JPWO2022172902A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2022172902A5
JPWO2022172902A5 JP2022550117A JP2022550117A JPWO2022172902A5 JP WO2022172902 A5 JPWO2022172902 A5 JP WO2022172902A5 JP 2022550117 A JP2022550117 A JP 2022550117A JP 2022550117 A JP2022550117 A JP 2022550117A JP WO2022172902 A5 JPWO2022172902 A5 JP WO2022172902A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
film
thin film
metal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022550117A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7165342B1 (ja
JPWO2022172902A1 (https=
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/JP2021/004913 external-priority patent/WO2022172349A1/ja
Application filed filed Critical
Publication of JPWO2022172902A1 publication Critical patent/JPWO2022172902A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7165342B1 publication Critical patent/JP7165342B1/ja
Publication of JPWO2022172902A5 publication Critical patent/JPWO2022172902A5/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2022550117A 2021-02-10 2022-02-07 化学結合法及びパッケージ型電子部品,並びに電子デバイスのハイブリッド接合法 Active JP7165342B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2021/004913 2021-02-10
PCT/JP2021/004913 WO2022172349A1 (ja) 2021-02-10 2021-02-10 化学結合法及びパッケージ型電子部品
PCT/JP2022/004758 WO2022172902A1 (ja) 2021-02-10 2022-02-07 化学結合法及びパッケージ型電子部品,並びに電子デバイスのハイブリッド接合法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2022172902A1 JPWO2022172902A1 (https=) 2022-08-18
JP7165342B1 JP7165342B1 (ja) 2022-11-04
JPWO2022172902A5 true JPWO2022172902A5 (https=) 2023-01-24

Family

ID=82837841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022550117A Active JP7165342B1 (ja) 2021-02-10 2022-02-07 化学結合法及びパッケージ型電子部品,並びに電子デバイスのハイブリッド接合法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11916038B2 (https=)
EP (1) EP4292747A4 (https=)
JP (1) JP7165342B1 (https=)
KR (1) KR20230143167A (https=)
CN (1) CN115443203B (https=)
TW (1) TWI884358B (https=)
WO (2) WO2022172349A1 (https=)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12532780B2 (en) * 2022-08-22 2026-01-20 Micron Technology, Inc. Hybrid bonding for semiconductor device assemblies
EP4350329A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-10 The Procter & Gamble Company Methods for quantification of solvent-substrate interactions
WO2025169311A1 (ja) * 2024-02-06 2025-08-14 国立大学法人東北大学 マイクロ流路デバイス及びマイクロ流路デバイスの製造方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS541661U (https=) 1977-06-06 1979-01-08
JPS5569964U (https=) 1978-11-09 1980-05-14
US5372851A (en) * 1991-12-16 1994-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a chemically adsorbed film
JP3704258B2 (ja) * 1998-09-10 2005-10-12 松下電器産業株式会社 薄膜形成方法
TWI330269B (en) * 2002-12-27 2010-09-11 Semiconductor Energy Lab Separating method
WO2005055293A1 (ja) * 2003-12-02 2005-06-16 Bondtech Inc. 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
JP2007115825A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Bondtech Inc 表面活性化方法および表面活性化装置
US8039401B2 (en) * 2007-12-14 2011-10-18 Fairchild Semiconductor Corporation Structure and method for forming hybrid substrate
JP2009289953A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd ウェハレベルパッケージ、ウェハレベルパッケージの製造方法及びmemsデバイスの製造方法
JP5401661B2 (ja) 2008-08-22 2014-01-29 株式会社ムサシノエンジニアリング 原子拡散接合方法及び前記方法により接合された構造体
JP4843012B2 (ja) * 2008-11-17 2011-12-21 日本電波工業株式会社 圧電デバイスとその製造方法
KR20120049899A (ko) 2009-09-04 2012-05-17 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 기판, 전계 효과 트랜지스터, 집적 회로 및 반도체 기판의 제조 방법
JP5569964B2 (ja) 2010-05-07 2014-08-13 株式会社ムサシノエンジニアリング 原子拡散接合方法
US8557679B2 (en) * 2010-06-30 2013-10-15 Corning Incorporated Oxygen plasma conversion process for preparing a surface for bonding
JP2012065305A (ja) * 2010-08-20 2012-03-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス
JP5783252B2 (ja) 2011-07-29 2015-09-24 株式会社村田製作所 弾性波デバイスの製造方法
US9620560B2 (en) * 2011-08-26 2017-04-11 Joled Inc. EL display device and method for manufacturing same
US8809123B2 (en) * 2012-06-05 2014-08-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three dimensional integrated circuit structures and hybrid bonding methods for semiconductor wafers
JP2014022699A (ja) * 2012-07-24 2014-02-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パッケージおよびその製造方法
WO2014046052A1 (ja) * 2012-09-23 2014-03-27 国立大学法人東北大学 チップ支持基板、チップ支持方法、三次元集積回路、アセンブリ装置及び三次元集積回路の製造方法
JP2014138136A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Tokyo Electron Ltd 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP5948533B2 (ja) * 2014-06-19 2016-07-06 株式会社ムサシノエンジニアリング 原子拡散接合方法
FR3025051A1 (fr) * 2014-08-22 2016-02-26 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un circuit integre par collage direct de substrats comprenant en surface des portions de cuivre et de materiau dielectrique
FR3027250B1 (fr) * 2014-10-17 2019-05-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de collage direct via des couches metalliques peu rugueuses
US9536853B2 (en) * 2014-11-18 2017-01-03 International Business Machines Corporation Semiconductor device including built-in crack-arresting film structure
US9953941B2 (en) * 2015-08-25 2018-04-24 Invensas Bonding Technologies, Inc. Conductive barrier direct hybrid bonding
CN105197881A (zh) * 2015-08-28 2015-12-30 中国科学院半导体研究所 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法
JP6294417B2 (ja) * 2016-09-01 2018-03-14 日機装株式会社 光半導体装置および光半導体装置の製造方法
US9892920B1 (en) * 2017-01-05 2018-02-13 Lam Research Corporation Low stress bonding of silicon or germanium parts
CN110651359A (zh) * 2017-05-25 2020-01-03 株式会社新川 结构体的制造方法及结构体
JP2019117311A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 マルミ光機株式会社 Ndフィルターおよびその製造方法
JP7018126B2 (ja) * 2018-04-20 2022-02-09 富士フイルム株式会社 導熱層、感光層、感光性組成物、導熱層の製造方法、並びに、積層体および半導体デバイス
US10937743B2 (en) * 2018-04-30 2021-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mixing organic materials into hybrid packages
CN116364659A (zh) * 2018-06-29 2023-06-30 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其形成方法
JP6986105B2 (ja) 2018-07-05 2021-12-22 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー ウエハの永久接合方法
EP3670998B1 (de) 2018-12-18 2022-11-16 Nexans Kupplung für fluidführende leitungen
JP7199743B2 (ja) * 2018-12-28 2023-01-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グラファイト薄膜/シリコン基板積層体、及びその製造方法、高排熱型電子デバイス用基板
KR20200098031A (ko) 2019-02-11 2020-08-20 주식회사 엘지화학 에어 필터 및 그 제조 방법
US11557692B2 (en) * 2019-06-11 2023-01-17 Meta Platforms Technologies, Llc Selectively bonding light-emitting devices via a pulsed laser
FR3098985B1 (fr) * 2019-07-15 2022-04-08 Soitec Silicon On Insulator Procédé de collage hydrophile de substrats
JP7131778B2 (ja) 2019-09-05 2022-09-06 国立大学法人東北大学 化学結合法及び接合構造体
EP4026644A4 (en) * 2019-09-05 2023-09-27 Tohoku University CHEMICAL BONDING METHOD AND BONDED STRUCTURE
WO2021131080A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 ボンドテック株式会社 接合方法、被接合物および接合装置
JP2021190932A (ja) * 2020-06-03 2021-12-13 セイコーエプソン株式会社 振動子及び発振器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2022172902A5 (https=)
CN101168437A (zh) 功能元件
US8618670B2 (en) Corrosion control of stacked integrated circuits
JPH0391227A (ja) 半導体基板の接着方法
CN105340070B (zh) 用于接合金属接触表面的方法
JPH04223377A (ja) 多重層のシリコン構造を製造する方法、およびセンサ
JP7165342B1 (ja) 化学結合法及びパッケージ型電子部品,並びに電子デバイスのハイブリッド接合法
JPH03283636A (ja) 半導体基板の製造方法
CN107250807B (zh) 半导体装置及其制造方法
CN111591951B (zh) 一种超声传感器结构及其制造方法
JP2007201196A (ja) ウェハ接合装置およびウェハ接合方法
JP2008177531A (ja) ダブルプラズマutbox
CN118545678A (zh) Mems空腔结构的制备方法
JPS5910064B2 (ja) 多層配線構造の製造方法
JP2010021466A (ja) 基板接合方法及び電子部品
TWI743610B (zh) 半導體基板、半導體基板的製造方法以及半導體元件的製造方法
JP2020153857A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2890681B2 (ja) 多層配線構造の半導体装置製造方法
JPH10303089A (ja) 張り合わせ基板の製造方法
JP2608443B2 (ja) 半導体ウエハの製造方法
JP2754819B2 (ja) 誘電体分離型半導体基板の製造方法
TW200842932A (en) Multi-layer semiconductor structure and manufacturing method thereof
JPS6266629A (ja) 薄膜形成方法
JPS6040703B2 (ja) 気密封止方法
JPS5826659B2 (ja) 半導体装置の電極形成法