KR100243861B1 - Method for manufacturing thin film actuated mirror array - Google Patents
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Abstract
본 발명은 희생층 형성공정 후 미세패턴형성공정을 통하여 패터닝하기 전에 희생층 상에 산화보호막이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로, 매트릭스 형태로 형성된 능동 소자, 패시베이션층 및 식각 스톱층을 구비한 구동 기판과 상기 구동 기판의 상부에 소정 두께의 절연물질을 적층하여 희생층을 형성하는 공정을 포함하여 복수개의 층을 캔틸레버 구조로 액츄에이터를 형성하는 공정을 구비한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 희생층의 미세패턴형성공정을 통하여 패터닝하기전에 희생층상에 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)를 이용하여 실리콘산화물로 이루어진 산화보호막을 형성하여, PSG재질의 희생층과 공기중의 수분과의 반응으로 발생하는 인산의 형성을 차단하여 희생층 자체의 손상을 막고 또한 미세패턴형성공정을 통한 패터닝시 이용되는 감광층과의 접착력을 향상시켜 박막형 광로조절장치의 공정수율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있는 유용한 것이다.The present invention relates to a manufacturing method of a thin film type optical path adjusting device, which is characterized in that a protective oxide film is formed on a sacrifice layer before patterning through a fine pattern forming process after a sacrifice layer forming process. And a step of forming a sacrificial layer by laminating an insulating material of a predetermined thickness on an upper portion of the driving substrate and an etch stop layer and forming an actuator in a cantilever structure of a plurality of layers, In the manufacturing method of the control device, a protective oxide film made of silicon oxide is formed on the sacrificial layer by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) before patterning through the step of forming the fine pattern of the sacrificial layer, The formation of phosphoric acid generated by the reaction with moisture in the air is blocked, Prevent damage also useful to obtain the effect of improving the adhesive force between the photosensitive layer to be used during patterning through a fine pattern forming process to improve the process yield of the thin-film optical path control device.
Description
본 발명은 투사형 화상 표시 장치에 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 희생층 형성공정 후 미세패턴형성공정을 통한 패터닝공정 이전에 희생층 상에 산화보호막을 형성하여, 자체에 인산의 형성을 차단함으로서 희생층의 손상을 막고 감광층과의 접착력을 향상시키기 위한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a thin film type optical path adjusting device used in a projection type image display apparatus, and more particularly, to a method of manufacturing a thin film type optical path adjusting apparatus, which comprises forming a protective oxide film on a sacrifice layer before a patterning step through a step of forming a fine pattern, The present invention relates to a manufacturing method of a thin film type optical path adjusting device for preventing damage to a sacrifice layer and improving adhesion to a photosensitive layer.
일반적으로, 화상 표시 장치는 표시 방법에 따라, 직시형 화상 표시 장치와 투사형 화상 표시 장치로 구분된다.In general, an image display apparatus is classified into a direct view type image display apparatus and a projection image display apparatus according to a display method.
직시형 화상표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시 장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.The direct-view type image display device has a CRT (Cathode Ray Tube) or the like. Such a CRT image display device has a good image quality, but has problems such as an increase in weight and thickness, .
투사형 화상표시장치는 대화면 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 LCD라 칭함)등이 있는데, 이러한 대화면 LCD는 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 화소 마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.The projection type image display apparatus includes a liquid crystal display (hereinafter referred to as LCD) and the like. Such a large-screen LCD can be reduced in thickness to reduce its weight. However, since the loss of light due to the polarizing plate is large in such an LCD, and the thin film transistor for driving the LCD is formed for each pixel, the light efficiency is very low since it has a limit to increase the aperture ratio (light transmission area).
한편, 액츄에이티드 미러 어레이 (Actuated Mirror Arrays : 이하 AMA라 칭함)를 이용한 투사형 화상표시장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로 조절 장치의 구동에 의해 광로를 변경 시키는 것에 의해 광의 양을 조절하여 화면으로 투사시킴으로써 화상을 나타나게 한다. 즉, 장방형으로 실장된 각각의 액츄에이터들이 입력되는 전기적 신호에 따라 개별적으로 구동되어 거울면을 기울어지게 하여 광의 양을 조절하게 된다.On the other hand, a projection type image display apparatus using an actuated mirror array (hereinafter referred to as AMA) separates white light emitted from a light source into red, green and blue light, The amount of light is adjusted by changing the optical path by driving the adjustment device, and the image is projected on the screen to display an image. That is, each of the actuators mounted in a rectangle is individually driven according to an input electrical signal to tilt the mirror surface to adjust the amount of light.
이와같은 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 전압에 의해 전계를 발생시켜 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다.Such an actuator generates an electric field by a voltage applied to a deformed portion made of a piezoelectric or electrostrictive ceramic, and tilts the mirror using a deformed one.
AMA는 구동방식에 따라 1차원 AMA와 2차원 AMA로 구별된다. 1차원 AMA는 거울들이 M × 1 어레이로 배열되고, 2차원 AMA는 거울 들이 M × N 어레이로 배열되어 있다.The AMA is classified into a one-dimensional AMA and a two-dimensional AMA according to the driving method. In one-dimensional AMA, mirrors are arranged in an M × 1 array, and in a two-dimensional AMA, mirrors are arranged in an M × N array.
따라서, 1차원 AMA를 이용한 투사형 화상 표시 장치는 주사거울을 이용하여 M × 1 개 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상 표시 장치는 M × N 개의 광속들을 투사시켜 화상을 나타내게 된다.Accordingly, the projection type image display apparatus using the one-dimensional AMA linearizes M × 1 light beams using the scanning mirror, and the projection type image display apparatus using the two-dimensional AMA projects an image by projecting M × N light beams.
또한, 액츄에이터는 변형부의 형태에 따라 벌크형(Bulk Type)과 박막형(Thin Film Type)으로 구분된다.In addition, the actuator is classified into a bulky type and a thin film type according to the shape of the deformed portion.
상기 벌크형은 다층 세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극이 형성된 세라믹 웨이퍼(Ceramic Wafer)를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(Sawing)등으로 가공하고 거울을 실장한다.In the bulk type, a ceramic wafer, on which a metal electrode is formed by cutting a thin layer of a multilayer ceramic, is mounted on a driving substrate and then processed by sawing or the like, and a mirror is mounted.
그러나, 벌크형 액츄에이터는 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 긴 공정시간이 필요하며, 변형부의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다. 따라서, 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형의 액츄에이터가 개발되었다.However, since the bulk actuator needs to separate the actuators by sawing, a long process time is required, and the response speed of the deformed part is slow. Therefore, a thin film type actuator that can be manufactured using a semiconductor process has been developed.
이와같은 반도체 공정을 이용한 종래의 일반적인 박막형 광로조절장치가 도 1에 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 종래의 박막형 광로 조절 장치는 능동 소자(도면상 생략됨)가 매트릭스 형태로 형성된 실리콘 기판(110), 능동 소자가 외부로부터 물리적, 화학적 손상을 입는 것을 방지하기 위해 실리콘 기판(110)상에 형성된 패시베이션층(120) 및 상기 패시베이션층(110)이 이후의 식각 공정에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 상기 패시베이션층(120)상에 형성된 식각 스톱층(130)을 구비한 구동 기판(100)을 포함한다.A conventional general thin film type optical path adjusting apparatus using such a semiconductor process is shown in FIG. As shown in the figure, the conventional thin film type optical path adjusting device includes a silicon substrate 110 in which active elements (not shown in the figure) are formed in a matrix form, a silicon substrate 110 for preventing the active element from being physically or chemically damaged from the outside, A passivation layer 120 formed on the passivation layer 120 and an etch stop layer 130 formed on the passivation layer 120 to prevent the passivation layer 110 from being damaged by a subsequent etch process. 100).
또한, 상기 구동기판(100)상에 멤브레인(210), 하부 전극(220), 변형부(230) 그리고 상부전극(235) 이 소정 형상으로 적층되어 캔틸레버 구조를 갖는 액츄에이터(200)를 포함하여 박막형 광로조절장치가 형성된다.The actuator 200 having a cantilever structure in which a membrane 210, a lower electrode 220, a deformed portion 230 and an upper electrode 235 are laminated in a predetermined shape is formed on the driving substrate 100, An optical path adjusting device is formed.
한편, 도 1을 참조하여 일반적인 광로 조절 장치의 제조 공정을 설명하면 다음과 같다.A manufacturing process of a general optical path adjusting device will be described with reference to FIG.
먼저, 반도체 집적 회로 제조 공정에 의하여 MOS와 같은 트랜지스터로 이루어진 복수개의 능동 소자(도시 생략된)가 매트릭스 구조로 형성된 실리콘 기판(110)상에는 이 후에 수행되는 증착 공정의 고온 분위기 하에서 상기 복수개의 능동 소자가 외부로부터 화학적 또는 물리적 손상을 받는 것을 방지시키기 위하여 고온에서 양호한 유동 특성을 나타내는 인이 함유된 실리콘 산화물(PSG; Phospho Silicate Glass) 또는 BPSG(Boro Phospho Silicate Glass) 재질의 패시베이션층(120)을 증착 공정에 의하여 형성시킨다.First, on a silicon substrate 110 having a matrix structure, a plurality of active elements (not shown) made of transistors, such as MOS transistors, are formed in a semiconductor integrated circuit manufacturing process, A passivation layer 120 made of phosphorus silicate glass (PSG) or borophosphosilicate glass (BPSG) containing phosphorus exhibiting good flow characteristics at a high temperature is deposited to prevent chemical or physical damage from being externally applied. Process.
한편, 상기 패시베이션(120)상에 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호한 실리콘 질화물(Si3N4) 조성으로 이루어진 식각 스톱층(130)을 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시킨다.On the passivation layer 120, an etch stop layer 130 made of a silicon nitride (Si 3 N 4 ) composition having a good corrosion resistance against a hydrofluoric acid (HF) solution is deposited to a predetermined thickness by a deposition process.
상기 식각 스톱층(130)은 상기 패시베이션층(120)이 액츄에이터(200)를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위한 식각 공정에 의해서 식각 용액 예를 들면 불산(HF) 용액에 노출되어 화학적 손상을 입는 것을 방지한다.The etch stop layer 130 prevents the passivation layer 120 from being exposed to an etching solution, for example, a hydrofluoric acid (HF) solution to be chemically damaged by an etching process for forming the actuator 200 in a cantilever structure .
한편, 상기 스톱층(130)상에 PSG 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 희생층(공정상 제거되어 도면에 미도시됨; Sacrificial Layer)을 스핀 온 코팅 공정(Spin-on Coating)과 같은 물리기상증착공정(PVD:Phisical Vapour Deposition) 또는 화학기상증착공정 (CVD:Chemical Vapour Deposition)에 의하여 소정두께로 적층시킨 후 감광층을 이용하는 미세패턴형성공정을 통하여 상기 희생층(도면상 미도시됨)을 소정 선폭 크기의 패턴을 구비한 소정 형상으로 패터닝시킨다.On the other hand, a sacrificial layer (not shown in the figure) made of PSG or polycrystalline silicon is formed on the stop layer 130 by a physical vapor deposition process such as a spin-on coating process (Not shown) through a fine pattern forming process using a photosensitive layer after depositing a predetermined thickness by PVD (Phosphorus Vapor Deposition) or CVD (Chemical Vapor Deposition), and then patterning the sacrificial layer And patterned into a predetermined shape having the pattern of FIG.
상기된 바와 같은 희생층(도면상 미도시됨)의 패턴을 통하여 노출된 상기 식각 스톱층(130)상에 절연 특성이 양호할 뿐만 아니라 불산(HF) 용액과 같은 식각 용액에 대한 내성이 양호한 금속 또는 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어진 멤브레인(210)을 화학 기상 증착 공정(CVD)에 의하여 소정 두께로 증착 시킨 후 콘택홀 형성 공정에 의하여 구동 기판(100)의 능동 소자(도시 생략된)와 전기적으로 연결된 메탈 패드(105)를 노출시킨다.The etching stop layer 130 exposed through the pattern of the sacrificial layer (not shown in the figure) as described above has a good insulating property and also has a good resistance to an etching solution such as a hydrofluoric acid (HF) solution. Or silicon nitride (SiN x ) is deposited to a predetermined thickness by a chemical vapor deposition process (CVD) and is then electrically connected to an active element (not shown) of the driving substrate 100 by a contact hole forming process The metal pad 105 is exposed.
상기 멤브레인(210)에서부터 메탈 패드(105)까지 관통된 비아홀에 도전성을 갖는 백금(Pt), 티타늄(Ti), 또는 탄탈륨(Ta)과 갖은 금속을 리프트 오프(Lift-Off)공정으로 장착하여 플러그 메탈(205)을 형성한 후 멤브레인(210)상에 백금(Pt) 또는 탈탄륨(Ta)과 같이 양호한 도전 특성을 나타내는 도전성 금속을 진공증착공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 하부 전극(220)을 형성시킨다.A metal such as platinum (Pt), titanium (Ti), or tantalum (Ta) having conductivity is attached to the via hole penetrating from the membrane 210 to the metal pad 105 by a lift- A metal 205 is formed and a conductive metal exhibiting good conductive characteristics such as platinum (Pt) or decalumium (Ta) is deposited on the membrane 210 to a predetermined thickness by a vacuum deposition process to form the lower electrode 220 .
상기 하부 전극(220)은 멤브레인(210)으로부터 구동 기판(100)의 메탈 패드(105)까지 연결된 플러그 메탈(205)을 통해 구동 기판(100)의 능동 소자와 전기적으로 연결되어 신호 전극의 기능을 갖는다.The lower electrode 220 is electrically connected to the active element of the driving substrate 100 through a plug metal 205 connected from the membrane 210 to the metal pad 105 of the driving substrate 100 to function as a signal electrode. .
한편, 상기 하부 전극(220)의 일부를 반응성 이온 식각 공정(R.I.E.)으로 제거하여 하부 전극(220)에 유입되는 전기적 신호를 화소 단위로 분리시키기 위한 이소 컷팅부(I.C.)를 형성시킨다.A part of the lower electrode 220 is removed by a reactive ion etching (RIE) process to form an isolation cutter (I.C.) for separating the electric signal flowing into the lower electrode 220 in pixel units.
이후, 상기 이소 컷팅부(도시 생략된)를 통하여 노출되는 상기 멤브레인(210)의 일부 및 상기 하부 전극(220)상에 압전 특성을 나타내는 세라믹 재료를 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 변형부(230)를 형성시킨다.Thereafter, a ceramic material exhibiting piezoelectric characteristics is deposited on a part of the membrane 210 exposed through the cut-off portion (not shown) and the lower electrode 220 to a predetermined thickness by a vapor deposition process, 230 are formed.
상기 변형부(230)를 구성하는 세라믹 재료는 BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3조성의 압전 세라믹 또는 Pb(Mg,Nb)O3조성의 전왜 세라믹으로 이루어져 있고 상기 증착 공정은 스퍼터링 증착 공정 또는 화학 기상 증착 공정 또는 졸-겔 공정에 의하여 형성된다.Ceramic material constituting the deformed portion 230 is BaTiO 3, Pb (Zr, Ti ) O 3, (Pb, La) (Zr, Ti) O piezoelectric ceramic or Pb (Mg, Nb) of three compositions O 3 Composition Of electrostrictive ceramics and the deposition process is formed by a sputter deposition process or a chemical vapor deposition process or a sol-gel process.
상기 변형부(230)상에 물리 기상 증착 공정(PVD)에 의하여 전기 전도도 특성이 양호할 뿐만 아니라 반사 특성이 양호한 알루미늄(Al) 또는 백금(Pt) 및 티타늄(Ti)과 같은 금속으로 이루어진 상부전극(235) 을 소정 두께로 형성시켜 액츄에이터(200)의 구동부를 틸팅시키기 위한 공통 전극으로 작용할 뿐만 아니라 반사 특성을 갖는 반사면으로 작용하도록 한다.An upper electrode (not shown) made of a metal such as aluminum (Al) or platinum (Pt) and titanium (Ti) having good electrical conductivity characteristics and good reflection characteristics is formed on the deformation portion 230 by a physical vapor deposition process (235) is formed to have a predetermined thickness so as to serve as a common electrode for tilting the driving part of the actuator (200) as well as to function as a reflecting surface having a reflection characteristic.
또한, 상기 액츄에이터(200)를 소정 형상으로 형성시키기 위해 상기 복수개의 층들의 일부를 식각 공정으로 패터닝하여 상기 희생층(도면상 미도시됨)의 일부가 노출되도록 한 후 보호막(도면상 미도시됨)을 형성시킨다.In order to form the actuator 200 into a predetermined shape, a part of the plurality of layers is patterned by an etching process to expose a part of the sacrificial layer (not shown in the drawing) ).
상기 보호막(도면상 미도시됨)은 상기 희생층(도면상 미도시됨)을 습식 식각(Wet Etch) 공정에 의하여 제거할 때 상기 액츄에이터(200)의 측면이 상기 식각 용액에 노출되어서 각 층들이 박리되는 것을 방지시키기 위한 것으로 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호한 폴리머(Polymer)로 이루어진다.When the sacrificial layer (not shown in the figure) is removed by a wet etching process, the side of the actuator 200 is exposed to the etchant solution, And is made of a polymer having good corrosion resistance to hydrofluoric acid (HF) solution.
이후, 상기 희생층(도면상 미도시됨)은 등방성 식각 특성이 양호하게 나타나는 식각 공정에 의하여 제거되어 캔틸레버 구조를 갖는 액츄에이터가 형성된다.Thereafter, the sacrificial layer (not shown in the drawing) is removed by an etching process in which the isotropic etching characteristics are favorable, thereby forming an actuator having a cantilever structure.
한편, 이온 밀링(Ion Milling) 공정에 의하여 상기 액츄에이터(200)의 상부전극(235) 상에 소정 두께로 잔존하는 상기 보호막을 부분적으로 제거하여 상기 상부전극(235) 을 노출시켜 액츄에이터(200)의 반사면으로 작동할 수 있게 한다.On the other hand, the protective film remaining at a predetermined thickness is partially removed on the upper electrode 235 of the actuator 200 by an ion milling process to expose the upper electrode 235, Allows operation with a reflective surface.
상기와 같은 제조방법으로 이루어지는 액츄에이터(200)는 외부의 제어 시스템으로부터 구동 기판(100)에 내장되어 있는 능동 소자를 통하여 상기 액츄에이터(200)의 상부전극(235) 에 전기적 신호가 인가되면 상기 하부 전극(220)과 상기 상부전극(235) 사이에 소정 크기의 전위차가 발생되고 이러한 전위차 발생에 의해 상기 변형부(230)는 압전 변형을 나타내며 이에 의하여 복수개의 액츄에이터(200)가 개별적으로 구동하게 된다.When an electrical signal is applied from the external control system to the upper electrode 235 of the actuator 200 via the active element built in the driving substrate 100, the actuator 200 having the above- A potential difference of a predetermined magnitude is generated between the upper electrode 231 and the upper electrode 235, and the deformed portion 230 exhibits piezoelectric deformation by the generation of the potential difference, thereby driving the plurality of actuators 200 individually.
즉, 반사면으로 작용하는 상기 상부전극(235) 의 표면으로 입사된 광원의 백색광은 상기 액츄에이터(200)의 구동에 의하여 변경된 광로를 따라 반사되어서 도시되어 있지 않은 스크린상에 화상을 표시하게 된다.That is, the white light of the light source incident on the surface of the upper electrode 235 serving as the reflective surface is reflected along the optical path changed by the driving of the actuator 200 to display an image on a screen not shown.
그러나 이와같은 종래의 박막형 광로조절장치의 제조방법에 있어서, 희생층(도면상 미도시됨)을 미세패턴형성공정으로 패터닝시 상기 PSG재질의 희생층(도면상 미도시됨)의 계면에서 공기중의 수분과 민감하게 반응을 일으켜 인산이 생성됨으로서 희생층(도면상 미도시됨) 자체를 손상시키고 또한 이렇게 발생된 인산으로 인하여 이후 미세패턴형성공정시 이용되는 감광막과의 접착력을 약화되어 공정 수율을 저하시키는 문제점이 있었다.However, in the conventional method of manufacturing the thin-film type optical path adjusting device, when the sacrificial layer (not shown in the drawing) is patterned by the fine pattern forming process, the PSG material is removed from the interface of the sacrificial layer (Not shown in the figure) itself due to the generation of phosphoric acid by reacting sensitively with the moisture of the photoresist layer, and the adhesion of the photoresist used in the subsequent fine pattern forming process due to the phosphoric acid thus generated is weakened, .
즉, 12% 인이 도핑된 PSG로 이루어진 희생층(도면상 미도시됨)은 하기와 같은 화학 반응기구에 의해 희생층(도면상 미도시됨)의 인 성분과 공기중의 수분이 반응을 일으켜 인산을 발생시키며, 상기 인산은 강산성 물질로서 PSG막질을 손상시키게 된다.That is, the sacrifice layer (not shown in the figure) made of 12% doped PSG reacts with the phosphorus component of the sacrificial layer (not shown in the figure) and moisture in the air by the following chemical reaction mechanism Phosphoric acid, and the phosphoric acid is a strongly acidic substance, which damages the PSG film quality.
3H2O + P2O5--〉 2H3PO4 3H 2 O + P 2 O 5 -> 2H 3 PO 4
따라서 본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 수분에 민감한 PSG 재질로 이루어진 희생층과 공기중의 수분과 반응을 차단하기 위하여 희생층의 형성 후 미세패턴형성공정을 통한 패터닝이전에, 산화보호막을 형성시키는 공정을 포함하는 박막형 광로조절장치의 제조방법을 제공하는데 본 발명의 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for preventing moisture from reacting with moisture in a sacrificial layer made of PSG material, And forming a protective oxide film on the surface of the thin film type optical path adjusting device.
이와같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 매트릭스 형태로 형성된 능동 소자, 패시베이션층 및 식각 스톱층을 구비한 구동 기판과 상기 구동 기판의 상부에 소정 두께의 절연물질을 적층하여 희생층을 형성하는 공정을 포함하여 복수개의 층을 캔틸레버 구조로 액츄에이터를 형성하는 공정을 구비한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 희생층을 형성하는 공정 후 미세패턴형성공정을 통한 패터닝공정 이전에, 10m∼1 Torr의 저압상태와 100∼400℃의 온도하에서 50∼500W의 고주파전원을 이용한 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 통하여, 농도 50∼100sccm 정도의 실란과 농도 1000∼3500sccm 정도의 산소를 원료가스로하여 500∼1000Å 두께의 실리콘산화물을 증착하는 산화보호막 형성공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: forming a sacrificial layer by laminating a driving substrate having an active element, a passivation layer, and an etch stop layer formed in a matrix form, And a step of forming an actuator with a cantilever structure including a plurality of layers including a sacrificial layer, wherein the sacrificial layer is formed to a thickness of 10 m to 1 Torr (PECVD) using a high-frequency power source of 50 to 500 W under a low pressure of 100 to 400 DEG C and oxygen at a concentration of about 1000 to 3500 sccm at a concentration of about 50 to 100 sccm, And a step of forming a protective oxide film for depositing silicon oxide having a thickness of 1000 angstroms.
도 1은 종래의 박막형 광로 조절 장치의 단위 픽셀을 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing a unit pixel of a conventional thin film type optical path adjusting device,
도 2는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 단위 픽셀을 도시한 단면도,FIG. 2 is a cross-sectional view of a unit pixel of a thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention,
도 3A 내지 3D는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 산화보호막 증착공정을 도시한 공정단면도,FIGS. 3A to 3D are process cross-sectional views illustrating a process for depositing a protective oxide film of a thin film type optical path adjusting device according to the present invention,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마CVD 장치를 보인 장치도.4 is a view showing a plasma CVD apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉Description of the Related Art
120 : 패시베이션층 130 : 식각 스톱층120: passivation layer 130: etch stop layer
200 : 액츄에이터 105 : 메탈 패드200: actuator 105: metal pad
205 : 플러그 메탈 210 : 멤브레인205: plug metal 210: membrane
220 : 하부 전극 230 : 변형부220: lower electrode 230:
235 : 상부 전극 240 : 희생층235: upper electrode 240: sacrificial layer
250 : 산화보호막 260 : 감광막250: oxidation protective film 260:
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 단위 픽셀을 도시한 단면도이며, 도 3A 내지 3E는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 산화보호막 증착공정을 도시한 공정단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing a unit pixel of the thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention, and FIGS. 3A to 3E are cross-sectional views illustrating a process of depositing a protective oxide film of the thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 매트릭스 형태로 형성된 능동 소자, 패시베이션층 및 식각 스톱층을 구비한 구동 기판과 상기 구동 기판의 상부에 소정 패턴형상을 갖는 절연물질로 이루어진 희생층 및 상기 희생층을 덮고 있는 산화보호막이 형성되어 있으며, 노출된 구동기판 및 산화보호막 상에 멤브레인, 하부전극, 변형부 및 상부전극이 캔틸레버 구조로 형성되어 있다.As shown in FIG. 2, according to a preferred embodiment of the present invention, a driving substrate having an active element, a passivation layer, and an etching stop layer formed in a matrix form and a sacrifice made of an insulating material having a predetermined pattern shape on the driving substrate Layer and the sacrificial layer, and the membrane, the lower electrode, the deformed portion, and the upper electrode are formed in a cantilever structure on the exposed driving substrate and the oxidized protective film.
여기에서 상기 희생층 상에 형성되는 산화보호막은 500∼1000Å 두께의 SiO2로 이루어져 PSG 재질로 이루어진 희생층을 보호하며 제조공정시 이용되는 감광막(도시되지 않음)과의 접착력을 향상시킨다.Here, the oxidation protective layer formed on the sacrificial layer is made of SiO 2 having a thickness of 500 to 1000 Å, thereby protecting the sacrificial layer made of the PSG material and improving the adhesion with the photoresist (not shown) used in the manufacturing process.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 산화보호막의 제조공정을 설명하면 다음과 같다.A process for manufacturing the oxide protective film according to a preferred embodiment of the present invention will be described below.
도 3A를 참조하면, 능동소자 및 메탈 패드를 구비한 실리콘기판(110)상에 패시베이션층(120) 및 식각스톱층(130)이 순차적으로 적층된다.Referring to FIG. 3A, a passivation layer 120 and an etching stop layer 130 are sequentially stacked on a silicon substrate 110 having active elements and metal pads.
상기 패시베이션층(120) 형성공정은 이 후에 수행되는 증착 공정의 고온 분위기 하에서 능동 소자가 화학적 또는 물리적 손상을 받는 것을 방지시키기 위한 것으로 능동 소자가 상호간에 전기적으로 도통되는 것을 방지시키기 위한 절연 특성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 상기 능동 소자의 표면보호특성을 나타내는 인이 함유된 실리콘 산화물 또는 BPSG를 화학 기상 증착 공정(CVD)으로 이루어진다.The passivation layer 120 is formed to prevent an active device from being chemically or physically damaged in a high-temperature atmosphere of a deposition process performed after the passivation layer 120. The passivation layer 120 has an insulating property to prevent the active devices from being electrically conducted to each other Or silicon oxide or BPSG containing phosphorus which exhibits the surface protection property of the active device is formed by a chemical vapor deposition process (CVD).
또한, 식각 스톱층(130) 형성공정은 상기 패시베이션층(120)상에 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호한 실리콘 질화물(Si3N4)을 화학 기상 증착 공정(CVD) 특히 저압 화학기상증착공정(LPCVD) 또는 플라즈마 화학기상증착공정(PECVD)으로 이루어지며, 액츄에이터(200)를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위한 식각 공정에 의해서 상기 패시베이션층(120)이 식각 용액 예를 들면 불산(HF) 용액에 노출되어 화학적 손상을 입는 것을 방지하는 기능을 갖는다.The etch stop layer 130 may be formed by depositing silicon nitride (Si 3 N 4 ) having a good corrosion resistance against a HF solution on the passivation layer 120 by a chemical vapor deposition process (CVD), especially a low pressure chemical vapor deposition The passivation layer 120 is formed by an etching process for forming an actuator 200 in a cantilever structure by etching the etching solution such as a hydrofluoric acid (HF) solution or the like by an LPCVD process or a plasma chemical vapor deposition process (PECVD) And has a function of preventing exposure and chemical damage.
도 3B를 참조하면, 희생층(240) 형성공정에 의해 상기 스톱층(130)상에 PSG 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 희생층(240)을 스핀 온 코팅 공정 등을 이용하여 통상적인 방법으로 소정두께를 갖도록 적층시킨다.Referring to FIG. 3B, a sacrificial layer 240 made of PSG or polycrystalline silicon is formed on the stop layer 130 by a process of forming a sacrifice layer 240 by a spin-on coating process or the like, Respectively.
도 3C를 참조하면, 상기 희생층(240) 형성공정 후 최대한 빠른 시간안에 산화보호막(250) 형성공정으로 상기 희생층(240)상에 산화보호막(250)을 형성한다.Referring to FIG. 3C, the oxidation protective layer 250 is formed on the sacrificial layer 240 by a process of forming the oxidation protective layer 250 as soon as possible after the sacrificial layer 240 is formed.
상기 산화보호막(250) 형성공정은 플라즈마CVD공정으로 실란(SiH4)과 산소를 원료가스로하여 500∼1000Å 두께의 SiO2를 증착시켜 이루어진다.The oxidation protective film 250 is formed by depositing SiO 2 with a thickness of 500-1000 Å using silane (SiH 4 ) and oxygen as a source gas by a plasma CVD process.
상기 플라즈마CVD공정은 도 4에 도시된 바와 같이, 실란과 산소로 이루어진 원료가스를 50∼500W의 고주파전원이 형성된 플라즈마CVD 장치로 유입하여 10m∼1 Torr의 저압 하에서 플라즈마화 하여 플라즈마상태의 원료가스가 해리되면서 발생되는 고 에너지를 이용하여 구동기판의 희생층상에 확산되면서 증착된다.4, the raw material gas composed of silane and oxygen is introduced into a plasma CVD apparatus having a high-frequency power of 50 to 500 W, plasma is formed at a low pressure of 10 m to 1 Torr, and a plasma source material gas Is diffused on the sacrificial layer of the driving substrate by using high energy generated by dissociation.
이때 상기 구동기판(100)의 온도는 100∼400℃로 유지하는 것이 바람직하며, 상기 실란의 농도는 50∼100sccm, 질소가스의 농도는 1000∼3500sccm을 유지하는 것이 바람직하다.At this time, the temperature of the driving substrate 100 is preferably maintained at 100 to 400 ° C., the concentration of the silane is preferably 50 to 100 sccm, and the concentration of the nitrogen gas is preferably 1000 to 3500 sccm.
이와같이 형성된 산화보호막(250)상에 감광막(260)을 도포한 후 미세패턴형성공정에 의해 도면 3D에 도시된 바와 같이, 희생층(240)이 소정의 형상을 갖도록 통상의 포토리소그래피 공정으로 메탈 패드(105)가 노출될 수 있도록 산화보호막(250) 및 희생층(240)을 패터닝 한다.After the photoresist layer 260 is coated on the oxidation protection layer 250 thus formed, the photoresist layer 260 is patterned by a conventional photolithography process so that the sacrifice layer 240 has a predetermined shape, The protective oxide film 250 and the sacrificial layer 240 are patterned so that the protective film 105 is exposed.
즉, 상기 산화보호막(250)은 PSG 재질로 이루어진 희생층(240)이 공기중의 수분과 반응을 일으켜 인산이 생성되는 것을 방지하여 희생층(240)이 손상되는 것을 억제하며, 패터닝 공정시 희생층(240)과 감광막(260)의 접착력을 향상시키게 된다.That is, the protective oxide film 250 prevents the sacrificial layer 240 made of PSG from reacting with moisture in the air to prevent phosphoric acid from being formed, thereby preventing the sacrificial layer 240 from being damaged, The adhesion between the layer 240 and the photoresist layer 260 is improved.
이하 상기 희생층(240)상에 멤브레인(210), 하부 전극(220), 변형부 (230) 및 상부전극(235)을 형성하기 위한 공정이 순차적으로 진행되는바 이는 통상적인 형성공정으로 실현가능하므로 상세한 설명은 생략한다.A process for forming the membrane 210, the lower electrode 220, the deformed portion 230, and the upper electrode 235 is sequentially performed on the sacrificial layer 240, A detailed description thereof will be omitted.
이상, 상기 내용은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. .
따라서 본 발명에 따르면 상기 수분에 민감한 PSG 재질로 이루어진 희생층과 공기중의 수분과의 반응을 차단하도록, 희생층 형성 후 상기 희생층을 패터닝하기 전에 희생층상에 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 통한 실리콘산화물로 이루어진 산화보호막을 형성하여, PSG재질의 희생층과 공기중의 수분과의 반응으로 발생하는 인산의 형성을 차단함으로서 희생층 자체의 손상을 막고 또한 미세패턴형성공정을 통한 패터닝시 이용되는 감광층과의 접착력을 향상시켜 박막형 광로조절장치의 공정수율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있는 유용한 것이다.Therefore, according to the present invention, after the formation of the sacrificial layer, the sacrificial layer made of PSG material sensitive to moisture is reacted with the moisture in the air by plasma chemical vapor deposition (PECVD) before the sacrificial layer is patterned The oxidation protection film made of silicon oxide is formed to block the formation of phosphoric acid generated by the reaction between the PSG material sacrificial layer and the moisture in the air, thereby preventing damage to the sacrifice layer itself and also used for patterning through the fine pattern formation process It is advantageous to obtain an effect of improving the process yield of the thin film type optical path adjusting device by improving the adhesion with the photosensitive layer.
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| JPH03200330A (en) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH03263324A (en) * | 1990-02-16 | 1991-11-22 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of silicon nitride film |
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