 제거하고 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)중 하나로 웨이퍼를 이송하 도록 구성된다(도 2). The like, the robot 106 shown in Figure 3 is removed the wafer is not processed from the wafer cassette (116) and configured to transfer the wafer to one of electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 (FIG. 2). 또한 로봇(106)은 세척 셀(114)중 어느 하나로부터 웨이퍼 카세트(116)(도 2)로 처리된 웨이퍼를 복귀시키도록 구성된다. In addition, the robot 106 is configured to return the processed wafer from any one of the three cells 114 in a wafer cassette 116 (Fig. 2). 도 3에 단일 웨이퍼 카세트(116)가 도시되어 있지만, 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)(도 1)은 임의의 수의 웨이퍼 카세트(116)를 포함할 수 있다. (Figure 1) Figure 3 is a single wafer cassette 116 is shown in a wafer process station (108, 110), but may include a wafer cassette 116 any number of.

부가적으로, 웨이퍼 처리 스테이션(108,110)은 특정 용도에 따라 다양한 구성을 포함할 수 있다. Additionally, the wafer processing stations (108 110) may include a variety of configurations depending upon the particular application. 예를 들어, 웨이퍼 처리 스테이션(108, 110)은 적어도 1개의 웨이퍼 카세트(116)를 각각 포함할 수 있다. For example, a wafer process station (108, 110) may include at least one wafer cassette 116, respectively. 하나의 구성에 있어, 처리되지 않은 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 카세트(116)가 웨이퍼 처리 스테이션(108)에 제공된다. In one configuration, the wafer cassette 116 containing unprocessed wafers is provided a wafer processing station 108. 웨이퍼가 제거되고, 처리되고, 웨이퍼 처리 스테이션(108)에서 동일 웨이퍼 카세트(116)로 복귀된다. The wafer is removed, processed, and returned to the same wafer cassette 116 in a wafer processing station 108. 웨이퍼 처리 스테이션(108)에서 웨이퍼 카세트(116)로부터 웨이퍼의 처리를 완성하기 이전에, 처리되지 않은 웨이퍼를 포함하는 또다른 웨이퍼 카세트(116)가 웨이퍼 처리 스테이션(110)에 제공된다. Prior to completing the wafer processing station 108, the wafer processing from the wafer cassette (116), the another wafer cassette 116 containing unprocessed wafers is provided a wafer processing station 110. 웨이퍼 처리 스테이션(108)에서 웨이퍼 카세트(116)로부터 웨이퍼가 일단 처리되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼 처리 스테이션(110)에서 웨이퍼 카세트(116)로부터 처리되지 않은 웨이퍼를 처리하기 시작한다. When the wafer processing the wafer from one processing station 108, a wafer cassette 116 in the wafer processing apparatus 100 starts processing a wafer is not processed from the wafer cassette 116 in the wafer processing station (110). 웨이퍼 처리 스테이션(108)에서 웨이퍼 카세트(116)내의 처리된 웨이퍼는 제거되고 처리되지 않은 웨이퍼를 포함하는 또다른 웨이퍼 카세트(116)로 교체될 수 있다. The wafer processing in a wafer in a processing station 108, a wafer cassette 116 may be replaced with another wafer cassette 116 containing the removed and non-processed wafer. 이런 방식으로, 웨이퍼 처리 장치(100)가 계획되지 않은 중단없이 연속적으로 작동할 수 있다. In this way, the wafer processing apparatus 100 can be operated continuously without the unplanned stop.

또다른 구성에서, 처리되지 않은 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 카세트(116)가 웨이퍼 처리 스테이션(108)에 제공된다. In another configuration, the wafer cassette 116 containing unprocessed wafers is provided a wafer processing station 108. 비어있는 웨이퍼 카세트(116)가 웨이퍼 처리 스테이션(110)에 제공된다. The empty wafer cassette 116 which is provided in the wafer processing station (110). 웨이퍼 처리 스테이션(108)에서 웨이퍼 카세트(116)로부터 처리되지 않은 웨이퍼가 처리되며 웨이퍼 처리 스테이션(110)에서 비어있는 웨이퍼 카세트로 복귀된다. The unprocessed wafer from the cassette 116 in a wafer processing station 108 and the wafer processing is returned to the wafer cassette is empty in the wafer processing station (110). 이러한 구성은 처리 장치(100)의 연속적인 동작을 용이하게 한다. This configuration facilitates the continuous operation of the apparatus 100 for processing. 그러나 이러한 구성은 2개의 처리 스테이션(108, 110)중 하나는 처리되지 않은 웨이퍼에 대해 설계될 수 있고 다른 하나는 처리된 웨이퍼에 대해 설계될 수 있다는 장점을 갖는다. However, this configuration is 2 one of the two processing stations 108, 110 may be designed for the unprocessed wafer and the other has the advantage that it can be designed for the handling wafer. 이러한 방식으로, 작업자 또는 로봇은 처리되지 않은 웨이퍼를 갖는 웨이퍼 카세트에 비해 처리된 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 카세트(116) 및 처리되는 웨이퍼를 갖는 웨이퍼 카세트에 비해 처리되지 않은 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 카세트가 오류를 덜 발생시키게 된다. In this way, an operator or robot, the wafer cassette containing unprocessed wafers relative to the wafer cassette with the wafer cassette 116 and the handle wafer that is including the wafer processing as compared to the wafer cassette with the wafer unhandled error to thereby less likely to occur.

다시 도 2를 참조로, 웨이퍼 처리 장치(100)는 전원 장치, 필터, 와이어, 프롬빙(plumbing), 화학적 콘테이너, 펌프, 밸브와 같은 웨이퍼 처리 장치(100)의 다양한 전기적 및 기계적 부품을 하우징하기 위한 하우징 유닛(118)을 포함한다. The back 2 as a reference, the wafer processing apparatus 100 for housing various electrical and mechanical components of the wafer processing device 100, such as power supplies, filter, wires, prompt ice (plumbing), chemical containers, pumps, valves for includes a housing unit 118. 다시 도 1을 참조로, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼 처리 장치(100)의 동작을 제어하기 위해 컴퓨터(132)를 더 포함할 수 있다. Back to Figure 1, the wafer processing apparatus 100 may further include a computer 132 to control the operation of the wafer processing apparatus 100. 특히, 컴퓨터(132)는 도 4에서 착수되는 처리공정 단계를 실행시키기 위한 적절한 소프트웨어 프로그램으로 형성될 수 있으며 도 4와 조합하여 설명된다. In particular, the computer 132 is described in combination with FIG be formed of a suitable software program for executing the process steps set out in Figure 4, and 4.

본 발명의 정신 및/또는 범주를 벗어나지 않는 웨이퍼 처리 장치(100)의 다양한 구성 변형이 있을 수 있다. It can have a variety of configurations deformation of mental and / or wafer processing apparatus 100 without departing from the scope of the invention. 이와 관련하여, 이하 설명 및 관련 도면에서, 본 발명의 다양한 선택적 실시예를 설명하고 기술한다. In this regard, the following description and in the associated drawings, a description of various alternative embodiments of the present invention and technique. 그러나, 이러한 선택적 실시예는 본 발명을 구성할 수 있는 다양한 변형 모두를 설명하는 것이 아니다. However, this alternative embodiment is not intended to describe all of the various changes that can constitute the present invention. 오히 려, 이러한 선택적 실시예는 다양한 변형 가능성의 단지 일부만을 설명하도록 제공된다. Rather, these alternative embodiments are provided to explain only some of the many variations possible.

도 5 내지 도 7을 참조로, 본 발명의 선택적 실시예에서, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼 처리 스테이션(500)을 포함한다. With reference to FIG. 5 to 7, in an alternative embodiment of the present invention, the wafer processing apparatus 100 includes a wafer processing station 500. 도 7을 참조로, 웨이퍼 처리 스테이션(500)은 웨이퍼 카세트(116)를 상승 및 하강시키도록 구성된 로봇(502)을 포함한다. With 7, a wafer processing station 500 includes a robot 502 is configured to raise and lower the wafer cassette 116. The 따라서, 웨이퍼가 웨이퍼 카세트(116) 안팎으로 이송되는 경우, 수직 방향으로 로봇(106)의 이동이 감소될 수 있다. Therefore, when the wafer is transferred in and out of the wafer cassette 116, and may be the movement of the robot 106 it is reduced in the vertical direction. 이런 방식으로, 로봇(106)의 동작 속도는 웨이퍼 처리 장치(100)의 종합적인 공정 속도를 용이하게 증가시킬 수 있다. In this way, the operating speed of the robot 106 can be increased to facilitate the overall process speed of the wafer processing apparatus 100.

도 8을 참조로, 본 발명의 또다른 선택적 실시예에서, 웨이퍼 처리 장치(100)는 측방으로(도 8에서 x 방향으로 표시됨) 움직이도록 구성된 로봇(800)을 포함한다. With reference to Figure 8, in another alternative embodiment, wafer processing apparatus 100 according to the present invention comprises a side with a robot (800) configured to be actuated (shown in Figure 8 in the x direction). 따라서, 로봇(800)은 그의 수직축 부근을 회전할 필요가 없다. Accordingly, robot 800 need not rotate the vicinity of its vertical axis.

도 9를 참조로, 본 발명의 또다른 선택적 실시예에서, 웨이퍼 처리 장치(100)는 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)(도 2) 및 세척 셀(114)(도 2)의 스택(902)을 포함한다. To Figure 9 as a reference, in another alternative embodiment of the present invention, the wafer processing device 100 includes a electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 (Fig. 2) and a stack of three cells (114) (Fig. 2) It comprises 902. 따라서, 처리 장치(100)의 풋 프린트가 보다 감소될 수 있다. Accordingly, a footprint of the processing device 100 can be reduced more.

도 10 내지 도 12를 참조로, 본 발명의 또다른 선택적 실시예에서, 웨이퍼 처리 장치(100)는 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)(도 12) 및 세척 셀(114)(도 12)의 3개 스택(1002, 1004, 1006)을 포함한다. 10 to FIG. 12 as a reference, in another alternative embodiment of the present invention, the wafer processing device 100 includes a electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 (FIG. 12) and three cells 114 (FIG. 12 ) and 3 comprises a stack (1002, 1004, 1006) of. 스택(1002, 1004, 1006)은 특정한 용도에 따라 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)의 다양한 조합을 갖게 구성될 수 있다. Stack (1002, 1004, 1006) may be configured to have any combination of electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 according to the particular application. 예를 들어, 칼럼(1002, 1006)은 단지 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)만을 포함하도록 구성될 수 있다. For example, the column (1002, 1006) can only be configured to include only electroplating and / or electrochemical polishing cell 112. 칼럼(1004)은 단지 세척 셀(114) 만을 포함하도록 구성될 수 있다. Column 1004 may be configured only to contain only three cells 114. 선택적으로, 각각의 칼럼(1002, 1004, 1006)은 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112) 및 세척 셀(114)의 조합으로 구성될 수 있다. Alternatively, each column (1002, 1004, 1006) may be composed of a combination of electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 and cleaning cells 114. 또한 웨이퍼 처리 장치(100)는 측방으로(도 10에서는 y-방향으로 표시됨) 이동되도록 구성된 로봇(1008)을 포함한다. Also the wafer processing apparatus 100 comprises a robot (1008) adapted to be moved laterally (FIG. 10, indicated by the y- direction). 도 12를 참조로, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼 처리 장치(100)의 부가적 처리 능력을 위해 부가적 웨이퍼 카세트(1202)를 포함한다. With reference to Figure 12, the wafer processing device 100 includes additional wafer cassette 1202 for additional processing capability of the wafer processing apparatus 100.

지금까지, 웨이퍼 처리 장치(100)는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)(도 1) 및 세척 스테이션(104)(도 2)으로 설명했다. So far, the wafer processing apparatus 100 is explained by electroplating and / or electrochemical polishing station 102 (Fig. 1) and the wash station 104 (FIG. 2). 그러나, 웨이퍼 처리 장치(100)는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)(도 1)만을 포함하도록 구성될 수 있다. However, the wafer processing apparatus 100 may be configured to include only a electroplating and / or electrochemical polishing stations 102 (FIG. 1). 예를 들어, 도 9를 참조로, 웨이퍼 처리 장치(100)는 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)(도 1)만을 갖는 스택(902)으로 구성될 수 있다. For example, with reference to Figure 9, the wafer processing device 100 may be of a stack 902 having electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 (FIG. 1) only. 따라서, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼를 세척하지 않고 웨이퍼를 전기도금 및/또는 전기연마한다. Therefore, the wafer processing apparatus 100 is polished to electroplating and / or electrochemical wafer without cleaning the wafer. 처리된 웨이퍼는 개별적인 웨이퍼 세척 장치에서 세척될 수 있다. The treated wafers may be cleaned in a separate cleaning device wafer. 선택적으로, 처리된 웨이퍼는 또다른 웨이퍼 처리 장치의 세척 스테이션에서 세척될 수 있다. Alternatively, the processed wafer may be cleaned again eseo wash station of the other wafer processing apparatus.

부가적으로, 웨이퍼 처리 장치(100)는 또다른 웨이퍼 처리 스테이션을 포함할 수 있다. Additionally, the wafer processing device 100 may include another wafer processing station. 예를 들어, 도 13 내지 도 15를 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 웨이퍼 처리 장치(100)는 화학적 기계적 평탄화(CMP) 스테이션(1302)을 포함한다. For example, Figure 13 to Figure 15 as a reference, in a further embodiment of the present invention, the wafer processing apparatus 100 comprises a chemical mechanical planarization (CMP) station 1302. 이러한 방식으로, 웨이퍼는 전기도금 및/또는 전기연마 및 세척 이외에 평탄화 및/또는 연마될 수 있다. In this manner, the wafer may be planarized and / or polishing in addition to electroplating and / or electrochemical polishing and cleaning. 이러한 공정을 수행하는 순서는 특정 용도에 따라 바뀔 수 있다. Order to do this, step may vary depending on the particular application. 예를 들어, 일례의 응용에서, 웨이퍼는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)에서 전기도금되고, 세척 스테이션(104)에서 세척되고, CMP 스테이션(1302)에서 평탄화될 수 있다. For example, the application of one example, the wafer is electroplated in the electroplating and / or electrochemical polishing stations 102, washed in wash station 104, it may be planarized in a CMP station 1302. 또다른 응용에서, 웨이퍼는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)에서 초기에 전기연마되고, 세척 스테이션(104)에서 세척되고, CMP 스테이션(1302)에서 평탄화될 수 있다. In another application, the wafer is polished electric initially in the electroplating and / or electrochemical polishing stations 102, washed in wash station 104, it may be planarized in a CMP station 1302.

따라서, 설명된 웨이퍼 처리 장치의 다양한 실시예를 갖는, 전기도금 및 전기 연마 셀(112)의 실시예를 이하 설명한다. Accordingly, with various embodiments of the wafer processing apparatus described it will be described hereinafter an embodiment of an electroplating and electro polishing cell 112. 도 16 및 도 17을 참조로, 본 발명의 일 실시예에서, 웨이퍼 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)은 전해질 용액 리셉테클(1608), 웨이퍼 척(1604), 및 웨이퍼 척 어셈블리(1600)를 포함한다. In Figure 16 and Figure 17, in one embodiment of the present invention, the wafer electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 is the electrolyte solution receptacle 1608, the wafer chuck 1604, and the wafer chuck assembly (1600 ) a.

도 16을 참조로, 본 실시예에서, 전해질 용액 리셉테클(1608)은 웨이퍼(1602)의 전기도금 및/또는 전기연마를 위한 전해질 용액을 보유한다. With reference to Figure 16, in this embodiment, the electrolyte solution receptacle 1608 holds an electrolyte solution for electroplating and / or electro-polishing of the wafer 1602. 전기도금 및/또는 전기연마 공정 동안, 웨이퍼 척(1604)은 웨이퍼(1602)를 보유한다. For electroplating and / or electro-polishing step, a wafer chuck 1604 is holding a wafer 1602. 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전해질 용액 리셉테클(1608) 내에 웨이퍼 척(1604)을 위치시킨다. A wafer chuck assembly (1600) places the wafer chuck 1604 in the electrolyte solution receptacle 1608. 또한 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전기도금 및/또는 전기연마 공정의 균일성을 강화시키기 위해 웨이퍼 척(1604)을 회전시킨다. In addition, the wafer chuck assembly 1600 rotates the chuck electroplating and / or the wafer in order to enhance the uniformity of the electric polishing step 1604.

도 17을 참조로 본 실시예에서, 전해질 용액 리셉테클(1608)은 섹션 벽(1610, 1612, 1614, 1618)에 의해 섹션(1620, 1622, 1624, 1626, 1628, 1630)으로 분할되는 것이 바람직하다. In this embodiment of Figure 17 as a reference example, an electrolyte solution receptacle 1608 is preferably divided into sections (1620, 1622, 1624, 1626, 1628, 1630) by the section of the wall (1610, 1612, 1614, 1618) Do. 그러나, 전해질 용액 리셉테클(1608)은 특정 용도에 따라 임의의 적정 수의 섹션 벽을 따라 임의의 수의 섹션으로 분할될 수 있다. However, the electrolyte solution receptacle 1608 may be divided into any number of sections of any suitable number of sections along the wall of the depending upon the particular application.

도 16을 참조로 본 실시예에서, 펌프(1654)는 저장기(1658)로부터 전해질 용액 리셉테클(1608) 속으로 전해질 용액(1656)을 공급한다. In the embodiment seen in Reference Example 16, a pump (1654) is supplied to the electrolytic solution (1656) into the electrolyte solution receptacle 1608 from the reservoir (1658). 특히, 전해질 용액 (1656)은 패스 필터(1652) 및 액체 질량 흐름 제어기(LMFC : Liquid Mass Flow Controller)(1646, 1648, 1650)를 통과한다. In particular, an electrolytic solution (1656) is a low-pass filter (1652) and the liquid mass flow controller: passes through the (LMFC Liquid Mass Flow Controller) (1646, 1648, 1650). 패스 필터(1652)는 전해질 용액(1656)으로부터 오염물 및 원치않는 입자를 제거한다. Pass filter 1652 removes contaminants and unwanted particles that are out of the electrolyte solution (1656). LMFC(1646, 1648, 1650)는 각각 섹션(1620, 1624, 1628)(도 17)으로 전해질 용액(1656)의 흐름을 제어한다. LMFC (1646, 1648, 1650) controls the flow of the electrolytic solution (1656), each section (1620, 1624, 1628) (Fig. 17). 그러나, 전해질 용액(1656)은 특정 용도에 따라 임의의 종래 방법을 사용하여 제공될 수 있다. However, an electrolytic solution (1656) can be provided by using any conventional methods depending upon the particular application.

상기 설명된 것처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 공정동안, 웨이퍼 척(1604)은 웨이퍼(1602)를 보유한다. As described above, during the electroplating and / or electro-polishing step, a wafer chuck 1604 is holding a wafer 1602. 본 실시예에서, 로봇(106)은 웨이퍼 척(1604) 속으로 웨이퍼(1602)를 삽입하거나 또는 제공한다. In this embodiment, the robot 106 is inserted into the wafer 1602 into the wafer chuck 1604 or service. 상기 설명된 것처럼, 로봇(106)은 웨이퍼 카세트(116)(도 3)로부터 또는 이전의 처리 스테이션 또는 처리 장치로부터 웨이퍼(1602)를 얻을 수 있다. As described above, the robot 106 can obtain a wafer cassette 116 (Fig. 3) or from the previous wafer 1602 from the processing station or processing device. 또한 웨이퍼(1602)는 특정 용도에 따라 작업자에 의해 수동으로 웨이퍼 척(1604)에 적재될 수 있다. In addition, the wafer 1602 may be loaded manually to the wafer chuck 1604 by the operator depending upon the particular application.

이하 보다 상세히 설명되는 바와 같이, 웨이퍼(1602)를 수용한 후에, 웨이퍼 척(1604)은 홀더 웨이퍼(1602)에 근접한다. As will be described in more detail below, after receiving a wafer 1602, a wafer chuck 1604 is close to the wafer holder 1602. 다음 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전해질 용액 리셉테클(1608) 내에 웨이퍼 척(1604)과 웨이퍼(1602)를 위치시킨다. Next the wafer chuck assembly (1600) places the wafer chuck 1604 and the wafer 1602 in the electrolyte solution receptacle 1608. 특히, 본 실시예에서, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 웨이퍼(1602)의 하부면과 섹션 벽(1610, 1612, 1614, 1616, 1618)(도 17) 사이에 갭이 형성되도록 섹션 벽(1610, 1612, 1614, 1616, 1618)(도 17) 위로 웨이퍼 척(1604)과 웨이퍼(1602)를 위치시킨다. In particular, in this embodiment, the wafer chuck assembly 1600 in the section wall such that a gap is formed between the lower surface and the section of the wall (1610, 1612, 1614, 1616, 1618) (Fig. 17) of the wafer 1602 (1610, 1612, 1614, 1616, 1618) (Fig. 17) up to position the wafer chuck 1604 and wafer 1602.

본 실시예에서, 전해질 용액(1656)은 섹션(1620, 1624, 1628)속으로 흘러, 웨이퍼(1602)의 하부면과 접촉된다. In the present embodiment, an electrolytic solution (1656) can flow into the section (1620, 1624, 1628), is contacted with the lower surface of the wafer 1602. 전해질 용액(1656)은 웨이퍼(1602)의 하부면과 섹션 벽(1610, 1612, 1614, 1616, 1618)(도 17) 사이에 형성되는 갭을 흐른다. An electrolytic solution (1656) flows in the gap formed between the lower surface of the wafer 1602 and the wall section (1610, 1612, 1614, 1616, 1618) (Fig. 17). 전해질 용액(1656)은 섹션(1622, 1626, 1630)(도 17)을 통해 저장기(1658)로 복귀된다. An electrolytic solution (1656) is returned to the reservoir (1658) via a section (1622, 1626, 1630) (Fig. 17).

이하 보다 상세히 설명되는 바와 같이, 웨이퍼(1602)는 1개 이상의 전원 장치(1640, 1642, 1644)와 연결된다. As will be described in more detail below, the wafer 1602 is coupled to the at least one power supply (1640, 1642, 1644). 또한, 전해질 용액 리셉테클(1608) 내에 배치되는 1개 이상의 전극(1632, 1634, 1636)은 전원 장치(1640, 1642, 1644)와 연결된다. Further, the electrolyte solution receptacle 1608 at least one electrode (1632, 1634, 1636) disposed in is connected to the power source (1640, 1642, 1644). 전해질 용액(1656)이 웨이퍼(1602)와 접촉되는 경우, 회로는 웨이퍼(1602)가 전기도금 및/또는 전기연마되도록 형성된다. When an electrolytic solution (1656) is in contact with the wafer 1602, the circuit is formed in the wafer 1602 so that electroplating and / or electrochemical polishing. 웨이퍼(1602)가 전극(1632, 1634, 1636)에 비해 음전위를 갖도록 전기적으로 하전되는 경우, 웨이퍼(1602)는 적절히 전기도금된다. If the wafer 1602 which is electrically charged to have a negative potential relative to electrodes (1632, 1634, 1636), a wafer 1602, is suitably electroplated. 웨이퍼(1602)가 전극(1632, 1634, 1636)에 비해 양전위를 갖도록 전기적으로 하전되는 경우, 웨이퍼(1602)는 적절히 전기연마된다. When the wafer 1602 is electrically charged electrode so as to have a positive potential compared with the (1632, 1634, 1636), the wafer 1602 is suitably electro polishing. 또한, 웨이퍼(1602)가 전기도금되는 경우, 전해질 용액(1656)은 바람직하게 황산 용액이다. Further, when the wafer 1602 is electroplating, the electrolytic solution (1656) is preferably a sulfuric acid solution. 웨이퍼(1602)가 전기연마되는 경우, 전해질 용액(1656)은 바람직하게 인산 용액이다. When the wafer 1602, the electric polishing, an electrolytic solution (1656) is preferably a phosphoric acid solution. 그러나, 전해질 용액(1656)은 특정 용도에 따라 다양한 화학적 특성을 포함할 수 있다. However, an electrolytic solution (1656) can include a variety of chemical properties depending upon the particular application.

또한, 이하 보다 상세히 설명되는 것처럼, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 웨이퍼(1602)의 전기도금 및/또는 전기연마를 보다 용이하게 하기 위해 웨이퍼(1602)를 회전 및/또는 진동시킬 수 있다. In addition, as will be described in more detail below, the wafer chuck assembly 1600 is a wafer 1602 may be rotated and / or vibration in order to make it easier for electroplating and / or electro-polishing of the wafer 1602. 웨이퍼(1602)가 전기도금 및/또는 전기연마된 후에, 웨이퍼(1602)는 전해질 용액 리셉테클(1608)로부터 제거된다. After the wafer 1602, the electroplating and / or electrochemical polishing, the wafer 1602 is removed from the electrolyte solution receptacle 1608. 특히, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전해질 용액 리셉테클(1608)로부터 웨이퍼 척(1604)을 상승시킨다. In particular, the wafer chuck assembly 1600 to raise the wafer chuck 1604 from the electrolyte solution receptacle 1608. 다음 웨이퍼 척(1604)이 개방된다. It is opened, and then the wafer chuck 1604. 로봇(106)은 웨이퍼 척(1604)으로부터 웨이퍼(1602)를 제거하고, 전기도금 및/또는 전기연마를 위해 또다른 웨이퍼(1602)를 제공한다. Robot 106 removes wafer 1602 from the wafer chuck 1604, and provides another wafer 1602 for electroplating and / or electrochemical polishing. 전기도금 및 전기연마 공정의 보다 상세한 설명은 본 명세서에서 참조로 하는, PLATING APPARATUS AND METHOD란 명칭으로 1999년 1월 15일 출원된 미국 특허 출원 번호 09/232,864호 및 METHODS AND APPARATUS FOR ELECTROPOLISHING METAL INTERCONNECTIONS ON SEMICONDUCTOR DEVICES란 명칭으로 1999년 8월 7일 출원된 PCT 특허 출원 번호 PCT/US99/15506호를 참조로 한다. Than that of electroplating and electro polishing process, detailed explanation is, that reference herein PLATING APPARATUS AND METHOD column names as filed January 15, 1999 U.S. Patent Application Serial No. 09/232 864 Ho, and METHODS AND APPARATUS FOR ELECTROPOLISHING METAL INTERCONNECTIONS ON SEMICONDUCTOR DEVICES is to the August 7 pending PCT Patent Application No. PCT / US99 / 15506 No. 1999 referred to by name.

앞서 언급된 것처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)에 관련된 상세한 설명은 본 발명의 보다 명확한 설명을 위해 제공된다. As noted above, the detailed description related to electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 is provided for a clearer description of the invention. 이처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)의 다양한 면은 본 발명의 정신 및 범주를 이탈하지 않는한 변형가능하다. As such, various aspects of electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 can be a modified without departing from the spirit and scope of the invention. 예를 들어, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)은 다수의 섹션을 갖는 전해질 용액 리셉테클(1608)을 갖는 것으로 기술되고 설명되었으나, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)은 스태틱 배쓰를 포함할 수 있다. For example, electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 has been described and explained as having the electrolyte solution receptacle 1608 having a plurality of sections, electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 is a static bath It may contain.

따라서 도시된 예시적 전기도금 및/또는 전기연마 셀 및 방법에 따라, 웨이퍼 척(1604) 및 웨이퍼 척 어셈블리(1600)의 실시예를 이하 설명한다. Therefore, according to the illustrated example electroplating and / or electrochemical polishing elements and methods, it will now be described an embodiment of the wafer chuck 1604 and the wafer chuck assembly 1600. 서문에서 처럼, 정확성 및 편의성을 위해, 웨이퍼 척(1604) 및 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 반도체 웨이퍼의 전기도금과 관련하여 설명한다. Like in the introduction, for accuracy and convenience, the wafer chuck 1604 and the wafer chuck assembly 1600 will be described in connection with the electroplating of semiconductor wafers. 그러나, 웨이퍼 척(1604) 및 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전기연마, 세척, 에칭과 같은 어떠한 종래의 웨이퍼 공정과 관련하여 사용될 수 있다. However, the wafer chuck 1604 and the wafer chuck assembly 1600 may be used in conjunction with any conventional process, such as wafer electrical polishing, cleaning, etching. 또한, 웨이퍼 척(1604) 및 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 반도체 웨이퍼 외에 다양한 물품을 처리와 관련하여 사용될 수 있다. Furthermore, the wafer chuck 1604 and the wafer chuck assembly 1600 may be used in connection with process a variety of products in addition to the semiconductor wafer.

도 18A 내지 도 18C를 참조로, 상기 설명된 것처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 공정동안, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전해질 리셉테클(1608)(도 16) 내에 웨이퍼 척(1604)을 위치시킨다. 18A to a 18C as a reference, as described above, electroplating, and / or for electro polishing process, the wafer chuck assembly (1600) places the wafer chuck 1604 in the electrolyte receptacle 1608 (Fig. 16) . 또한, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 웨이퍼(1602)의 삽입 및 제거를 위해 웨이퍼 척(1604)을 개방 및 폐쇄시키도록 구성된다. Furthermore, the wafer chuck assembly 1600 is configured to open and close the wafer chuck 1604 for insertion and removal of the wafer 1602.

특히, 본 실시예에서, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 액츄에이터 어셈블리(1860) 및 스프링 어셈블리(1894)를 포함한다. In particular, in this embodiment, the wafer chuck assembly 1600 includes an actuator assembly (1860) and the spring assembly (1894). 액츄에이터 어셈블리(1860)는 웨이퍼 척(1604)이 제 1 위치 및 제 2 위치 사이에서 움직이도록 구성된다. An actuator assembly (1860) is configured such that the wafer chuck (1604) to move between a first position and a second position. 본 실시예에서, 액츄에이터 어셈블리(1860)는 웨이퍼 척(1604)이 상승 위치 및 하강 위치 사이에서 움직이도록 구성된다. In this embodiment, the actuator assembly 1860 is configured such that the wafer chuck 1604 is moved between a raised position and a lowered position. 제 1 위치에서, 스프링 어셈블리(1894)는 웨이퍼(1602)의 제거 및 삽입을 위해 웨이퍼 척(1604)을 개방시키도록 구성된다. In the first position, the spring assembly (1894) is configured to open to a wafer chuck (1604) for the removal and insertion of the wafer 1602. 제 2 위치에서는, 스프링 어셈블리(1894)가 웨이퍼 척(1604)에 인접하도록 구성된다. In the second position, the spring assembly (1894) is configured so as to be adjacent to the wafer chuck 1604.

본 실시예에서, 액츄에이터 어셈블리(1860)는 모터(1828), 기어(1822, 1824), 및 리드 나사(1820)를 포함한다. In this embodiment, the actuator assembly 1860 comprises a motor 1828, gear (1822, 1824), and the lead screw 1820. 모터(1828)는 브래킷(1816), 리드 나사(1820) 및 기어(1822, 1824)를 통해 샤프트(1802)에 연결된다. A motor (1828) is coupled to the shaft 1802 via a bracket 1816, the lead screw 1820 and the gear (1822, 1824). 특히, 모터(1828)는 가이드 레일(1826)을 따라 브래킷(1816)을 이동시키기 위해 기어(1822, 1824)를 통해 리드 나사(1820)를 회전시킨다. In particular, the motor 1828 rotates the lead screw 1820 through a gear (1822, 1824) for moving the bracket 1816 along guide rails 1826. 브래킷(1816)은 샤프트(1802)에 부착되어, 웨이퍼 척(1604)의 상부 섹션(1858)에 견고히 부착된다. Bracket 1816 is attached to the shaft 1802, and is securely attached to the upper section (1858) of the wafer chuck 1604. 이런 방식으로, 모터(1828)는 웨이퍼 척(1604)을 하강 및 상승시킬 수 있다. In this way, the motor (1828) is capable of lowering and raising the wafer chuck 1604. 그러나, 웨이퍼 척(1604)은 뉴메틱(pneumatic) 액츄에이터, 자기력 등과 같은 종래의 장치 및 방법을 사용하여 상승 및 하강될 수 있다. However, the wafer chuck 1604 using a conventional apparatus and method, including pneumatic (pneumatic) actuator, a magnetic force can be raised and lowered. 또한, 모터(1828)는 직류 서보모터, 스텝퍼 모터 등을 포함할 수 있다. In addition, the motor 1828 may include a DC servo motor, stepper motor or the like.

도 18A 내지 도 18C에 단일 가이드 레일(1826)을 도시했지만, 특정 용도에 따라 임의의 수의 가이드 레일(1826)이 사용될 수 있다. But also shows a single guide rail 1826 to 18A to 18C, there is a guide rail (1826) of an arbitrary number may be used depending on the particular application. 또한, 도 19를 참조로, 본 발명의 선택적 실시예에서, 브래킷(1816)과 또다른 브래킷(1906) 사이에 조인트(joint)(1902, 1904)가 배치된다. Further, with reference to Figure 19, in an alternative embodiment of the present invention, there is arranged a joint (joint) (1902, 1904) between the bracket 1816 and another bracket (1906). 조인트(1902, 1904)는 리드 나사(1820)가 상승 및 하강함에 따라 브래킷(1906, 1816) 사이의 웨이퍼 척(1604)의 이동을 허용한다. Joints (1902, 1904) allows the movement of the lead screw 1820, a bracket (1906, 1816), the wafer chuck 1604 as between rise and fall. 이처럼, 브래킷(1816)은 가이드 레일(1826)과 덜 부딪치게 된다. As such, the bracket 1816 is less hit the guide rail (1826). 본 실시예에서, 조인트(1902, 1904)는 유니버셜 조인트(universal joint)이다. In this embodiment, the joints (1902, 1904) is a universal joint (universal joint). 그러나, 어떠한 종래의 조인트라도 브래킷(1906, 1816) 사이에 동작을 허용하는데 사용될 수 있다. However, any conventional joint may be used to allow operation between the bracket (1906, 1816).

도 18A 내지 도 18C를 참조로, 스프링 어셈블리(1894)는 칼라(1804), 다수의 로드(1806), 및 다수의 스프링(1808)을 포함한다. To Figure 18A to 18C as a reference, the spring assembly (1894) comprises a collar (1804), a plurality of rod 1806, and a plurality of spring 1808. 로드(1806)는 웨이퍼 척(1604)의 칼라(1804) 및 하부 섹션(1856)에 견고히 고정된다. Rod 1806 is fixed firmly to the collar 1804 and the lower section (1856) of the wafer chuck 1604. 스프링(1808)은 로드(1806) 부근 및 웨이퍼 척(1604)의 칼라(1804) 및 상부 섹션(1858) 사이에 배치된다. Spring 1808 is disposed between the rod 1806. Collar 1804 and the upper section and in the vicinity of the wafer chuck 1604 (1858). 또한, 칼라(1804)는 샤프트(1802)에 부착되지 않는다. In addition, the collar 1804 is not attached to the shaft 1802. 따라서, 도 18B에 도시된 것처럼, 웨이퍼 척(1604)이 상승됨에 따라, 칼라(1804)와 리드(1810)는 접촉된다. Thus, as the wafer chuck 1604 as shown in Figure 18B is increased, the collar 1804 and the lid 1810 is contacted. 도 18C에 도시된 것처럼, 로드(1806)는 웨이퍼 척(1604)의 하부 섹션(1856)이 더 이상 상승되는 것을 방지한다. As it is shown in Figure 18C, the load 1806 prevents the lower section (1856) of the wafer chuck 1604 is no longer elevated. 그러나, 스프링(1808)은 웨이퍼 척(1604)의 상부 섹션(1858)이 연속적으로 상승되도록 압축된다. However, the spring 1808 is compressed such that the upper section (1858) is continuously increased to the wafer chuck 1604. 따라서, 웨이퍼 척(1604)은 웨이퍼(1602)의 삽입 및 제거를 위해 개방된다. Therefore, the wafer chuck 1604 is opened for the insertion and removal of the wafer 1602.

도 18A 내지 도 18C에 상기 설명되고 기술된 방식으로, 상승하는 웨이퍼 척(1604)의 단일 동작(action)으로 웨이퍼 척(1604)이 개방된다. Also the above-described manner and described in 18A to 18C, yi single operation (action) to the wafer chuck 1604, a wafer chuck 1604 is opened to increase. 하강하는 웨이퍼 척(1604)의 역(reverse) 동작으로 웨이퍼 척(1604)이 폐쇄된다. The reverse (reverse) operation of the wafer chuck 1604 to the wafer chuck fall 1604 is closed. 특히, 도 18C에서 시작하여, 웨이퍼(1602)가 웨이퍼 척(1604) 내에 위치되는 경우, 모터(1828)는 웨이퍼 척(1604)을 하강시키기 시작한다. In particular, in the case also, starting at 18C, the wafer 1602 is positioned in the wafer chuck 1604, the motor 1828 is started to lower the wafer chuck 1604. 도 18B에 도시된 것처럼, 모터(1828)가 웨이퍼 척(1604)을 하강시킴에 따라, 스프링(1808)은 웨이퍼 척(1604) 근처로 연장된다. As shown in Figure 18B, and extend to near, the spring 1808 is a wafer chuck 1604 according to Sikkim the motor (1828) lowering the wafer chuck 1604.

스프링(1808)에 의해 인가되는 힘 외에, 진공 및/또는 감압 가스를 웨이퍼 척(1604)의 상부 섹션(1858)과 하부 섹션(1856) 사이에 형성된 캐비티(1830)에 제공함으로써 웨이퍼 척(1604)이 계속해서 보유되도록 부가적 힘이 적용된다. A spring in addition to the force applied by 1808, a wafer chuck by providing a vacuum and / or pressure gas to the cavity (1830) formed between the upper section (1858) and the lower section (1856) of the wafer chuck 1604, 1604 this additional force is applied to continue to hold. 특히, 도 18B를 참조로, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 인입구(1870, 1872)를 갖추어 구성된 슬립-링 어셈블리(1838)를 포함한다. In particular, with reference to Figure 18B, the wafer chuck assembly 1600 includes the inlet (1870, 1872) equipped with a slip consisting of - and a ring assembly (1838). 또한 슬립-링 어셈블리(1838)는 캐비티(1866, 1868)를 형성하도록 구성된 다수의 시일(1842)을 포함한다. The ring assembly (1838) comprises a plurality of seals (1842) configured to form a cavity (1866, 1868) also slip. 본 실시예에서, 인입구(1870), 채널(1874), 및 라인(1832)을 통해 캐비티(1830)에 진공 및/또는 감압 가스가 제공된다. In this embodiment, the vacuum and / or pressure gas is provided to the cavity 1830 through the inlet 1870, the channel (1874), and the line (1832). 캐비티(1830)의 밀폐를 보조하기 위해서, 웨이퍼 척(1604)은 상부 섹션(1858)과 하부 섹션(1856) 사이에 배치되는 시일(1878)을 포함한다. In order to assist in the sealing of the cavity 1830, a wafer chuck 1604 comprises a seal (1878) disposed between the upper section (1858) and the lower section (1856).

또한 도 18B를 참조로, 상기 간략히 설명되고 이하 보다 상세히 설명되는 것처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 공정 동안에 전하가 웨이퍼(1602)에 제공된다. Also in reference to Figure 18B, as is the overview is described in more detail below, the electroplating and / or electric charge during the grinding process are provided in the wafer 1602. 특히, 본 실시예에서, 슬립-링 어셈블리(1838)는 브러시(1844), 스프링(1846), 및 나사(1848)를 포함한다. In particular, in this embodiment, the slip-ring assembly (1838) includes a brush (1844), the spring (1846), and a screw (1848). 또한, 이하 상세히 설명되는 것처럼, 웨이퍼 척(1604)은 라인(1850)과 전기적으로 접촉되는 전도성 부재(1880), 및 웨이퍼(1602)와 전기적으로 접촉되는 스프링 부재(1882)를 포함한다. In addition, as will now be described in detail, the wafer chuck 1604 includes a line 1850 and the electrically conductive member (1880), and the wafer 1602 and the electrical spring member (1882) being brought into contact with that contact. 따라서, 나사(1848), 스프링(1846), 브러시(1844), 샤프트(1802), 라인(1850), 전도성 부재(1880), 및 스프링 부재(1882)를 통해 웨이퍼(1602)에 전하가 제공된다. Thus, the screw (1848), the spring (1846), a brush (1844), a shaft 1802, line 1850, and an electric charge is provided to the conductive member (1880), and a spring wafer 1602 through a member (1882) . 따라서, 나사(1848), 스프링(1846), 브러시(1844), 샤프트(1802), 라인(1850), 전도성 부재(1880), 및 스프링 부재(1882)는 전기적 전도성 물질로 형성된다. Thus, the screw (1848), the spring (1846), a brush (1844), a shaft 1802, line 1850, conductive member 1880, and a spring member (1882) is formed from an electrically conductive material. 또한, 샤프트(1802)가 회전함에 따라, 브러시(1844)는 그래파이트(graphite)와 같이 전기적으로 전도성이 있고 마찰력이 낮은 물질로 형성된다. Further, as the shaft 1802 rotates, the brush (1844) is electrically non-conductive, such as graphite (graphite), and is formed of a low friction material.

이하 보다 상세히 설명되는 것처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 공정 동안 전해질 용액으로부터 스프링 부재(1882) 및 전도성 부재(1880)의 절연을 보조하기 위해, 웨이퍼 척(1604)은 시일 부재(1884)를 포함한다. As it is described in more detail below, electroplating and / or electro-polished to assist in the isolation of the spring member (1882) and conductive member (1880) out of the electrolyte solution during the process, the wafer chuck 1604 includes a sealing member (1884) do. 본 발명의 본 실시예에서, 시일 부재(1884)의 밀폐 특성을 검사하기 위해 캐비티(1892)에 정압(positive pressure) 가스가 제공된다. In this embodiment of the invention, a static pressure (positive pressure), gas is provided to the cavity (1892) to check the sealing property of the seal member (1884). 특히, 압력 가스는 인입구(1872), 채널(1876), 및 라인(1852)을 통해 제공된다. In particular, the pressure gas is provided through the inlet (1872), the channel (1876), and the line (1852). 또한 웨이퍼 척(1604)은 캐비티(1892)의 밀폐를 보조하기 위한 시일(1886, 1888)을 포함한다. Also the wafer chuck 1604 comprises a seal (1886, 1888) to aid in the sealing of the cavity (1892). 선택적으로, 진공 및/또는 감압 가스가 시일 부재(1884)의 밀폐 특성을 검사하도록 캐비티(1892)에 제공될 수 있다. Alternatively, it may be provided in the cavity (1892) a vacuum and / or gas pressure to test the sealing characteristics of the seal member (1884). 웨이 퍼 척(1604)이 전해질 용액으로부터 제거된 후에, 웨이퍼 척(1604)으로부터 전해질 용액을 정화시키기 위해 캐비티(1982)에 정압 가스가 제공될 수 있다. After the wafer chuck 1604 is removed from the electrolytic solution, a positive pressure gas to the cavity (1982) it may be provided in order to purify the electrolytic solution from the wafer chuck 1604.

앞서 설명된 것처럼, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전기도금 및/또는 전기연마 공정의 균일성을 강화시키기 위해 웨이퍼 척(1604)을 회전시키도록 구성된다. As described above, the wafer chuck assembly 1600 is configured to rotate the chuck electroplating and / or the wafer in order to enhance the uniformity of the electric polishing step 1604. 특히, 전기도금 및/또는 전기연마 공정 동안, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 분 당 약 5 회전 주기 내지 분당 약 100 회전 주기로 웨이퍼 척(1604)을 회전시킨다. Specifically, to rotate the electroplating and / or electro-polishing process for the wafer chuck assembly 1600 is about 5 minutes per minute rotation period to the wafer chuck 1604, a period of about 100 revolutions per. 그러나, 웨이퍼 척(1604)은 특정 용도에 따라 다양한 속도로 회전할 수 있다. However, the wafer chuck 1604 can be rotated at various speeds depending on the particular application.

또한, 이하 보다 상세히 설명되는 것처럼, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전기도금 및/또는 전기연마 공정 후에 웨이퍼 척(1604)으로부터 전해질 용액의 제거를 보조하기 위해 웨이퍼 척(1604)을 회전시키도록 구성된다. In addition, as will be described in more detail below, the wafer chuck assembly 1600 is configured to rotate the wafer chuck 1604 to assist in removal of the electrolytic solution from the electroplating and / or electrochemical polishing step the wafer chuck 1604 after . 이러한 공정 동안, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)은 분당 약 300 회전 주기 내지 분당 약 5000 회전 주기, 바람직하게 분당 약 500 회전 주기로 웨이퍼 척(1604)을 회전시킨다. During this process, the wafer chuck assembly 1600 is rotated about 5000 cycles per minute period to about 300 revolutions per minute, preferably thereby to rotate the wafer chuck 1604, a period of about 500 revolutions per minute. 그러나, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 특정 용도에 따라 다양한 속도에서 웨이퍼 척(1604)을 회전시킬 수 있다. However, the wafer chuck assembly 1600 can rotate the wafer chuck 1604 at various speeds depending on the particular application. 도 20에 도시된 것처럼, 이러한 공정 동안, 웨이퍼 척(1604)이 개방 위치에 있는 경우 웨이퍼 척(1604)은 회전할 수 있다. As shown in Figure 20, during this process, the wafer chuck 1604, a wafer chuck 1604. When in the open position can be rotated. 따라서, 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 베어링(2002)을 포함한다(도 20). Thus, in another embodiment, the wafer chuck assembly (1600) includes a bearing (2002) (Fig. 20). 본 실시예에서, 베어링(2002)은 칼라(1804)와 리드(1810) 사이에 배치되는 것으로 기술된다. In this embodiment, the bearing (2002) is described as being disposed between the collar 1804 and lead 1810. 그러나, 베어링(2002)은 특정 용도에 따라 다양한 위치에 배치될 수 있다. However, the bearing (2002) may be disposed in various locations depending upon the particular application. 예를 들어, 칼라(1804)가 제거되거나 크기가 감소된 경우, 베어링(2002)은 상부 섹션(1858)과 리드(1810) 사이에 제공될 수 있다. Example, in a case where the collar 1804 has been removed or reduced in size, the bearing (2002) may be provided between the upper section (1858) and Reed (1810). 그러나, 부가적으로 웨이퍼 척 어 셈블리(1600)는 특정 용도에 따라 다양한 속도로 웨이퍼 척(1604)을 회전시킬 수 있다. However, in addition, the wafer chuck assembly 1600 can rotate the wafer chuck 1604 at various speeds depending on the particular application.

도 18A를 참조로, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 웨이퍼 척(1604)을 회전시키기 위한 회전식 어셈블리(1864)를 포함한다. To Figure 18A as a reference, the wafer chuck assembly 1600 includes a rotatable assembly (1864) for rotating the wafer chuck 1604. 본 실시예에서, 회전식 어셈블리(1864)는 모터(1836) 및 샤프트(1802)에 연결된 드라이브 벨트(1834)를 포함한다. In this embodiment, the rotary assembly (1864) comprises a drive belt 1834 to the motor 1836 and shaft 1802. 본 실시예에서, 모터(1836) 및 드라이브 벨트(1834)는 브래킷(1816) 아래에 배치된다. In this embodiment, the motor 1836 and the drive belt 1834 is disposed below the bracket (1816). 그러나, 모터(1836) 및 드라이브 벨트(1834)는 샤프트(1802)를 회전시키도록 다양한 위치에 배치될 수 있다. However, it may be disposed at various locations motor 1836 and the drive belt 1834 is to rotate the shaft 1802. 예를 들어, 도 21을 참조로, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 모터(1836) 및 상기 브래킷(1816)이 배치된 드라이브 벨트(1834)로 설명된다. For example, with reference to Figure 21, the wafer chuck assembly 1600 is described as a motor 1836 and the drive belt bracket 1834 of 1816 are to be placed. 선택적으로, 모터(1836)는 드라이브 벨트(1834) 보다는 기어를 통해 샤프트(1802)에 연결될 수 있다. Alternatively, the motor 1836 can be coupled to the shaft 1802 via a gear belt drive than 1834. 또한 모터(1836)는 샤프트(1802)에 직접적으로 연결될 수 있다. In addition, the motor 1836 can be coupled directly to the shaft 1802. 본 실시예에서, 모터(1836)는 직류 서보모터, 스텝퍼 모터 등을 포함할 수 있다. In this embodiment, motor 1836 may include a DC servo motor, stepper motor or the like. 부가적으로, 회전식 어셈블리(1864)는 웨이퍼 척(1604)을 회전시키기 위해 또다른 다양한 메카니즘을 포함할 수 있다. Additionally, the rotary assembly (1864) may include a variety of other mechanisms for rotating the wafer chuck 1604. 예를 들어, 회전식 어셈블리(1864)는 웨이퍼 척(1604)을 회전시키기 위한 전자기 시스템으로서 구성될 수 있다. For example, the rotary assembly (1864) may be configured as an electromagnetic system for rotating the wafer chuck 1604.

도 18A 내지 도 18C를 참조로, 본 실시예에서, 샤프트(1802)는 스테인레스 스틸과 같이, 부식 방지 금속 또는 금속 합금으로 형성된다. To Figure 18A to 18C as a reference, in this embodiment, the shaft 1802, such as stainless steel, is formed of a corrosion-resistant metal or metal alloy. 마찰력을 감소시키기 위해, 시일(1842)과 브러쉬(1844)를 접촉하는 샤프트(1802)의 표면은 약 5 미크론 이하의 표면 조도, 바람직하게는 약 2 미크론 이하의 표면 조도로 가공된다. In order to reduce the friction, the surface of the shaft 1802 contacts the seal (1842) and a brush (1844) is preferably a surface roughness of less than or equal to about 5 microns are processed to a surface roughness of less than about 2 microns. 또한, 본 실시예에서, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 샤프트(1802) 및 리드(1810) 사이에 배치된 베어링(1812, 1814)을 포함한다. Further, in this embodiment, a wafer chuck assembly (1600) includes a bearing (1812, 1814) disposed between the shaft 1802 and lead 1810. 또한 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 샤프트(1802)와 브래킷(1816) 사이에 배치된 베어링(1818)을 포함한다. In addition, the wafer chuck assembly 1600 comprises a bearing 1818 disposed between the shaft 1802 and the bracket 1816. 베어링(1812, 1814, 1818)은 볼-베어링, 부싱, 낮은 마찰 물질 등을 포함할 수 있다. Bearings (1812, 1814, 1818) are the ball may include a bearing, bushing, and a low friction material.

상기 설명된 것처럼, 슬립-링 어셈블리(1838)는 진공 및/또는 감압 가스, 감압 가스, 압력 가스를 공급하고, 샤프트(1802)에 전기를 공급하도록 구성된다. As described above, the slip-ring assembly (1838) is configured to supply a vacuum and / or gas pressure, gas pressure, gas pressure, and supplying electricity to the shaft 1802. 지금까지, 도 18A 내지 도 18C에 상세히 설명된 것처럼, 슬립-링 어셈블리(1838)는 브래킷(1816)에 고정되는 것처럼 도시되었다. So far, as described in detail in Figs. 18A to 18C, slip-ring assembly (1838) is shown as secured to the bracket (1816). 대조적으로, 도 22A 및 도 22B를 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 웨이퍼 척(1604)이 상승 및 하강되는 경우 고정되게 유지하는 슬립-링 어셈블리(2200)를 포함한다. In contrast, in FIG. 22A and FIG. 22B, a further embodiment of the present invention, the wafer chuck assembly 1600 includes slip for holding fixedly when the wafer chuck 1604, the rising and falling-ring assembly 2200 It includes. 특히, 샤프트(1802)는 웨이퍼 척이 상승 및 하강됨에 따라 슬립-링 어셈블리(2200)를 통해 슬라이딩된다. In particular, the shaft 1802 is a slip as a raising and lowering the wafer chuck - is slid through the ring assembly 2200.

이하 상세한 설명 및 관련 도면에 따라, 본 발명의 다양한 선택적 실시예가 설명되고 묘사된다. According to the following description and the associated drawings, various examples of an optional embodiment of the present invention are described and depicted. 이러한 선택적 실시예가 본 발명을 구성하는데 있어 가능한 변형 및 잠재적 변경 모두를 포함하는 것을 의미하는 것은 아니다. This optional embodiment it to construct the present invention does not mean to include all possible modifications and potential changes. 오히려, 이러한 선택적 실시예는 잠재적 변형 및 변경의 일부를 설명한다는 것을 의미한다. Rather, the alternative embodiment this means that illustrate some of the potential variations and modifications.

도 23을 참조로, 선택적 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)의 전도성 부재(1880)는 시일(1888)(도 18A)없이 설명된다. With reference to Figure 23, in an alternative embodiment, the conductive member 1880 of the wafer chuck 1604 is described without the seal (1888) (FIG. 18A). 또한, 스프링(2302)은 전도성 부재(1880)에 전하를 제공한다. Further, the spring 2302 provides an electric charge to the conductive member (1880). 도 18C에 도시된 와이어(1890)와는 다르게, 스프링(2302)은 웨 이퍼 척(1604)이 개방될 때 전도성 부재(1880)를 상승시켜 제거한다. Unlike the wire 1890, a spring 2302 shown in Figure 18C is removed by raising the conductive member (1880) when the opening wafer chuck 1604.

도 24를 참조로, 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 Z-형상 단면 프로파일을 갖는 시일 부재(1884)로 설명된다. With reference to Figure 24, yet another embodiment, the wafer chuck 1604 is described as a sealing member (1884) having a Z- shaped cross-sectional profile. L-형상 단면 프로파일을 갖는 시일 부재(1884)(도 18A)와 비교해 볼 때, Z-형상 단면 프로파일은 적소에 보다 정확하게 스프링 부재(1882)를 보유할 수 있다. Compared to the seal member (1884) (FIG. 18A) having an L- shaped cross-sectional profile, Z- shaped cross-sectional profile can be more accurately in place holding the spring member (1882). 그러나, 시일 부재(1884)는 다양한 단면 프로파일을 갖게 형성될 수 있다. However, the seal member (1884) may be formed to have a variety of cross-sectional profiles. 이와 관련하여, 다수의 가능한 프로파일을 이하 설명하고 기술한다. In this connection, it will now be described a number of possible profiles and techniques.

도 25를 참조로, 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 상부 섹션(1858)에 형성된 라인(1832, 1852)로 설명된다. With reference to Figure 25, yet another embodiment, the wafer chuck 1604 is illustrated by line (1832, 1852) formed in the upper section (1858). 그러나, 라인(1832, 1852)는 다양한 방식으로 형성될 수 있다. However, the line (1832, 1852) may be formed in a variety of ways. 예를 들어, 상부 섹션(1858)의 상부 표면을 따라 그루브가 형성될 수 있다. For example, a groove may be formed along the upper surface of the upper section (1858). 라인(1832, 1852)은 그루브 속에 삽입된 튜브일 수 있다. Line (1832, 1852) may be a tube embedded in the groove. 이러한 방식으로, 라인(1832, 1852)이 보다 안전하게 보유될 수 있다. In this way, the lines (1832, 1852) can be held more securely.

도 26을 참조로, 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 너트(2602)를 이용하여 하부 섹션(1856)에 부착된 로드(1806)로 설명한다. With reference to Figure 26, yet another embodiment, the wafer chuck 1604 is described as a rod 1806 is attached to the lower section (1856) using a nut (2602). 로드(1806) 및 너트(2602)의 단부는 전기도금 및/또는 전기연마 공정동안 전해질 용액으로부터 보호되도록 캡(2604)으로 밀폐된다. End of the rod 1806 and the nut 2602 is closed by a cap (2604) to be protected from the electrolyte solution during the electroplating and / or electrochemical polishing.

도 27을 참조로, 선택적 실시예에서, 도 26에 도시된 실시예는 Z-형상 단면 프로파일을 갖는 시일 부재(1884)로 설명한다. With reference to Figure 27, in an alternative embodiment, the embodiment shown in Figure 26 will be described as a sealing member (1884) having a Z- shaped cross-sectional profile. 상기 설명된 것처럼, 상기 단면 프로파일은 스프링 부재(1882)를 보다 안전하게 보유할 수 있다. As described above, the cross-sectional profile may hold more securely the spring member (1882).

도 28을 참조로, 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 라인(1852)으로 설 명된다. With reference to Figure 28, yet another embodiment, the wafer chuck 1604 is set kill line (1852). 따라서, 웨이퍼 척(1604)이 폐쇄되는 경우, 진공 및/또는 감압 가스가 웨이퍼 척(1604)을 함께 보유하는 힘을 증가시키기 위해 라인(1852)에 먼저 제공된다. Thus, when the closure wafer chuck 1604, a vacuum and / or pressure gas is provided to the first line (1852) to increase the force holding together the wafer chuck 1604. 전기도금 및/또는 전기연마 공정 후에, 웨이퍼 척(1604)으로부터 전해질을 정화를 돕도록 라인(1852)에 압력 가스가 제공될 수 있다. Electroplating and / or after the electro polishing process, the pressure in the gas line (1852) to assist in the purification of the electrolyte from the wafer chuck 1604 can be provided.

도 29를 참조로, 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 웨이퍼(1602)의 표면에 진공 및/또는 감압 가스 및 압력 가스를 제공하기 위해 라인(2902)을 갖는 것으로 설명된다. With reference to Figure 29, yet another embodiment, the wafer chuck 1604 is described as having a line 2902 to provide the vacuum and / or pressure-gas and the gas pressure on the surface of the wafer 1602. 따라서, 웨이퍼 척(1604)이 폐쇄된 후에, 웨이퍼 척(1604)과 함께 보유되는 힘을 증가시키기 위해 라인(1852)과 라인(2902)에 진공 및/또는 감압 가스가 제공된다. Therefore, after the wafer chuck 1604 is closed, the vacuum and / or pressure gas is provided in line 1852 and line 2902 in order to increase the holding force with the wafer chuck 1604. 전기도금 및/또는 전기연마 공정 후에, 웨이퍼 척(1604)으로부터 전해질 정화를 돕기 위해 라인(1852)에 압력 가스가 제공될 수 있다. Electroplating and / or after the electro polishing process, the gas pressure in line 1852 can be provided to aid the electrolyte is purged from the wafer chuck 1604. 다음, 웨이퍼 척(1604)은 바람직하게 약 1 밀리미터 내지 약 3 밀리미터, 보다 바람직하게는 약 1.5 밀리미터의 갭으로 개방된다. Next, the wafer chuck 1604 is preferably about one millimeter to about 3 millimeters, and is open to more preferably of about 1.5 mm gap. 웨이퍼 척(1604)이 개방된 후, 웨이퍼(1602)의 제거를 돕기 위해 라인(2902)에 압력 가스가 제공될 수 있다. , The gas pressure in line 2902 can be provided to aid the removal of the wafer 1602, and then the wafer chuck 1604 is opened.

도 30을 참조로, 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 단일 라인(3002)을 갖는 것으로 설명된다. With reference to Figure 30, yet another embodiment, the wafer chuck 1604 is described as having a single line 3002. 따라서, 진공 및/또는 감압 가스 및 압력 가스가 캐비티(3004)와 웨이퍼(1602) 표면에 동시에 제공된다. Thus, vacuum and / or gas pressure, and gas pressure is provided simultaneously to the cavity 3004 and the wafer 1602 surface.

도 31 내지 도 33을 참조로, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)의 실시예의 보다 상세한 설명을 나타낸다. With reference to FIG. 31 to FIG. 33 shows a more detailed description of an embodiment of electroplating and / or electrochemical polishing station 102. The 상기 설명된 것처럼, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)은 1개 이상의 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)을 포함한다. As described above, the electroplating and / or electrochemical polishing station 102 includes one or more electroplating and / or electrochemical polishing cell 112. 특히, 본 실시예에서, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)은 프레임(3202)에 장착되는 3개의 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)을 포함한다. In particular, in this embodiment, the electroplating and / or electrochemical polishing station 102 includes three electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 mounted to the frame 3202. 그러나, 앞서 설명된 것처럼, 임의의 수의 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)이 특정 용도에 따라 프레임(3202)에 장착될 수 있다. However, as described above, any number of electroplating and / or electro-polishing of the cell 112 may be mounted to the frame 3202, depending on the particular application.

본 실시예에서, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)은 웨이퍼 척 어셈블리(1600)를 이동시키기 위해 에어 실린더(3206) 및 가이드 레일(3204)을 포함한다. In this embodiment, the electroplating and / or electrochemical polishing station 102 includes a pneumatic cylinder 3206 and a guide rail 3204 to move the wafer chuck assembly 1600. 특히, 에어 실린더(3206)는 프레임(3202)에 부착된 가이드 레일(3204)을 따라 웨이퍼 척 어셈블리(1600)을 이동시킨다. In particular, the air cylinder 3206 moves the wafer chuck assembly 1600 along guide rails 3204 attached to the frame 3202. 이러한 방식으로, 도 32A 및 도 32B에 도시된 것처럼, 웨이퍼 척 어셈블리(1600) 및 웨이퍼 척(1604)는 웨이퍼 척 어셈블리(1600) 및 웨이퍼 척(1604)을 포함하는 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)을 보조하기 위해 전해질 리셉테클(1608)로부터 철회될 수 있다. In this way, Figs. 32A and the like, the wafer chuck assembly 1600 and the wafer chuck 1604 shown in Figure 32B is electroplating and / or electrochemical polishing cell comprising a wafer chuck assembly 1600 and the wafer chuck 1604 It may be withdrawn from the electrolyte receptacle 1608 to assist 112. In 특히 도 32B에서, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)은 개방 위치에서 수축된 웨이퍼 척 어셈블리(1600)로 설명된다. In particular, in FIG 32B, electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 is described as a wafer chuck assembly 1600 in shrinkage in the open position. 도 32A에서, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)은 전해질 리셉테클(1608) 위의 폐쇄 위치에서의 웨이퍼 척 어셈블리(1600)로 설명된다. In Figure 32A, electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 is described as a wafer chuck assembly 1600 in a closed position on the electrolyte receptacle 1608. 그러나, 다양한 엑츄에이터가 웨이퍼 척 어셈블리(1600)을 철회하는데 사용될 수 있다. However, a variety of actuators may be used to withdraw a wafer chuck assembly (1600).

도 31A, 32A 및 33A를 참조로, 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)은 전해질 용액 리셉테클(1608) 및 웨이퍼 척 어셈블리(1600)를 포함한다. Figure 31A, with reference to 32A and 33A, electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 includes an electrolyte solution receptacle 1608 and a wafer chuck assembly (1600). 도 32A에 도시된 것처럼, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전해질 용액 리셉테클(1608)를 덮는 리드(1810)를 포함한다. The like, the wafer chuck assembly 1600 shown in Figure 32A includes a lid 1810 for covering the electrolyte solution receptacle 1608. 이처럼, 리드(1810)는 전해질 용액 리셉테클(1608) 내에서 밖으로 증기를 제거하기 위한 배기 홀(3208)을 포함한다. As such, the lead 1810 includes an exhaust hole (3208) for removing vapor out in the electrolyte solution receptacle 1608. 이런 방식으로, 전기 도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)에서 각각의 전기도금 및/또는 전기연마 셀(112)은 개별적으로 배기될 수 있어, 전체 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션(102)에 대한 커다란 환기 시스템에 대한 필요성이 감소될 수 있다(도 32A 및 도 33A). In this manner, electroplating and / or electrochemical polishing station 102, each of electroplating and / or electrochemical polishing cell 112 can be evacuated separately, the whole electroplating and / or electrochemical polishing station from 102 there is a need for large for ventilation systems can be reduced (Fig. 32A and 33A).

도 31A 및 도 32A에 도시된 것처럼, 웨이퍼(1602)는 슬롯(1892)을 통해 전해질 용액 리셉테클(1608) 속으로 삽입되고 밖으로 제거될 수 있다. As shown in Figure 31A and 32A, wafer 1602 may be inserted into the electrolyte solution receptacle 1608 through the slot (1892) is removed out. 특히, 상기 설명된 것처럼, 로봇(106)은 전해질 용액 리셉테클(1608) 안팎으로 웨이퍼(1602)를 이송한다. In particular, as described above, the robot 106 transfers the wafer 1602 into and out of the electrolyte solution receptacle 1608. 슬롯(1892)은 전해질 리셉테클(1608)에 형성되는 것으로 도시되었지만, 슬롯(1892)은 리드(1810)에 형성될 수 있다. Slot (1892) has been shown to be formed on the electrolyte receptacle (1608), slots (1892) may be formed in the lead-1810.

앞서 설명된 것처럼, 웨이퍼(1602)는 웨이퍼 척(1604)에 의해 보유된다(도 18A). As described above, the wafer 1602 is held by the wafer chuck 1604 (Figure 18A). 도 31A를 참조로, 본 실시예에서, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 전기도금 및/또는 전기연마되는 전해질 리셉테클(1608) 속으로 웨이퍼(1602)를 하강시킨다. To Figure 31A as a reference, in this embodiment, the wafer chuck assembly 1600 is lowered to the wafer 1602 into the electrolyte receptacle 1608 that is electroplated and / or electrical polishing. 전기도금 및/전기연마 공정이 완료된 후, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)는 언로드되는 웨이퍼(1602) 및 로드되는 새로운 웨이퍼(1602)를 상승시킨다. After the electroplating, and / electro polishing step is complete, the wafer chuck assembly 1600 to raise the wafer 1602, and a new wafer 1602 that is loaded is unloaded.

도 37을 참조로, 상기 설명된 것처럼, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)(도 31A)는 브래킷(1816)을 포함한다. With reference to Figure 37, as described above, the wafer chuck assembly 1600 (FIG. 31A) includes a bracket (1816). 본 실시예에서, 브래킷(1816)은 샤프트(1802)를 통해 웨이퍼 척(1604)과 연결된다(도 18A). In this embodiment, bracket 1816 is connected to the wafer chuck 1604 from the shaft 1802 (FIG. 18A). 특히, 이하 보다 상세히 설명되는 것처럼, 샤프트(1802)는 웨이퍼 척(1604)의 상부 섹션(1858)에 고정된다. In particular, as will be described in more detail below, shaft 1802 is fixed to the upper section (1858) of the wafer chuck 1604. 또한, 슬립-링 어셈블리(1838)는 브래킷(1816)에 고정된다. Further, the slip-ring assembly (1838) is fixed to the bracket (1816). 따라서, 샤프트(1802)는 슬립-링 어셈블리(1838) 내에 배치된다. Thus, the shaft 1802 is a slip-ring is disposed in the assembly (1838).

도 35를 참조로, 웨이퍼 척 어셈블리(1600)의 일부는 리드(1810) 아래에 놓인다. With reference to Figure 35, a portion of the wafer chuck assembly 1600 is placed under the lid (3,715). 도 34를 참조로, 본 실시예에서, 브래킷(1816)은 가이드 레일(1826)을 포함한다. With reference to Figure 34, in this embodiment, a bracket 1816 includes a guide rail (1826). 특히, 본 실시예에서, 각각의 가이드 레일(1826)은 부싱(3404) 내에 배치된 로드(3402)를 포함한다. In particular, in this embodiment, each guide rail 1826 comprises a rod 3402 disposed in the bushing 3404. 로드(3402)는 리드(1810)에 장착되고 부싱(3404)은 브래킷(1816)에 연결된다. Rod 3402 is mounted to lid 1810 bushing 3404 is connected to the bracket (1816). 또한, 본 실시예에서, 4개의 가이드 레일(1826)이 제공된다. Further, in this embodiment, it is provided with four guide rails 1826. 그러나, 특정 용도에 따라 임의의 수의 가이드 레일(1826)이 사용될 수 있다. However, there is a guide rail (1826) of an arbitrary number may be used depending on the particular application.

또한 도 35를 참조로, 모터(1828)는 가이드 레일(1826)을 따라 브래킷(1816)이 움직이도록 구성된다. Also with reference to Figure 35, motor 1828 is configured bracket 1816 is to move along the guide rail (1826). 특히 모터(1828)는 브래킷(1816)을 이동시키기 위해 리드 나사(1820)와 결합된다. In particular, motor 1828 is coupled to the lead screw 1820 for moving the bracket (1816). 또한, 상기 설명된 것처럼, 본 실시예에서, 브래킷(1816)은 브래킷(1906)과 연결된다. Further, as described above, in this embodiment, bracket 1816 is connected to the bracket (1906). 특히, 브래킷(1816, 1906)은 브래킷(1816, 1906) 사이의 움직임을 허용하는 조인트(1902, 1904)를 통해 연결된다. In particular, the bracket (1816, 1906) are connected via a joint (1902, 1904) to allow movement between the bracket (1816, 1906). 앞서 설명된 것처럼, 조인트(1902, 1904)는 브래킷(1816, 1906)이 가이드 레일(1826)에 부딪치는 것을 감소시킨다. As described above, the joint (1902, 1904) is reduced to hitting the bracket (1816, 1906) is a guide rail (1826).

도 37을 참조로, 상기 설명된 것처럼, 웨이퍼 척(1604)은 회전하도록 구성된다. With reference to Figure 37, as described above, the wafer chuck 1604 is configured to rotate. 도 35를 참조로, 모터(1836)는 웨이퍼 척(1604)을 회전시키도록 구성된다(도 37). With reference to Figure 35, motor 1836 is configured to rotate the wafer chuck 1604 (Figure 37). 특히, 본 실시예에서, 모터(1836)는 드라이브 벨트(1834)를 통해 샤프트(1802)를 회전시킨다. In particular, in this embodiment, the motor 1836 rotates the shaft 1802 via drive belt 1834. 도 37을 참조로, 샤프트(1802)는 웨이퍼 척(1604)의 상부 섹션(1858)에 고정된다. With reference to Figure 37, the shaft 1802 is fixed to the upper section (1858) of the wafer chuck 1604. 부가적으로, 샤프트(1802)는 슬립-링 어셈블리(1838)내에서 회전한다. In addition, the shaft 1802 is a slip-ring rotates in the assembly (1838).

연속해서 도 37을 참조로, 상기 설명된 것처럼, 웨이퍼 척(1604)은 웨이퍼 척(1604)의 개방 및 폐쇄를 위해 구성된 다수의 스프링 어셈블리(1894)를 포함한다. With continuous reference to FIG. 37 to be as described above, the wafer chuck 1604 includes a plurality of spring assembly (1894) is configured for opening and closing of the wafer chuck 1604. 특히, 본 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 6개의 스프링 어셈블리(1894)를 포함한다. In particular, in this embodiment, the wafer chuck 1604 includes six spring assembly (1894). 그러나, 특정 용도에 따라 임의의 수의 스프링 어셈블리(1894)가 사용될 수 있다. However, there is a spring assembly (1894) of an arbitrary number may be used depending on the particular application.

연속해서 도 37을 참조로, 본 실시예에서, 각각의 스프링 어셈블리(1894)는 칼라(1804) 보다 헤드 위치에 형성된 1개 단부를 갖는 로드(1806)를 포함한다(도 18A). A continuous reference to Figure 37. Then, in this embodiment, each spring assembly (1894) comprises a rod (1806) having one end portion formed at the head position than the collar 1804 (FIG. 18A). 특히, 도 40A 및 40B를 참조로, 로드(1806)의 한쪽 단부는 웨이퍼 척(1604)의 하부 섹션(1856)에 고정된다. In particular, with reference to Figure 40A and 40B, one end of rod 1806 is fixed to the lower section (1856) of the wafer chuck 1604. 로드(1806)의 다른쪽 단부는 헤드 부분(4002)을 포함한다. The other end of rod 1806 comprises a head portion (4002). 부가적으로, 스프링(1808)은 로드(1806) 부근에 그리고 상부 섹션(1858)과 헤드 부분(4002) 사이에 배치된다. Is disposed between Additionally, the spring 1808 is the upper section and in the vicinity of the load 1806 (1858) and the head part (4002). 따라서, 웨이퍼 척(1604)이 하강 위치에 있는 경우, 스프링(1808)은 상부 섹션(1858)을 보유하는 힘을 가하기 위해 연장되며 하부 섹션(1856)은 폐쇄된다. Therefore, when the wafer chuck 1604 is in the lowered position, the spring 1808 is extended to apply a force to hold the upper section (1858) is the lower section (1856) is closed. 웨이퍼 척(1604)이 상승함에 따라, 헤드 부분(4002)은 리드(1810)의 하부면과 실질적으로 접촉하게 된다(도 34). As the wafer chuck 1604 is raised, the head portion 4002 is substantially in contact with the lower surface of the lead 1810 (Fig. 34). 따라서, 스프링(1808)이 압축되며, 로드(1806)는 웨이퍼 척(1604)을 개방시키기 위해 하부 섹션(1856)과 상부 섹션(1858)이 분리된다. Therefore, the spring 1808 is compressed, the load 1806 is a lower section (1856) and the upper section (1858) is separated to open the wafer chuck 1604.

상기 설명된 것처럼, 도 37을 참조로, 스프링 어셈블리(1894)에 의해 인가된 힘 이외에, 진공 및/또는 감압이 웨이퍼 척(1604)을 결합시키기 위해 제공된다. As described above, with reference to Figure 37, in addition to the force applied by the spring assembly (1894), a vacuum and / or pressure are provided to couple the wafer chuck 1604. 도 41을 참조로, 본 실시예에서, 진공 및/또는 감압이 시일(4104)에 의해 형성된 캐비티(1830)에 제공된다. With reference to Figure 41, there is provided in a cavity 1830 formed by the present embodiment, the vacuum and / or pressure to seal 4104. 상기 상세한 설명 및 도 18A 내지 도 18C에 설명된 것 처럼, 캐비티(1830)는 하부 섹션(1856)에 형성되며 시일(1878)에 의해 밀폐된다. Like the one described in the foregoing description and Figs. 18A to 18C, the cavity 1830 is formed in the lower section (1856) which is closed by a seal (1878). 도 41과 비교해 보면, 시일(4104)은 나사, 볼트, 접착제 등과 같은 임의의 종래 고정 장치 및/또는 방법을 사용하여 하부 섹션(1856)에 보다 쉽게 장착될 수 있다. As compared with FIG. 41, the seal 4104 can be more easily mounted on the lower section (1856) using any conventional fixing apparatus and / or method, such as screws, bolts, adhesive. 특히, 본 실시예에서, 시일(4104)은 나사, 볼트 등과 같은 임의의 종래의 고정 장치를 사용하여 하부 섹션(1856)에 고정될 수 있는 링(1406)을 사용하여 부착된다. In particular, in this embodiment, the seal 4104 is attached using a ring 1406 that using any of the conventional fixing device can be fixed to the lower section (1856), such as screws, bolts. 링(1406)은 시일(4104) 부근의 고정 장치에 의해 인가된 힘의 분산을 보조한다. Ring 1406 to aid in the dispersion of the force applied by the retainer in the vicinity of the seal 4104. 부가적으로, 시일(4104)의 사용은 하부 섹션(1856)에 캐비티(1830)를 형성하는 것보다 보다 비용면에서 효율적이고 신뢰성이 있을 수 있다. Additionally, the use of the seal 4104 is a cost-effective than than to form a cavity 1830 in the lower section (1856) and can be the reliability. 시일(4104)은 바이턴(Viton), (플루오르화탄소) 고무, 실리콘 고무 등과 같은 임의의 탄력적인 물질을 포함할 수 있다. Seal 4104 may comprise any resilient material, such as by-turn (Viton), (fluorocarbon) rubber, silicone rubber.

도 42를 참조로, 상기 설명된 것처럼, 시일 부재(1884)에 의해 형성된 시일을 검사하고/또는 강화시키기 위해 캐비티(1892)에 진공 및/또는 감압이 제공될 수 있다. Figure 42 as a reference, as described above, there is a vacuum and / or pressure to the sealing member (1884), the cavity (1892) to check the sealing and / or strengthening formed by the can be provided. 또한, 상기 설명된 것처럼, 압력 가스가 시일 부재(1884)에 의해 형성된 시일을 검사하고, 시일 부재(1884)에 의해 형성된 시일을 강화하고, 나머지 전해질 용액의 정화 및 다양한 다른 목적을 위해 캐비티(1892)에 제공될 수 있다. Further, the described as the pressure gas to the seal member (1884) examines the seal formed by the seal member enhance the seal formed by the (1884) and the cavity (for purging and a variety of other purposes in the rest of the electrolytic solution 1892 ) it can be provided to.

*그러나, 진공 및/또는 감압 가스가 캐비티(1892)에 제공된 경우, 진공 및/또는 감압 가스 일부는 웨이퍼(1602)와 상부 섹션(1852) 사이의 인터페이스로 스며들 수 있다. * However, when the vacuum and / or pressure gas is supplied to the cavity (1892), vacuum and / or pressure-gas portion may penetrate into the interface between wafer 1602 and the upper section (1852). 이처럼, 진공 및/또는 감압 가스 제공이 중단되더라도, 웨이퍼(1602)는 웨이퍼 척(1604)(도 37)이 개방 위치에 있을 때 상부 섹션(1852)에 부착되게 유 지될 수 있어, 웨이퍼(1602)의 제거를 어렵게 할 수 있다. Thus, even if vacuum and / or pressure-gas provided is stopped, the wafer 1602 can jidoel oil to be attached to the top section (1852) when in the open position, the wafer chuck 1604 (Figure 37), the wafer 1602 in can be difficult to remove. 도 46 내지 도 48을 참조로, 웨이퍼(1602)(도 42)가 상부 섹션(1852)(도 42)에 부착되는 것을 방지하기 위해, 텍스춰(textured) 패드(4600)가 웨이퍼(1602)(도 42)와 상부 섹션(1852)(도 42) 사이에 제공될 수 있다. With reference to Figure 46 to Figure 48, the wafer 1602 (FIG. 42) the upper section (1852) to prevent (42) that is attached to, Texture (textured) pad (4600) of the wafer 1602 (FIG. 42) it may be provided between the top section 1852 (FIG. 42). 본 실시예에서, 텍스춰 패드(4600)는 웨이퍼(1602)(도 42)와 접촉되는 표면에 거쳐 형성된 다수의 그루브(4602)를 포함한다. In this embodiment, the texturing pad (4600) comprises a plurality of grooves 4602 formed by a surface which is in contact with the wafer 1602 (FIG. 42). 이처럼, 웨이퍼(1602)(도 42) 후면에 스며드는 임의의 진공 및/또는 감압 가스가 보다 쉽게 빠져나갈 수 있다. As such, the wafer 1602 (FIG. 42) and any of the vacuum and / or pressure-gas permeates to the back out more easily be located. 결과적으로, 웨이퍼(1602)(도 42)는 상부 섹션(1852)(도 42)에 덜 달라붙게 될 것이다. As a result, the wafer 1602 (FIG. 42) will be butge less stick to the upper section 1852 (FIG. 42).

다시 도 41 및 도 42를 참조로, 본 실시예에서, 진공, 감압, 및/또는 압력 가스가 각각 고정물(fitting)(4102;도 41, 4202;도 42)을 통해 캐비티(1830, 1892)에 제공된다. With reference again to Figure 41 and Figure 42, in this embodiment, vacuum, pressure, and / or pressure gas, each fixture (fitting) to the cavity (1830, 1892) through (4102; Fig. 42; Fig. 41, 4202) It is provided. 도 38을 참조로, 진공, 감압, 및/또는 압력 가스가 채널(1874)로부터 라인(1832)을 통해 그리고 채널(1876)로부터 라인(1852)를 통해 각각 고정물(4102;도 41, 4202;도 42)에 제공된다. To Figure 38 as a reference, vacuum, pressure, and / or pressure gas channels through a line (1832) from (1874) and channel, respectively via a line (1852) from (1876) a fixture (4102; 41, 4202; Fig. 42) is provided on.

도 43을 참조로, 진공, 감압, 및/또는 압력 가스가 슬립-링 어셈블리(1838)를 통해 샤프트(1802)에 형성된 채널(1874, 1876)에 제공된다. With reference to FIG. 43, vacuum, pressure, and / or pressure gas is slip-formed channel is provided to the shaft 1802 through the ring assembly (1838) (1874, 1876). 상기 설명된 것처럼, 슬립-링 어셈블리(1838)는 샤프트(1802)가 회전할 때 샤프트(1802) 속으로 진공 및/또는 감압을 제공하도록 구성된다. As described above, the slip-ring is an assembly (1838) includes a shaft (1802) is configured to provide a vacuum and / or pressure into the shaft 1802 as it rotates. 특히, 상기 설명된 것처럼, 시일(1842)은 인입구(1870, 1872)를 통해 진공 및/또는 감압이 주입될 수 있는, 샤프트(1802) 및 슬립-링 어셈블리(1838) 사이에 캐비티(1866, 1868)(도 18B)를 형성한다. In particular, the described as the seal (1842) is the inlet (1870, 1872) to which the vacuum and / or pressure can be introduced through the shaft 1802 and the sleep-cavity between the ring assembly (1838) (1866, 1868 ) to form (Fig. 18B).

도 16을 참조로, 상기 설명된 것처럼, 전해질 리셉테클(1608)에서 전해질 용 액(1656)의 표면 레벨과 일직선을 이루게 웨이퍼(1602)를 유지하는 것은 전기도금 및/또는 전기연마 공정의 균일성 강화를 돕는다. To 16, the uniformity of the as described, maintaining the electrolyte receptacle 1608 surface level and formed of straight wafer 1602 of the electrolytic solution (1656) for at electroplating and / or electrochemical polishing fairness It helps strengthen. 이와 관련하여, 도 43을 참조로, 브래킷(1816)의 정렬은 웨이퍼 척(1858)과 평행하게 구성될 수 있다. In this connection, refer to Fig. 43, the alignment of the bracket 1816 may be arranged parallel to the wafer chuck (1858).

*도 44를 참조로, 슬립-링 어셈블리(1838)를 중심으로 브래킷(1816) 정렬은 다수의 나사(4312) 및 다수의 나사 세트(4314)를 다양하게 조절함으로써 조절될 수 있다. * Figure 44 as a reference, the slip-bracket 1816 arranged around the ring assembly (1838) can be controlled by variously adjusting the number of screws (4312) and a plurality of screws (4314). 특히, 브래킷(1816)과 슬립-링 어셈블리(1838) 사이의 갭은 각각 나사(4312)와 세트-나사(4314)를 조절함으로써 증가되고 감소될 수 있다. Specifically, the bracket 1816 and the sleep-gap between the ring assembly (1838) are each screw (4312) and the set may be reduced and increased by adjusting the screws (4314). 본 실시예에서, 적어도 3개의 나사(4312) 및 3개의 세트-나사(4314)의 사용은 브래킷(1816)을 기준으로 짐벌처리되는(gimbaled) 슬립-링 어셈블리(1838)를 허용한다. In this embodiment, at least three screws (4312), and three set-allows the ring assembly (1838) using a screw (4314) is a bracket (gimbaled) slip to be processed, based on the gimbal 1816. 그러나, 조절되는 브래킷(1816)과 슬립-링 어셈블리(1838)의 정렬을 허용하는데 다양한 장치 및 방법이 사용될 수 있다. However, the bracket 1816 and the slip-controlled - There are a variety of devices and methods may be used to allow for alignment of the ring assembly (1838).

도 45를 참조하여, 샤프트(1802)를 기준으로 한 상부 섹션(1858)의 정렬은 다수의 나사(4304) 및 세트 나사(4306)를 다양하게 조절함으로써 조절될 수 있다. Referring to Figure 45, the alignment of the upper section (1858) relative to the shaft 1802 may be controlled by variously adjusting the number of screws 4304 and set screws (4306). 본 실시예에서, 나사(4303)와 세트 나사(4306)의 조절은 스템 부품(4302)을 기준으로 상부 섹션(1858)의 정렬을 조절할 수 있다. In this embodiment, the adjustment of screw 4303 and set screws (4306) can adjust the alignment of the upper section (1858) relative to the stem component 4302. 특히, 상부 섹션(1858)과 스템 부품(4302) 사이의 갭은 나사(4304)와 세트나사(4306)를 사용하여 조절가능하다. In particular, the gap between the top section (1858) and the stem component 4302 can be adjusted by using the screws 4304 and set screws (4306). 본 실시예에서, 3개의 나사(4304)의 사용과 상부 섹션(1858) 중심의 세트 나사(4306) 및 스템 부품(4302)의 위치는 스템 부품(4302)을 중심으로 짐벌처리되는 상부 섹션(1858)을 허용한다. In this embodiment, used with an upper section (1858) located in the center of the set screw (4306) and the stem part (4302) of the upper section is processed gimbal about the stem component 4302 of three screws 4304 (1858 ) permits.

또한, 본 실시예에서, 스템 부품(4302)은 다수의 볼트(4308)를 사용하여 샤프트(1802)에 부착된다. Further, in this embodiment, the stem component 4302 uses a plurality of bolts (4308) is attached to the shaft 1802. 이러한 방식으로, 상부 섹션(1858)은 그의 정렬을 재설정할 필요없이 샤프트(1802)로부터 제거될 수 있다. In this way, the upper section (1858) can be removed from the shaft (1802) without having to reset his arrangement. 앞서 설명된 것처럼, 웨이퍼 척(1604)(도 37)은 정밀 검사, 수선, 보존과 같은 다양한 목적을 위해 제거될 수 있다. As described above, the wafer chuck 1604 (Figure 37) may be removed for various purposes such as inspection, repair, storage. 후에 재-정렬을 용이하게 하기 위해, 도 43을 참조로, 본 실시예에서, 스템 부품(4302) 및 샤프트(1802)는 테논(tenon) 및 모티스(mortise) 형상 조인트를 사용하여 연결된다. After re-order to facilitate the alignment, with reference to Figure 43, in this embodiment, the stem component 4302 and the shaft 1802 is coupled with the Tenon (tenon) and motiseu (mortise) shaped joint. 또한, 볼트(4308)는 단지 스템 부품(4302)과 샤프트(1802)만을 접촉한다. In addition, the bolt (4308) is only in contact only the stem part 4302 and the shaft 1802. 이런 방식으로, 볼트(4308)의 조절은 상부 섹션(1858)의 조절은 스템 부품(4302)에 영향을 미치지 않는다. In this way, the adjustment of the bolt (4308) is adjusted in the upper section (1858) does not affect the system components (4302).

웨이퍼 척 어셈블리으로 설명된 다양한 실시예를 통해, 웨이퍼 척(1604)의 다양한 실시예를 설명한다. Through the various embodiments described by the wafer chuck assembly, it will be described the various embodiments of the wafer chuck 1604. 도 49를 참조로, 웨이퍼 척(1604)은 하부 섹션(1856)과 상부 섹션(1858)을 포함한다. With reference to Figure 49, the wafer chuck 1604 has a lower section (1856) and the upper section (1858). 하부 섹션(1858)은 전기도금 및/또는 전기연마 공정 동안 웨이퍼(1602)의 하부 표면을 노출시키기 위한 개구부를 갖게 형성된다. The lower section (1858) is formed to have an opening for exposing the lower surface of the wafer 1602 during the electroplating and / or electrochemical polishing.

일 실시예에서, 하부 섹션(1856)과 상부 섹션(1858)은 세라믹, 폴리테트라플루오르에틸렌(상업적으로 TEFLON으로 공지됨), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리비닐인딘 플로라이드(PVDF), 폴리프로필렌 등과 같은 임의의 종래의 전기적 절연 물질 및 산 및 부식에 대해 내성이 있는 물질로 형성된다. In an embodiment, the lower section (1856) and the upper section (1858) is a ceramic, polytetrafluoroethylene (commercially also known as TEFLON), polyvinyl chloride (PVC), polyvinyl Dean fluoride (PVDF), poly It is formed from any conventional material and electrically insulating material which is resistant to acid and corrosion, such as propylene. 선택적으로, 하부 섹션(1856)과 상부 섹션(1858)은 임의의 전기적 전도성 물질(금속, 금속 합금 등과 같은), 산 및 부식에 대해 내성이 있고 전기적으로 절연성이 있는 물질로 코팅된 물질로 형성될 수 있다. Alternatively, the lower section (1856) and the upper section (1858) is resistant to acid and corrosion (such as a metal, a metal alloy), any electrically conductive material may be formed from a material coated with a material that has insulating properties to electrically can. 본 실시예에서, 하부 섹션(1856) 및 상부 섹션(1858)은 플라스틱 층과 금속층의 샌드위치에 의해 형성된다. In this embodiment, the lower section (1856) and an upper section (1858) is formed by a sandwich of a plastic layer and a metal layer. 금속층은 구조적 보존 및 세기를 제공한다. The metal layer provides the structural strength and retention. 플라스틱층은 전해질 용액에 대해 보호막을 제공한다. Plastic layer provides a protective film for the electrolyte solution.

본 발명의 다양한 면에 따라 웨이퍼 척(1604)은 스프링 부재(1882), 전도성 부재(1880), 및 시일 부재(1884)를 포함한다. According to various aspects of the present invention, wafer chuck 1604 includes a spring member (1882), the conductive member (1880), and the seal member (1884). 앞서 설명된 것처럼, 본 발명은 반도체 웨이퍼를 보유하는 것과 관련하여 사용하는데 특히 적합하다. As described above, the method is particularly suitable for use in connection with holding the semiconductor wafer. 일반적으로, 반도체 웨이퍼는 원형 형상이다. In general, the semiconductor wafer is a circular shape. 따라서, 웨이퍼 척(1604)의 다양한 부품(즉, 하부 섹션(1856), 시일 부재(1884), 전도성 부재(1880), 스프링 부재(1882), 및 상부 섹션(1858))은 거의 원형 형상인 것으로 설명된다. Thus, the various components of the wafer chuck 1604 (i.e., the lower section (1856), the seal member (1884), the conductive member 1880, a spring member (1882), and an upper section (1858)) is to be generally circular in shape It is described. 그러나, 웨이퍼 척(1604)의 다양한 부품은 특정 용도에 따라 다양한 형상을 포함할 수 있다. However, the various components of the wafer chuck 1604 may include a variety of shapes depending upon the particular application. 예를 들어, 도 67을 참조로, 웨이퍼(6700)는 플랫 에지(6702)로 형성될 수 있다. For example, with reference to Figure 67, a wafer (6700) may be formed from a flat edge (6702). 따라서, 웨이퍼 척(1604)의 다양한 부품은 플랫 에지(6702)를 따라 형성될 수 있다. Thus, the various components of the wafer chuck 1604 may be formed along the flat edge (6702).

도 51을 참조로, 웨이퍼(1602)가 하부 섹션(1856)과 상부 섹션(1858) 사이에 배치되는 경우, 본 발명의 일면에 따라, 스프링 부재(1882)는 웨이퍼(1602)의 외부 주변부 부근에서 웨이퍼(1602)와 접촉되는 것이 바람직하다. To Figure 51 as a reference, the wafer 1602, the lower section (1856) and when placed between the upper section (1858), according to one aspect of the invention, the spring member (1882) is in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer 1602 it is preferably in contact with the wafer 1602. 스프링 부재(1882)는 전도성 부재(1880)와 접촉되는 것이 바람직하다. A spring member (1882) is preferably in contact with the conductive member (1880). 따라서, 전하가 전도성 부재(1880)에 제공되는 경우, 전하는 스프링 부재(1882)를 통해 웨이퍼(1602)로 전송된다. Therefore, the charge is transferred to the conductive member 1880, the wafer 1602 through a charge spring member (1882), if provided on.

도 51을 참조로, 본 실시예에서, 스프링 부재(1882)는 전도성 부재(1880)의 리드 부분(1880a)과 웨이퍼(1602) 사이에 배치된다. With reference to Figure 51, is disposed between the present embodiment, the spring member (1882) is the lead portion of the conductive member (1880), (1880a) and the wafer (1602). 따라서, 하부 섹션(1856)과 상부 섹션(1858) 모두를 보유하도록 압력이 가해지는 경우, 스프링 부재(1882)는 웨이퍼(1602)와 전도성 부재(1880) 사이에 전기적 접촉을 유지하게 된다. Thus, the lower section (1856) and the upper section (1858) that when a pressure is applied to hold both, a spring member (1882) is to maintain the electrical contact between the wafer 1602 and the conductive member (1880). 특히, 스프링 부재(1882)내의 코일의 상부 및 하부는 각각 웨이퍼(1602)와 리드 부분(1880a)에 접촉된다. In particular, the upper and lower portions of the coil in the spring member (1882) is contacted to each of the wafer 1602 and the lead portion (1880a). 부가적으로, 스프링 부재(1882)는 납땜, 용접 등과 같은 임의의 종래 방법을 사용하여 보다 나은 전기적 접촉을 형성하도록 리드 부분(1880a)에 결합될 수 있다. Additionally, the spring member (1882) may be coupled to lead portion (1880a) for forming a better electrical contact by using any conventional method, such as soldering, welding.

웨이퍼(1602)와 전도성 부재(1880) 사이에 형성된 접촉점의 수는 스프링 부재(1882)의 수를 변화시킴으로써 변형될 수 있다. The number of contact points formed between wafer 1602 and conductive member 1880 may be modified by changing the number of spring members (1882). 이런 방식으로, 웨이퍼(1602)에 가해지는 전하는 웨이퍼(1602)의 외부 주변부 부근에 보다 고르게 분산될 수 있다. In this way, it can be more evenly distributed on the external periphery near the wafer 1602, the charge applied to the wafer 1602. 예를 들어, 200 밀리미터(mm) 웨이퍼에 대해, 약 1 내지 약 10 암페어를 갖는 전하가 전형적으로 가해진다. For example, the charge for a 200 millimeter (mm) wafer, having from about 1 to about 10 amps is typically applied to. 스프링 부재(1882)가 웨이퍼(1602)와 약 1000개의 콘택점을 형성하는 경우, 200mm 웨이퍼에 대해, 인가되는 전하는 접촉점당 약 1 내지 약 10 밀리 암페어로 감소된다. A spring member (1882) is the case of forming the wafer 1602 and about 1000 of the contact point, for a 200mm wafer, it is applied per point contact reduced to about 1 to about 10 mA electric charge.

본 실시예에서, 지금까지 전도성 부재(1880)는 립(lip) 섹션(1880a)을 갖는 것으로 도시되고 설명되었다. In this embodiment, the conductive member (1880) has been shown and described as having a rib (lip) section (1880a) so far. 그러나, 전도성 부재(1880)는 스프링 부재(1882)를 전기적으로 접촉시키기 위한 다양한 형상을 포함할 수 있다. However, the conductive member (1880) may include a variety of shapes for electrical contact with a spring member (1882). 예를 들어, 전도성 부재(1880)는 립 섹션(1880a) 없이 형성될 수 있다. For example, the conductive member (1880) may be formed without a lip section (1880a). 이러한 구성에서, 전기적 접촉이 전도성 부재(1880)의 측면과 스프링 부재(1882) 사이에 형성될 수 있다. In this configuration, the electrical contact may be formed between the conductive member 1880 and the side spring member (1882). 또한, 전도성 부재(1880)가 완전히 제거될 수 있다. Further, the conductive member (1880) can be completely removed. 전하가 스프링 부재(1882)에 직접적으로 인가될 수 있다. The charge may be directly applied to the spring member (1882). 그러나, 이러한 구성에 있어, 전하가 인가되는 스프링 부재(1882) 부분에 핫 스폿(hot spot)이 형성될 수 있다. However, in this structure, the hot spot (hot spot) in the spring member (1882) to which the part charges may be formed.

스프링 부재(1882)는 종래의 전기적으로 전도성이 있는 방부 물질로 형성될 수 있다. A spring member (1882) may be formed of a preservative materials which are conductive in a conventional electrically. 본 실시예에서, 스프링 부재(1882)는 금속 또는 금속 합금(스테인레스 강철, 스프링 강철, 티타늄 등)으로 형성된다. In this embodiment, the spring member (1882) is formed of a metal or metal alloy (stainless steel, spring steel, titanium, etc.). 또한 스프링 부재(1882)는 방부 물질(백금, 금 등)로 코팅될 수 있다. In addition, a spring member (1882) may be coated with a preservative material (platinum, gold, etc.). 본 발명의 일면에 따라, 스프링 부재(1882)는 코일 스프링이 링에 형성됨에 따라 형성된다. According to one aspect of the invention, the spring member (1882) is formed according to the coil spring formed in a ring. 그러나, 종래의 코일 스프링은 코일의 길이를 변화시킬 수 있는 단면 프로파일을 갖는다. However, the conventional coil spring has a cross-sectional profile that can change the length of the coil. 보다 상세하게, 일반적으로는 종래의 코일 스프링은 긴 직경 및 짧은 직경을 갖는 타원 단면 프로파일을 갖는다. More specifically, in general, a conventional coil spring has an oval cross-sectional profile having a long diameter and a short diameter. 코일 스프링의 일부에서, 타원 단면 프로파일의 길고 짧은 직경은 각각 수직적이고 수평적으로 배향될 수 있다. In some of the coil spring, long and short diameter of the elliptical cross-sectional profile it can be oriented vertically and horizontally, respectively. 그러나, 이러한 타원 단면 프로파일은 코일 스프링의 길이에 따라 얽히게 되거나(twist) 회전된다. However, the oval cross-sectional profile is entangled or the rotation (twist) in accordance with the length of the coil spring. 따라서, 코일 스프링의 또다른 부분에서 타원 단면 프로파일의 길고 짧은 직경은 각각 수평으로 그리고 수직으로 배향될 수 있다. Thus, the long and short diameter of the elliptical cross-sectional profile in the other part of the coil spring may be oriented horizontally and vertically, respectively. 코일 스프링의 단면 프로파일에서의 이러한 비균일함은 웨이퍼(1602)와의 비균일한 전기적 접촉 및 비균일한 전기도금을 야기시킬 수 있다. This non-uniformity of the coil spring in cross-sectional profile of the can to cause the non-uniform and non-uniform electrical contact between the wafer electroplating 1602. 그의 길이에 대해 일정한 단면 프로파일을 갖는 코일 스프링은 제조가 어렵고 비용이 비싸다. A coil spring having a constant cross-sectional profile for its length it is difficult to manufacture and expensive in cost. 이처럼, 본 발명의 일면에 따라, 스프링 부재(1882)는 거의 균일한 단면 프로파일을 유지하기 위해 다수의 코일 스프링으로 형성된다. Thus, according to one aspect of the invention, the spring member (1882) is formed of a plurality of coil springs to maintain a substantially uniform cross-sectional profile. 본 실시예의 구성에 있어, 스프링 부재(1882)가 립 부분(1880a) 상부에 배치되는 경우, 인가된 전하는 립 부분(1880a)으로부터 스프링 부재(1882) 길이에 대해 전송된다. In the present embodiment, the spring member (1882) is transmitted to the spring member (1882) from the length, is the lip portion (1880a) when the charge is disposed on the top lip portion (1880a). 따라서, 이러한 구성에서, 다수의 코일 스프링은 전기적으로 결합될 필요가 없다. Thus, in this configuration, a plurality of the coil spring need not be electrically coupled. 그러나, 앞서 설명된 것처럼, 본 발명의 또다른 구성에 있어, 전하는 스프링 부재(1882)에 직접적으로 인가될 수 있다. However, in another configuration of the invention, charge can be directly applied to the spring member (1882) as previously described. 이러한 구성에서, 다수의 코일 스프링은 납땜, 용접 등과 같은 임의의 종래 방법을 사용하여 전기적으로 결합될 수 있다. In this configuration, a plurality of coil springs may be electrically coupled by using any conventional method, such as soldering, welding. 본 실시예에서, 스프링 부재(1882)는 약 1 내지 약 2 인치의 길이를 갖는 다수의 코일 스프링을 포함한다. In this embodiment, the spring member (1882) comprises a plurality of coil springs having a length of about 1 to about 2 inches. 그러나, 스프링 부재(1882)는 특정 용도에 따라 임의의 길이를 갖는 임의의 수의 코일 스프링을 포함할 수 있다. However, a spring member (1882) may comprise a coil spring having a number of any arbitrary length depending on the particular application. 또한, 상기 설명된 것처럼, 스프링 부재(1882)는 임의의 종래의 형태로 전기적으로 전도성 있는 물질을 포함할 수 있다. Further, as described above, the spring member (1882) may include an electrically conductive material, which as in any conventional form.

도 50 및 도 51을 참조로, 스프링 부재(1882)는 스프링 홀더(5002)를 포함할 수 있다. In Figure 50 and Figure 51, a spring member (1882) may include a spring holder (5002). 본 실시예에서, 스프링 부재(1882)가 코일 스프링인 경우, 스프링 홀더(5002)는 로드가 코일 스프링의 루프 중심을 통과하도록 구성된다. In this embodiment, the spring member (1882) when a coil spring in the spring holder 5002 is configured to load the loop through the center of the coil spring. 스프링 홀더(5002)는, 특히 스프링 부재(1882)가 다수의 코일 스프링을 포함하는 경우, 스프링 부재(1882)의 처리를 용이하게 한다. Spring holder 5002, in particular if the spring member (1882) comprises a plurality of coil springs, and facilitates handling of the spring member (1882). 부가적으로, 스프링 홀더(5002)는 스프링 부재(1882)의 원치않는 변형을 감소시키기 위해 구조적 지지체를 제공한다. Additionally, the spring holder 5002 provides structural support in order to reduce undesired deformation of the spring member (1882). 본 실시예에서, 스프링 홀더(5002)는 강성의 물질(금속, 금속 합금, 플라스틱 등)로 형성되는 것이 바람직하다. In this embodiment, the spring holder 5002 is preferably formed of a material (metal, metal alloy, plastic, etc.) of the rigid. 또한, 스프링 홀더(5002)는 방부 물질(백금, 티타늄, 스테인레스 스틸 등)로 형성되는 것이 바람직하다. Further, the spring holder 5002 is preferably formed of a preservative material (platinum, titanium, stainless steel, etc.). 또한, 스프링 홀더(5002)는 전기적으로 전도성 있거나 또는 비전도성일 수 있다. Further, the spring holder 5002 may also be electrically conductive, or non-holy.

전도성 부재(1880)는 임의의 종래 전기적 전도성 있는 방부 물질로 형성될 수 있다. The conductive member 1880 may be formed of any conventional electrically-conductive material in antiseptic. 본 실시예에서, 전도성 부재(1880)는 금속 또는 금속 합금(티타늄, 스테인레스 스틸 등) 및 방부 물질(백금, 금 등)로 코팅된 물질로 형성된다. In this embodiment, the conductive member 1880 is formed of a material coated with a metal or metal alloy (titanium, stainless steel, etc.) and anti-corrosion material (platinum, gold, etc.).

전송 라인(5104) 및 전극(5102)을 통해 전도성 부재(1880)로 전하를 인가할 수 있다. Via the transmission line (5104) and the electrode 5102 may apply an electric charge to the conductive member (1880). 전송 라인(5104)은 임의의 종래 전기적 전도성 매체를 포함할 수 있다. Transmission line (5104) may include any of the conventional electrically conductive medium. 예를 들어, 전송 라인(5104)은 구리, 알루미늄, 금 등으로 형성된 전기적 와이어를 포함할 수 있다. For example, the transmission line (5104) may include an electrical wire formed of copper, aluminum, gold or the like. 또한, 전송 라인(5104)은 전원 장치(1640, 1642, 1644)(도 16)와 임의의 종래 방식을 사용하여 연결될 수 있다. Further, the transmission line (5104) may be connected using a power source (1640, 1642, 1644) (Fig. 16) and any conventional manner. 예를 들어, 도 18A에 도시된 것처럼, 전송 라인(5104)은 상부 섹션(1858)을 통해 그리고 상부 섹션(1858)의 상부 표면을 따라 동작할 수 있다. For example, as shown in Fig. 18A, the transmission line (5104) may be through the top section (1858) and operating in accordance with the upper surface of the upper section (1858).

전극(5102)은 탄력성이 있게 구성되는 것이 바람직하다. Electrode 5102 is preferably so resilient configuration. 따라서, 하부 섹션(1856)과 상부 섹션(1858) 모두를 보유하도록 압력이 인가되는 경우, 전극(5102)은 전도성 부재(1880)를 따라 전기적 접촉을 유지한다. Thus, when applied with a pressure to hold all of the lower section (1856) and the upper section (1858), the electrode 5102 is maintained in electrical contact along the conductive member (1880). 이와 관련하여, 전극(5102)은 리프 스프링 어셈블리, 코일 스프링 어셈블리 등을 포함할 수 있다. In this connection, the electrode 5102 may include a leaf spring assembly, the coil spring assembly or the like. 전극(5102)은 전기적으로 전도성있는 임의의 종래 물질(금속, 금속 합금 등)로 형성가능하다. Electrode 5102 can be formed of any conventional with electrically conductive material (metals, metal alloys, etc.). 본 실시예에서, 전극(5102)은 방식제(anti-corrosive)(티타늄, 스테인레스 강철 등)로 형성된다. In this embodiment, the electrode 5102 is formed of a corrosive (anti-corrosive) (titanium, stainless steel, etc.). 부가적으로, 임의의 수의 전극(5102)이 전도성 부재(1880)에 전하를 인가하기 위해 상부 섹션(1858) 부근에 배치될 수 있다. Additionally, it can be disposed in the vicinity of the upper section (1858) for any number of electrodes 5102 to apply a charge to the conductive member (1880). 본 실시예에서, 4개 전극(5102)이 상부 섹션(1858) 부근에 약 90도 간격으로 거의 동일한 간격으로 배치된다. In the present embodiment, four electrode 5102 is about 90 degrees are disposed in substantially the same intervals in the gap in the vicinity of the upper section (1858).

상기 설명된 것처럼, 금속층을 전기도금하기 위해, 웨이퍼(1602)는 전해질 용액에 침지되고 전하가 웨이퍼(1602)에 적용된다. For the following description, the electric metal plating, as the wafer 1602 is immersed in an electrolytic solution and the charge is applied to the wafer 1602. 웨이퍼(1602)가 전극(1632, 1634, 1636)(도 16) 보다 큰 전위로 전기적 전하가 인가되는 경우, 전해질 용액 내 에 금속 이온은 금속층을 형성하기 위해 웨이퍼 표면으로 이동된다. If the wafer 1602, to which the electrical charge to a larger potential than the electrode (1632, 1634, 1636) (Fig. 16), the metal ion in the electrolyte solution is moved to the wafer surface to form a metallic layer. 그러나, 전하가 인가되는 경우, 스프링 부재(1882) 및/또는 전도성 부재(1880)가 전해질 용액에 노출되는 경우 단락을 야기시킬 수 있다. However, when applied with the electric charge, and a spring member (1882) and / or the conductive member (1880) that may cause a short circuit when exposed to the electrolyte solution. 부가적으로, 전기도금 공정 동안 웨이퍼(1602)가 금속의 시드층을 포함하는 경우, 금속 시드층은 애노드로서 작용을 할 수 있고 스프링 부재(1882)는 캐소드로서의 작용을 할 수 있다. Additionally, the case comprises a seed layer of the wafer 1602, the metal for the electroplating process, the metal seed layer to act as an anode, and a spring member (1882) may act as the cathode. 이처럼, 금속층은 스프링 부재(1882) 상에 형성될 수 있고 웨이퍼(1602) 상의 시드층은 전기연마될 수 있다(즉, 제거된다). Thus, the metal layer can be formed on a spring member (1882) and the seed layer on the wafer 1602 can be electro polished (that is, removed). 스프링 부재(1882)의 단락 및 웨이퍼(1602)상의 시드층 제거는 웨이퍼(1602) 상에 형성된 금속층의 균일성을 감소시킬 수 있다. Removing the seed layer on the short-circuit and the wafer 1602 of the spring member (1882) may reduce the uniformity of the metal layer formed on a wafer (1602).

따라서, 본 발명의 다양한 면에 따라, 시일 부재(1884)는 전해질 용액으로부터 스프링 부재(1882) 및 전도성 부재(1880)를 절연시킨다. Thus, according to various aspects of the present invention, the seal member (1884) is to isolate the spring member (1882) and conductive member (1880) out of the electrolyte solution. 시일 부재(1884)는 바이턴(플로오르카본) 고무, 실리콘 고무 등과 같은 방식제로 형성하는 것이 바람직하다. The seal member (1884) is preferred to form the zero method, such as by-turn (flow climb carbonyl) rubber, silicone rubber. 또한, 본 실시예는 도 51을 참조로 하였지만, 시일 부재(1884)는 L-형상 프로파일을 포함하며, 시일 부재(1884)는 특정 용도에 따라 다양한 형상 및 구성을 포함할 수 있다. Further, this embodiment although with reference to Figure 51, the seal member (1884) comprises an L- shaped profile, the seal member (1884) may include a variety of shapes and configurations depending upon the particular application. 시일 부재(1884)의 다양한 구성의 예는 도 53A 내지 53G에 도시된다. Examples of different configurations of the sealing member (1884) is shown in Figure 53A through 53G. 그러나, 도 53A 내지 도 53G에 도시된 다양한 구성은 단지 일례이며 각각 시일 부재(1884)의 선택적 가능 구성을 나타내는 것은 아니다. However, even a variety of configurations shown in FIG. 53A to 53G are only an example not representing the selectively configured in each of the seal member (1884).

상기 설명되고 도 51에 도시된 것처럼, 스프링 부재(1882) 및 시일 부재(1884)는 웨이퍼(1602)의 외부 주변 부근에서 웨이퍼(1602)와 접촉된다. As described above and shown in Figure 51, spring member 1882 and the sealing member (1884) is in contact with the wafer 1602 in the vicinity of the outer periphery of the wafer 1602. 특히, 스프링 부재(1882)와 시일 부재(1884)는 웨이퍼(1602)의 외부 주변부 폭(5106)과 접촉된다. In particular, the spring member 1882 and the sealing member (1884) is in contact with the outer periphery width (5106) of the wafer (1602). 일반적으로, 웨이퍼(1602)의 이러한 영역은 후에 전자공학 구조 등을 형성하는데 사용될 수 없다. In general, these regions of the wafer 1602 can not be used to form the structure after such electronics. 이처럼, 본 발명의 일 실시예에 따라, 폭(5106)은 웨이퍼(1602)의 전체 표면 면적의 작은 비율로 유지된다. Thus, according to one embodiment of the invention, the width (5106) is maintained at a small percentage of the total surface area of ​​the wafer 1602. 예를 들어, 약 300 밀리미터(mm) 웨이퍼에 대해, 폭(5106)은 약 2mm 내지 약 6mm로 유지된다. For example, for a 300 millimeter (mm) wafer, the width (5106) is maintained at about 2mm to about 6mm. 그러나, 폭(5106)은 특정 용도에 따라 웨이퍼(1602)의 전체 표면 면적의 임의의 비율일 수 있다. However, the width (5106) may be any percentage of the total surface area of ​​the wafer 1602, according to the particular application. 예를 들어, 하나의 용도에서, 웨이퍼(1602)상에 증착된 금속층의 양은 웨이퍼(1602)의 유용한 영역보다 중요할 수 있다. For example, it may be more important than in a single use, the amount of useful area of ​​the wafer 1602, the metal layer deposited on the wafer 1602. 이처럼, 웨이퍼(1602)의 표면 면적의 상당부는 다량 인가된 전하를 수용하기 위해 스프링 부재(1882) 및 시일 부재(1884)를 접촉시키게 제공될 수 있다. As such, significant quantities of surface area of ​​the wafer 1602, the contact portion may be provided thereby a spring member (1882) and the seal member (1884) to accommodate the large amount of applied charge.

도 54를 참조로, 웨이퍼 척(1604)(도 51)에 의해 수행되는 공정 단계는 순서도 포맷에서 착수된다. Figure 54 as a reference, the process steps performed by the wafer chuck 1604 (Figure 51) is set out in a flowchart format. 도 51을 참조로, 웨이퍼 척(1604)은 처리되는 웨이퍼(1602)를 수용하기 위해 개방된다(도 54, 블록(5402)). With reference to Figure 51, a wafer chuck 1604 is opened to accommodate the wafer 1602 to be processed (FIG. 54, block 5402). 특히, 하부 섹션(1856)은 상부 섹션(1858)을 기준으로 하강될 수 있다. In particular, the lower section (1856) can be lowered relative to the upper section (1858). 선택적으로, 상부 섹션(1858)은 하부 섹션(1856)을 기준으로 상승될 수 있다. Alternatively, the upper section (1858) can be raised relative to the lower section (1856). 앞서 설명된 것처럼, 뉴매틱(pneumatic), 스프링, 진공, 자기력 등과 같이, 웨이퍼 척(1604)을 개방하기 위해 다양한 방법이 사용될 수 있다. As previously described, such as a pneumatic (pneumatic), springs, vacuum, magnetic force, a variety of methods can be used to open the wafer chuck 1604.

웨이퍼 척(1604)이 비어있는 (도 54, 판단 블록(5404)이 블록(5408)을 향해 예로 되는) 경우, 처리될 새로운 웨이퍼(1602)가 제공되거나 또는 삽입된다(도 54, 블록(5408)). A wafer chuck 1604 is empty, when (Figure 54, decision block 5404 is to be towards the block (5408) for example), provided with a new wafer 1602 to be processed, or is inserted in (Figure 54, block (5408) ). 그러나, 웨이퍼 척(1604)이 이전에 처리된 웨이퍼를 포함하고 있는 경우, 이전에 처리된 웨이퍼는 웨이퍼 척(1604)으로부터 제거되고(도 54, 판단 블록(5404)이 블록(5406)을 향해 아니오로 되는 경우) 새로운 웨이퍼(1602)가 제공된 다(도 54, 블록(5408)). However, in the case that the wafer chuck 1604 includes a wafer processing previously, before a wafer process in is removed from the wafer chuck 1604 (Figure 54, decision block 5404 is no towards the block (5406) if a) (C a 1 602) is provided (FIG. 54, a block (5408) new wafers). 상기 설명된 것처럼, 웨이퍼(1602)의 처리는 로봇(106)(도 16)에 의해 수행될 수 있다. As described above, the processing of the wafer 1602 may be performed by the robot 106 (FIG. 16). 또한, 웨이퍼(1602)는 웨이퍼 카세트(116)(도 3)로부터 얻어질 수 있고 웨이퍼 카세트(116)(도 3)로 복귀될 수 있다. Further, the wafer 1602 may be returned to the wafer cassette 116 can be obtained (Fig. 3) and from the wafer cassette 116 (Fig. 3).

웨이퍼(1602)가 웨이퍼 척(1604) 내에 제공된 후, 웨이퍼 척(1604)은 폐쇄될 수 있다(도 54, 블록(5410)). Wafer 1602 is then provided in the wafer chuck 1604, a wafer chuck 1604 can be closed (Figure 54, block 5410). 상기 설명된 것처럼, 하부 섹션(1856)은 상부 섹션(1858)을 기준으로 상승될 수 있다. As described above, the lower section (1856) can be raised relative to the upper section (1858). 선택적으로, 상부 섹션(1858)은 하부 섹션(1856)을 기준으로 하강될 수 있다. Alternatively, the upper section (1858) can be lowered relative to the lower section (1856). 상기 설명된 것처럼, 웨이퍼 척(1604)이 폐쇄될 때, 스프링 부재(1882)는 웨이퍼(1602)와 전도성 부재(1880)와의 전기적 접촉을 형성한다. As described above, when the closure wafer chuck 1604, a spring member (1882) forms an electrical contact between the wafer 1602 and the conductive member (1880). 추가로, 전도성 부재(1880)는 전극(502)과의 전기적 접촉을 형성한다. Further, the conductive member (1880) forms an electrical contact with the electrode 502.

웨이퍼 척(1604)이 폐쇄된 후, 웨이퍼 척(1604)은 전해질 용액 리셉테클(1608)(도 16)내로 하강된다(도 54, 블록(5412)). After the wafer chuck 1604 is closed, the wafer chuck 1604 is lowered into the electrolyte solution receptacle (1608) (16) (Fig. 54, a block (5412)). 상기 설명된 것처럼, 웨이퍼(1602)는 전해질 용액내로 침지된다. As described above, the wafer 1602 is immersed into the electrolyte solution. 또한, 상기 설명된 것처럼, 시일 부재(1884)는 스프링 부재(1882)와 전도성 부재(1880)와 전해질 용액이 접촉되는 것을 방지한다. Further, as described above, the seal member (1884) is to prevent the spring member (1882) and conductive member (1880) with the electrolyte solution in contact.

웨이퍼(1602)가 전해질 용액내에 침지될 때, 전하가 웨이퍼(1602)(도 54, 블록(5414))에 인가된다. When wafer 1602 is to be immersed in the electrolyte solution, the charge is applied to the wafer 1602 (FIG. 54, block 5414). 특히, 본 실시예에서, 전하는 전송 라인(504), 도체(502), 전도성 부재(1880), 및 스프링 부재(1882)를 통해 웨이퍼(1602)에 인가된다. In particular, it is applied to the present embodiment, the charge transfer line 504, conductor 502, conductive member 1880, and a spring wafer 1602 through a member (1882). 상기 설명된 것처럼, 스프링 부재(1882)는 웨이퍼(1602)에 인가되는 전하를 보다 고르게 분포시키기 위해 웨이퍼(1602) 외부 주변부 부근에 다수의 접촉점을 형성한다. As described above, the spring member (1882) forms a plurality of contact points at the outer periphery the wafer 1602 in order to more evenly distribute the charge to be applied to the wafer 1602. 또한, 상기 설명된 것처럼, 스프링 부재(1882)는 스프링 부재(1882)에 인가되는 전하 를 보다 고르게 분포시키기 위해 전도성 부재(1880)와 다수의 접촉점을 형성한다. Further, as described above, the spring member (1882) forms a conductive member (1880) and a plurality of contact points in order to more evenly distribute the charge to be applied to the spring member (1882). 전하는 웨이퍼 척(1602)이 전해질 용액 리셉테클(1608)(도 16)에 하강되기 전 또는 후에 인가될 수 있다. The wafer chuck 1602, a charge may be applied before or after the falling in the electrolyte solution receptacle 1608 (Fig. 16).

앞서 설명된 것처럼, 웨이퍼 척(1604)은 웨이퍼(1602)(도 16) 상의 금속층의 보다 균일한 전기도금을 위해 회전할 수 있다. As described above, the wafer chuck 1604 can be rotated to a metal layer more uniform electroplating on the wafer 1602 (FIG. 16). 도 16에 설명된 것처럼, 본 실시예에서, 웨이퍼 척(1604)은 z-축 부근을 회전할 수 있다. As described in Figure 16, in this embodiment, the wafer chuck 1604 is rotatable to near the z- axis. 또한, 웨이퍼 척(1604)은 xy 평면에서 진동할 수 있다. Furthermore, the wafer chuck 1604 may vibrate in the xy plane.

다시 도 51을 참조로, 웨이퍼(1602)가 전기도금 및/또는 전기연마된 후에, 에이퍼 척(1604)는 전해질 용액 리셉테클(1608)(도 16)로부터 다시 상승될 수 있다. With reference again to Figure 51, after the wafer 1602, the electroplating and / or electrochemical polishing, this buffer vessels 1604 may be lifted again from the electrolyte solution receptacle 1608 (Fig. 16). 본 발명의 또다른 실시예를 따라, 나머지 전해질 용액을 제거하기 위해 건조 가스(아르곤, 질소 등)가 제공된다. According to still another embodiment of the present invention, the drying gas (argon, nitrogen, etc.) is provided to remove the remaining electrolyte solution. 특히, 도 52A를 참조로, 건조 가스는 시일 부재(1884)와 웨이퍼(1602) 사이의 결합부로부터 잔류 전해질을 제거하기 위해 노즐(5202)을 통해 인가된다. In particular, with reference to Figure 52A, a dry gas is driven through the nozzle 5202 to remove residual electrolyte from the engaging portion between the seal member (1884) and the wafer (1602). 주목할 것은 임의의 수의 노즐(5204)이 특정 용도에 따라 사용될 수 있다는 것이다. The nozzle 5204 is that any number of can be used according to the particular application note. 또한, 웨이퍼 척(1604)은 건조 가스가 노즐(5204)을 통해 제공될 때 회전할 수 있다. Furthermore, the wafer chuck 1604 can rotate when the drying gas is provided through the nozzles 5204. 이처럼, 노즐(5204)은 고정되거나 움직일 수 있다. Thus, the nozzle 5204 may be fixed or movable.

웨이퍼 척(1604)이 상승된 후에, 웨이퍼 척(1604)이 개방된다(도 54, 블록(5402). 다음 처리된 웨이퍼가 제거된다(도 54, 결정 블록(5404)에서 블록(5406)상의 NO로 분기). 건조 가스(아르곤, 질소등)가 잔류하는 전해질 용액을 제거하기 위해 사용된다. 특히, 도 52B를 참조로, 건조 가스는 노즐(5204)를 통해 인가되어 전도성 부재(1880), 스프링 부재(1882), 및 시일 부재(1884)로부터 잔류 전해질을 제거한다. 또한, 건조 가스가 노즐(5204)을 통해 인가되는 동안 웨이퍼 척(1604)은 회전할 수 있다. 이처럼, 노즐(5204)은 고정되거나 움직일 수 있다. After the wafer chuck 1604 is raised, a wafer chuck 1604 is opened (FIG. 54, a block (5402). NO on the block (5406) ​​in the following the processed wafer is removed (Figure 54, decision block 5404 a branch). drying gas (argon, nitrogen, etc.) is used to remove the remaining electrolyte solution. in particular, as a reference to 52B, drying gas is applied through a nozzle (5204) a conductive member (1880), the spring member (1882), and to remove the residual electrolyte from the sealing member (1884). In addition, the wafer chuck 1604 is able to rotate while the drying gas supplied through the nozzle (5204). Thus, the nozzle 5204 is fixed or moveable.

새로운 웨이퍼가 제공된 후(도 54, 블록(5408)), 전체 공정은 반복된다. After the new wafer is provided (Fig. 54, a block (5408)), the entire process is repeated. 그러나, 본 발명의 정신 및 범주를 벗어나지 않고 도 54에 설명된 단계는 다양한 변형을 이룰 수 있다. However, the steps described in Figure 54 without departing from the spirit and scope of the present invention can achieve various modifications.

이하 상세한 설명 및 관련 도면에, 본 발명의 다양한 면에 따른 다양한 선택적 실시예를 설명하고 도시한다. The following detailed description and the associated drawings, described a variety of alternative embodiments, according to various aspects of the present invention and shown in. 그러나, 이러한 선택적 실시예는 본 발명을 구성할 수 있는 다양한 변형을 모두 설명하는 것은 아니다. However, in an alternative embodiment this is not intended to describe all of the various changes that can constitute the present invention. 오히려, 이러한 선택적 실시예는 본 발명의 정신 및/또는 범주를 이탈하지 않는 다양한 변형의 일부만을 설명한 것이다. Rather, these alternative embodiments will be described only a part of various modifications without departing from the spirit and / or scope of the invention.

도 55를 참조로, 본 발명의 선택적 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따른 웨이퍼 척(5500)은 정화 라인(5506), 노즐(5508) 및 노즐(5510)을 포함한다. With reference to Figure 55, in an alternative embodiment of the present invention, a wafer chuck (5500) in accordance with various aspects of the present invention includes a purge line (5506), a nozzle (5508) and a nozzle (5510). 본 실시예에서, 정화 라인(5506) 및 노즐(5508, 5510)은 스프링 부재(5514) 및 시일 부재(5504) 상에 건조 가스(아르곤, 질소 등)을 주입한다. In this embodiment, the purge line (5506) and a nozzle (5508, 5510) is injected into the drying gas (argon, nitrogen etc.) on the spring member (5514) and the seal member (5504). 이러한 방식으로, 웨이퍼(1602)가 처리된 후, 잔류 전해질이 스프링 부재(5514) 및 시일 부재(5504)로부터 정화될 수 있다. In this manner,, the residual electrolyte after the wafer 1602, the process can be purified from a spring member (5514) and the seal member (5504). 상기 설명된 것처럼, 전해질 용액이 없는 스프링 부재(5514)의 유지는 보다 균일한 전기도금 공정을 용이하게 한다. As described above, retention of the electrolyte solution without the spring member (5514) is to facilitate a more uniform electroplating process. 또한, 시일 부재(5504)로부터 정화되는 전해질 용액은 다음 웨이퍼가 처리되는 경우 밀폐를 보다 용이하게 한다. In addition, the electrolyte may be purged from the seal member 5504 solution makes it easier to seal when the next wafer to be processed. 도 55에 도시된 것처럼, 본 실시예에서, 정화 라인(5506) 및 노즐(5508, 5510)은 전도성 부재(5502)에 형성된다. As shown in Figure 55, in this embodiment, the purge line (5506) and a nozzle (5508, 5510) is formed on the conductive member (5502). 또한, 정화 라인(5506)은 압력 라인(1852)(도 18A)에 연결될 수 있다. Further, the purge line (5506) may be connected to the pressure line 1852 (FIG. 18A). 그러나, 웨이퍼 척(5500)은 본 발명의 정신 및/또는 범주를 이탈하지 않는 방식의 변형시에 정화 라인(5506) 및 노즐(5508, 5510)으로 적절하게 구성될 수 있다. However, a wafer chuck (5500) may be suitably in the purge line (5506) and a nozzle (5508, 5510) configured at the time of the system without departing from the spirit and / or scope of the present invention variant. 또한, 임의의 수의 정화 라인(5506), 노즐(5508, 5510)이 웨이퍼 척(5500)에 형성될 수 있다. Further, any purification of the line number (5506), a nozzle (5508, 5510) can be formed on a wafer chuck (5500).

도 56을 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따르는 웨이퍼 척(5600)은 정화 라인(5602) 및 다수의 노즐(5604)를 포함한다. With reference to Figure 56, in another embodiment of the present invention, a wafer chuck (5600) according to various aspects of the present invention includes a purge line 5602 and a plurality of nozzles (5604). 본 실시예에서, 정화 라인(5602) 및 다수의 노즐(5604)은 시일 부재(5606) 상에 건조 가스(아르곤, 질소 등)를 주입한다. In this embodiment, the purge line 5602 and a plurality of nozzles 5604 are injected into the drying gas (argon, nitrogen etc.) on the sealing member (5606). 이런 방식으로, 웨이퍼(1602)가 웨이퍼 척(5600)으로부터 처리되고 제거된 후, 잔류 전해질이 시일 부재(5606) 상부로부터 정화될 수 있다. In this way, the wafer 1602 can be purified from the top, the residual electrolyte sealing member (5606) after they have been processed and removed from the wafer chuck (5600). 도 56에 도시된 것처럼, 본 실시예에서, 정화 라인(5602) 및 다수의 노즐(5604)은 상부 섹션(5608)에 형성된다. The like, in this embodiment, the purge line 5602 and a plurality of the nozzle 5604 shown in Figure 56 is formed on the upper section (5608). 그러나, 웨이퍼 척(5600)은 본 발명의 정신 및/또는 범주를 이탈하지 않고 정화 라인(5602) 및 다수의 노즐(5604)를 사용하는 변형 방식으로 적절히 구성될 수 있다. However, a wafer chuck (5600) may be suitably configured with transformation method using a purge line 5602 and a plurality of nozzles 5604 without departing from the spirit and / or scope of the invention. 또한, 임의의 수의 정화 라인(5602) 및 노즐(5604)은 웨이퍼 척(5600)에 형성될 수 있다. In addition, any number of the purge line 5602 and the nozzle 5604 may be formed on a wafer chuck (5600).

도 57을 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따른 웨이퍼 척(5700)은 정화 라인(5702) 및 다수의 노즐(5704, 5710)을 포함한다. Figure 57 as a reference, in a further embodiment of the present invention, wafer chuck 5700 in accordance with various aspects of the present invention includes a purge line 5702 and a plurality of nozzles (5704, 5710). 본 실시예에서, 정화 라인(5702) 및 다수의 노즐(5704, 5710)은 각각 시일 부재(5706)와 스프링 부재(5712) 상에 건조 가스(아르곤, 질소 등)를 주입한다. In this embodiment, a purge line 5702 and a plurality of nozzles (5704, 5710) is a dry gas (argon, nitrogen etc.) on the respective sealing member (5706) and the spring member 5712 is injected. 이런 방식으로, 웨이퍼(1602)가 처리되고 웨이퍼 척(5700)으로부터 제거된 후, 잔류 전해질은 시일 부재(5706)와 스프링 부재(5712)의 상부로부터 정화될 수 있다. After in this way, the wafer 1602 is processed and removed from the wafer chuck 5700, and the residual electrolyte can be purged from the top of the seal member (5706) and a spring member (5712). 도 57에 도시된 것처럼, 본 실시예에서, 정화 라인(5702) 및 다수의 노즐(5704, 5710)은 상부 섹션(5708)에 형성된다. As shown in Figure 57, in this embodiment, the purge line 5702 and a plurality of nozzles (5704, 5710) is formed on the upper section (5708). 그러나, 웨이퍼 척(5700)은 본 발명의 정신 및/또는 범주를 이탈하지 않고 정화 라인(5702) 및 다수의 노즐(5704, 5710)을 사용하는 다양한 방식으로 적절히 구성될 수 있다. However, the wafer chuck 5700 may be properly configured in various ways to use the spirit and / or a purge line 5702 without departing from the scope of the invention and a number of nozzles (5704, 5710). 또한, 주목할 것은 임의의 수의 정화 라인(5702) 및 노즐(5704, 5710)이 웨이퍼 척(5700)에 형성될 수 있다는 것이다. Also, that it can be formed in the purge line (5702) and a nozzle (5704, 5710), the wafer chuck 5700 in any number of remarkable.

도 58을 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따르는 웨이퍼 척(5800)은 정화 라인(5802) 및 다수의 시일 링(5804, 5806)을 포함한다. With reference to Figure 58, a further embodiment of the present invention, the wafer chuck 5800 according to various aspects of the present invention includes a purge line 5802 and a plurality of sealing rings (5804, 5806). 본 실시예에서, 시일 링(5806)은 전도성 부재(5808)과 하부 섹션(5810) 사이에 시일을 형성한다. In this embodiment, the seal ring 5806 forms a seal between the conductive member (5808) and the lower section (5810). 유사하게 시일 링(5804)은 전도성 부재(5808)와 상부 섹션(5812) 사이에 시일을 형성한다. Similarly, the seal ring 5804 forms a seal between the conductive member (5808) and the upper section (5812). 결과적으로, 정화 라인(5802) 속으로 정압 가스를 공급하고 누설을 검사함으로써, 웨이퍼(1602)와 시일 부재(5814) 사이의 시일 특성이 검사될 수 있다. As a result, supplying a positive pressure gas into the purge line 5802, and can be a check seal property between the by checking the leakage, the wafer 1602, and the sealing member (5814). 선택적으로, 정화 라인(5802)이 웨이퍼(1602)와 시일 부재(5814) 사이의 시일 특성을 검사하기 위해 음압을 발생시키도록 펌프된다. Alternatively, the purge line 5802 is pumped to generate a negative pressure in order to check the sealing property between the wafer 1602 and the sealing member (5814). 이러한 후 공정이 이용되는 경우, 전해질이 정화 라인(5802) 속에 흡수되는 것을 방지하기 위해, 정화 라인(5802)의 펌핑은 웨이퍼(1602)가 처리된 후 중지되고, 정압(positive presseure)이 웨이퍼(1602)가 제거되기 이전에 정화 라인(5802)를 통해 주입된다. In this post-process is used, in order to prevent the electrolyte it is absorbed into the purge line 5802, pumping the purge line 5802 is stopped after the wafer 1602 is processed, the static pressure (positive presseure) the wafer ( 1602) are previously introduced through the purge line 5802 to be removed. 웨이퍼(1602)가 처리되고 웨이퍼 척(1200)으로부터 제거된 후, 정화 라인(5802)을 통해 건조 가스(아르곤, 질소 등)를 주입함으로써, 잔류 전해질은 스프링 부재(5816)와 시일 부재(5814)로부터 정화될 수 있다. By injecting a drying gas (argon, nitrogen, etc.) through the after the wafers 1602 processed and removed from the wafer chuck 1200, a purge line 5802, and the remaining electrolyte is a spring member (5816) and the sealing member (5814) It can be purified from.

도 59를 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따른 웨이퍼 척(5900)은 사다리꼴(trapezoidal) 형상을 갖는 시일 부재(5902)를 포함한다. Figure 59 as a reference, in a further embodiment of the present invention, a wafer chuck (5900) in accordance with various aspects of the present invention comprises a sealing member (5902) having a trapezoid (trapezoidal) shape. 웨이퍼 척(5900)이 웨이퍼(1602)의 처리후 회전하는 경우, 사다리꼴 형상의 시일 부재(5902)는 시일 부재(5902)로부터 잔류 전해질의 제거를 용이하게 한다. When rotating the post-processing of the wafer chuck 5900 of the wafer 1602, the seal member (5902) of the trapezoidal shape is to facilitate the removal of the residual electrolyte from the sealing member (5902). 본 실시예에서, 시일 부재(5902)의 각도(5904)는 약 0도 내지 약 60도, 바람직하게 약 20도 사이의 범위에 있을 수 있다. In this embodiment, the angle (5904) of the seal member (5902) may be in the range of between about 0 degrees to about 60 degrees, preferably about 20 degrees.

도 60을 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따르는 웨이퍼 척(6000)은 정화 라인(6002)을 포함한다. With reference to Figure 60, a further embodiment of the present invention, a wafer chuck according to various aspects of the present invention (6000) includes a purge line 6002. 본 실시예에서, 정화 라인(6002)은 하부 섹션(6006) 및 시일 부재(6004)를 통해 형성된다. In this embodiment, the purge line 6002 is formed through the lower section (6006) and the seal member (6004). 정화 라인(6002)을 통한 정압 가스의 공급에 의해, 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6004) 사이의 시일 특성이 검사될 수 있다. By the supply of positive pressure gas through the purge line 6002, a sealing property between the wafer 1602 and sealing member 6004 can be checked. 선택적으로, 정화 라인(6004)은 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6004) 사이에 시일 특성을 검사하기 위해 부압을 발생시키도록 펌프될 수 있다. Alternatively, the purge line 6004 may be the pump to generate a negative pressure in order to test the sealing characteristics between the wafer 1602 and the sealing member 6004. 상기 설명된 것처럼, 이러한 후 공정이 사용되는 경우, 정화 라인(6002) 속에 전해질이 흡수되는 것을 방지하기 위해, 정화 라인(6002)의 펌핑은 웨이퍼(1602)의 처리 후에 중지되며 웨이퍼(1602)를 제거하기 이전에 정화 라인(6002)을 통해 정압이 주입된다. If as described above, after such a process is used, the purge line pumping wafer 1602 is stopped after the processing of the wafer 1602, the purge line 6002 in order to prevent the electrolyte is absorbed into the 6002 before the positive pressure is introduced through a purge line 6002 to remove.

도 61을 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따르는 웨이퍼 척(6100)은 정화 라인(6102), 정화 라인(6108), 및 다수의 시일 링(6116, 6104)을 포함한다. Also with reference to 61, a further embodiment of the present invention, wafer chuck 6100 according to various aspects of the present invention is the purge line 6102, a purge line 6108, and a plurality of sealing rings (6116, 6104) It includes. 본 실시예에서, 시일 링(6116)은 전도성 부재(6118)와 상부 섹션(6110) 사이에 시일을 형성한다. In this embodiment, the sealing ring (6116) forms a seal between the conductive member (6118) and the upper section (6110). 유사하게 시일 링(6104)은 전도성 부재 (6118)와 하부 섹션(6106) 사이에 시일을 형성한다. Similarly, the seal ring 6104 forms a seal between the conductive member (6118) and a lower section 6106. 결과적으로, 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6112) 사이의 시일 특성은 정화 라인(6102) 및/또는 정화 라인(6108)을 사용하여 검사될 수 있다. As a result, sealing properties between the wafer 1602 and sealing member 6112 can be inspected using a purge line 6102 and / or a purge line 6108.

특히, 일례 구성에서, 시일 특성은 정화 라인(6102) 및 정화 라인(6108) 속으로 압력 가스를 공급하고 누설을 검사함으로써 검사될 수 있다. In particular, in one example configuration, the sealing property can be tested by feeding a pressure gas into the purge line 6102, and the purge line 6108 and checks for leakage. 또다른 구성에서, 정화 라인(6102) 및 정화 라인(6108)은 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6112) 사이의 시일 특성을 검사하기 위해 음압을 발생시키도록 펌프될 수 있다. In another configuration, the purge line 6102, and the purge line 6108 may be the pump to generate a negative pressure in order to check the sealing property between the wafer 1602 and the sealing member 6112. 또다른 구성에서, 정화 라인(6102) 또는 정화 라인(6108)중 하나는 압력이 공급되면서 다른 하나는 음압을 발생시키도록 펌프된다. In another configuration, one of the purge line 6102 or purge line 6108 is pumped to the other is generating a negative pressure as the pressure is applied. 누설을 검사하는데 음압이 사용되는 경우, 전해질이 정화 라인(6102) 및/또는 정화 라인(6108) 속으로 흡수되는 것을 방지하기 위해, 웨이퍼(1602)를 처리한 후 펌핑이 중단되며, 정압이 웨이퍼(1602)를 제거하기 이전에 정화 라인(6102) 및/또는 정화 라인(6108)을 통해 주입된다. When to check for leaks which negative pressure is used, the electrolyte is a purge line 6102 and / or a purge line 6108 in order to prevent the absorbed into, pumping is stopped after processing the wafer 1602, the static pressure of the wafer removing (1602) are previously introduced through the purge line 6102 and / or a purge line 6108 to. 웨이퍼(1602)가 처리되고 웨이퍼 척(6100)으로부터 제거된 후, 정화 라인(6102) 및/또는 정화 라인(6108)을 통해 건조 가스(아르곤, 질소 등)를 주입함으로써, 잔류 전해질은 시일 부재(6112) 및 스프링 부재(6114)로부터 정화될 수 있다. By injecting a drying gas (argon, nitrogen, etc.) through the after the wafers 1602 processed and removed from the wafer chuck 6100, a purge line 6102 and / or a purge line 6108, and the remaining electrolyte is the seal member ( 6112) and can be purified from a spring member (6114).

도 62를 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따르는 웨이퍼 척(6200)은 스프링 부재(6208), 전도성 부재(6210) 및 시일 부재(6206)를 포함한다. Figure 62 as a reference, in a further embodiment of the invention, the various aspects according to the wafer chuck 6200 of the present invention includes a spring member (6208), the conductive member 6210 and the sealing member (6206). 본 실시예에서, 스프링 부재(6208) 및 전도성 부재(6210)는 시일 부재(6206) 내에 배치된다. In this embodiment, the spring member (6208) and the conductive member 6210 is disposed in the sealing member (6206). 이러한 구성은 스프링 부재(6208), 전도성 부재(6210), 및 시일 부재(6206)가 예비-조립될 수 있다는 장점을 갖는다. This configuration is a spring member (6208), the conductive member 6210, and the seal member (6206) is pre-has the advantage that it can be assembled.

웨이퍼 척(6200)은 시일 부재(6214) 및 전도성 부재(6210)를 통해 형성된 정화 라인(6214) 및 다수의 노즐(6212)을 더 포함한다. The wafer chuck (6200) further comprises a sealing member (6214) and conductive member (6210), the purge line (6214) and a plurality of nozzles (6212) formed through the. 정화 라인(6214)을 통해 정압 가스를 공급함으로써, 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6206) 사이의 시일 특성이 검사될 수 있다. By supplying a positive pressure gas through a purge line (6214), the seal properties between the wafer 1602 and the sealing member (6206) can be checked. 선택적으로, 정화 라인(6214)은 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6206) 사이의 시일 특성을 검사하기 위해 음압을 발생시키도록 펌프될 수 있다. Alternatively, the purge line (6214) may be pumped to generate a negative pressure in order to check the sealing property between the wafer 1602 and the sealing member (6206). 상기 설명된 것처럼, 이러한 후 공정이 사용되는 경우, 전해질이 정화 라인(6214)속에 흡수되는 것을 방지하기 위해, 정화 라인(6214)의 펌핑은 웨이퍼(1602)의 처리 후에 중지되며, 웨이퍼(1602)를 제거하기 이전에 정화 라인(6214)을 통해 정압이 주입된다. As described above, if such a post-process is used, in order to prevent the electrolyte is absorbed into the purge line (6214), pumping the purge line (6214) is stopped after the processing of the wafer 1602, the wafer 1602 before the positive pressure is introduced through a purge line (6214) for removing.

도 63을 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(6300)은 정롸 라인(6302)과 다수의 노즐(6304)을 포함한다. With reference to Figure 63, yet another embodiment, the wafer chuck (6300) of the present invention includes a jeongrwa line (6302) and a plurality of nozzles (6304). 본 실시예에서, 정화 라인(6302) 및 다수의 노즐(6304)은 시일 부재(6310), 전도성 부재(6308), 및 스프링 부재(6306)상에 건조 가스(아르곤, 질소 등)를 주입한다. In this embodiment, the purge line (6302) and a plurality of nozzles (6304) is injected into the drying gas (argon, nitrogen etc.) on the sealing member (6310), the conductive member (6308), and a spring member (6306). 이런 방식으로, 웨이퍼(1602)가 처리되고 웨이퍼 척(6300)으로부터 제거된 후, 잔류 전해질은 시일 부재(6310), 전도성 부재(6308), 및 스프링 부재(6306)의 상부로부터 정화될 수 있다. After in this way, the wafer 1602 is processed and removed from the wafer chuck 6300, and the residual electrolyte can be purged from the top of the seal member (6310), the conductive member (6308), and a spring member (6306). 도 63에 도시된 것처럼, 본 실시예에서, 정화 라인(6302) 및 다수의 노즐(6304)은 상부 섹션(6412)에 형성된다. The like, in this embodiment, the purge line (6302) and a plurality of nozzles (6304) shown in Figure 63 is formed on the upper section (6412). 그러나, 웨이퍼 척(6300)은 정화 라인(6302) 및 다수의 노즐(6304)을 본 발명의 정신 및/또는 범주를 벗어나지 않고 다양한 방식으로 적절히 구성될 수 있다. However, a wafer chuck (6300) may be suitably configured in a variety of ways without departing from the purge line (6302) and a plurality of spirit of the present invention a nozzle (6304) and / or a category. 또한, 임의의 수의 정화 라인(6302) 및 노즐(6304)이 웨이퍼 척(6300)에 형성될 수 있다. Further, any purification of the line number (6302) and a nozzle (6304) can be formed on a wafer chuck (6300).

도 64를 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 웨이퍼 척(6400)은 시일 부재(6402)를 포함한다. With reference to Figure 64, in another embodiment, a wafer chuck (6400) of the present invention comprises a sealing member (6402). 본 실시예에서, 시일 부재(6402)는 스프링 부재(6404)를 수용하기 위해 삼각형의 내부 그루브로 형성된다. In this embodiment, the sealing member (6402) is formed into the groove of the triangle for receiving the spring member (6404). 이러한 구성은 스프링 부재(6404)를 보다 안전하게 수용하는 장점이 있다. This arrangement has the advantage that more securely receive the spring member (6404). 그러나, 시일 부재(6402)는 특정 용도에 따라 다양한 형상으로 형성가능하다. However, the seal member (6402) may be formed in various shapes depending on the particular application.

도 65를 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따른 웨이퍼 척(6500)은 정화 라인(6502), 정화 라인(6508), 및 시일 링(6506)을 포함한다. To Figure 65 as a reference, in another embodiment, a wafer chuck (6500) in accordance with various aspects of the invention of the present invention includes a purge line (6502), the purge line (6508), and the sealing ring (6506). 본 실시예에서, 시일 링(6506)은 하부 섹션(6504)과 상부 섹션(6510) 사이에 시일을 형성한다. In this embodiment, the sealing ring (6506) forms a seal between the lower section (6504) and the upper section (6510). 결과적으로, 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6512) 사이의 시일 특성은 정화 라인(6502) 및/또는 정화 라인(6508)을 사용하여 검사될 수 있다. As a result, sealing properties between the wafer 1602 and the sealing member (6512) may be checked by using the purge line (6502) and / or a purge line (6508).

특히, 일례의 구성에서, 시일 특성은 정화 라인(6502) 및 정화 라인(6508) 속으로 압력 가스를 제공하고 누설을 검사함으로써 검사될 수 있다. In particular, in the configuration of an example, the sealing property can be tested by providing a pressure gas into the purge line (6502) and a purge line (6508) and checks for leakage. 또다른 구성에서, 정화 라인(6502) 및 정화 라인(6508)은 웨이퍼(1602)와 시일 부재(6512) 사이의 시일 특성을 검사하기 위해 음압을 발생시키도록 펌프될 수 있다. In another configuration, the purge line (6502) and a purge line (6508) may be pumped to generate a negative pressure in order to check the sealing property between the wafer 1602 and the sealing member (6512). 또다른 구성에서, 정화 라인(6502) 또는 정화 라인(6508)은 압력이 공급될 수 있는 반면 다른 것은 음압을 발생시키기 위해 펌프된다. In another configuration, the purge line (6502) or a purge line (6508), while the pressure which can be supplied to the other is the pump to generate a negative pressure. 음압이 누설을 검사하는데 사용되는 경우, 전해질이 정화 라인(6502) 및/또는 정화 라인(6508) 속에 흡수되는 것을 방지하기 위해, 웨이퍼(1602) 처리후 펌핑은 중단되고, 웨이퍼(1602)를 제거하기 이전에 정화 라인(6502) 및/또는 정화 라인(6508)을 통해 음압을 주입한다. When the negative pressure is used to check for leakage, the electrolyte is the purge line (6502) and / or a purge line (6508) to prevent absorption into the wafer 1602, the pumping after treatment is stopped, removing the wafer 1602 to inject the previous negative pressure through the purge line (6502) and / or a purge line (6508) to. 웨이퍼(1602)가 처리되고 웨이퍼 척(6500)으로부터 제거된 후, 정화 라인(6502) 및/또는 정화 라인(6508)을 통해 건조 가스(아르곤, 질소 등)를 주입함으로써, 잔류 전해질을 시일 부재(6512) 및 스프링 부재(6514)로부터 정화시킬 수 있다. After the wafer 1602, the process is removed from the wafer chuck (6500), the purge line (6502) and / or purification by injecting a drying gas (argon, nitrogen, etc.) via line (6508), the seal member the residual electrolyte ( 6512) and can be purged from the spring member (6514).

도 66을 참조로, 본 발명의 또다른 실시예에서, 본 발명의 다양한 면을 따른 웨이퍼 척(6600)은 사다리꼴 형상을 갖는 시일 부재(6602)를 포함한다. With reference to Figure 66, a further embodiment of the present invention, a wafer chuck (6600) in accordance with various aspects of the present invention includes a sealing member 6602 having a trapezoidal shape. 웨이퍼 척(6600)이 웨이퍼(1602)를 처리한 후 회전하는 경우, 사다리꼴 형상의 시일 부재(6602)는 시일 부재(6602)로부터 잔류 전해질의 제거를 용이하게 한다. When rotating after a wafer chuck (6600) to process the wafer 1602, the seal member 6602 of trapezoidal shape facilitates the removal of the residual electrolyte from the seal member 6602. 본 실시예에서, 시일 부재(6602)의 각도(6604)는 약 0 도 내지 약 60도, 바람직하게 약 20도 사이의 범위에 있을 수 있다. In this embodiment, the angle (6604) of the sealing member 6602 may be in the range of between about 0 degrees to about 60 degrees, preferably about 20 degrees.

앞서 설명된 것처럼, 본 발명은 첨부된 도면에 설명된 다수의 선택적 실시예와 조합하여 설명되었지만, 본 발명의 정신 및 범주를 벗어나지 않고 다양한 변형이 이루어질 수 있다. As described above, the present invention has been described in combination with a number of alternative embodiments illustrated in the accompanying drawings, without departing from the spirit and scope of the invention various modifications may be made. 따라서, 본 발명은 도면 및 상세한 설명에 도시된 설명에 제한됨에 따라 구성되는 것은 아니다. Accordingly, the present invention is not limited to the configuration according to the description shown in the drawings and detailed description.

Claims (8)

  1. 웨이퍼를 전기도금 및/또는 전기연마하는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션으로서, The wafer as electroplating and / or electrochemical polishing station for electroplating and / or electrochemical polishing,
    프레임; frame;
    상기 프레임에 부착된 적어도 하나의 전기도금 및/또는 전기연마 셀 - 상기 전기도금 및/또는 전기연마 셀은 전해질 용액 리셉테클과 상기 전해질 용액 리셉테클을 덮도록 형성된 리드를 포함함 - ; At least one of electroplating and / or electrochemical polishing cell attached to the frame, the electroplating and / or electrochemical polishing cells containing the lead is formed so as to cover the electrolyte solution receptacle and the electrolyte receptacle; And
    제 1 위치 및 제 2 위치 사이에서 상기 리드를 움직이도록 구성된 리드 수축 어셈블리를 포함하며, 상기 리드는 상기 제 1 위치에 있을 때 상기 전해질 용액 리셉테클을 덮고 상기 리드는 상기 제 2 위치에 있을 때 상기 전해질 용액 리셉테클로부터 수축되는, 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션. In between the first position and the second position comprises a lead shrinkage assembly configured to move the lead, the lead is the when it is in the electrolyte covering the receptacle of the lead is the second position when it is in said first position that shrinkage from the electrolyte solution receptacle, electroplating and / or electrochemical polishing station.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전기도금 및/또는 전기연마 셀은, The method of claim 1 wherein the electroplating and / or electrochemical polishing cells,
    웨이퍼를 보유하는 웨이퍼 척; A wafer chuck for holding the wafer; And
    상기 리드가 상기 제 1 위치에 있을 때 상기 제 1 및 제 2 위치 사이에서 상기 웨이퍼 척을 움직이게 하는 웨이퍼 척 어셈블리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션. When the lid is in the first position the first and the second position between the electroplating, it characterized in that it further comprises a wafer chuck assembly for moving the wafer chuck and / or electrical polishing station.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 웨이퍼 척 어셈블리는 상기 웨이퍼 척이 상기 제 1 위치에 있을 때 상기 웨이퍼 척을 개방시키고 상기 웨이퍼 척이 상기 제 2 위치에 있을 때 상기 웨이퍼 척을 폐쇄시키는 것을 특징으로 하는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션. The method of claim 2, wherein said wafer chuck assembly electricity, comprising a step of when it is in the first position of the wafer chuck and opening the wafer chuck closing the wafer chuck when it is in said wafer chuck and the second position plating and / or electrical polishing station.
  4. 제 1 항에 있어서, 적어도 2개의 전기도금 및/또는 전기연마 셀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션. The method of claim 1, wherein at least two electrical plating and / or electroplating and / or electrochemical polishing station further comprises a polishing electric cell.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 전기도금 및/또는 전기연마 셀은 상기 프레임 상에 수직으로 적층되는 것을 특징으로 하는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션. The method of claim 4, wherein the at least two electroplating and / or electrochemical polishing cell electroplating and / or electrochemical polishing station characterized in that the vertically stacked on said frame.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 리드 수축 어셈블리는, The method of claim 1, wherein the lead-shrink assembly,
    상기 리드 및 상기 프레임에 부착된 가이드 레일; A guide rail attached to the lid and the frame; And
    상기 제 1 및 상기 제 2 위치 사이에서 상기 리드를 움직이도록 구성된 상기 가이드 레일에 부착된 액츄에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션. The first and electroplating and / or electrochemical polishing station that between the second position characterized in that it comprises an actuator attached to said guide rail configured to move the lid.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 액츄에이터는 에어 실린더인 것을 특징으로 하는 전기도금 및/또는 전기연마 스테이션. 7. The method of claim 6, wherein the actuator is electroplating and / or electrochemical polishing station, characterized in that the air cylinder.
  8. 삭제 delete
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