KR100420796B1 - 반도체양자점 광증폭모듈 및 이를 이용한 광전송 시스템 - Google Patents
반도체양자점 광증폭모듈 및 이를 이용한 광전송 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 반도체기판(substrate);상기 반도체 기판 상부에 형성되어 상기 광신호의 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제1도전형 클래드층;상기 제1도전형 클래드층의 상부에 접하여 형성되며, 입사된 상기 광신호를 증폭시키는 양자점들이 층을 이루어 내포되어 있는 양자점 활성층; 및상기 양자점 활성층의 상부에 접하여 형성되고 상기 제1도전형 클래드층과 대응을 이루도록 동작하여 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제2도전형 클래드층;을 포함하여 입사되는 광신호를 반도체 양자점의 활성 작동을 통해 증폭하는 것을 특징으로 하는 반도체양자점 광증폭기.
- 신호광의 입사부분에 위치하여 상기 광신호를 적어도 하나 이상의 파장대역으로 분할하는 제1파장분할다중화기; 상기 제1파장분할다중화기로부터 분할된 대역에 각각 결합되고, 입사된 광신호 각각을 적어도 하나 이상의 반도체 광증폭기; 상기 반도체 광증폭기로부터 증폭된 광신호 각각을 결합하여 출력하는 제2파장분할다중화기; 상기 각 구성부들을 결합하여 광신호를 전달하는 광섬유를 포함하는 반도체 광증폭모듈에 있어서, 상기 반도체광폭기는,반도체기판(substrate);상기 반도체 기판 상부에 형성되어 상기 광신호의 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제1도전형 클래드층;상기 제1도전형 클래드층의 상부에 접하여 형성되며, 입사된 상기 광신호를 증폭시키는 양자점들이 층을 이루어 내포되어 있는 양자점 활성층; 및상기 양자점 활성층의 상부에 접하여 형성되고 상기 제1도전형 클래드층과 대응을 이루도록 동작하여 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제2도전형 클래드층;을 포함하여 입사되는 광신호를 반도체 양자점의 활성 작동을 통해 증폭하는 것을 특징으로 하는 반도체 광증폭모듈.
- 제 2항에 있어서, 상기 제1 및/또는 제2파장분할다중화기는2단 이상의 분리된 또 다른 파장분할다중화기와 연결되는 것을 특징으로 하는, 반도체 광증폭모듈.
- 제 2항에 있어서, 상기 반도체양자점 광증폭기는,또 다른 하나 이상의 반도체양자점 광증폭기와 결합되는 것을 특징으로 하는, 반도체 광증폭모듈.
- 제 1항 내지 제4항의 어느 한 항에 있어서 반도체 양자점 광증폭기 어느 한쪽에는 아이솔레이터를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 광증폭모듈.
- 적어도 하나 이상의 서로 다른 파장의 채널이 하나의 광신호로 결합되어 출력되는 입력부; 상기 입력부로부의 광신호를 입력받아 상기 서로 다른 파장의 채널을 증폭하도록 적어도 하나 이상의 반도체 광증폭모듈이 일정거리로 배열된 증폭부; 상기 증폭부로부터 전송된 광신호를 적어도 하나 이상의 서로 다른 파장의 채널로 분할하는 출력부; 및 상기 광전송시스템에 포함되는 각 구성부들간을 서로 연결시키는 전송부를 포함하는 반도체 광증폭모듈을 이용한 광전송시스템에 있어서, 상기 반도체 광증폭모듈을 구성하는 반도체 광증폭기는,반도체기판(substrate);상기 반도체 기판 상부에 형성되어 상기 광신호의 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제1도전형 클래드층;상기 제1도전형 클래드층의 상부에 접하여 형성되며, 입사된 상기 광신호를 증폭시키는 양자점들이 층을 이루어 내포되어 있는 양자점 활성층; 및상기 양자점 활성층의 상부에 접하여 형성되고 상기 제1도전형 클래드층과 대응을 이루도록 동작하여 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제2도전형 클래드층;을 포함하여 입사되는 광신호를 반도체 양자점의 활성 작동을 통해 증폭하는 것을 특징으로 하는 반도체 광증폭모듈을 이용한 광전송시스템.
- 제 6항에 있어서, 상기 입력부 및/또는 출력부는파장분할다중화기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 광증폭모듈을 이용한 광전송시스템.
- 적어도 하나 이상의 반도체 광증폭모듈을 포함하여 전송되는 광신호를 구간별로 증폭시키는 증폭부; 및 상기 광신호를 외부와 통신이 가능하도록 주고 받기 위한 입출력부를 포함하는 반도체 광증폭모듈을 이용한 광전송시스템에 있어서, 상기 반도체 광증폭모듈을 구성하는 반도체 광증폭기는,반도체기판(substrate);상기 반도체 기판 상부에 형성되어 상기 광신호의 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제1도전형 클래드층;상기 제1도전형 클래드층의 상부에 접하여 형성되며, 입사된 상기 광신호를 증폭시키는 양자점들이 층을 이루어 내포되어 있는 양자점 활성층; 및상기 양자점 활성층의 상부에 접하여 형성되고 상기 제1도전형 클래드층과 대응을 이루도록 동작하여 증폭에 필요한 전도성 입자들이 통과하는 제2도전형 클래드층;을 포함하여 입사되는 광신호를 반도체 양자점의 활성 작동을 통해 증폭하는 것을 특징으로 하는 반도체 광증폭모듈을 이용한 광전송시스템.
- 제 8항에 있어서, 상기 입출력부는외부와의 신호 연계를 위한 멀티플렉서를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 광증폭모듈을 이용한 광전송시스템.
- 제 6항 내지 제9항의 어느 한 항에 있어서반도체 양자점 광증폭기 어느 한쪽에는 아이솔레이터를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 광증폭모듈을 이용한 광전송시스템
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- 2001-03-30 KR KR20010016821A patent/KR100420796B1/ko active IP Right Grant
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