KR100357529B1 - Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device - Google Patents

Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR100357529B1
KR100357529B1 KR1020000002043A KR20000002043A KR100357529B1 KR 100357529 B1 KR100357529 B1 KR 100357529B1 KR 1020000002043 A KR1020000002043 A KR 1020000002043A KR 20000002043 A KR20000002043 A KR 20000002043A KR 100357529 B1 KR100357529 B1 KR 100357529B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test bench
semiconductor device
probe
contact
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020000002043A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20010075738A (en
Inventor
김도열
최흥근
Original Assignee
김도열
최흥근
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김도열, 최흥근 filed Critical 김도열
Priority to KR1020000002043A priority Critical patent/KR100357529B1/en
Publication of KR20010075738A publication Critical patent/KR20010075738A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100357529B1 publication Critical patent/KR100357529B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대는 시험대상인 다수개의 반도체 소자를 각각 수용하는 U홈이 형성된 하부시험대와; 대략 중앙에 관통공이 형성된 기판과, 상기 반도체 소자와 일괄 접촉할 수 있도록 상기 기판에 연결된 다수개의 탐침을 구비하는 상부시험대와; 상기 하부시험대 위에 상기 상부시험대를 착탈식으로 결합하는 결합수단을 포함하여 다수의 반도체 소자를 일괄 접촉하여 시험할 수 있다.The plurality of semiconductor device collective contact test benches include: a lower test bench having a U-groove for receiving a plurality of semiconductor devices, respectively; An upper test bench having a substrate having a through hole formed at a center thereof, and a plurality of probes connected to the substrate to collectively contact the semiconductor element; A plurality of semiconductor devices may be tested by collective contact, including coupling means for detachably coupling the upper test bench to the lower test bench.

Description

다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대{Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device}Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device

본 발명은 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면 다수개의 반도체 소자를 일괄적으로 시험할 때 각 소자의 전극을 일괄적으로 접촉하여 시험하는 시험대에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plurality of semiconductor device collective contact test benches, and more particularly, to a test bench for collectively contacting and testing electrodes of respective devices when testing a plurality of semiconductor devices collectively.

일반적으로 제조공정 및 조립공정을 거쳐 생산된 반도체 소자는 적합한 품질과 신뢰성을 확보하여야 한다. 따라서 각 공정을 거친 반도체 소자가 특정의 기준에 적합한 특성을 갖는 지를 시험함으로써 각 공정과정에서의 불량 발생 정도를 최소화하고 완제품의 신뢰성을 최대화 할 수 있다. 이와 같은 시험에는 예컨대 -40℃ 내지 85℃의 다양한 온도범위에서 일정시간(예컨대 96시간 이상) 동안 반도체 특성 변화를 시험하는 번-인(Burn-in) 시험 등이 있다.In general, semiconductor devices produced through manufacturing and assembly processes must ensure proper quality and reliability. Therefore, by testing whether a semiconductor device that has undergone each process has characteristics that meet specific criteria, it is possible to minimize the occurrence of defects in each process and maximize the reliability of the finished product. Such tests include, for example, burn-in tests, which test semiconductor property changes for a period of time (eg, 96 hours or more) at various temperature ranges from -40 ° C to 85 ° C.

이러한 시험을 수행하기 위하여 반도체 소자를 장착하는 시험대가 필요하며, 종래의 반도체 소자 시험대는 하나의 반도체 소자를 접착제등을 사용하여 장착하고 장착된 반도체 소자를 개별적으로 시험하였다. 여기서 반도체 소자를 정확한 위치에 장착하여야 정확한 시험결과를 얻을 수 있기 때문에 반도체 소자를 시험대의 정확한 위치 에 정확한 방향으로 장착하는 것이 대단히 중요하다. 예를 들면 광통신용 소자에 있어서는 발광 및 수광하는 방향이나 위치가 정확하지 않으면 잘못된 시험결과가 산출되기 때문이다.In order to perform such a test, a test bench for mounting a semiconductor device is required. In the conventional semiconductor device test bench, one semiconductor device is mounted using an adhesive or the like and the mounted semiconductor devices are individually tested. In this case, it is very important to mount the semiconductor device in the correct position on the test table because the semiconductor device should be mounted at the correct position to obtain the correct test result. For example, in the case of an optical communication element, an incorrect test result is calculated if the direction and position of light emission and light reception are not correct.

그러나, 종래의 반도체 소자 시험대의 정확한 위치에 정확한 방향으로 반도체 소자를 장착하는 것이 용이하지 않기 때문에 이를 위하여 숙련된 기술을 요하는 문제점이 있었다.However, since it is not easy to mount the semiconductor device in the correct direction at the exact position of the conventional semiconductor device test bench, there is a problem that requires a skilled technique for this.

또한, 장착과정에서 잘못 장착되는 경우에는 시행착오를 통해 수정하지 않으면 안되며 이때에는 이미 접착 고정된 반도체 소자를 다시 분리하여 재차 접착하여야 하기 때문에 시험대상인 반도체 소자에 바람직하지 않은 충격이 가해지고 그 결과 제품이 불량이 되는 문제점이 있었다.In addition, if it is incorrectly mounted in the mounting process, it must be corrected through trial and error, and at this time, since the semiconductor device that is already bonded and fixed must be detached and bonded again, an undesired impact is applied to the semiconductor device under test. There was a problem of this defect.

뿐만 아니라, 각 시험대에 하나의 반도체 소자를 장착하여 시험하기 때문에 시험대의 사용 효율이 낮은 문제점이 있었다.In addition, there is a problem in that the use efficiency of the test bench is low because one semiconductor device is mounted and tested on each test bench.

본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 다수 반도체 소자를 일괄적으로 접촉하여 시험할 수 있는 시험대를 제공함으로써 시험 효율을 높일 뿐만 아니라, 비숙력자도 용이하게 장착하여 시험할 수 있도록 하는 데 있다.An object of the present invention is to solve such a conventional problem, by providing a test bench that can be tested by contacting a large number of semiconductor devices in a batch, not only to increase the test efficiency, but also to easily test the non-skilled person. To help.

본 발명의 다른 목적은 시험을 위한 탐침이 시험대상인 반도체 소자와 긴밀하게 접촉하는 신뢰성 높은 시험대를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a reliable test bench in which the probe for testing is in intimate contact with the semiconductor device under test.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a plurality of semiconductor device package contact test bench according to an embodiment of the present invention.

도2은 본 발명의 실시예에 따른 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대에 사용되는 결합수단의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view showing another embodiment of the coupling means used in the multiple semiconductor device package contact test bench according to an embodiment of the present invention.

도3는 도1의 III-III선에 따른 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG.

도4는 본 발명의 실시예에 따른 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대에 사용되는 지그부의 확대 사시도이다.4 is an enlarged perspective view of a jig portion used in a plurality of semiconductor element package contact test bench according to an embodiment of the present invention.

도5는 도4의 V-V선에 따른 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line V-V of FIG.

도6은 본 발명의 실시예에 따른 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대에서 시험되는 서브마운트의 사시도이다.6 is a perspective view of a submount tested in multiple semiconductor device batch contact test benches in accordance with an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 하부시험대 18 : 고정부10: lower test bench 18: fixed part

20 : 지그부 22 : U홈20: jig portion 22: U groove

40 : 상부시험대 41 : 관통공40: upper test bench 41: through hole

42 : 탐침 44 : 지지부42: probe 44: support

48 : 기판 52,54 : 커넥터48: Board 52, 54: Connector

60 : 서브마운트60: submount

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따른 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대는 시험대상인 다수개의 반도체 소자를 각각 수용하는 U홈이형성된 하부시험대와; 대략 중앙에 관통공이 형성된 기판과, 상기 반도체 소자와 일괄 접촉할 수 있도록 상기 기판에 연결된 다수개의 탐침을 구비하는 상부시험대와; 상기 하부시험대 위에 상기 상부시험대를 착탈식으로 결합하는 결합수단을 포함한다.In order to achieve the above object, a plurality of semiconductor device batch contact test bench according to an embodiment of the present invention includes a lower test bench formed with a U groove each receiving a plurality of semiconductor devices to be tested; An upper test bench having a substrate having a through hole formed at a center thereof, and a plurality of probes connected to the substrate to collectively contact the semiconductor element; And a coupling means for detachably coupling the upper test bench to the lower test bench.

상기 상부시험대는 상기 하부시험대를 위에 올려놓을 수 있도록 형성된 고정부를 더 구비한 것을 특징으로 한다.The upper test bench is characterized in that it further comprises a fixing portion formed to put the lower test bench on.

상기 탐침은 상기 기판 하부 상기 중앙 관통공 주위에 설치된 지지부에 의하여 경사지게 지지되는 것을 특징으로 한다.The probe may be inclinedly supported by a support part provided around the center through hole in the lower portion of the substrate.

상기 탐침은 접착제에 의하여 상기 지지부에 고정되는 것을 특징으로 한다.The probe is characterized in that it is fixed to the support by an adhesive.

상기 U홈은 4면 가장자리를 따라 경사측면이 형성된 것을 특징으로 하며, 또한 상기 U홈과 그 인접부위는 테프론 코팅이 되어진 것을 특징으로 한다.The U-groove is characterized in that the inclined side is formed along the four edges, and the U-groove and its adjacent portion is characterized in that the Teflon coating.

상기 반도체 소자는 반도체 칩 및 전극이 형성된 서브마운트인 것을 특징으로 한다.The semiconductor device may be a submount in which a semiconductor chip and an electrode are formed.

상기 상부시험대는 상기 탐침과 연결되는 시험용핀 및 상기 시험용핀과 전기적으로 연결되는 커넥터를 더 구비한 것을 특징으로 한다.The upper test bench may further include a test pin connected to the probe and a connector electrically connected to the test pin.

첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 이하에서 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도1을 참조하면, 상부시험대(40)는 예컨대 고정용 너트와 같은 결합수단(49)에 의하여 하부시험대(10)위에 착탈식으로 결합된다. 하부시험대(10)에 설치된 고정부(18)는 상부시험대(40)의 위치를 고정하여 하부시험대(10)와 상부시험대(40)사이에 일정간격이 형성되게 한다. 한편, 하부시험대(10)에 고정부(18)를 설치할 때 하부시험대(10)의 상면으로부터 고정부(18)의 높이를 조절할 있도록 예컨대 고정부(18)의 하부인 하부시험대(10)와의 결합부위에 나사부(미도시)를 설치할 수도 있다.Referring to FIG. 1, the upper test bench 40 is detachably coupled onto the lower test bench 10 by, for example, a coupling means 49 such as a fixing nut. The fixed part 18 installed in the lower test bench 10 fixes the position of the upper test bench 40 so that a predetermined interval is formed between the lower test bench 10 and the upper test bench 40. On the other hand, when the fixing unit 18 is installed on the lower test bench 10, the coupling with the lower test bench 10, which is the lower part of the fixing unit 18, for example, to adjust the height of the fixing unit 18 from the upper surface of the lower test bench 10. Screw portions (not shown) may be provided at the site.

하부시험대(10)와 상부시험대(40)사이에 일정간격이 형성되도록 착탈식으로 결합하는 방법에는 다양한 방법이 사용될 수 있는 바, 예컨대 도2에 도시된 바와 같이 상부시험대(40)의 고정핀(420)이 삽입되는 관통공(410)을 하부시험대(10)에 설치하여 고정핀(420)을 관통공(410)에 삽입결합하고 상부시험대(40)가 고정부(480)에 닿도록 하며, 하부시험대(10)의 양측에 설치된 결합수단인 착탈식 체결용 클립(미도시)에 의하여 상부시험대(40)가 움직이지 않도록 고정하는 방법도 있다.Various methods may be used in the method of detachably coupling a predetermined interval between the lower test bench 10 and the upper test bench 40, for example, the fixing pin 420 of the upper test bench 40 as shown in FIG. ) Is inserted into the through hole 410 is inserted into the lower test bench 10 by inserting the fixing pin 420 into the through hole 410 and the upper test bench 40 to the fixed part 480, the lower There is also a method of fixing the upper test bench 40 so as not to move by a removable fastening clip (not shown) installed on both sides of the test bench 10.

하부시험대(10)의 고정부(18,480) 및 이 고정부(18,480)에 닿는 상부시험대(40)의 접촉부는 일정한 정밀도로서 가공을 하여 하부시험대(10)와 상부시험대(40)사이가 일정한 간격이 유지되도록 하는 것이 중요하다.The fixed portion 18,480 of the lower test bench 10 and the contact portion of the upper test bench 40 which touches the fixed portion 18,480 are machined with a certain precision, so that there is a constant gap between the lower test bench 10 and the upper test bench 40. It is important to keep it.

하부시험대(10)에는 시험하고자 하는 반도체 소자를 수용하는 다수의 U홈(22)을 형성한다. U홈(22)을 하부시험대(10)에 직접 형성할 수도 있고, 또는 도시된 바와 같이 별도의 지그부(20)에 다수의 U홈(22)을 형성한 후에 지그부(20)를 체결부(24)에 의해 하부시험대(10)와 체결할 수도 있다.The lower test bench 10 is formed with a plurality of U grooves 22 to accommodate the semiconductor device to be tested. The U groove 22 may be formed directly on the lower test bench 10, or as shown, after forming a plurality of U grooves 22 in a separate jig part 20, the fastening part of the jig part 20 is formed. It may be fastened to the lower test bench 10 by (24).

온도측정을 위하여 측정기 예컨대 써머커플(Thermocouple)을 하부시험대(10)에 부착하고 이에 온도측정용 단자(16)를 연결하여 상부시험대(40)의 커넥터(54)와착탈식으로 연결할 수도 있다. 온도 측정기는 도시된 바와 같이 하부시험대(10)를 상부 및 하부로 분리하여 그 상부와 하부사이에 설치할 수도 있다.In order to measure the temperature, a thermocouple may be attached to the lower test bench 10 and the terminal 16 for temperature measurement may be connected to the connector 54 of the upper test bench 40. As shown in the drawing, the lower test bench 10 may be installed between the upper and lower parts by separating the upper and lower parts.

하부시험대(10)의 양측에 돌출 설치된 장착용 돌기(19)는 시험대를 랙(rack)형태의 모듈에 용이하게 장착할 수 있게 한다.Mounting protrusions 19 protruding from both sides of the lower test bench 10 allows the test bench to be easily mounted to a rack-shaped module.

상부시험대(40)에는 기판(48)하부에 설치되어 지지부(44)에 의해 지지되는 탐침(42)이 형성되어 있으며, 작업자가 탐침(42) 및 이와 접촉하는 반도체 소자(60)를 상부에서 볼 수 있도록 기판(48)의 대략 중앙에 관통공(41)이 형성된다. 탐침(42)의 일단은 자유단으로 시험대상 반도체 소자와 접촉하는 부분이고, 타단은 기판(48)에 고정되어 시험용핀(47)과 연결된다.The upper test bench 40 is formed with a probe 42 installed below the substrate 48 and supported by the support 44. An operator views the probe 42 and the semiconductor device 60 in contact therewith. Through-holes 41 are formed at approximately the center of the substrate 48 so as to be possible. One end of the probe 42 is a free end and is in contact with the semiconductor device under test, and the other end is fixed to the substrate 48 and connected to the test pin 47.

커넥터(52)는 시험용핀(47)과 전기적으로 연결되므로 탐침(42)에 의해 접촉되어 연결된 반도체 소자(60)에 전기적으로 연결된다. 따라서 커넥터(52)는 시험대상인 반도체 소자(60)에 전기적 신호를 공급하고 이에 흐르는 전류를 외부 회로와 연결하는 것을 용이하게 한다.Since the connector 52 is electrically connected to the test pin 47, the connector 52 is electrically connected to the semiconductor element 60 which is contacted and connected by the probe 42. Therefore, the connector 52 facilitates supplying an electrical signal to the semiconductor device 60 under test and connecting the current flowing thereto with an external circuit.

도3을 참조하면, 탐침(42)은 지지부(44)에 의해 지지되는데, 예컨대 에폭시와 같은 접착제(46)로 지지부(44)에 고정 지지되는 것이 바람직하다. 탐침(42)은 시험대상인 반도체 소자(60)와 접촉하는 접촉면적을 크게 하기 위하여 경사지게 설치되는 것이 바람직하며, 탐침(42)의 접촉부(42a)를 수직방향으로 약간 구부려 설치함으로써 시험대상인 반도체 소자(60)와의 접촉을 보다 확실히 할 수 있다.Referring to Figure 3, the probe 42 is supported by the support 44, which is preferably fixed to the support 44 with an adhesive 46 such as epoxy. The probe 42 is preferably inclined so as to increase the contact area in contact with the semiconductor device 60 as a test object. The contact with 60 can be made more secure.

탐침(42)은 전기전도도가 높은 고탄성 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 그러면 반복 사용시에도 탐침(42)의 위치가 정밀하게 유지될 뿐만 아니라, 탐침(42)이 소자(60)와 접촉할 때 탐침(42)의 탄성력에 의해 반도체 소자(60)의 전극 표면을 긁으면서 접촉하기 때문에 전극에 형성된 산화막을 제거하는 효과가 있어 접촉성이 향상되고 접촉 전기저항이 감소되는 효과가 있다. 탐침(42)의 재질로는 예컨대 텅스텐 또는 베릴률동(BeCu)을 사용할 수 있다.The probe 42 is preferably made of a high elastic material having high electrical conductivity. Then, the position of the probe 42 is precisely maintained even after repeated use, and the electrode surface of the semiconductor element 60 is scratched by the elastic force of the probe 42 when the probe 42 comes into contact with the element 60. Because of the contact, there is an effect of removing the oxide film formed on the electrode, thereby improving the contactability and reducing the contact electrical resistance. As the material of the probe 42, for example, tungsten or beryl copper (BeCu) may be used.

탐침(42)을 고정하는 지지부(44)는 고온에서도 변형이 작은 소재 예컨대 세라믹을 사용하는 것이 바람직하다. 지지부(44)는 관통공(41) 가장자리인 기판(48)하부에 연속하여 설치함으로써 기판(48)의 변형을 최소화할 수 있다.As for the support part 44 which fixes the probe 42, it is preferable to use the material with small deformation | transformation, such as ceramic, even at high temperature. The support 44 may be continuously disposed below the substrate 48, which is an edge of the through hole 41, to minimize deformation of the substrate 48.

도4는 반도체 소자(60)가 놓여지는 지그부(20)의 U홈(22)을 보다 상세히 도시한 것이다. U홈(22)은 도5에 도시된 바와 같이 바닥면(22c)과 U홈(22)의 4면 가장자리를 따라 경사로 형성된 경사측면(22a)을 구비한다. 여기서 바닥면(22c)의 크기는 수용되는 반도체 소자(60)가 적절하게 안착될 수 있는 정도의 크기로 한다. 반도체 소자는 경사측면(22a)을 따라 미끄러져서 바닥면(22c)에 수용된다. 반도체 소자가 보다 잘 고정되도록 하기 위하여 바닥면(22c)에 대략 수직인 수직면(22b)을 형성할 수도 있다.4 shows the U-groove 22 of the jig portion 20 in which the semiconductor element 60 is placed. The U-groove 22 has a bottom surface 22c and an inclined side surface 22a formed obliquely along the four-sided edges of the U-groove 22, as shown in FIG. Here, the size of the bottom surface 22c is such that the size of the semiconductor element 60 accommodated can be properly seated. The semiconductor element slides along the inclined side surface 22a and is accommodated in the bottom surface 22c. In order to better secure the semiconductor device, a vertical surface 22b that is approximately perpendicular to the bottom surface 22c may be formed.

한편 U홈(22)과 그 인접부위는 마찰계수가 작은 재질 예를 들면 테프론(Teflon; 미국 듀퐁사의 상품명)으로 코팅을 하여 수용되는 반도체 소자(60)가 용이하게 U홈(22)내에 안착되게 하는 것이 바람직하다. 코팅은 수용되는 반도체 소자(60)가 U홈(22)에 안착될 때 흠집이 발생하는 것을 방지하며, 또한 반도체 소자(60)와 U홈(22)간의 절연특성을 보다 향상시킨다.Meanwhile, the U groove 22 and its adjacent portion are coated with a material having a small coefficient of friction, for example, Teflon (trade name of DuPont, USA) so that the semiconductor device 60 accommodated therein is easily seated in the U groove 22. It is desirable to. The coating prevents scratches from occurring when the semiconductor element 60 to be accommodated is seated in the U groove 22, and further improves the insulating properties between the semiconductor element 60 and the U groove 22.

설명의 편의를 위하여 본 발명의 시험대상인 반도체 소자(60)는 하나의 칩인것으로 설명하였으나, 도6에 도시한 바와 같이 다수의 칩 예컨대 광통신용 레이저 다이오드(62) 및 포토 다이오드(64)가 부착되고 전극(66)에 의해 연결된 서브마운트(Submount)일 수도 있다. 서브마운트는 칩의 열방출, 신뢰성 및 안정성을 위하여 필요에 따라 실리콘, 구리, 세라믹 등의 다양한 소재가 사용될 수 있다.For convenience of description, the semiconductor device 60, which is a test object of the present invention, has been described as one chip. However, as shown in FIG. 6, a plurality of chips such as an optical communication laser diode 62 and a photodiode 64 are attached. It may also be a submount connected by an electrode 66. The submount can be a variety of materials such as silicon, copper, ceramics, etc. as needed for heat dissipation, reliability and stability of the chip.

본 발명에 따른 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대의 작용을 설명하면 다음과 같다. 즉,Referring to the operation of a plurality of semiconductor device package contact test bench according to the present invention. In other words,

하부시험대(10)와 상부시험대(40)가 분리된 상태에서 다수의 U홈(22)에 각각 반도체 소자(60)를 장착한 후에, 상부시험대(40)를 하부시험대(10)위에 올려놓고 결합수단에 의해 양 시험대를 결합한다. 그러면 상부시험대(40)에 설치된 탐침(42)이 수용된 각각의 반도체 소자(60)의 전극에 일괄 접촉되고 커넥터(52)에 의하여 외부 회로와 연결된 반도체 소자(60)를 시험할 수 있다. 이때 기판(48)에 관통공(41)이 형성되어 있어 탐침(42)이 반도체 소자(60)에 접촉된 여부를 육안으로 용이하게 확인할 수 있으며, 또한 기판(48)에 형성된 시험용핀(47)을 사용하여 탐침(42)과 반도체 소자(60)간의 접촉이 제대로 이루어져 있는 지를 간편하게 점검할 수도 있다.After mounting the semiconductor device 60 to each of the plurality of U grooves 22 while the lower test bench 10 and the upper test bench 40 are separated, the upper test bench 40 is placed on the lower test bench 10 and coupled. Combine both test benches by means. Then, the semiconductor element 60 connected to the external circuit by the connector 52 and the probe 42 installed on the upper test bench 40 in contact with the electrodes of the respective semiconductor elements 60 can be tested. At this time, the through hole 41 is formed in the substrate 48, so that the probe 42 can be easily visually checked whether the semiconductor element 60 is in contact with the semiconductor element 60, and the test pin 47 formed on the substrate 48. It is also possible to simply check whether the contact between the probe 42 and the semiconductor element 60 is properly made using.

본 발명에 따른 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대는 비단 번-인 시험 뿐만 아니라 다양한 형태의 반도체 소자 또는 반도체 소자가 부착된 서브마운트에 사용할 수 있다.The multiple semiconductor device batch contact test bench according to the present invention can be used for various types of semiconductor devices or submounts to which semiconductor devices are attached, as well as non-burn-in tests.

이상 실시예를 들어 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상 및 기술범위내에서 각종 변경 및 개량이 가능하며, 본 발명에 따른 효과는 반도체 소자 시험 분야에서 다양하게 변형되어 이용될 수가 있다.Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and improvements can be made within the spirit and scope of the present invention. Various modifications can be used in the field of device testing.

본 발명은 U홈을 이용하여 시험대상인 반도체 소자를 시험대에 장착하기 때문에 숙련된 기술이 없이도 반도체 소자를 시험대에 정확한 위치에 장착할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since the U-groove is used to mount the semiconductor device to be tested on the test bench, there is an effect that the semiconductor device can be mounted on the test bench at an accurate position without skilled skills.

또한 시험단자인 탐침과 반도체 소자간의 접촉을 육안으로 확인할 수 있기 때문에 접촉상태를 용이하게 점검할 수 있다.In addition, the contact between the probe and the semiconductor device, which is a test terminal, can be visually confirmed, so the contact state can be easily checked.

그리고, 시험 대상인 다수 반도체 소자를 일괄적으로 접촉하여 시험하기 때문에 시험을 효과적으로 행할 수 있다.In addition, the test can be performed effectively because a plurality of semiconductor devices which are the test targets are contacted and tested at the same time.

따라서 반도체 소자의 시험을 효과적으로 수행하여 투입되는 인력과 장비의 효율성을 증대시키며 반도체 소자의 생산원가를 대폭 절감하는 현저한 효과가 있다.Therefore, it is possible to effectively test the semiconductor device, thereby increasing the efficiency of manpower and equipment input and significantly reducing the production cost of the semiconductor device.

Claims (8)

시험대상인 다수개의 반도체 소자를 각각 수용하는 U홈이 형성된 하부시험대;A lower test bench having a U groove for receiving a plurality of semiconductor elements to be tested; 대략 중앙에 관통공이 형성된 기판과, 상기 반도체 소자와 일괄 접촉할 수 있도록 상기 기판에 연결된 다수개의 탐침을 구비하는 상부시험대; 및An upper test bench having a substrate having a through hole formed at a center thereof, and a plurality of probes connected to the substrate to collectively contact the semiconductor element; And 상기 하부시험대 위에 설치되어 상기 상부시험대를 착탈식으로 결합하는 결합수단을 포함하고,A coupling means installed on the lower test bench and detachably coupling the upper test bench, 상기 하부시험대의 U홈은 4면 가장자리를 따라 경사측면이 형성된 것을 특징으로 하는 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대.U-groove of the lower test bench is a plurality of semiconductor device batch contact test bench, characterized in that the inclined side is formed along the four edges. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부시험대는 상기 하부시험대를 위에 올려놓을 수 있도록 형성된 고정부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대.The upper test bench is a plurality of semiconductor device batch contact test bench, characterized in that further provided with a fixed portion formed to put the lower test bench on. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 탐침은 상기 기판 하부 상기 중앙 관통공 주위에 설치된 지지부에 의하여 경사지게 지지되는 것을 특징으로 하는 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대.And the probe is inclinedly supported by a support provided around the center through hole in the lower portion of the substrate. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 탐침은 접착제에 의하여 상기 지지부에 고정되는 것을 특징으로 하는 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대.And the probe is fixed to the support by an adhesive. 삭제delete 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 U홈과 그 인접부위는 테프론 코팅이 되어진 것을 특징으로 하는 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대.The U-groove and its adjacent portion are Teflon coated, a plurality of semiconductor device batch contact test bench. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반도체 소자는 반도체 칩 및 전극이 형성된 서브마운트인 것을 특징으로 하는 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대.And said semiconductor device is a submount in which a semiconductor chip and an electrode are formed. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 상부시험대는 상기 탐침과 연결되는 시험용핀 및 상기 시험용핀과 전기적으로 연결되는 커넥터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 다수 반도체 소자 일괄 접촉식 시험대.The upper test bench is a plurality of semiconductor device batch contact test bench, characterized in that further comprising a test pin connected to the probe and a connector electrically connected to the test pin.
KR1020000002043A 2000-01-17 2000-01-17 Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device KR100357529B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000002043A KR100357529B1 (en) 2000-01-17 2000-01-17 Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000002043A KR100357529B1 (en) 2000-01-17 2000-01-17 Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010075738A KR20010075738A (en) 2001-08-11
KR100357529B1 true KR100357529B1 (en) 2002-10-18

Family

ID=19639085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000002043A KR100357529B1 (en) 2000-01-17 2000-01-17 Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100357529B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196537A (en) * 1992-12-24 1994-07-15 Nippon Maikuronikusu:Kk Electric circuit inspection method and device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196537A (en) * 1992-12-24 1994-07-15 Nippon Maikuronikusu:Kk Electric circuit inspection method and device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010075738A (en) 2001-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6064217A (en) Fine pitch contact device employing a compliant conductive polymer bump
US5495179A (en) Carrier having interchangeable substrate used for testing of semiconductor dies
KR100502119B1 (en) Contact structure and assembly mechanism thereof
KR100779329B1 (en) Segmented contactor
US7956627B2 (en) Probe card, semiconductor inspecting apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
US6258609B1 (en) Method and system for making known good semiconductor dice
US7656174B2 (en) Probe cassette, semiconductor inspection apparatus and manufacturing method of semiconductor device
US5475317A (en) Singulated bare die tester and method of performing forced temperature electrical tests and burn-in
US7898272B2 (en) Probe card
US7427869B2 (en) Resilient contact probe apparatus
KR100221951B1 (en) Test part of ic handler
US20020011859A1 (en) Method for forming conductive bumps for the purpose of contrructing a fine pitch test device
US5926027A (en) Apparatus and method for testing a device
KR101674135B1 (en) Probe card
US8117740B2 (en) Method and apparatus for manufacturing a probe card
KR100342015B1 (en) Probe card
US20070202714A1 (en) Test contact system for testing integrated circuits with packages having an array of signal and power contacts
KR100691164B1 (en) Probe card assembly
KR20180130687A (en) Inspecting apparatus for electronic device
KR100357529B1 (en) Test Apparatus by Batch Type Contact of multiple semiconductor device
US20100201390A1 (en) Probe card, method for manufacturing probe card, and prober apparatus
US5766978A (en) Process for testing an integrated circuit package using an integrated circuit package retainer
JPH0630367B2 (en) Probe card
US20020192987A1 (en) Semiconductor device-socket
KR20130134101A (en) Probe card

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111010

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121008

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee