KR100314198B1 - 액티브매트릭스형액정표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 횡전계에 의해 액정을 구동하는 구성에 있어서 고시야각 특성을 가진채 개구율을 높이는 것이 가능한 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 한쌍의 기판(40), (41) 간에 액정42을 배설하고, 상기 한쪽 기판의 대향면에 복수의 게이트배선(50)과 복수의 소스배선51을 서로 직교하여 설치하고, 상기 게이트배선과 소스배선의 각 교차점 근방에 박막트랜지스터T를 설치하고, 상기 박막트랜지스터에 의해 구동되는 화소전극(54) 및 상기 화소전극의 각각과 협동하여 상기 액정에 상기 기판면을 따른 방향으로 횡전계를 인가하여 복수의 화소전극을 형성하는 코몬전극(53)을 설치하고 동시에 상기 코몬전극을 상기 게이트배선과 절연성의 격리층(56), 57을 개재하여 설치함과 함께 상기 코몬전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분을 상기 게이트배선 근방에 설치한 것을 특징으로 한다.

Description

액티브매트릭스형 액정표시장치

본 발명은 기판면을 따른 방향으로 횡전계를 인가하여 액정의 배향제어를 행하는 액티브매트릭스형 액정표시장치에 관한 것으로, 개구율을 높이는 것이 가능한 구조에 관한 것이다.

최근 TN모드의 액정표시소자에 있어서 좌우방향으로부터의 시인성은 비교적 양호하지만, 상하방향으로부터의 시인성은 나쁘기 때문에 시야각의존성이 높다고 하는 문제를 가지고 있었다. 그래서 본 출원인은 앞서 이러한 문제점을 해결할 수 있는 구조의 액정표시소자를 개발했다.

이들의 기술에 의하면, 액정층을 협재하는 상하양측 기판에 각각 액정구동용의 전극을 설치하는 것이 아니고, 도10에 나타내듯이 하기판(11)에만 다른 극인 2종의 선상전극(12…, 13…)을 서로 이간시켜 설치하고, 도10에 나타내듯이 상기판 (10)에 전극을 설치하지 않는 구성으로 하고, 전압의 인가에 의해 양선상전극(12, 13) 간에 발생한 횡전계 방향(기판면 방향)을 따라 액정분자(36…)을 배향시키는 것이 가능하도록 되어 있다.

즉, 도9에 나타내듯이 선상전극(12…)를 기선부(14)에서 접속하여 빗살무늬형상의 전극(16)을 구성하고, 선상전극(13… )끼리를 기선부(15)에서 접속하여 빗살무늬형상의 전극(17)을 구성하고, 양빗살무늬형상 전극(16, 17)을 맞물리는 형상으로 배치하고, 기선부(14, 15)에 전원(18)과 스위칭소자(19)를 접속하여 구성된다.

또, 도11a에 나타내듯이 상기판(10)의 액정측 면에 배향막을 형성하여 거기에는 β방향으로 액정분자(36)을 늘어세우듯이 배향처리를 실시하고, 하기판(11)의 액정측 면에 배향막을 형성하여 거기에는 상기 β방향과 평행한 γ방향으로 액정분 자(36)을 늘어세우듯이 배향처리를 실시하고, 상기판(10)에는 도11a의 β방향으로 편광방향을 가지는 편광판을, 하기판(11)에는 α방향으로 편광방향을 가지는 편광판을 각각 적층하여 구성되어 있다.

이상과 같은 구성에 의하면 선상전극(12, 13) 간에 전압이 인가되어 있지 않은 상태에서 액정분자(36…)은 도11a, b에 나타내듯이 배향막의 배향방향을 따라 일률적으로 같은 방향으로 호모지니어스 배향한다. 그리고, 이 상태에서 하기판 (11)을 통과한 백라이트의 광선은 편광판에 의해 α방향으로 편광되어 있고, 액정분자(36) 층을 그대로 투과하고, 상기판(10)의 다른 편광방향β의 편광판에 도달하므로 그 편광판에서 차단되고, 광선은 액정표시소자를 투과하는 것이 없으므로, 액정표시소자는 암상태가 된다.

이어서, 선상전극(12, 13) 간에 전압을 인가하면, 도12a, b에 나타내듯이 액정분자(36…)의 트위스트배향이 행해진다. 이 상태에서는 하기판(11)을 투과하고, α방향으로 편광한 편광광선은 트위스트한 액정(36…) 에 의해 그 편광방향이 변환되고, α방향과는 다른 β방향의 편광판이 설치된 상기판(10)을 투과할 수 있게 되어 액정표시소자는 명상태가 된다.

그런데, 상기 구조의 선상전극(12, 13)을 구비한 액정표시장치의 구조를 실제의 액티브매트릭스 액정구동회로에 적용한 경우의 구조를 도13a, 도13b, 도13c로 나타낸다.

도13a는 각 전극의 평면 구조를 나타내고, 도13b, c는 단면구조를 나타내지만, 기판(20) 상에 매트릭스상으로 짜여진 게이트배선(21…) 및 소스배선(22…)이 투명기판(20) 상에 상호의 사이에 절연층(24)를 개재하여 형성되어 게이트배선(21…) 과 소스배선(22…) 에 둘러싸인 직사각형상의 각 영역에 상당하는 부분이 화소전극으로 되어 있다. 또, 각 화소영역의 우부에 게이트배선(21)의 일부로 이루어지는 게이트전극(21a)가 형성되고, 게이트전극(21a) 상의 절연층(24) 상에 반도체층 (26)이 형성되고, 반도체층(26)의 양측에 소스전극(27)과 드레인전극(28)을 배치하여 박막트랜지스터T가 구성되어 있다.

또, 기판(20)상에 게이트배선(21)에 인접하여 각 화소영역을 통과하도록 코몬배선(30)이 설치되고, 각 코몬배선(30)의 각 화소영역에 상당하는 부분에서는 각 화소의 양측에 위치하는 소스배선(22)에 인접하도록 코몬전극(31, 31)이 설치되고, 코몬전극(31,31)의 선단부들은 코몬전극(31)의 상대방측의 게이트배선(21)을 따라 설치된 코몬전극접속부(32)에 의해 접속되어 있다.

또 박막트랜지스터T에 설치되어 있는 드레인전극(28)은 코몬전극배선부(32)의 상측에 연출형성된 용량생성전극(33)에 접속되고, 이 용량생성전극(33)은 코몬전극(31, 31)의 중간위치에 설치된 화소전극(34)에 접속되는 동시에 화소전극(34)는 코몬배선(30) 측까지 연출되고 코몬배선(30) 상으로 연출형성된 용량생성전극 (35)에 접속되어 있다.

도13에 나타내는 구조에서는 도13c의 점선a로 나타내는 방향으로 전기력선을 형성하듯이 횡전계를 작용시키는 것이 가능하므로, 이 횡전계를 따라 액정분자를 배향할 수 있다. 따라서 도11과 도12를 기초로 앞서 설명한 경우와 마찬가지로 액정을 배향제어하는 것으로 명상태와 암상태의 절환이 가능하다.

그런데, 이상과 같은 구조를 가지는 액정표시장치에서는 시야각이 넓다고 하는 장점을 가지지만, 개구율이 작아지기 쉽다고 하는 문제를 가지고 있다.

즉, 도13에 나타내는 구조에서 화소전(34)와 코몬전극(31, 31)의 사이에서 발생하는 횡전계에 의해 액정분자를 배향제어하지만, 게이트배선(21)과 코몬배선 (30)은 전부 도13b, c에 나타내듯이 기판(20) 상에 직접 형성되어 있고, 동일 평면 내에 위치하고 있기 때문에 게이트배선(21)과 코몬배선(30)의 사이에 배선 시 단락결함방지 등을 위하여 도13a, b에 나타내듯이 일정한 간격d1을 두지 않으면 안되지만, 이 간격d1의 부분은 빛 누설 등의 결함부분이 될 가능성이 높으므로, 이 간격부분은 블랙매트릭스 등으로 덮어 가릴 필요가 있고, 이 때문에 액정표시장치로서의 개구율을 높이는 것이 불가능하였다. 또 코몬전극(31, 31)의 상측 영역에서는 액정분자에 인가되는 전계의 방향이 횡전계와는 다른 방향이 되기 때문에 도10에 나타나듯이 액정분자(36…) 의 배향방향이 화소전(34)와 코몬전극(31)의 사이 영역의 배향방향과 달라진다.

따라서 종래 코몬전극(31) 상 영역은 빛 누설 등의 문제가 발생할 우려가 있으므로 블랙매트릭스로 덮어가리는 구조를 채용하고, 또 블랙매트릭스로 덮어 가리는 부분의 주연을 코몬전극(31, 31)의 내측연보다도 약간 내측에 위치시키는 구조를 채용하고 있지만, 이 때문에 블랙매트릭스에 의해 덮어 가리는 영역이 한 층 넓어지고, 액정표시장치로서의 개구율을 높이는 것이 불가능한 문제가 있었다.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 행해진 것으로, 횡전계에 의해 액정을 구동하는 구성에서 고시야각 특성을 가진채 개구율을 높이는 것이 가능한 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도1은 본 발명에 관한 액정표시장치의 제1형태를 나타내는 것으로 도1a는 박막트랜지스터어레이기판의 평면도, 도1b는 도1a의 A₅- A₆선 단면도이다.

도2는 동 형태의 요부를 나타내는 단면도이다.

도3은 도1a의 A₇- A₈선 단면도이다.

도4는 본 발명에 관한 액정표시장치의 제2형태를 나타내는 것으로 도4a는 박막트랜지스터어레이기판의 평면도, 도4b는 도4a의 A₉- A₁₀선 단면도, 도4c는 도4a의 A₁₁- A₁₂선 단면도이다.

도5는 본 발명에 관한 액정표시장치의 제3형태를 나타내는 평면도이다.

도6은 본 발명에 관한 액정표시장치의 제4형태를 나타내는 것으로 도6a는 박막트랜지스터어레이기판의 평면도, 도6b는 도6a의 A₁₃- A₁₄선 단면도, 도6c는 도6a의 A₁₅- A₁₆선 단면도이다.

도7은 본 발명에 관한 액정표시장치의 제5형태를 나타내는 단면도이다.

도8은 본 발명에 관한 액정표시장치의 제6형태를 나타내는 것으로 도8a는 박막트랜지스터어레이기판의 평면도, 도8b는 도8a의 A₁₇- A₁₈선 단면도, 도8c는 도8a의 A₁₉- A₂₀선 단면도이다.

도9는 앞서 개발한 횡전계를 부여하는 방식으로 액정표시장치의 선상 전극을 구비한 기판의 평면도이다.

도10은 도9에 나타낸 선상 전극에 전압을 인가한 경우에 액정분자의 배향상태를 나타내는 단면도이다.

도11a는 앞서 개발한 횡전계를 부여하는 방식으로 액정표시장치의 암상태의 액정배열을 나타내는 도, 도11b는 도11a의 측면도이다.

도12a는 앞서 개발한 횡전계를 부여하는 방식으로 액정표시장치의 명상태의 액정배열을 나타내는 도, 도12b는 도12a의 측면도이다.

도13a는 앞서 개발한 횡전계를 부여하는 방식으로 액정표시장치를 구체화한 구조예의 단면구조를 나타내는 도, 도13b는 도13a의 A₁- A₂선 단면도, 도13c는 도 13a의 A₃- A₄선 단면도이다.

도면의 주요부분에 대한 부호설명

T : 박막트랜지스터 40, 41 : 기판

42 : 액정 50, 80 : 게이트배선

51, 84 : 소스배선 53, 86 : 코몬전극

54, 54′, 83 : 화소전극 55 : 코몬전극배선

56, 57 : 격리층 65, 65′, 66, 66′ : 용량생성전극

88, 89, 92 : 용량생성전극

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 한쌍의 기판 간에 액정을 배설하고, 상기 한쪽 기판의 대향면에 복수의 게이트배선과 복수의 소스배선을 서로 직교하여 설치하고, 상기 게이트배선과 소스배선의 각 교차점 근방에 박막트랜지스터를 설치하고, 상기 박막트랜지스터에 의해 구동되는 화소전극 및 상기 화소전극의 각각과 협동하여 상기 액정에 상기 기판면을 따른방향으로 횡전계를 인가하여 복수의 화소전극을 형성하는 코몬전극을 설치하고, 동시에 상기 코몬전극을 상기 게이트배선과 절연성의 격리층을 개재하여 설치하는 동시에 상기 코몬전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분을 상기 게이트배선근방에 설치하는 것을 특징으로 한다.

상술한 구조라면, 기판 상에 설치한 코몬전극과 화소전극에 의하여 횡전계를 액정에 인가할 수 있으므로, 횡전계의 인가,무인가에 의해 액정의 배향제어를 행하는 것이 가능하고, 이것에 의하여 명상태와 암상태를 절환하는 것이 가능하다.

또, 게이트배선과 코몬전극을 기판상에서 절연성의 격리층을 개재하여 별층 구조로 하고 있으므로, 동일층 구조인 종래 구조와 비하여 평면 위치적으로 게이트배선과 코몬전극을 접근 배치하는 것이 가능하고, 이것에 의해 평면적으로 게이트배선과 코몬전극과의 간격을 작게 하는 것이 가능하므로, 액정표시장치로서의 개구율을 향상시키는 것이 가능하다.

이어서 본 발명에 있어서 상기 게이트배선을 상기 코몬전극의 상측에 설치하고, 상기 게이트배선 상에 제2절연성의 격리층을 개재하여 상기 화소전극을 설치하는 동시에 상기 화소전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 코몬전극의 상기 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성한 것을 특징으로 하는 구성이어도 좋다.

또, 상기 게이트배선을 상기 코몬전극의 상측에 설치하고, 상기 게이트배선 상에 제2절연성의 격리층을 개재하여 상기 화소전극을 설치하는 동시에 상기 화소전극 중 상기 소스배선을 따른 전극부분에 상기 코몬전극의 상기 소스배선을 따른 전극부분과의 중첩분분을 형성한 것을 특징으로 하는 것이어도 좋다.

이러한 구조라면, 게이트배선을 따른 화소전극 부분과 코몬전극 부분의 사이 부분, 혹은 소스배선을 따른 화소전극 부분과 코몬전극 부분과의 사이 부분에 용량을 구성할 수 있으므로, 이들의 용량을 축적용량으로서 액정표시장치의 액정구동성 개선에 활용할 수 있다.

이어서 본 발명은 한쌍의 기판 간에 액정을 배설하고, 상기 한쌍 기판의 대향면에 복수의 게이트배선과 복수의 소스배선을 서로 직교하여 설치하고, 상기 게이트배선과 소스배선의 각 교점 근방에 박막트랜지스터를 설치하고, 상기 박막트랜지스터에 의해 구동되는 화소전극 및 상기 화소전극의 각각과 협동하여 상기 액정에 상기 기판면을 따른 방향으로 횡전계를인가하여 복수의 화소전극을 형성하는 코몬전극을 설치하고, 동시에 상기 코몬전극을 상기 게이트배선과 절연성의 격리층을 개재하여 설치하는 동시에 상기 코몬전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 게이트배선과의 중첩부분을 형성한 것을 특징으로 한다.

이 구조에서는 코몬전극의 일부분에 게이트배선 일부분과의 중첩부분을 설치했으므로 코몬전극의 일부분의 평면위치를 더 게이트배선 근처에 위치시키는 것이 가능하고, 화소영역 내 코몬전극의 점유 면적을 상술한 각 구조보다도 더욱 삭감할 수 있으므로 개구율의 향상에 기여한다.

이어서, 상기의 구조에 있어서 격리층을 2중 구조로 하고 상측의 격리층과 하측의 격리층의 사이에 상기 화소전극을 설치하고, 상기 하소전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 게이트배선과의 중첩부분을 형성한 것을 특징으로 하는 구성을 하는 것이 가능하다.

또 상기 격리층을 2중 구조로 하고, 상측의 격리층과 하측의 격리층의 사이에 상기 화소전극을 설치하고, 상기 화소전극중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 코몬전극의 상기 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성한 구성으로 하는 것이 가능하다.

게이트배선과의 중첩부분, 혹은 코몬전극의 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 설치하는 것으로 중첩부분에 의해 용량을 형성하는 것이 가능하고, 이들 용량을 축적용량으로서 액정표시장치 액정구동성의 개선에 활용하는 것이 가능하다.

(발명의 실시 형태)

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제1형태에 관하여 설명한다.

도1∼도3은, 본 발명에 관한 액정표시장치의 제1형태를 나타내는 것으로, 도 2의 단면구조에 나타내는 바와 같이 상기판(40)과 하기판(41)이 서로의 사이에 소정의 간격(셀 갭)을 두어 평행하게 대향 배치되고, 기판(40, 41)의 사이에 액정 (42)가 설치되는 동시에 기판(40, 41)의 외면측에 편광판(43, 44)가 배치되어 있다.

이들의 기판(40, 41)은 글래스 등의 투명기판으로 이루어지지만, 실제 구성에서는 기판(40, 41)의 주연부를 씰재로 둘러 기판(40, 41)과 씰재에 의해 둘러싸인 공간에 액정(42)가 봉입되고, 기판(40, 41)과 액정(42)와 편광판(43, 44)를 조합시키는 것에 의하여 액정셀(45)가 구성되어 있다.

이 형태의 구조에서는 투명기판(41) 상에 도1a에 나타내듯이 매트릭스상으로 복수의 게이트배선(50)과 소스배선(51)이 형성되고, 게이트배선(50…)과 소스배선 (51…)에 의해 둘러싸인 화소영역(52)에 선상의 코몬전극(53, 53)과 선상의 화소전극(54)가 서로 평행하게 배치되어 있다.

보다 상세히는 하기판(41) 상에 코몬전극의 일부를 구성하기 위한 복수의 코몬전극배선(55)가 서로 평행하게 소정 간격으로 복수 형성되고, 기판(41)과 코몬전극배선(55…)를 덮고 SiO2, SiNx 등으로 이루어지는 절연층 등의 제1격리층(56)이 형성되고, 이 격리층(56) 상에 코몬전극배선(55)와 인접시켜 코몬전극배선(55)보다 폭이 넓은 게이트배선(50)이 코몬전극배선(55)와 평행하게0.5 ∼ 2.0μm 정도의 미소 간격을 두어 설치되는 동시에 제1격리층(56) 상에 각 게이트배선(50)을 덮어 제 2절연층 등의 격리층(57)이 형성되고, 이 격리층(57) 상에 화소전극(54)와 소스배선(51)이 형성되어 있다.

또 각 화소영역(52)의 코몬전극배선(55)에서 그 양측에 위치하는 소스배선 (51, 51)에 평행하게 코몬전극배선(55)로부터 연출시킨 코몬전극(53, 53)이 형성되고, 코몬전극(53, 53)은 그 상대방측(도1a의 하측)의 게이트배선(50)에 인접한 위치에 이 게이트배선(50)과 인접시켜 설치된 코몬전극 접속부(59)에 의해 접속되어 있다.

한편, 각 화소영역(52)에 있어서 게이트배선(50)과 소스배선(51)이 교차하는 부분에는 게이트배선(50)의 일부를 유용하여 게이트전극(60)이 형성되고, 이 게이트전극(60) 상의 격리층(57) 상에 반도체층(61)이 형성되고, 이 반도체층(61)의 한측에 소스배선(51)의 일부를 유용하여 소스전극(62)가 접속되고, 다른측에 드레인전극(63)이 접속되어 박막트랜지스터T가 구성되어 있다.

이어서 상기 화소전극(54)는 각 화소전극(52)의 양측 코몬전극(53, 53)의 중간부에 코몬전극(53)과 평행하게 배설되어 있고, 화소전극(54)의 한측 부분에는 코몬전극 접속부(59)의 상측에 연재하는 용량생성전극(65)가 형성되고, 코몬전극접속부(59)와의 사이에 격리층(56, 57)을 개재시켜 용량을 구성할 수 있도록 구성되어 있는 동시에 이 용량생성전극(65)는 그 한단에 드레인전극(63)이 접속되어 있다.

이어서 각 화소영역(52)에서 화소전극(54)의 다른측 부분에는 코몬전극배선 (55)의 상측에 연재하는 용량생성전극(66)이 형성되고, 코몬전극배선(55)의 사이에격리층(56, 57)을 개재시켜 용량을 구성할 수 있게 되어 있다. 또 이들 용량생성전극(65, 66)에 의해 생성된 용량은 액정구동 시에 기생용량의 영향을 없애거나 신호전압을 보지하기 위한 축적용량으로서 움직인다.

또 격리층(57)과 화소전극(54)와 소스배선(51)의 위에는 배향막이 설치되어 있지만 도2에 나타내는 단면구조에서는 배향막을 생략하고 있다.

또 이 형태의 구조에서 사용하는 전극(53, 54)는 차광성의 금속전극 혹은 투명전극의 어느것으로 형성되어 있어서도 좋지만, 후술하는 노멀블랙타입의 표시형태를 채용하는 경우는 ITO(인듐산화물) 등으로 이루어지는 투명전극인 것이 바람직하다.

이어서 도2에 나타내듯이 상기판(40)의 하면측에는 하기판(41)측에 설치되어 있는 화소영역(52)에 대응하는 개구(70…) 을 가지는 블랙매트릭스(71)이 설치되고, 각 개구(70)의 부분은 칼라 필터(72)로 덮고 동시에 블랙매트릭스(71)과 칼라필터(72)를 덮어 도시를 생략한 배향막이 설치되어 있다. 상기 블랙매트릭스(71)은 Cr층 혹은 CrO층과 Cr층을 적층한 차광성의 금속막으로 이루어지고, 하기판(41) 측에 설치되어 있는 각 화소영역(52) 중 표시에 기여하지 않는 부분을 덮어가리기 위한 것이고, 블랙매트릭스(71)은 각 화소영역(52) 중 표시에 기여하지 않는 부분, 예를 들면 게이트전극(50)과 코몬전극배선(55)와 소스배선(51)과 코몬전극(53)과 코몬전극접속부(59)의 부분과 그들의 근방을 덮어가리도록 형성되어 있다. 또 블랙매트릭스(71)과 칼라필터(72)의 하면측에는 배향막이 설치되어 있지만 도2에 나타내는 단면구조에서는 이 배향막을 생략하고 있다.

그런데 액정표시장치가 칼라표시를 하는 경우는 도2에 나타내듯이 칼라필터 (72)가 설치되어 있고 이 칼라필터(72)는 각 화소영역(52) 마다 칼라필터의 적(R), 녹(G), 청(B)의 각 색을 배치한 구성으로 되어 있지만, 액정표시장치가 칼라표시를 하지않는 경우는 칼라필터(72)를 생략하여도 좋은 것은 물론이다.

더하여 이 형태의 액정표시장치에서는 상기판(40)측의 배향막과 하기판(41)측의 배향막에 대해서는 코몬전극(53)의 길이방향과 거의 평행한 방향으로 배향처리가 실시되고 있다.

상기의 배향처리에 의해 기판(40, 41) 간에 존재하는 액정(42)의 액정분자는 전계가 작용하지 않은 상태에서 그들의 장축을 코몬전극(53)의 길이방향으로 평행하게 한 상태(도1a의 γ방향으로 향한 상태)에서 호모지니어스 배열되도록 되어 있다.

또, 이 형태의 구조에 있어서 상편광판(43)의 편광축 방향은 코몬전극(53)의 길이방향과 거의 평행한 방향으로 향해지고, 하편광판(44)의 편광축 방향은 코몬전극(53)의 길이방향과 직각인 방향(도1a의 좌우방향: α방향)으로 향해져 있다.

본 발명에 관한 상기의 구조에서는 스위칭소자인 박막트랜지스터T의 동작에 의해 소망의 화소영역(52)의 코몬전극(53, 53)과 화소전극(54) 간에 전압을 인가하는가 아닌가를 절환하는 것으로 명상태와 암상태를 절환하여 사용하는 것이 가능하다.

즉 박막트랜지스터T를 동작시켜서 소망한 위치의 화소전극(52)에 설치되어 있는 코몬전극(53, 53)과 화소전극(54) 간에 전압을 인가하는 것으로 도3의 a1방향으로 횡전계를 인가하는 것이 가능하고, 이것에 의해 도12를 기초로 설명한 경우와 마찬가지로 액정분자를 상하 기판 사이에서 90°비틀린 상태로 하는 것이 가능, 명상태를 얻는 것이 가능하다.

또 코몬전극(53, 53)과 화소전극(54) 사이에 전압을 인가하지 않은 상태로 하는 것에 의해 액정분자를 도11에 나타낸 경우와 마찬가지로 배향막의 배향처리방향과 같은 방향으로 호모지니어스 배향시킨 상태로 하는 것이 가능, 암상태를 얻는 것이가능하다.

따라서 이상과 같이 액정분자의 배향제어를 행하는 것이 가능하고, 기판(41)의 하측에 설치한 백라이트로부터의 광선을 도입하는 것에 의하고, 이 백라이트의 광선을 액정분자의 배향제어상태에 의해 차단하는가 투과하는가를 절환하는 것으로 암상태와 명상태를 얻는 것이 가능하다. 그리고, 이 예의 표시형태와 액정분자의 배향제어를 행하지 않은 상태에서 암상태가 되고, 액정분자의 배향제어를 행한 상태에서 명상태로 되기 때문에 노멀 블랙이라고 불리는 표시형태가 된다. 또 양기판 (40, 41) 사이에서 액정분자는 기판면 방향을 향한 채 호모지니어스 배향하지만 9 0°뒤틀린 상태로 배향제어되므로 시야각에 의한 투과율의 변동이 적은 고시야각의 액정표시장치를 얻을 수 있다.

여기서, 이 형태의 구조에서는 게이트배선(50)과 코몬전극배선(55)를 도1a에 나타내는 평면시적으로는 소간격d2를 두어 인접하고 있지만, 양자 사이에는 절연층 등의 격리층(56)을 배치하여 양자를 별도의 층 구조로 하고 있으므로, 평면시적으로는 양자의 간격을 거의 없애도, 혹은 양자를 기생용량이 문제가 되지 않는 정도미소량 오버랩시켜서 설치하여도 양자간의 절연성은 격리층(56)이 확보한다. 따라서 도1에 나타내듯이 게이트배선(50)과 코몬전극배선(55)의 사이 간격d2를 도13b에 나타내는 종래 구조의 게이트배선(21)과 코몬전극배선(30)의 사이의 간격d1보다도 작게 하는 것이 가능한 결과, 코몬전극배선(55)와 거기에 대향하는 측의 코몬전극접속부(59)와의 사이 거리를 크게 하는 것이 가능하다. 다시말하면, 화소영역(52) 에서 블랙매트릭스로 덮어가려져야 되는 면적을 작게 하여 개구율을 향상시킬 수 있음과 함께 액정표시장치로서의 최대 투과율을 나타내는 구동전압을 저감하는 것이 가능, 생전력 구동하는 것이 가능하다.

또 게이트배선(50)과 코몬배선(55)을 기생용량이 문제가 되지 않는 정도 미소량 오버랩시키는 경우에 코몬전극배선(55)의 한변 위치는 도1a의 2줄 점선S의 위치가 되지만 이 경우에서도 코몬전극배선(55)의 위치를 도13에 나타내는 구조보다도 게이트배선(50)측으로 이동할 수 있으므로 개구율을 향상시키는 것이 가능하다. 또 게이트배선(50)과 코몬전극배선(55)를 오버랩시켜서 설치하는 경우에 기생용량이 문제가 되지 않는 정도로는 0∼3μm 정도의 범위로 한다. 단, 코몬전압을 최적화하는 등의 구동상의 대책을 실시하는 경우는 이 기생용량의 영향은 작아지므로 상기의 범위에 한정되지 않는다.

이어서 용량생성전극(65, 66)을 설치하고, 이들에 대하여 격리층(56, 57)을 개재하여 대치하도록 코몬전극(55), 코몬전극접속부(59)를 설치하는 것으로 이들 사이에 용량을 형성하는 것이 가능하고, 이 용량을 축적용량으로서 액정표시장치 액정구동성의 개선에 활용할 수 있다.

이어서 이 실시형태의 구조에서 코몬전극(53, 53)과 화소전극(54)의 사이에 전위차를 부여하여 도3의 a1에 나타내듯이 횡전계를 발생시킨 경우에 소스배선(51)과 코몬전극(53)의 사이에 도3의 점선a2로 나타내는 횡전계가, 또 소스배선(51)과 화소전극(54)의 사이에 도3의 점선a3로 나타내는 횡전계가 발생하고, 표시용의 횡전계a1에 영향을 줄 우려가 있지만 이들의 여분인 횡전계는 다음에 설명하는 제2형태 이래의 구조에서 해소하는 것이 가능하다.

도4는 본 발명에 관한 제2실시형태 액정표시장치의 요부를 나타내는 것으로 도4에서 도1 ∼ 3에 나타내는 제1실시형태의 액정표시장치와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 그들 부분의 설명을 생략한다.

이 형태의 액정표시장치에서 앞의 제1형태 액정표시장치와 다른 것은 하기판 (41) 상에 게이트배선(80…)이 형성되고 기판(41)과 이들 게이트배선(80…)을 덮고 제1절연층 등의 격리층(82)가 설치되고, 격리층(82) 상에 화소전극(83)과 소스배선 (84)가 형성되고, 격리층(82)와 화소전극(83)과 소스배선(84)를 덮어 제2절연층 등의 격리층(85)가 설치되고, 격리층(85) 상에 코몬전극(86)이 설치되어있는 점이다.

또 이 형태에서 도4a에 나타내듯이 게이트배선(80, 80)과 소스배선(84, 84)에 의해 둘러싸인 화소영역(87)에 소스배선(84)와 평행하게 2개의 화소전극(83, 83)이 이간하여 설치되고, 화소전극(83, 83)의 일단측이 그 상대방측의 게이트배선 (80)과 인접하여 평행하게 설치된 한측의 용량생성전극(88)에 접속되고, 타측단이 그 상대방의 게이트배선(80)과 인접하여 평행하게 설치된 타측의 용량생성전극(89)에 접속되고, 이 용량생성전극(89)가 박막트랜지스터T의 드레인전극(63)에 접속되어 있다. 또 코몬전극(86)은 화소전극(83, 83)의 사이에 이들과 평행하게 설치된 전극부(86a)와, 화소영역(87) 이외의 부분을 덮어가리는 것이 가능하도록 형성된 차폐부(86b)로 이루어져 있다.

구체적으로는 차폐부(86)은 소스배선(84, 84) 및 그 근방과, 게이트배선(80) 및 그 근방과 박막트랜지스터T 및 그 근방과, 용량생성전극(88, 89) 및 그 근방을 덮고, 화소영역(87)의 중앙부를 노출시키도록 설치되어 있다.

이 형태의 구조에서는 화소전극(83, 83)과 코몬전극(86)의 사이에 전위차를 부여하면, 도4c에 나타내는 것과 같이 이들 사이에 실선a5로 나타내는 횡전계를 발생시키는 것이 가능하므로 앞 형태의 구조와 동일하게 액정의 배향제어를 실시하여 암표시와 명표시를 절환하여 액정표시장치로서 사용하는 것이 가능하다.

또 이 형태의 구조에서는 코몬전극(86)이 소스배선(84)를 덮고 있어 소스배선(84)로부터의 누설 전계를 쉴드하는 것이 가능하므로, 도4c에 나타내듯이 차폐부 (86b)와 화소전극(83) 사이의 전계에 소스배선(84)의 전계가 영향을 주지 않는다. 따라서 앞의 제1형태의 구조라면 소스배선(51)의 누설 전계의 영향을 받아 배향의 흐트러짐을 일으킬 우려가 있는 영역은 블랙매트릭스(71)로 덮어 가릴 필요가 있었지만, 이 형태의 구조라면 블랙매트릭스로 덮어 가릴 영역을 작게 하는 것이 가능하기 때문에 액정표시장치로서의 개구율을 높이는 것이 가능하다.

또 도13에 나타내는 종래 구조에서는 소스배선(22)에 의한 전계의 흐트러짐을 쉴드할 수 없었으므로 코몬전극(31)을 크게 하는 등 크로스토크 등의 표시에의 악영향을 방지할 필요가 있었지만, 이 제2형태 구조에서는 코몬전극(86)의 차폐부(86b)에서 소스배선(84)의 전계를 쉴드하여 누설 전계를 없애는 것이 가능하므로 코몬전극(53)을 종래 구조보다도 가늘게 하는 것이 가능, 개구율의 향상 효과를 얻는 것이 가능하다. 또 이 제2형태 구조에서는 코몬전극(86)을 다른 층보다도 액정에 가까운위치에 설치하고, 화소전극(83)도 격리층(82) 상에 설치되어 있으므로 도 1에 나타내는 제1형태의 구조보다도 전계를 액정(42)에가까운 측에서 발생시켜서 보다 강한 전계를 작용시키는 것이 가능하므로, 액정구동 면에서 도1에 나타내는 제1형태의 구조보다도 바람직한 구조가 된다.

이어서 도4에 나타내는 구조에 있어서 코몬전극(86)을 차광성의 도전막으로 형성한 경우는 코몬전극(86)에서 차광이 가능하므로 대향기판측의 블랙매트릭스를 생략하는 것이 가능하다.

도5는 본 발명에 관한 제3실시형태 액정표시장치의 요부를 나타내는 것으로, 도5에서 도4에 나타내는 제2실시형태 액정표시장치와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 그들 부분의 설명을 생략한다.

이 형태에서 특징적인 구성은 게이트배선(80) 상에 위치하는 코몬전극(86) 부분에 게이트배선(80)을 따른 직사각형상의 홀부(90)을 설치한 구성이다. 이렇게 게이트배선(80) 상의 코몬전극(86)에 홀부(90)을 설치하는 것으로 코몬전극(86)과 게이트배선(80)에서 개재하는 격리층(82, 85)의 면적이 작아지고 생성하는 용량이 적어지므로 액정표시장치로서의 기생용량을 적게 하는 것이 가능하고, 게이트지연을 방지하는 것이 가능하다.

또 본 실시형태의 구조에서는 앞의 제2형태의 경우와 마찬가지로 코몬전극(86)의 차폐부(86b)에 대응하는 영역에서 액정의 배향 흐트러짐을 적게 하여 블랙매트릭스(71)의 개구(70)을 크게 하는 것으로 개구율을 향상시킬 수 있으므로 백라이트의 소비전력을 저감하고 한층 밝은 표시를 얻을 수 있다.

이어서 제5에 나타내는 구조에 있어서 코몬전극(86)을 차광성의 도전막으로 형성한 경우는 코몬전극(86)으로 차광이 가능하므로 대향기판측의 블랙매트릭스를 생략하는 것이 가능하다. 그리고, 그 경우 홀부(90)을 설치하면 이 부분으로부터 광 누설이 발생할 우려가 있으므로, 광 누설이 발생하지 않도록 게이트배선(80)을 차광성의 도전막으로 구성할 필요가 있다.

도6은 본 발명에 관한 제4실시형태 액정표시장치의 요부를 나타내는 것으로, 도6에서 도4에 나타내는 제2실시형태 액정표시장치와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 그들 부분의 설명을 생략한다.

이 형태의 액정표시장치에 있어서 앞의 제2형태 액정표시장치와 다른 점은 용량생성전극을 게이트배선(80)에 인접시켜 게이트배선(80)보다도 화소영역(87)측에 설치하는 것이 아닌 앞의 제2형태 용량생성부(88)을 설치한 위치를 통과시키도록 화소전극(83, 83)을 게이트배선(80) 상까지 연장하고, 직사각형상의 용량생성전극(92)를 게이트배선(80) 상에 격리층(82, 85)를 개재하여 설치한 점이다.

이 형태의 구조를 채용하는 것으로 도4를 기초로 앞서 설명한 제2형태의 구조와 동등한 효과를 얻는 것이 가능하고 또 제2형태에서 용량생성전극(88)을 설치한 장소에도 화소전극(83, 83)과 코몬전극(86)의 전극부(86a)를 설치하여 이 영역도 표시에 사용할 수 있으므로 제2, 3형태의 구조보다도 더욱 개구율을 높이는 것이 가능하다. 더하여 도6b의 단면구조에 나타내는 바와 같이 게이트배선(80) 상에 격리층(82)를 개재하여 화소전극(83)에 연결되는 용량생성전극(92)를 설치하여 용량을 구성하고, 더하여 이 용량생성전극(92) 상에 격리층(85)를 개재하여 코몬전극 (86)을 설치한 2층 구조인 2중 용량구조가 되어 있으므로 생성하고자 하는 용량이 다른 형태의 구조와 동일하다면 용량을 생성하기 위한 각 전극의 크기를 작게 하는 것이 가능하고, 이러한 이유로 화소영역(87)을 넓게 하여 개구율의 향상을 도모하는 것이 가능하다.

또 용량생성전극의 크기를 다른 형태의 구조와 동일한 정도로 하면, 다른 형태의 구조보다도 2배 정도의 정전용량을 가지기 위하여 전압보지율을 크게 하는 것이 가능, 콘트라스트의 증대를 도모하는 것이 가능한 동시에 액정을 교류 구동하는 경우 신호의 비대칭성을 더욱 억제하는 것이 가능하고, 플릿커, 이음매를 저감할 수 있는 등 액정표시장치로서 표시성능의 향상을 도모하는 것이 가능하다.

또 도6b에 나타내듯이 게이트배선(80) 상에 격리층(82)를 개재하여 화소전극 (83)에 연결하는 용량생성전극(92)를 설치하여 용량을 구성하고, 또 기생용량전극 (92) 상에 격리층(85)를 개재하여 코몬전극(86)을 설치한 2층 구조인 2중 용량구조의 다른 형태로서 도7에 나타내는 구조를 채용하는 것도 가능하다.

도7에 나타내는 구조는 2층 구조인 2중 용량구조를 톱게이트 구조에 적용한 본 발명의 제5실시형태의 요부단면구조를 나타내는 것으로, 기판(41) 상에 코몬전극(86)을 설치하고, 그것을 격리층(82)로 덮고, 격리층(82) 상에 화소전극(92)와 용량전극부등을 설치하고, 그들 상에 격리층(85)를 설치하고, 더하여 그 위에 게이트배선(80)을 설치한 구조이고, 이 형태의 구조를 사용하여도 앞의 제4형태와 동등한 효과를 얻는 것이 가능하다.

또 이 형태의 구조라면 횡전계 구동식이 아니고, 상하 양기판에 전극을 가지는 통상의 톱게이트구조의 박막트랜지스터 구동형의 액정표시장치 박막트랜지스터어레이기판의 적층구조와 유사한 적층구조가 되므로 종래 톱게이트 구조의 액정표시장치의 제조 라인으로 용이하게 제조에 대응할 수 있다.

도8은 본 발명에 관한 제6실시형태의 액정표시장치의 요부를 나타내는 것으로 도6에서 도1 ∼ 도3에 나타내는 제1실시형태의 액정표시장치와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여서 그들 부분의 설명을 생략한다.

이 형태의 구조에서 제1실시형태의 구조와 다른 점은 화소전극의 구조로 이 형태에서 화소전극(54′)는 화소영역의 중앙부에 코몬전극배선(55)와 평행하게 배치되어 있고, 용량생성전극(65′)는 한쪽의 코몬전극(53) 상에 소스배선(51)을 따라 배치되고, 용량생성전극(66′)은 다른쪽의 코몬전극(53) 상에 소스배선(51)을 따라 설치되어 있다.

이 형태의 구조에서는 화소전극(54)′와 코몬전극배선(55)의 사이 및 화소전극(54′)와 코몬전극 접속부(59)의 사이에 전계를 발생시키므로 앞의 제1실시형태의 구조와는 액정의 배향방향이 90°다른 것이 된다. 따라서 이 형태의 구조에 있어서 배향막의 배향처리방향은 앞의 제1실시형태의 구조에 대하여 90° 다른 방향 즉, 코몬전극배선(55)에 평행한 방향으로 한다.

도8에 나타내는 형태의 구조에서도 액정의 배향제어는 제1실시형태의 경우와동일하고, 도11을 기초로 앞서 설명한 무전계 시 액정분자의 호모지니어스배향 방향이 제1실시형태의 경우와 90°다르고, 전계인가 시의 액정분자의 배향에 있어서 전계의 방향을 따라 비틀리는 액정의 방향이 도12의 경우와 90° 다를 뿐이고, 그 외의 작용효과는 동등하다.

또 도8에 나타내는 실시형태에 있어서 용량생성전극(65′, 66′)은 코몬전극 (53)을 따라 형성할 수 있으므로, 도1에 나타내는바와 같이 코몬전극배선(55)을 따라 형성하는 것보다도 길게 형성할 수 있으므로 보다 큰 용량을 형성할 수 있는 특징이 있다.

(실시예)

도1a에 나타내는 구조의 회로를 갖는 박막트랜지스터형 액정표시장치를 제조했다.

투명한 두께 1mm의 글래스기판을 2장 사용하고, 이들 기판 중의 한쪽 기판 상에 도1에 나타내는 선상전극을 가지는 박막트랜지스터회로를 형성하고, 그 위에 배향막을 형성하고, 다른쪽의 기판 상에도 배향막을 형성하고, 각각의 배향막에 러빙처리에 의해 액정배향을 위한 배향처리를 실시하고, 2장의 기판에 갭 형성용의 비즈를 개재하여 소정 간격으로 대향 배치한 상태에서 기판간의 간격에 액정을 주입하고, 봉지재에 의해 접합하고, 기판의 외측에 편광판을 배치하여 액정셀을조립했다. 상기의 구조에서 각각의 배향막에는 화소전극의 길이방향과 평행한 방향으로 러빙 롤을 문지르는 배향처리를 실시했다.

이 실시예 장치를 제조할 때 화소영역의 피치는 횡방향(게이트배선 평행방향)은 70㎛, 종방향(소스배선 평행방향)은 (50)㎛로 했다.

또 화소전극 폭을 3㎛로, 코몬전극 폭을 4㎛로 설정하고, 화소전극과 코몬전극과의 간격을 14㎛, 게이트배선과 코몬전극배선과의 평면시적 간격을 1㎛, 게이트배선과 코몬전극배선을 구획하는 SiNx의 막두께를 0.3㎛로 설정했다.

또 게이트배선과 신호배선이 교차하는 부분의 근방에 a-Si으로 이루어지는 반도체막을 게이트전극과 소스전극에서 개재한 구조의 박막트랜지스터를 형성하고, 더하여 절연층으로 덮고, 또 폴리이미드의 배향막을 형성하고, 러빙 롤에 의한 배향처리를 행하여 박막트랜지스터 어레이기판을 형성했다. 이어서 이 기판에 대하여 대향측의 기판으로서 블랙매트릭스와 칼라필터와 폴리이미드의 배향막을 설정한 것을 이용하고, 양자간의 갭을 4㎛로 하여 씰재에 의하여 액정을 봉입하여 액정표시장치를 제조했다.

이상과 같이 제조된 액정표시장치의 개구율은 37％로 하는 것이 가능하고, 게이트배선과 코몬전극배선이 단락하는 것도 없었다.

이것에 대하여 도13a에 나타내는 구성의 비교예 장치에 있어서, 화소영역의 피치를 횡방향(게이트배선 평행방향)은 70㎛,종방향(소스배선 평행방향)은 50㎛로 했다.

또 화소전극 폭을 3㎛로, 코몬전극 폭을 4㎛로 설정하고, 화소전극과 코몬전극의 간격을 14㎛, 게이트배선과 코몬전극배선과의 평면시적 간격을 5㎛, 게이트배선과 코몬전극배선을 덮는 SiNx의 막두께를 0.3㎛로 설정했다. 이상과 같이 제조된 액정표시장치의 개구율은 30％가 되고, 게이트배선과 코몬전극배선이 단락하는 것은 없었다. 그러나, 이 비교예 장치에 있어서 앞의 실시예 장치와 같이 게이트배선과 코몬전극배선과의 평면시적 간격을 1㎛로 하여 제조하면, 게이트배선과 코몬전극배선과의 사이에 단락 결함이 발생하여 실용적이지 못하였다.

이어서 도4에 나타내는 전극 구조의 액정표시장치와 도6에 나타내는 전극 구조의 액정표시장치를 제조했다.

각 표시장치에서 화소영역의 피치는 앞의 예와 동등하지만, 도4에 나타내는 구조에서는 소스배선 근방의 차광부를 가늘게하고, 개구부를 크게 할 수 있기 때문에 개구율을 50％로 하는 것이 가능하고, 도6에 나타내는 구조에서는 개구부의 종 길이를 도4에서는 44㎛이었던 것을 51㎛까지 크게 할 수 있으므로, 개구율을 58％ 로 하는 것이 가능하였다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면 코몬전극과 화소전극에 의해 기판에 평행한 방향의 횡전계를 인가하여 액정의배향제어를 행하는 액정표시장치로서 게이트배선과 코몬전극을 기판 상에서 절연성의 격리층을 개재하여 별층 구조로 하고 있으므로 동일층 구조였던 종래 구조에 비해 평면시한 경우에 게이트배선과 코몬전극을 접근 배치하는 것이 가능하고, 이것에 의하여 평면시했던 경우에 게이트배선과 코몬전극과의 간격을 작게 할 수 있으므로 개구율을 향상시키는 것이 가능하다.

따라서 횡전계를 인가하는가 아닌가로 액정의 배향제어를 행하여 명상태와 암상태를 절환하는 방식의 넓은 시야각 특성을 가지고 또 개구율을 높게 한 액정표시장치를 제공하는 것이 가능하다.

이어서 본 발명에 있어서 화소전극 중 게이트배선을 따른 전극부분에 코몬전극의 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성하거나, 화소전극 중 소스배선을 따른 전극부분에 코몬전극의 소스배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성한 구조라면 게이트배선을 따른 화소전극 부분과 코몬전극부분 간의 부분 혹은 소스배선을 따른 화소전극부분과 코몬전극부분 사이의 부분에서 용량을 구성할 수 있으므로 이들의 용량을 축적용량으로 하는 것이 가능하고, 액정표시장치의 액정구동성의 개선에 활용이 가능하다.

또 평면시한 경우에 게이트배선과 코몬전극을 전술한 바와 같이 접근 배치가 아닌 일부 오버랩하도록 설치하는 구성을 채용하는 것도 가능하고, 이 구조인 경우에 개구율을 더욱 향상시키는 것이 가능하다.

따라서 횡전계를 인가하는가 아닌가로 액정의 배향제어를 행하여 명상태와 암상태를 절환하는 방식의 넓은 시야각 특성을가지고 더하여 개구율을 더욱 높게 한 액정표시장치를 제공하는 것이 가능하다.

또 본 발명에 있어서 화소전극 중 게이트배선을 따른 전극부분에 코몬전극의 게이트배선과의 중첩부분을 형성하지만, 화소전극 중 게이트배선을 따른 전극부분에 코몬전극의 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성한 구조라면 게이트배선을 따른 화소전극부분과 게이트배선부분과의 중첩부분 혹은 게이트배선을 따른 화소전극부분과 코몬전극부분의 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분에서 용량을 구성할 수 있으므로 이들의 용량을 축적용량으로 하는 것이 가능, 액정표시장치의 액정구동성의 개선에 활용할 수 있다.

Claims (6)

1. 한쌍의 기판 간에 액정이 배설된 액정표시장치에 있어서,

   상기 한쪽 기판의 대향면에 서로 직교하도록 설치된 복수의 게이트배선과 복수의 소스배선과,

   상기 게이트배선과 소스배선의 각 교점 근방에 형성된 박막트랜지스터와,

   상기 박막트랜지스터에 의해 구동되는 화소전극 및 상기 화소전극의 각각과 협동하여 상기 액정에 상기 기판면을 따른 방향으로 횡전계를 인가하여 복수의 화소전극을 형성하는 코몬전극을 포함하여 구성되고,

   상기 코몬전극 중 상기 게이트배선과 절연성의 격리층을 개재하여 설치하는 동시에 상기 코몬전극 중 상기 게이트 배선을 따른 전극부분을 상기 게이트배선 근방에 설치한 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스형 액정표시장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 게이트배선을 상기 코몬전극의 상측에 설치하고, 상기 게이트배선 상에 제2절연성의 격리층을 개재하여 상기 화소전극을 설치하는 동시에 상기 화소전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 코몬전극의 상기 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성한 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스형 액정표시장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 게이트배선을 상기 코몬전극의 상측에 설치하고, 상기게이트배선 상에 제2절연성의 격리층을 개재하여 상기 화소전극을 설치하는 동시에 상기 화소전극 중 상기 소스배선을 따른 전극부분에 상기 코몬전극의 상기 소스배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성한 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스형 액정표시장치.
4. 한쌍의 기판 간에 액정이 배설된 액정표시장치에 있어서,

   상기 한쪽 기판의 대향면에 복수의 서로 직교하도록 설치된 복수의 게이트배선 및 소스배선과,

   상기 게이트배선과 소스배선의 각 교차점 근방에 설치된 박막트랜지스터와,

   상기 박막트랜지스터에 의해 구동되는 화소전극 및 상기 화소전극의 각각과 협동하여 상기 액정에 상기 기판면을 따른 방향으로 횡전계를인가하여 복수의 화소전극을 형성하는 코몬전극을 포함하여 구성되고,

   상기 코몬전극을 상기 게이트배선과 절연성의 격리층을 게재하여 설치하는 동시에 상기 코몬전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 게이트배선과의 중첩부부분을 형성한 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스형 액정표시장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 격리층을 2중 구조로 하고, 상측의 격리층과 하측의 격리층 사이에 상기 화소전극을 설치하고, 상기 화소전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 게이트배선과의 중첩부분을 형성한 것을 특징으로하는 액티브매트릭스형 액정표시장치.
6. 제4항에 있어서, 상기 격리층을 2중 구조로 하고, 상측의 격리층과 하측의 격리층과의 사이에 상기 화소전극을 설치하고, 상기 화소전극 중 상기 게이트배선을 따른 전극부분에 상기 코몬전극의 상기 게이트배선을 따른 전극부분과의 중첩부분을 형성한 것을 특징으로 하는 액티브매트릭스형 액정표시장치.