JPWO2022185559A5 - - Google Patents

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Claims (19)

  1. 導電性の銀含有層、および第1の導電性の酸化物層が、この順で積層された積層構造を具備する透明電極であって、
    前記透明電極の、波長800nmおよび600nmにおける透過率をそれぞれT800およびT600とした場合の全透過率の比T800/T600が0.85以上であり、
    かつ前記透明電極の断面を走査型電子顕微鏡で観察したときに、前記銀含有層が連続的であり、
    前記第1の導電性の酸化物層が不均一部を有し、前記不均一部に硫黄含有銀化合物層を具備する、透明電極。
  2. 前記銀含有層が、銀または銀合金からなる、請求項1に記載の透明電極。
  3. 前記酸化物が、インジウムドープスズ酸化物、フッ素ドープ酸化スズ、またはアルミニウムドープ亜鉛酸化物である、請求項1または2に記載の透明電極。
  4. 前記銀含有層の全面が、前記酸化物層または前記硫黄含有銀化合物層で被覆されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の透明電極。
  5. 前記第1の導電性の酸化物層の上に、グラフェン層、ポリスチレン層、または別の酸化物層をさらに具備する、請求項1~4のいずれか1項に記載の透明電極。
  6. 透明基材をさらに具備し、前記透明基材の上に、前記銀含有層、および前記第1の導電性の酸化物層が、この順で積層された積層構造を具備する、請求項1~5のいずれか1項に記載の透明電極
  7. 前記透明基材と、前記銀含有層の間に、第2の導電性の酸化物層をさらに具備する、請求項に記載の透明電極。
  8. 導電性の銀含有層、および第1の導電性の酸化物層が、この順で積層された積層構造を具備する透明電極であって、
    前記透明電極の断面を走査型電子顕微鏡で観察したときに、前記銀含有層が連続的であり、
    前記第1の導電性の酸化物層が硫黄含有銀化合物を具備する、透明電極。
  9. 導電性の銀含有層および第1の導電性の酸化物層が、この順で積層された積層膜を具備する透明電極の作製方法であって、前記積層膜に硫黄または硫黄化合物を接触させる工程(b)を含む、透明電極の作製方法。
  10. 前記工程(b)が、
    (b1)前記積層膜に硫黄蒸気ガスを接触させること、
    (b2)前記積層膜に硫化水素ガスを接触させること、
    (b3)前記積層膜に硫化水素、硫化ナトリウム、または硫化アンモニウムの水溶液を接触させること、または
    (b4)前記積層膜にチオアミドまたはチオ尿素の溶液を接触させること
    を含む、請求項に記載の方法。
  11. 前記工程(b4)が、チオアミドまたはチオ尿素のアルコール溶液を前記積層膜に塗布し、加熱することを含む、請求項10に記載の方法。
  12. 前記工程(b)において、前記ガス中、前記水溶液中、または溶液中の硫黄濃度を観測し、観測された濃度に応じて接触条件を調整する、請求項9~11のいずれか1項に記載の方法。
  13. 前記工程(b)の前または後に、(c)グラフェン層またはポリスチレン層を積層する工程をさらに含む、請求項9~12のいずれが1項に記載の方法。
  14. 前記工程(b)の前または後に、(d)第3の無機酸化物層を積層する工程をさらに含む、請求項9~13のいずれが1項に記載の方法。
  15. 前記積層膜が、透明基材の上に、前記銀含有層を形成し、前記銀含有層の上に前記第1の導電性の酸化物層を形成することによって形成される、請求項9~14のいずれか1項に記載の方法。
  16. 前記工程(b1)または(b2)が、前記硫黄蒸気ガスまたは前記硫化水素ガスのいずれかのガスの雰囲気中に前記積層膜を連続的に通過させることを含み、かつ前記雰囲気における水分含有量または酸素含有量が増加しないように制御する、請求項10に記載の方法。
  17. 請求項1~8のいずれか1項に記載の透明電極と、活性層と、対向電極とを具備する、電子デバイス。
  18. 前記活性層が光電変換層である、請求項17に記載の電子デバイス。
  19. 前記活性層がハロゲンイオンを含有する、請求項17または18に記載の電子デバイス。
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