KR100365054B1 - substrate for semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package using it - Google Patents

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Abstract

이 발명은 반도체패키지용 섭스트레이트 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 하나의 섭스트레이트에 수십개에서 수백개의 초박형 반도체패키지를 동시에 구현할 수 있고, 또한 와이어본딩(wire bonding)이나 몰딩(molding) 공정중에 워페이지(warpage) 현상을 최소화하며, 더불어 제조 공정중 접착된 테이프를 용이하게 제거하기 위해, 반도체칩이 위치되도록 다수의 관통공이 행과 열을 지어 일정거리 이격된 채 군집되어 하나의 서브-스트립을 이루며, 상기 서브-스트립은 일정길이로 관통된 슬롯을 경계로 다수가 연결되어 하나의 메인-스트립을 형성하는 수지층과; 상기 각 서브-스트립 내의 관통공 외주연인 수지층에 차후 반도체칩과 접속수단으로 접속되고, 또한 차후 도전성볼이 융착되도록 본드핑거 및 볼랜드를 포함하여 이루어진 도전성 회로패턴과; 상기 수지층 및 회로패턴의 표면에 상기 본드핑거 및 볼랜드가 오픈되도록 코팅된 커버코트를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조 방법.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate for semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor package using the same. The present invention can simultaneously implement dozens to hundreds of ultra-thin semiconductor packages in a single substrate, and also wire bonding or molding. In order to minimize the warpage phenomenon during the process and to easily remove the adhesive tape during the manufacturing process, a plurality of through-holes are grouped in a row and a column spaced apart at a certain distance so that the semiconductor chip is positioned, A resin layer forming a strip, wherein the sub-strip is connected to a plurality of slots at a predetermined length to form a main strip; Conductive circuit patterns including bond fingers and ball lands to be connected to semiconductor resins and connecting means later on the resin layers that are outer periphery of the through-holes in the respective sub-strips, and to further weld the conductive balls; Substrate for a semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor package using the same, characterized in that it comprises a cover coat coated to open the bond finger and the ball land on the surface of the resin layer and the circuit pattern.

Description

반도체패키지용 섭스트레이트 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조 방법{substrate for semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package using it}Substrate for semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package using same

본 발명은 반도체패키지용 섭스트레이트 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 하나의 섭스트레이트에 수십개에서 수백개의 초박형 반도체패키지를 동시에 구현할 수 있고, 또한 와이어본딩(wire bonding)이나 몰딩(molding) 공정중에 워페이지(warpage) 현상을 최소화하며, 더불어 제조 공정중 접착된 테이프를 용이하게 제거할 수 있는 반도체패키지용 섭스트레이트 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for a semiconductor package and a method for manufacturing the semiconductor package using the same. More specifically, it is possible to simultaneously implement dozens to hundreds of ultra-thin semiconductor packages in a single substrate, and also to wire bonding. The present invention relates to a semiconductor package substrate and a method for manufacturing a semiconductor package using the same, which minimize warpage during the molding process and can easily remove the adhesive tape during the manufacturing process.

최근의 반도체패키지는 반도체칩의 경박단소화 및 각종 전자기기의 소형화 추세에 따라 그 반도체칩을 마더보드상에 지지시켜주는 동시에 입출력신호를 매개해주는 반도체패키지도 초박형 및 칩싸이즈화하는 형태로 전환되고 있다.In recent years, according to the trend of miniaturization and miniaturization of semiconductor chips and miniaturization of various electronic devices, semiconductor packages that support the semiconductor chips on the motherboard and mediate input / output signals are also converted into ultra-thin and chip-sized forms. have.

이러한 반도체패키지 중에서 초박형 반도체패키지(200')의 일례를 도4에 도시하였으며 이를 참조하여 통상적인 초박형 반도체패키지의 구조를 간략히 설명하면 다음과 같다.An example of the ultra-thin semiconductor package 200 ′ among these semiconductor packages is illustrated in FIG. 4. The structure of a conventional ultra-thin semiconductor package will be briefly described as follows.

도시된 바와 같이 일면에 입출력패드가 형성되어 있는 반도체칩(42')이 구비되어 있고, 상기 반도체칩(42')의 외주연으로는 그 반도체칩(42')이 위치할 수 있도록 관통공(8')이 형성된 섭스트레이트(100')가 형성되어 있으며, 상기 섭스트레이트(100')는 수지층(6')을 기본층으로 하여 그 표면에는 다수의 본드핑거(12') 및 볼랜드(14')로 이루어진 회로패턴이 형성되어 있고, 상기 수지층(6') 및 회로패턴의 표면은 본드핑거(12') 및 볼랜드(14')가 오픈되도록 커버코트(16')가 코팅되어 있다. 상기 반도체칩(42')의 입출력패드와 상기 섭스트레이트(100')의 본드핑거(12')는 전기적으로 접속되도록 도전성와이어와 같은 전기적 접속수단(44')에 의해 상호 연결되어 있으며, 상기 섭스트레이트(100')의 관통공(8') 내에 위치된 반도체칩(42'), 접속수단(44') 및 섭스트레이트(100')의 일부는 봉지재(46')가 감싸고 있으며, 이때 상기 반도체칩(42')의 일면은 봉지재(46') 외측으로 노출되어 있다. 마지막으로 상기 섭스트레이트(100')의 볼랜드(14')에는 다수의 도전성볼(48')이 융착되어 차후 마더보드에 실장 가능한 형태로 되어 있다.As shown in the drawing, a semiconductor chip 42 'having an input / output pad is formed on one surface thereof, and through-holes are formed at the outer circumference of the semiconductor chip 42' so that the semiconductor chip 42 'can be positioned. 8 ') formed on the substrate 100', and the substrate 100 'has a resin layer 6' as a base layer, and a plurality of bond fingers 12 'and borland 14 are formed on the surface thereof. A circuit pattern made of ') is formed, and the surface of the resin layer 6' and the circuit pattern is coated with a cover coat 16 'such that a bond finger 12' and a ball land 14 'are opened. The input / output pads of the semiconductor chip 42 'and the bond fingers 12' of the substrate 100 'are interconnected by electrical connection means 44' such as conductive wires to be electrically connected. A portion of the semiconductor chip 42 ', the connection means 44', and the substrate 100 'positioned in the through hole 8' of the straight 100 'is enclosed by an encapsulant 46'. One surface of the semiconductor chip 42 'is exposed to the outside of the encapsulant 46'. Finally, a plurality of conductive balls 48 'are fused to the ball land 14' of the substrates 100 'so that they can be mounted on the motherboard later.

상기와 같은 반도체패키지의 제조 방법을 간단히 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing the semiconductor package as described above is briefly described as follows.

먼저 수지층을 기본층으로 하여 그 표면에 다수의 본드핑거와 볼랜드를 가지고, 상기 본드핑거와 볼랜드가 오픈된 상태로 커버코트가 코팅되며, 중앙에는 관통공이 형성되어 있는 섭스트레이트를 제공한다. 여기서, 상기 섭스트레이트는 통상 독립된 반도체패키지가 형성되는 다수의 유닛이 한 스트립내에 형성되어 있는 것이 보통이다.First, a resin layer is used as a base layer, and has a plurality of bond fingers and borland on the surface thereof, and the cover coat is coated with the bond fingers and borland open, thereby providing a substrate having a through hole formed in the center thereof. Here, the substrate is usually formed in one strip with a plurality of units in which independent semiconductor packages are formed.

일면에 다수의 입출력패드를 가지는 반도체칩을 상기 섭스트레이트의 관통공내에 위치시킨다. 이때, 상기 섭스트레이트의 일면에는 그 관통공을 폐쇄할 수 있도록 커버레이테이프(도시되지 않음)를 접착하고, 상기 커버레이테이프상에 반도체칩을 접착시킨다.A semiconductor chip having a plurality of input / output pads on one surface thereof is placed in the through hole of the substrate. At this time, a cover lay tape (not shown) is adhered to one surface of the substrat so as to close the through hole, and a semiconductor chip is adhered to the cover lay tape.

상기 반도체칩의 입출력패드와 섭스트레이트의 본드핑거를 전기적 접속수단을 이용하여 상호 전기적으로 접속시킨다.The input / output pads of the semiconductor chip and the bond fingers of the substrate are electrically connected to each other using electrical connection means.

상기 관통공내의 반도체칩, 접속수단 및 섭스트레이트의 일정영역을 봉지재로 몰딩한다.A predetermined region of the semiconductor chip, the connecting means, and the substrate in the through hole is molded with an encapsulant.

상기 섭스트레이트에 형성된 볼랜드에 다수의 도전성볼을 융착하여 최종 입출력단자를 형성하고, 상기 섭스트레이트에 접착된 커버레이테이프를 제거한다.A plurality of conductive balls are fused to the ball land formed on the substrate to form a final input / output terminal, and the coverlay tape adhered to the substrate is removed.

마지막으로, 상기 스트립 형상을 하는 섭스트레이트에서 각각의 유닛에 형성된 반도체패키지를 낱개로 싱귤레이션함으로써 최종적인 반도체패키지를 얻게 된다.Finally, the final semiconductor package is obtained by singulating the semiconductor packages formed in each unit individually in the strip-shaped substrate.

한편, 최근의 초박형 반도체패키지는 면적이 대략 5×5mm 내외로 제조되고 있으며, 두께도 1mm내외로 제조되고 있는 실정이다. 이에 따라 섭스트레이트에 수십개에서 수백개의 반도체패키지를 동시에 구현할 수 있는 요건이 만족되고 있지만, 아직 상기와 같이 수십개에서 수백개의 반도체패키지를 동시에 제조할 수 있는 섭스트레이트가 제조되고 있지는 않다.On the other hand, the recent ultra-thin semiconductor package is manufactured in an area of about 5 × 5mm, and the situation is also produced in a thickness of about 1mm. Accordingly, although the requirement to simultaneously implement dozens to hundreds of semiconductor packages on the substrate is satisfied, as described above, a substrate that can simultaneously manufacture tens to hundreds of semiconductor packages has not been manufactured.

한편, 상기와 같은 섭스트레이트에는 제조 공정중 반도체칩 등을 몰딩하기 위해 섭스트레이트의 일면에 커버레이테이프를 접착하게 되는데, 상기 커버레이 테이프는 상기 섭스트레이트와 열팽창계수가 상이함으로써 여러 문제를 야기하게 된다.Meanwhile, a coverlay tape is attached to one surface of the substrate in order to mold the semiconductor chip during the manufacturing process. The coverlay tape causes various problems because the substrate has a different coefficient of thermal expansion. do.

즉, 고온의 온도조건이 필요한 와이어본딩 공정이나 몰딩 공정중에 상기 섭스트레이트와 커버레이테이프의 열팽창 계수차로 인해 섭스트레이트에 워페이지(warpage, 휨현상)가 발생하며, 이로 인해 와이어본딩 불량, 몰딩 불량이 발생하여 반도체패키지의 신뢰성에 큰 영향을 주게 된다.That is, warpage (warpage) occurs in the substrate due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the coverlay tape during the wire bonding process or the molding process requiring high temperature conditions. This will greatly affect the reliability of the semiconductor package.

또한, 상기와 같은 초박형 반도체패키지에서 반도체칩 등은 몰딩 공정중에 정전기가 축적되어 일시에 방전되는 현상으로 인해 반도체칩이 쉽게 파손되거나 또는 섭스트레이트의 회로패턴이 단락되는 등의 여러 문제점을 가지고 있어 이것의 해결이 시급하다.In addition, in the ultra-thin semiconductor package as described above, semiconductor chips and the like have various problems such as breakage of the semiconductor chip easily or short circuit patterns of the substrate due to the phenomenon that static electricity is accumulated and temporarily discharged during the molding process. The solution is urgent.

더불어, 반도체패키지의 제조 공정중에는 섭스트레이트에 반듯이 커버레이테이프를 접착한 후 제거해야 하는데, 상기 커버레이테이프는 섭스트레이트의 일면 전영역에 접착됨으로써 이것의 제거가 용이하지 않은 문제점이 있으며, 무리하게 커버레이테이프를 제거시 섭스트레이트가 파손될 위험이 있다.In addition, during the manufacturing process of the semiconductor package, the coverlay tape must be removed after adhering to the substrate. There is a risk of the substrate breaking when the coverlay tape is removed.

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 하나의 섭스트레이트에 수십개에서 수백개의 초박형 반도체패키지를 동시에 구현할 수 있고, 또한 와이어본딩이나 몰딩 공정중에 워페이지 현상을 최소화시키며, 제조 공정중 접착된 커버레이테이프를 용이하게 제거할 수 있고, 정전기에 의한 영향을 최소화시킬 수 있는 반도체패키지용 섭스트레이트 및 이를 이용한 반도체패키지의 제조 방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and can simultaneously implement dozens to hundreds of ultra-thin semiconductor packages on one substrate, and also minimizes the warpage phenomenon during the wire bonding or molding process, The present invention provides a substrate for a semiconductor package that can easily remove a coverlay tape adhered during a manufacturing process and minimize the influence of static electricity, and a method for manufacturing a semiconductor package using the same.

도1a 및 도1b는 본 발명에 의한 반도체패키지용 섭스트레이트를 도시한 평면도 및 저면도이다.1A and 1B are a plan view and a bottom view showing a substrate for a semiconductor package according to the present invention.

도2는 본 발명에 의한 섭스트레이트에 테이프가 접착된 상태를 도시한 저면도이다.Figure 2 is a bottom view showing a state in which the tape is bonded to the substrate according to the present invention.

도3a 내지 도3h는 본 발명에 의한 반도체패키지의 제조 방법을 도시한 순차 설명도이다.3A to 3H are sequential explanatory diagrams showing a method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention.

도4는 통상적인 초박형 반도체패키지를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a conventional ultra-thin semiconductor package.

- 도면중 주요 부호에 대한 설명 --Description of the main symbols in the drawings-

100; 섭스트레이트(substrate) 2; 서브-스트립(sub-strip)100; Substrate 2; Sub-strip

4; 메인-스트립(main-strip) 6; 수지층4; Main-strip 6; Resin layer

8; 관통공 12; 본드핑거(bond finger)8; Through hole 12; Bond finger

14; 볼랜드(ball land) 16; 커버코트(cover coat)14; Ball land 16; Cover coat

18; 그라운드링(ground ring)18; Ground ring

22; 그라운드플랜(ground plane)22; Ground Plane

24; 커버레이테이프(cover lay tape) 26; 슬롯(slot)24; Cover lay tape 26; Slot

28; 인덱스홀(index hole) 32; 펀치(punch)28; Index hole 32; Punch

200; 반도체패키지 42; 반도체칩200; Semiconductor package 42; Semiconductor chip

44; 접속수단 46; 봉지재44; Connecting means 46; Encapsulant

48; 도전성볼(conductive ball)48; Conductive ball

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체패키지용 섭스트레이트는 반도체칩이 위치되도록 다수의 관통공이 행과 열을 지어 일정거리 이격된 채 군집되어 하나의 서브-스트립을 이루며, 상기 서브-스트립은 일정길이로 관통된 슬롯을 경계로 다수가 연결되어 하나의 메인-스트립을 형성하는 수지층과; 상기 각 서브-스트립 내의 관통공 외주연인 수지층 일면에 차후 반도체칩과 접속수단으로 접속되고, 또한 차후 도전성볼이 융착되도록 본드핑거 및 볼랜드를 포함하여 이루어진 도전성 회로패턴과; 상기 수지층 및 회로패턴의 표면에 상기 본드핑거 및 볼랜드가 오픈되도록 코팅된 커버코트를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate for a semiconductor package according to the present invention is grouped with a plurality of through holes arranged in rows and columns spaced apart by a predetermined distance so that the semiconductor chip is positioned to form one sub-strip. The resin layer comprises a plurality of resin layers which are connected to a plurality of slots bordered by a predetermined length to form one main strip; A conductive circuit pattern including a bond finger and a ball land so as to be connected to one surface of the resin layer, which is the outer periphery of the through-holes in each of the sub-strips, by a semiconductor chip and a connecting means, and subsequently to bond the conductive balls; And a cover coat coated on the surface of the resin layer and the circuit pattern to open the bond finger and the ball land.

상기 회로패턴이 형성된 수지층의 반대면에는 그라운드링을 더 형성함이 바람직하다. 또한 상기 그라운드링은 적어도 한개 이상의 회로패턴과 전기적으로 연결되도록 함이 바람직하다.It is preferable to further form a ground ring on the opposite surface of the resin layer on which the circuit pattern is formed. In addition, the ground ring is preferably to be electrically connected to at least one or more circuit patterns.

상기 각각의 서브-스트립 외주연에 위치하는 수지층에는 일정면적을 갖는 그라운드플랜을 형성하고, 상기 그라운드플랜은 커버코트에 의해 오픈되도록 하며, 상기 그라운드플랜은 그라운드링과 전기적으로 연결함이 바람직하다.It is preferable that a ground plan having a predetermined area is formed on the resin layer positioned at each outer periphery of the sub-strip, the ground plan is opened by a cover coat, and the ground plan is electrically connected to the ground ring. .

상기 메인-스트립을 이루는 섭스트레이트 일면에는 커버레이테이프를 접착할 수 있다. 상기 커버레이테이프는 각각의 서브-스트립에 낱개로 접착함이 바람직하다. 또한, 상기 각각의 커버레이테이프는 일측이 서브-스트립과 서브-스트립 사이의 경계에 형성된 슬롯까지 덮을 수 있도록 접착함이 바람직하다.The coverlay tape may be adhered to one surface of the substrate forming the main strip. The coverlay tapes are preferably glued to each sub-strip individually. In addition, each coverlay tape is preferably bonded so that one side can cover up to a slot formed at the boundary between the sub-strip and the sub-strip.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체패키지의 제조 방법에 의하면, 반도체칩이 위치되도록 다수의 관통공이 행과 열을 지어 일정거리 이격된 채 군집되어 하나의 서브-스트립을 이루며, 상기 서브-스트립은 일정길이로 관통된 슬롯을 경계로 다수가 연결되어 하나의 메인-스트립을 형성하는 수지층과; 상기 각 서브-스트립 내의 관통공 외주연인 수지층에 차후 반도체칩과 접속수단으로 접속되고, 또한 차후 도전성볼이 융착되도록 본드핑거 및 볼랜드를 포함하여 이루어진 도전성 회로패턴과; 상기 수지층 및 회로패턴의 표면에 상기 본드핑거 및 볼랜드가 오픈되도록 코팅된 커버코트를 포함하여 이루어진 반도체패키지용 섭스트레이트를 제공하는 단계와; 상기 섭스트레이트의 각 서브-스트립 일면에 각 서브-스트립에 형성된 모든 관통공을 폐쇄할 수 있도록 커버레이테이프를 접착하는 단계와; 상기 각각의 관통공에 반도체칩을 위치시켜 상기 커버레이테이프상에 접착시키는 단계와; 상기 반도체칩과 관통공 외주연에 형성된 본드핑거를 전기적 접속수단으로 접속하는 단계와; 상기 반도체칩, 접속수단 등을 외부 환경으로부터 보호하기 위해 상기 관통공을 봉지재로 충진하는 몰딩 단계와; 상기 섭스트레이트에서 커버레이테이프를 제거하는 단계와; 상기 각각의 관통공 외주연에 형성된 볼랜드에 도전성 볼을 융착하는 단계와; 상기 각각의 관통공 외주연을 컷팅하여 낱개의 반도체패키지로 싱귤레이션하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.According to the method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention to achieve the above object, a plurality of through-holes are grouped in a row and a column spaced apart by a predetermined distance so that the semiconductor chip is positioned to form one sub-strip, The strip comprises: a resin layer in which a plurality of strips are connected to the slots penetrated at a predetermined length to form one main strip; Conductive circuit patterns including bond fingers and ball lands to be connected to semiconductor resins and connecting means later on the resin layers that are outer periphery of the through-holes in the respective sub-strips, and to further weld the conductive balls; Providing a substrate for a semiconductor package including a cover coat coated on the surface of the resin layer and the circuit pattern to open the bond finger and the ball land; Adhering a coverlay tape to one surface of each sub-strip so as to close all through holes formed in each sub-strip; Placing a semiconductor chip in each of the through holes and bonding the semiconductor chip onto the coverlay tape; Connecting the bond bonds formed at the outer circumference of the semiconductor chip and the through hole with electrical connection means; A molding step of filling the through hole with an encapsulant to protect the semiconductor chip, the connecting means, and the like from an external environment; Removing the coverlay tape from the substrate; Fusing conductive balls to ball lands formed at outer periphery of each through hole; And cutting the outer periphery of each through hole to singulate into a single semiconductor package.

상기 커버레이테이프 접착 단계는 각각의 서브-스트립 일면에 각각 독립된 커버레이테이프를 접착함이 바람직하다.In the step of attaching the coverlay tape, it is preferable to attach independent coverlay tapes to one surface of each sub-strip.

상기 커버레이테이프 접착 단계는 커버레이테이프의 일측이 서브-스트립과서브-스트립 사이의 경계 영역에 형성된 슬롯을 덮을 수 있도록 접착함이 바람직하다.The step of attaching the coverlay tape is preferably bonded so that one side of the coverlay tape covers a slot formed in the boundary region between the sub-strip and the sub-strip.

상기 커버레이테이프 제거 단계는 서브-스트립과 서브-스트립 사이의 경계 영역에 형성된 슬롯에 펀치를 통과시켜 커버레이테이프의 일측이 섭스트레이트에서 분리되도록 하여 제거함이 바람직하다.Removing the coverlay tape may be performed by passing a punch through a slot formed in the boundary area between the sub-strip and the sub-strip so that one side of the coverlay tape is separated from the substrate.

상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체패키지용 섭스트레이트 및 그 섭스트레이트를 이용한 반도체패키지의 제조 방법에 의하면 섭스트레이트를 다수의 관통공을 갖는 서브-스트립 및 이 서브-스트립이 다수 형성된 메인-스트립으로 구비하여 하나의 섭스트레이트에 수십개에서 수백개에 이르는 초박형 반도체패키지를 동시에 구현할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention for the semiconductor package substrate and the method for manufacturing the semiconductor package using the substrate, the substrate is a sub-strip having a plurality of through holes and a main strip having a plurality of sub-strips formed therein. It is possible to simultaneously implement dozens to hundreds of ultra-thin semiconductor packages in a single substrate.

또한, 각각의 서브-스트립에 서로 독립된 커버레이테이프를 각각 접착함으로써 길이에 비례하여 나타나는 열팽창 계수차에 의한 워페이지 현상을 최소화하여 반도체패키지의 제조 공정중 각종 불량요인을 미연에 방지하게 된다.In addition, by adhering independent coverlay tapes to each sub-strip, the warpage phenomenon due to the coefficient of thermal expansion appearing in proportion to the length is minimized to prevent various defects in the manufacturing process of the semiconductor package.

더불어, 반도체패키지의 제조 공정중 서브-스트립과 서브-스트립의 경계 영역에 구비된 슬롯 사이에 펀치를 통과시켜 커버레이테이프의 일단이 분리되도록 함으로써, 그 커버레이테이프의 제거 작업이 용이해지고 섭스트레이트의 파손을 최소화하게 된다.In addition, one end of the coverlay tape is separated by passing a punch between the sub-strip and the slot provided at the boundary area of the sub-strip during the manufacturing process of the semiconductor package, so that the work of removing the coverlay tape becomes easier and Minimize breakage.

또한, 상기와 같은 섭스트레이트에는 그라운드링이나 그라운드플랜이 더 형성되어 있음으로써, 정전기의 일시적 방전에 의한 반도체칩의 파손 및 섭스트레이트의 회로패턴 파손 등 여러 문제를 제거할 수 있다.In addition, since the ground ring and the ground plan are further formed on the substrates as described above, various problems such as breakage of the semiconductor chip due to temporary discharge of static electricity and breakage of circuit patterns of the substrates can be eliminated.

이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도1a 및 도1b는 본 발명에 의한 반도체패키지(200)용 섭스트레이트(100)를 도시한 평면도 및 저면도이고, 도2는 상기 섭스트레이트(100) 일면에 커버레이테이프(24)가 접착된 상태를 도시한 저면도이다.1A and 1B are a plan view and a bottom view of a substrate 100 for a semiconductor package 200 according to the present invention, and FIG. 2 is a coverlay tape 24 bonded to one surface of the substrate 100. It is a bottom view which shows the state.

먼저 대략 직사각형 모양의 수지층(6)을 기본 재료로 하여, 반도체칩(도시되지 않음)이 위치되도록 다수의 관통공(8)이 매트릭스(matrix) 형상으로 행과 열을 지어 일정 거리 이격된 채 군집되어 하나의 서브-스트립(2)을 이루고 있다. 다시 상기 서브-스트립(2)은 세로 방향으로 일정 길이 관통된 슬롯(26)을 경계로 다수가 가로 방향으로 연결되어 하나의 메인-스트립(4)을 이루고 있다.First, using a substantially rectangular resin layer 6 as a base material, a plurality of through holes 8 are arranged in rows and columns in a matrix shape so that a semiconductor chip (not shown) is located at a predetermined distance from each other. Clustered to form one sub-strip (2). Again, the sub-strips 2 are connected in the transverse direction with the slots 26 penetrating a predetermined length in the longitudinal direction to form one main strip 4.

상기 각각의 서브-스트립(2)내의 관통공(8) 외주연인 수지층(6) 표면에는 차후 반도체칩(42)과 접속수단(44) 예를 들면 골드와이어(gold wire)나 알루미늄와이어(aluminum wire) 같은 전기적 접속수단(44)으로 접속되도록 본드핑거(12)가 형성되어 있고, 또한 차후 도전성볼(48) 예를 들면 솔더볼(solder ball) 등이 융착되도록 상기 본드핑거(12)에 연결되어 볼랜드(14)가 형성되어 있다. 여기서 상기 본드핑거(12) 및 볼랜드(14) 등을 도전성 회로패턴으로 정의한다.On the surface of the resin layer 6, which is the outer periphery of the through-hole 8 in each sub-strip 2, the semiconductor chip 42 and the connecting means 44, for example, gold wire or aluminum wire are subsequently formed. A bond finger 12 is formed to be connected by an electrical connection means 44 such as a wire, and further connected to the bond finger 12 so that a conductive ball 48, for example, a solder ball, is fused. Borland 14 is formed. Here, the bond finger 12 and the ball land 14 are defined as conductive circuit patterns.

상기 수지층(6) 및 회로패턴의 표면에는 상기 본드핑거(12) 및 볼랜드(14)가 외부로 오픈(open, 개방)되도록 고분자 수지인 커버코트(16)가 코팅되어 있으며, 이러한 커버코트(16)는 회로패턴을 외부 환경으로부터 보호함은 물론 전체적인 섭스트레이트(100)의 강성을 확보하게 된다.On the surface of the resin layer 6 and the circuit pattern, a cover coat 16 made of a polymer resin is coated so that the bond finger 12 and the ball land 14 are opened to the outside. 16 not only protects the circuit pattern from the external environment but also secures the overall strength of the substrate 100.

또한 상기 각 관통공(8)의 외주연인 수지층(6)에는 대략 사각링 모양을 하는 도전성 그라운드링(18)이 형성되어 있으며, 이 그라운드링(18)은 적어도 한개 이상의 회로패턴과 전기적으로 연결되어 있다. 이를 좀더 자세히 설명하면, 상기 그라운드링(18)은 상기 본드핑거(12) 및 볼랜드(14)를 포함하는 회로패턴이 형성된 면의 반대면에 형성되어 있으며, 회로패턴과 비아홀(도시되지 않음) 등으로 연결되어 있다. 이와 같은 그라운드링(18)은 반도체칩(42)의 접지는 물론 전체적인 섭스트레이트(100)의 강성을 향상시키게 된다. 또한 상기 그라운드링(18)은 그 표면을 커버코트(16)로 코팅하거나, 또는 코팅하지 않은 채 다만 접착제로 수지층(6) 표면에 접착시켜 놓을 수도 있으며, 이는 당업자의 선택사항에 불과하다.In addition, a conductive ground ring 18 having a substantially rectangular ring shape is formed in the resin layer 6, which is the outer circumference of each through hole 8, and the ground ring 18 is electrically connected to at least one circuit pattern. It is. In more detail, the ground ring 18 is formed on the opposite side of the surface on which the circuit pattern including the bond finger 12 and the borland 14 is formed, and the circuit pattern and the via hole (not shown). Is connected. Such a ground ring 18 improves the rigidity of the overall substrate 100 as well as the ground of the semiconductor chip 42. In addition, the ground ring 18 may be coated on the surface of the resin layer 6 with or without coating the surface of the cover coat 16, but it is only a choice of those skilled in the art.

더불어, 상기 섭스트레이트(100)의 가장자리에 위치하는 수지층(6) 표면에는 일정면적을 갖는 도전성 그라운드플랜(22)이 형성되어 있고, 상기 그라운드플랜(22)은 커버코트에 의해 오픈되어 있으며, 또한 상기 그라운드링(18)과 전기적으로 연결되어 있다. 상기 그라운드플랜(22)은 상기 그라운드링(18)과 다르게 수지층(6)의 양면에 형성할 수 있으며, 이로 인해 제조 공정중 발생하는 정전기를 보다 용이하게 외부로 방출시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, a conductive ground plan 22 having a predetermined area is formed on the surface of the resin layer 6 positioned at the edge of the substrate 100, and the ground plan 22 is opened by a cover coat. It is also electrically connected to the ground ring 18. Unlike the ground ring 18, the ground plan 22 may be formed on both surfaces of the resin layer 6, and thus, the ground plan 22 may more easily discharge static electricity generated during the manufacturing process to the outside.

여기서, 상기 본드핑거(12) 및 볼랜드(14)를 포함하는 회로패턴, 그라운드링(18) 및 그라운드플랜(22) 등은 구리(Cu) 박막으로 형성함이 바람직하지만, 상기 재질로만 한정하는 것은 아니며 도전성 물질이면 어떤 것을 사용하여도 무방하다.Here, the circuit pattern including the bond finger 12 and the borland 14, the ground ring 18 and the ground plan 22 is preferably formed of a copper (Cu) thin film, but limited to only the material Any conductive material may be used as long as it is a conductive material.

한편, 상기 각각의 서브-스트립(2)에는 일면에 접착성이 있는 커버레이테이프(24)를 더 접착할 수 있다. 즉, 도2에 도시된 바와 같이 각각의 서브-스트립(2) 일면에 낱개의 커버레이테이프(24)를 더 접착할 수 있다. 상기와 같은 커버레이테이프(24)는 메인-스트립(4)과 같은 크기를 갖도록 구비하여 상기 메인 스트립 일면 전체에 접착할 수도 있으나, 길이에 비례하여 증가하는 열팽창계수차를 완화하기 위해서는 낱개로 분리된 커버레이테이프(24)를 각각의 서브-스트립(2) 일면에 접착함이 가장 바람직하다.On the other hand, each of the sub-strips 2 can be further adhered to the coverlay tape 24 which is adhesive on one surface. That is, as shown in FIG. 2, a single coverlay tape 24 may be further adhered to one surface of each sub-strip 2. The coverlay tape 24 as described above may be attached to the entire surface of the main strip by having the same size as the main strip 4, but separated in order to alleviate the thermal expansion coefficient that increases in proportion to the length. Most preferably, the covered coverlay tape 24 is adhered to one surface of each sub-strip 2.

또한, 상기 각각의 커버레이테이프(24)는 일측이 서브-스트립(2)과 서브-스트립(2) 사이의 경계에 형성된 슬롯(26)까지 덮을 수 있도록 구비함이 바람직하다. 이는 다음에 설명할 반도체패키지(200) 제조 공정에 있어서, 그 커버레이테이프(24)의 제거를 용이하게 실시하도록 하기 위함이다.In addition, each coverlay tape 24 is preferably provided so that one side can cover up to a slot 26 formed at the boundary between the sub-strip 2 and the sub-strip 2. This is to facilitate the removal of the coverlay tape 24 in the semiconductor package 200 manufacturing process to be described later.

도면중 미설명 부호 28은 섭스트레이트(100)를 각종 제조 장비에 로딩(loading) 및 고정하기 위한 인덱스홀이다.In the figure, reference numeral 28 is an index hole for loading and fixing the substrate 100 to various manufacturing equipment.

상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체패키지(200)용 섭스트레이트(100)는 다수의 관통공(8)을 갖는 서브-스트립(2) 및 이 서브-스트립(2)이 다수 형성된 메인-스트립(4)으로 구비하여 하나의 섭스트레트에 수십개에서 수백개에 이르는 초박형 반도체패키지를 동시에 구현할 수 있게 된다.As described above, the substrate 100 for the semiconductor package 200 according to the present invention includes a sub-strip 2 having a plurality of through holes 8 and a main strip having a plurality of the sub-strips 2 formed therein. 4) it is possible to implement dozens to hundreds of ultra-thin semiconductor packages at the same time in one sub-stretch.

또한, 각각의 서브-스트립(2)에 서로 독립된 커버레이테이프(24)를 각각 접착함으로써 길이에 비례하여 나타나는 열팽창 계수차에 의한 워페이지 현상을 최소화하게 된다.In addition, by adhering independent coverlay tapes 24 to each of the sub-strips 2, the warpage phenomenon due to the thermal expansion coefficient difference that is proportional to the length is minimized.

또한, 커버레이테이프(24)의 제거가 용이하도록 설계함으로써, 그 커버레이테이프(24)의 제거 작업시 섭스트레이트(100)의 파손을 최소화하고, 그라운드링(18) 및 그라운드플랜(22)으로 인하여 섭스트레이트(100)의 강성이 증가함은 물론, 정전기에 의한 영향이 최소화된다.In addition, the coverlay tape 24 is designed to be easily removed, thereby minimizing the breakage of the substrate 100 during the removal work of the coverlay tape 24, and the ground ring 18 and the ground plan 22. Due to this, the rigidity of the substrate 100 is increased, and the influence of static electricity is minimized.

도3a 내지 도3h는 본 발명에 의한 반도체패키지(200)의 제조 방법을 도시한 순차 설명도이다.3A to 3H are sequential explanatory diagrams showing the manufacturing method of the semiconductor package 200 according to the present invention.

먼저 반도체칩(42)이 위치하도록 다수의 관통공(8)이 행과 열을 지어 일정거리 이격된 채 군집되어 하나의 서브-스트립(2)을 이루며, 상기 서브-스트립(2)은 일정길이로 관통된 슬롯(26)을 경계로 다수가 연결되어 하나의 메인-스트립(4)을 형성하는 수지층(6)과; 상기 각 서브-스트립(2) 내의 관통공(8) 외주연인 수지층(6)에 차후 반도체칩(42)과 접속수단(44)으로 접속되고 또한 차후 도전성볼(48)이 융착되도록 본드핑거(12) 및 볼랜드(14)를 포함하여 이루어진 도전성 회로패턴과; 상기 수지층(6) 및 회로패턴의 표면에 상기 본드핑거(12) 및 볼랜드(14)가 오픈되도록 코팅된 커버코트(16)를 포함하여 이루어진 반도체패키지용 섭스트레이트(100)를 제공한다.(도1a, 도1b 및 도3a 참조)First, a plurality of through holes 8 are clustered in a row and a column spaced apart by a predetermined distance so that the semiconductor chip 42 is positioned to form one sub-strip 2, and the sub-strip 2 has a predetermined length. A resin layer 6 which is connected to a plurality of borders of the slots 26 penetrated to form one main strip 4; Bond fingers (10) are connected to the resin layer (6) outer periphery of the through holes (8) in each of the sub-strips (2) by the semiconductor chip (42) and the connecting means (44), and then by the conductive balls (48). 12) and a conductive circuit pattern including the borland 14; It provides a substrate 100 for semiconductor package comprising a cover coat 16 coated to open the bond finger 12 and the ball land 14 on the surface of the resin layer 6 and the circuit pattern. See FIGS. 1A, 1B and 3A)

상기 섭스트레이트(100)의 각 서브-스트립(2) 일면에 그 서브-스트립(2)에 형성된 모든 관통공(8)을 폐쇄할 수 있도록 커버레이테이프(24)를 접착한다.(도3b)The coverlay tape 24 is adhered to one surface of each sub-strip 2 of the substrate 100 so as to close all the through holes 8 formed in the sub-strip 2 (FIG. 3B).

여기서, 상기 커버레이테이프(24)는 서브-스트립(2) 일면에 독립된 형태로 접착함이 바람직하다. 즉, 다수의 서브-스트립(2) 각각에 커버레이테이프(24)를 각각 접착함으로써 각 커버레이테이프(24)가 일정 간격을 갖도록 하는 것이다. 이와같이 함으로써 길이에 비례하여 증가하는 열팽창계수차를 완화하게 되어 반도체패키지(200) 제조 공정중 섭스트레이트(100)의 워페이지 현상을 억제하게 된다. 또한, 상기 커버레이테이프(24)는 그 일측이 서브-스트립(2)과 서브-스트립(2) 사이의 경계 영역에 형성된 슬롯(26)을 덮을 수 있도록 접착함이 바람직하다.Here, the coverlay tape 24 is preferably bonded to the one surface of the sub-strip 2 in an independent form. In other words, the coverlay tapes 24 are attached to each of the plurality of sub-strips 2 so that the coverlay tapes 24 have a predetermined interval. By doing so, the thermal expansion coefficient aberration which increases in proportion to the length is alleviated, thereby suppressing the warpage phenomenon of the substrate 100 during the semiconductor package 200 manufacturing process. In addition, the coverlay tape 24 is preferably bonded so that one side thereof covers the slot 26 formed in the boundary region between the sub-strip 2 and the sub-strip 2.

상기 섭스트레이트(100)에 형성된 각각의 관통공(8)에 반도체칩(42)을 위치시키되, 일면이 상기 커버레이테이프(24)상에 접착되도록 한다.(도3c)The semiconductor chip 42 is positioned in each through hole 8 formed in the substrate 100, and one surface thereof is adhered to the coverlay tape 24 (FIG. 3C).

상기 반도체칩(42)과 관통공(8) 외주연에 형성된 본드핑거(12)를 골드와이어나 알루미늄와이어와 같은 전기적 접속수단(44)으로 접속한다.(도3d)The bond finger 12 formed at the outer circumference of the semiconductor chip 42 and the through hole 8 is connected by electrical connection means 44 such as gold wire or aluminum wire (FIG. 3D).

상기 반도체칩(42), 접속수단(44) 등을 외부 환경으로부터 보호하기 위해 상기 관통공(8)을 에폭시몰딩컴파운드(epoxy molding compound) 또는 액상봉지재(46) 등의 봉지재(46)로 몰딩한다.(도3e)In order to protect the semiconductor chip 42, the connecting means 44, and the like from the external environment, the through hole 8 is formed of an encapsulant 46 such as an epoxy molding compound or a liquid encapsulant 46. Molding (Fig. 3e)

상기 각각의 관통공(8) 외주연에 형성된 볼랜드(14)에 솔더볼과 같은 도전성볼(48)을 융착한다.(도3f)Conductive balls 48 such as solder balls are welded to the ball lands 14 formed at the outer periphery of the respective through holes 8 (FIG. 3F).

상기 섭스트레이트(100)에서 커버레이테이프(24)를 제거한다.(도3g)Remove the coverlay tape 24 from the substrate 100 (Fig. 3g).

이때, 상기 커버레이테이프(24) 제거는 서브-스트립(2)과 서브-스트립(2) 사이의 경계 영역에 형성된 슬롯(26)에 펀치(32)를 통과시켜 커버레이테이프(24)의 일측이 섭스트레이트(100)에서 분리되도록 하여 제거하게 된다. 상기와 같은 방법을 사용하게되면, 모든 서브-스트립(2) 일면에 접착된 커버레이테이프(24)를 용이하게 제거할 수 있게 된다.At this time, the coverlay tape 24 is removed by passing the punch 32 through the slots 26 formed in the boundary area between the sub-strip 2 and the sub-strip 2, and thus, one side of the coverlay tape 24. The substrates 100 are separated and removed. By using the above method, the coverlay tape 24 adhered to one surface of all the sub-strips 2 can be easily removed.

상기 각각의 관통공(8) 외주연을 컷팅하여 낱개의 반도체패키지(200)로 싱귤레이션(singulation)한다.(도3h)The outer periphery of each through hole 8 is cut and singulated into a single semiconductor package 200 (FIG. 3H).

이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기예만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto, and various modifications may be made without departing from the scope and spirit of the present invention.

상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체패키지용 섭스트레이트 및 그 섭스트레이트를 이용한 반도체패키지의 제조 방법에 의하면 섭스트레이트를 다수의 관통공을 갖는 서브-스트립 및 이 서브-스트립이 다수 형성된 메인-스트립으로 구비하여 하나의 섭스트레트에 수십개에서 수백개에 이르는 초박형 반도체패키지를 동시에 구현할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention for the semiconductor package substrate and the method for manufacturing the semiconductor package using the substrate, the substrate is a sub-strip having a plurality of through holes and a main strip having a plurality of sub-strips formed therein. It is effective to implement up to tens to hundreds of ultra-thin semiconductor packages at the same time in one substrain.

또한, 각각의 서브-스트립에 서로 독립된 커버레이테이프를 각각 접착함으로써 길이에 비례하여 나타나는 열팽창 계수차에 의한 워페이지 현상을 최소화하여 반도체패키지의 제조 공정중 각종 불량요인을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, by adhering independent coverlay tapes to each sub-strip, it is possible to minimize warpage phenomena due to thermal expansion coefficient difference that is proportional to the length, thereby preventing various defects in the manufacturing process of the semiconductor package. There is.

더불어, 반도체패키지의 제조 공정중 서브-스트립과 서브-스트립의 경계 영역에 구비된 슬롯 사이에 펀치를 통과시켜 커버레이테이프의 일단이 분리되도록 함으로써, 그 커버레이테이프의 제거 작업을 용이하게 수행하고 섭스트레이트의 파손을 최소화할 수 있는 효과가 있다.In addition, one end of the coverlay tape is separated by passing a punch between the sub-strip and the slots provided at the boundary region of the sub-strip during the manufacturing process of the semiconductor package, thereby easily removing the coverlay tape. There is an effect that can minimize the damage of the substrate.

또한, 상기와 같은 섭스트레이트에는 그라운드링이나 그라운드플랜이 더 형성되어 있음으로써, 정전기의 일시적 방전에 의한 반도체칩의 파손 및 섭스트레이트의 회로패턴 파손 등 여러 문제를 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the ground ring and the ground plan are further formed on the substrates as described above, various problems such as breakage of the semiconductor chip due to temporary discharge of static electricity and breakage of circuit patterns of the substrates can be eliminated.

Claims (11)

반도체칩이 위치되도록 다수의 관통공이 행과 열을 지어 일정거리 이격된 채 군집되어 하나의 서브-스트립을 이루며, 상기 서브-스트립은 일정길이로 관통된 슬롯을 경계로 다수가 연결되어 하나의 메인-스트립을 형성하는 수지층과;A plurality of through-holes are grouped in a row and a column spaced apart by a predetermined distance so that the semiconductor chip is positioned to form a sub-strip, and the sub-strips are connected to a plurality of slots through a predetermined length of one main main line. A resin layer forming a strip; 상기 각 서브-스트립 내의 관통공 외주연인 수지층 일면에 차후 반도체칩과 접속수단으로 접속되고, 또한 차후 도전성볼이 융착되도록 본드핑거 및 볼랜드를 포함하여 이루어진 도전성 회로패턴과;A conductive circuit pattern including a bond finger and a ball land so as to be connected to one surface of the resin layer, which is the outer periphery of the through-holes in each of the sub-strips, by a semiconductor chip and a connecting means, and subsequently to bond the conductive balls; 상기 수지층 및 회로패턴의 표면에 상기 본드핑거 및 볼랜드가 오픈되도록 코팅된 커버코트를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트.Substrates for semiconductor packages comprising a cover coat coated on the surface of the resin layer and the circuit pattern to open the bond finger and the ball land. 제1항에 있어서, 상기 회로패턴이 형성된 수지층의 반대면에는 그라운드링이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트.2. The substrate of claim 1, wherein a ground ring is further formed on an opposite surface of the resin layer on which the circuit pattern is formed. 제2항에 있어서, 상기 그라운드링은 적어도 한개 이상의 회로패턴과 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트.The substrate package of claim 2, wherein the ground ring is electrically connected to at least one circuit pattern. 제2항에 있어서, 상기 각각의 서브-스트립 외주연에 위치하는 수지층에는 일정면적을 갖는 그라운드플랜이 형성되어 있고, 상기 그라운드플랜은 커버코트에 의해 오픈되어 있으며, 상기 그라운드플랜은 그라운드링과 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트.3. The resin layer of claim 2, wherein a ground plan having a predetermined area is formed in the resin layer positioned at each outer periphery of the sub-strip, and the ground plan is opened by a cover coat, and the ground plan is connected to the ground ring. Substrate for a semiconductor package, characterized in that electrically connected. 제1항에 있어서, 상기 메인-스트립을 이루는 섭스트레이트 일면에는 커버레이테이프가 접착된 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트.2. The substrate of claim 1, wherein a coverlay tape is attached to one surface of the substrate forming the main strip. 제4항에 있어서, 상기 커버레이테이프는 각각의 서브-스트립에 낱개로 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트.5. The substrate of claim 4, wherein the coverlay tape is individually bonded to each sub-strip. 제6항에 있어서, 상기 각각의 커버레이테이프는 일측이 서브-스트립과 서브-스트립 사이의 경계에 형성된 슬롯까지 덮을 수 있도록 접착된 것을 특징으로 하는 반도체패키지용 섭스트레이트.7. The substrate of claim 6, wherein each coverlay tape is bonded so that one side can cover a slot formed at a boundary between the sub-strip and the sub-strip. 반도체칩이 위치되도록 다수의 관통공이 행과 열을 지어 일정거리 이격된 채 군집되어 하나의 서브-스트립을 이루며, 상기 서브-스트립은 일정길이로 관통된 슬롯을 경계로 다수가 연결되어 하나의 메인-스트립을 형성하는 수지층과; 상기 각 서브-스트립 내의 관통공 외주연인 수지층 일면에 차후 반도체칩과 접속수단으로 접속되고, 또한 차후 도전성볼이 융착되도록 본드핑거 및 볼랜드를 포함하여 이루어진 도전성 회로패턴과; 상기 수지층 및 회로패턴의 표면에 상기 본드핑거 및 볼랜드가 오픈되도록 코팅된 커버코트를 포함하여 이루어진 반도체패키지용 섭스트레이트를 제공하는 단계와;A plurality of through-holes are grouped in a row and a column spaced apart by a predetermined distance so that the semiconductor chip is positioned to form a sub-strip, and the sub-strips are connected to a plurality of slots through a predetermined length of one main main line. A resin layer forming a strip; A conductive circuit pattern including a bond finger and a ball land so as to be connected to one surface of the resin layer, which is the outer periphery of the through-holes in each of the sub-strips, by a semiconductor chip and a connecting means, and subsequently to bond the conductive balls; Providing a substrate for a semiconductor package including a cover coat coated on the surface of the resin layer and the circuit pattern to open the bond finger and the ball land; 상기 섭스트레이트의 각 서브-스트립 일면에 각 서브-스트립에 형성된 모든 관통공을 폐쇄할 수 있도록 커버레이테이프를 접착하는 단계와;Adhering a coverlay tape to one surface of each sub-strip so as to close all through holes formed in each sub-strip; 상기 각각의 관통공에 반도체칩을 위치시켜 상기 커버레이테이프상에 접착시키는 단계와;Placing a semiconductor chip in each of the through holes and bonding the semiconductor chip onto the coverlay tape; 상기 반도체칩과 관통공 외주연에 형성된 본드핑거를 전기적 접속수단으로 접속하는 단계와;Connecting the bond bonds formed at the outer circumference of the semiconductor chip and the through hole with electrical connection means; 상기 반도체칩, 접속수단 등을 외부 환경으로부터 보호하기 위해 상기 관통공을 봉지재로 충진하는 몰딩 단계와;A molding step of filling the through hole with an encapsulant to protect the semiconductor chip, the connecting means, and the like from an external environment; 상기 섭스트레이트에서 커버레이테이프를 제거하는 단계와;Removing the coverlay tape from the substrate; 상기 각각의 관통공 외주연에 형성된 볼랜드에 도전성볼을 융착하는 단계와;Fusing conductive balls to ball lands formed at outer periphery of each through hole; 상기 각각의 관통공 외주연을 컷팅하여 낱개의 반도체패키지로 싱귤레이션하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체패키지의 제조 방법.And cutting the outer periphery of each through hole to singulate the semiconductor package into a single semiconductor package. 제8항에 있어서, 상기 커버레이테이프 접착 단계는 각각의 서브-스트립 일면에 각각 독립된 커버레이테이프를 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 제조 방법.The method of claim 8, wherein the attaching the coverlay tape to each of the sub-strips comprises attaching independent coverlay tapes to each of the sub-strips. 제9항에 있어서, 상기 커버레이테이프 접착 단계는 커버레이테이프의 일측이 서브-스트립과 서브-스트립 사이의 경계 영역에 형성된 슬롯을 덮을 수 있도록 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 제조 방법.The method of claim 9, wherein the attaching of the coverlay tape comprises bonding one side of the coverlay tape to cover a slot formed in a boundary area between the sub-strip and the sub-strip. 제8항에 있어서, 상기 커버레이테이프 제거 단계는 서브-스트립과 서브-스트립 사이의 경계 영역에 형성된 슬롯에 펀치를 통과시켜 커버레이테이프의 일측이 섭스트레이트에서 분리되도록 하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 제조 방법.10. The method of claim 8, wherein the coverlay tape removing step includes removing a coverlay tape by separating a side of the coverlay tape by passing a punch through a slot formed in a boundary area between the sub-strip and the sub-strip. Method of manufacturing a semiconductor package.
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