KR100442452B1 - Process Equipment for Wet etching - Google Patents

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KR100442452B1
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Abstract

본 발명에서는, 얻고자 하는 패턴물질로 이루어진 물질층과, 물질층 상부에 위치하며, 사진식각 공정에 의해 일정패턴을 가지는 PR(photo resist)패턴이 형성된 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 습식식각 공정장비에 있어서, 서로 일정간격 이격되게 배치된 상부 및 하부 케이스와; 상기 상부 케이스 내부면에 위치하며, 에천트 용액을 분사시키는 다수 개의 노즐과; 상기 상부 및 하부 케이스 사이 구간에 위치하며, 상기 기판을 반송 및 이송시키는 제 1, 2 셔터부와; 상기 상부 케이스 내부면에 위치하며, 상기 셔터부와 인접한 상부 케이스 내벽에 고압의 크리닝액을 분사시키는 크리닝 장치를 포함하는 습식식각 공정장비를 제공함으로써, 첫째, 에칭부 자체에 석출물 제거장치를 구성함에 따라, 별도의 크리닝 시간설정에 따른 생산력 저하를 방지할 수 있고, 둘째, 석출물이 발생하는 에천트에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있어, 에천트의 물질선택폭을 넓힐 수 있으며, 세째, 안정적인 공정분위기에서 식각 공정을 수행할 수 있는 장점을 가진다.In the present invention, a wet etching process for forming a pattern on a substrate on which a material layer made of a pattern material to be obtained and a PR (photo resist) pattern having a predetermined pattern is formed by a photolithography process and positioned on the material layer. An equipment comprising: an upper and a lower case disposed spaced apart from each other; A plurality of nozzles disposed on an inner surface of the upper case and spraying an etchant solution; First and second shutter parts positioned in a section between the upper and lower cases and conveying and transferring the substrate; Located in the inner surface of the upper case, by providing a wet etching process equipment including a cleaning device for injecting a high-pressure cleaning liquid to the inner wall of the upper case adjacent to the shutter unit, first, to configure the precipitate removal device in the etching unit itself Accordingly, it is possible to prevent a decrease in productivity due to a separate cleaning time setting, and second, to prevent damage to the substrate by the etchant in which precipitates are generated, and thus to expand the material selection of the etchant. It has the advantage of performing the etching process in the process atmosphere.

Description

습식식각 공정장비{Process Equipment for Wet etching}Process Equipment for Wet Etching

본 발명은 습식식각 공정장비에 관한 것이며, 특히 습식식각 공정장비 에칭부에 관한 것이다.The present invention relates to a wet etching process equipment, and more particularly to a wet etching process equipment etching.

상기 습식식각 공정장비는 사진식각(photolithography) 기술을 이용한 패터닝(patterning) 공정에 이용되는 것으로, 패터닝 공정은 TFT-LCD(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display Device)와 같은 평판디스플레이 장치(FPD ; flat panel display device)에서 이용되는 게이트, 소스 및 드레인 전극과 같은 전극 배선의 패턴화 공정을 의미하는 것으로, 상기 패터닝 공정은 증착(deposition) 또는 코팅(coating), 사진식각 공정 그리고, 식각 공정으로 구성된다.The wet etching process equipment is used in a patterning process using a photolithography technique, and the patterning process is a flat panel display device (FPD; flat panel) such as TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display Device). It refers to a patterning process of electrode wirings such as gate, source and drain electrodes used in a display device, and the patterning process includes a deposition or coating, a photolithography process, and an etching process.

상기 식각 공정은 건식 식각(dry etching)과 습식 식각(wet etching)으로 나뉠 수 있다. 건식 식각은 플라즈마(plasma) 건식 식각, 이온빔 밀링(ion beam milling) 식각, 활성화 이온(reactive ion) 식각을 더욱 포함한다.The etching process may be divided into dry etching and wet etching. Dry etching further includes plasma dry etching, ion beam milling etching, and reactive ion etching.

도 1은 일반적인 사진식각 기술을 이용한 패터닝 공정에 대한 공정흐름도이다.1 is a process flow diagram for a patterning process using a general photolithography technique.

ST1에서는, 투명 기판 상에 얻고자 하는 패턴을 이루는 제 1 물질층을 증착(또는 코팅)하는 단계이다.In ST1, a step of depositing (or coating) a first material layer forming a pattern to be obtained on a transparent substrate.

상기 제 1 물질층은 금속물질, 반도체 물질, 절연물질 중 어느 하나에 해당될 수 있으며, 한 예로 액정표시장치에서 게이트 및 데이터 배선을 이루는 금속물질, 액티브층을 이루는 반도체 물질, 보호층을 이루는 절연물질을 들 수 있다.The first material layer may correspond to any one of a metal material, a semiconductor material, and an insulating material. For example, a metal material forming a gate and a data line, a semiconductor material forming an active layer, and an insulating layer forming a protective layer in a liquid crystal display device. A substance is mentioned.

ST2에서는, 상기 제 1 물질층 상에, 빛을 받으면 화학반응를 일으키는 감광성 물질인 PR(photo resist)물질을 도포하는 단계와, PR 물질에 얻고자 하는 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 노광 단계와, 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분(또는, 빛을 받지 않은 부분)의 PR을 제거하여 PR 패턴을 형성하는 현상 단계를 포함하는 사진식각 단계이다.In ST2, applying a photoresist (PR) material, which is a photosensitive material that causes a chemical reaction upon receiving light, selectively exposing light using a mask to obtain the PR material; The photolithography step includes a developing step of forming a PR pattern by removing the PR of the lighted portion (or the non-lighted portion) using the developer.

ST3에서는, 상기 PR 패턴을 마스크로 이용하여, 노출된 제 1 물질층을 식각하는 단계와, PR 패턴을 스트립(strip)하는 단계를 거쳐 얻고자 하는 패턴을 완성하는 단계이다.In ST3, the pattern to be obtained is completed by etching the exposed first material layer and stripping the PR pattern using the PR pattern as a mask.

상기 식각하는 단계는, 건식식각법을 이용하는 경우에는 상기 기판이 안치된 진공챔버내에 반응가스를 유입하는 단계와, 상기 반응가스로 이루어진 플라즈마를 이용하여 기판 상의 노출된 제 1 물질층을 식각하는 단계를 포함한다.The etching may include introducing a reaction gas into a vacuum chamber in which the substrate is placed when using a dry etching method, and etching the exposed first material layer on the substrate using a plasma composed of the reaction gas. It includes.

그리고, 습식식각법에서는 상기 기판을 에천트에 디핑(dipping)시키거나 또는 기판 상에 에천트 용액을 분사시키는 방법으로 노출된 제 1 물질층을 식각하는 단계를 포함한다.The wet etching method includes etching the exposed first layer of material by dipping the substrate into an etchant or spraying an etchant solution onto the substrate.

상기 습식식각 공정은 건식식각법에 비해 장비가격이나 생산성이 높은 장점을 가지며, 어레이 공정 중 금속 패턴이나 반도체 패턴은 습식식각 공정에 의해 주로 형성된다.The wet etching process has the advantage of higher equipment cost or productivity than the dry etching method, and the metal pattern or the semiconductor pattern is mainly formed by the wet etching process during the array process.

이하, 종래의 습식식각 공정장비에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a conventional wet etching process will be described with reference to the drawings.

도 2는 일반적인 습식식각 공정장비에 대한 개략도이다.Figure 2 is a schematic diagram of a general wet etching process equipment.

기판을 반송(搬送)하기 위한 로딩부(loading part)와, 식각 공정의 안정성을 위한 버퍼부(buffer part)와, 에천트 용액을 분사시켜 기판 상의 노출된 증착막을 식각하는 에칭부(etching part)와, 기판으로부터 에천트 용액을 제거하기 위해 기판을 제 1, 2 차 세척시키는 린스1부(first rinse part) 및 린스2부(second rinse part)와, 세척된 기판을 건조시키기 위한 건조부(dry part)와, 식각 공정이 완료된 기판을 후속 공정으로 이송하기 위한 언로딩부(unloading part)가 연속적으로 연결구성되어 있다.A loading part for transporting the substrate, a buffer part for stability of the etching process, and an etching part for etching the exposed deposited film on the substrate by spraying an etchant solution. A first rinse part and a second rinse part for first and second cleaning of the substrate to remove the etchant solution from the substrate, and a dry part for drying the cleaned substrate. part) and an unloading part for transferring the substrate on which the etching process is completed to a subsequent process are continuously connected.

한편, 전술한 에천트 용액 중에는 공기 중에 노출되거나, 일정 온도 이하가 되면 석출물이 발생되는 에천트가 있다.On the other hand, there is an etchant in which the precipitate is generated in the above-described etchant solution or exposed to air or below a predetermined temperature.

도 3은 종래의 습식식각 공정장비 에칭부에서, 석출물이 발생되는 에천트에 의해 기판 상에 결함이 가해지는 경우를 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating a case in which a defect is applied to a substrate by an etchant in which precipitates are generated in a conventional wet etching apparatus etching unit.

도시한 바와 같이, 서로 일정간격 이격된 상부 및 하부 케이스(12, 14)와, 상부 케이스(12) 내부면에 위치하는 다수 개의 노즐(16 ; nozzle)과, 상부 및 하부 케이스(12, 14) 사이 구간에 위치하여, 기판(18)을 이동시키는 반송롤러부(20)를 포함하는 에칭부(10)가 구비되어 있고, 반송롤러부(20) 상에 위치하는 기판(18)은 에칭부(10)로 반송되면서, 상기 노즐(16)을 통해 분사된 에천트 용액(22)에 의해 기판(18) 상의 미도시한 증착막을 식각시키게 된다.As shown, the upper and lower cases 12 and 14 spaced apart from each other, a plurality of nozzles 16 located on the inner surface of the upper case 12, and the upper and lower cases 12 and 14, respectively. An etching section 10 including a conveying roller section 20 for moving the substrate 18 in the interval between the sections is provided, and the substrate 18 positioned on the conveying roller section 20 is an etching section ( 10, the etchant solution 22 injected through the nozzle 16 etches the deposition film on the substrate 18.

상기 에칭부(10)에는 기판(18)을 에칭부(10) 내로 반송시키는 제 1 셔터부(24 ; shutter part)와, 기판(18)을 에칭부(10)에서 다음 파트로 이송시키는 제 2 셔터부(26)가 위치하고 있다. 제 1, 2 셔터부(24, 26)의 상부 내측에는 에천트 용액(22)과 접촉에 의해 공기 또는 온도저하에 따라 석출물(28)이 형성되기 쉽고, 이러한 고형의 석출물(28)은 이와 접하는 기판(18) 영역(I)에 스크래치(scratch)를 발생시킬 수 있다.The etching unit 10 includes a first shutter part 24 for conveying the substrate 18 into the etching unit 10, and a second part for transferring the substrate 18 from the etching unit 10 to the next part. The shutter unit 26 is located. Precipitates 28 are easily formed in contact with etchant solution 22 inside upper portions of first and second shutters 24 and 26 due to air or temperature decrease, and these solid precipitates 28 are in contact with them. Scratch can be generated in the region 18 of the substrate 18.

기존에는, 식각 공정 중 발생하는 석출물을 제거하기 위하여 생산을 중단하고 에칭부를 크리닝해야 되기 때문에, 생산적인 손실(loss)이 따랐다.Conventionally, productive losses have been followed since production has to be stopped and the etchings cleaned to remove precipitates generated during the etching process.

더욱이, 상기 크리닝 단계에서는, 한 예로 작업자가 발포장치를 이용하여 크리닝을 실시함에 따라 위험이 뒤따르게 된다. 예를 들면, 상기 발포장치를 이용하게 되면, 크리닝용 액체 튐 등에 인체가 노출되거나, 크리닝을 위해 장비 커버(cover)의 오픈에 의해 장비 내 가스/증기 등이 분출되는 위험이 뒤따랐다.Moreover, in the cleaning step, as an example, a worker carries out a cleaning by using a foaming device, which is followed by a risk. For example, the use of the foaming device, the human body is exposed to the cleaning liquid 튐, etc., or the gas / vapor in the equipment is ejected by opening the equipment cover (cover) for cleaning.

이러한 문제점 등에 의해, 재료비 절감이 가능하고 공정적으로 안정된 약액임에도 불구하고 사용하기 어려운 에천트가 있다. 이러한 에천트로는, 액정표시장치용 투명 전극 물질로 이용되는 ITO(indium tin oxide)용 에천트인 옥살산(Oxalic acid)이나, 금속 배선 물질로 주로 이용되는 크롬(Cr)용 에천트인 CAN(Ceric Ammonium Nitride) 등을 들 수 있다.Due to these problems, there is an etchant that is difficult to use despite the fact that it is possible to reduce the material cost and process chemically stable. Such etchants include oxalic acid, which is an etchant for indium tin oxide (ITO), used as a transparent electrode material for liquid crystal displays, and CAN (Ceric Ammonium Nitride, an etchant for chromium (Cr), which is mainly used as a metal wiring material. ), And the like.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 석출물을 자체 제거할 수 있도록 에칭부 내에 크리닝 장치를 구비하여, 안정된 작업환경 하에서 에천트의 재료선택폭을 넓힘에 따라 생산력을 향상시킬 수 있는 습식식각 공정장비를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention is equipped with a cleaning device in the etching portion to remove the precipitate itself, a wet etching process equipment that can improve the productivity as the material selection range of the etchant under a stable working environment The purpose is to provide.

이를 위하여, 본 발명에서는 에칭부의 반송 및 이송 셔터부 부근에 별도의 크리닝 장치를 구비하도록 한다.To this end, the present invention is to provide a separate cleaning device in the vicinity of the conveying and conveying shutter portion of the etching portion.

도 1은 일반적인 사진식각 기술을 이용한 패터닝 공정에 대한 공정흐름도.1 is a process flow diagram for a patterning process using a general photolithography technique.

도 2는 일반적인 습식식각 공정장비에 대한 개략도.Figure 2 is a schematic diagram of a general wet etching process equipment.

도 3은 종래의 습식식각 공정장비 에칭부에서, 석출물이 발생되는 에천트에 의해 기판 상에 결함이 가해지는 경우를 나타낸 도면.3 is a view showing a case in which a defect is applied to a substrate by an etchant in which precipitates are generated in a conventional wet etching process etching apparatus.

도 4는 본 발명에 따른 습식식각 공정장비의 일부 영역에 대한 도면.4 is a view of a portion of the wet etching process equipment according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

112 : 상부 케이스 114 : 하부 케이스112: upper case 114: lower case

116 : 노즐 120 : 기판116: nozzle 120: substrate

122 : 반송롤러 124 : 제 1 셔터부122: conveying roller 124: first shutter portion

126 : 제 2 셔터부 128 : 크리닝 장치126: second shutter portion 128: cleaning device

130 : 크리닝액 132 : 에천트 용액130: cleaning liquid 132: etchant solution

II : 석출물 발생지점II: Precipitation Point

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 얻고자 하는 패턴물질로 이루어진 물질층과, 물질층 상부에 위치하며, 사진식각 공정에 의해 일정패턴을 가지는 PR(photo resist)패턴이 형성된 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 습식식각 공정장비에 있어서, 서로 일정간격 이격되게 배치된 상부 및 하부 케이스와; 상기 상부 케이스 내부면에 위치하며, 에천트 용액을 분사시키는 다수 개의 노즐과; 상기 상부 및 하부 케이스 사이 구간에 위치하며, 상기 기판을 반송 및 이송시키는 제 1, 2 셔터부와; 상기 상부 케이스 내부면에 위치하며, 상기 셔터부와 인접한 상부 케이스 내벽에 고압의 크리닝액을 분사시키는 크리닝 장치를 포함하는 습식식각 공정장비를 제공한다.In order to achieve the above object, in the present invention, a pattern is formed on a substrate on which a material layer made of a pattern material to be obtained and a PR (photo resist) pattern having a predetermined pattern are formed on the material layer and formed by a photolithography process. A wet etching process for forming, comprising: an upper and a lower case spaced apart from each other by a predetermined distance; A plurality of nozzles disposed on an inner surface of the upper case and spraying an etchant solution; First and second shutter parts positioned in a section between the upper and lower cases and conveying and transferring the substrate; Located at the inner surface of the upper case, provides a wet etching process equipment including a cleaning device for spraying a high-pressure cleaning liquid to the inner wall of the upper case adjacent to the shutter unit.

상기 크리닝액은, 상기 기판에 분사되는 에천트 용액 또는 DI 워터에서 선택되는 것을 특징으로 한다.The cleaning liquid is selected from an etchant solution or DI water sprayed onto the substrate.

상기 습식식각 공정장비에는, 상기 기판을 로딩시키는 로딩부(loading part)와, 식각된 기판 상에 에천트를 제거하기 위한 린스부(rinse part)와, 에천트가 제거된 기판을 건조시키는 건조부(dry part)와, 상기 건조된 기판을 후속 공정으로 이송시키는 언로딩부(unloading part)를 추가로 포함하고, 상기 기판을 이동시키는 반송롤러를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.The wet etching apparatus includes a loading part for loading the substrate, a rinse part for removing an etchant on the etched substrate, and a drying part for drying the substrate from which the etchant is removed. (dry part) and an unloading part for transferring the dried substrate to a subsequent process, and further comprising a conveying roller for moving the substrate.

상기 크리닝 장치는, 상기 제 1, 2 셔터부와 인접한 위치에 각각 위치하는 것을 특징으로 한다.The cleaning device is located at positions adjacent to the first and second shutter units, respectively.

본 발명에서는, 습식식각 공정에 의해 기판 상에 패턴을 형성함에 있어서, 재료비 절감이 가능하고 공정적으로 안정되지만 기판 상에 손상을 주는 석출물이 발생되는 에천트를 보다 안정적인 공정 분위기에서 효율적으로 이용하기 위하여, 습식식각 공정장비 에칭부 자체내에 석출물 제거용 크리닝 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, in forming a pattern on a substrate by a wet etching process, it is possible to reduce the cost of materials and to stabilize the process, but to use the etchant in which the precipitates causing damage on the substrate are efficiently used in a more stable process atmosphere. To this end, the wet etching process is characterized in that the cleaning device for removing precipitates in the etching unit itself.

상기 크리닝 장치에 이용되는 크리닝 용액은 공정에 이용되는 에천트 또는 DI워터로 이용할 수 있으며, 고압의 액체를 분사시킬 수 있는 노즐형 또는 나이프형(knife type) 분사장치 등으로 응용가능하다.The cleaning solution used in the cleaning apparatus may be used as an etchant or DI water used in the process, and is applicable to a nozzle type or a knife type injector capable of injecting a high pressure liquid.

특히, 본 발명에 따른 크리닝 장치를 포함하는 습식식각 공정장비에 의하면, 별도의 크리닝 단계를 생략하고 식각 공정을 연속적으로 진행할 수 있기 때문에, 생산력을 높일 수 있고, 별도의 크리닝 단계 중 작업자에게 발생될 수 있는 위험 요소를 없앨 수 있다.In particular, according to the wet etching process apparatus including the cleaning apparatus according to the present invention, since an additional cleaning step can be omitted and the etching process can be continuously performed, productivity can be increased and a worker can be generated during a separate cleaning step. Eliminate possible risks.

본 발명에 따른 습식식각 공정장비는 로딩부, 버퍼부, 에칭부, 린스부(린스 1부, 린스 2부), 건조부, 언로딩부가 차례대로 연결되어 있어, 로딩된 기판은 에칭부를 거쳐 식각처리되고, 식각 공정완료 후 기판 상의 에천트 용액은 린스부 및 건조부를 거쳐 제거 및 건조된 다음, 언로딩부를 통해 후속 공정으로 이송된다.In the wet etching process apparatus according to the present invention, a loading part, a buffer part, an etching part, a rinse part (rinse 1 part, a rinse part 2), a drying part, and an unloading part are sequentially connected, and the loaded substrate is etched through the etching part. After the etching process is completed, the etchant solution on the substrate is removed and dried through the rinse part and the dry part, and then transferred to the subsequent process through the unloading part.

본 발명은, 이러한 습식식각 공정장비 에칭부에 별도의 석출물 제거장치인 크리닝 장치를 구비한 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the wet etching process equipment etching unit provided with a cleaning device that is a separate precipitate removal device.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명에 따른 습식식각 공정장비의 일부 영역에 대한 도면으로서, 에칭부를 중심으로 하여 도시하였다.FIG. 4 is a view of a partial region of the wet etching process apparatus according to the present invention, and is illustrated based on the etching unit.

도시한 바와 같이, 서로 일정간격 이격되게 배치된 상부 및 하부 케이스(112, 114)와, 상부 케이스(112) 내부면에 위치하며, 서로 일정간격 이격되게 위치하는 다수 개의 노즐(116)과, 기판(120)을 이동시키는 반송롤러(122)와, 기판(120)을 에칭부 내로 반송 또는 이송시키는 제 1, 2 셔터부(124, 126)를 포함하는 에칭부에 있어서, 상기 제 1, 2 셔터부(124, 126)와 인접한 상부 케이스(112) 내부면에는 석출물 제거를 목적으로 하는 크리닝 장치(128)가 각각 구비된 것을 특징으로 한다.As shown, the upper and lower cases 112 and 114 disposed to be spaced apart from each other, the plurality of nozzles 116 positioned on the inner surface of the upper case 112 and spaced apart from each other, and the substrate. In the etching part including the conveyance roller 122 which moves 120, and the 1st, 2nd shutter parts 124 and 126 which convey or convey the board | substrate 120 to an etching part, The said 1st, 2nd shutter An inner surface of the upper case 112 adjacent to the parts 124 and 126 is provided with a cleaning device 128 for removing precipitates, respectively.

상기 크리닝 장치(128)는 석출물 발생 지점(II)에 고압의 크리닝액(130)를 분사할 수 있는 노즐과 같은 분사장치로 구성될 수 있다.The cleaning device 128 may be configured as an injection device such as a nozzle capable of injecting the cleaning liquid 130 of high pressure at the precipitate generation point II.

전술한 노즐(116)을 통해 기판(120) 상에 분사된 에천트 용액(132)은 식각 공정 후, 미도시한 에천트 탱크로 리턴(return)되므로, 식각 공정용 에천트 용액(132) 자체를 크리닝액(130)으로 이용할 수 있으며, 또한 석출물은 대부분 고온에서 잘 용해되므로, 고온상태의 DI를 사용하면 더욱 효과적이다.The etchant solution 132 injected onto the substrate 120 through the nozzle 116 is returned to the etchant tank after the etching process, and thus, the etchant solution 132 for the etching process is itself. It can be used as the cleaning liquid 130, and also because most of the precipitate is well dissolved at a high temperature, it is more effective to use a high temperature DI.

상기 크리닝 장치(128)에서 분사되는 크리닝액(130)의 분사시기는 사용자가 설정한 시간에 자동적으로 실시되도록 설계가능하다.The timing of spraying the cleaning liquid 130 injected from the cleaning device 128 may be designed to be automatically performed at a time set by a user.

상기 식각 공정에 이용되는 기판(120)은, 도면으로 상세히 도시하지는 않았지만, 얻고자 하는 패턴물질로 이루어진 물질층과, 물질층 상부에 사진식각 공정에의해 형성된 PR패턴을 포함하는 기판에 해당된다.Although not shown in detail in the drawing, the substrate 120 used in the etching process corresponds to a substrate including a material layer made of a pattern material to be obtained and a PR pattern formed on the material layer by a photolithography process.

그러나, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

예를 들어, 본 발명에 따른 습식식각 공정장비는 크리닝 장치를 가지는 에칭부를 포함하는 범위에서 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 상기 크리닝 장치는 석출물을 제거할 수 있는 범위에서 형성위치 및 갯수를 제한하지 않는다.For example, the wet etching process apparatus according to the present invention may be variously changed in a range including an etching unit having a cleaning device. In addition, the cleaning device does not limit the formation position and the number in the range that can remove the precipitate.

이와 같이, 본 발명에 따른 석출물 제거장치를 포함하는 습식식각 공정장비용 에칭부에 의하면 다음과 같은 효과를 가진다.As such, according to the etching part of the wet etching process apparatus including the precipitate removing apparatus according to the present invention has the following effects.

첫째, 에칭부 자체에 석출물 제거장치를 구성함에 따라, 별도의 크리닝 시간설정에 따른 생산력 저하를 방지할 수 있다.First, by configuring the precipitate removal apparatus in the etching portion itself, it is possible to prevent the reduction in productivity due to the separate cleaning time setting.

둘째, 석출물이 발생하는 에천트에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있어, 에천트의 물질선택폭을 넓힐 수 있다.Second, it is possible to prevent the substrate from being damaged by the etchant in which the precipitate is generated, thereby increasing the material selection of the etchant.

셋째, 안정적인 공정분위기에서 식각 공정을 수행할 수 있다.Third, the etching process may be performed in a stable process atmosphere.

Claims (5)

얻고자 하는 패턴물질로 이루어진 물질층과, 물질층 상부에 위치하며, 사진식각 공정에 의해 일정패턴을 가지는 PR(photo resist)패턴이 형성된 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 습식식각 공정장비에 있어서,In the wet etching process equipment for forming a pattern on a substrate formed with a material layer consisting of a pattern material to be obtained and a PR (photo resist) pattern having a predetermined pattern by a photolithography process, 서로 일정간격 이격되게 배치된 상부 및 하부 케이스와;Upper and lower cases spaced apart from each other by a predetermined distance; 상기 상부 케이스 내부면에 위치하며, 에천트 용액을 분사시키는 다수 개의 노즐과;A plurality of nozzles disposed on an inner surface of the upper case and spraying an etchant solution; 상기 상부 및 하부 케이스 사이 구간에 위치하며, 상기 기판을 반송 및 이송시키는 제 1, 2 셔터부와;First and second shutter parts positioned in a section between the upper and lower cases and conveying and transferring the substrate; 상기 상부 케이스 내부면에 위치하며, 상기 셔터부와 인접한 상부 케이스 내벽에 고압의 크리닝액을 분사시키는 크리닝 장치A cleaning device which is disposed on an inner surface of the upper case and sprays a high-pressure cleaning liquid on an inner wall of the upper case adjacent to the shutter unit; 를 포함하는 습식식각 공정장비.Wet etching process equipment comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 크리닝장치에 있어서, 분사되는 크리닝액은 상기 기판에 분사되는 에천트 용액 또는 DI워터 중 하나인 것을 특징으로 하는 습식식각 공정장비.The cleaning apparatus of claim 1, wherein the cleaning liquid to be sprayed is one of an etchant solution or DI water sprayed to the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 습식식각 공정장비에는, 상기 기판을 로딩시키는 로딩부(loading part)와, 식각된 기판 상에 에천트를 제거하기 위한 린스부(rinse part)와, 에천트가 제거된 기판을 건조시키는 건조부(dry part)와, 상기 건조된 기판을 후속 공정으로 이송시키는 언로딩부(unloading part)를 추가로 포함하는 습식식각 공정장비.The wet etching apparatus includes a loading part for loading the substrate, a rinse part for removing an etchant on the etched substrate, and a drying part for drying the substrate from which the etchant is removed. and a dry part, and an unloading part for transferring the dried substrate to a subsequent process. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 습식식각 공정장비에는, 상기 기판을 이동시키는 반송롤러를 더욱 포함하는 습식식각 공정장비.The wet etching process equipment, the wet etching process equipment further comprises a conveying roller for moving the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 크리닝 장치는, 상기 제 1, 2 셔터부와 인접한 위치에 각각 위치하는 습식식각 공정장비.The cleaning apparatus is a wet etching process equipment, respectively located in a position adjacent to the first and second shutter.
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