KR0124620B1 - 하프 브리지형 인버터 제어회로 - Google Patents

하프 브리지형 인버터 제어회로

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KR0124620B1 KR1019940039493A KR19940039493A KR0124620B1 KR 0124620 B1 KR0124620 B1 KR 0124620B1 KR 1019940039493 A KR1019940039493 A KR 1019940039493A KR 19940039493 A KR19940039493 A KR 19940039493A KR 0124620 B1 KR0124620 B1 KR 0124620B1
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Abstract

본 발명은 하프 브리지형 인버터의 ZVS(Zero Voltage Switching) 조건을 만족하면서 스위칭 주파수를 자려 발진할 수 있도록 한 하프 브리지형 인버터 제어회로에 관한 것이다.
종래의 방식에서는 데드 타임의 최적 설정이 어려우며, 부하변동으로 인한 데드 타임의 변동발생시 스위칭시 ZVS가 불가능하게 되어 스위칭손실이 증가하고 효율저하 및 트랜지스터의 파손 우려가 있었던 점을 감안하여 본 발명은 전압원 양단에 병렬 콘덴서 및 병렬 다이오드가 각각 접속된 스위칭용 상하부 트랜지스터가 직렬 접속되며, 상기 트랜지스터 상호접속점과 접압원의 양 또는 음극간에 직렬공진회로가 접속되어 상기 트랜지스터를 교번 스위칭하는 하프 브리지형 인버터 제어회로에 있어서, 상기 상하부 트랜지스터의 에미터 컬렉터간의 전압을 검출하기 위한 상하부 레벨 감지부, 상기 상하부 레벨감지부의 출력을 소정의 제1기준전압과 비교하는 상하부 비교부, 상기 비교부의 출력단에 접속되며 외부의 전원이나 조작에 의해 조절되는 펄스폭을 출력하는 상하부 온 펄스 발생부, 상기 온 펄스 발생부의 출력으로부터 상기 상하부 트랜지스터를 구동하기 위해 필요한 구동신호를 발생하는 상하부 구동부를 더 구비하여 부하변동등에 의한 조건의 변화에도 저손실 스위칭 및 안전한 스위칭을 구현할 수 있도록 하며, 주파수의 자려발진이 가능토록 하여 별도의 발진주파수를 조정할 필요가 없도록 하며, 주파수 조절이 잘못되어 스위칭주파수가 직렬공진 주파수보다 낮게 될 가능성이 없으므로 스위칭소자의 과손실 및 파손의 우려가 없도록 한 것이다.

Description

하프 브리지형 인버터 제어회로
제1도는 종래의 하프 브리지형 인버터 장치의 구성도.
제2도의 (a)는 각 모드에 따른 제1도의 전류 흐름도.
(b)는 제1도 각부의 파형도
(c)는 각 모드에 따른 등가회로도.
제3도는 본 발명의 제1실시예의 블럭 구성도.
제4도는 제3도의 상세 회로도.
제5도 (가)-(다)는 본 발명의 제1실시예의 동작 파형도.
제6도는 본 발명의 제2실시예도.
제7도는 본 발명의 제3실시예도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11, 12 : 상하부 레벨 감지부 13 : 비교부
14 : 온 펄스 발생부 15 : 구동부
16 : 검출신호 지연부 17 : 광절연 신호전달부
TR1-TR5 : 트랜지스터 COMP1-COMP3 : 비교기
본 발명은 인버터 제어회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하프 브리지(Half Bridge)형 인버터의 영전압 스위칭(Zero Voltage Switching : 이하, ZVS라 칭함)조건을 만족하면서 스위칭 주파수를 자려 발진할 수 있도록 한 하프 브리지형 인버터 제어회로에 관한 것이다.
제1도는 종래의 하프 브리지형 인버터장치의 구성도를 나타낸 것으로, 전압원(E1)의 양단에 각각 병렬 콘덴서(C1), (C2), 병렬 다이오드(D1), (D2)가 병렬 접속되는 트랜지스터(TR1) 및 (TR2)가 직렬 접속되며, 상기 트랜지스터(TR1), (TR2)의 상호 접속점과 전압원(E1)의 양 또는 음극의 어느 한쪽의 사이에 가열코일(LR)(또는 트랜스의 1차측 코일) 및 공진용 콘덴서(CR)로 이루어진 직렬공진회로가 접속되어지는 하프 브리지형 인버터에 있어서, 상기 트랜지스터(TR1), (TR2)를 교번 스위칭시켜 트랜지스터(TR1), (TR2)의 접속점에 접속된 직렬공진 가열코일(LR)과 직렬공진 콘덴서(CR)의 직렬공진회로에 교번전류를 공급시킴으로써 상기 가열코일(LR)의 2차측의 금속재질의 조리용기(1)에 에너지를 전달하게 된다.
이때, 주파수 조정용 가변저항(VR1)을 구비하는 발진기(2)에 의해 최초 트랜지스터(TR1), (TR2)의 구동 기준주파수가 만들어지며, 플립플롭(FF1)에 의해 실제 스위칭시의 1/2주파수가 만들어진다.
그리고 데드 타임(Dead Time) 발생부(3)는 상기 트랜지스터(TR1), (TR2)의 노이즈에 의한 동시 온등으로 인한 단락파손의 방지 및 스위칭시의 손실을 극소화시키기 위한 ZVS 조건을 발생시키며, 신호발생부(4)는 상기 데드 타임 발생부(2)의 시간만큼 시간축의 파형이 생략된 신호파형을 만들어준다.
그리고 상기 신호발생부(4)의 출력을 상하부 구동부(5), (6)가 실제 상기 트랜지스터(TR1), (TR2)를 구동하기 위한 크기로 증폭한다.
한편, 스위칭 손실을 극소화하기 위한 ZVS동작원리를 제2도와 함께 설명하면 다음과 같다.
제2도 (b)의 제1도 각부의 파형과 (a)의 전류흐름도를 고려해서 (t1)에서 스위치(SW2 : TR2)가 오프된 후 ⑥과 같이 다이오드(D1)를 통해 다이오드 전류(Id1)가 흐르고 있을 때 스위치(SW1 : TR1)의 양단전압은 이상적으로 제로에 가까운 상태가 되어 이 시점에서 스위치(SW1)를 구동하기 위한 게이트 전압(Vg1)을 하이로 인가하면 스위치(SW1)에는 (t2)에서 다이오드 전류가 제로가 되면서 실제 정방향의 스위치 전류(Is1)가 ①의 방향과 같이 흐르기 시작한다.
이후, 가열코일(LR)과 콘덴서(CR)의 공진의 반주기가 지나지 않는 시점인 (t3)부터 스위치(SW1)를 오프하기 위해 게이트 신호(Vg1)을 로우상태로 전환하여 인가하면 ①의 전류방향으로 가열코일(LR)과 콘덴서(CR)의 공진 탱크에 흐르던 전류는 스위치(SW1)의 오프에도 불구하고 즉각 중지되지 않으므로 이전에 방전상태였던 병렬 콘덴서(C1)를 충전하고 충전상태였던 병렬 콘덴서(C2)를 방전하면서 콘덴서(C1), (C2)의 병렬용량이 직렬결합된 새로운 공진상수로서 탱크를 구성하여 ②와 같은 전류흐름을 가지게 된다.
콘덴서(C1)의 충전전압이 전압원(E1)의 값을 초과하게 되면 콘덴서(C2)의 방전전압은 제로보다 낮은 전압으로 반전되게 되는데, 이때 (t4)에서 제2도 (나)처럼 다이오드(D2)가 통전되어 ③과 같은 다이오드 전류(Id2)가 형성되게 되며, 이때 스위치(SW2)의 양단간 전압은 이상적으로 제로에 가깝게 되어 다이오드(D2)의 통전중에 스위치(SW2)를 온시키면 이상적인 ZVS가 가능하므로 스위치(SW2)의 게이트에 양의 전압(Vgs)를 인가하여 (t5)시점에서는 다이오드(D2)의 전류가 제로가 되고 스위치(SW2)의 스위치 전류(Is2)가 형성되어 ④와 같은 전류흐름이 형성된다.
스위치(SW1)의 경우와 마찬가지로 가열코일(LR)과 콘덴서(CR)로 형성된 공진탱크의 공진의 반주기 이전 시점(t6)에서 스위치(SW2)를 오프하게 되면 ④의 방향과 같은 전류흐름은 갑자기 중지하지 못하므로 이전에 충전상태였던 콘덴서(C1)를 방전시키고 방전상태였던 콘덴서(C2)를 충전시키면서 콘덴서(C1), (C2)의 병렬용량이 직렬결합된 새로운 공진정수로서 공진전류가 형성되어 ⑤와 같이 전류가 흐르게 되고 콘덴서(C2)가 충전되어 전압원(E1)의 전압을 초과하게 되면 콘덴서(C1)는 방전되어 제로보다 낮은 옴의 전압을 가지게 되고, 이때 콘덴서(C1)와 병렬접속된 다이오드(D1)가 도통되어 ⑥과 같은 전류의 흐름상태가 되므로 다시 초기와 같이 스위치(SW1)의 ZVS온을 할 수 있는 조건으로 된다.
이러한 동작이 반복되어 스위칭이 발생하게 되므로 트랜지스터(TR1), (TR2)는 병렬접속된 다이오드(D1), (D2)의 통전구간에 온상태가 되어 스위칭온시에 ZVS효과를 가지게 된다.
제2도의 (c)는 각각의 동작구간에 있어서 동작모드를 표현한 것으로, ⒜는 ① 및 ⑥구간을, ⒝는 ② 및 ⑤구간을, ⒞는 ③ 및 ④구간에 대한 등가회로이다.
그러나 상기와 같은 종래의 방식에서는 교번하여 온/오프하는 트랜지스터의 동시 온 발생으로 인한 파손방지 및 ZVS를 실현시키기 위해 콘덴서의 충방전시간보다 반드시 길어야하는 데드 타임의 최적 설정이 어려우며, 부하의 변동으로 인한 가열코일의 값의 변화등에 의해 ZVS에 필요한 최소 데드 타임이 증가되어 기존의 설정된 데드 타임이 이를 만족하지 못할 경우 스위칭시 ZVS가 불가능하게 되어 스위칭손실이 급속히 증가하므로 효율저하 및 트랜지스터의 파손발생의 우려가 있었다.
또한, 발진주파수의 조정이 잘못되어 스위칭주파수가 가열코일 및 콘덴서의 직렬공진 주파수보다 낮게 될 경우에도 트랜지스터의 스위칭 손실증대 및 파손가능성이 발생할 우려가 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 하프 브리지형 인버터의 ZVS조건을 만족하면서 스위칭 주파수를 자려 발진할 수 있도록 함으로써 스위칭 소자의 스위칭 손실 및 파손을 방지하며 구성의 간소화를 도모할 수 있도록 한 하프 브리지형 인버터 제어회로를 제공함에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 전압원 양단에 병렬 콘덴서 및 병렬 다이오드가 각각 접속된 스위칭용 상하부 트랜지스터가 직렬접속되며, 상기 트랜지스터 상호접속점과 접압원의 양 또는 음극간에 직렬공진회로가 접속되어 상기 트랜지스터를 교번 스위칭하는 하프 브리지형 인버터 제어회로에 있어서, 상기 상하부 트랜지스터의 에미터 컬렉터간의 전압을 검출하기 위한 상하부 레벨 감지부와, 상기 상하부 레벨감지부의 출력을 소정의 제1기준전압과 비교하는 상하부 비교부와, 상기 비교부의 출력단에 접속되며 외부의 전원이나 조작에 의해 조절되는 펄스폭을 출력하는 상하부 온 펄스 발생부와, 상기 온 펄스 발생부의 출력으로부터 상기 상하부 트랜지스터를 구동하기 위해 필요한 구동신호를 발생하는 상하부 구동부를 구비하는 하프 브리지형 인버터 제어회로에 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.
제3도는 본 발명의 제1실시예도를 나타낸 것으로, 전압원(E1)의 양단에 각각 병렬 콘덴서(C1), (C2), 병렬 다이오드(D1), (D2)가 병렬 접속되는 트랜지스터(TR1) 및 (TR2)가 직렬 접속되며, 상기 트랜지스터(TR1), (TR2)의 상호 접속점과 전압원(E1)의 양 또는 음극의 어느 한쪽과의 사이에 가열코일(LR)(또는 트랜지스터의 1차측 코일) 및 공진용 콘덴서(CR)로 이루어진 직렬공진회로가 접속되어지는 하프 브리지형 인버터에 있어서, 상기 트랜지스터(TR1), (TR2)의 에미터-컬렉터간 전압을 검출하기 위한 상하부 레벨 감지부(11), (12)와, 상기 하부 레벨 감지부(12)의 감지 전압 레벨이 일정 기준전압(Vref1)이하이며 출력을 발생하는 비교부(13)와, 상기 비교부(13)로부터 출력이 발생할 때 펄스폭 조정용 가변저항(VR11)에 의해 조절 선택되는 소정의 펄스폭을 가지는 온-펄스를 발생하는 온 펄스 발생부(14)와, 상기 온 펄스 발생부(14)의 출력펄스에 해당되는 신호로써 트랜지스터(TR1), (TR2)의 구동용 신호를 만드는 구동부(15)가 더 구비되어 구성된다. 여기서, 상기 비교부(13), 온 펄스 발생부(14), 구동부(15)는 상하부 트랜지스터(TR1), (TR2)에 대해 동일하게 구성되나 하부 트랜지스터(TR2)의 스위칭 제어부분만 설명하며, 종래와 동일부분에 대해서는 동일 부호를 사용한다.
제4도는 상기 각부의 상세 회로도를 나타낸 것으로, 상기 레벨 감지부(11), (12)는 저항(R1), (R2)으로 구성되며, 상기 비교부(13)는 상기 저항(R1), (R2)사이에 반전입력단(－)이 접속되고 비반전 입력단(＋)에 기준전압(Vref1)이 입력되는 비교기(COM1)로 구성된다.
그리고 상기 온펄스 발생부(14)는 기준전압(Vref2)을 설정하기 위한 저항(R4) 및 제너다이오드(ZD1)와, 충전통로를 제공하는 콘덴서(C3) 및 가변저항(VR11)과, 상기 콘덴서(C3) 충전전압의 방전통로를 제공하는 다이오드(D3) 및 저항(R3)과, 상기 콘덴서(C3) 및 가변저항(VR11)에 의해 결정되는 충전전압이 상기 기준전압(Vref2)에 도달할 때까지 하이출력을 내보내는 비교기(COM2)로 구성되며, 상기 구동부(15)는 상기 온 펄스 발생부(14)의 출력에 따라 온/오프되어 상기 트랜지스터(TR2)를 구동하는 상보형(Complementary) 트랜지스터(TR3), (TR4)로 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명에서 하부 레벨 감지부(12)는 제5도 (가)는 파형과 같이 트랜지스터(TR2)의 에미터-컬렉터간의 양단전압을 레벨검지하고 비교부(13)는 상기 하부 레벨 감지부(12)의 레벨감지출력(Vg2')이 소정의 기준전압(Vref1)보다 적을 경우 하이 출력을 내보낸다.
상기 비교부(13)의 입출력파형은 제5도 (가) 및 (나)의 a 파형과 같고 비교기(COMP1)는 출력형태가 오픈컬렉터로써 외부전원(Vcc1) 및 저항(R4)으로써 하이출력을 발생한다. 그리고 저항(R3)은 로우출력시의 쇼트상태를 방지하기 위한 적은 용량의 저항으로 상기 저항(R4)에 비해 매우 작은 값이다.
그리고 상기 비교부(13)의 출력으로부터 저항(R4) 및 제너다이오드(ZD1)에 의해 기준전압(Vref2)이 설정되고 이는 비교기(COMP2)로 인가된다.
한편, 상기 비교기(COM1)는 출력이 로우일 경우 콘덴서(C3)의 전위는 제5도 (나)의 b의 파형중 오프구간의 Vc1의 전위치와 같이 방전상태가 되지만 하프 브리지회로의 연속 스위칭 동작중 트랜지스터(TR1)의 턴오프직후, 제2도의 전류 흐름에 있어서와 같이 트랜지스터(TR2)의 병렬접속 다이오드(D2)를 통한 전류흐름 ③이 발생하는 시점을 전후해서 트랜지스터(TR2)의 전위는 제5도 (가)의 (ton)시점과 같이 낮아지게 되므로 이때 충분히 낮아져 트랜지스터 양단의 스위칭 스트레스가 문제가 없는 현실적인 레벨로써 비교 기준전압(Vref1)을 설정하여 트랜지스터(TR2) 양단의 검출레벨(Vgs2')과 비교하여 상기 검출레벨(Vg')이 기준전압(Vref1)보다 작으면 비교기(COMP1)는 제5도 (나)의 a와 같이 비교출력 파형을 출력한다.
이때, 출력전위는 비교기(COM1)가 오픈 컬렉터이므로 저항(R4) 및 제너다이오드(ZD1)에 의해 하위전위로써 비교전압(Vref2)이 제공되고, 이때 가변저항(VR11) 및 콘덴서(C3)의 충전으로 제5도 (나)의 b와 같이 충전이 개시되며 이때 가변저항(VR11)에 의해 조절되는 충전전압의 기울기로써 충전전압이 상승되어 비교기(COMP2)의 비반전입력단(＋)에 입력되는 하이레벨인 기준전압(Vref2)이 비교기준전위가 되어 이 전압에 도달할 때까지 전압(Vc1)은 상승하며 이 기간중 비교기(COMP2)는 하이신호를 출력하게 된다.
따라서 기준전압(Vref2)의 선택이나 가변저항(VR11)의 조정으로 충전시간은 결정될 수 있으며, 이는 바로 온-펄스폭이므로 실제 파워의 조절의 의미가 된다.
그리고 이 충전기간중 출력되는 비교기(COMP2)의 하이신호는 구동부(15)에서 전력증폭되어 트랜지스터(TR2)의 게이트에 온신호를 공급하게 된다.
이후, 상기 전압(Vc1)이 기준전압(Vref2)에 도달하면 비교기(COMP2)의 출력은 로우가 되고 이는 구동부(15)를 거쳐 트랜지스터(TR2)를 급속히 오프시킨다.
상기 트랜지스터(TR2)의 턴오프는 다시 트랜지스터(TR2)의 에미터-컬렉터간 전압을 급격히 상승시켜 검출레벨신호(Vg2') 역시 급상승하게 되며, 이는 충분히 낮은 기준전압(Vref1)과 비교되어 급상승직후 비교기(COM1)의 출력 또한 로우신호로 반전되어 콘덴서(C3)에 충전된 잔류 전하는 다이오드(D3) 및 저항(R3)를 통해 급속 방전시키므로써 이후 다이오드(D3)의 순방향 전압만이 오프기간중 Vc1에 존재하므로 이로써 비교되는 비교전위보다 Vd2만큼 높게 유지하게 된다.
이러한 동작은 트랜지스터(TR2)의 오프직후 다시 트랜지스터(TR1)에 병렬접속된 다이오드(D1)에 전류가 흐르게 될 때 A, B구간에 구성된 상기와 동일한 구성과 정수로 설계된 상부 스위칭소자의 구동도 발생하게 되며, 이는 상기 하부 스위칭 소자의 구동과 동일하므로 이에 대한 설명은 약한다.
제6도는 본 발명의 제2실시예로써, 본 발명의 제1실시예는 기준전압(Vref1)이 제로가 아니기 때문에 실제 다이오드 도통시점과 레벨검출 및 비교의 출력시점간의 시차 즉, 제5도 (나)의 Te와 같은 시간오차를 보정하기 위한 검출신호 지연부(16)를 더 구비한 경우이며, 이 검출신호 지연부(16)는 상하부에 동일하게 구성된다.
상기 검출신호 지연부(16)는 충전통로를 제공하기 위한 저항(R9) 및 콘덴서(C4)와, 상기 충전통로에 의해 제공되는 충전전압이 설정된 기준전압(Vref3)에 도달할 때까지 하이출력을 내보내는 비교기(COM3)로 구성된다.
이는 비교기(COM1)에 의해 발생된 하이신호는 저항(R9) 및 콘덴서(C4)에 의해 충전되고 상기 콘덴서(C4)의 충전전압이 소정의 기준전압(Vref3)에 도달할 때까지 비교기(COMP3)의 하이신호가 지연된 후, 온 펄스 발생부(14)에 인가되도록 한 것이다.
제7도는 본 발명의 제3실시예도로써, 상하부의 온 펄스폭 발생을 동일하게 제어하기 위해 제4도의 기준전압(Vref2) 또는 가변저항(VR11)을 통한 제어신호를 공용화하기 위한 방법이다.
이는 A, B간 스위칭 제어부인 상부제어부와 B, C간 스위칭 제어부인 하부제어부의 동일 구성중 A, B간의 상부 레벨감지부 출력을 포토 다이오드(PC1) 및 저항(R10)-(R12) 및 트랜지스터(TR5)등으로 구성된 광절연 신호전달부(17)를 구성하고 이 출력을 B, C간 제어부 구성전원인 Vcc1을 공용하여 온-펄스 발생부(14)에 접속하여 온-펄스폭 조절용 기준전압(Vref2)등을 일원화시킬 수 있도록 한 것이다. 그리고 도면에서 스위치(SW11)는 초기기동을 위한 스위치이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 두 개의 스위칭 소자의 교번구동시 동시 온동작으로 인한 파송방지 및 ZVS를 위한 데드 타임을 별도로 설정할 필요가 없어 부하변동등에 의한 조건의 변화에도 저손실 스위칭 및 안전한 스위칭을 구현할 수 있게 되며, 스위칭 주파수의 자려발진이 가능하므로 별도로 발진주파수를 조정할 필요가 없게 되며 발진회로를 제거할 수 있게 되므로 회로가 간소화된다. 또한, 주파수 조절이 잘못되어 스위칭 주파수가 직렬공진주파수보다 낮게 될 가능성이 없으므로 스위칭 소자의 과손실 및 파손의 가능성이 없어지게 된다.

Claims (7)

  1. 전압원 양단에 병렬 콘덴서 및 병렬 다이오드가 각각 접속된 스위칭용 상하부 트랜지스터가 직렬접속되며, 상기 상하부 트랜지스터 상호접속점과 전압원의 양 또는 음극간의 직렬공진회로가 접속되어 상기 트랜지스터를 교번스위칭하는 하프 브리지형 인버터 제어회로에 있어서, 상기 상하부 트랜지스터의 에미터 컬렉터간의 전압을 검출하기 위한 상하부 레벨감지부와, 상기 상하부 레벨감지부의 출력을 소정의 제1기준 전압과 비교하는 상하부 비교부와, 상기 비교부의 출력단에 접속되며 외부의 전원이나 조작에 의해 조절되는 펄스폭을 출력하는 상하부 온 펄스 발생부와, 상기 온 펄스 발생부의 출력으로부터 상기 상하부 트랜지스터를 구동하기 위해 필요한 구동신호를 발생하는 상하부 구동부가 더 구비됨을 특징으로 하는 하프 브리지형 인버터 제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상하부 온 펄스 발생부는 제2기준전압을 설정하기 위한 저항 및 제너다이오드와, 충전통로를 제공하는 콘덴서 및 가변저항과, 상기 콘덴서 충전전압의 방전통로를 제공하는 다이오드 및 저항과, 상기 콘덴서 및 가변저항에 의해 결정되는 충전전압이 상기 제2기준전압에 도달할 때까지 하이출력을 내보내는 비교기로 구성됨을 특징으로 하는 하프 브리지형 인버터 제어회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상하부 구동부는 상기 상하부 온 펄스 발생부의 출력에 따라 턴온/턴오프되어 상기 상하부 트랜지스터를 구동하는 상보형 트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 하프 브리지형 인버터 제어회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 상하부 비교부와 상하부 온 펄스 발생부 사이에 소정시간 신호전달을 지연하는 검출신호 지연부를 각각 구비함을 특징으로 하는 하프 브리지형 인버터 제어회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 검출신호 지연부는 충전통로를 제공하기 위한 저항 및 콘덴서와, 상기 충전통로에 의해 제공되는 충전전압이 설정된 제3기준전압에 도달할 때까지 하이출력을 내보내는 비교기를 구비하여 구성됨을 특징으로 하는 하프 브리지형 인버터 제어회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 상부 비교부의 출력단에 광절연 신호 전달부를 구비하여 상하부 온 펄스 발생부를 공용화할 수 있도록 함을 특징으로 하는 하프 브리지형 인버터 제어회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 광절연신호 전달부는 상기 상부 비교부의 출력에 따라 도통되는 포토 커플러와, 상기 포토 커플러의 도통에 따라 스위칭되는 트랜지스터를 구비하여 구성됨을 특징으로 하는 하프 브리지형 인버터 제어회로.
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