KR100420793B1 - 파워마이크로웨이브하이브리드집적회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로에 있어서, 상기 금속 기판(1)의 상기 리세스(2)의 깊이는 상기 칩(3)의 표면이 상기 금속 기판(1)의 표면과 동일평면상에 위치하도록 선택되고, 상기 금속 기판(1)에 인접한 상기 유전체판(5)의 배면상에 시일드 접지 금속화층(10)이 형성되되, 상기 금속 기판(1)은 상기 유전체판(5)의 상기 시일드 접지 금속화층(10)에 밀폐가능하게 결합되고 전기적으로 연결되며, 상기 상호연결 구멍(7)은 전기 전도물질(9)로 밀폐가능하게 채워지고, 상기 칩(3)의 측면과 상기 금속 기판(1)의 상기 리세스(2)의 측면사이의 간격은 0.001-0.2mm이다.

Description

파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로
이미 기술적으로 공지된 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적 회로는, 순수 반도체칩을 위한 관통 구멍을 구비하는 금속 기판과, 상기 금속 기판에 결합되고 상기 금속 기판의 관통 구멍과 일치하는 관통구멍을 구비하는 제 1 절연 폴리머막을 포함한다. 상기 제 1 절연 폴리머막의 구멍과 일치하는 보다 작은 크기의 관통구멍을 구비하는 제 2 절연 폴리머막이 상기 제 1 절연 폴리머막위에 배치 및 고착된다. 상기 순수 반도체칩은, 그 부착된 접합 패드가 상기 제 1 및 제 2 절연 폴리머막을 향한채(즉, 상향으로) 상기 제 2 절연 폴리머막의 배면상에 장착된다. 제 2 교환 레벨층이 상기 제 2 절연 폴리머막의 표면상에 배치되어 상기 제 2 절연 폴리머막의 구멍을 통해 상기 칩의 접합 패드에 전기적으로 연결된다(JP,B,57-036746).
그러나, 전술한 형태의 집적회로는 작은 칩-금속 기판간의 열접촉 영역으로 인하여 낮은 열 확산속도를 갖는다.
공지된 또다른 형태의 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로는 복수의 리세스를 구비하는 금속 기판, 상기 리세스에 배치되어 고착제에 의해 고착되는 순수 반도체칩 및, 상기 칩 접합 패드를 상기 금속피복층에 전기적으로 연결해주고 전기 전도물질로 채워지는 관통 구멍을 갖고 표면상에 금속피복층이 형성되는 유전체 다층판을 포함한다. 상기 칩은 상기 금속 기판속에 약간 매몰되고, 상기 집적회로의 평탄화는 상기 유전체 다층판의 폴리머 유전체층을 인가함으로써 달성된다(1985년 러시아, 모스크바소재 "Radio I Sviaz" 출판사에서 I.N.Vozhenin에 의해 편집된 "Electronic devices on chip integrated circuits(칩 집적회로상에 장착되는 전자소자)", p261참조).
그러나, 전술한 형태의 집적회로는 불충분한 열 전기 전도도(heat conductance)와 낮은 전기적 특성을 지닌다.
본 발명은 전자 공학, 특히 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로(power microwave hybrid integrated circuit)에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로를 나타낸 종단면도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래기술에 따른 문제점을 극복하고, 전기 및 열 확산 특성을 향상시킬수 있는 구조의 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본원 발명의 일면에 따라, 리세스를 구비하는 금속 기판, 상기 리세스에 배치되어 고착제에 의해 고착되는 순수 반도체칩 및, 상기 칩의 접합 패드를 상기 금속피복층에 전기적으로 연결해주고 전기 전도물질로 채워지는 복수개의 구멍을 구비하고 표면상에 금속피복층이 형성되는 유전체판을 포함하는 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로가 제공되고, 상기 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로는 상기 금속 기판의 상기 리세스의 깊이가, 상기 칩의 표면이 상기 금속 기판의 표면과 동일평면상에 위치하도록 선택되고, 상기 금속기판에 인접한 상기 유전체판의 배면상에 시일드 접지 금속화층이 형성되되, 상기 금속 기판은 상기 유전체판의 상기 시일드 접지 금속화층에 밀폐가능하게 결합되고 전기적으로 연결되며, 상기 상호연결 구멍이 전기 전도물질로 밀폐가능하게 채워지고, 상기 칩의 측면과 상기 금속 기판의 상기 리세스의 측면사이의 간격이 0.001-0.2mm인 것을 특징으로 한다.
접지될 상기 칩의 상기 접합 패드는 그 표면상에 설치된 0.002-0.1mm 높이의 빔 리드(beam lead)를 통해 상기 유전체판의 상기 시일드 접지 금속화층에 직접 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 빔 리드는 상기 유전체판의 배면상에 배치될 수도 있다.
상기 칩 표면과 상기 금속 기판 표면을 동일 평면상에 위치시키고, 상기 시일드 접지 금속화층 및 상기 시일드 접지 금속화층에 밀폐가능하게 전기적으로 연결된 금속기판을 제공하며, 아울러 상기 유전체판의 상기 상호연결 구멍을 전기 전도물질로 채워넣음으로써 상기 반도체칩의 용접밀봉(hermetic sealing)상태가 보장된다.
상기 칩의 측면과 상기 유전체판의 리세스의 측면사이의 간격에 대한 하한범위는 결합 표면의 불규칙성에 의해 정해지는 반면, 그 상한범위는 상기 칩으로 부터의 열 확산 조건에 의해 정해진다.
접지될 상기 칩의 접합 패드를 상기 시일드 접지 금속화층에 직접 연결함으로써, 가능한한 가장 짧은 접지 와이어 리드가 보장되고, 스퓨리어스 인덕턴스가 낮아진다.
상기 빔 리드의 길이에 대한 하한범위는 상기 유전체판을 상기 칩의 접합 패드에 전기적으로 연결하는데 필요한 최소높이에 의해 정해지는 반면, 그 상한 범위는 상기 리드의 길이의 증가로 인해 상당히 불편하고 복잡한 작업이 초래된다는 사실에 기초하여 정해진다.
첨부도면을 참조하여, 실시예를 통해 본 발명이 이하에 상세히 설명된다.
첨부 도면에서, 동일한 참조 번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1에 도시된 바와같이, 본 발명에 따른 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로는, 예컨대, 0.60×0.55×0.35mm 크기의 리세스(2)를 구비한 금속 기판(1)을 포함한다. 0.5×0.45×0.3mm 크기의 트랜지스터와 같은 순수 반도체칩(3)이 상기 리세스(2)속에 배치되12고, 예컨대, Au-Si 경질 땜납과 같은 고착제(4)에 의해 상기 리세스(2)에 고착된다. 예컨대, 0.5mm 또는 0.25mm두께의 Polycor, 사파이어로 제조되는 유전체판(5)은 Ti-Pd의 합금(0.2㎛)-Au(3㎛)의 적층구조된 금속피복층(6)(도 1 및 도 2 참조)을 표면상에 구비한다. 상기 유전체판(5)에 형성되는 100㎛ 직경의 구멍(7)은 상기 칩(3)의 접합 패드(8)를 상기 유전체판(5)의 금속피복층(6)에 상호연결해 주는 역할을 한다. 상기 유전체판(5)의 구멍(7)은 전기도금 기술에 의해 적용된 Pd-Ni의 합금(0.2㎛)-Cu(48㎛)의 적층구조로 밀폐가능하게 성장된 전기 전도물질로 채워지거나, W-Cu 유사합금(pseudoalloy)으로 채워진 이후에, 표면은 니켈(0.5㎛)과 금(3㎛)으로 도금된다.
접지될 상기 칩(3)의 접합 패드(8)는 트랜지스터 소스로서, 상기 유전체판(5)의 배면상에 형성되는 시일드 접지 금속화층(10)에 직접 전기적으로 연결된다. 상기 칩(3)의 상기 접합 패드(8)를 상기 구멍(7)에 채워진 전기 전도물질(9)에 또는 상기 시일드 접지 금속화층(10)에 전기적으로 접촉시키기 위해, 30㎛ 높이의 빔 리드(11)가 전기화학적 증착(electrochemical deposition)방법에 의해 상기 접합 패드(8)의 표면상에 배치된다. 상기 빔 리드(11)는 상기 유전체판(5)의 배면상에 배치될 수도 있다.
상기 금속 기판(1)의 리세스(2)의 제안된 깊이를 정함으로써, 다음과 같은 장점을 얻을 수 있다.
첫째, 상기 금속 기판 1과 상기 열 전도 고착제(4)에 의해 상기 칩(3)의 접촉면적이 증가함으로써, 상기 접적회로의 열 확산 특성이 향상된다.
둘째, 접지될 상기 접합 패드(8)의 상기 시일드 접지 금속화층(10)에 대한 전기적 연결이 짧아짐에 따라, 상기 빔 리드(11)의 스퓨리어스 인덕턴스가 감소하고 상기 집적회로의 전기적 특성이 향상된다.
상기 유전체판(5)의 상기 시일드 접지 금속화층(10)을 상기 금속 기판(1)에 대해 밀봉하고 전기적으로 연결함으로써, 상기 칩(3)의 밀봉상태가 보장되고, 상기 시일드 접지 금속화층(10)의 접지가 보장되며, 그것을 통해 상기 칩(3)의 접합 패드(8)는 물론, 다른 회로 소자가 가장 짧은 경로에 의해 접지되어 그 결과, 스퓨리어스 인덕턴스가 감소하고, 상기 집직회로의 전기적 특성이 향상된다. 전기 전도물질(9)로 밀폐가능하게 채워진 상기 구멍(7)을 통한, 상기 유전체판(5)의 상기 금속피복층(6)과 상기 칩(3)의 접합 패드(8)간의 전기적 연결에 의해 상기 칩(3)이 보호되고, 동시에 연결 길이가 짧아짐으로써 스퓨리어스 인덕턴스가 감소한다.
상기 빔 리드(11)의 높이를 0.002mm 이하로 정하면 상기 금속화 칩(3)이 유전체적으로 표면안정화가 되지 않을 경우 상기 금속화 유전체판(5)을 통해, 상기 금속화 칩(3)이 단락되는 것을 방지할 수 있다. 반면, 상기 빔 리드(11)의 높이를 0.1mm 이상으로 정하면 집적회로의 크기가 보다 커지고 재료가 과도하게 소비되는등, 비합리적이다.
예컨대, 트랜지스터 증폭기 또는 트랜지스터와 같은 패키지 반도체칩 장치로서 사용되는 본 발명에 따른 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로는 다음과 같이 작용한다.
신호가 상기 집적회로의 입력에 인가된 다음, 적절한 변환을 거쳐 상기 변환된(예컨대, 증폭된) 신호는 상기 집적회로의 출력에 보내진다. 트랜지스터와 같은 활성 반도체 장치의 동작중에 방출된 열은 상기 금속 기판(1), 상기 유전체판(5) 및 상기 빔 리드(11)를 통해 확산된다.
따라서, 본 발명의 집적회로에 의하면 다음과 효과을 얻을수 있다.
첫째, 상기 금속 기판에 의해 상기 칩의 접촉면적이 증가함으로써, 상기 접적회로의 열 확산 특성이 향상된다.
둘째, 접지 도체의 연결 길이가 줄어들어 상기 회로의 스퓨리어스 인덕턴스가 감소함으로써, 상기 집적회로의 전기적 특성이 향상된다.
또한, 상기 집적회로는 용접밀봉됨으로써, 예컨대, 패키지 하이브리드 집적회로 또는 패키지 트랜지스터로서, 추가의 캡슐화작업 없이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 전술한 실시예들을 기술함에 있어서, 협의의 특정용어는 명료성 차원에서 사용된다. 그러나, 본 발명은 선택된 특정용어에 한정되는 것은 아니며, 그러한 각 용어들은 유사한 방식으로 작동하고 동일한 기술적 문제점의 해결을 위해 사용되는 모든 등가의 요소들을 포함한다는 것을 명심해야 한다.
지금까지, 특정의 바람직한 실시예및 그 대체 실시예와 관련하여 본 발명이 상세히 개시되고 설명되었지만, 상기 본 발명에 대한 개시는 단지 본 발명의 적용예에 불과한 것이고, 본 발명을 수행하기 위한 최상 모드로서 본 명세서에 개시된 특정 실시예에 국한되는 것은 아니다.
또한, 하기 특허청구의 범위에 의해 마련되는 본 발명의 사상이나 분야를 일탈하지 않는 범위내에서 본 발명이 다양하게 개조및 변경될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 반도체 미소 전자공학(semiconductor microelectronics)분야에 사용될 수 있다.

Claims (3)

  1. 리세스(2)를 구비하는 금속 기판(1), 상기 리세스(2)에 배치되어 고착제(4)에 의해 고착되는 순수 반도체칩(3) 및, 상기 반도체칩(3)의 접합 패드(8)를 상기 금속피복층(6)에 전기적으로 연결해주고 전기 전도물질(9)로 채워지는 복수개의 구멍(7)을 구비하고 표면상에 금속피복층(6)이 형성되는 유전체판(5)을 포함하는 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로에 있어서,
    상기 금속 기판(1)의 상기 리세스(2)의 깊이는 상기 반도체칩(3)의 표면이 상기 금속 기판(1)의 표면과 동일평면상에 위치하도록 선택되고, 상기 금속 기판(1)에 인접한 상기 유전체판(5)의 배면상에 시일드 접지 금속화층(10)이 형성되되, 상기 금속 기판(1)은 상기 유전체판(5)의 상기 시일드 접지 금속화층(10)에 밀폐가능하게 결합되고 전기적으로 연결되며, 상기 상호연결 구멍(7)은 전기 전도물질(9)로 밀폐가능하게 채워지고, 상기 칩(3)의 측면과 상기 금속 기판(1)의 상기 리세스(2)의 측면사이의 간격은 0.001-0.2mm인 것을 특징으로 하는 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 접지될 상기 칩(3)의 상기 접합 패드(8)는 그 표면상에 설치된 0.002-0.1mm 높이의 빔 리드(11)를 통해 상기 유전체판(5)의 상기 시일드 접지 금속화층(10)에 직접 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로.
  3. 제 1 항또는 제 2 항에 있어서, 상기 빔 리드(11)는 상기 유전체판(5)의 배면상에 배치되는 것을 특징으로 하는 파워 마이크로웨이브 하이브리드 집적회로.
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