KR100272537B1 - An in plane switching mode liquid crystal display device - Google Patents

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서성모
오영진
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구본준
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Abstract

PURPOSE: A horizontal electric field mode liquid crystal display and a method for manufacturing the same are to improve an aperture rate, to increase an interface resistance, and to prevent a signal retard. CONSTITUTION: A transparent metal layer is formed on a substrate using a transparent metal, and an opaque metal layer is formed on the transparent layer using an opaque metal. The transparent and opaque metal layers are simultaneously etched to form the first data wiring(102a) made of the transparent metal, the second data wiring(102b), the first source electrode(106a), the second source electrode(106b), the first drain electrode(107a), the second drain electrode(107b), the first data electrode(116a), the second data electrode(116b), which are made of the opaque metal, A semiconductor layer and an n¬+ layer are etched to form a channel layer(109) and an Ohmic contact layer(119) using the source electrodes, the drain electrodes, and the data electrodes.

Description

횡전계방식 액정표시소자 구조 및 제조방법{AN IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE} Transverse electric-field type liquid crystal display device structure and manufacturing method {AN IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 개구율이 향상되고 제조공정이 간단한 횡전계방식 액정표시소자 구조 및 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to, and more particularly improves the aperture ratio is simple and the manufacturing process transverse electric-field type liquid crystal display device structure and manufacturing method of the liquid crystal display device.

최근, 휴대용 텔레비전이나 노트북 컴퓨터에 많이 사용되는 박막트랜지스터 액정표시소자(TFT LDC)에서 대면적화가 강력하게 요구되고 있지만, 상기한 TFT LCD에는 시야각에 따라 콘트라스트비(contrast ratio)가 변하는 문제가 있었다. Last, but is upset strongly needs a large area in a portable television or a thin film transistor liquid crystal display is widely used in laptop computer device (TFT LDC), wherein the TFT LCD has had a problem that the contrast ratio (contrast ratio) varies depending on the viewing angle. 이러한 문제를 해결하기 위해, 광보상판이 장착된 트위스트네마틱(twisted nematic) 액정표시소자, 멀티도메인(multi-domain) 액정표시소자 등과 같은 여러 가지 액정표시소자가 제안되고 있지만, 이러한 여러 가지 액정표시소자로는 시야각에 따라 콘트라스트비가 저하되고 색상이 변하는 문제를 해결하기 힘든 실정이다. To solve this problem, nematic optical compensation plate mounting twist ticks (twisted nematic) liquid crystal display device, but have been proposed various liquid crystal display devices such as the multi-domain (multi-domain) liquid crystal display, such a display number of the liquid crystal element as is the situation is difficult to solve the problem degrade the contrast ratio and the color changes with viewing angle.

광시야각을 실현하기 위해 제안되는 다른 방식의 액정표시소자인 횡전계방식(in plane switching mode)의 액정표시소자가 JAPAN DISPLAY 92 P547, 일본특허 특개평 7-36058, 일본특허 특개평 7-225538, ASIA DISPLAY 95 P107등에 제안되고 있다. The transverse electric-field type liquid crystal display element of the other way are proposed for realizing a wide viewing angle liquid crystal display element is JAPAN DISPLAY 92 P547, Japanese Patent Laid-Open Patent Publication 7-36058, Japanese Patent for (in plane switching mode) Patent Application Laid-Open No. 7-225538, It has been proposed in ASIA DISPLAY 95 P107.

도 1은 일반적인 횡전계방식 액정표시소자를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a general transverse electric-field type liquid crystal display device. 도면에 나타낸 바와 같이, 기판 위에는 복수의 게이트배선(1) 및 데이터배선(2)이 배열되어 화소영역을 정의하며, 상기한 게이트배선(1)과 데이터배선(2)의 교차점에는 복수의 박막트랜지스터(Thin film Transisotr)가 배치되어 있다. The crossing of a plurality of the gate line 1 and the data line (2) on the substrate are arranged, and defining a pixel region, and the gate wiring (1) and the data line (2) As shown in the diagram, a plurality of thin film transistors a (Thin film Transisotr) is arranged. 실제적인 액정표시소자에서는 n개의 게이트배선(1)과 m개의 데이터배선(2)에 의해 n × m개의 화소영역에는 상기한 데이터배선(2)과 평행하게 공통전극(15)과 데이터전극(16)이 형성되고 있다. An actual liquid crystal display element in the n gate lines (1) and m data lines (2) by n × m pixel area, wherein the data line (2) and parallel to the common electrode 15 and the data electrodes (16 ) it is formed. 공통전극(15)은 공통배선(3)에 접속되고 데이터전극(16)은 TFT의 드레인전극(7)에 접속되어 있다. The common electrode 15 is connected to be connected to the common wiring 3, the data electrode 16 is the drain electrode 7 of the TFT.

상기와 같이 구성된 액정표시소자에서 외부구동회로로부터 전압이 인가되면, 공통전극(15)과 데이터전극(16) 사이에 기판의 표면과 평행한 횡전계가 형성되어 액정분자가 기판이 표면과 평행하게 회전하게 된다. When the liquid crystal display element constructed as described above, a voltage is applied from the external drive circuit, a horizontal electric field surface and parallel to the substrate is formed between the common electrode 15 and data electrode 16 to which the liquid crystal molecules the substrate is parallel to the surface It is rotated.

그러나, 상기한 횡전계방식 액정표시소자는 도면에 나타낸 바와 같이, 실제의 화상이 구현되는 화소영역에 불투명금속으로 이루어진 공통전극(15)과 데이터전극(16)이 형성되어 있기 때문에 개구율이 일반적인 액정표시소자에 비해 작다는 단점이 있었다. However, the aforementioned transverse electric-field type liquid crystal display device is as shown in the figure, the common electrode 15 and data electrode 16 in the pixel region of the actual image of the implement made of an opaque metal are formed because the liquid crystal aperture ratio typical there was a drawback is smaller than the display element. 이러한 단점을 보완하기 위해 제안된 것이 도 2 및 도 3 에 나타낸 바와 같이, 데이터전극(16)을 투명한 금속으로 형성한 액정표시소자이다. It is proposed to compensate for these disadvantages, as shown in Figs. 2 and 3, a liquid crystal display device to form a data electrode 16 of a transparent metal.

도 2는 데이터배선(2), 소스전극(6), 데이터전극(7), 데이터전극(16)을 투명한 금속으로 형성한 횡전계방식 액정표시소자의 단면도이다. Figure 2 is a data line 2, a source electrode 6, the data electrodes 7, a cross-sectional view of the transverse electric-field type liquid crystal display element forming the data electrode 16 of a transparent metal. 도면에 나타낸 바와 같이, 기판(10) 위에는 게이트전극(5) 및 공통전극(15)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트절연막(20)이 적층되어 있다. As shown, substrate 10 is formed on the gate electrode 5 and the common electrode, and 15 is formed, a gate insulating film 20 is laminated thereon. 게이트절연막(20) 위에는 채널층(channel layer)인 반도체층(9)이 형성되어 있으며, 그 위에 오믹콘택층(ohmic contact layer)인 n + 층(19)이 형성되어 있다. The semiconductor layer 9 is formed on the gate insulating film 20, a channel layer (channel layer) are formed, and that there is an n + layer 19, an ohmic contact layer (ohmic contact layer) is formed on. n + 층(19)과 게이트절연막(20) 위에는 ITO(induim tim tin oxide)와 같은 투명한 금속으로 이루어진 데이터배선(2), 소스전극(6), 드레인전극(7) 및 데이터전극(16)이 형성되어 있으며, 그 위에 보호막(21)이 적층되어 있다. n + layer 19 and the gate insulating film 20, data wire (2) made of a transparent metal such as ITO (induim tim tin oxide) formed on the source electrode 6, drain electrode 7 and the data electrodes 16 is is formed, and is a protective film 21 is laminated thereon.

상기한 구조의 횡전계방식 액정표시소자에서는 데이터전극(16)과 공통전극(15)이 모두 투명한 ITO로 이루어져 있기 때문에, 일반적인 횡전계방식 액정표시소자에 비해 개구율이 대폭 향상된다. Because it consists of the transverse electric-field type liquid crystal display device of the structure both the data electrode 16 and the common electrode 15, a transparent ITO, and the aperture ratio is greatly improved compared to typical transverse electric-field type liquid crystal display device. 그러나, 일반적으로 ITO는 Al이나 Cr에 비해 저항이 대단히 크기 때문에 상기한 ITO을 데이터배선(2)으로 사용하는 경우 신호지연이 생기게 된다. In general, however, the ITO is causing a signal delay when using the ITO as a data line (2) because of the very resistance compared to Al or Cr in size. 더욱이, ITO와 n + 층(19)의 접촉시 계면저항(boundary resistance)이 대단히 크기 때문에, 스위칭소자(switching element)인 TFT의 스위칭속도가 저하되는 문제가 있었다. Moreover, since the interface resistance (boundary resistance) upon contact of the ITO with the n + layer 19 is very much in size, there is a problem that the switching speed of the deterioration of the TFT switching element (switching element).

또한, 도 3에 나타낸 바와 같이 데이터배선(2), 소스전극(6), 드레인전극(7)을 Cr로 형성하고 데이터전극(16)만을 투명한 ITO로 형성하는 경우에는 데이터배선(2)의 저항문제도 없고 소스전극(6)과 드레인전극(7)의 n + 층(19)과의 계면저항문제도 해결될 뿐만 아니라 개구율도 향상되지만, Cr과 ITO를 각각 다른 공정에 의해 형성해야만 하기 때문에, 제조공정이 복잡해지고, 따라서 제조비용이 증가하는 문제점이 있었다. In addition, the resistance of the data line 2, a source electrode 6, a drain electrode in the case of forming a 7 to Cr to form only the data electrode 16 of a transparent ITO data line (2) as shown in Fig. 3 problem also improved and no aperture ratio as well be solved also interface resistance problems between the source electrode 6 and drain electrode (7), n + layer 19 of, but, since the need to forming the Cr and ITO in different processes, becomes complicated and the manufacturing process, and thus there is a problem that the manufacturing cost increases.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 데이터전극을 투명금속으로 형성하고 데이터배선, 소스전극, 드레인전극을 투명금속과 불투명금속으로 이루어진 이중의 층으로 형성하며, 상기한 소스전극과 드레인전극의 투명금속과 접촉하는 n + 층을 다결정실리콘으로 형성하여 개구율이 향상됨과 동시에 계면저항의 증가 및 신호지연이 발생하지 않는 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention for solving the above problems, and formed into a double layer to form a data electrode of a transparent metal and comprising a data line, a source electrode, a drain electrode of a transparent metal and a non-transparent metal, the source electrode and the drain electrode formation of the n + layer in contact with the transparent metal to polysilicon by an object to provide a transverse electric-field type liquid crystal display element aperture ratio is improved and at the same time that is increased and the signal delay of the interface resistance occurs.

본 발명의 다른 목적은 투명금속으로 이루어진 데이터전극과 투명전극 및 불투명금속으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극을 동시에 형성함으로써 제조공정이 간편해진 횡전계방식 액정표시소자 제조방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method made simple and the manufacturing process to form a source electrode and a drain electrode made of the data electrodes and the transparent electrodes and the opaque metal is made of a transparent metal at the same time.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자는 기판과, 상기한 기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트배선 및 데이터배선과, 상기한 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 배치된 복수의 박막트랜지스터와, 상기한 화소영역에 형성된 적어도 하나의 제1전극과, 상기한 제1전극과 평행하게 배열된 투명금속으로 이루어진 적어도 하나의 제2전극으로 구성된다. In order to achieve the above object, the horizontal electric field mode liquid crystal display element substrate, arranged in rows and columns on the substrate a plurality of gates defining a pixel area wirings and data wirings and the gate wirings and the data according to the present invention and a plurality of thin film transistors disposed at the intersections of the wires, formed in the pixel area are at least one of the configuration as at least a second electrode made of the first electrode and, the above-described first electrode and arranged parallel to a transparent metal.

박막트랜지스터는 기판 위에 형성된 게이트전극과, 상기한 게이트전극 위에 적층된 게이트절연막과, 상기한 게이트절연막 위에 형성된 반도체층과, 상기한 반도체층 위에 형성된 다결정 오믹콘택층과, 상기한 오믹콘택층 위에 형성된 동일폭의 투명금속과 불투명금속의 이중의 층으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극으로 구성된다. A thin film transistor is formed on the gate electrode, the gate and the gate stack insulating layer on the electrode, and the semiconductor layer formed on the gate insulating film, a polycrystalline ohmic contact layer, wherein the ohmic contact layer formed on the semiconductor layer formed on the substrate It consists of a source electrode and a drain electrode made of a double layer of a transparent metal and a non-transparent metal of the same width. 상기한 구조의 횡전계방식 액정표시소자를 제조하는 방법은 기판을 제공하는 단계와, 상기한 기판 위에 게이트전극 및 공통전극을 형성하는 단계와, 상기한 기판 위에 게이트절연막, 반도체층, n + 층을 형성하는 단계와, 상기한 n + 층을 레이저를 조사하여 결정화하는 단계와, 상기한 n + 층 위에 투명금속과 불투명금속을 적층하는 단계와, 상기한 투명금속 및 불투명금속을 에칭하여 각각 투명금속과 불투명금속으로 이루어진 소스전극, 드레인전극 및 데이터전극을 형성하는 단계와, 상기한 반도체층 및 n + 층을 에칭하여 채널층 및 오믹콘택층을 형성하는 단계와, 상기한 기판 위에 보호막으로 형성하는 단계와, 데이터전극의 불투명금속을 제거하는 단계로 구성된다. Method for producing a transverse electric-field type liquid crystal display device of the above-described structure is the method comprising the steps of: providing a substrate, forming a gate electrode and a common electrode on the substrate, a gate on the substrate insulating film, semiconductor layer, n + layer the forming, the method comprising the steps of crystallizing the a n + layer by irradiating the laser, the one n + and laminating a transparent metal and a non-transparent metal on the layer, and the transparent metal, and by etching the opaque metal each transparent and forming step and, above to etch the semiconductor layer and the n + layer a channel layer and an ohmic contact layer for forming a source electrode, a drain electrode and a data electrode made of a metal and a non-transparent metal, forming a protective film on the substrate the method comprising the steps of, consists of removing the non-transparent metal of data electrodes.

상기한 게이트절연막, 반도체층, n + 층을 연속적층하여 형성하거나 게이트절연막과 반도체층을 적층한 후 상기한 반도체층에 n + 이온을 도핑하여 형성한다. Wherein a gate insulating film, after forming the continuous layer of the semiconductor layer, n + layer, or laminating the gate insulating film and the semiconductor layer is formed by doping the n + ions to the semiconductor layer. 또한, 반도체층 및 n + 층의 에칭은 소스전극, 드레인전극 및 데이터전극을 마스크로 사용하여 이루어지며, 보호막은 박막트랜지스터 영역 위에만 적층되어 횡전계의 세기가 약화되는 것을 방지한다. Further, the etching of the semiconductor layer and the n + layer is made by using the source electrode, the drain electrode and the data electrodes as a mask, the protective film prevents the stacked only on a thin film transistor region of the transverse electric field intensity weakens.

도 1은 종래의 횡전계방식 액정표시소자의 평면도. 1 is a plan view of conventional transverse electric-field type liquid crystal display device.

도 2는 종래의 횡전계방식 액정표시소자의 단면도. Figure 2 is a cross-sectional view of a conventional transverse electric-field type liquid crystal display device.

도 3은 또 다른 종래의 횡전계방식 액정표시소자의 단면도. Figure 3 is another cross-sectional view of a conventional transverse electric-field type liquid crystal display device.

도 4는 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법을 나타낸 공정 단면도. Figure 4 is a sectional view showing a manufacturing method of transverse electric-field type liquid crystal display device according to the invention.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 Description of the Related Art

105 : 게이트전극 106a, 106b : 소스전극 105: gate electrode 106a, 106b: source electrode

107a, 107b : 드레인전극 109 : 반도체층 107a, 107b: drain electrode 109: semiconductor layer

110 : 기판 115 : 공통전극 110: substrate 115: a common electrode

116a, 116b : 데이터전극 119 : n + 116a, 116b: Data electrode 119: n + layer

120 : 게이트절연막 121 : 보호막 120: Gate insulating film 121: protective layer

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법을 상세히 설명한다. Hereinafter, the transverse electric-field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention with reference to the accompanying drawings will be described in detail.

도 4는 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다. 4 is a view showing a manufacturing method of a liquid crystal display device of transverse electric-field type the present invention. 우선, 도 4(a)에 나타낸 바와 같이, 기판(110) 위에 Cr, Mo, Ti, Al 또는 Al 합금 등과 같은 금속을 스퍼터링(sputtering)방법에 의해 적층한 후 에칭하여 게이트배선(도면표시하지 않음), 게이트전극(105) 및 공통전극(115)을 형성한 후, SiOx나 SiNx와 같은 무기물, 비정질실리콘(a-Si), n + a-Si을 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의해 연속증착하여 게이트절연막(120), 반도체층(109) 및 n + 층(119)을 형성한다. First, Fig. 4 (a) as such, Cr on the substrate (110), Mo, Ti, sputtering a metal such as Al or an Al alloy (sputtering) do not show etched after lamination by the process the gate wiring (a view showing the ), the gate electrode 105 and the common electrode (115), and then, SiOx or inorganic material such as SiNx, amorphous silicon (a-Si), continuous deposition by the n + a-Si on CVD (chemical vapor deposition) method to form a to form the gate insulating film 120, a semiconductor layer 109 and the n + layer 119. 이때, 상기한 n+ a-Si을 연속증착하는 대신 반도체층(109)에 PH3를 이온도핑(ion doping)하여 n + 층(119)을 형성하는 것도 물론 가능하다. At this time, by ion doping (ion doping) to PH3 the aforementioned n + a-Si for the semiconductor layer 109, instead of the continuous evaporation also form the n + layer 119 is of course possible.

그 후, 도 4(b)에 나타낸 바와 같이, n + 층(119)에 레이저(laser)를 조사하여 상기한 n + 층(119)을 어닐링(annealing)한다. Then, Figure 4 (b), n + layer 119, a laser (laser) n + layer 119 is annealed (annealing) by the above-mentioned irradiation in the as shown in Fig. 이 어닐링에 의해, n + 층(119)이 다결정 n + 층으로 결정화(crystallization)되는데, 이때 조사되는 레이저의 조사에너지를 200mj/cm 2 이하로 하여 n + 층(19) 혹은 PH 3 가 도핑된 상부의 반도체층만이 결정화되도록 한다. By this annealing, there is the n + layer 119 is crystallized into a polycrystalline n + layer (crystallization), wherein the subject to the laser irradiation energy is irradiated below a 200mj / cm 2 a n + layer 19, or PH 3 doped so that only the layer of the upper semiconductor crystallization.

그 후, 도4(c)에 나타낸 바와 같이, ITO과 같은 투명금속과 Cr, Ta, Al, Al합금과 같은 불투명금속을 스퍼터링방법에 의해 연속적층하여 투명금속층(135)과 불투명금속층(136)을 형성한다. Then, Fig. 4 (c) described above, transparent metal and Cr, Ta, Al, and continuous layer by an opaque metal such as Al alloy sputtering a transparent metal layer 135 and the opaque metal layer 136 such as ITO shown in the form. 상기한 투명금속층(135)과 불투명금속층(136)은 한 개의 마스크(mask)에 의해 한꺼번에 에칭되어 도 4(d)에 나타낸 바와 같은 투명 금속인 ITO로 이루어진 제1데이터배선(102a)과 불투명금속으로 이루어진 제2데이터배선(102b), 제1소스전극(106a) 및 제2소스전극(106b), 제1드레인전극(107a) 및 제2드레인전극(107b), 제1데이터전극(116a) 및 제2데이터전극(116b)이 된다. The transparent metal layer 135 and the opaque metal layer 136 is a first data line (102a) and a non-transparent metal made of a transparent metal ITO as shown in one of the mask (mask) 4 (d) also simultaneously etched by a second data line (102b), the first source electrode (106a) and the second source electrode (106b), a first drain electrode (107a) and a second drain electrode (107b), the first data electrode (116a) made of, and claim 2 is a data electrode (116b). 이어서, 상기한 데이터배선(102a, 102b), 소스전극(106a, 106b), 드레인 전극(107a, 107b) 및 데이터 전극(116a, 116b)을 마스크로 사용하여 반도체층(109)과 n + 층(119)을 에칭하여 채널층(109) 및 오믹콘택층(119)을 형성한다. Then, the one data line (102a, 102b), a source electrode (106a, 106b), a drain electrode (107a, 107b) and data electrodes (116a, 116b) for use as a mask, the semiconductor layer 109 and the n + layer ( etching, 119) to form a channel layer 109 and the ohmic contact layer 119.

이어서, 도 4(e)에 나타낸 바와 같이, SiOx나 SiNx 등을 적층하고 에칭하여 보호막(121)을 형성한 후, 화소영역의 제2데이터전극(116b)을 에칭하여 투명한 제1데이터전극(116a)만을 남겨 놓는다. Then, as shown in FIG. 4 (e), SiOx, or by laminating such as SiNx is etched by etching the second data electrode (116b) of the after forming the protective film 121, a pixel region transparent first data electrode (116a ) leaving only. 일반적인 횡전계방식 액정표시소자에서는 보호막(121)이 기판(110) 전체에 걸쳐서 적층되어 있다. In a typical transverse electric-field type liquid crystal display device is the protective film 121 is stacked over the entire substrate (110). 그러나, 공통전극(115a)과 데이터전극(116b) 위의 보호막(121)이 양전극(115,116) 사이에서 캐패시터(capacitor)로 작용하기 때문에, 액정층에 인가되는 횡전계가 약화되어 액정분자의 회전속도를 저하시킨다. However, a common electrode (115a) and data electrodes (116b) because the functional protective film 121 in place in between the both electrodes (115 116) to the capacitor (capacitor), the transverse electric field applied to the liquid crystal layer a loss of rotational speed of the liquid crystal molecules a is lowered. 따라서, 본 발명에서는 도 4(e)에 나타낸 바와 같이, 화소영역의 보호막(121)을 에칭하기 때문에, 액정분자의 회전속도(즉, 스위칭속도)가 더욱 향상된다. Therefore, in the present invention as shown in Fig. 4 (e), because the etching a protective film 121 of the pixel region, it is further enhanced rotational speed of the liquid crystal molecules (i.e., switching speed).

상기한 공정에 의해 제조된 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 도 4(e)에 나타낸 바와 같이, n + 층(119)이 다결정 n + a-Si으로 되어 있고, 상기한 n + 층(119)과 접촉하는 소스전극과 드레인전극이 투명금속층(106a, 107a)과 불투명금속층(106b, 107b)으로 형성되어 있기 때문에, 상기한 n + a-Si층(119)과 ITO층(107a)이 접촉하게 되어 계변저항이 증가하는 문제를 해결할 수 있게 된다. As shown in the transverse electric-field type liquid crystal display device 4 (e) is also of the present invention produced by the above process, the n + layer 119 is a polycrystalline n + a-Si, the above-mentioned n + layer ( 119), wherein the n + a-Si layer 119 and the ITO layer (107a) because the source electrode and the drain electrode is formed of a transparent metal layer (106a, 107a) and a non-transparent metal layer (106b, 107b) in contact with the comes into contact are able to solve the problem of increased resistance gyebyeon. 또한, 화소영역의 데이터전극(116a)이 투명한 ITO로 이루어져 있기 때문에 개구율이 향상될 뿐만 아니라 데이터배선 역시 투명금속층(102a)과 불투명금속층(107b)으로 되어 있기 때문에 신호지역의 발생이 방지된다. In addition, since, because made of a transparent ITO of the data electrode (116a) in the pixel region is not only enhance the opening ratio data wire is also a transparent metal layer (102a) and a non-transparent metal layer (107b) is generated in the signal area is prevented.

본 발명은 상기한 바와 같이, 투명한 ITO로 이루어진 데이터전극을 한 번의 공정에 의해 소스전극 및 드레인전극과 동시에 형성하기 때문에 제조공정이 간단해진다. The invention and the manufacturing process is simplified, because, to form the data electrode made of a transparent ITO at the same time as the source and drain electrodes by a single step, as described above. 또한, 데이터전극 자체가 투명금속으로 이루어져 개구율이 향상될 뿐만 아니라, n+층이 다결절 a-Si으로 이루어져 있으며 데이터배선, 소스전극 및 드레인전극이 저항이 낮은 불투명금속과 ITO로 이루어진 투명금속으로 이루어져 있기 때문에 n + 층과 소스/드레인전극 사이의 계면저항에 의한 문제와 데이터배선의 저항증가에 의한 신호지연의 문제를 해결할 수 있게 된다. Further, not only the data electrode itself be composed of improving the aperture ratio of a transparent metal, n + layer is composed of nodules a-Si consists of a transparent metal data line, a source electrode and a drain electrode made of an opaque metal and ITO are low resistance since it is possible to solve the problem of signal delay due to the interfacial resistance problem and increases the resistance of the data line due to the n + layer between the source / drain electrode.

Claims (14)

  1. 기판과 ; A substrate;
    상기 기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 복수개의 게이트배선 및 데이터배선과; A plurality of gate wirings and the data defining the pixel regions are arranged in rows and columns on a substrate and wiring;
    게이트전극과, 상기 게이트전극 위에 적층된 게이트절연막과, 상기 게이트절연막 위에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 위에 형성된 다결정 오믹콘택층과, 상기 오믹콘택층 위에 형성된 동일폭의 투명금속과 불투명금속의 이중 층으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극으로 구성되어 상기한 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 배치된 복수개의 박막트랜지스터와; The gate electrode, the same width of the transparent metal and a non-transparent metal formed on and laminated on the gate electrode a gate insulating film, and a semiconductor layer formed on the gate insulating film, a polycrystalline ohmic contact layer formed on the semiconductor layer, the ohmic contact layer double It is composed of a source electrode and a drain electrode made of a layer and disposed on the gate line and a data line crossing the plurality of thin film transistors;
    상기 화소영역에 형성된 적어도 하나의 제1전극과; At least one first electrode formed in the pixel region;
    상기 제1전극과 평행하게 배열된 투명금속으로 이루어진 적어도 하나의 제2전극으로 구성된 횡전계방식 액정표시소자. Transverse electric-field type liquid crystal display element formed by the second at least one second electrode is made of a transparent metal arranged in parallel with the first electrode.
  2. 제 1 항에 있어서, 제1전극이 공통전극이고 제2전극이 데이터전극인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자. The method of claim 1, wherein the first electrode is the common electrode and the transverse electric-field type liquid crystal display element, characterized in that the second electrode is the data electrode.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기한 투명금속이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자. The method of claim 1, wherein the transverse electric-field type liquid crystal display element, characterized in that the transparent metal, ITO (indium tin oxide).
  4. 제 1 항에 있어서, 상기한 불투명금속이 Al, Cr, Ta,Al 합금으로 이루어진 일군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자. The method of claim 1, wherein the transverse electric-field type liquid crystal display element, characterized in that the opaque metal selected from the group consisting of Al, Cr, Ta, Al alloy.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기한 기판 위에 적층된 보호막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자. The method of claim 1, wherein the transverse electric-field type liquid crystal display element, characterized in that further comprising a protective film laminated on the substrate.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기한 보호막이 박막트랜지스터의 위에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자. The method of claim 5, wherein the transverse electric-field type liquid crystal display element, characterized in that the protective film formed on the thin film transistor.
  7. 기판을 제공하는 단계와; Providing a substrate;
    기판 위에 게이트배선, 게이트전극 및 공통전극을 형성하는 단계와; Forming a gate wiring, a gate electrode and a common electrode on the substrate;
    상기한 기판 위에 게이트절연막, 반도체층, n + 층을 형성하는 단계와; Forming a gate insulating film, semiconductor layer, n + layer on the one substrate;
    상기한 n + 층을 결정화 하는 단계와; A step of crystallizing the a n + layer;
    상기한 n + 층 위에 투명금속과 불투명금속을 적층하는 단계와; Laminating a transparent metal and a non-transparent metal on the above-mentioned n + layer;
    상기한 투명금속 및 불투명금속을 에칭하여 각각 투명금속과 불투명금속으로 이루어진 소스전극, 드레인전극 및 데이터전극을 형성하는 단계와; A source electrode made of the above metal and transparent opaque metal in each metallic transparent and non-transparent metal by etching, forming a drain electrode and a data electrode;
    상기한 반도체층 및 n + 층을 에칭하여 채널층 및 오믹콘택층을 형성하는 단계와; Forming a channel layer and an ohmic contact layer by etching the semiconductor layer and n + layer;
    상기한 기판 위에 보호막을 형성하는 단계와; Forming a protective film on said substrate;
    데이터전극의 불투명금속을 제거하는 단계로 이루어진 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. Transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method comprising the step of removing the non-transparent metal of data electrodes.
  8. 제 7 항에 있어서, 게이트절연막, 반도체층, n + 층을 형성하는 단계가, The method of claim 7, wherein the gate insulating film, forming a semiconductor layer, n + layer,
    게이트절연막과 반도체층을 형성하는 단계와; Forming a gate insulating film and the semiconductor layer;
    상기한 반도체층에 n + 이온을 도핑하는 단계로 이루어진 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. Transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method characterized in that step consisting of consisting of a step of doping the n + ions to the semiconductor layer.
  9. 제 7 항에 있어서, 게이트절연막, 반도체층, n + 층을 형성하는 단계가 게이트절연막, 반도체층, n + 층을 연속적층하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. In the gate insulating film, semiconductor layer, n + transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method characterized in that the layer made of the step to the step of the continuous layer of the gate insulating film, semiconductor layer, n + layer which forms according to claim 7.
  10. 제 7 항에 있어서, n + 층을 결정화하는 단계가 상기한 n + 층에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. The method of claim 7, n + transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method comprising the step of irradiating a laser to the n + layer is a step of crystallizing the layer.
  11. 제 7 항에 있어서, 투명전극과 불투명전극을 적층하는 단계가 ITO(indium tinoxide)로 이루어진 투명금속과 Cr, Al, Ta, Al 합금으로 이루어진 불투명금속을 연속적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. The method of claim 7, wherein the step of laminating a transparent electrode and an opaque electrode comprising the steps of sequentially layer a non-transparent metal made of a transparent metal and the Cr, Al, Ta, Al alloy consisting of ITO (indium tinoxide) transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기한 투명금속과 불투명금속이 1회의 공정에 의해 에칭되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. The method of claim 7, wherein the transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method characterized in that the transparent metal and a non-transparent metal to be etched by one step.
  13. 제 7 항에 있어서, 상기한 반도체층 및 n + 층이 소스전극, 드레인전극 및 데이터전극을 마스크로 사용하여 에칭되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. The method of claim 7, wherein the semiconductor layer and the n + layer is a source electrode, a horizontal electric field mode liquid crystal display device manufacturing method of the drain electrode and the data electrode being etched by using a mask.
  14. 제 7 항에 있어서, 싱가한 보호막을 형성하는 단계가, The method of claim 7 wherein the step of forming a protective film Singapore,
    기판 전체에 걸쳐서 보호막을 적층하는 단계와; Laminating a protective film over the entire substrate;
    화소영역의 보호막을 에칭하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자 제조방법. Transverse electric-field type liquid crystal display device manufacturing method characterized by comprising the step of etching the passivation layer of the pixel region.
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