KR100407596B1 - 열자기 기록 매체, 열자기 기록 재생 방법 및 열자기 기록재생 장치 - Google Patents

열자기 기록 매체, 열자기 기록 재생 방법 및 열자기 기록재생 장치 Download PDF

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Abstract

상기 열 변화층의 열전도율 변화가 금속 절연체 전이에 따라 유기되고, 그 열전도율이 전이 온도를 사이에 두고 저온측에서 크고, 고온측에서 작아지는 것을 특징으로 하는 열자기 기록 매체. 기록 온도 혹은 재생 온도를 광 스폿 직경 위치에서의 기록 매체의 온도보다도 높임과 함께, 상기 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도이상으로 하는 열자기 기록 재생 방법. 또한, 상기 열자기 기록 매체와 광 픽업 및 자기 헤드를 구비하고, 상기 열자기 기록 재생 방법에 따라 기록 재생을 행하는 열자기 기록 재생 장치.

Description

열자기 기록 매체, 열자기 기록 재생 방법 및 열자기 기록 재생 장치{THERMOMAGNETIC RECORDING MEDIUM, THERMOMAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING METHOD, AND THERMOMAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE}
본 발명은 열 및 자기를 이용하면서 정보를 기록하고 열을 이용하면서 광 혹은 자기 신호를 재생하는 열자기 기록 매체, 열자기 기록 재생 방법 및 열자기 기록 장치에 관한 것이다.
최근, DVD (Digital-Versatile-Disk)나 광자기 디스크로 대표되듯이 광 메모리의 고밀도화는 현저하게, 이미 수 Gbit/in2이상의 기록 밀도가 실현되고 있지만, 동화상 등을 담는 것을 목적으로 하는 소위 홈서버용 스토리지 디바이스로서는, 또 다른 고밀도화에 따른 대용량화가 요구되고 있다.
이들 광 메모리는, 기본적으로는 레이저광 등을 조사함으로써 형성되는 광 스폿 직경(보다 정확하게는 광 스폿이 형성하는 온도 분포)에 의해 기록 밀도가 규정되기 때문에, 보다 작은 광 스폿 직경(광 강도가 1/e2가 되는 범위라고 규정함)의 형성을 목표로 하는 청자색 레이저의 개발에 따른 광원의 단파장화나 SIL(Solid-Immersion-Lens)에 의한 NA(개구수)의 확대가 진행되고 있다.
또한, 이러한 광 스폿 직경의 축소 기술 외에도, 광자기 메모리에서는 광 스폿이 형성하는 온도 분포와 자기 매체의 온도 특성을 교묘하게 이용한 자기적 초해상 기술에 의해 고밀도화가 진행되고 있다.
또한, 광자기 메모리 외에도, 광 기술과 자기 기술을 융합한 새로운 고밀도 자기 메모리가 제안되고 있다. 예를 들면, 특허 공보2617025호 공보에는, 「실온에 보상점을 갖는 페리 자성체를 이용하여, 기록 재생시에 광 빔을 조사하여 승온하는」 것으로, 광 스폿 직경과 동등한 좁은 트랙의 기록 재생을 폭이 넓은 자기 헤드를 이용하여 크로스토크없이 행할 수 있는 것이 기재되어 있다(이하, 광어시스트 자기 메모리라고 함).
상기된 광자기 메모리나 광어시스트 자기 메모리와 같이 기록 재생에 있어서, 열과 자기를 모두 이용하는 기록(이하, 열자기 기록이라고 함)에서는, 매체의 온도 분포를 제어하는 것이 그 고밀도화에서 유력한 수법이 된다고 생각할 수 있다.
이러한 매체의 온도 분포를 제어하는 수법으로는, 각층의 열전도율 자체를 재료에 의해 설계하는 예가 다수 보이지만, 「온도에 따라 열전도율이 변화하는 층」(이하, 열 변화층이라고 칭함)을 이용한다고 하는 제안이 이루어지고 있다.
예를 들면, 특개평2-304750호 공보에서는, 광자기 매체에서의 예로서, 인접한 비트사이의 열 간섭에 따른 C/N(carrier to noise ratio)의 저하를 막기 위해「자기 변태점 온도 부근에서 열전도 특성이 저하하는」 반사막을 설치한다고 기재되어 있고, 이 열 변화층으로서, 반강자성 재료인 Cr막의 자기 상전이(네일 온도=170℃)를 이용하는 것이 개시되어 있다.
마찬가지로, 광자기 매체에서의 예로서, 특개평3-209649호 공보에는, 「온도상승에 따라 열전도율이 저하하는 재료로 이루어지는 기록 보조막」을 이용함으로써 「레이저광을 조사한 영역의 온도 경사의 변화를 제어한다」고 기재되어 있고, 이 열 변화층으로서, TiN막이나 ZrN 막이나 SnO2막을 이용하는 것이 개시되어 있다.
또한, 특개평10-40580호 공보에서는, 상변화 광 매체에서의 예이기는 하지만, 「광 강도의 증가에 따라 열전도율이 변화하는」 열 변화층을 이용함으로써 「동작 파워 마진을 확보하면서 기록 마크 사이즈를 작게 하여」 고밀도화를 도모하는 것이 기재되어 있고, 이 열 변화층으로서, 「저융점 금속」을 이용하는 것이 개시되어 있다.
그러나, 상기된 종래 기술에서는 열 변화층의 「열전도율 변화」를 실현하는 원리 자체에 문제가 존재하는 것을 발견하였다.
즉, Cr 막의 자기 변태점을 사용하는 종래예에서는, 자기 변태점 근방만 비열이 변화하는 것을 원리로 하기 때문에, 열 변화층의 변화 온도를 사이에 두고 그 주변 온도로 열전도율이 높아지기 때문에, 기록시에는 비트 형상이 변형한다는 문제를, 재생시에는 자기적 초해상에서의 개구 형상이 변형한다고 하는 문제를 발생시킨다.
또한, TiN 막이나 ZrN 막이나 SnO2막을 사용하는 예에서는, (1) 열전도 변화율이 순조롭게 발생하고 또한 변화가 작다. 즉, 광 스폿 내의 온도 분포에서 급격한 변화를 얻는 것은 어렵다.
한편, 저융점 금속의 고체-액체간의 상전이를 사용하는 예에서는, 급격한 열전도율 변화는 얻을 수 있지만 재료의 용융 변화를 열전도율 변화의 원리로 하기 때문에 용융에 따르는 막 두께 변화, 다른층으로의 확산등으로부터 반복 횟수에 제한이 있고, (2) 신뢰성이 문제가 된다. 특히, 매체의 고신뢰성을 특징으로 하고 있는 광자기 메모리나 열자기 기록 매체에서는, 이 열 변화층의 반복 횟수의 문제에 따라 현저하게 그 신뢰성이 손상되고, 미디어의 특징 자체를 부정하기 때문에 큰 문제이다.
본 발명은, (1) 급격한 온도 변화를 얻을 수 있고, 또한 (2) 신뢰성이 높은 열 변화층을 이용함으로써, 열자기 기록 매체의 온도 분포를 제어하고, 광 스폿보다도 협소한 트랙에서의 기록 재생을 실현할 수 있고, 광 스폿을 감소시키지 않아도 고밀도의 기록 재생이 가능한 열자기 기록 매체, 열자기 기록 재생 방법 및 열자기 기록 재생 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 상기 목적을 달성하기 위해, 본원에 의한 연자기 기록 매체는, 적어도 기록 재생층과 열변화층을 구비하고, 이 열변화층의 열전도율 변화가 금속 절연체 전이에 의해 유기되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 열전도율 변화가 캐리어(전자나 정공)의 열전도율과 격자의 열전도율의 합으로 나타내어지는 것에 주목하고, 어떤 종류의 고상-고상간 상전이를 열 변화층에 이용한 것으로서, 기록 재생 온도 범위에 있어서 급격한 열전도율 변화를 얻을 수 있고, 또한 신뢰성이 높은 열변화층을 구비한 열자기 기록 매체, 열자기 기록 재생 방법 및 열자기 기록 재생 장치에 의해 고밀도 기록을 달성한다.
도 1은 본 발명의 열 변화층에 따라 얻어지는 기록 매체 상의 온도 분포를 나타내는 개략 단면도.
도 2의 a는 금속 절연체 전이를 나타내는 재료의 저항율의 온도 의존성을 나타낸 도면이고, 도 2의 b는 금속 절연체 전이에 따르는 열전도율의 온도 의존성을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 열자기 기록 재생 방법을 설명하는 개략 단면도.
도 4는 기록 매체 상에 형성된 온도 분포를 나타낸 개략도.
도 5는 기록 매체 상에 형성된 온도 분포와 임계치 온도의 관계를 나타내는 개략도.
도 6은 기록 재생층과 열 변화층의 개략 단면도.
도 7은 열 변화층을 사용한 기록 매체 상에 형성된 온도 분포를 나타낸 개략도.
도 8은 기록 재생층과 열 변화층의 개략 단면도.
도 9의 a, 도 9의 b, 도 9의 c의 순서대로 열 변화층에서의 열전도율 저하영역이 발생하는 모습을 나타내는 개략 단면도.
도 10의 a는 열 변화층이 없는 경우에 형성되는 온도 분포를 등온선으로 나타낸 평면도이고, 도 10의 b는 열 변화층을 사용한 경우에 형성되는 온도 분포를 등온선으로 나타낸 평면도.
도 11의 a, 도 11의 b, 도 11의 c의 순서대로 열 변화층을 사용한 경우에, 광 조사 정지 후의 냉각 과정을 나타내는 개략도.
도 12는 임계치 온도가 다른 열 변화층을 적층한 기록 매체 상에 형성된 온도 분포와 임계치 온도의 관계를 나타내는 개략도.
도 13은 최고 도달 온도가 Tc2 이하일 때에 기록 매체 상에 형성된 온도 분포를 나타낸 개략도.
도 14는 기록 재생층과 제1 열 변화층 및 제2 열 변화층의 개략 단면도.
도 15는 최고 도달 온도가 Tc2 이상일 때에 기록 매체 상에 형성된 온도 분포를 나타낸 개략도.
도 16은 기록 재생층과 제1 열 변화층 및 제2 열 변화층의 개략 단면도.
도 17은 실시예에서 사용한 열자기 기록 매체의 개략 단면도.
도 18은 실시예에서 사용한 광자기 기록 매체의 개략 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
1: 기록 매체
2: 자기 헤드
3: 광픽업
4: 기록 재생층
5: 열변화층
본 발명의 열자기 기록 매체는, 적어도 기록 재생층과 열 변화층을 구비하고, 상기 열 변화층의 열전도율 변화가 금속 절연체 전이에 따라 유기되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 열자기 기록 매체에 있어서, 상기 열 변화층의 열전도율 변화가 임계치를 갖고, 또한 상기 열 변화층의 열전도율이 금속 절연체 전이의 전이 온도를 사이에 두고 저온측에서 크고, 고온측에서 작아지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 열자기 기록 매체에 있어서, 열 변화층이 임계치 온도가 다른 열 변화층의 적층에 의해 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 열자기 기록 매체에 있어서, 기록 재생층에 가까운 측에, 적층된 열 변화층 중에서 임계치 온도가 높은 열 변화층을 배치하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 적어도 기록 재생층과 열 변화층을 구비한 열자기 기록 매체에, 광 픽업으로부터 광 빔을 조사하면서 자기 헤드로부터 자계를 인가함으로써 정보를 기록함과 함께, 광 빔을 조사하면서 재생 헤드에 의해 광 혹은 자계를 판독함으로써 정보의 재생을 행하는 열자기 기록 재생 방법에 있어서, 자기 기록 온도 혹은 자기 재생 온도를 광 스폿 직경 위치에서의 온도보다도 높임과 함께, 상기 열 변화층의 열전도율 변화 온도이상으로 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 열자기 기록 재생 장치에 이용되는 열자기 기록 매체에 있어서, 상기 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도가 광 스폿 직경 위치에서의 온도보다도 높은 것을 특징으로 한다. 그리고, 열자기 기록 재생 장치를 구성하는데 있어서, 적어도 상기 열자기 기록 매체와 상기 열자기 기록 재생 방법과 광 픽업 및 자기 헤드를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 열변화층의 재료로서는, 예를 들면 (V1-xCrx)2O3(x=0.51)이나, La1-xSrxMn1+yO3(x=0.2∼0.4, y=0.01∼0.1)등을 이용할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 기록 매체 및 기록 장치에 대해,
(a) 금속 절연체 전이에 따른 열전도율 변화의 원리
(b) 열 변화층에 따른 온도 분포 제어
(c) 열 변화층 적층 구조
(d) 기록 재생 방법
① 광어시스트 자기 기록
② 광자기 기록
의 순으로 설명한다.
(a) 금속 절연체 전이에 따른 열전도율 변화의 원리
발명자들은, 고상-고상간의 상전이인 금속 절연체 전이에 따르면, 신뢰성(반복 횟수등의 신뢰성)이 높아, 급격한 열전도율 변화를 얻을 수 있는 것을 발견함에 따라, 본원 발명을 행하였다.
도 2의 a는 횡축에 온도를, 종축에 저항율을 취함으로써, 금속 절연체 전이 온도 Tc를 사이에 두고, 저온측에서는 작은 저항율이, 고온측에서는 크게 급격하게 증대하는 것을 나타낸 것이다.
또한, 도 2의 b에, 도 2의 a에 도시된 금속 절연체 전이를 일으키는 재료에서의 열전도율의 온도 의존성을 나타내었다. 도 2의 b는 횡축에 온도를, 종축에 열전도율을 취하는 것이다. 도 2의 b에 도시된 바와 같이 전이 온도 Tc를 경계로 하여 열전도율은 급격하게 저하한다. 즉 열전도율에 임계치 온도가 있고, 이 임계치 온도는 금속 절연체의 전이 온도 Tc와 거의 일치하지만, 이 임계치 온도 Tc를 사이에 두고, 저온측에서는 큰 열전도율이, 고온측에서는 크고(1∼2자릿수) 급격하게 감소한 열전도율을 얻을 수 있게 된다. 이하의 설명에서, Tc를 임계치 온도라고 한다.
도 2에 도시된 바와 같은 임계치를 지니고, 큰 열전도율 변화가 금속 절연체 전이에 따라 어떻게 해서 얻을 수 있는지에 대해, 캐리어 및 격자의 열전도율에 주목하면서 이하, 설명하겠다.
통상, 금속의 열전도율은 저항율사이에 반비례 관계가 성립한다. 이것은 금속의 열전도율이 주로 캐리어의 열전도율에 의한 것이기 때문에, 비데만 프란츠 법칙으로서 알려져 있다.
한편, 절연체에서는, 금속에 있어서 성립하는 저항율과 열전도율과의 관계는 얻을 수 없다. 이것은, 절연체에서는 캐리어에 의한 열전도는 거의 없어 격자에 의한 기여가 열전도율의 대부분을 차지하기 때문이다. 열은 격자의 비선형성에 따라 산란되고, 그 전도를 방해받기 때문에 절연체에서의 열전도율은 격자의 비선형성에 따라 결정되는, 즉 격자의 비선형성이 클수록 열전도율이 작아진다고 생각되어진다.
그러나, 금속 절연체 전이를 나타내는 재료로는, 상술된 바와 같이 금속상에서는 캐리어, 절연상에서는 격자 비선형성이 열전도율의 요인을 생각할 수 있다. 금속 절연체 전이점 근방에서는, 금속상으로 전기 전도를 담당하고 있는 캐리어가 그 강한 상호 작용에 따라 국재 상태로 변화하기 때문에, 저항율이 현저하게 증대한다. 이에 따라 캐리어에 의한 열전도율의 기여는 급격하게 저하하고, 격자에 따른 열전도가 그 대부분을 차지하게 된다. 이 때, 격자에서는 그 비선형성이 크기 때문에, 절연상으로 열전도율이 크게 저하하게 된다.
이것은, 금속 절연체 전이를 나타내는 재료가 강상관 전자계라고 하듯이 전자간 상호 작용이 매우 강하여(즉 비선형성이 매우 강하기 때문에), 이 비선형성의 강함이 격자의 큰 비선형성을 만들어 내는 것에 의한다. 다시 말하면, 열전도율 변화의 원리에 금속 절연체 전이를 이용함으로써, 금속상으로서는 높은 열전도율이 (도 2의 b에서의 Tc의 저온측), 전이점을 사이에 두고 절연상에서 크게 저하하게 된다(도 2의 b에서의 Tc의 고온측).
급격한 금속 절연체 전이를 이용함으로써 급경사의 열전도율 변화를 얻을 수 있고, 또한 금속 절연체 전이에서의 저항율 변화가 큰 것을 선택하면 큰 열전도율 변화를 얻을 수 있게 된다.
또한, 금속 절연체 전이는, 고상-고상간의 상전이이기 때문에 그 상전이에서 격자 상수 변화등은 아주 작기 때문에 반복 특성에 있어서 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.
또한, 이 금속 절연체 전이는 매우 고속으로 (nsec 이하로) 발생하기 때문에고속의 기록 재생이 요구되는 메모리용의 열 변화층으로서는 충분히 빠른 응답 속도를 얻을 수 있다.
이상과 같이, 금속 절연체 전이를 열전도율 변화의 원리로서 이용함으로써 열전도율 변화가 급경사이고 또한 커서, 고속으로 얻을 수 있고, 또한 반복 횟수에서도 신뢰성이 높은 열 변화층을 얻을 수 있게 된다.
이러한 열 변화층을 이용함으로써, 광 스폿 내의 온도 분포를 급격하게 함으로써 초해상에 의한 고밀도화를 가능하게 하고, 또한 임계치 온도(Tc)보다 고온측에서 열전도율이 낮고, 저온측에서는 열전도율이 높아지는 금속 절연체 전이(즉, 도 2의 a나 도 2의 b에서 도시한 바와 같이 저온측에서 금속상, 고온측에서 절연상)를 이용함으로써, 동일 영역에서의 열 특성을「(임계치 온도 이상에서의) 승온시에는 급열, (임계치 온도 이하에서의) 강온시에는 급냉」이라고 한 기록 재생 프로세스가 가능해진다.
즉, 기록 감도의 점으로부터는 열전도율이 낮은 재료가 요구되는 한편, 신뢰성의 점으로부터는 빠르게 방열할 수 있는 열전도율이 높은 재료가 요구된다는 열 특성을 양립시키는 것이 가능해진다. 또한, 신뢰성을 향상시키기 위해서는, 축열에 의해 발생한다고 생각되어지는 다수회 재기입시의 비트 엣지의 확대나 지터의 문제를 해소한다.
이러한 전이 온도(Tc)보다 저온측에서 금속상, 고온측에서 절연상이 되는 금속 절연체 전이를 나타내는 재료로서는, 합금 재료나 산화물 재료가 알려져 있다.예를 들면, 코란덤 구조로서 알려진 산화바나듐에 불순물로서 Cr을 첨가한 재료(V1-xCrx)2O3(x=0.51 부근)에서는 130℃ 부근의 전이 온도를 나타낸다. 또한, 최근에는 페로브스카이트 구조의 산화물, 특히 La1-xSrxMn1+yO3(x=0.2∼0.4, y=0.01∼0.1)이 알려져 있고, 이 재료계에서는 Sr 도핑량 x 혹은 Mn량 y를 증가시킴으로써 실온으로부터 250℃ 부근까지 연속적으로 전이 온도를 바꾸는 것이 가능하며, 기록 재생 온도 범위에서 전위 온도를 조정하는 것이 가능하기 때문에, 광자기 기록 및 광어시스트 자기 기록 자기 기록용의 열 변화층에 이용하는데 적합한 재료이다.
(b) 열 변화층에 따른 온도 분포 제어
이어서, 열 변화층(5)을 이용한 광 스폿보다도 협소한 온도 분포 제어에 대해 설명한다.
도 3은 본 발명의 열자기 기록 재생 방법을 설명하는 개략 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 기록 매체(디스크 : 1)를 끼워 상부에 자기 헤드(2), 하부에 광 픽업(3)을 배치하고 있다.
우선, 열 변화층(5)을 이용하지 않은 경우의 온도 분포 형성의 모습을 설명한다. 도 4에는 광 픽업(3)에 의해 기록 매체(1) 상에 조사된 광 스폿이 형성하는 온도 분포를 나타내었다. 횡축에는 트랙 폭 방향(디스크 반경 방향에 해당함) X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다. 간단하게 하기 위해 광 스폿은 원이고, 그 광강도 분포는 가우스 분포가 된다고 가정하고, 광 스폿 직경(광 강도가 1/e2가 되는 범위라고 규정함)을 W로 한다. Tmax는 광 스폿 내의 최고 도달 온도를 나타내고, Tsp는 광 스폿 직경 위치, 즉 도 4에서는 X=W/2, -W/2의 위치에서의 온도를 나타내고 있다. 또한, 광 스폿으로부터 떨어진 매체 위치에서의 온도는 기록 매체(1)가 사용되는 분위기 온도 Tatm이 되는 것으로 한다.
계속해서, 열 변화층을 이용한 경우의 온도 분포 형성의 모습을 설명한다. 여기서는 간단하게 하기 위해 기록 재생층에 열 변화층이 인접한 경우를 설명한다.
도 5는 가령 열변화층이 없다고 생각한 경우에 상정되는, 광 픽업(3)에 의해 기록 매체(1) 상에 조사된 광 스폿이 형성하는 온도 분포를 나타내었다. 횡축에는 트랙 폭 방향 X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다. Tmax, Tsp는 도 4와 동일한 의미로 이용되고 있다. 열 변화층(5)의 임계치 온도를 Tc로 나타낸다(Tmax>Tc>TsP). 이 Tc에 대응하는 영역의 폭 Tw는 열 변화층(5)에서 열전도율이 저하하는 영역(6)을 나타내고 있고, 광 스폿 중심을 원점으로 하여, -Tw/2∼Tw/2의 범위에 위치하고 있다.
이 모습을 도 6에 도시된 기록 재생층(4)과 열 변화층(5)의 개략 단면도를 이용하여 재차 설명한다. 여기서는, 광 조사측에 열 변화층(5)을 배치한 예를 나타내고 있다. 도 5에 도시된, 즉 열 변화층(5)이 없는 경우의 광 스폿에 대응하는 영역 W와 임계치 온도 Tc 이상이 되어 열전도가 저하하는 영역(6) 폭에 대응하는 Tw를 나타내고 있다.
여기서, 열 변화층(5)을 이용한 경우에 기록 재생층(4)에서의 온도 분포가 어떻게 변화하는지를 설명한다. 도 7에는, 열 변화층(5)이 없는 경우에 조사한 것과 동일한 레이저 파워를 조사했을 때에 형성되는 온도 분포를 실선으로 나타내었다. 횡축에는 트랙 폭 방향 X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다. 각 기호는 도 5에서 이용한 것과 동일한 의미로 이용하고 있다. 비교를 위해 도 5에 도시된 열 변화층(5)이 없다고 생각했을 때에 상정되는 경우의 온도 분포를 점선으로 나타내고 있다. 도면 내의 화살표는 열 변화층(5)에 의한 온도 분포가 변화한 모습을 나타내고 있다. 즉 열 변화층을 이용함으로써, 동일 파워의 광 조사로써, 최고 도달 온도 Tmax가 상승하고, 광 스폿 직경 위치 ±W/2에서의 온도도 그에 따라 상승하고 있다.
도 8은 승온시의 기록 재생층(4)과 열 변화층(5)의 개략 단면도이지만, 이 도면에서는, Tc 이상으로 승온되고 열전도율이 저하한 영역(6)의 폭 Tw가 확대하는 모습을 나타내었다. 열 변화층(5)의 단면도에는 열 변화층(5)이 없는 경우에 상정되는 열전도율 저하 영역의 폭을 점선으로 나타내고, 열 변화층(5)을 이용한 경우의 열전도율 저하 영역(6)의 폭을 실선으로 나타내었다.
열 변화층(5)에서의 열전도율 저하 영역(6)이 어떻게 해서 형성되는지를 기록 재생층(4)과 열 변화층(5)의 개략 단면도인 도 9를 이용하여 자세히 설명한다. 광 조사에 의해 광 스폿 내의 온도가 상승하고, 그 온도 분포는 중심 부분의 온도가 가장 높아지도록 형성된다. 최고 도달 온도가 Tc 이상이 되면, 도 9의 a에 도시된 바와 같이 열전도율 저하 영역(6)이 발생한다. 계속해서, 이 영역에서의 열전도율이 낮아진 것으로부터 온도는 상승하고, 그에 따라 광 스폿 내의 온도도 상승한다. 이 승온에 따른 열전도율 저하 영역(6)의 발생, 열전도 저하에 따른 온도 상승의 프로세스를 반복하면서 열전도율 저하 영역(6)은 도 9의 b에 도시된 바와같이 확대된다. 최종적으로 온도 분포는 평형 상태에 도달하고, 그 온도 분포에 기인하여 열전도율 저하 영역(6)의 폭 Tw는 도 9의 c에 도시된 바와 같이 결정되게 된다.
이와 같이 열 변화층(5)을 이용한 경우에는, 열전도율 저하 영역(6)의 발생과 그에 따른 온도 상승이 반복된다고 하는 피드백이 걸리면서 열전도율 저하 영역(6)의 폭이 결정되고, 이 열전도율 저하 영역(6)의 폭에 따른 온도 분포의 제어가 가능한 것을 알 수 있다.
계속해서, 광 스폿 직경보다도 협소한 영역 내에 온도 분포를 제어하는 예에 대해 더욱 자세히 설명한다.
도 1에는, 열 변화층(5)을 이용하여, 최고 도달 온도가 열 변화층(5) 없는 경우와 거의 동일해지도록 레이저 파워를 조정했을 때에, 기록 매체(1) 상에 형성되는 온도 분포를 실선으로써 나타내었다. 횡축에는 트랙 폭 방향 X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다. 각 기호는 도 5에서 이용한 것과 동일 의미로 이용하고 있다. 비교를 위해 도 5에 도시된 열 변화층(5)이 없다고 상정한 경우의 온도 분포를 점선으로 나타내었다. 도면 내의 화살표는 열 변화층에 의한 온도 분포가 변화한 모습을 나타내고 있고, ±Tw/2의 위치에서 온도 변화가 급격해지는 효과를 얻을 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 열 변화층(5)을 이용함으로써, 저파워의 광 조사로써(열 변화층(5)을 이용하지 않을 때에 사용한 파워에서의 광 조사에 의해 얻어지는 것과) 동일한 최고 도달 온도를 얻을 수 있는 것을 이용하고, 레이저 파워로서 열 변화층(5)이 없는 경우 온도 상승이 작은(예를 들면 30∼40℃) 조건을 선택하는 것이 가능해지고, 광 스폿 내에서도 열전도가 저하하지 않은 영역에서는 온도 상승이 억제되어 열전도율 저하 영역(6)에서만 온도 상승을 얻을 수 있다는 효과, 즉 광 스폿보다도 협소한 영역만을 승온시키는 것이 가능해진다.
이 모습을 도 10을 참조하면서 재차 설명한다. 도 10은 기록 매체(1) 상에 형성되는 온도 분포를 매체면에 수직 방향으로부터 본 것으로, 등온선으로써 온도 분포의 급격함을 나타낸 것이다. 도 10의 a는, 열 변화층(5)이 없는 경우를 도 10의 b는 열 변화층(5)이 있는 경우를 나타낸 것이다. 도 10의 a에 도시된 바와 같이, 열 변화층(5)이 없는 경우에는, 광 스폿 직경에 대응하는 폭 W 근변에서 온도 분포가 급격해지는 것을 알 수 있다. 한편, 도 10의 b에 도시된 바와 같이 열 변화층(5)이 있는 경우에는 열전도율 저하 영역(6)의 폭 Tw에 대응하여 광 스폿 직경보다도 협소한 범위에서 온도 분포가 급격하게 형성되는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 열 변화층(5)을 이용하여 광 스폿 직경보다도 협소한 영역에 급격한 온도 분포를 형성하고, 기록 온도 혹은 재생 온도를 Tc 이상으로 함으로써 광 스폿보다도 협소한 범위에서의 고밀도의 기록, 또한 광 스폿보다도 협소한 트랙이나 기록 마크로부터의 신호 재생이 크로스토크없이 행할 수 있는 것을 알 수 있다.
계속해서, 이와 같이 함으로써 형성된 급격한 온도 분포가 광 조사를 정지시킨 후, 혹은 광 조사 영역을 통과한 후, 어떻게 냉각해나갈지에 대해 설명한다.
도 11의 a는 광 조사를 정지시킨 순간을 나타내고, 이 때 광 스폿 내의 최고 도달 온도 Tmax는 임계치 온도 Tc보다도 높아, 열전도율 저하 영역(6)의 폭 Tw가유지되는 상태를 나타내고 있다. 횡축에는 트랙 폭 방향 X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다.
이어서, 광 조사를 정지했기 때문에 광 스폿이 형성되어 있던 영역 내의 온도가 강하해가는 과정을 나타낸다. 도 11의 b에는 최고 도달 온도 Tmax가 거의 Tc와 동일 정도까지 저하했을 때의 모습을 나타내었다. 최고 도달 온도 Tmax가 저하함에 따라 도 11의 a에 도시된 ±Tw/2 위치에서의 온도도 저하한다. 이에 따라, 열전도율 저하 영역(6)의 폭 Tw는 감소하기 시작한다. 이에 따라, 열전도율 저하 영역(6)은 그 주변 영역으로부터 온도 저하가 촉진되고, 열전도율 저하 영역(6)은 더욱 한층 축소한다. 이 열전도율 저하 영역(6)의 폭 Tw의 축소의 모습은, 도 9에 도시된 열전도율 저하 영역(6)이 (a)∼(c)로 형성되는 모습을, 반대로 (c)∼(a)로 거슬러 올라간다. 마지막으로, 도 11의 c에 도시된 바와 같이 최고 도달 온도 Tmax가 모든 영역에서 Tc 이하가 되면, 열전도율 저하 영역(6)은 소실한다.
이 냉각 과정을 재차 설명한다. 광 조사 정지에 의해, 광 스폿이 형성되어 있던 영역 내의 온도가 저하하고 임계치 온도 Tc 이상의 영역은 주변으로부터 급속하게 축소하고, 그와 함께 급속하게 온도가 저하하고, 더욱 전 영역에서 Tc 이하가 되면, 열전도율 저하 영역(6)이 소실하여 단숨에 냉각 과정이 진행하게 된다.
이상, 설명된 바와 같이 본 발명의 열 변화층(5)을 이용함으로써, 기록 감도가 상승하고, 저파워의 광 조사로 승온이 가능해지기 때문에, 광 스폿보다도 협소한 영역에서 급격한 온도 분포를 형성할 수 있고, 고밀도의 기록 재생이 가능해진다. 또한, 열전도율이 낮은 상태이면, 축열 효과를 위해 냉각 프로세스는 서냉 프로세스가 되는 것이지만, 광 조사 정지에 의해 Tc 이하에서는 열전도가 높은 상태(광 조사에서는 온도가 거의 상승하지 않은 상태)로 복귀되기 때문에, 급냉 프로세스가 실현된다. 이에 따라, 기록 감도와 축열 프로세스를 피하는 것을 동시에 성립하게 하는 것이 가능해져 기록 마크의 위치 어긋남이나 변형등을 억제할 수 있어 기록 재생 특성에 우수한 고밀도 기록이 가능해진다.
(c) 열 변화층의 적층 구조예
이어서, 임계치 온도가 다른 열 변화층(5)을 적층시킨 경우에 대해 설명한다.
이하에서는, 임계치 온도 Tc1을 나타내는 층을 제1 열 변화층(8)이라고 하고, 임계치 온도 Tc2를 나타내는 층을 제2 열 변화층(9)이라고 하고(Tc2>Tc1), 제2 열 변화층(9)), 즉 임계치 온도가 높은 층을 기록 재생층(4)이 가까운 측에 배치한 예에 대해 설명한다.
도 12는 열 변화층(5)이 없는 경우에 광 픽업(3)에 의해 기록 매체(1) 상에 조사된 광 스폿이 형성하는 온도 분포를 나타내었다. 횡축에는 트랙 폭 방향 X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다. 기록 온도로서 Tc2, 재생 온도로서 Tc1을 각각 광 스폿 직경 위치에서의 온도 Tsp보다도 높은 온도로 설정한다(Tc2>Tc1>Tsp).
우선, 재생시의 모습에 대해 설명한다. 광 스폿 내의 최고 도달 온도가 Tc1 이상, Tc2 이하가 되도록 광 조사를 한다. 이 때의 기록 매체(1)의 온도 분포를 도 13에 도시하였다. 도 13도 마찬가지로 횡축에는 트랙 폭 방향 X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다. 이미 설명한 바와 같이 제1 열 변화층(8)의 효과에 따라 광 스폿보다도 협소한 범위(-Tw/2∼Tw/2)에서만 온도 상승을 얻을 수 있다.
도 14는 승온시의 기록 재생층(4)과 제1 열 변화층(8), 제2 열 변화층(9)의 개략 단면도이지만, 온도 분포가 급격한 영역은, 제1 열 변화층(8)의 열전도율 저하 영역(6)의 폭 Tw와 거의 일치한다. 이 때 제2 열 변화층(9)은 임계치 온도 Tc2에 달하지 않으므로 열전도율 저하 영역(6)은 발생하지 않고, 온도 분포에는 기여하지 않는다.
이어서, 기록 시의 모습을 설명한다. 광 스폿 내의 최고 도달 온도가 Tc1이상이 됨으로써 제1 열 변화층(8)에 열전도율 저하 영역(6)이 생기고, Tc1이상으로 승온된 영역도 확대한다. 또한, 광 스폿 내의 최고 도달 온도가 Tc2이상이 되면 제2 열 변화층(9)에서도 열전도율 저하 영역(6)이 생기기 시작한다. 이 제2 열 변화층(9)에서의 열전도율 저하 영역(6)은 제1 열 변화층(8)에서의 열전도율 저하 영역(6)보다도 협소한 것을 적어둔다. 최종적으로 평형 상태에 도달하고, 제2 열 변화층(9)의 열전도율 저하 영역(6)의 폭이 결정된다.
이 모습을 도 15 및 도 16에 도시하였다. 도 15는 기록 매체(1) 상의 온도 분포를 나타내고 있고, 횡축에는 트랙 폭 방향 X를 취하고, 종축에는 온도 T를 취하고 있다. 도 16은 승온시의 기록 재생층(4)과 제1 열 변화층(8), 제2 열 변화층(9)의 개략 단면도이지만, 제1 열 변화층(8)은 최고 도달 온도가 Tc2 이하의 (즉 재생시보다도) 열전도율 저하 영역(6)이 확대되어 있지만, 제2 열 변화층(9)의 열전도율 저하 영역(6)의 폭은 그것보다도 협소한 범위에 들어간다.
여기서 기록 재생층(4)에 아주 가까운 열 변화층(5)에 임계치 온도가 높은 제2 열 변화층(9)을 배치함에 따라, 열전도율 저하 영역(6)이 협소한 층이 기록 재생층(4)에 가까운 측에 위치하는 것을 알 수 있다. 열 변화층(5)은 기록 재생층(4)에 바로 가까운 측에서 가장 열전도율이 낮은 층이 효과적이기 때문에, 임계치 온도가 낮은 열 변화층(5)을 기록 재생층(4)에 가까운 측에 배치하는 것보다도 온도 분포를 급격하게 하기 위해서는 적합하다.
이상 설명된 바와 같이, 임계치 온도가 다른 열 변화층(5)을 적층함으로써, 기록 재생 온도가 다른 경우에도, 기록 온도, 재생 온도에서 광 스폿보다도 협소한 범위에서의 급격한 온도 분포를 각각 얻을 수 있다. 또한, 기록 온도로서 Tc2, 재생 온도로서 Tc1을 선택했을 때에 (Tc2>Tc1), 기록 시의 승온 범위보다도 재생시의 승온 범위가 좁아지기 때문에 트랙 엣지의 노이즈가 없이 신호 재생하는 것이 가능해진다.
(d) 기록 재생예
이어서, 열 변화층을 이용한 고밀도 기록 재생의 예에 대해 설명한다.
① 광어시스트 자기 기록
우선, 열자기 기록 매체의 형성 방법에 대해 설명한다. 2.5인치 φ(외부 직경 65, 내부 직경 20, 두께 0.635㎜)의 사파이어 단결정 기판(10) 상에, 임계치 온도로서 약 150℃를 나타내는 열 변화층(5)을 100㎚의 막 두께로 형성하였다. 열 변화층(5)은, La1-xSrxMnO3,의 Mn 량을 많이 한 것을 스퍼터법에 따라 형성하였다.또한 기록 재생층(4)으로서 실온 부근에 보상점을 갖는 TbFeCo 막을 스퍼터법에 따라 100㎚의 막 두께로 형성하였다. 상부에는 보호막(11)으로서 다이아몬드형 카본막을 20㎚의 막 두께로 형성하여 윤활제(도시하지 않음)를 도포하고 있다. 도 17에 그 단면도를 도시한다.
기록 재생층(4)의 잔류 자화는 실온 25℃에서 11(emu/cc), 임계치 온도인 150℃에서 125(emu/cc), 200℃에서 148(emu/cc)을 나타내고, 보자력은 실온 25℃에서 10k(Oe)이상이고, 150℃에서 3.6k(Oe), 200℃에서 1.8k(Oe)인 것을 VSM(Vibrating-Sample-Magnetometer : 진동 시료형 자력계)에 의해 측정하고 있다.
평가에 이용한 장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 기록 매체(디스크 : 1)를 끼워 상부에 자기 헤드(2), 하부에 광 픽업(3)을 배치한 것을 이용하였다. 자기 헤드(2)로서는, 복합 MR(자기 저항) 헤드를 이용하였다. 기록 헤드 폭 5㎛, 재생 헤드 폭 4.5㎛, 기록 갭 길이 0.35㎛, 재생 갭 길이 0.22㎛이다. 광 픽업(3)으로서는 파장 650㎚, 트랙 폭 방향의 빔 직경 1.1㎛의 것이다.
상기된 자기 헤드, 광 픽업을 이용하여 상기한 기록 매체에 광 조사를 행하면서 기록 재생의 실험을 행하였다. 이 때의 조건으로는, 디스크 회전수는 3600rpm, 선속도는 11㎧, 기록 주파수는 10㎒, 자기 헤드의 부상량은 약 50㎚이었다.
우선, 광 스폿에 의해 승온되는 영역이 자기 헤드(2)에 의해 자장을 인가하는 영역과 중첩되도록 배치를 조정한 후, 최초로 비교를 위해 제작한 열 변화층(5)을 형성하지 않은 기록 매체(1)를 이용하여 기록 재생의 실험을 행하였다. 기록재생 시의 광 빔의 파워는 6㎽로 하였다.
편광 현미경에 의해 기록 트랙을 관찰한 바, 상기한 기록 조건으로는 기록 트랙 폭은 약 1.0㎛이고, 트랙 폭은 거의 광 스폿 직경에 의해 규정되는 것을 확인하였다.
계속해서, 열 변화층(5)을 설치한 기록 매체(1)를 이용하여 기록 재생의 실험을 행하였다. 기록 파워의 조건을 검토한 바, 3㎽의 파워로 0.5㎛ 폭의 트랙이 형성되는 것, 즉 기록 감도의 향상과 광 스폿보다도 협소한 트랙의 형성이 가능한 것을 확인하였다.
또한 편광 현미경에서의 자구 관찰 결과로부터, 트랙 엣지나 비트단에서 번짐이 없는 선명한 기록 비트가 형성되는 것을 확인하였다. 이것은, 비트 형성시의 강온 프로세스에 있어서 급냉됨으로써 자구의 혼란이 억제되었기 때문이라고 생각할 수 있다.
또한, 이와 같이 하여 0.5㎛폭의 트랙을 0.6㎛ 피치로 형성하고, 트랙의 재생을 시도하였다. 이 때, 우선 기록 주파수 5㎒에서 트랙을 형성하고, 계속해서 기록 주파수 2㎒에서 양 사이드에 트랙을 형성한 후, 5㎒에서 기록한 트랙 상에 광 스폿과 자기 헤드가 중첩되는 영역이 오도록 배치하고, 신호 재생을 행한 바, 5㎒에서의 신호는 C/N 치로서 약 35㏈와 싱글 트랙 형성시와 거의 변하지 않은 값을 얻을 수 있고, 혼입 신호인 2㎒의 신호는 C/N 치로서 약 3㏈로 충분히 낮은 크로스토크로 억제되는 것을 알았다. 광어시스트 자기 기록 방식에 있어서는, 보상점 온도로부터의 온도 어긋남이 크로스토크의 원인이 되고, 즉 온도 분포가 크로스토크량의 많고 적음을 결정하기 때문에, 열 변화층(5)의 사용에 의해 급격한 온도 분포 변화를 얻을 수 있음에 따라 저크로스토크가 달성되었다고 생각할 수 있다.
이상 진술한 바와 같이, 본 발명에 의해, 광 스폿보다도 협소한 트랙에서의 기록 재생이 가능해지고, 고밀도의 열자기 기록 장치의 개발이 가능해진다.
또, 여기서는 기판으로서 열전도율이 약 42W/m/K로 높고, 내열성도 높고, 또한 평활한 단결정 기판인 사파이어 기판을 이용했지만 기타 HDD에서 널리 이용되고 있는 유리 디스크(알루미노 실리케이트 유리의 열전도율은 약 1.3W/m/K) 등을 이용해도 상관없다.
또한, 기록 재생층으로서 TbFeCo 합금막을 사용했지만, 그외에도 n형 페리 자성체인 희토류 카보네이트(Gd3Fe5O12)나, 리튬페라이트등의 산화물 자성체를 이용하는 것은, 기록 재생층의 신뢰성(열 프로세스에 의한 산화가 야기하는 열화 등)의 점에서 바람직하다.
② 광자기 기록
광자기 기록에서는 기록 매체(1)의 온도 분포로 기록한 비트의 형상이 결정되지만, 본 발명의 열 변화층(5)을 이용함으로써 온도 분포가 급격해지기 때문에 작은 비트를 기록할 수 있는 것 (고밀도 기록) 외에, 비트 엣지가 흐트러지지 않게 형성되기 때문에, 비트 엣지 정보를 검출하는 데에도 적합하다고 할 수 있다.
또한, 자기적 초해상 기술(MSR : Magnetic-Super-Resolution)을 이용하고 있기 때문에 재생시에도 온도 분포에 따라 강하게 영향을 받는다. 이것은, 광 스폿 내에서는 당연한 일이지만 열원인 광이 존재하기 때문에, 광 스폿 직경 내의 온도 분포차를 이용하는 MSR의 재생 마진이 좁아지기 때문이다.
여기서는, 열 변화층(5)을 적용함으로써 MSR 재생에 어떠한 효과를 얻을 수 있는지를 광 스폿의 중심부에 개구가 발생하여 광 스폿 중앙 부분만의 광자기 신호를 검출할 수 있는 CAD(Center Aperture Detection) 디스크를 예로 들어 간결히 설명한다.
우선, 기록 매체(1)의 구성에 대해 설명한다. 재생층(12)(GdFeCo막)/재생 보조층(13)/비자성층(14)/기록층(15)(TbFeCo 막)으로 이루어지는 통상의 광자기 매체막 구성에 더해, 임계치 온도로서 약 150℃를 나타내는 열 변화층(5) (La1-xSrxMnO3막)으로 이루어진다. 도 18에 이 부분의 개략 단면도를 나타내었다. 또한, 재생층(12)에서의 면내 자화로부터 수직 자화로의 천이 온도는 150℃∼180℃가 되도록 자화를 설정하고 있다.
광자기 기록의 평가 장치를 이용하여 기록 재생 실험을 행하였다. 우선 비교를 위해 열 변화층(5)이 없는 디스크를 측정한 바, 트랙 피치 0.6㎛의 조건으로 최단 마크 길이가 0.2㎛일 때 비트 에러율은 1×10-6을 얻을 수 있다.
이어서, 열 변화층(5)을 이용한 디스크로 측정한 바, 동일한 조건에서 비트 에러율은 1×10-7이었다. 또한 최단 마크 길이가 0.18㎛까지 짧아졌을 때에도 비트 에러율은 1×10-6이하로서 동작 마진이 확대되는 효과를 얻을 수 있다.
정전 자기 결합형 CAD-MSR은, 기록층(15)과 재생층(12)이 결합하는 온도 영역과 해상도가 트레이드 오프의 관계에 있다. 즉, 결합하는 온도 영역을 넓이면, 재생 동작 마진은 크게 확보할 수 있지만 해상도가 저하한다는 문제가 있고, 반대로 결합하는 온도 영역을 좁이면 해상도가 오르지만, 재생 동작 마진이 좁아진다는 문제가 있는 것이지만, 열 변화층(5)을 이용함으로써, 기록층(15)과 재생층(12)이 결합하는 온도 영역을 넓게 취하면서, 온도 분포를 급격하게 할 수 있기 때문에 고해상도를 얻을 수 있는 것을 알았다.
이상 진술한 바와 같이, 광자기 기록에서도, 기록시에는 온도 분포를 광 스폿보다도 협소하게 함으로써 작은 비트를 형성할 수 있고(고밀도 기록), 자기적 초해상 재생에 있어서, 광 스폿보다도 협소하게 온도 분포를 형성할 수 있기 때문에 기록층(15)과 재생층(12)과의 결합 온도 범위를 넓게 취하면서 고해상도를 양립시키는 것이 가능해진다.
본 발명에 따르면, 금속 절연체 전이를 열전도율 변화의 원리로서 이용함으로써 신뢰성이 높고 또한 급경사인 온도 분포 변화를 얻을 수 있고, 광 스폿내의 온도 분포를 급격하게 제어하는 것이 가능해진다.
또한, 금속 절연체의 전이 온도 이상의 온도로 열전도율이 낮아지는 것으로, 열전도가 저하한 영역에 따른 온도 분포를 얻는 것이 가능해진다.
또한, 열전도율의 임계치 온도 이상의 온도로 열전도율이 낮아지는 것으로, 급열 급냉 프로세스가 가능해지고, 기록 감도의 향상과, 축열에 따른 비트 엣지의이동이나 지터의 문제의 해소를 양립시키는 것이 가능해진다.
또한, 임계치 온도가 다른 열 변화층을 적층함으로써, 기록 온도와 재생 온도가 다른 경우에도 광 스폿 내의 온도 분포 제어가 가능해진다. 또한, 적층된 열 변화층 중에서 임계치 온도가 높은 열 변화층을 기록 재생층에 가까운 측에 배치함으로써, 기록 온도와 재생 온도가 다른 경우에도 온도차에 따른 온도 분포의 확대등 없이 제어가 가능해진다.
또한, 자기 기록 재생 장치에 있어서, 자기 기록 온도 혹은 자기 재생 온도를 임계치 온도보다도 높임으로써 광 스폿보다도 협소한 트랙에서의 기록 재생이 가능해지고, 고밀도 기록을 실현할 수 있다. 또한, 임계치 온도를 광 빔의 광 스폿 직경 위치에서의 온도보다도 높임으로써, 광 스폿 내에서도 광 스폿 직경 주변에서는 거의 승온시키지 않고 광 스폿 중심부에서만 승온되도록 광 스폿보다도 협소하게 온도 분포를 제어하는 것도 가능해진다.

Claims (9)

  1. 적어도 기록 재생층과 열 변화층을 구비하고, 상기 열 변화층은 상기 기록 재생층에 적층되어 있고, 상기 열 변화층의 열전도율은 고상-고상간 상전이인 금속 절연체 전이에 의해 유기되는 임계치 온도에서 임계적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 열자기 기록 매체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열 변화층이, (V1-xCrx)2O3(x=0.51) 또는 La1-xSrxMn1+yO3(x=0.2∼0.4, y=0.01 ∼ 0.1)을 이용한 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 열자기 기록 매체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열 변화층의 열전도율 변화가 임계치를 갖고, 또한 상기 열 변화층의 열전도율이 금속 절연체 전이의 전이 온도를 사이에 두고 저온측에서 크고, 고온측에서 작아지는 것을 특징으로 하는 열자기 기록 매체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 변화층이 열전도율 변화의 임계치 온도가 다른 열 변화층의 적층에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 열자기 기록 매체.
  5. 제4항에 있어서,
    기록 재생층에 가까운 측에, 적층된 열 변화층 중에서 임계치 온도가 높은 열 변화층을 배치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열자기 기록 매체.
  6. 적어도 기록 재생층과 열 변화층을 구비한 열자기 기록 매체에, 광 픽업으로부터 광 빔을 조사하고, 자기 헤드로부터 자계를 인가함으로써 정보를 기록함과 함께, 광 빔을 조사하고, 재생 헤드에 의해 광 혹은 자계를 판독함으로써 정보의 재생을 행하는 열자기 기록 재생 방법에 있어서,
    자기 기록 온도 또는 자기 재생 온도를, 상기 광 빔을 조사함으로써 형성되는 광 스폿 직경 위치에서의 기록 매체의 온도보다 높고, 또한 상기 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도이상으로 하는 것을 특징으로 하는 열자기 기록 재생 방법.
  7. 제6항에 기재된 열자기 기록 재생 방법에 이용하는 열자기 기록 매체로서, 상기 열 변화층은 상기 기록 재생층에 적층되어 있고, 상기 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도가 상기 광스폿 직경 위치에서의 온도보다도 높은 것을 특징으로 하는 열자기 기록 매체.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 열자기 기록 매체와,
    광 픽업과,
    자기 헤드와,
    상기 열자기 기록 매체에, 광 픽업으로부터 광 빔을 조사하고, 자기 헤드에 의해 자계를 인가함으로써 정보를 기록하는 수단과,
    광 빔을 조사하고, 재생 헤드에 의해 광 혹은 자계를 판독함으로써 정보의 재생을 행하는 수단
    을 구비하고,
    상기 열자기 기록 매체의 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도가, 상기 스폿 직경 위치에서의 온도보다도 높고, 자기 기록 온도 또는 자기 재생 온도를, 상기 광 빔을 조사함으로써 형성되는 광 스폿 직경 위치에서의 기록 매체의 온도보다 높고, 또한 상기 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도 이상으로 하여 기록 재생을 행하는 열자기 기록 재생 장치.
  9. 제5항에 기재된 열자기 기록 매체와,
    광 픽업과,
    자기 헤드와,
    상기 열자기 기록 매체에, 광 픽업으로부터 광 빔을 조사하고, 자기 헤드에 의해 자계를 인가함으로써 정보를 기록하는 수단과,
    광 빔을 조사하고, 재생 헤드에 의해 광 혹은 자계를 판독함으로써 정보의 재생을 행하는 수단
    을 구비하고,
    상기 열자기 기록 매체의 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도가, 상기 스폿 직경 위치에서의 온도보다도 높고, 자기 기록 온도 또는 자기 재생 온도를, 상기 광 빔을 조사함으로써 형성되는 광 스폿 직경 위치에서의 기록 매체의 온도보다 높고, 또한 상기 열 변화층의 열전도율 변화의 임계치 온도 이상으로 하여 기록 재생을 행하는 열자기 기록 재생 장치.
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