KR100455297B1 - 무기물 나노튜브 제조방법 - Google Patents

무기물 나노튜브 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100455297B1
KR100455297B1 KR10-2002-0034293A KR20020034293A KR100455297B1 KR 100455297 B1 KR100455297 B1 KR 100455297B1 KR 20020034293 A KR20020034293 A KR 20020034293A KR 100455297 B1 KR100455297 B1 KR 100455297B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inorganic
nanotubes
nanotube
cnt
carbon nanotubes
Prior art date
Application number
KR10-2002-0034293A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030097125A (ko
Inventor
민요셉
배은주
최원봉
조영진
이정현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2002-0034293A priority Critical patent/KR100455297B1/ko
Publication of KR20030097125A publication Critical patent/KR20030097125A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100455297B1 publication Critical patent/KR100455297B1/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158Carbon nanotubes
    • C01B32/16Preparation
    • C01B32/162Preparation characterised by catalysts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G55/00Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/605Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/08Aligned nanotubes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/10Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/13Nanotubes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y10S977/893Deposition in pores, molding, with subsequent removal of mold

Abstract

CNT를 형판으로 이용하여 무기물 나노튜브를 형성하는 방법을 개시한다. 무기물 나노튜브제조방법은: 가) 카본 나노 튜브(CNT) 또는 카본나노튜브 어레이가 형성된 형판을 마련하는 단계; 나) 원자층증착법에 의해 상기 형판에 대한 무기물의 증착을 실시하여, 상기 카본나노튜브의 외측면에 무기물나노튜브를 형성하는 단계와; 다) 상기 카본나노튜브를 제거하여 상호 연계된 무기물나노튜브에 의한 무기물 나노튜브 또는 무기물 나노튜브 어레이를 얻는 단계;를 포함한다.
본 발명에 의한 무기물 나노튜브 제작 방법은 특정한 물질에 국한된 반응을 사용하지 않으므로 탄소나노튜브 위에 원자층증착법을 적용하기 위한 전구체가 존재하는 모든 무기물 나노튜브의 제작에 적용할 수 있는 제작법이며, 반도체 소자 제작공정과 같은 다른 미세공정 기술과 잘 부합된다. 다양한 모양과 배열의 무기물 나노 튜브를 원자층증착법에 의하여 제작할 수 있으며 또한 무기물 나노튜브의 질서정연한 배열을 별도의 식각 공정없이 쉽게 제작할 수 있다.

Description

무기물 나노튜브 제조방법{Manufacturing method of inorganic nano tube}
본 발명은 무기물 나노 튜브 또는 그 배열 (array)의 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄소 나노 튜브를 형판(template)으로 사용하여 무기물 나노 튜브를 제작하는 방법에 관한 것이다.
최근 광학 및 전자소자의 집적화, 소형화 되는 추세에 따라 나노 구조 물질 및 그 제작 방법에 대한 연구가 매우 활발하게 진행되고 있다. (Nature, 1999, 402, 273; Angew. Chem., Int. Ed. 1999,38, 2175) 특히 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT)의 발견 이 후 이를 초미세 전자 소자 물질로 이용하기 위한 CNT의 인위적인 배열 (orderred array), 팬터닝 (patterning), 소자 제작 등이 시도되고 있다. (Nature, 1991, 354, 56; Adv. Mater. 2002, 14, 277; Appl. Phy. Lett. 2001, 79, 3696, Nature 2002, 416, 495). 또한 아래에 정리한 바와 같이 나노튜브의 구조 또는 그 물성을 응용하기 위한 다양한 시도들이 이루어 지고 있다.
- high sensitivity microbalance: Science 283, 1513 (1999).
- gas detector: Science 287, 622 (2000)
- hydrogen energy storage devices: Nature 386, 512 (1999).
- Field emission display (FED): Appl. Phys. Lett. 72, 2912 (1998); Science 283, 512 (1999).
- Nano-tweezer: Science 286, 2148 (1999).
- Single electron transister (SET): Science 293, 76 (2001).
- Actuators: Science 284, 1340 (1999).
- Memory: Science 289, 94 (2000).
- Catalyst: USP 6210800 B1, Nature 375, 564 (1995).
- UV absorber: USP 6027775
- drug delivery agent, oil absorbent, composite.
이러한 연구에 힘입어서 다양한 물질로 된 나노 스케일의 로드(rod), 와이어(wire), 튜브(tube), 파티클(particle)등의 제조에 대한 연구가 광범위하게 진행되고 있지만, 이러한 소자 제작에 적합한 기상 증착법으로 탄소 이외의 질서정연한 배열을 갖는 무기물 나노 튜브를 제작하는 방법은 아직까지 거의 알려져 있지 않다.
최근에는 CNT를 이용하여 제2의 물질의 나노 구조 물질을 제작하는 연구가 진행되고 있다. 그 예들로는, V2O5분말을 융점 이상의 고온에서 용융시킨 후 모세관 형상을 이용하여 탄소 나노 튜브를 코팅하거나[Science 375, 564 (1995)], 무전해 도금으로 금속 박막을 형성하는 방법 [JJAP 36, L501 (1997)], 탄소 나노튜브와B2O3의 치환 반응에 의하여 보로나이트라이드(boronitride, BN) 나노튜브를 제작하는 방법 [Appl. Phys. Lett. 73, 3085 (1998)], 다층벽 나노튜브 (Multi-wall Nanotube, MWNT)를 H2WO4와 H2S에 의한 고온 반응에 의하여 WS2로 코팅하는 방법 [Chem. Mater. 14, 2209, (2002)], 나노 튜브와 메탈옥사이드(metal oxide, MO)의 제한된 반응(confined reaction)에 의하여 메탈 카바이드 나노로드(metal carbide nanorod)를 제작하는 방법 [Science, 277, 1287 (1997)], 애노딕 다공성 알루미나(anodic porous alumina)와 PMMA (polymethylmethacrylate)를 이용하여 TiO2의 나노튜브 배열을 제작하는 방법 [Langmuir 12, 1411 (1996)], 수직 배열된 나노파이버(nano-fiber)를 형판으로 사용하여 SiO2를 증착한 후 식각공정을 사용하여 나노파이버를 노출시킨후 이를 에칭시켜 SiO2nanopipe를 제조하는 방법[Abstract of 46th International Conference on Electron, Ion and Photon Beam Technology and Nanofabrication, Anaheim, CA, 269, (2002)] 등이 있다. 이러한 방법들은 특정한 물질들에 국한된 매우 제한적인 반응을 이용하거나, 식각공정을 사용하기 때문에 나노 구조를 제작하기 위한 일반적인 방법으로 사용하기에는 적합하지 않다.
본 발명은 다양한 종류의 무기물 나노 튜브를 용이하게 얻을 수 있는 무기물 나노튜브 형성 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 원자층증착법에의한 루테늄 박막 증착 속도의 온도 의존성을 보인 그래프이다.
도 2a는 다공성 알루미나 위에 형성된 탄소나노튜브 배열의 수직구조를 보인 SEM 사진이다.
도 2b는 다공성 알루미나 위에 형성된 탄소나노튜브 배열의 평면구조를 보인 DFM(Dynamic Force Microscopy) 사진이다.
도 3a는 본 발명에 따라, CNT 어레이 위에 증착된 루테늄 박막의 수직구조를 보인 SEM 사진이다.
도 3b는 본 발명에 따라, CNT 어레이 위에 증착된 루테늄 박막의 평면구조를 보인 DFM 사진이다.
도 3c는 본 발명에 따라, CNT 어레이 위에 증착된 루테늄 박막의 고분해능 투과전자현미경 사진이다.
도 3c는 본 발명에 따라, CNT 어레이 위에 증착된 루테늄 박막의 Z-콘트라스트(contrast) 이미지이다.
도 4a는 본 발명에 의하여 제작된 RuOx 나노튜브의 수직 구조를 보인 SEM 사진이다.
도 4b는 본 발명에 의하여 제작된 RuOx 나노튜브의 평면 구조를 보인 DFM 사진이다.
도 4c는 본 발명에 의하여 제작된 RuOx 나노튜브의 고분해능 투과전자현미경 사진이다.
도 4d는 본 발명에 의하여 제작된 RuOx 나노튜브의 Z-contrast 이미지이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 무기물 나노튜브 제조방법은:
가) 카본 나노 튜브(CNT) 또는 카본나노튜브 어레이가 형성된 형판을 마련하는 단계;
나) 원자층증착법에 의해 상기 형판에 대한 무기물의 증착을 실시하여, 상기 카본나노튜브의 외측면에 무기물나노튜브를 형성하는 단계와;
다) 상기 카본나노튜브를 제거하여 상호 연계된 무기물나노튜브에 의한 무기물 나노튜브 또는 무기물 나노튜브 어레이를 얻는 단계;를 포함한다.
상기 본 발명의 제조방법에 있어서, 상기 가) 단계는, 기판에 다공성 물질층을 형성하는 단계; 상기 다공성 물질층의 공공부로부터 카본나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 다공성 물질층은 다공성 알루미나로 형성하는 것이 바람직하며,특히, 상기 다공성 물질층을 형성하는 단계는:
기판에 알루미늄 박막을 형성하는 단계;
상기 알루미늄 박막을 산화시켜 다공성 알루미나를 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 다)단계는 상기 카본나노튜브를 산소 또는 오존을 공급하면서 고온으로 애쉬하여 제거하고, 이와 아울러 상기 무기물나노튜브를 산화시키는 것이 바람직하다. 나아가서는 상기 무기물은 루테늄이며, 상기 루테늄 증착시 공정온도를 300℃ 이하로 설정하는 것이 바람직하다. 달리는, 또한, 상기 다)단계에서 무기물이 증착된 나노튜브의 무기물을 산화시키지 않고 카본나노튜브를 제거하기 위해서는 카본나노튜브를 플라즈마로 처리하여 에칭하여 제거하는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 본 발명에서는 무기물나노튜브 또는 이들의 배열을 제작하기 위하여 CNT 또는 이들의 배열을 형판 (template)으로 사용한다. 즉, CNT 또는 CNT의 질서정연한 배열 위에 나노 튜브로 제작하고자 하는 무기물 박막을 원자층증착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 코팅하므로 무기물이 코팅된 CNT 또는 그 배열을 제작한다. 또한 상기의 원자층 증착법에 의하여 코팅된 무기물 박막은 CNT의 내벽과 외벽에서 서로 다른 증착 거동을 보이고, 특히 내벽에 증착된 무기물 박막은 성긴(sparse) 미세구조를 가지므로 산소, 오존, 플라즈마와 같은 활성화된 산화 분위기에서 처리하면 CNT가 연소되어 결과적으로 새로운 제2의 무기물 나노 튜브 또는 이들의 어레이가 형성된다.
따라서 본 발명에 의하면, 무기물이 코팅된 CNT를 제작할 수 있을 뿐만 아니라, 응용하고자 하는 목적에 따라서는 형판으로 사용된 CNT를 제거하여 제2의 무기물 나노튜브를 제작할 수 있다.
본 발명에서는 무기물 나노 튜브를 제작하기 위하여 원자층증착법을 이용하므로 이에 대하여 언급하고자 한다. [Nanotechnology 10, 19 (1999)] 원자층증착법은 일반적인 화학기상증착법과는 달리 전구체(precursor)와 반응기체를 동시에 공급하지 않고 퍼지(purge)단계를 통하여 시분할적으로 공급한다. 즉, 전구체 공급 -> 퍼지 -> 반응기체 공급 -> 퍼지 등의 일련의 과정을 통하여 표면에 화학 흡착된 전구체의 단일 원자층(monolayer)이 반응기체와의 화학반응에 의하여 분해되므로 원자층 두께의 박막이 형성되다. 따라서, 증착 속도가 자기제어(self-limiting)되어 공정의 사이클(cycle) 횟수에 의하여 두께가 정확하게 제어된다. 또한 증착은 화학 흡착된 화학종(chemical species)들과 반응기체의 반응에 의해서만 일어나므로 증착속도는 전구체의 증착 표면에 대한 화학 흡착율에 의존하게 된다. 또한 원자층 증착법의 가장 중요한 특징이자 장점은 전구체가 열분해되지 않는 비교적 저온에서 증착이 이루어 지기 때문에 종횡비 (aspect ratio)가 매우 큰 입체 구조 기판 위에서 증착을 할 때 완벽한 층덮힘을 얻을 수 있다는 것이다. 특히 전구체의 열분해가 없는 ALD 공정조건에서는 증착 속도가 온도에 영향을 받지 않는 특징을 갖고 있다. 하지만 ALD 방법에서는 표면에서의 흡착종(absorbed species)과 반응기체의 화학반응을 유도하기 위해서 충분히 큰 반응성을 갖는 전구체 또는 반응기체가 필요하다.
반면에 CNT는 탄소들간의 공유결합에 의해서 형성되므로 400도 이상의 고온에서는 산소에 의해서 연소되는 특성을 갖고 있다 [Nature 375, 564 (1995)]. 따라서 CNT위에 박막을 형성하기 위해서는 산화반응이 억제되는 저온에서 증착을 하거나, 물과 같이 산화력이 약한 반응기체를 사용하여야 한다.
루테늄의 ALD 증착속도의 테스트
도 1은 본 발명에 따라 나노튜브제작에 사용되는 루테늄 박막의 공정 주기(1 사이클) 당 ALD 증착속도를 나타내는 것으로 이때의 기판은 SiO2가 형성된 Si 이다.
루테늄 박막을 Si 기판에 형성하기 위하여 ALD 공정 중에 전구체인 0.1M Ru(od)3 [od = octane-2, 4-dionate]/n-Butylacetate 용액을 150sccm의 Ar 기체로2초간 이송하였고, 반응기체로는 산소 100sccm을 2초간 공급하였다. 퍼지가스(purge gas)인 Ar은 전구체 및 반응기체 이송단계의 사이에 3초씩 공급하여 증착주기 당 소요시간은 10초로 조절하였다. 275℃ 부터 450℃ 까지 25 ℃ 간격으로 ALD를 진행한 결과, 350℃ 이하에서는 순수한 루테늄 박막이 얻어졌지만 400 ℃ 이상에서는 주로 RuOx가 얻어졌다. 350 ℃에서 400 ℃ 사이에서는 온도가 증가함에 따라 RuOx 상이 점차 증가하는 경향을 나타냈다. 이러한 결과를 보이는 도 1를 참조하면, 375 ℃ 이하에서는 열분해에 의한 증착이 거의 일어나지 않기 때문에 증착속도가 공정주기 당 0.1nm 이하로 매우 낮은 것을 알 수 있다.
CNT 형판(template)의 제작
500nm의 Al 박막을 실리콘 웨이퍼위에 스퍼터링으로 증착한 후, 0.3M 옥살산(oxalic acid) 용액에서 음극산화 (16도, DC 40V)시켜 다공성 알루미나(porous alumina)를 형성하고 0.1M 인산에서 처리하여 공공부(pore)의 직경을 약간 확장시켰다. 이 기판 위에 튜브 가열로(tube furnace)를 사용하여 10% 아세틸렌(acetylene) 기체 (valence gas N2)로 700도에서 30분간 CNT를 성장하였다. 50W의 알곤이온 밀링으로 흑연(graphite)를 제거하여 도 2와 같은 CNT 배열을 얻었다. 도 2a 는 실제 제작된 CNT 어레이의 수직구조를 보인 SEM 사진이며, 도 2b CNT 어레이의 평면 구조를 보인 DFM 사진이다.
CNT 형판에 대한 무기물 ALD
위의 과정에서 얻어진 형판의 표면에 ALD에 의해 무기물, 본 실시예에서는 루테늄나노튜브를 형성하였다. 이때의 ALD 조건은 위에서 설명된 루테늄의 ALD 증착속도의 테스트와 같은 조건으로 실시하였다. 이때에, 루테늄의 증착온도는 CNT의 분해를 억제하기 위하여 가능한 낮은 온도(300℃)에서 수행하여 ~6 nm의 두께의 루테늄 박막을 얻었다.
도 3a은 실제 실시된 ALD 증착으로 형성된 루테늄 박막의 수직구조를 보인 SEM 사진이며, 도 3b는 ALD 증착으로 형성된 루테늄 박막의 평면구조를 보인 DFM 사진이다. 순수 CNT의 평면구조를 보인 도 2b와 CNT에 코팅된 루테늄 박막의 평면구조를 보인 도 3b을 비교해보면, CNT의 내경이 코팅된 루테늄 박막에 의해 축소되었음을 알 수 있다. 또한 도 3c는 고분해능 투과 SEM 사진으로서, 이 사진을 통해 CNT에 코팅된 루테늄 박막이 결정질 미세구조를 갖고 있으며 CNT 형판은 결함(defect)이 많은 비정질 구조를 갖고 있음을 알 수 있다. 도 3d의 Z-contrast 이미지는 CNT의 외벽에 비해 내벽에 코팅된 루테늄 박막의 미세구조가 성긴(sparse) 미세구조를 갖음을 보여준다.
무기물 나노튜브의 형성
위의 과정을 통해 Ru 박막을 CNT 어레이 위에 형성한 후, 100sccm의 산소를 흘려주면서 500도, 1torr에서 한 시간 동안 애슁을 실시하여 루테늄 박막이 형성된 그 하부의 CNT를 제거하고 이와 동시에 루테늄을 산화시켜 잔류하는 루테늄에 의한 RuOx 튜브어레이, 즉 무기물 나노 튜브를 제작하였다.
도 4a는 애슁 공정에 의하여 CNT가 제거됨으로써 드러난 알루미나 공공부(alumina pore)를 보인다. 도 4b는 루테늄의 증착으로 내경이 축소되었던 CNT(도 3b 참조)가 애슁에 의해 제거됨으로써 잔류하는 루테늄에 의한 튜브의 내경이 약간 확장되었음을 보여준다. 상기 CNT의 제거는 산화를 수반하는 애슁이 아닌 플라즈마에 의해 제거할 수 있다.
도 4c 및 도 4d는 애슁 공정에 의하여 CNT가 제거되고 이와 동시에 CNT 에 코팅되었던 루테늄이 산화되어 RuOx 나노튜브가 형성되었음을 보여준다.
아래의 표 1은 Ru/CNT 구조에서 외벽(위치1, 도 3d 에서 "1")과 내벽(위치3, 도 3d에서 "3")에 코팅된 루테늄 및 CNT 형판(위치 2, 도 3d에서 "2") 부분과 RuOx 나노튜브 구조에서 알루미나 매트릭스(alumina matrix)부분 (위치4, 도 4d의 "4" )과 루테늄나노튜브 부분(위치5, 도 4d에서 "5")을 TEM-EDS (transmission electron microscopy - energy dispersive spectroscopy)로 분석하여 각 원소들의 특성 엑스레이의 세기(counts)를 나타낸 것이다. Ru/CNT구조에서는 위치 1, 2, 3의 C/Ru의 비율을 비교하면 외벽이 내벽에 비해 매우 치밀한 구조를 갖고 있음을 알 수 있다. 또한, RuOx구조에서는 탄소가 애슁되어 거의 나타나지 않으며, Ru 이 RuOx로 산화되었기 때문에 알루미나 매트릭스에 비하여 위치5에는 Al의 세기가 작지만 RuOx에 기인하는 산소에 의하여 산소의 카운트(counts)는 거의 변화가 없는 것을 볼 수 있다.
각 원소 특성 X-ray 피크(peak)의 TEM-EDS 분석 결과.
Ru/CNT RuOx
원소 위치 1 위치 2 위치 3 위치 4 위치 5
C, Kα (0.282 keV) 32 117 64 12 22
O, Kα (0.523 keV) - 14 18 59 59
Al, Lα (1.487 keV) - - - 116 31
Ru, Kα (2.588 keV) 110 33 116 8 99
상기의 공정에 의하여 무기물 나노 튜브를 제작하기 위해서는 아래의 조건 들이 만족되어야 한다. 첫째, CNT가 분해되지 않는 무기물 박막의 ALD가 가능한 전구체, 반응기체, 증착온도 공정 조건이 존재해야 한다. 둘째, ALD 공정 중에 CNT의 외벽과 내벽의 증착거동의 차이에 의하여 CNT가 애슁될 수 있는 경로가 제공되어야 한다. 그러나 제작된 나노 튜브의 응용 목적에 따라서는 CNT를 제거하지 않고 무기물이 코팅된 탄소나노튜브를 애슁 공정없이 그대로 사용할 수 도 있다.
본 발명은 CNT 또는 CNT 어레이 위에 원자층증착법에 의하여 무기물 박막을 코팅하여 무기물이 코팅된 탄소나노튜브의 제작법을 제공하며 또한 고온 가열의 애슁에 의하여 CNT를 제거하므로 제2의 무기물나노튜브를 제작할 수 있도록 한다. 본 발명에 의한 무기물 나노튜브 제작 방법은 특정한 물질에 국한된 반응을 사용하지 않으므로 탄소나노튜브 위에 원자층증착법을 적용하기 위한 전구체가 존재하는 모든 무기물 나노튜브의 제작에 적용할 수 있는 제작법이며, 반도체 소자 제작공정과 같은 다른 미세공정 기술과 잘 부합된다. 다양한 모양과 배열의 무기물 나노 튜브를 원자층증착법에 의하여 제작할 수 있으며 또한 무기물 나노튜브의 질서정연한 배열을 별도의 식각 공정없이 쉽게 제작할 수 있다.

Claims (8)

  1. 가) 카본 나노 튜브(CNT) 또는 카본나노튜브 어레이가 형성된 형판을 마련하는 단계;
    나) 원자층증착법에 의해 상기 형판에 대한 무기물의 증착을 실시하여, 상기 카본나노튜브의 외측면에 무기물나노튜브를 형성하는 단계와;
    다) 상기 카본나노튜브를 제거하여 상호 연계된 무기물나노튜브에 의한 무기물 나노튜브 또는 무기물 나노튜브 어레이를 얻는 단계;를 포함하는 무기물 나노튜브 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가) 단계는,
    기판에 다공성 물질층을 형성하는 단계;
    상기 다공성 물질층의 공공부로부터 카본나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 나노튜브 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다공성 물질층은 다공성 알루미나로 형성하는 것을 특징으로 하는 무기물 나노튜브 제조방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 다공성 물질층을 형성하는 단계는:
    기판에 알루미늄 박막을 형성하는 단계;
    상기 알루미늄 박막을 산화시켜 다공성 알루미나를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 나노튜브 제조방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 다)단계는 상기 카본나노튜브를 산소 또는 오존을 공급하면서 고온으로 애쉬하여 제거하고, 이와 아울러 상기 무기물나노튜브를 산화시키는 것을 특징으로 하는 무기물 나노튜브 제조방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 다)단계에서 상기 카본나노튜브를 플라즈마로 에칭하여 제거하는 것을 특징으로 하는 무기물 나노 튜브 제조방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기물은 루테늄인 것을 특징으로 하는 무기물 나노튜브 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 루테늄 증착시 공정온도를 300℃ 이하로 설정하는 것을 특징으로 하는 무기물 나노튜브 제조방법.
KR10-2002-0034293A 2002-06-19 2002-06-19 무기물 나노튜브 제조방법 KR100455297B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0034293A KR100455297B1 (ko) 2002-06-19 2002-06-19 무기물 나노튜브 제조방법

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0034293A KR100455297B1 (ko) 2002-06-19 2002-06-19 무기물 나노튜브 제조방법
DE60308596T DE60308596T2 (de) 2002-06-19 2003-03-05 Verfahren zur Herstellung von anorganischen Nanoröhren
EP03251320A EP1375431B1 (en) 2002-06-19 2003-03-05 Method of manufacturing inorganic nanotube
CNB031072585A CN1312318C (zh) 2002-06-19 2003-03-19 制备无机纳米管的方法
US10/464,860 US7005391B2 (en) 2002-06-19 2003-06-19 Method of manufacturing inorganic nanotube
JP2003174325A JP2004027363A (ja) 2002-06-19 2003-06-19 無機物ナノチューブ製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030097125A KR20030097125A (ko) 2003-12-31
KR100455297B1 true KR100455297B1 (ko) 2004-11-06

Family

ID=29717711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0034293A KR100455297B1 (ko) 2002-06-19 2002-06-19 무기물 나노튜브 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7005391B2 (ko)
EP (1) EP1375431B1 (ko)
JP (1) JP2004027363A (ko)
KR (1) KR100455297B1 (ko)
CN (1) CN1312318C (ko)
DE (1) DE60308596T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100980323B1 (ko) 2008-02-22 2010-09-07 주식회사 엑스에프씨 수소저장장치

Families Citing this family (232)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100455297B1 (ko) * 2002-06-19 2004-11-06 삼성전자주식회사 무기물 나노튜브 제조방법
US7276389B2 (en) 2004-02-25 2007-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Article comprising metal oxide nanostructures and method for fabricating such nanostructures
US7227066B1 (en) * 2004-04-21 2007-06-05 Nanosolar, Inc. Polycrystalline optoelectronic devices based on templating technique
US7081421B2 (en) 2004-08-26 2006-07-25 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide dielectric layer
US7588988B2 (en) 2004-08-31 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition
CN100491589C (zh) * 2004-11-01 2009-05-27 中国科学院化学研究所 一种金属纳米管的制备方法
US7329613B2 (en) * 2005-03-11 2008-02-12 International Business Machines Corporation Structure and method for forming semiconductor wiring levels using atomic layer deposition
US7662729B2 (en) * 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
DE102006041515B4 (de) * 2006-08-28 2008-10-30 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Verfahren zur Herstellung von ein- oder mehrwandigen, mit einem oder mehreren Übergangsmetallen beschichteten Kohlenstoff-Nanoröhren
US7435484B2 (en) * 2006-09-01 2008-10-14 Asm Japan K.K. Ruthenium thin film-formed structure
CN101148246B (zh) * 2006-09-22 2011-01-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 纳米级微孔模具的制造方法
CN101148245B (zh) * 2006-09-22 2011-08-24 清华大学 纳米级微孔模具
US20080210473A1 (en) * 2006-11-14 2008-09-04 Smith International, Inc. Hybrid carbon nanotube reinforced composite bodies
US20080179104A1 (en) * 2006-11-14 2008-07-31 Smith International, Inc. Nano-reinforced wc-co for improved properties
US7862634B2 (en) * 2006-11-14 2011-01-04 Smith International, Inc. Polycrystalline composites reinforced with elongated nanostructures
KR101281168B1 (ko) 2007-01-05 2013-07-02 삼성전자주식회사 전계 방출 전극, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 전계 방출소자
KR100931825B1 (ko) * 2007-09-12 2009-12-15 충남대학교산학협력단 탄소주형체 희생법을 이용한 리튬코발트산화물 나노튜브구조체 및 그 제조방법
US8906501B2 (en) * 2007-10-05 2014-12-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy RuO2 coatings
EP2313341A4 (en) * 2008-07-07 2011-08-24 Nanunanu Ltd INORGANIC CANNONS
CN101712468B (zh) * 2008-09-30 2014-08-20 清华大学 碳纳米管复合材料及其制备方法
US8699207B2 (en) * 2008-10-21 2014-04-15 Brookhaven Science Associates, Llc Electrodes synthesized from carbon nanostructures coated with a smooth and conformal metal adlayer
US8404613B2 (en) * 2008-10-21 2013-03-26 Brookhaven Science Associates, Llc Platinum-based electrocatalysts synthesized by depositing contiguous adlayers on carbon nanostructures
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
CN101837287B (zh) * 2009-03-21 2012-05-30 清华大学 碳纳米管纳米颗粒复合材料的制备方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
CN101880023B (zh) * 2009-05-08 2015-08-26 清华大学 纳米材料薄膜结构
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2012011374A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Imec カーボンナノチューブの成長に適した触媒の形成方法
CN102071468B (zh) * 2011-02-24 2012-10-24 南京师范大学 一种独立的聚合物纳米管及其制备方法和应用
CN102760798B (zh) * 2011-04-29 2015-03-11 清华大学 一种发光二极管的制备方法
JP5760668B2 (ja) * 2011-05-11 2015-08-12 富士通株式会社 シート状構造体及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5998557B2 (ja) * 2012-03-23 2016-09-28 富士通株式会社 放熱シートの製造方法
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
CN103497842B (zh) * 2013-10-18 2015-10-21 北京科技大学 利用甲乙醇作为酯交换剂制备生物柴油的新方法
US9605343B2 (en) * 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
KR101503733B1 (ko) * 2014-01-20 2015-03-19 연세대학교 산학협력단 원자층 증착법으로 증착된 금속 산화물을 이용한 금속 황화물의 입체 구조 형성 방법
WO2015112628A1 (en) * 2014-01-23 2015-07-30 Masdar Institute Of Science And Technology Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN104952989B (zh) * 2014-03-26 2018-02-27 清华大学 外延结构
JP6031146B2 (ja) * 2014-03-26 2016-11-24 ツィンファ ユニバーシティ ナノチューブフィルム及びその製造方法
CN104952983B (zh) * 2014-03-26 2018-07-10 清华大学 外延结构的制备方法
CN104947073B (zh) * 2014-03-26 2017-11-14 清华大学 纳米管膜的制备方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR20170129475A (ko) 2016-05-17 2017-11-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR20180013034A (ko) 2016-07-28 2018-02-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR20180054366A (ko) 2016-11-15 2018-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR20180119477A (ko) 2017-04-25 2018-11-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
EP3404487B1 (en) * 2017-05-15 2021-12-01 IMEC vzw Method for forming a carbon nanotube pellicle membrane
EP3404486B1 (en) * 2017-05-15 2021-07-14 IMEC vzw A method for forming a pellicle
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
KR20190023920A (ko) 2017-08-30 2019-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR20190033455A (ko) 2017-09-21 2019-03-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR20190056158A (ko) 2017-11-16 2019-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
CN108046327B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种二硫化钨纳米管的制备方法
CN108128807B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种三氧化钨纳米管的制备方法
CN107934926B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种二硒化钼纳米管的制备方法
CN108059189B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种二硫化钼纳米管的制备方法
CN108147460B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种三氧化钼纳米管的制备方法
CN107986247A (zh) * 2017-12-26 2018-05-04 佛山科学技术学院 一种石墨相氮化碳纳米管的制备方法
CN107934925B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种二硒化钨纳米管的制备方法
CN107934928B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种二碲化钨纳米管的制备方法
CN107934927B (zh) * 2017-12-26 2020-05-05 佛山科学技术学院 一种二碲化钼纳米管的制备方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR20190113580A (ko) 2018-03-27 2019-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR20190114682A (ko) 2018-03-30 2019-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR20200045067A (ko) 2018-10-19 2020-05-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788A (zh) 2019-02-01 2020-08-11 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102352A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
TW202121506A (zh) 2019-07-19 2021-06-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
CN110773108B (zh) * 2019-10-15 2022-04-15 太原科技大学 一种氧化钛空心纳米管的制备方法及其制备的氧化钛空心纳米管的应用
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6210800B1 (en) * 1996-12-18 2001-04-03 Eidg. Technische Hochschule Zurich Use and production of nanotubes containing a mixed valence venadium
US6231980B1 (en) * 1995-02-14 2001-05-15 The Regents Of The University Of California BX CY NZ nanotubes and nanoparticles
KR20020097295A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 주식회사 파인셀 졸-겔 반응의 무기물 주형을 사용한 나노세공 탄소재료의제조방법
EP1375431A2 (en) * 2002-06-19 2004-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing inorganic nanotube

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027775A (en) * 1996-09-30 2000-02-22 Chubu Electric Power Co., Inc. Crystalline titania and process for producing the same
US6482740B2 (en) * 2000-05-15 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Method of growing electrical conductors by reducing metal oxide film with organic compound containing -OH, -CHO, or -COOH
CN1155740C (zh) * 2000-07-04 2004-06-30 南京大学 大尺寸纳米有序孔洞模板的制备方法
KR100406534B1 (ko) * 2001-05-03 2003-11-20 주식회사 하이닉스반도체 루테늄 박막의 제조 방법
JP2005530307A (ja) * 2002-01-03 2005-10-06 ネア・パワー・システムズ・インコーポレーテッド 表面にコンフォーマル導電層を有する多孔質燃料電池電極構造体
US6824816B2 (en) * 2002-01-29 2004-11-30 Asm International N.V. Process for producing metal thin films by ALD
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6231980B1 (en) * 1995-02-14 2001-05-15 The Regents Of The University Of California BX CY NZ nanotubes and nanoparticles
US6210800B1 (en) * 1996-12-18 2001-04-03 Eidg. Technische Hochschule Zurich Use and production of nanotubes containing a mixed valence venadium
KR20020097295A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 주식회사 파인셀 졸-겔 반응의 무기물 주형을 사용한 나노세공 탄소재료의제조방법
EP1375431A2 (en) * 2002-06-19 2004-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing inorganic nanotube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100980323B1 (ko) 2008-02-22 2010-09-07 주식회사 엑스에프씨 수소저장장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE60308596D1 (de) 2006-11-09
EP1375431B1 (en) 2006-09-27
EP1375431A3 (en) 2005-08-24
US20050202684A1 (en) 2005-09-15
DE60308596T2 (de) 2007-08-23
CN1467311A (zh) 2004-01-14
JP2004027363A (ja) 2004-01-29
CN1312318C (zh) 2007-04-25
KR20030097125A (ko) 2003-12-31
US7005391B2 (en) 2006-02-28
EP1375431A2 (en) 2004-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100455297B1 (ko) 무기물 나노튜브 제조방법
Huczko Synthesis of aligned carbon nanotubes
Teo et al. Catalytic synthesis of carbon nanotubes and nanofibers
Hernández-Vélez Nanowires and 1D arrays fabrication: An overview
US20060222850A1 (en) Synthesis of a self assembled hybrid of ultrananocrystalline diamond and carbon nanotubes
US9177745B2 (en) Organic/inorganic composite comprising three-dimensional carbon nanotube networks, method for preparing the organic/inorganic composite and electronic device using the organic/inorganic composite
US20070035226A1 (en) Carbon nanotube hybrid structures
Hsu et al. Fabrication of CdS@ TiO2 coaxial composite nanocables arrays by liquid-phase deposition
Zhao et al. Filling of multi-walled carbon nanotubes with tin (IV) oxide
Liu et al. A simple method for coating carbon nanotubes with Co–B amorphous alloy
KR20060002476A (ko) 탄소나노튜브 제조용 촉매 베이스의 제조 방법 및 이를이용한 탄소나노튜브 제조 방법
Hu et al. Coating strategies for atomic layer deposition
Kinoshita et al. Two step floating catalyst chemical vapor deposition including in situ fabrication of catalyst nanoparticles and carbon nanotube forest growth with low impurity level
Zhou et al. Multi-directional growth of aligned carbon nanotubes over catalyst film prepared by atomic layer deposition
WO2012093776A2 (ko) 무기-나노구조체 복합소재 제조방법, 이를 이용한 탄소나노튜브 복합체 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 복합체
JP2003277029A (ja) カーボンナノチューブ及びその製造方法
TW201420499A (zh) 保形塗覆鑽石奈米晶體或碳化矽的奈米碳管,及其製造方法與使用方法
Jeong et al. Synthesis of metal-oxide nanotubular structures by using atomic layer deposition on nanotemplates
Lee et al. Microcontact Printing of Organic Self‐Assembled Monolayers for Patterned Growth of Well‐Aligned ZnO Nanorod Arrays and their Field‐Emission Properties
EP1771597A2 (en) Synthesis of a self assembled hybrid of ultrananocrystalline diamond and carbon nanotubes
KR20160136045A (ko) 정렬된 담형태의 탄소나노튜브 구조체, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자
Eswaramoorthi et al. Anodic titanium oxide: a new template for the synthesis of larger diameter multi-walled carbon nanotubes
WO2009154379A2 (en) Organic/inorganic composite comprising three- dimensional carbon nanotube networks, method for preparing the organic/inorganic composite and electronic device using the organic/inorganic composite
Bertoni et al. Growth of multi-wall and single-wall carbon nanotubes with in situ high vacuum catalyst deposition
Jung Controlled synthesis of carbon nanotubes using chemical vapor deposition methods

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120914

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130924

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140922

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee