KR0170754B1 - Dram usage for cdg and cdeg system - Google Patents

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KR0170754B1 KR1019950067551A KR19950067551A KR0170754B1 KR 0170754 B1 KR0170754 B1 KR 0170754B1 KR 1019950067551 A KR1019950067551 A KR 1019950067551A KR 19950067551 A KR19950067551 A KR 19950067551A KR 0170754 B1 KR0170754 B1 KR 0170754B1
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Abstract

본 발명은 CDG 및 CDEG 시스템에 있어서, 2개의 256K DRAM으로 설계된 DRAM 어드레스 블럭에 큰 수정을 가하지 않고 하나의 1M DRAM을 사용하기 위한 DRAM 사용 방법에 관한 것이다.In the CDG and CDEG systems, the present invention relates to a DRAM usage method for using one 1M DRAM without significant modification to a DRAM address block designed with two 256K DRAMs.

본 발명은 하나의 1M 이상의 DRAM을 이용하여 CDEG 모드로 그래픽을 하는 CDG 및 CDEG 시스템에 있어서, 데이타 쓰기시 인스트럭션에 따라 구분하는 데이타 쓰기 구분 단계,상기 인스트럭션이 쓰기 폰트 및 배타적 오아 폰트인 경우 PM에 쓰일 데이타를 같은 로우의 이븐 칼럼(Even Column)에 쓰고 SM에 쓰일 데이타를 같은 로우의 오드 칼럼(Odd Column)에 쓰는 쓰기 및 배타적 오아 폰트 쓰기 단계, 상기 인스트럭션이 프리세트 메모리의 스크롤 스크린인 경우 프리세트시켜야 할 영역(Area)에 순차적으로 쓰는 프리세트 메모리의 스크롤 스크린 쓰기 단계,및 데이타 읽기시 칼럼의 값이 이븐 또는 오드에 따라 각각 하나의 데이타를 저장하는 두개의 레지스터가 한개씩 교대로 열리게 하여 하나의 코드를 만드는 데이타 읽기 단계에 의해 수행된다.According to the present invention, in the CDG and CDEG systems that use one or more DRAMs for graphics in the CDEG mode, a data write classification step for distinguishing according to an instruction when data is written, when the instruction is a write font and an exclusive ora font, Write data to be written to the Even column of the same row and Write data to the Od column of the same row, and Write to the exclusive Oa font, Free if the instruction is a scroll screen of the preset memory. A scroll screen write step of a preset memory that writes sequentially to an area to be set, and two registers each of which stores one data in turn depending on whether or not the column value is read or opened, one by one This is done by reading the data that creates the code for.

Description

CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법How to use DRAM in CDG and CDEG systems

제1도는 쓰기 폰트, 배타적 오아 폰트 인스트럭션(Exclusive-OR FONT Instruction) 일때의 팩 데이타의 포맷도.1 is a format diagram of pack data in the case of a writing font and an exclusive-OR FONT instruction.

제2도는 모니터에 표시되는 스크린의 위치와 DRAM의 어드레스간의 매칭을 나타낸 도면.2 is a diagram showing a match between a position of a screen displayed on a monitor and an address of a DRAM.

제3도는 본 발명에 의한 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법의 흐름도.3 is a flowchart of a DRAM usage method of a CDG and CDEG system according to the present invention.

제4도(a)(b)는 데이타 읽기시의 8비트 코드 형성 과정을 나타낸 도면.4 (a) and (b) show an 8-bit code formation process when reading data.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 8비트 레지스터 2, 3 : 4비트 레지스터1: 8-bit register 2, 3: 4-bit register

본 발명은 CDG 및 CDEG 시스템에 있어서, 2개의 256K DRAM으로 설계된 DRAM 어드레스 블럭에 큰 수정을 가하지 않고 하나의 1M DRAM을 사용하기 위한 DRAM 사용 방법에 관한 것이다The present invention relates to a DRAM use method for using a single 1M DRAM in a CDG and CDEG system without major modifications to a DRAM address block designed as two 256K DRAMs.

CDG 및 CDEG는 CD 데이타 포맷의 서브코드(Subcode) 영역을 이용하여, TV등의 모니터에 정지 화상을 디스클레이하는 기능을 갖는다.CDG and CDEG have a function of displaying a still picture on a monitor such as a TV by using a subcode area of the CD data format.

서브 코드의 데이타 포맷은 팩(PACK) 단위로 정의가 되며 1팩은 6개의 패러티 심볼을 포함하여 24개의 심볼로 구성된다. 모드/아이템(MODE/ITEM) 심볼을 가지고 CDG/CDEG 모드를 선택하게 되고 인스트럭션 심볼(Instruction Symbol)은 쓰기 폰트(Write FONT), 스크롤 폰트(Scroll FONT) 등의 세부 기능을 정의하게 된다The data format of the sub code is defined in packs. A pack consists of 24 symbols including 6 parity symbols. The CDG / CDEG mode is selected with the MODE / ITEM symbol, and the Instruction Symbol defines the detailed functions such as the Write FONT and the Scroll FONT.

CDG모드에서는 칼라를 4비트로 정의하여 16가지 색으로 화면을 표시하고, CDEG 모드에서는 CDG모드의 4비트를 포함한 8비트를 가지고 256가지의 색을 표시 한다.In the CDG mode, the color is defined as 4 bits and the screen is displayed in 16 colors. In the CDEG mode, 256 colors are displayed with 8 bits including the 4 bits of the CDG mode.

CDG/CDEG의 스크린 영역이 300 × 216 = 64800 픽셀이 되고 각 픽셀별로 4비트씩의 칼라 값이 저장되어야 하므로 CDG의 경우에는 256K DRAM(=65536 × 4비트) 1개가 필요하고, CDEG의 경우에는 256K DRAM 2개가 필요하게 된다.Since the screen area of the CDG / CDEG is 300 × 216 = 64800 pixels, and color values of 4 bits must be stored for each pixel, one 256K DRAM (= 65536 × 4 bits) is required for CDG, and for CDEG Two 256K DRAMs will be required.

즉, CDG의 경우에 필요한 DRAM의 최소 크기는 256K DRAM 1개이고, CDEG 의 경우에 필요한 DRAM의 최소 크기는 256K DRAM 2개이다In other words, the minimum size of DRAM required for CDG is one 256K DRAM, and the minimum size of DRAM required for CDEG is two 256K DRAM.

그러나 1M비트 이상의 크기를 갖는 DRAM을 하나만 사용하여 세트를 만드는 경우 기존의 방식으로는 CDEG를 구현하지 못한다. 즉, CDEG의 256개 색을 표현하기 위한 8비트가 하나의 팩 데이타를 이용하여 한번에 정의되지 않고 CDG용의 4비트와 CDEG용의 4비트가 모여 8비트를 이루기 때문에 메모리를 2개 써야하는 제약이 있다.However, if a set is made using only one DRAM having a size of 1M bit or more, the conventional method does not implement CDEG. In other words, 8 bits for representing 256 colors of CDEG are not defined at one time using one pack data, and 4 bits for CDG and 4 bits for CDEG are combined to form 8 bits. There is this.

따라서 본 발명은 CDG 및 CDEG 시스템에 있어서, 256K DRAM용으로 설계된 DRAM 관련 어드레스 블럭에 큰 수정을 가하지 않고 1M 이상의 DRAM을 하나만 사용하면서도 CDEG를 정상적으로 구현할 수 있도록 하기 위한 DRAM사용 방법을 제겅함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of using a DRAM in which a CDEG can be normally implemented while using only one DRAM of 1M or more without large modifications to a DRAM-related address block designed for 256K DRAM in a CDG and CDEG system. have.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 CDG 및 CDEG시스템의 DRAM 사용 방법은 하나의 1M 이상의 DRAM을 이용하여 CDEG 모드로 그래픽을 하는 CDG 및 CDEG 시스템에 있어서, 데이타 쓰기시 인스트럭션에 따라 구분하는 데이타 쓰기 구분 단계,상기 인스트럭션이 쓰기 폰트 및 배타적 오아 폰트인 경우 PM에 쓰일 데이타를 같은 로우의 이븐 칼럼(Even Column)에 쓰고 SM에 쓰일 데이타를 같은 로우의 오드 칼럼(Odd Column)에 쓰는 쓰기 및 배타적 오아 폰트 쓰기 단계, 상기 인스트럭션이 프리세트 메모리의 스크롤 스크린인 경우 프리세트시켜야 할 영역(Area)에 순차적으로 쓰는 프리세트 메모리의 스크롤 스크린 쓰기 단계, 및 데이타 읽기시 칼럼의 값이 이븐 또는 오드에 따라 각각 하나의 데이타를 저장하는 두개의 레지스터가 한개씩 교대로 열리게 하여 하나의 코드를 만드는 데이타 읽기 단계에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a DRAM using method of the CDG and CDEG system according to the present invention is a CDG and CDEG system for performing graphics in the CDEG mode by using one or more 1M DRAM, the data writing according to the instruction when writing data Classification step, if the instruction is a write font and an exclusive ora font, write and exclusive ora to write data to be used in PM in the Even column of the same row and write data to be in odd column of the same row in the same row Writing of the font, scrolling of the preset memory sequentially writing to the area to be preset when the instruction is a scrolling screen of the preset memory, and column value upon reading the data according to even or odd Two registers to store one data are opened one by one, one code It is characterized in that performed by the data reading step of making a.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 쓰기 폰트, 배타적 오아 폰트 인스트럭션(Exclusive-OR FONT Instruction) 일때의 팩 데이타의 포맷도이고,제2도는 모니터에 표시되는 스크린의 위치와 DRAM의 어드레스간의 매칭을 나타낸 도면이고, 제3도는 본 발명에 의한 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법의 흐름도이고, 제4도는 데이타 읽기시의 8비트 코드 형성 과정을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a format diagram of pack data in the case of a writing font and an exclusive-OR FONT instruction, and FIG. 2 is a diagram showing a match between a position of a screen displayed on a monitor and an address of a DRAM. FIG. 4 is a flowchart illustrating a DRAM usage method of a CDG and CDEG system according to the present invention. FIG. 4 is a diagram illustrating an 8-bit code formation process when reading data.

CDG 및 CDEG의 쓰기 폰트 인스트럭션일때의 팩 데이타는 제1도에 도시한 바와 같이 심볼4와 심볼5에 칼라0(COLOR0)과 칼라1(COLOR1)이 있고, 심볼6과 심볼7에 로우(ROW) 및 컬럼 (COLUMN) 이 있고, 심볼8로 부터 심볼19에 폰트(FONT)가 위치한다.In the case of CDG and CDEG writing font instructions, the pack data has color 0 (COLOR0) and color 1 (COLOR1) in symbols 4 and 5, and ROW in symbols 6 and 7 as shown in FIG. And a column (COLUMN), where the font (FONT) is located from the symbol 8 to the symbol 19.

심볼6과 심볼7의 로우(ROW) 및 컬럼 (COLUMN) 값에 따라 스크린의 위치가 정해지고, 심볼8로 부터 심볼19까지의 폰트값에 따라서 칼라0과 칼라1의 값을 DRAM에 써넣게 된다. 즉,폰트값이 '0'이면 칼라0의 4비트를 DRAM에 써넣게 되고, 폰트값이 '1'이면 칼라1의 4비트를 DRAM에 써넣게 된다.The screen is positioned according to the ROW and COLUMN values of symbols 6 and 7, and the color 0 and color 1 values are written into the DRAM according to the font values from symbols 8 to 19. . That is, if the font value is '0', four bits of color 0 are written to the DRAM. If the font value is '1', four bits of color 1 are written to the DRAM.

256K DRAM을 이용한 CDEG의 구현에서는 CDG의 쓰기 폰트의 칼라 값을 첫번째 DRAM에 쓰고 CDEG의 쓰기 폰트의 칼라값을 두번째 DRAM에 쓰게 된다.In the implementation of CDEG using 256K DRAM, the color value of the CDG write font is written to the first DRAM and the color value of the CDEG write font is written to the second DRAM.

모니터에 표시되는 스크린의 위치와 ORAM의 어드레스간의 매칭은 제2도에 도시한 바와 같다.The matching between the position of the screen displayed on the monitor and the address of the ORAM is as shown in FIG.

즉, DRAM의 어드레스(0,0)으로 부터 (0, 255)와 어드레스 (1, 0)으로 부터 (1, 43)까지의 300개의 어드레스가 스크린의 첫번째 라인이 되고, DRAM의 어드레스(1, 44)으로 부터 (1, 255)와 어드레스 (2, 0)으로 부터 (2, 87)까지의 300개의 어드레스가 스크린의 두번째 라인이 된다.That is, 300 addresses from the address (0,0) of the DRAM to (0, 255) and the addresses (1, 0) to (1, 43) become the first line of the screen, and the address of the DRAM (1, 300 addresses from 44) to (1, 255) and addresses (2, 0) to (2, 87) become the second line of the screen.

이러한 방식으로 300개의 어드레스가 순차적으로 나누어져 스크린의 216개의 라인과 매칭이 되고, 나누어진 300개의 어드레스가 라인의 각 픽셀과 매칭이 되게 된다.In this manner, 300 addresses are sequentially divided to match 216 lines on the screen, and the divided 300 addresses are matched to each pixel of the line.

제3도는 참조하여 본 발명에 의 한 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법을 설명하면 다음과 같다.3 illustrates a DRAM usage method of a CDG and CDEG system according to the present invention with reference to the following.

먼저 그래픽 모드를 선택하여 CDG 모드인 경우에는 기존의 경우와 마찬가지로 PM(Primary Memory)과 SM(Secondary Memory)의 인터페이스를 인에이블시켜 CDG를 위한 데이타 읽기 및 쓰기를 수행하면 된다.First, in the case of the CDG mode by selecting the graphics mode, as in the conventional case, the interface between the primary memory (PM) and the secondary memory (SM) is enabled to read and write data for the CDG.

그래픽 모드가 CDEG 모드인 경우에는 DRAM의 모드에 따라 두가지 방법으로 동작하게 된다.When the graphics mode is the CDEG mode, there are two ways to operate according to the DRAM mode.

먼저, 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우에는 PM과 SM으로 표현되므로, PM과 SM 인터페이스를 각각 인에이블시킨다.First, when two 256K DRAMs are used, they are represented by PM and SM, thereby enabling the PM and SM interfaces, respectively.

여기서, PM용의 어드레스 8비트, 데이타 4비트, 및 쓰기 인에이블(WE) 과 SM용의 어드레스 8비트, 데이타 4비트, 및 쓰기 인에이블(WE)을 위한 핀(pin)이 필요하고, PM과 SM 공통으로 쓰이는 출력 인에이블(OE), 로우 어드레스 스트로브(Row Address Strobe . RAS), 및 칼럼 어드레스 스트로브(Column Address Strobe:CAS)를 위한 핀이 필요하다.Here, 8 bits of address, 4 bits of data, and write enable (WE) for the PM and 8 bits of data, 4 bits of data for the SM, and a pin for write enable (WE) are required. The pins are required for output enable (OE), row address strobe (RAS), and column address strobe (CAS), which are common to both the and SM.

DRAM 2개를 사용하는 경우 쓰기시에는 같은 어드레스값과 쓰기 인에이블 신호(WE) 두개를 가지고 저장될 장소가 PM인지 SM인지를 결정하게 되고, 읽기일 경우에는 역시 같은 어드레스값으로 두개의 메모리에서 동시에 읽기를 하여 최상위 비트(MSB)부 4비트와 최하위 비트(LSB)부 4비트로 8비트 코드를 만들어 동작을 시킨다.In case of using 2 DRAMs, it decides whether to store PM or SM with the same address value and two write enable signals (WE) at the time of writing. At the same time, it reads 8 bits of 4 bits of the most significant bit (MSB) and 4 bits of the least significant bit (LSB) to make an 8-bit code.

다음으로 하나의 1M DRAM을 사용하는 경우, 즉 DRAM을 1개만 써서 CD/CDG를 구현하는 본 발명은 어드레스 비트가 최소한 9비트가 필요하고, 데이타, 쓰기 인에이블, 출력 인에이블, 로우 어드레스 스크로브, 및 칼럼 어드레스 스트로브를 위한 핀이 각각 1개만 있으면 된다.Next, in the case of using one 1M DRAM, that is, implementing the CD / CDG using only one DRAM, the address bits require at least 9 bits, and data, write enable, output enable, and row address scrubs are required. Only one pin for each of the, and column address strobes is required.

즉, 데이타를 쓰기 및 읽기 위한 어드레스는 9비트로 이루어지고, 데이타는 4비트로 이루어진다That is, the address for writing and reading data consists of 9 bits, and the data consists of 4 bits.

본 발명에 의한 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법은 쓰기 및 읽기의 인터 페이스에 따라 데이타 쓰기 구분 단계, 쓰기 및 배타적 오아 폰트 쓰기 단계, 프리세트 메모리의 스크롤 스크린 쓰기 단계, 및 데이타 읽기 단계에 의해 수행된다.The DRAM usage method of the CDG and CDEG system according to the present invention is performed by data writing classification step, writing and exclusive OA font writing step, scroll screen writing step of preset memory, and data reading step according to the interface of writing and reading. do.

먼저, 데이타 쓰기 구분 단계는 하나의 1M DRAM을 사용하는 경우 데이타 쓰기시 인스트럭션(Instruction)에 따라 구분하게 되는데, 인스트럭션이 쓰기 폰트 및 배타적 오아(X-OR)폰트인 경우와 프리세트 메모리의 스크롤 스크린인 경우가 있다.First, the data write classification step is classified according to an instruction when writing data when using a single 1M DRAM, and the instruction is a write font and an exclusive X-OR font and a scroll screen of the preset memory. There is a case.

이와 같이 인스트럭션이 쓰기 폰트 및 배타적 오아 폰트인 경우에는 쓰기 및 배타적 오아 폰트 쓰기 단계를 수행하고, 프리세트 메모리의 스크롤 스크린인 경우에는 프리세트 메모리의 스크롤 스크린 쓰기 단계를 수행한다.As described above, when the instruction is a writing font and an exclusive ora font, a writing and an exclusive ora font writing step are performed. When the instruction is a scroll screen of the preset memory, a scroll screen writing step of the preset memory is performed.

인스트럭션이 쓰기 및 배타적 오아 폰트인 경우에는 PM과 SM의 쓰기가 구분되어 이루어지기 때문에 DRAM 인터페이스부의 동작 주파수를 변화시킬 필요가 없지만, 인스트럭션이 프리세트 메모리의 스크롤 스크린인 경우에는 PM과 SM의 쓰기가 동시에 일어나기 때문에 1개의 메모리를 가지고 쓰기를 할 경우 DRAM 인터페이스부의 동작 주파수를 2배로 빠르게 해야 한다.If the instruction is a write or exclusive ora font, the PM and SM writes are separated, so there is no need to change the operating frequency of the DRAM interface.However, if the instruction is a scroll screen of the preset memory, the PM and SM writes are not possible. Since this happens at the same time, when writing with one memory, the operating frequency of the DRAM interface unit should be doubled.

쓰기 및 배타적 오아 폰트 쓰기 단계는 인스트럭션이 쓰기 폰트 및 배타적 오아 폰트인 경우 PM에 쓰일 데이타를 같은 로우(ROW)의 이븐칼럼(Even Column)에 쓰고 SM에 쓰일 데이타를 칼은 로우(ROW)의 오드 칼럼(Odd Column)에 쓴다. 이때, 동작 주파수는 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우와 동일한 주파수이다.Write and Exclusive Oa Font The Write step writes data to be used for PM in the Even Row of the same row if the instruction is a write font and an exclusive Oa font. Write to Odd Column At this time, the operating frequency is the same frequency as when using two 256K DRAM.

즉, 로우 어드레스의 값은 변화가 없고 칼럼 어드레스 값만이 변화하게 되는데, PM에 쓰여질 데이타에 해당하는 칼럼 어드레스는 기존의 어드레스에 2를 곱한 이븐 칼럼이 되고, SM에 쓰여질 데이타에 해당하는 칼럼 어드레스는 기존의 어드레스에 2를 곱한후 다시 1을 더한 오드 칼럼이 된다.That is, the row address does not change and only the column address changes. The column address corresponding to the data to be written in the PM becomes an even column multiplied by 2 and the column address corresponding to the data to be written in the SM It is an odd column that multiplies the existing address by 2 and adds 1 again.

예를 들어 PM의 어드레 스(10, 10)에 쓰여질 데이타는 어드레스(10, 20)에 쓰여지고, SM의 어드레 스(10, 10)에 쓰여질 데이타는 어드레스(10, 21)에 쓰여진다.For example, data to be written to the addresses 10 and 10 of the PM is written to the addresses 10 and 20, and data to be written to the addresses 10 and 10 of the SM is written to the addresses 10 and 21.

다음으로 프리세트 메모리의 스크롤 스크린 쓰기 단계는 인스트럭션이 프리세트 메모리의 스크롤 스크린인 경우 프리세트시켜야 할 영역(Area)에 순차적으로 쓴다. 이때, 동작 주파수는 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우의 2배의 주파수이다.Next, the scroll screen write step of the preset memory writes sequentially to an area to be preset when the instruction is a scroll screen of the preset memory. At this time, the operating frequency is twice the frequency when using two 256K DRAM.

즉, 프리세트 스크롤 스크린 쓰기 단계는 2배의 빠른 주파수를 이용하여 프리세트시켜야 할 영역(Area)에 순차적으로 쓰게 된다. 사용되는 전체 메모리 영역은 (0, 0)에서 (253, 63)까지가 된다.That is, the preset scroll screen writing step is sequentially written to an area to be preset using a frequency twice as fast. The total memory area used is from (0, 0) to (253, 63).

데이타 읽기 단계는 데이타 읽기시 칼럼의 값이 이븐 또는 오드에 따라 각각 하나의 데이타를 저장하는 두개의 레지스터가 한개씩 교대로 열리게 하여 하나의 코드를 만드므로써 이루어진다. 이때 동작 주파수는 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우의 2배의 주파수이다.The data read step is performed by making a code by opening two registers, each of which stores one data in turn depending on whether the column value is even or odd. The operating frequency is twice that of two 256K DRAMs.

또한, 레지스터는 4비트 레지스터로 이루어지며, 하나의 코드는 8비트로 이루어진다.In addition, the register is composed of 4 bit registers, and one code is composed of 8 bits.

따라서 데이타 읽기 단계는 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우의 2배의 주파수로 읽으면서, 칼럼의 값이 이븐 또는 오드에 따라 각각 하나의 데이타를 저장하는 두개의 4비트 레지스터가 한개씩 교대로 열리게 하여 8비트로 이루어지는 하나의 코드를 만드므로써 이루어진다.Therefore, the data read step reads at twice the frequency of using two 256K DRAMs, and alternately opens two 4-bit registers, each of which stores one data depending on the even or the odd. By making a single code of bits.

즉, DRAM에서의 읽기는 두개의 메모리에서 동시에 읽어서 각각의 4비트 데이타를 최하위 비트부와 최상위 비트부로 하는 8비트 코드를 만들게 된다.In other words, reading from DRAM simultaneously reads from two memories to produce an 8-bit code in which each 4-bit data is the least significant part and the most significant bit part.

여기서, 제4도를 참조하여 데 이타 읽기시의 8비트 코드 형성 과정을 설명한다.Here, an 8-bit code formation process when reading data will be described with reference to FIG. 4.

제4도(a)는 기존의 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우 데이타 읽기시의 8비트 코드 형성 과정을 나타낸 도면이고, 제4도(b)는 본 발명에 의한 1개의 1M DRAM을 사용하는 경우 데이타 읽기시의 8비트 코드 형성 과정을 나타낸 도면이다.FIG. 4 (a) is a diagram illustrating an 8-bit code formation process when data is read when two existing 256K DRAMs are used. FIG. 4 (b) is a case where one 1M DRAM according to the present invention is used. 8 is a diagram illustrating an 8-bit code formation process when reading data.

2개의 256K DRAM을 사용하는 경우 데이타 읽기시에 제4도(a)에 도시한 바와 같이 PM과 SM 메모리에서 각각 입력되는 어드레스1, 2에 따라 4비트의 데이타가 출력되고, 출력된 각각의 4비트 데이타는 최상위 비트부와 최하위 비트부가 되어 8비트 레지스터(1)를 통해 8비트 코드 데이타로 출력된다.In the case of using two 256K DRAMs, 4 bits of data are output according to addresses 1 and 2 respectively input from the PM and SM memories as shown in FIG. The bit data becomes the most significant bit portion and the least significant bit portion and is output as 8-bit code data through the 8-bit register (1).

여기서, 어드레스1, 2는 동일한 어드레스이고, 어드레스의 크기는 (0, 0)으로 부터 (0, 255), (1, 0)으로 부터 (1, 255)‥‥‥ (253, 0)으로 부터 (253,31)이 된다.Here, addresses 1 and 2 are the same address, and the size of the address is from (0, 0) to (0, 255), (1, 0) to (1, 255) ......... (253, 0) (253,31).

다음으로 1개의 1M 이상의 DRAM을 사용하는 경우 데이타 읽기시에 제4도(b)에 도시한 바와 같이 1M 이상의 DRAM에서 입력되는 어드레스에 따라 주파수를 두배로 빨리하여 DRAM 인터페이스를 하므로써, 8비트의 데이타가 출력되고, 출력된 8비트 데이타는 두개의 4비트 레지스터 (2, 3)를 통해 최상위 비트부와 최하위 비트부가 되어 8비트 코드 데이타로 출력된다.Next, when one or more DRAMs are used, as shown in FIG. 4 (b), when the data is read, 8-bit data is achieved by doubling the frequency according to the address input from the DRAMs of 1M or more. The output 8-bit data is outputted as 8-bit code data through the two 4-bit registers (2, 3), being the most significant bit and the least significant bit.

즉, 1개의 메모리를 이용하여 데이타를 읽기 때문에 주파수를 두배로 빨리해서 DRAM을 인터페이스하여 이븐 칼럼의 데이타를 읽을때에는 4비트 레지스터(2)가 온되고 오드 칼럼을 읽을때에는 4비트 레지스터(3)가 온되어 이븐 및 오드 칼럼의 데이타를 각각 4비트 레지스터 (2, 3)에서 순차적으로 교번하여 출력하므로써 8비트 코드 데이타가 출력된다.That is, since data is read using one memory, the frequency is doubled, and the 4-bit register 2 is turned on when the even column data is read by interfacing the DRAM, and the 4-bit register 3 is read when the odd column is read. The 8-bit code data is output by turning on and outputting the data of the even and odd columns sequentially in the 4-bit registers (2, 3), respectively.

여기서, 어드레스의 크기는 (0, 0)으로 부터 (0, 511), (1, 0)으로 부터 (1, 511)‥‥ (253, 0)으로 부터 (253, 63)이 된다Here, the size of the address is from (0, 0) to (0, 511), (1, 0) to (1, 511) ... ... (253, 0) to (253, 63).

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 다수개의 256K DRAM용으로 설계된 DRAM 관련 어드레스 블럭에 큰 수정을 가하지 않고 1M 이상의 DRAM을 하나만 사용하면서도 CDEG 를 정상적으로 구현할 수 있는 효과가 있다 .As described above, the present invention has an effect that CDEG can be normally implemented without using a large modification to DRAM-related address blocks designed for a plurality of 256K DRAMs but using only one DRAM of 1M or more.

Claims (8)

하나의 1M 이상의 DRAM을 이용하여 CDEG 모드로 그래픽을 하는 CDG 및 CDEG 시스템에 있어서, 데이타 쓰기시 인스트럭션에 따라 구분하는 데이타 쓰기 구분 단계, 상기 인스트럭션이 쓰기 폰트 및 배타적 오아 폰트인 경우 PM에 쓰일 데이타를 같은 로우(ROW)의 이븐 칼럼(Even Column)에 쓰고 SM에 쓰일 데이타를 같은 로우(ROW)의 오드 칼럼(Odd Column)에 쓰는 쓰기 및 배타적 오아 폰트 쓰기 단계, 상기 인스트럭션이 프리세트 메모리의 스크롤 스크린인 경우 프리세트 시켜야 할 영역(Area)에 순차적으로 쓰는 프리세트 메모리의 스크롤 스크린 쓰기 단계, 및 데이타 읽기시 칼럼의 값이 이븐 또는 오드에 따라 각각 하나의 데이타를 저장하는 두개의 레지스터가 한개씩 교대로 열리게 하여 하나의 코드를 만드는 데이타 읽기 단계에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법.In a CDG and CDEG system that uses one or more DRAMs to perform graphics in CDEG mode, a data write classification step of classifying data according to an instruction when writing data, and when the instruction is a write font and an exclusive ora font, data to be used in a PM is selected. Writing data to the Even column of the same row and writing SM to the odd column of the same row, and writing an exclusive ora font, and the instructions are scroll screens of the preset memory. In this case, the scroll screen write step of the preset memory that writes sequentially to the area to be preset, and the two registers each storing one data depending on the even or the odd value of the column when reading data alternately CDG, characterized in that it is performed by a data read step that opens a code DRAM how to use the CDEG system. 제1항에 있어서, 상기 쓰기 및 배타적 오아 폰트 쓰기 단계는 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우와 동일한 주파수로 수행되는 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법.The method of claim 1, wherein the writing and the exclusive ora font writing step is performed at the same frequency as when using two 256K DRAMs. 제1항에 있어서, 상기 프리세트 메모리의 스크롤 스크린 쓰기 단계는 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우의 2배의 주파수로 수행되는 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법.The method of claim 1, wherein the scroll screen writing of the preset memory is performed at twice the frequency of using two 256K DRAMs. 제1항에 있어서, 상기 데이타 읽기 단계는 2개의 256K DRAM을 사용하는 경우의 2배의 주파수로 수행되는 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법.The method of claim 1, wherein the data reading step is performed at twice the frequency of using two 256K DRAMs. 제1항에 있어서, 상기 레지스터는 4비트 레지스터인 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법.The method of claim 1, wherein the register is a 4-bit register. 제1항에 있어서, 상기 코드는 8비트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법.The method of claim 1, wherein the code consists of 8 bits. 제1항에 있어서, 상기 데이타를 쓰기 및 읽기 위한 어드레스는 9비트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 DRAM 사용 방법.The method of claim 1, wherein the address for writing and reading the data is 9 bits. 제1항에 있어서, 상기 데이타는 4비트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CDG 및 CDEG 시스템의 ORAM 사용 방법.The method of claim 1, wherein the data consists of 4 bits.
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