KR100520269B1 - Voltage-current converter and self-oscillator using the same - Google Patents

Voltage-current converter and self-oscillator using the same Download PDF

Info

Publication number
KR100520269B1
KR100520269B1 KR20030025054A KR20030025054A KR100520269B1 KR 100520269 B1 KR100520269 B1 KR 100520269B1 KR 20030025054 A KR20030025054 A KR 20030025054A KR 20030025054 A KR20030025054 A KR 20030025054A KR 100520269 B1 KR100520269 B1 KR 100520269B1
Authority
KR
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
current
connected
voltage
terminal
amplifier
Prior art date
Application number
KR20030025054A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040091276A (en )
Inventor
김광오
김태규
Original Assignee
(주)다윈텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Abstract

통상적인 셀프-오실레이터는 온도의 변화에 따른 MOSFET의 물성 변화에 의해서 생기는 주파수의 변위가 고속의 주파수에서 상대적으로 큰 폭으로 변화하는 특성을 보이므로, 본 발명은 온도변화에 따라 MOSFET의 물성변화에 의해 변화하는 주파수의 크기를 감안하여 이에 대한 적절한 보상을 하도록 전류를 제어를 하므로써, 출력되는 전류가 최종적으로 온도에 대해서 무관한 특성을 가지도록 한 전압-전류변환기 및 그를 사용한 셀프-오실레이터를 제공한다. Conventional self-oscillator is because it appears a characteristic of the displacement of the frequency is relatively changed to a larger width at the frequency of the high-speed caused by a property change of the MOSFET according to the change in temperature, the present invention is the Physical Properties of the MOSFET in accordance with the temperature change by by a current control in consideration of the size of the frequency change to the appropriate compensation for this, the current it is finally voltage to have independent characteristics with respect to temperature to be output - to provide an oscillator-Self-current converter and with him .
이를 위한 본 발명의 전압-전류변환기는, 기준전류을 정입력단으로 입력받는 증폭기; Voltage of the present invention to do this - current converter, the amplifier receiving the reference jeonryueul positive input terminal; 상기 증폭기의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터; And the gate connected to the output terminal of the amplifier, the source side of the NMOS transistor connected to the input end of the amplifier unit is connected to a ground voltage terminal are the source side through the resistor; 상기 엔모스트랜지스터의 드레인단에 접속되어 상기 저항의 양단에 흐르는 전류를 복사하여 출력전류로서 생성하는 전류미러; The yen is connected to the drain terminal of the MOS transistor a current mirror to copy the current flowing through the both ends of the resistance generated as the output current; 및 상기 전류미러의 온도 특성을 보상하기 위하여 상기 전류미러에 흐르는 전류의 양을 제어하는 전류보상수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. And it characterized in that it comprises a current compensation means for controlling the amount of current flowing through the current mirror to compensate for the temperature characteristic of the current mirror.

Description

전압-전류변환기 및 그를 이용한 셀프-오실레이터{VOLTAGE-CURRENT CONVERTER AND SELF-OSCILLATOR USING THE SAME} Voltage-to-current converter, and using the same self-oscillator {VOLTAGE-CURRENT CONVERTER AND SELF-OSCILLATOR USING THE SAME}

본 발명은 전압-전류변환기 및 그를 이용한 셀프-오실레이터(self-oscillator)에 대한 것으로서, 특히 온도가 변화하면서 MOSFET의 물성 특성의 변화에 따른 전류 변화 효과를 상쇄하는 역할을 하도록 온도보상소자를 구비시켜 온도변화에 무관한 특성을 갖도록 한 전압-전류 변환기에 관한 것이다. The present invention is a voltage-to a temperature compensating device so as to act while, in particular, temperature changes as for the oscillator (self-oscillator) to offset the current change effect according to the change in the physical properties of the MOSFET-Self using the converter and his current one to have independent characteristic to the temperature change voltage relates to the current converter.

잘 알려진 바와 같이, 전압-전류변환기는 외부 발진 소자를 사용하지 않고 자체적으로 발진을 통해 발진신호를 생성하는 셀프-오실레이터, PLL(Phase Locked Loop), DLL(Delay Locked Loop) 등에 사용된다. As is well known, voltage-to-current converter for generating a self-oscillating signal through self-oscillation without using the external oscillation element - is used in an oscillator, PLL (Phase Locked Loop), DLL (Delay Locked Loop). 특히, 셀프-오실레이터는 컴퓨터, 시스템 또는 통신기기 등을 포함하는 전자 장치들의 타이밍 신호를 제공하는 데에 폭넓게 사용되고 있다. In particular, the self-oscillator is widely used to provide a timing signal of the electronic device, or the like computer system or communication device. 한편, 원래 설정된 주파수의 발진신호에 의하여 동작되도록 설계된 전자 장치들이 틀어진 주파수 특성으로 인해 오동작하는 문제점이 발생하게 되는 바, 이는 전원전압 변화, 온도 변화 그리고 공정 변화에 의해서 오실레이터의 출력신호의 주파수 변화가 발생하기 때문이다. On the other hand, if the original is set to be designed electronic devices encounter a problem that erroneous operation due to the twisted frequency characteristic to be operated by the oscillation signal of the frequency bars, which change in frequency of the output signal of the oscillator by the power supply voltage changes, temperature changes and process variations It is due to occur. 따라서, 전원전압 변화, 온도 변화 그리고 공정 변화에 둔감한 셀프-오실레이터를 설계하고자 많은 연구 개발이 계속적으로 이어져 오고 있다. Thus, power supply voltage changes, a self insensitive to temperature changes and process variations Many research and development to design an oscillator is coming continuously led to.

도 1은 통상적인 셀프-오실레이터의 구성을 나타낸 블록 구성도이다. 1 is a conventional self-a structural diagram showing the structure of the oscillator block diagram.

도 1을 참조하면, 통상적인 셀프-오실레이터는 기준전압발생부(10), 기준전압(Vref)을 전류로 바꾸어 주는 전압-전류 변환기(20) 및 전압-전류 변환기(20)의 출력전류의 양에 따라 결정된 주파수의 발진 신호(Vout)를 출력하는 링-오실레이터(ring-oscillator)(30)로 구성된다. 1, the conventional self-oscillator reference voltage generation section 10, a reference voltage a voltage that changes a (Vref) to the current-amount of the output current of the current converter 20-current converter 20 and the voltage consists of an oscillator (ring-oscillator) (30) - the ring is determined to output the oscillating signal (Vout) of the frequency based on.

기준전압발생부(10)는 공정변화, 온도변화 및 전압전압 변화에 무관한 동작을 하도록, 음의 온도 상수(temperature coefficient)을 가지는 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터(base-emitter) 전압(V BE )과 절대 온도에 비례하는 전압(Thermal voltage = V T = q/kT)의 합으로 기준전압(Vref)을 발생시키는 밴드갭(bandgap) 기준전압발생기가 통상적으로 이용되고 있다. A reference voltage generation section 10 is process variation, the base of the bipolar transistor having, negative temperature coefficient (temperature coefficient) of to the independent operation of temperature change and voltage change in voltage-emitter (base-emitter) voltage (V BE ) and the absolute voltage (Thermal voltage = V T = q / kT) band gap (bandgap) reference voltage generator for generating a reference voltage (Vref) proportional to the sum of the temperature has been commonly used.

전압-전류변환기(20)는 기준전압발생부(10)로부터 제공되는 기준전압이 직류 전압인 바, 이 기준전압을 후단의 링-오실레이터(30)를 제어하기 위한 전류로 변환해 주는 기능을 한다. Voltage-to-current converter 20 to the reference voltage bar, the reference voltage is a DC voltage provided from the reference voltage generation section 10 is a ring of the rear end-functions for converting a current for controlling the oscillator 30 . 상기 전압-전류 변환기(20)는 증폭기와 트랜지스터를 이용한 네가티브 피드백 루프(negative feedback loop)를 이용하여 구성되는 것이 통상적이다. The voltage-current converter 20 is generally to be configured by using a negative feedback loop (negative feedback loop) using an amplifier and a transistor.

링-오실레이터(30)는 전류제어용 p-채널 모스트랜지스터 M pi 와, 인버터(iv i )의 구성요소인 p-채널 모스트랜지스터 M ipi 및 n-채널 모스트랜지스터 M ini 와, 전류제어용 n-채널 모스트랜지스터 M ni 로 구성된 딜레이 셀(cell_i)이 홀수개로서 직렬로 연결되고, 최종단 딜레이 셀(cell_n-1)의 출력이 첫 번째단 딜레이 셀(cell_1)의 입력으로 궤환되는 구성을 갖는다. Ring-oscillator 30 has a current control p- channel MOS transistor M and pi, component, p- and n- channel MOS transistors M ipi channel MOS transistor M ini and n- channel current control of an inverter (i iv) Moss and delay cell (cell_i) consisting of the transistor M ni is connected as odd-numbered in series, the last stage has a configuration in which the output of the delay cell (cell_n-1) fed back to the input of the first stage delay cells (cell_1).

전류제어용 p-채널 모스트랜지스터 M pi 는 모스트랜지스터 M ipi 의 소오측과 전원전압단(VDD) 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환기(20)의 출력 전류 pcntl을 입력받는다. Current control p- channel MOS transistor M is pi MOS transistor M ipi Sources side and the power supply voltage terminal (VDD) between the source-inputs the output current of the current transformer pcntl 20 - drain path is formed of a gate voltage.

전류제어용 n-채널 모스트랜지스터 M ni 는 n-채널 모스트랜지스터 M ini 의 소오측과 접지전압단(VSS) 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환기(20)의 출력 전류 ncntl을 입력받는다. Ncntl the output current of the current transformer (20) the current control n- channel MOS transistor M ni is n- channel MOS transistor M Sources side and the ground voltage terminal (VSS) between the sources of the ini-drain path is formed in the gate voltage It receives.

상기 링-오실레이터(30)의 동작 원리는 전류제어용 p-채널 모스트랜지스터 M pi 를 통해 전하를 충전하고, 충전된 전하를 전류제어용 n-채널 모스트랜지스터 M ni 를 통해서 방전하며, 충방전 시간 및 각 인버터(iv i )의 지연 시간의 합의 역이 링-오실레이터의 출력신호(Vout)의 동작 주파수가 된다. The ring-operation principle of the oscillator (30) to charge the charge through the current control p- channel MOS transistor M, and pi, and the charged electric charges discharged through the electric current control n- channel MOS transistor M ni, the charge and discharge time, and each the reverse arrangement of the delay time of an inverter (i iv) the ring - is the operating frequency of the output signal (Vout) of the oscillator.

도 2는 통상적인 전압-전류 변환기의 구성을 나타낸 회로도로서, 기준전압발생부(10)의 출력신호의 직류 전압을 후단의 링-오실레이터(30)를 제어하기 위한 전류(pcntl, ncntl)로 변환해 주는 기능을 한다. Figure 2 shows a conventional voltage-converted to current (pcntl, ncntl) for controlling the oscillator (30) ring on the rear end of the direct-current voltage of an output signal of a circuit diagram showing the configuration of a current converter, a reference voltage generating section 10 and a feature that.

전압-전류변환기(20)은 기준전압 Vref를 정입력단으로 입력받는 증폭기(22)와, 증폭기(22)의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항(R21)을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터(M21), 및 상기 엔모스트랜지스터(M21)의 드레인단에 접속되어 제1출력전류 pcntl 및 제2출력전류 ncntl를 생성하는 전류미러(24)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. Voltage-to-current converter 20 and the reference voltage Vref the forward amplifier 22 receiving the input terminal, and the gate connected to the output terminal of the amplifier 22, the source side is connected to the sub-input terminal of the amplifier, the source-side through the resistance (R21) a NMOS transistor (M21) connected to a ground voltage terminal, and the yen is connected to the drain terminal of the MOS transistor (M21) the first output current pcntl and second current mirror generating an output current ncntl characterized in that the configuration including 24.

증폭기(22)의 양의 입력단으로 입력되는 전압은 기준전압발생기(10)에서 인가되는데, 이 전압은 밴드갭 기준전압으로 전원 전압의 변화, 온도와 공정의 변화에 대해서 무관한 전압이다. Voltage input to the positive input terminal of the amplifier 22 there is applied the reference voltage generator 10, this voltage is independent of the voltage with respect to changes in the supply voltage to the bandgap reference voltage, changes in temperature and process. 그러므로 도 2와 같은 구조의 전압-전류 변환기에 의해서 저항 양단에 흐르는 전류는 기준전압발생부(10)에서 생성된 전압의 특성과 저항의 변화 특성에 의해서 결정이 된다. Therefore also the voltage structure such as a 2-by a current transformer current flowing across the resistance is determined by the change characteristic of the properties and the resistance of the voltage generated by the reference voltage generation section 10.

저항은 전압의 변화에 대해서 무관하고, 대략 수백 ppm 정도의 크기의 정/부의 온도계수를 가진다. Resistance, and are independent with respect to a change in voltage, and has a temperature coefficient of about several hundreds ppm magnitude of the positive / negative. 따라서, 온도의 변화에 의한 전류의 변화 추이는 예측이 가능하다. Thus, the change in the current trend of the change in temperature can be predicted. 그러나, 저항의 온도계수 자체를 제어 할 방법은 없기 때문에 이렇게 예측된 변화는 추후의 설계 방향에 참고가 될 수 있다. However, this predicted change due to the method to control the temperature coefficient of resistance is not itself may be a guide to the design direction of the future.

도 2의 전압-전류 변환부가 링오실레이터(30)의 충방전 전류를 제어할 때, 생성되는 주파수가 저속인 경우와 고속인 경우 어떠한 특성을 가지는지의 분석을 통해 문제점을 분석해 본다. Figure 2 of the voltage-to-current conversion control the charging and discharging current of the additional ring oscillator 30, a case where the generation frequency of the low speed and high speed, if the analysis of the problem sees the analysis of some of the properties that.

저속으로 동작하는 발진신호를 생성하는 경우를 살펴보자. Consider the case of generating the oscillating signal that operates at a low speed. 저속으로 동작을 하는 경우에는 각각의 셀에서의 지연시간이 고속에서보다 더 큰 값이 필요하다. When the operation at a low speed, the delay time in each cell requires a value greater than at high speed. 따라서 전압(V)값과 전류(I)값이 일정하게 고정되어 있다고 가정을 하면, 결국 적정한 주파수 구현을 위해서 딜레이 셀을 구성하고 있는 각 인버터(iv i )의 출력노드에 커패시터를 구비시키고 커패시터 로드 값 C load 를 설정하여 사용하게 된다. Therefore, the voltage (V) values, and when a is assumed that the value current (I) is fixed constant, the end provided with a capacitor to the output node of each inverter (iv i) that make up the delay cells to the proper frequency implementation and capacitor load setting the value C to load is used.

커패시터 로드 값이 일정크기 이상으로 커지게 되면 각각의 셀에서의 커패시터턴스 값은 모스트랜지스터의 M ipi 와 M ini 의 드레인단에서의 커패시턴스(capacitance) 성분과 게이트단의 커패시터 성분이 있지만, 기생 성분으로 처리가 되고 대략 커패시터 로드 값으로 근사화 된다. When the capacitor load value becomes larger than a certain size, the capacitor capacitance values in each cell but a capacitor component of a capacitance (capacitance) component and the gate terminal of the MOS transistor M ipi and the drain terminal of M ini, the parasitics It is processed and is roughly approximated by the load capacitor values. 또한 온도의 변화에 따른 M ipi 와 M ini 의 이동도와 문턱 전압의 증감에 의한 충전 방전 시간의 차이가 전체적인 지연시간에 큰 영향을 주지 않는다. In addition, the difference between the charge-discharge time due to the mobility and decrease the threshold voltage of M and M ipi ini due to changes in temperature does not have a significant effect on the overall delay time. 큰 차이를 주지 않기 때문에 이상적인 스위치가 동작한다고 보는 것이다. Because it does not see the big difference is that the ideal switch operation. 따라서 저속으로 구현되는 주파수 발생기의 경우에는 온도의 변화에 따른 MOSFET의 물질 특성의 변화로 인한 주파수 변동이 전체적인 주파수의 변화에 미미한 영향을 준다고 할 수 있다. Therefore, a frequency generator which is implemented at a low speed may be the frequency variation due to a change in the material properties of the MOSFET according to the change in temperature bestows a minor effect on the overall change in the frequency. 따라서 도 2의 형태의 전압-전류변환기를 사용하여 구현을 해도 도 1과 같은 형태의 주파수 발생기에서 생성되는 주파수의 온도에 대한 변화는 미미하다고 할 수 있다. Therefore, even in the form of a voltage of 2 changes in the temperature of the frequency by using the current transformer may also be created in the form of frequency generator, such as the first implementation may be that negligible.

한편, 도 1의 형태를 갖는 셀프 오실레이터가 고속으로 동작하는 발진신호(주파수)를 생성하는 경우를 살펴본다. On the other hand, also the self-oscillator in the form of a first look at the case of generating an oscillation signal (frequency) to operate at a high speed.

고속의 동작을 위해서는 각각의 셀에서의 지연시간이 더 작아져야 하고 필요에 따라서는 최소가 되어야 한다. For high speed operation of the delay time should be in each of the cells becomes smaller, and thus should be the minimum necessary. 따라서 전압(V) 값과 전류(I) 값이 일정하다면 커패시터의 값을 줄여야 한다. Therefore, if the voltage (V) and current value (I) constant value to reduce the value of the capacitor. 그래서 구현되는 주파수가 커지게 될수록 도 1에서의 커패시터 로드 C load 값은 사라지게 되고 커패시터의 값은 모스트랜지스터의 M ipi 와 M ini 의 드레인단에서의 커패시턴스 성분과 게이트단의 커패시터 성분으로 결정이 된다. So capacitor load C load value in is implemented frequency the more becomes large FIG. 1 is the lost and the value of the capacitor is determined by a capacitance component and a capacitor component of a gate terminal of the drain terminal of the MOS transistor M ipi and M ini. 따라서 온도가 증감하게 되면 모스트랜지스터의 이동도의 변화, 문턴전압의 변화와 커패시턴스 성분에 의해서 생기는 지연시간의 변화가 주파수 변화의 주요 원인이 된다. Therefore, when the temperature is increased or decreased change in the movement of the MOS transistors also, the change in delay time caused by the change in the capacitance component of munteon voltage is a major source of frequency changes.

이를 보상하기 위해 저속에서 동작하는 것과 같이 커패시터 로드 C load 값을 어느 정도 크기 이상으로 유지를 한다면, 이에 따르는 전류의 증가에 의해 전력의 소비가 커지게 되므로 바람직한 해결책이 될 수 없다. If either the load capacitor C load value, such as to operate at low speeds in order to compensate for this level held to size or more, since the consumption of electric power increases by the increase in current according thereto can not be a preferred solution.

따라서 이에 대한 보상을 위해서 온도의 증감에 따른 주파수 변동 추이를 분석하여 적절하게 대응하는 전류의 보상을 해주어야만 온도의 변화에 대해서도 일정한 특성을 가지는 특성을 얻도록 할 수 있다. Therefore, in order to compensate for this by analyzing the frequency variation trend of the increase or decrease in temperature only haejueoya the compensation of the current to appropriately respond it may be so as to obtain a characteristic having a uniform characteristic even for a change in temperature.

도 3a는 저속의 경우의 주파수 파형을 도시한 것이고, 도 3b는 고속의 경우의 주파수 파형을 도시한 것이다. Figure 3a depicts the waveform of the low frequency case, Figure 3b illustrates a frequency waveform in the case of a high speed.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 앞서 설명한 부분에 대한 이해를 더 쉽게 할 수 있다. When FIG. 3a and FIG. 3b, it is possible to facilitate an understanding of the parts described above. 충방전 전류의 크기가 같고, 충방전 전압의 크기가 같으며 다른 조건도 같고 다만, 저속의 경우와 고속의 경우 커패시터 로드 C load 의 크기가 다른 경우가 된다. Are of the same size of the charging and discharging current, equals the magnitude of the discharge voltage is the same even if other conditions, but in the case of low-speed and high-speed in the case where the size of the load capacitor C load other. 도 3a와 같이 저속에서 동작을 하는 경우나 도 3b와 같이 고속에서 동작을 하는 경우나 클럭의 라이징타임(rising time)은 서로 같고(Trs=Trf), 폴링타임(falling time) 역시 같으며(Tfs=Tff), 또한 온도의 변화에 대해서 변화하는 변화량도 같다. Or or rising time (rising time) of the clock if the operation at high speed as shown in Figure 3b When the operation in low-speed as shown in Figure 3a are the same with each other (Trs = Trf), polling time (falling time) also equals (Tfs = Tff), also like a change amount of change with respect to changes in temperature.

하지만, 이러한 변화의 영향으로 얼마나 주파수가 영향을 받는지를 보기 위해서 각각의 주기로 변화량을 나누어 보면, 고속일 경우가 더 큰 영향을 받으며 이러한 현상은 고속으로 갈수록 심화 됨을 쉽게 알 수 있게 된다. However, in order to see how the frequency affected by the impact of these changes, look into each of the cycles change, this phenomenon receives a greater impact if the high speed one is able to easily see that increasingly deepened at a high speed.

상술한 바와 같이, 온도의 변화에 따른 MOSFET의 물성 변화에 의해서 생기는 주파수의 변위가 고속의 주파수에서 상대적으로 큰 폭으로 변화하는 특성을 보이므로, 본 발명은 온도변화에 따라 MOSFET의 물성변화에 의해 변화하는 주파수의 크기를 감안하여 이에 대한 적절한 보상을 하도록 전류를 제어를 하므로써, 출력되는 전류가 최종적으로 온도에 대해서 무관한 특성을 가지도록 한 전압-전류변환기 및 그를 사용한 셀프-오실레이터를 제공하는데 그 목적이 있다. Therefore, it shows the property that the displacement of the frequency generated by the Physical Properties of the MOSFET according to the change in temperature relative to change significantly in the frequency of the high speed as mentioned above, the invention is by the Physical Properties of the MOSFET in accordance with the temperature change in view of the magnitude of the changing frequency by the current control to the appropriate compensation for this, the current it is finally voltage to have independent characteristics with respect to temperature to be output - to provide an oscillator that - the self-current converters and with him there is a purpose.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전압-전류변환기는, 기준전압을 정입력단으로 입력받는 증폭기; Voltage of the present invention for achieving the above object-to-current converter, amplifier receiving a reference voltage to the positive input terminal; 상기 증폭기의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터; And the gate connected to the output terminal of the amplifier, the source side of the NMOS transistor connected to the input end of the amplifier unit is connected to a ground voltage terminal are the source side through the resistor; 상기 엔모스트랜지스터의 드레인단에 접속되어 상기 저항의 양단에 흐르는 전류를 복사하여 출력전류로서 생성하는 전류미러; The yen is connected to the drain terminal of the MOS transistor a current mirror to copy the current flowing through the both ends of the resistance generated as the output current; 및 상기 전류미러의 온도 특성을 보상하기 위하여 상기 전류미러에 흐르는 전류의 양을 제어하는 전류보상수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. And it characterized in that it comprises a current compensation means for controlling the amount of current flowing through the current mirror to compensate for the temperature characteristic of the current mirror.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 다양한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter to be described in detail enough characters can be easily performed from the invention one of ordinary skill in the art, with reference to the accompanying drawings, various embodiments of the present invention will be described .

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 온도에 무관한 전압-전류변환기의 실시 회로도들이다. Figures 4a and 4b are voltage independent of the temperature in accordance with the present invention are exemplary circuit diagrams of current transformers.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 전압-전류변환기(200)은 기준전압 Vref를 정입력단으로 입력받는 증폭기(220)와, 증폭기(220)의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항(R21)을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터(M1)와, 상기 엔모스트랜지스터(M21)의 드레인단에 접속되어 상기 저항의 양단에 흐르는 전류를 복사하여 출력전류 pcntl 및 ncntl로서 생성하는 전류미러(240), 및 상기 전류미러(240)의 온도 특성을 보상하기 위하여 상기 전류미러(240)에 흐르는 전류의 양을 제어하는 전류보상수단(260)을 포함하는 구성을 갖는다. When FIG. 4a and FIG. 4b, the voltage-to-current converter 200 and a reference voltage Vref the information input to the input amplifier 220 receives, and the gate connected to the output terminal of the amplifier 220, a source side of the amplifier is connected to the sub-input terminal, the source side is connected to the drain terminal of the NMOS transistor (M1) and said NMOS transistor (M21) connected to the ground voltage terminal through a resistor (R21) the current flowing through the both ends of the resistor the output current pcntl and a current compensation means (260 for controlling the amount of current flowing through the current mirror 240 to compensate for the temperature characteristic of the current mirror 240, and the current mirror 240 to generate ncntl copy ) has a configuration comprising a.

도 4a를 참조하면, 상기 전류보상수단(260)은 소오스단이 전원전압단에 접속되고, 드레인단이 상기 엔모스트랜지스터(M1)의 소오스측에 연결되며, 게이트로 턴-온 전압(INPUT2)을 인가받는 피모스트랜지스터 M5를 포함하는 구성을 갖는다. Referring to Figure 4a, the current compensation means 260 is connected to the power supply voltage only source end and the drain end by the yen is connected to the source side of the MOS transistor (M1), a gate turn-on voltage (INPUT2) receiving applying a PMOS has a configuration including transistors M5.

도 4b를 참조하면, 상기 전류보상수단(260)은 소오스단이 전원전압단에 접속되고, 게이트단 및 드레인단이 상기 엔모스트랜지스터(M1)의 드레인측에 연결된 피모스트랜지스터 M6를 포함하여 구성된다. Referring to Figure 4b, the current compensation means 260 is connected to the power supply voltage only source stage, gate terminal and the drain stage configuration is the yen, including the PMOS transistor M6 is connected to the drain side of the MOS transistor (M1) do.

그리고, 온도보상용 피모스트랜지스터(M5 또는 M6)는 전류미러를 구성하는 피모스트랜지스터 M3 및 엔모스트랜지스터 M4와 정 관계의 온도 계수를 갖는다. Then, the temperature-compensated PMOS transistor (M5 or M6) for has a PMOS transistor M3 and NMOS transistor M4 and the temperature coefficient of the positive relationship constituting the current mirror.

도 4a 및 도 4b에 도시된 전압-전류변환기(200)의 동작을 살펴보면, 우선 저항 R 양단의 전압이 증폭기(22)의 궤환 루프 동작에 의해서 기준전압(INPUT1, Vref)의 전압으로 유지가 되므로, 기준전압의 특성을 그대로 유지하게 되는데, 기준전압은 통상적으로 밴드갭 기준전압을 사용하므로 저항 양단의 전류는 정전류원의 특성을 유지한다. Figures 4a and the voltage shown in Fig. 4b - Looking at the operation of the current converter 200, first, the voltage across the resistor R, so that keeping the voltage of the reference voltage (INPUT1, Vref) by a feedback loop operation of the amplifier 22 , there is maintained the characteristics of the reference voltage as the reference voltage is typically used a bandgap reference current, so both ends of the resistor retains the characteristic of a constant current source.

그리고, 전류 I ref 는 아래 수학식1과 같이, 전류미러에 흐르는 전류 I cont 와 온도보상용 피모스트랜지스터(M5, M6)에 흐르는 전류 I com 의 합으로 정의된다. Then, the current I ref is as shown in Equation 1, below, is defined as the sum of the current I flowing through the current mirror current I com cont and temperature-compensating PMOS transistors (M5, M6) for passing through the.

온도가 증가하게 되도 정전류원의 특성은 그대로 유지가 되는 반면 보상을 하기위해 추가된 I com 의 전류는 변화를 하게 된다. Doedo the temperature increase characteristic of the constant current source is a current of I com added to the compensation, whereas the remain is to change. 전류 I com 가 증가하면 반대로 I cont 전류는 감소하게 되고, I com 전류가 감소하면 I cont 전류는 증가한다. If when the current I com is increased contrary I cont current is decreased, current is reduced to I com I cont current increases. 즉, 셀프 오실레이터 내부에서 온도에 의한 변화에 의해 주파수가 증가 또는 감소하는 경우 외부에서 이러한 변화에 적절히 대응하는 I com 의 전류로 제어하면, 결국 고속의 주파수를 발생시키는 주파수 발생기에서 온도의 변화에 의해 생기는 주파수의 증감을 억제 할 수 있다. That is, if the frequency at the change due to the temperature inside the self-oscillator is increased or decreased when the control back to the I com current to appropriately respond to such changes in the outside, in the end by the change of temperature in a frequency generator for generating a high-speed frequency of the increase or decrease in the generated frequency can be suppressed.

일 예로서 온도가 변할 경우 전류미러 트랜지스터 M2의 경우에는 저항 R에 의해 생성된 정전류가 흐르지만, 복사된 전류는 트랜지스터 M3의 온도에 따른 물성 특성변화로 인해서 전류의 양이 변하게 된다. When the temperature changes in one example of the current mirror when the transistor M2, the constant current generated by the resistance R to flow only, the copied current is changed, the amount of current because of the physical properties change with temperature of a transistor M3. 이 전류는 온도에 따라서 증가하거나 감소하는데, 이는 트랜지스터 M2의 전류의 양이 정전류원이 아니라 온도에 따라서 트랜지스터 M3와 서로 다른 방향의 전류 증감을 이루면 그 변화량을 보상할 수있게 된다. This current is to increase or decrease depending on the temperature, which increases and decreases in the other direction, ie as equally from each other the current and the transistor M3 in accordance with the temperature, the amount of current of the transistor M2 as the constant current source is able to compensate for the variation. 예를 들면, 온도가 증가하면 온도보상수단의 트랜지스터 M5에 의한 전류 I com 이 증가하고, 이는 전류미러 전류 I cont 가 감소하므로, 복사된 전류는 일정한 양으로 유지할 수 있게 된다. For example, when temperature increases, the current I com by the transistor M5 of the temperature compensating means, which therefore reduces the current mirror current I cont, the copied current can be maintained at a constant amount. 결국 온도에 대해서 보다 정밀하게 일정한 오차 범위내의 변위 폭을 가지는 고주파 발생기의 설계가 가능하다. After having displaced the width of each of the allowable error with a higher precision with respect to the temperature it is possible to design a high-frequency generator.

한편, 본 발명의 보상 방법의 단점은 전류의 증가에 의한 파워(power) 소비의 증가이다. On the other hand, a disadvantage of the compensation method of the present invention is the increase of the power (power) consumed by the increase in current. 따라서 전력 소모를 줄이기 위해서 보상전류의 크기를 저항 R의 양단에 흐르는 정전류원 I ref 의 1/10 이하로 설계하는 것이 바람직하다. Therefore, it is desirable to design the size of the compensation current in order to reduce power consumption to less than 1/10 of the constant current source I ref flowing through the two ends of the resistor R.

도 5는 본 발명에 따른 셀프 오실레이터의 블록 구성도이다. Figure 5 is a block diagram of the self-oscillator according to the invention.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 셀프-오실레이터는 밴드갭(bandgap) 기준전압발생부(100)와, 상기 기준전압발생부(100)로부터 제공된 기준전압 Vref를 전류로 변환하여 출력하되, 도 4a 및 도 4b에서 도시된 바와 같이 온도보상수단을 구비한 전압전류변환부(200)와, 상기 전압-전류변환부(200)의 출력 전류의 양에 따라 결정된 주파수의 발진신호 Vout를 출력하는 링-오실레이터(300)를 포함하여 구성된다. 5, the self according to the present invention, but the oscillator converts the reference voltage Vref provided by the band gap (bandgap), the reference voltage generating unit 100, the reference voltage generator 100 into a current to output, and FIG. and 4a and the voltage-current conversion section 200 comprising a temperature compensating means, as illustrated in Figure 4b, the voltage-ring for outputting an oscillation signal Vout of a predetermined frequency according to the amount of output current of the current converter (200) - is configured to include an oscillator (300).

링 오실레이터는 도 1에 도시된 바와 같은 오실레이터를 적용하는 것이 가능하고, 그 밖에 다른 형태의 오실레이터도 적용가능하다. Ring oscillator can be applied to the oscillator as shown in Figure 1, and its outside is applicable other types of oscillators.

도 6은 밴드갭 기준전압발생부에 대한 실시 회로도로서, 베이스와 콜렉터가 공통 접지된 pnp바이폴라트랜지스터(120)와, 베이스와 콜렉터가 공통 접지되고 상기 pnp바이폴라트랜지스터(120)에 비해 큰 면적을 가지는 pnp바이폴라트랜지스터(140)와, pnp바이폴라트랜지스터(120)의 에미터단에 정입력단(+)이 접속되고 pnp바이폴라트랜지스터(140)의 에미터단이 저항(R63)를 통해 부입력단(-)에 접속되며, 자신의 출력단이 저항(R61)을 통해 상기 정입력단(+)과 접속되고, 상기 출력단이 저항(R62)를 통해 상기 부입력단(-)에 접속된 증폭기(160)로 실시 구성되어 있다. Figure 6 is an exemplary circuit diagram of a bandgap reference voltage generator, a base and a collector and a common grounded pnp bipolar transistor 120, the base and collector commonly connected to ground and having a larger area than that of the pnp bipolar transistor 120 It is connected to the - pnp bipolar transistor 140 and, pnp bipolar transistor emitter positive input terminal (+) to teodan connection and pnp bipolar transistor 140, the emitter unit input teodan through the resistor (R63) in the (120) the input portion is connected to the positive input terminal (+) that their output end via a resistor (R61), via the output resistor (R62) - is carried out consists of the amplifier 160 is connected to the ().

도 6에 도시된 기준전압발생부는 1:n의 비율의 면적이 서로 다른 pnp 바이폴라트랜지스터(BJT)의 베이스-이미터 전압(V BE )을 차동 증폭기(160)을 사용하여 그 합을 구하는 방식의 밴드갭 기준전압발생기로서, 출력되는 기준전압 Vref는 전원 전압 및 공정에 관계없이 생성되며, 만약 증폭기의 음의 입력단에 연결된 저항 R62 와 R63이 같다면 기준전압 Vref은 공정의 변화에는 무관한 정전압 신호가 가능하다. The reference voltage generating unit 1 shown in Figure 6: a pnp bipolar transistor (BJT), different areas of the ratio of n base-to-emitter voltage (V BE) with the differential amplifier 160 of the scheme that finds the sum a bandgap reference voltage generator, which outputs a reference voltage Vref is generated, regardless of the supply voltage and process, if the resistance R62 and R63 connected to the amplifier negative input terminal as if the reference voltage Vref has no relation to changes in the process, the constant voltage signal it is possible.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. Although the teachings of the present invention is specifically described in accordance with the preferred embodiment, the above-described embodiment is for a description thereof should be noted that not for the limitation. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. In addition, if an ordinary specialist in the art of the present invention will be understood by example various embodiments are possible within the scope of the technical idea of ​​the present invention.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 전압-전류변환기는 온도변화에 따라 MOSFET의 물성변화에 의한 변화하는 주파수의 크기를 감안하여 이에 대한 적절한 보상을 하도록 전류제어를 하므로써 출력되는 전류가 최종적으로 온도에 대해서 무관한 특성을 가진다. Voltage in accordance with the present invention as described above-to-current converter is a current outputted By the current control to the appropriate compensation for this in view of the size of the frequency change due to the physical property change of the MOSFET in response to temperature changes finally to temperature It has an independent property.

아울러, 높은 PSRR+ 특성을 갖는 밴드갭 기준전압발생기 및 본 발명의 전압-전류 변환기를 사용하여 셀프-오실레이터를 구성하면, 온도에 따른 주파수 변화를 최소화 하는 고속 셀프-오실레이터를 제공하는 것이 가능하다. In addition, high PSRR + bandgap reference voltage generator having the characteristics and voltage of the present invention it is possible to provide an oscillator using a current transducer Self-Configuring an oscillator, a high speed self to minimize the frequency change according to temperature.

도 1은 통상적인 셀프-오실레이터의 구성을 나타낸 블록 구성도, 1 is a conventional self-a block diagram showing the configuration of the oscillator,

도 2은 통상적인 전압-전류변환기를 도시한 회로도, Figure 2 is a conventional voltage-to-current converter circuit diagram showing,

도 3a는 저속의 경우의 주파수 파형을 도시한 파형도, Figure 3a is a waveform showing the waveform of the low frequency case,

도 3b는 고속의 경우의 주파수 파형을 도시한 파형도, Figure 3b is a waveform illustrating a frequency waveform in the case of high-speed,

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 온도에 무관한 전압-전류변환기의 실시 회로도들, Figures 4a and 4b are voltage independent of the temperature in accordance with the present invention exemplary circuit diagram of the current transformer,

도 5는 본 발명에 따른 셀프-오실레이터의 블록 구성도, A block diagram showing the configuration of an oscillator, and - Figure 5 is self according to the invention

도 6은 기준전압발생부의 실시 회로도. Figure 6 is a circuit diagram exemplary reference voltage generating portion.

Claims (9)

  1. 삭제 delete
  2. 기준전압을 정입력단으로 입력받는 증폭기; An amplifier for receiving a reference voltage to the positive input terminal;
    상기 증폭기의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터; And the gate connected to the output terminal of the amplifier, the source side of the NMOS transistor connected to the input end of the amplifier unit is connected to a ground voltage terminal are the source side through the resistor;
    상기 엔모스트랜지스터의 드레인단에 접속되어 상기 저항의 양단에 흐르는 전류를 복사하여 출력전류로서 생성하는 전류미러; The yen is connected to the drain terminal of the MOS transistor a current mirror to copy the current flowing through the both ends of the resistance generated as the output current; And
    상기 전류미러의 온도 특성을 보상하기 위하여 상기 전류미러에 흐르는 전류의 양을 제어하는 전류보상수단을 포함하며, To compensate for the temperature characteristic of the current mirror comprises a current compensation means for controlling the amount of current flowing in the current mirror,
    상기 전류보상수단은, It said current compensation means comprises:
    소오스단이 전원전압단에 접속되고, 드레인단이 상기 엔모스트랜지스터의 소오스측에 연결되며, 게이트로 턴-온 전압을 인가받는 피모스트랜지스터를 포함하는 And the source end connected to a power supply voltage terminal, and the drain stage is the yen is connected to the source side of the MOS transistor, a gate turn-on voltage is applied to blood receiving moss including transistors
    전압-전류변환기. Voltage-to-current converter.
  3. 기준전압을 정입력단으로 입력받는 증폭기; An amplifier for receiving a reference voltage to the positive input terminal;
    상기 증폭기의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터; And the gate connected to the output terminal of the amplifier, the source side of the NMOS transistor connected to the input end of the amplifier unit is connected to a ground voltage terminal are the source side through the resistor;
    상기 엔모스트랜지스터의 드레인단에 접속되어 상기 저항의 양단에 흐르는 전류를 복사하여 출력전류로서 생성하는 전류미러; The yen is connected to the drain terminal of the MOS transistor a current mirror to copy the current flowing through the both ends of the resistance generated as the output current; And
    상기 전류미러의 온도 특성을 보상하기 위하여 상기 전류미러에 흐르는 전류의 양을 제어하는 전류보상수단을 포함하며, To compensate for the temperature characteristic of the current mirror comprises a current compensation means for controlling the amount of current flowing in the current mirror,
    상기 전류보상수단은, It said current compensation means comprises:
    소오스단이 전원전압단에 접속되고, 게이트단 및 드레인단이 상기 엔모스트랜지스터의 드레인측에 연결된 피모스트랜지스터를 포함하는 Source stage is connected to the power supply voltage terminal, a gate and a drain stage is the stage yen including a PMOS transistor connected to the drain side of the MOS transistor
    전압-전류변환기. Voltage-to-current converter.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 3. The method of claim 2 or 3,
    상기 피모스트랜지스터는 전류미러를 구성하는 모스트랜지스터와 정 관계의 온도 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 전압-전류변환기. The PMOS transistor is a voltage, characterized in that a MOS transistor having a temperature coefficient of the positive relationship constituting the current mirror-to-current converter.
  5. 삭제 delete
  6. 밴드갭(bandgap) 기준전압발생부와, 상기 기준전압발생기로부터 제공된 기준전압을 전류로 변환하는 전압-전류변환부, 및 상기 전압-전류변환부의 출력 전류의 양에 따라 결정된 주파수의 발진신호를 출력하는 링-오실레이터를 구비하는 셀프-오실레이터에 있어서, Band gap (bandgap) the reference voltage generating portion and the reference voltage to convert the reference voltage provided by the voltage generator with a current-current converter, and the voltage-output an oscillation signal of a predetermined frequency according to the amount of the current conversion unit Output Current in the oscillator, and - having a self-oscillator ring
    상기 전압-전류변환부는, The voltage-current conversion unit,
    기준전압을 정입력단으로 입력받는 증폭기; An amplifier for receiving a reference voltage to the positive input terminal;
    상기 증폭기의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터; And the gate connected to the output terminal of the amplifier, the source side of the NMOS transistor connected to the input end of the amplifier unit is connected to a ground voltage terminal are the source side through the resistor;
    상기 엔모스트랜지스터의 드레인단에 접속되어 상기 저항의 양단에 흐르는 전류를 복사하여 출력전류로서 생성하는 전류미러; The yen is connected to the drain terminal of the MOS transistor a current mirror to copy the current flowing through the both ends of the resistance generated as the output current; And
    상기 전류미러의 온도 특성을 보상하기 위하여 상기 전류미러에 흐르는 전류의 양을 제어하는 전류보상수단을 포함하며, To compensate for the temperature characteristic of the current mirror comprises a current compensation means for controlling the amount of current flowing in the current mirror,
    상기 전류보상수단은, It said current compensation means comprises:
    소오스단이 전원전압단에 접속되고, 드레인단이 상기 엔모스트랜지스터의 소오스측에 연결되며, 게이트로 턴-온 전압을 인가받는 피모스트랜지스터를 포함하는 And the source end connected to a power supply voltage terminal, and the drain stage is the yen is connected to the source side of the MOS transistor, a gate turn-on voltage is applied to blood receiving moss including transistors
    셀프-오실레이터. The self-oscillator.
  7. 밴드갭(bandgap) 기준전압발생부와, 상기 기준전압발생기로부터 제공된 기준전압을 전류로 변환하는 전압-전류변환부, 및 상기 전압-전류변환부의 출력 전류의 양에 따라 결정된 주파수의 발진신호를 출력하는 링-오실레이터를 구비하는 셀프-오실레이터에 있어서, Band gap (bandgap) the reference voltage generating portion and the reference voltage to convert the reference voltage provided by the voltage generator with a current-current converter, and the voltage-output an oscillation signal of a predetermined frequency according to the amount of the current conversion unit Output Current in the oscillator, and - having a self-oscillator ring
    상기 전압-전류변환부는, The voltage-current conversion unit,
    기준전압을 정입력단으로 입력받는 증폭기; An amplifier for receiving a reference voltage to the positive input terminal;
    상기 증폭기의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터; And the gate connected to the output terminal of the amplifier, the source side of the NMOS transistor connected to the input end of the amplifier unit is connected to a ground voltage terminal are the source side through the resistor;
    상기 엔모스트랜지스터의 드레인단에 접속되어 상기 저항의 양단에 흐르는 전류를 복사하여 출력전류로서 생성하는 전류미러; The yen is connected to the drain terminal of the MOS transistor a current mirror to copy the current flowing through the both ends of the resistance generated as the output current; And
    상기 전류미러의 온도 특성을 보상하기 위하여 상기 전류미러에 흐르는 전류의 양을 제어하는 전류보상수단을 포함하며, To compensate for the temperature characteristic of the current mirror comprises a current compensation means for controlling the amount of current flowing in the current mirror,
    상기 전류보상수단은, It said current compensation means comprises:
    소오스단이 전원전압단에 접속되고, 게이트단 및 드레인단이 상기 엔모스트랜지스터의 드레인측에 연결된 피모스트랜지스터를 포함하는 Source stage is connected to the power supply voltage terminal, a gate and a drain stage is the stage yen including a PMOS transistor connected to the drain side of the MOS transistor
    셀프-오실레이터. The self-oscillator.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 7. The method of claim 6 or 7,
    상기 피모스트랜지스터는 전류미러를 구성하는 모스트랜지스터와 정 관계의 온도 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 셀프-오실레이터. The PMOS transistors are self comprising the MOS transistor and the temperature coefficient of the positive relationship constituting the current mirror-oscillator.
  9. 제8항에 있어서, The method of claim 8,
    상기 밴드갭 기준전압발생부는, The bandgap reference voltage generating unit includes:
    베이스와 콜렉터가 공통 접지된 제1 pnp바이폴라트랜지스터; Claim 1 pnp bipolar transistor, the base and the collector is the common ground;
    베이스와 콜렉터가 공통 접지되고 상기 제1 pnp바이폴라트랜지스터에 비해 큰 면적을 가지는 제2 pnp바이폴라트랜지스터; 2 the pnp bipolar transistor the base and collector commonly connected to ground and having a larger area than that of the pnp bipolar transistor of claim 1; And
    상기 제1 pnp바이폴라트랜지스터의 에미터단에 정입력단이 접속되고 상기 제2 pnp바이폴라트랜지스터의 에미터단이 제1저항(R63)를 통해 부입력단에 접속되며, 자신의 출력단이 제2항(R61)을 통해 상기 정입력단과 접속되고, 상기 출력단이 제3저항(R62)를 통해 상기 부입력단에 접속된 증폭기 The positive input terminal connected to the emitter teodan of the first pnp bipolar transistor and the second pnp bipolar emitter teodan of the transistor is connected to the unit input terminal through a first resistance (R63), claim 2 his output (R61) the via is connected to the positive input terminal, the output terminal is connected to the input terminal portion through a third resistor (R62) amplifier
    를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 셀프-오실레이터. Oscillator-Self characterized in that comprises a.
KR20030025054A 2003-04-21 2003-04-21 Voltage-current converter and self-oscillator using the same KR100520269B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20030025054A KR100520269B1 (en) 2003-04-21 2003-04-21 Voltage-current converter and self-oscillator using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20030025054A KR100520269B1 (en) 2003-04-21 2003-04-21 Voltage-current converter and self-oscillator using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040091276A true KR20040091276A (en) 2004-10-28
KR100520269B1 true KR100520269B1 (en) 2005-10-17

Family

ID=37371952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20030025054A KR100520269B1 (en) 2003-04-21 2003-04-21 Voltage-current converter and self-oscillator using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100520269B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100682016B1 (en) * 2005-05-30 2007-02-15 포스데이타 주식회사 Radios frequency transmission circuit for dedicated short range communication system
KR100655454B1 (en) * 2005-12-27 2006-12-01 전자부품연구원 Current-starved ring oscillator of compensating the variation of supply voltage
KR20150049632A (en) 2013-10-30 2015-05-08 삼성전자주식회사 Low-Current Ring Oscillator having Temperature Compensation Scheme, and Device including the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
KR20040091276A (en) 2004-10-28 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5182529A (en) Zero crossing-current ring oscillator for substrate charge pump
US4638184A (en) CMOS bias voltage generating circuit
US5600280A (en) Differential amplifier and variable delay stage for use in a voltage controlled oscillator
US6246271B1 (en) Frequency multiplier capable of generating a multiple output without feedback control
US4513258A (en) Single input oscillator circuit
US5870004A (en) Temperature compensated frequency generating circuit
US6326859B1 (en) Oscillator circuit having trimmable capacitor array receiving a reference current
US6456170B1 (en) Comparator and voltage controlled oscillator circuit
US6157266A (en) Delay elements arranged for a signal controlled oscillator
US6157270A (en) Programmable highly temperature and supply independent oscillator
US6414863B1 (en) Frequency control circuit for unregulated inductorless DC/DC converters
US5594388A (en) Self-calibrating RC oscillator
US6809603B1 (en) Ring oscillator having a stable output signal without influence of MOS devices
US5661428A (en) Frequency adjustable, zero temperature coefficient referencing ring oscillator circuit
US5245524A (en) DC-DC converter of charge pump type
US6118348A (en) Oscillator circuit having switched gain amplifiers and a circuit for preventing switching noise
US6255888B1 (en) Level shift circuit
US4983931A (en) CR-type oscillator circuit
US20070210776A1 (en) Switching power source apparatus
US6362697B1 (en) Low supply voltage relaxation oscillator having current mirror transistors supply for capacitors
US5552748A (en) Digitally-tuned oscillator including a self-calibrating RC oscillator circuit
US5912593A (en) IC (current-capacitor) precision oscillator having frequency and duty cycle controls
US4891609A (en) Ring oscillator
USRE37124E1 (en) Ring oscillator using current mirror inverter stages
US5764110A (en) Voltage controlled ring oscillator stabilized against supply voltage fluctuations

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120910

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee