JPWO2020027259A1 - Charge transport varnish - Google Patents

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Abstract

例えば、下記式で表されるような分子内にメタフェニレンの繰り返し単位を有するアニリン誘導体と有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスは、低温焼成にて電荷輸送性が良好で、高屈折率の薄膜を与え、この薄膜を正孔注入層等に適用した場合に優れた特性を有する有機EL素子を与える。For example, a charge-transporting varnish containing an aniline derivative having a repeating unit of metaphenylene in a molecule and an organic solvent as represented by the following formula has good charge-transporting property by low-temperature firing and is a thin film having a high refractive index. To provide an organic EL element having excellent characteristics when this thin film is applied to a hole injection layer or the like.

Description

本発明は、電荷輸送性ワニスに関する。 The present invention relates to a charge transporting varnish.

有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという)素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機EL素子の低電圧駆動および高輝度を達成するために重要な機能を果たす。
正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ELディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。
In the organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element, a charge transporting thin film made of an organic compound is used as a light emitting layer or a charge injection layer. In particular, the hole injection layer is responsible for transferring charges between the anode and the hole transport layer or the light emitting layer, and plays an important role in achieving low voltage drive and high brightness of the organic EL element.
The method for forming the hole injection layer is roughly divided into a dry process represented by a vapor deposition method and a wet process represented by a spin coating method. Comparing these processes, the wet process is flatter in a larger area. A thin film with high properties can be efficiently produced. Therefore, at present, the area of organic EL displays is being increased, and a hole injection layer that can be formed by a wet process is desired.

このような事情に鑑み、本発明者らは、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機EL素子の正孔注入層に適用した場合に優れたEL素子特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性材料や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好な化合物を開発してきている(例えば特許文献1〜3参照)。
一方、これまで、有機EL素子を高性能化するために様々な取り込みがなされてきているが、光取出し効率を向上させる等の目的で、用いる機能膜の屈折率を調整する取り組みがなされている。具体的には、素子の全体構成や隣接する他の部材の屈折率を考慮して、相対的に高いあるいは低い屈折率の正孔注入層や正孔輸送層を用いることで、素子の高効率化を図る試みがなされている(例えば特許文献4,5)。
このように、屈折率は有機EL素子の設計上重要な要素であり、有機EL素子用材料では、屈折率も考慮すべき重要な物性値と考えられている。
In view of these circumstances, the present inventors have a charge transporting property that provides a thin film that can be applied to various wet processes and can realize excellent EL device characteristics when applied to a hole injection layer of an organic EL device. We have been developing compounds with good solubility in materials and organic solvents used for them (see, for example, Patent Documents 1 to 3).
On the other hand, various incorporations have been made so far in order to improve the performance of organic EL elements, but efforts are being made to adjust the refractive index of the functional film used for the purpose of improving the light extraction efficiency. .. Specifically, by using a hole injection layer or a hole transport layer having a relatively high or low refractive index in consideration of the overall configuration of the device and the refractive index of other adjacent members, the efficiency of the device is high. Attempts have been made to achieve this (for example, Patent Documents 4 and 5).
As described above, the refractive index is an important factor in the design of the organic EL element, and in the material for the organic EL element, the refractive index is also considered to be an important physical property value to be considered.

国際公開第2008/129947号International Publication No. 2008/129947 国際公開第2015/050253号International Publication No. 2015/050253 国際公開第2017/217457号International Publication No. 2017/217457 特表2007−536718号公報Special Table 2007-536718 特表2017−501585号公報Special Table 2017-501585 Gazette

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、低温焼成にて電荷輸送性が良好で、高屈折率の薄膜を与え、この薄膜を正孔注入層等に適用した場合に優れた特性を有する有機EL素子を実現できる電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and is excellent when a thin film having good charge transport property and a high refractive index is provided by low-temperature firing and the thin film is applied to a hole injection layer or the like. It is an object of the present invention to provide a charge transporting varnish capable of realizing an organic EL device having such characteristics.

本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、分子内にメタフェニレンの繰り返し単位を有する所定のアニリン誘導体を含む電荷輸送性ワニスが、200℃以下という低温焼成にて、電荷輸送性が良好であるとともに高屈折率の薄膜を与え、この薄膜を正孔注入層等に適用した場合に優れた特性を有する有機EL素子を与えることを見出し、本発明を完成させた。 As a result of diligent studies to achieve the above object, the present inventor obtained a charge-transporting varnish containing a predetermined aniline derivative having a repeating unit of metaphenylene in the molecule by low-temperature firing at 200 ° C. or lower. The present invention has been completed by finding that a thin film having good charge transportability and a high refractive index is provided, and an organic EL element having excellent characteristics when this thin film is applied to a hole injection layer or the like is provided.

すなわち、本発明は、
1. 下記式(1)で表されるアニリン誘導体と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス、

Figure 2020027259
〔式中、Ph1は、それぞれ独立して、式(P1)または式(P2)で表される基を表すが、少なくとも1つは式(P1)で表される基であり、
Figure 2020027259
(式中、R1〜R4は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、またはシアノ基で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表す。)
Ar0は、それぞれ独立して、式(B0)で表される基を表し、
Figure 2020027259
(式中、ArBは、単結合またはE基以外の任意の置換基(ピリジン環を含むものを除く。以下同様。)で置換されていてもよいフェニレン基を表し、ArBが前記フェニレン基の場合、ArGまたはその他の芳香環と結合して形成される縮合環の一部であってもよく、
ArGは、それぞれ独立して、E基以外の任意の置換基で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基または炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、
Eは、単結合、−C(Ra)2−、−NRb−、−NH−、N、−O−または−S−を表し、
aは、それぞれ独立して、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の1価炭化水素基を表し、Raが前記1価炭化水素基の場合、Ra同士が互いに結合して炭素原子とともに環を形成していてもよく、Rbは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の1価炭化水素基を表し、
ArBが、単結合の場合、Eは単結合、かつ、ArGはE基以外の任意の置換基で置換されていてもよいナフチル基であり、
Eが、−C(Ra)2−基の場合、ArBおよびArGは、互いに結合して縮合環を形成しており、それ以外の場合、ArBおよびArGは、互いに結合して縮合環を形成していてもよく、
Gは、Eに結合するArG基の数であり、EがNの場合は2を、それ以外の場合は1を表し、ArG基が2個存在する場合、それらが互いに結合して窒素原子とともに縮合環を形成していてもよい。)
kは、1以上の整数を表す。〕
2. 前記Ar0が、それぞれ独立して、式(B1)〜(B16)のいずれかで表される基である1の電荷輸送性ワニス、
Figure 2020027259
(式中、R5〜R25、R28〜R49およびR51〜R194は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子、ニトロ基もしくはシアノ基で置換されていてもよい、ジフェニルアミノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R26およびR27は、それぞれ独立して、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基もしくはZ2で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R50は、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基もしくはZ2で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基またはZ3で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基またはZ3で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基を表し、Z3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはジフェニルアミノ基を表し、Ar4は、それぞれ独立して、ジ(炭素数6〜20のアリール基)アミノ基で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表す。)
3. 前記式(1)で表されるアニリン誘導体が、式(1−1)〜(1−4)のいずれかで表される2の電荷輸送性ワニス、
Figure 2020027259
(Ar1〜Ar3は、それぞれ異なって前記式(B1)〜(B16)のいずれかで表される基であり、各式のそれぞれにおいて、Ar1は、すべて同一の基を表し、Ar2は、すべて同一の基を表し、Ar3は、すべて同一の基を表す。)
4. 前記式(P1)で表される基の数(nm)と前記式(P2)で表される基の数(np)が、0.5≦nm/(nm+np)を満たす1〜3のいずれかの電荷輸送性ワニス、
5. ドーパント物質を含む1〜4のいずれかの電荷輸送性ワニス、
6. 前記ドーパント物質が、アリールスルホン酸エステル化合物である5の電荷輸送性ワニス、
7. 1〜6のいずれかの電荷輸送性用ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
8. 7の電荷輸送性薄膜を備える電子素子、
9. 7の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子、
10. 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である9の有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供する。That is, the present invention
1. 1. A charge-transporting varnish containing an aniline derivative represented by the following formula (1) and an organic solvent.
Figure 2020027259
[In the formula, Ph 1 independently represents a group represented by the formula (P1) or the formula (P2), but at least one is a group represented by the formula (P1).
Figure 2020027259
(In the formula, R 1 to R 4 are each independently substituted with a hydrogen atom, a cyano group, or a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. , An alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms.)
Ar 0 independently represents a group represented by the formula (B0).
Figure 2020027259
(In the formula, Ar B represents a phenylene group which may be substituted with an arbitrary substituent other than a single bond or an E group (excluding those containing a pyridine ring. The same shall apply hereinafter), and Ar B is the phenylene group. In the case of, it may be a part of a fused ring formed by bonding with Ar G or other aromatic rings.
Ar G represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be independently substituted with any substituent other than the E group.
E represents a single bond, −C (R a ) 2 −, −NR b −, −NH−, N, −O− or −S−.
R a independently represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hydrogen atom or a hetero atom, and when R a is the monovalent hydrocarbon group, R a is used. It may be bonded to each other to form a ring with a carbon atom, and R b represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hetero atom.
When Ar B is a single bond, E is a single bond, and Ar G is a naphthyl group which may be substituted with an arbitrary substituent other than the E group.
When E is a −C ( Ra ) 2 -group, Ar B and Ar G are bonded to each other to form a fused ring, otherwise Ar B and Ar G are bonded to each other. It may form a fused ring,
n G is the number of Ar G groups attached to E. If E is N, it represents 2, otherwise it represents 1, and if there are two Ar G groups, they are bound to each other. A fused ring may be formed together with the nitrogen atom. )
k represents an integer of 1 or more. ]
2. A charge-transporting varnish of 1 in which Ar 0 is a group represented by any of the formulas (B1) to (B16) independently.
Figure 2020027259
(In the formula, R 5 to R 25 , R 28 to R 49, and R 51 to R 194 are independently hydrogen atoms, halogen atoms, nitro groups, cyano groups, or halogen atoms, nitro groups, or cyano groups. May be substituted, diphenylamino group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms or 2 carbon atoms. Representing a heteroaryl group of ~ 20, R 26 and R 27 may be independently substituted with a hydrogen atom, Z 1 or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, even if substituted with Z 1. an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted with an aryl group or Z 2 in Z 1 in optionally substituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-20 is represents a heteroaryl group having a carbon number of 2 to 20 even if, R 50 is a hydrogen atom, an alkyl group having carbon atoms which may be have 1-20 substituted with Z 1, optionally substituted by Z 1 an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted with an aryl group or Z 2 in Z 1 in optionally substituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-20 Represents a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted, and Z 1 is an aryl having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group, or Z 3. Represents a group or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 3, where Z 2 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group, or a carbon which may be substituted with Z 3. C 1 -C 20 alkyl group, an alkynyl group an alkenyl group or Z 3 may 2-20 carbon atoms substituted with a Z 3 good 2-20 carbon atoms which may be substituted by, Z 3 is Representing a halogen atom, a nitro group, a cyano group or a diphenylamino group, Ar 4 has 6 to 20 carbon atoms which may be independently substituted with a di (aryl group having 6 to 20 carbon atoms) amino group. Represents an aryl group.)
3. 3. The aniline derivative represented by the formula (1) is a charge-transporting varnish of 2 represented by any of the formulas (1-1) to (1-4).
Figure 2020027259
(Ar 1 to Ar 3 are different groups represented by any of the above formulas (B1) to (B16), and in each of the formulas, Ar 1 all represent the same group, and Ar 2 Represents all the same groups, and Ar 3 represents all the same groups.)
4. The number of groups (nm ) represented by the formula (P1) and the number of groups (n p ) represented by the formula (P2) satisfy 0.5 ≦ nm / ( nm + n p ). Charge-transporting varnish, any of 1-3
5. A charge-transporting varnish, any of 1 to 4, containing a dopant material.
6. 5 charge-transporting varnishes in which the dopant substance is an aryl sulfonic acid ester compound,
7. A charge-transporting thin film prepared by using any of the charge-transporting varnishes 1 to 6.
8. Electronic device with 7 charge-transporting thin films,
9. Organic electroluminescence device with 7 charge-transporting thin films,
10. The charge-transporting thin film provides 9 organic electroluminescent devices that are hole-injecting layers or hole-transporting layers.

本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、高屈折率の薄膜を作製することができ、また、200℃以下という低温で焼成した場合でも電荷輸送性に優れる薄膜を作製することができる。
本発明の電荷輸送性ワニスから得られた電荷輸送性薄膜は、有機EL素子をはじめとした電子素子用薄膜として好適に用いることができ、有機EL素子の正孔注入層や正孔輸送層、特に正孔注入層として用いることで、特性に優れた有機EL素子が得られる。
By using the charge transporting varnish of the present invention, a thin film having a high refractive index can be produced, and a thin film having excellent charge transporting property can be produced even when fired at a low temperature of 200 ° C. or lower.
The charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention can be suitably used as a thin film for electronic devices such as organic EL devices, and can be used as a hole injection layer or a hole transport layer of an organic EL device. In particular, by using it as a hole injection layer, an organic EL device having excellent characteristics can be obtained.

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明の電荷輸送性ワニスは、下記式(1)で表されるアニリン誘導体と、有機溶媒とを含む。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The charge-transporting varnish of the present invention contains an aniline derivative represented by the following formula (1) and an organic solvent.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

式(1)において、Ph1は、それぞれ独立して、式(P1)または式(P2)で表される基を表すが、後述のとおり、(k+1)個のPh1基の少なくとも1つは、式(P1)で表される基である。In the formula (1), Ph 1 independently represents a group represented by the formula (P1) or the formula (P2), but as described later, at least one of the (k + 1) Ph 1 groups is , A group represented by the formula (P1).

Figure 2020027259
Figure 2020027259

ここで、R1〜R4は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、またはシアノ基で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表す。Here, R 1 to R 4 may be independently substituted with a hydrogen atom, a cyano group, or a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and the like. It represents an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms.

炭素数1〜20のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐鎖状アルキル基;シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、ビシクロブチル、ビシクロペンチル、ビシクロヘキシル、ビシクロヘプチル、ビシクロオクチル、ビシクロノニル、ビシクロデシル基等の炭素数3〜20の環状アルキル基などが挙げられる。 The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl or t-butyl. , N-Pentyl, n-Hexyl, n-Heptyl, n-octyl, n-Nonyl, n-decyl groups and other linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms; cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl. , Cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl, bicyclobutyl, bicyclopentyl, bicyclohexyl, bicycloheptyl, bicyclooctyl, bicyclononyl, bicyclodecyl group and other cyclic alkyl groups having 3 to 20 carbon atoms.

炭素数2〜20のアルケニル基の具体例としては、エテニル、n−1−プロペニル、n−2−プロペニル、1−メチルエテニル、n−1−ブテニル、n−2−ブテニル、n−3−ブテニル、2−メチル−1−プロペニル、2−メチル−2−プロペニル、1−エチルエテニル、1−メチル−1−プロペニル、1−メチル−2−プロペニル、n−1−ペンテニル、n−1−デセニル、n−1−エイコセニル基等が挙げられる。 Specific examples of the alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethenyl, n-1-propenyl, n-2-propenyl, 1-methylethenyl, n-1-butenyl, n-2-butenyl, n-3-butenyl, and the like. 2-Methyl-1-propenyl, 2-methyl-2-propenyl, 1-ethylethenyl, 1-methyl-1-propenyl, 1-methyl-2-propenyl, n-1-pentenyl, n-1-decenyl, n- 1-Eicosenyl group and the like can be mentioned.

炭素数2〜20のアルキニル基の具体例としては、エチニル、n−1−プロピニル、n−2−プロピニル、n−1−ブチニル、n−2−ブチニル、n−3−ブチニル、1−メチル−2−プロピニル、n−1−ペンチニル、n−2−ペンチニル、n−3−ペンチニル、n−4−ペンチニル、1−メチル−n−ブチニル、2−メチル−n−ブチニル、3−メチル−n−ブチニル、1,1−ジメチル−n−プロピニル、n−1−ヘキシニル、n−1−デシニル、n−1−ペンタデシニル、n−1−エイコシニル基等が挙げられる。 Specific examples of the alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethynyl, n-1-propynyl, n-2-propynyl, n-1-butynyl, n-2-butynyl, n-3-butynyl, 1-methyl-. 2-Propynyl, n-1-pentynyl, n-2-pentynyl, n-3-pentynyl, n-4-pentynyl, 1-methyl-n-butynyl, 2-methyl-n-butynyl, 3-methyl-n- Butynyl, 1,1-dimethyl-n-propynyl, n-1-hexynyl, n-1-decynyl, n-1-pentadecynyl, n-1-eicosynyl group and the like can be mentioned.

炭素数6〜20のアリール基の具体例としては、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、1−アントリル、2−アントリル、9−アントリル、1−フェナントリル、2−フェナントリル、3−フェナントリル、4−フェナントリル、9−フェナントリル基等が挙げられる。 Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9-anthryl, 1-phenanthryl, 2-phenanthryl, 3-phenanthryl, 4-. Examples include phenyl, 9-phenyl group and the like.

炭素数2〜20のヘテロアリール基の具体例としては、2−チエニル、3−チエニル、2−フラニル、3−フラニル、2−オキサゾリル、4−オキサゾリル、5−オキサゾリル、3−イソオキサゾリル、4−イソオキサゾリル、5−イソオキサゾリル基等の含酸素ヘテロアリール基;2−チアゾリル、4−チアゾリル、5−チアゾリル、3−イソチアゾリル、4−イソチアゾリル、5−イソチアゾリル基等の含硫黄ヘテロアリール基;2−イミダゾリル、4−イミダゾリル、2−ピリジル、3−ピリジル、4−ピリジル、2−ピラジル、3−ピラジル、5−ピラジル、6−ピラジル、2−ピリミジル、4−ピリミジル、5−ピリミジル、6−ピリミジル、3−ピリダジル、4−ピリダジル、5−ピリダジル、6−ピリダジル、1,2,3−トリアジン−4−イル、1,2,3−トリアジン−5−イル、1,2,4−トリアジン−3−イル、1,2,4−トリアジン−5−イル、1,2,4−トリアジン−6−イル、1,3,5−トリアジン−2−イル、1,2,4,5−テトラジン−3−イル、1,2,3,4−テトラジン−5−イル、2−キノリニル、3−キノリニル、4−キノリニル、5−キノリニル、6−キノリニル、7−キノリニル、8−キノリニル、1−イソキノリニル、3−イソキノリニル、4−イソキノリニル、5−イソキノリニル、6−イソキノリニル、7−イソキノリニル、8−イソキノリニル、2−キノキサニル、5−キノキサニル、6−キノキサニル、2−キナゾリニル、4−キナゾリニル、5−キナゾリニル、6−キナゾリニル、7−キナゾリニル、8−キナゾリニル、3−シンノリニル、4−シンノリニル、5−シンノリニル、6−シンノリニル、7−シンノリニル、8−シンノリニル基等の含窒素ヘテロアリール基などが挙げられる。 Specific examples of the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms include 2-thienyl, 3-thienyl, 2-furanyl, 3-furanyl, 2-oxazolyl, 4-oxazolyl, 5-oxazolyl, 3-isooxazolyl and 4-isooxazolyl. , 5-Isoxazolyl group and other oxygen-containing heteroaryl groups; 2-thiazolyl, 4-thiazolyl, 5-thiazolyl, 3-isothiazolyl, 4-isothiazolyl, 5-isothiazolyl group and other sulfur-containing heteroaryl groups; 2-imidazolyl, 4 -Imidazolyl, 2-pyridyl, 3-pyridyl, 4-pyridyl, 2-pyrazyl, 3-pyrazil, 5-pyrazyl, 6-pyrazyl, 2-pyrimidyl, 4-pyrimidyl, 5-pyrimidyl, 6-pyrimidyl, 3-pyridadyl , 4-Pyridazil, 5-Pyridazil, 6-Pyridazil, 1,2,3-Triazine-4-yl, 1,2,3-Triazine-5-yl, 1,2,4-Triazine-3-yl, 1 , 2,4-Triazine-5-yl, 1,2,4-triazine-6-yl, 1,3,5-triazine-2-yl, 1,2,4,5-tetrazine-3-yl, 1 , 2,3,4-tetrazine-5-yl, 2-quinolinyl, 3-quinolinyl, 4-quinolinyl, 5-quinolinyl, 6-quinolinyl, 7-quinolinyl, 8-quinolinyl, 1-isoquinolinyl, 3-isoquinolinyl, 4 -Isoquinolinyl, 5-isoquinolinyl, 6-isoquinolinyl, 7-isoquinolinyl, 8-isoquinolinyl, 2-quinoxanyl, 5-quinoxanyl, 6-quinoxanyl, 2-quinazolinyl, 4-quinazolinyl, 5-quinazolinyl, 6-quinazolinyl, 7-quinazolinyl , 8-Kinazolinyl, 3-Synolinyl, 4-Synnolinyl, 5-Synolinyl, 6-Synnolinyl, 7-Synnolinyl, 8-Synnolinyl group and other nitrogen-containing heteroaryl groups and the like.

これらの中でも、R1〜R4としては、水素原子、シアノ基、シアノ基で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、シアノ基で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、シアノ基で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、シアノ基、シアノ基で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、シアノ基で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、メチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。Among these, R 1 to R 4 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a hydrogen atom, a cyano group or a cyano group, and 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a cyano group. A heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with an aryl group or a cyano group is preferable, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a cyano which may be substituted with a hydrogen atom, a cyano group or a cyano group is preferable. A phenyl group which may be substituted with a group is more preferable, a hydrogen atom and a methyl group are more preferable, and a hydrogen atom is the most suitable.

すなわち、式(P1)で表される基は、無置換のメタフェニレン基(ベンゼン−1,3−ジイル基)が最適であり、式(P2)で表される基は、無置換のパラフェニレン基(ベンゼン−1,4−ジイル基)が最適である。 That is, the optimum group represented by the formula (P1) is an unsubstituted metaphenylene group (benzene-1,3-diyl group), and the group represented by the formula (P2) is an unsubstituted paraphenylene. The group (benzene-1,4-diyl group) is optimal.

上記式(1)において、Ar0は、それぞれ独立して、式(B0)で表される基を表す。In the above formula (1), Ar 0 independently represents a group represented by the formula (B0).

Figure 2020027259
Figure 2020027259

式中、ArBは、単結合またはE基以外の任意の置換基(ピリジン環を含むものを除く。以下同様。)で置換されていてもよいフェニレン基を表し、ArBが上記フェニレン基の場合、ArGまたはその他の芳香環と結合して形成される縮合環の一部であってもよい。
E基以外の任意の置換基で置換されていてもよいフェニレン基中のフェニレン基としては、オルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基が挙げられるが、アニリン誘導体の合成の容易性の観点から、メタフェニレン基、パラフェニレン基が好ましく、さらにアニリン誘導体の溶解性を考慮すると、パラフェニレン基がより好ましい。
In the formula, Ar B represents a phenylene group which may be substituted with an arbitrary substituent other than a single bond or an E group (excluding those containing a pyridine ring; the same shall apply hereinafter), and Ar B represents the phenylene group described above. In some cases, it may be part of a fused ring formed by bonding with Ar G or other aromatic rings.
Examples of the phenylene group in the phenylene group which may be substituted with an arbitrary substituent other than the E group include an orthophenylene group, a metaphenylene group and a paraphenylene group, but from the viewpoint of easiness of synthesizing an aniline derivative. , Metaphenylene group and paraphenylene group are preferable, and further, considering the solubility of the aniline derivative, the paraphenylene group is more preferable.

ArGは、それぞれ独立して、E基以外の任意の置換基で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基または炭素数2〜20のヘテロアリール基を表す。これらのアリール基およびヘテロアリール基の具体例としては、上記例示したものと同じものが挙げられるが、それらに限定されない。
中でも、ArGとしては、E基以外の置換基で置換されていてもよい、炭素数6〜10のアリール基または炭素数2〜10のヘテロアリール基が好ましく、E基以外の置換基で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基がより好ましく、E基以外の置換基で置換されていてもよい、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基がより一層好ましい。
Ar G represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be independently substituted with any substituent other than the E group. Specific examples of these aryl groups and heteroaryl groups include, but are not limited to, those exemplified above.
Among them, Ar G is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 10 carbon atoms, which may be substituted with a substituent other than the E group, and is substituted with a substituent other than the E group. An aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted is more preferable, and a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group which may be substituted with a substituent other than the E group are even more preferable.

ArBおよびArGに置換するE基以外の置換基としては、ピリジン環を含むもの以外であれば特に限定されるものではないが、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基や、さらにこれらの基で置換された、ジフェニルアミノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基;アリール基で置換された、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基などが挙げられる。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびアリール基の具体例としては、上記例示したものと同じものが挙げられるが、それらに限定されない。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
The substituent other than the E group substituted with Ar B and Ar G is not particularly limited as long as it does not contain a pyridine ring, but is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group and a carbon number. An alkyl group of 1 to 20, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a diphenylamino group and an alkyl group substituted with these groups. , Alkenyl group, alkynyl group; alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms, etc. substituted with an aryl group, etc. Can be mentioned. Specific examples of the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group and aryl group include, but are not limited to, the same as those exemplified above.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

Eは、単結合、−C(Ra)2−、−NRb−、−NH−、N、−O−または−S−を表す。
ここで、Raは、それぞれ独立して、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の1価炭化水素基を表し、Raが上記1価炭化水素基の場合、Ra同士が互いに結合して炭素原子とともに環を形成していてもよい。Rbは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の1価炭化水素基を表す。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
上記ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の1価炭化水素基としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基等が挙げられ、これらの具体例としては、上記で例示したものと同様のものが挙げられる。なお、これらの基はさらに置換基で置換されていてもよい。
そのような置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、これらの基がさらに置換されたものが挙げられる。
E represents a single bond, -C (R a ) 2- , -NR b- , -NH-, N, -O- or -S-.
Here, R a independently represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hydrogen atom or a hetero atom, and when R a is the above monovalent hydrocarbon group, R a. a may be bonded to each other to form a ring together with a carbon atom. R b represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hetero atom. Examples of the hetero atom include a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and the like.
Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain the hetero atom include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms. Examples thereof include an aryl group having 6 to 20 carbon atoms and a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, and specific examples thereof include those similar to those exemplified above. In addition, these groups may be further substituted with a substituent.
Such substituents include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a carbon number of carbon atoms. Examples thereof include an aryl group of 6 to 20, a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, and those in which these groups are further substituted.

なお、ArBが、単結合の場合、Eも単結合で、かつ、ArGはE基以外の任意の置換基で置換されていてもよいナフチル基である。このようなナフチル基としては、1−ナフチル基、2−ナフチル基が挙げられる。
また、Eが、−C(Ra)2−基の場合、ArBおよびArGは、互いに結合して縮合環を形成しており、それ以外の場合、ArBおよびArGは、互いに結合して縮合環を形成していてもよい。
When Ar B is a single bond, E is also a single bond, and Ar G is a naphthyl group which may be substituted with an arbitrary substituent other than the E group. Examples of such a naphthyl group include a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group.
When E is a −C ( Ra ) 2 -group, Ar B and Ar G are bonded to each other to form a fused ring, and in other cases, Ar B and Ar G are bonded to each other. May form a fused ring.

Gは、Eに結合するArG基の数であり、EがNの場合は2を、それ以外の場合は1を表し、ArG基が2個存在する場合、それらが互いに結合して窒素原子とともに縮合環を形成していてもよい。
kは、1以上の整数を表すが、アニリン誘導体の溶解性の観点から、好ましくは10以下、より好ましくは5以下、より一層好ましくは4以下、さらに好ましくは3以下である。
n G is the number of Ar G groups attached to E. If E is N, it represents 2, otherwise it represents 1, and if there are two Ar G groups, they are bound to each other. A fused ring may be formed together with the nitrogen atom.
Although k represents an integer of 1 or more, it is preferably 10 or less, more preferably 5 or less, still more preferably 4 or less, still more preferably 3 or less, from the viewpoint of solubility of the aniline derivative.

上述のとおり、本発明で用いるアニリン誘導体は、その直鎖に少なくとも1つのメタフェニレン構造を含むものであり、式(1)中の(k+1)個のPh1基の少なくとも1つは、式(P1)で表される基を表す。
ここで、式(1)中の式(P1)で表される基の数(nm)と式(P2)で表される基の数(np)は、nm+np=k+1を満たすが、アニリン誘導体の溶解性や得られる電荷輸送性薄膜の電荷輸送性や屈折率等のバランスを考慮すると、nmおよびnpは、好ましくは0.5≦nm/(nm+np)を、より好ましくは0.6≦nm/(nm+np)を、より一層好ましくは0.8≦nm/(nm+np)を、さらに好ましくは0.9≦nm/(nm+np)を満たし、最も好ましくは1=nm/(nm+np)を満たす。
As described above, the aniline derivative used in the present invention contains at least one metaphenylene structure in its straight chain, and at least one of the (k + 1) Ph 1 groups in the formula (1) is the formula (1). Represents a group represented by P1).
Here, the number of groups (nm ) represented by the formula (P1) in the formula (1) and the number of groups (n p ) represented by the formula (P2) satisfy n m + n p = k + 1. However, considering the balance between the solubility of the aniline derivative and the charge transportability and refractive index of the obtained charge transport thin film, nm and n p are preferably 0.5 ≦ nm / ( nm + n p ). , More preferably 0.6 ≤ nm / ( nm + n p ), even more preferably 0.8 ≤ nm / ( nm + n p ), and even more preferably 0.9 ≤ nm / (. n m + n p ) is satisfied, and most preferably 1 = nm / ( nm + n p ) is satisfied.

本発明の好ましい一態様においては、式(1)におけるAr0は、それぞれ独立して、式(B1)〜(B16)のいずれかで表される基を表すが、特に、式(B1′)〜(B16′−5)のいずれかで表される基が好ましい。In a preferred embodiment of the present invention, Ar 0 in the formula (1) independently represents a group represented by any of the formulas (B1) to (B16), and in particular, the formula (B1'). A group represented by any of (B16'-5) is preferable.

Figure 2020027259
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Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
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ここで、R5〜R25、R28〜R49およびR51〜R194は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子、ニトロ基もしくはシアノ基で置換されていてもよい、ジフェニルアミノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R26およびR27は、それぞれ独立して、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基もしくはZ2で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R50は、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基もしくはZ2で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基またはZ3で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基またはZ3で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基を表し、Z3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはジフェニルアミノ基を表し、これらハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基および炭素数2〜20のヘテロアリール基の具体例としては、上記で説明したものと同様のものが挙げられる。Here, R 5 to R 25 , R 28 to R 49, and R 51 to R 194 are independently substituted with hydrogen atom, halogen atom, nitro group, cyano group, or halogen atom, nitro group, or cyano group, respectively. Diphenylamino group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms or 2 to 2 carbon atoms. represents 20 heteroaryl group, R 26 and R 27 each, independently, a hydrogen atom, an alkyl group having carbon atoms which may be have 1-20 substituted with Z 1, which may be substituted with Z 1 alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted with an aryl group or Z 2 in Z 1 in optionally substituted alkynyl group having a carbon number of 2 to 20, Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-20 represents an heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms may have, R 50 is a hydrogen atom, an alkyl group having carbon atoms which may be have 1-20 substituted with Z 1, which may be substituted with Z 1 alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted with an aryl group or Z 2 in Z 1 in optionally substituted alkynyl group having a carbon number of 2 to 20, Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-20 Represents a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted, and Z 1 is an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group, or Z 3. Alternatively, it represents a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 3 , and Z 2 has a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group, or a carbon number which may be substituted with Z 3. 20 alkyl group, an alkenyl group, or Z 3 in which may be substituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms in a good 2 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 3, Z 3 is halogen Represents an atom, nitro group, cyano group or diphenylamino group, these halogen atoms, alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl groups having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl groups having 2 to 20 carbon atoms, 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of the aryl group and the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms include those similar to those described above.

特に、R5〜R25、R28〜R49およびR51〜R194としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。
26およびR27としては、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基、Z2で置換されていてもよい炭素数2〜14のヘテロアリール基が好ましく、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基がより好ましく、Z2で置換されていてもよいフェニル基、Z2で置換されていてもよい1−ナフチル基、Z2で置換されていてもよい2−ナフチル基がより一層好ましい。
50としては、水素原子、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基が好ましく、水素原子、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜14のアリール基がより好ましく、水素原子、Z2で置換されていてもよいフェニル基、Z2で置換されていてもよい1−ナフチル基、Z2で置換されていてもよい2−ナフチル基がより一層好ましい。
In particular, R 5 to R 25 , R 28 to R 49 and R 51 to R 194 are substituted with a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a diphenylamino group which may be substituted with a fluorine atom, and a fluorine atom. An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, and a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom are preferable. , A hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, and a phenyl group which may be substituted with a fluorine atom are more preferable. A group and a trifluoromethyl group are more preferable, and a hydrogen atom is most suitable.
The R 26 and R 27, an aryl group are carbon atoms and optionally 6-14 substituted by Z 2, a heteroaryl group Z 2 carbon atoms which may be substituted with 2 to 14 preferably in Z 2 more preferably an aryl group which may having 6 to 14 carbon atoms optionally substituted, a phenyl group optionally substituted by Z 2, may be substituted with Z 2 1-naphthyl group, substituted by Z 2 A 2-naphthyl group which may be used is even more preferable.
The R 50, a hydrogen atom, preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms optionally substituted by Z 2, and more aryl group hydrogen atom, Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-14 preferably, hydrogen atom, a phenyl group which may be substituted with Z 2, Z 2 with optionally substituted 1-naphthyl group, Z 2 and still more preferably, also be 2-naphthyl group optionally substituted by.

また、Ar4は、それぞれ独立して、ジ(炭素数6〜20のアリール基)アミノ基で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表す。
炭素数6〜20のアリール基の具体例としては、上記で説明した基と同様のものが挙げられ、ジ(炭素数6〜20のアリール基)アミノ基の具体例としては、ジフェニルアミノ、1−ナフチルフェニルアミノ、ジ(1−ナフチル)アミノ、1−ナフチル−2−ナフチルアミノ、ジ(2−ナフチル)アミノ基等が挙げられる。
Ar4としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、p−(ジフェニルアミノ)フェニル基、p−(1−ナフチルフェニルアミノ)フェニル基、p−(ジ(1−ナフチル)アミノ)フェニル基、p−(1−ナフチル−2−ナフチルアミノ)フェニル基、p−(ジ(2−ナフチル)アミノ)フェニル基が好ましく、p−(ジフェニルアミノ)フェニル基がより好ましい。
Further, Ar 4 independently represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a di (aryl group having 6 to 20 carbon atoms) amino group.
Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include the same groups as those described above, and specific examples of the di (aryl group having 6 to 20 carbon atoms) amino group include diphenylamino and 1 Examples thereof include −naphthylphenylamino, di (1-naphthyl) amino, 1-naphthyl-2-naphthylamino, di (2-naphthyl) amino group and the like.
Ar 4 includes phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4- Phenantryl group, 9-phenanthryl group, p- (diphenylamino) phenyl group, p- (1-naphthylphenylamino) phenyl group, p- (di (1-naphthyl) amino) phenyl group, p- (1-naphthyl-) A 2-naphthylamino) phenyl group and a p- (di (2-naphthyl) amino) phenyl group are preferable, and a p- (diphenylamino) phenyl group is more preferable.

以下、Ar0として好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。Hereinafter, specific examples of groups suitable as Ar 0 will be given, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2020027259
(式中、DPAは、ジフェニルアミノ基を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, DPA represents a diphenylamino group.)

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
(式中、R50は、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, R 50 has the same meaning as above.)

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

本発明において、R50として好適な基の具体例としては、以下の基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。In the present invention, specific examples of groups suitable for R 50 include, but are not limited to, the following groups.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

Figure 2020027259
Figure 2020027259

本発明において、上記アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは10以下であり、より好ましくは6以下であり、より一層好ましくは4以下である。
また、上記アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは14以下であり、より好ましくは10以下であり、より一層好ましくは6以下である。
In the present invention, the alkyl group, alkenyl group and alkynyl group have preferably 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less carbon atoms, and even more preferably 4 or less carbon atoms.
The aryl group and the heteroaryl group have preferably 14 or less carbon atoms, more preferably 10 or less carbon atoms, and even more preferably 6 or less carbon atoms.

本発明において、合成の容易性を考慮すると、式(1)で表されるアニリン誘導体は、式(1−1)〜(1−4)のいずれかで表されるアニリン誘導体が好ましい。 In the present invention, considering the ease of synthesis, the aniline derivative represented by the formula (1) is preferably the aniline derivative represented by any of the formulas (1-1) to (1-4).

Figure 2020027259
(Ar1〜Ar3は、それぞれ異なって上記式(B1)〜(B16)のいずれかで表される基であり、各式のそれぞれにおいて、Ar1は、すべて同一の基を表し、Ar2は、すべて同一の基を表し、Ar3は、すべて同一の基を表す。)
Figure 2020027259
(Ar 1 to Ar 3 are different groups represented by any of the above formulas (B1) to (B16), and in each of the formulas, Ar 1 all represent the same group, and Ar 2 Represents all the same groups, and Ar 3 represents all the same groups.)

本発明で用いる式(1)で表されるアニリン誘導体は、式(4)で表されるアミン化合物と、式(5)で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。 The aniline derivative represented by the formula (1) used in the present invention can be produced by reacting an amine compound represented by the formula (4) with an aryl compound represented by the formula (5) in the presence of a catalyst. ..

Figure 2020027259
(式中、Xは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ar0、Ph1およびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, X represents a halogen atom or a pseudohalogen group, and Ar 0 , Ph 1 and k have the same meanings as above.)

ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。
擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の(フルオロ)アルキルスルホニルオキシ基;ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基などが挙げられる。
Examples of the halogen atom include the same as above.
Examples of the pseudohalogen group include (fluoro) alkylsulfonyloxy groups such as methanesulfonyloxy, trifluoromethanesulfonyloxy and nonafluorobutanesulfonyloxy groups; aromatic sulfonyloxy groups such as benzenesulfonyloxy and toluenesulfonyloxy groups. ..

式(4)で表されるアミン化合物と、式(5)で表されるアリール化合物との仕込み比は、アミン化合物の全NH基の物質量に対し、アリール化合物を当量以上とすることができるが、1〜1.2当量程度が好適である。 The charging ratio of the amine compound represented by the formula (4) to the aryl compound represented by the formula (5) can be equal to or more than the equivalent amount of the aryl compound with respect to the amount of substance of the total NH groups of the amine compound. However, about 1 to 1.2 equivalents are preferable.

上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒;Pd(PPh34(テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム)、Pd(PPh32Cl2(ビス(トリフェニルホスフィン)ジクロロパラジウム)、Pd(dba)2(ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム)、Pd2(dba)3(トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム)、Pd(P−t−Bu32(ビス(トリ(t−ブチルホスフィン))パラジウム)、Pd(OAc)2(酢酸パラジウム)等のパラジウム触媒などが挙げられる。これらの触媒は、単独で用いてもよく、2種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は、公知の適切な配位子とともに使用してもよい。
このような配位子としては、トリフェニルホスフィン、トリ−o−トリルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−t−ブチルホスフィン、ジ−t−ブチル(フェニル)ホスフィン、ジ−t−ブチル(4−ジメチルアミノフェニル)ホスフィン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等の3級ホスフィン、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等の3級ホスファイトなどが挙げられる。
Examples of the catalyst used in the above reaction include copper catalysts such as copper chloride, copper bromide and copper iodide; Pd (PPh 3 ) 4 (tetrax (triphenylphosphine) palladium), Pd (PPh 3 ) 2 Cl 2 (Bis (triphenylphosphine) dichloropalladium), Pd (dba) 2 (bis (dibenzylideneacetone) palladium), Pd 2 (dba) 3 (tris (dibenzylideneacetone) dipalladium), Pd (P-t-Bu) 3 ) Examples thereof include palladium catalysts such as 2 (bis (tri (t-butylphosphine)) palladium) and Pd (OAc) 2 (palladium acetate). These catalysts may be used alone or in combination of two or more. These catalysts may also be used with suitable known ligands.
Examples of such ligands include triphenylphosphine, tri-o-tolylphosphine, diphenylmethylphosphine, phenyldimethylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, tri-t-butylphosphine, and di-t-butyl ( Phosphine) phosphine, di-t-butyl (4-dimethylaminophenyl) phosphine, 1,2-bis (diphenylphosphine) ethane, 1,3-bis (diphenylphosphine) propane, 1,4-bis (diphenylphosphine) Examples thereof include tertiary phosphine such as fino) butane and 1,1'-bis (diphenylphosphine) ferrocene, and tertiary phosphine such as trimethylphosphine, triethylphosphine and triphenylphosphine.

触媒の使用量は、式(5)で表されるアリール化合物1molに対して、0.1〜0.2mol程度とすることができるが、0.15mol程度が好適である。
また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対して、0.1〜5当量とすることができるが、1〜2当量が好適である。
The amount of the catalyst used can be about 0.1 to 0.2 mol with respect to 1 mol of the aryl compound represented by the formula (5), but about 0.15 mol is preferable.
When a ligand is used, the amount used can be 0.1 to 5 equivalents with respect to the metal complex to be used, but 1 to 2 equivalents are preferable.

原料化合物が全て固体である場合あるいは目的とするアニリン誘導体を効率よく得る観点から、上記各反応は溶媒中で行う。溶媒を使用する場合、その種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。具体例としては、脂肪族炭化水素類(ペンタン、n−ヘキサン、n−オクタン、n−デカン、デカリン等)、ハロゲン化脂肪族炭化水素類(クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等)、芳香族炭化水素類(ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、メシチレン等)、ハロゲン化芳香族炭化水素類(クロロベンゼン、ブロモベンゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン、p−ジクロロベンゼン等)、エーテル類(ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、1,2−ジエトキシエタン等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ−n−ブチルケトン、シクロヘキサノン等)、アミド類(N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等)、ラクタムおよびラクトン類(N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等)、尿素類(N,N−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等)、スルホキシド類(ジメチルスルホキシド、スルホラン等)、ニトリル類(アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等)などが挙げられ、これらの溶媒は単独で用いても、2種以上混合して用いてもよい。 Each of the above reactions is carried out in a solvent when all the raw material compounds are solid or from the viewpoint of efficiently obtaining the desired aniline derivative. When a solvent is used, the type is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction. Specific examples include aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), halogenated aliphatic hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, etc.), and aromatics. Group hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesityrene, etc.), halogenated aromatic hydrocarbons (chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene, etc.) P-dichlorobenzene, etc.), ethers (diethyl ether, diisopropyl ether, t-butylmethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, etc.), ketones (acetone, methylethylketone, etc.) Methylisobutylketone, di-n-butylketone, cyclohexanone, etc.), amides (N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, etc.), lactams and lactones (N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, etc.), urea Species (N, N-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, etc.), sulfoxides (dimethylsulfoxylene, sulfolane, etc.), nitriles (acetoyl, propionitrile, butyronitrile, etc.), etc., and these solvents are used alone. It may be used, or two or more kinds may be mixed and used.

反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、0〜200℃程度が好ましく、20〜150℃がより好ましい。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするアニリン誘導体を得ることができる。
The reaction temperature may be appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used, but is particularly preferably about 0 to 200 ° C, more preferably 20 to 150 ° C.
After completion of the reaction, post-treatment can be carried out according to a conventional method to obtain the desired aniline derivative.

上記式(1−1)で表されるアニリン誘導体は、以下の方法によっても、製造することができる。
まず、式(1−1−4)で表されるジニトロ化合物と、式(6)で表されるアリール化合物とを反応させて、式(1−1−3)で表されるジニトロ化合物を得る。
The aniline derivative represented by the above formula (1-1) can also be produced by the following method.
First, the dinitro compound represented by the formula (1-1-4) is reacted with the aryl compound represented by the formula (6) to obtain the dinitro compound represented by the formula (1-1-3). ..

Figure 2020027259
(式中、Ar1、Ph1、Xおよびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ar 1 , Ph 1 , X and k have the same meaning as above.)

式(1−1−4)で表されるジニトロ化合物と、式(6)で表されるアリール化合物との仕込み比は、ジニトロ化合物の全NH基の物質量に対し、アリール化合物を当量以上とすることができるが、1〜1.2当量程度が好適である。
その他、アリール化合物に対する触媒量、溶媒、反応温度等に関するカップリング反応の諸条件は、式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同様である。
The charging ratio of the dinitro compound represented by the formula (1-1-4) to the aryl compound represented by the formula (6) is such that the aryl compound is equivalent or more with respect to the amount of substance of the total NH groups of the dinitro compound. However, about 1 to 1.2 equivalents are preferable.
In addition, various conditions of the coupling reaction regarding the amount of catalyst for the aryl compound, the solvent, the reaction temperature, etc. are the same as the above conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (1).

次に、式(1−1−3)で表されるジニトロ化合物中のニトロ基を水添によって還元して式(1−1−2)で表されるアミン化合物を得る。水添は、Pd/C等を用いた水素添加反応が挙げられ、公知の手法によって行うことができる。 Next, the nitro group in the dinitro compound represented by the formula (1-1-3) is reduced by hydrogenation to obtain an amine compound represented by the formula (1-1-2). Hydrogenation includes a hydrogenation reaction using Pd / C or the like, and can be carried out by a known method.

Figure 2020027259
(式中、Ar1、Ph1およびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ar 1 , Ph 1 and k have the same meaning as above.)

次に、式(1−1−2)で表されるアミン化合物と、式(7)で表されるアリール化合物とを反応させて、式(1−1−1)で表されるアミン化合物を得、得られた式(1−1−1)で表されるアミン化合物と、式(8)で表されるアリール化合物とを反応させて、式(1−1)で表されるアニリン誘導体を得ることができる。 Next, the amine compound represented by the formula (1-1-2) is reacted with the aryl compound represented by the formula (7) to obtain the amine compound represented by the formula (1-1-1). The obtained amine compound represented by the formula (1-1-1) is reacted with the aryl compound represented by the formula (8) to obtain an aniline derivative represented by the formula (1-1). Obtainable.

Figure 2020027259
(式中、Ar1、Ar2、Ar3、Ph1、Xおよびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ph 1 , X and k have the same meanings as above.)

式(1−1−2)で表されるアミン化合物と、式(7)で表されるアリール化合物との仕込み比または式(1−1−1)で表されるアミン化合物と、式(8)で表されるアリール化合物との仕込み比は、アミン化合物に対し、アリール化合物を2当量以上とすることができるが、2〜2.4当量程度が好適である。
その他、アリール化合物に対する触媒量、溶媒、反応温度等に関するカップリング反応の諸条件は、式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同様である。
The charging ratio of the amine compound represented by the formula (1-1-2) to the aryl compound represented by the formula (7) or the amine compound represented by the formula (1-1-1) and the formula (8). ) Can be 2 equivalents or more of the aryl compound with respect to the amine compound, but it is preferably about 2 to 2.4 equivalents.
In addition, various conditions of the coupling reaction regarding the amount of catalyst for the aryl compound, the solvent, the reaction temperature, etc. are the same as the above conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (1).

また、式(1−2)で表されるアニリン誘導体は、以下の方法によっても、製造することができる。
上述の方法で得た式(1−1−1)で表されるアミン化合物と、式(6)で表されるアリール化合物とを反応させて、式(1−2)で表されるアニリン誘導体を得ることができる。
The aniline derivative represented by the formula (1-2) can also be produced by the following method.
An aniline derivative represented by the formula (1-2) is obtained by reacting the amine compound represented by the formula (1-1-1) obtained by the above method with the aryl compound represented by the formula (6). Can be obtained.

Figure 2020027259
(式中、Ar1、Ar2、Ph1、Xおよびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ph 1 , X and k have the same meaning as above.)

アミン化合物とアリール化合物との仕込み比、アリール化合物に対する触媒量、溶媒、反応温度等に関するカップリング反応の諸条件は、式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同様である。 The conditions of the coupling reaction regarding the charging ratio of the amine compound and the aryl compound, the amount of catalyst for the aryl compound, the solvent, the reaction temperature, etc. are the same as the above conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (1). Is.

また、式(1−3)で表されるアニリン誘導体は、以下の方法によっても、製造することができる。
上述の方法で得た式(1−1−2)で表されるアミン化合物と、式(7)で表されるアリール化合物とを反応させて、式(1−3)で表されるアニリン誘導体を得ることができる。
The aniline derivative represented by the formula (1-3) can also be produced by the following method.
An aniline derivative represented by the formula (1-3) is obtained by reacting the amine compound represented by the formula (1-1-2) obtained by the above method with the aryl compound represented by the formula (7). Can be obtained.

Figure 2020027259
(式中、Ar1、Ar2、Ph1、Xおよびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ph 1 , X and k have the same meaning as above.)

式(1−1−2)で表されるアミン化合物と、式(7)で表されるアリール化合物との仕込み比は、アミン化合物の全NH基の物質量に対し、アリール化合物を当量以上とすることができるが、1〜1.2当量程度が好適である。
その他、アリール化合物に対する触媒量、溶媒、反応温度等に関するカップリング反応の諸条件は、式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同様である。
The charging ratio of the amine compound represented by the formula (1-1-2) to the aryl compound represented by the formula (7) is such that the aryl compound is equivalent or more with respect to the amount of substance of the total NH groups of the amine compound. However, about 1 to 1.2 equivalents are preferable.
In addition, various conditions of the coupling reaction regarding the amount of catalyst for the aryl compound, the solvent, the reaction temperature, etc. are the same as the above conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (1).

また、式(1−4)で表されるアニリン誘導体は、以下の方法によっても、製造することができる。
式(4)で表されるアミン化合物と、式(6)で表されるアリール化合物とを反応させて、式(1−4)で表されるアニリン誘導体を得ることができる。
The aniline derivative represented by the formula (1-4) can also be produced by the following method.
An aniline derivative represented by the formula (1-4) can be obtained by reacting the amine compound represented by the formula (4) with the aryl compound represented by the formula (6).

Figure 2020027259
(式中、Ar1、Ph1、Xおよびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ar 1 , Ph 1 , X and k have the same meaning as above.)

アミン化合物とアリール化合物との仕込み比、アリール化合物に対する触媒量、溶媒、反応温度等に関するカップリング反応の諸条件は、式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同様である。 The conditions of the coupling reaction regarding the charging ratio of the amine compound and the aryl compound, the amount of catalyst for the aryl compound, the solvent, the reaction temperature, etc. are the same as the above conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (1). Is.

なお、本発明で用いるアニリン誘導体の原料として用い得るアミン化合物は、下記スキームに示されるように、(A)式(1−1−4)または式(1−1−5)で表されるアミン化合物と、式(9)で表されるアリール化合物とのカップリング反応と、(B)水添によるニトロ基の還元反応で得ることができ、この(A)、(B)を繰り返すことで、鎖長(m−またはp−フェニレン数)を伸長していくことができる。 The amine compound that can be used as a raw material for the aniline derivative used in the present invention is an amine represented by the formula (A) (1-1-4) or the formula (1-1-5) as shown in the following scheme. It can be obtained by the coupling reaction between the compound and the aryl compound represented by the formula (9) and the reduction reaction of the nitro group by hydrogenation (B), and by repeating these (A) and (B), The chain length (m- or p-phenylene number) can be extended.

Figure 2020027259
(式中、Ph1、Xおよびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ph 1 , X and k have the same meanings as above.)

Figure 2020027259
(式中、Ph1、Xおよびkは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, Ph 1 , X and k have the same meanings as above.)

より具体的な一例を挙げれば、式(4)に包含されるアミン化合物の一つの化合物は、下記スキームに示されるように、(A)m−フェニレンジアミンまたは3−ニトロアニリンと、3−ハロニトロベンゼンとのカップリング反応と、(B)水添によるニトロ基の還元反応で得ることができ、この(A)、(B)の反応を繰り返すことで、鎖長(m−フェニレン数)を伸長していくことができる。 To give a more specific example, one compound of the amine compound included in the formula (4) is (A) m-phenylenediamine or 3-nitroaniline and 3-halo, as shown in the following scheme. It can be obtained by a coupling reaction with nitrobenzene and (B) a reduction reaction of nitro groups by hydrogenation, and by repeating these reactions (A) and (B), the chain length (m-phenylene number) is extended. Can be done.

Figure 2020027259
(式中、Xは、上記と同じ意味を表す。)
Figure 2020027259
(In the formula, X has the same meaning as above.)

それぞれ、上記スキームの上の反応と下の反応のどちらを選択するかでフェニレン数の偶奇の作り分けが可能であるため、保護基で片方のアミノ基を保護するといった合成的に難易度の高い方法を用いることなく、自由に所望のフェニレン数を有する式(4)で表されるアミン化合物を製造することできる。 Since it is possible to make the phenylene number even or odd depending on whether the reaction above or below the above scheme is selected, it is synthetically difficult to protect one amino group with a protecting group. An amine compound represented by the formula (4) having a desired number of phenylene can be freely produced without using a method.

この場合、式(1−1−4)で表されるアミン化合物またはm−フェニレンジアミンと、式(9)で表されるアリール化合物または3−ハロニトロベンゼンとの仕込み比は、物質量比で、式(1−1−4)で表されるアミン化合物またはm−フェニレンジアミン1に対して、式(9)で表されるアリール化合物または3−ハロニトロベンゼン2〜2.4程度が好適である。
また、式(1−1−5)で表されるアミン化合物または3−ニトロアニリンと、式(9)で表されるアリール化合物または3−ハロニトロベンゼンとの仕込み比は、物質量比で、式(1−1−5)で表されるアミン化合物または3−ニトロアニリン1に対して、式(9)で表されるアリール化合物または3−ハロニトロベンゼン1〜1.2程度が好適である。
In this case, the charging ratio of the amine compound or m-phenylenediamine represented by the formula (1-1-4) to the aryl compound or 3-halonitrobenzene represented by the formula (9) is the substance amount ratio. The aryl compound or 3-halonitrobenzene represented by the formula (9) is preferably about 2 to 2.4 with respect to the amine compound represented by the formula (1-1-4) or m-phenylenediamine 1.
The charging ratio of the amine compound or 3-nitroaniline represented by the formula (1-1-5) to the aryl compound or 3-halonitrobenzene represented by the formula (9) is a substance amount ratio. The aryl compound or 3-halonitrobenzene represented by the formula (9) is preferably about 1 to 1.2 with respect to the amine compound represented by (1-1-5) or 3-nitroaniline 1.

なお、カップリング反応に用いるパラジウム触媒としては、上記と同様のものが挙げられる。また、この場合も配位子を用いることができる。配位子としては、上記で例示したものに加え、Aldrich社で市販されている、JohnPhos, CyjohnPhos, DavePhos, XPhos, SPhos, tBuXPhos, RuPhos, Me4tBuXPhos, sSPhos, tBuMePhos, MePhos, tBuDavePhos, PhDavePhos, 2’-Dicyclohexylphosphino-2,4,6-trimethoxybiphenyl, BrettPhos, tBuBrettPhos, AdBrettPhos, Me3(OMe)tBuXPhos, (2-Biphenyl)di-1-adamantylphosphine, RockPhos, CPhos等のビフェニルホスフィン化合物を好適に用いることができる。Examples of the palladium catalyst used in the coupling reaction include the same ones as described above. Also in this case, a ligand can be used. As the ligand, in addition to those exemplified above, JohnPhos, CyjohnPhos, DavePhos, XPhos, SPhos, tBuXPhos, RuPhos, Me4tBuXPhos, sSPhos, tBuMePhos, MePhos, tBuDavePhos, PhDave, which are commercially available from Aldrich. -Dicyclohexylphosphino-2,4,6-trimethoxybiphenyl, BrettPhos, tBuBrettPhos, AdBrettPhos, Me 3 (OMe) tBuXPhos, (2-Biphenyl) di-1-adamantylphosphine, RockPhos, CPhos and other biphenylphosphine compounds can be preferably used. ..

カップリング反応に用いる塩基としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウム、t−ブトキシリチウム、t−ブトキシナトリウム、t−ブトキシカリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属単体、水素化アルカリ金属、水酸化アルカリ金属、アルコキシアルカリ金属、炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属;炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土類金属;n−ブチルリチウム、s−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド(LDA),リチウム2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(LiTMP),ヘキサメチルジシラザンリチウム(LHMDS)等の有機リチウム;トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類などが挙げられる。 Examples of the base used in the coupling reaction include lithium, sodium, potassium, lithium hydride, sodium hydride, lithium hydroxide, potassium hydroxide, t-butoxylithium, t-butoxysodium, t-butoxypotassium, and hydroxide. Alkali metals such as sodium, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogencarbonate, potassium hydrogencarbonate, alkali metal hydride, alkali metal hydroxide, alkoxy alkali metal, alkali metal carbonate, alkali metal hydrogen carbonate; calcium carbonate Alkali carbonate earth metals such as n-butyllithium, s-butyllithium, t-butyllithium, lithium diisopropylamide (LDA), lithium 2,2,6,6-tetramethylpiperidine (LiTMP), hexamethyldisilazane. Organic lithium such as lithium (LHMDS); amines such as triethylamine, diisopropylethylamine, tetramethylethylenediamine, triethylenediamine, pyridine and the like can be mentioned.

その他、溶媒、反応温度等に関するカップリング反応の諸条件は、式(1)で表されるアニリン誘導体の製造方法について説明した上記条件と同様である。
また、Pd/Cを用いた水素添加反応は、公知の手法によって行うことができる。
なお、メタフェニレン基の代わりにパラフェニレン基を導入する場合は、3−ハロニトロベンゼンの代わりに4−ハロニトロベンゼンを用いればよい。
Other conditions of the coupling reaction regarding the solvent, reaction temperature, etc. are the same as the above conditions described for the method for producing the aniline derivative represented by the formula (1).
Further, the hydrogenation reaction using Pd / C can be carried out by a known method.
When a paraphenylene group is introduced instead of the metaphenylene group, 4-halonitrobenzene may be used instead of 3-halonitrobenzene.

本発明の電荷輸送性ワニスは、上述したアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、有機溶媒とを含むものであるが、得られる薄膜の用途に応じ、その電荷輸送能の向上等を目的としてドーパント物質を含んでいてもよい。 The charge-transporting varnish of the present invention contains the charge-transporting substance composed of the above-mentioned aniline derivative and an organic solvent, and a dopant substance is used for the purpose of improving the charge-transporting ability depending on the use of the obtained thin film. It may be included.

ドーパント物質としては、ワニスに使用する少なくとも1種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、無機系のドーパント物質、有機系のドーパント物質のいずれも使用できる。
また、無機系および有機系のドーパント物質は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上組み合わせて用いてもよい。
さらに、ドーパント物質は、ワニスから固体膜である電荷輸送性薄膜を得る過程で、例えば焼成時の加熱といった外部からの刺激によって、例えば分子内の一部が外れることによってドーパント物質としての機能が初めて発現または向上するようになる物質、例えばスルホン酸基が脱離しやすい基で保護されたアリールスルホン酸エステル化合物であってもよい。
The dopant substance is not particularly limited as long as it is soluble in at least one solvent used for the varnish, and either an inorganic dopant substance or an organic dopant substance can be used.
Further, the inorganic and organic dopant substances may be used alone or in combination of two or more.
Further, the dopant substance functions as a dopant substance for the first time in the process of obtaining a charge-transporting thin film which is a solid film from a varnish, for example, when a part of the molecule is removed by an external stimulus such as heating at the time of firing. It may be a substance that becomes expressed or improved, for example, an aryl sulfonic acid ester compound protected by a group in which a sulfonic acid group is easily eliminated.

特に、本発明においては、無機系のドーパント物質としては、ヘテロポリ酸が好ましい。
ヘテロポリ酸とは、代表的に式(H1)で表されるKeggin型あるいは式(H2)で表されるDawson型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素(Si)、リン(P)、ヒ素(As)の酸素酸が挙げられる。
In particular, in the present invention, a heteropolyacid is preferable as the inorganic dopant substance.
The heteropolyacid has a structure in which a hetero atom is located at the center of a molecule, which is typically represented by a Keggin type represented by the formula (H1) or a Dawson type chemical structure represented by the formula (H2). It is a polyacid formed by condensing an isopolyacid, which is an oxygen acid such as vanadium (V), molybdenum (Mo), and tungsten (W), with an oxygen acid of a different element. Oxygen acids of such dissimilar elements mainly include oxygen acids of silicon (Si), phosphorus (P), and arsenic (As).

Figure 2020027259
Figure 2020027259

ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、2種以上組み合わせて用いてもよい。なお、これらのヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
特に、1種類のヘテロポリ酸を用いる場合、その1種類のヘテロポリ酸は、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸が最適である。また、2種類以上のヘテロポリ酸を用いる場合、その2種類以上のヘテロポリ酸の1つは、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸がより好ましい。
なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
すなわち、例えば、一般的には、リンタングステン酸は化学式H3(PW1240)・nH2Oで、リンモリブデン酸は化学式H3(PMo1240)・nH2Oでそれぞれ示されるが、定量分析において、この式中のP(リン)、O(酸素)またはW(タングステン)もしくはMo(モリブデン)の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量(リンタングステン酸含量)ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
Specific examples of the heteropolyacid include phosphomolybdic acid, silicate molybdic acid, phosphotungstic acid, silicate tungstic acid, phosphotungstic acid, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. good. In addition, these heteropolyacids are available as commercial products, and can also be synthesized by a known method.
In particular, when one kind of heteropolyacid is used, the one kind of heteropolyacid is preferably phosphotung acid or phosphomolybdic acid, and phosphotung acid is most suitable. When two or more kinds of heteropolyacids are used, one of the two or more kinds of heteropolyacids is preferably phosphotung acid or phosphomolybdic acid, and more preferably phosphotung acid.
In addition, in quantitative analysis such as elemental analysis, heteropolyacids have a large number of elements or a small number of elements from the structure represented by the general formula, but those obtained as commercial products or known synthetics. As long as it is properly synthesized according to the method, it can be used in the present invention.
That is, for example, in general, phosphotungsten acid is represented by chemical formulas H 3 (PW 12 O 40 ) and nH 2 O, and phosphomolybdic acid is represented by chemical formulas H 3 (PMo 12 O 40 ) and nH 2 O, respectively. , In quantitative analysis, even if the number of P (phosphorus), O (oxygen) or W (tungsten) or Mo (molybdenum) in this formula is large or small, it is obtained as a commercial product. Alternatively, it can be used in the present invention as long as it is appropriately synthesized according to a known synthesis method. In this case, the mass of the heteropolyacid defined in the present invention is not the mass of pure phosphotungstic acid (phosphotungstic acid content) in the synthetic product or the commercially available product, but the form available as the commercially available product and the known synthesis. In a form that can be isolated by the method, it means the total mass in a state containing hydrated water and other impurities.

ヘテロポリ酸の使用量は、質量比で、式(1)で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質1に対して0.001〜50.0程度とすることができるが、好ましくは0.01〜20.0程度、より好ましくは0.1〜10.0程度である。 The amount of the heteropolymetalate used can be about 0.001 to 50.0 with respect to the charge-transporting substance 1 composed of the aniline derivative represented by the formula (1) in terms of mass ratio, but is preferably 0. It is about 01 to 20.0, more preferably about 0.1 to 10.0.

一方、有機系のドーパント物質としては、特にテトラシアノキノジメタン誘導体やベンゾキノン誘導体を用いることができる。
テトラシアノキノジメタン誘導体の具体例としては、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(TCNQ)や、式(H3)で表されるハロテトラシアノキノジメタン等が挙げられる。
また、ベンゾキノン誘導体の具体例としては、テトラフルオロ−1,4−ベンゾキノン(F4BQ)、テトラクロロ−1,4−ベンゾキノン(クロラニル)、テトラブロモ−1,4−ベンゾキノン、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノン(DDQ)等が挙げられる。
On the other hand, as the organic dopant substance, a tetracyanoquinodimethane derivative or a benzoquinone derivative can be particularly used.
Specific examples of the tetracyanoquinodimethane derivative include 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ), halotetracyanoquinodimethane represented by the formula (H3), and the like.
Specific examples of benzoquinone derivatives include tetrafluoro-1,4-benzoquinone (F4BQ), tetrachloro-1,4-benzoquinone (chloranil), tetrabromo-1,4-benzoquinone, 2,3-dichloro-5, and so on. 6-Dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ) and the like can be mentioned.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

式中、R500〜R503は、それぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表すが、少なくとも1つはハロゲン原子であり、少なくとも2つがハロゲン原子であることが好ましく、少なくとも3つがハロゲン原子であることがより好ましく、全てがハロゲン原子であることが最も好ましい。
ハロゲン原子としては上記と同じものが挙げられるが、フッ素原子または塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
In the formula, R 500 to R 503 each independently represent a hydrogen atom or a halogen atom, but at least one is a halogen atom, at least two are preferably halogen atoms, and at least three are halogen atoms. More preferably, all are halogen atoms.
Examples of the halogen atom include the same ones as described above, but a fluorine atom or a chlorine atom is preferable, and a fluorine atom is more preferable.

このようなハロテトラシアノキノジメタンの具体例としては、2−フルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、2−クロロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、2,5−ジフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、2,5−ジクロロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、2,3,5,6−テトラクロロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)等が挙げられる。 Specific examples of such halotetracyanoquinodimethane include 2-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane and 2-chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane. , 2,5-Difluoro-7,7,8,8-Tetracyanoquinodimethane, 2,5-Dichloro-7,7,8,8-Tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-Tetra Examples thereof include chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ).

テトラシアノキノジメタン誘導体およびベンゾキノン誘導体の使用量は、式(1)で表されるアニリン誘導体に対して、好ましくは0.0001〜100当量、より好ましくは0.01〜50当量、より一層好ましくは1〜20当量である。 The amount of the tetracyanoquinodimethane derivative and the benzoquinone derivative used is preferably 0.0001 to 100 equivalents, more preferably 0.01 to 50 equivalents, still more preferably, with respect to the aniline derivative represented by the formula (1). Is 1 to 20 equivalents.

アリールスルホン酸化合物の具体例としては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、p−スチレンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸、4−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、5−スルホサリチル酸、p−ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、2,5−ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、6,7−ジブチル−2−ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、3−ドデシル−2−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、4−ヘキシル−1−ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、2−オクチル−1−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、7−へキシル−1−ナフタレンスルホン酸、6−ヘキシル−2−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、2,7−ジノニル−4−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、2,7−ジノニル−4,5−ナフタレンジスルホン酸、国際公開第2005/000832号記載の1,4−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第2006/025342号記載のアリールスルホン酸化合物、国際公開第2009/096352号記載のアリールスルホン酸化合物等が挙げられる。 Specific examples of the aryl sulfonic acid compound include benzene sulfonic acid, tosylic acid, p-styrene sulfonic acid, 2-naphthalene sulfonic acid, 4-hydroxybenzene sulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, p-dodecylbenzene sulfonic acid, and dihexyl benzene. Sulfonic acid, 2,5-dihexylbenzene sulfonic acid, dibutylnaphthalene sulfonic acid, 6,7-dibutyl-2-naphthalene sulfonic acid, dodecylnaphthalene sulfonic acid, 3-dodecyl-2-naphthalene sulfonic acid, hexylnaphthalene sulfonic acid, 4 −Hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, octylnaphthalenesulfonic acid, 2-octyl-1-naphthalenesulfonic acid, hexylnaphthalenesulfonic acid, 7-hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, 6-hexyl-2-naphthalenesulfonic acid, Dinonylnaphthalenesulfonic acid, 2,7-dinonyl-4-naphthalenesulfonic acid, dinonylnaphthalenedisulfonic acid, 2,7-dinonyl-4,5-naphthalenedisulfonic acid, International Publication No. 2005/000832, 1,4 -Benzodioxane disulfonic acid compounds, aryl sulfonic acid compounds described in International Publication No. 2006/025342, aryl sulfonic acid compounds described in International Publication No. 2009/096322, and the like can be mentioned.

好ましいアリールスルホン酸化合物の例としては、式(H4)または(H5)で表されるアリールスルホン酸化合物が挙がられる。 Examples of preferable aryl sulfonic acid compounds include aryl sulfonic acid compounds represented by the formula (H4) or (H5).

Figure 2020027259
Figure 2020027259

1は、OまたはSを表すが、Oが好ましい。
2は、ナフタレン環またはアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。
3は、2〜4価のパーフルオロビフェニル基を表し、pは、A1とA3との結合数を示し、2≦p≦4を満たす整数であるが、A3がパーフルオロビフェニルジイル基、好ましくはパーフルオロビフェニル−4,4’−ジイル基であり、かつ、pが2であることが好ましい。
qは、A2に結合するスルホン酸基数を表し、1≦q≦4を満たす整数であるが、2が最適である。
A 1 represents O or S, with O being preferred.
A 2 represents a naphthalene ring or an anthracene ring, but a naphthalene ring is preferable.
A 3 represents a 2- to tetravalent perfluorobiphenyl group, p represents the number of bonds between A 1 and A 3, and is an integer satisfying 2 ≦ p ≦ 4, where A 3 is a perfluorobiphenyl diyl. The group, preferably a perfluorobiphenyl-4,4'-diyl group, preferably has a p of 2.
q represents the number of sulfonic acid groups bonded to A 2 , and is an integer satisfying 1 ≦ q ≦ 4, but 2 is optimal.

4〜A8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のハロゲン化アルキル基、または炭素数2〜20のハロゲン化アルケニル基を表すが、A4〜A8のうち少なくとも3つは、ハロゲン原子である。A 4 to A 8 are independently hydrogen atom, halogen atom, cyano group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkyl halide group having 1 to 20 carbon atoms, or halogenation of 2 to 20 carbon atoms. Representing an alkenyl group, at least three of A 4 to A 8 are halogen atoms.

炭素数1〜20のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル、2,2,2−トリフルオロエチル、1,1,2,2,2−ペンタフルオロエチル、3,3,3−トリフルオロプロピル、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル、1,1,2,2,3,3,3−ヘプタフルオロプロピル、4,4,4−トリフルオロブチル、3,3,4,4,4−ペンタフルオロブチル、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチル、1,1,2,2,3,3,4,4,4−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。 Alkyl halide groups having 1 to 20 carbon atoms include trifluoromethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl, and 3,3,3-trifluoropropyl. , 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl, 4,4,4-trifluorobutyl, 3,3,4,4 , 4-Pentafluorobutyl, 2,2,3,3,4,5,4-heptafluorobutyl, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutyl group, etc. Be done.

炭素数2〜20のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル、パーフルオロプロペニル(パーフルオロアリル)、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
その他、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
Examples of the halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include perfluorovinyl, perfluoropropenyl (perfluoroallyl), perfluorobutenyl group and the like.
Other examples of the halogen atom and the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include the same as above, but the halogen atom is preferably a fluorine atom.

これらの中でも、A4〜A8は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基、または炭素数2〜10のハロゲン化アルケニル基であり、かつ、A4〜A8のうち少なくとも3つは、フッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のフッ化アルキル基、または炭素数2〜5のフッ化アルケニル基であり、かつ、A4〜A8のうち少なくとも3つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基、または炭素数1〜5のパーフルオロアルケニル基であり、かつ、A4、A5およびA8がフッ素原子であることがより一層好ましい。
なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。
Among these, A 4 to A 8 are a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkyl halide group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkenyl halide having 2 to 10 carbon atoms. a group, and at least 3 of the a 4 to a 8 is preferably fluorine is atomic, hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, 1 to 5 carbon atoms More preferably, it is an alkyl fluoride group or a fluorinated alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, and at least 3 of A 4 to A 8 are fluorine atoms, and hydrogen atom, fluorine atom, cyano group, and the like. It is even more preferable that the perfluoroalkyl group has 1 to 5 carbon atoms or the perfluoroalkenyl group having 1 to 5 carbon atoms, and A 4 , A 5 and A 8 are fluorine atoms.
The perfluoroalkyl group is a group in which all the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms, and the perfluoroalkyl group is a group in which all the hydrogen atoms of the alkenyl group are substituted with fluorine atoms.

rは、ナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、1≦r≦4を満たす整数であるが、2〜4が好ましく、2が最適である。 r represents the number of sulfonic acid groups bonded to the naphthalene ring and is an integer satisfying 1 ≦ r ≦ 4, but 2 to 4 is preferable, and 2 is optimal.

ドーパント物質として用いるアリールスルホン酸化合物の分子量は、特に限定されるものではないが、本発明で用いる上記アニリン誘導体とともに用いた場合における有機溶媒への溶解性を考慮すると、好ましくは2000以下、より好ましくは1500以下である。 The molecular weight of the aryl sulfonic acid compound used as the dopant substance is not particularly limited, but is preferably 2000 or less, more preferably 2000 or less, considering the solubility in an organic solvent when used together with the above-mentioned aniline derivative used in the present invention. Is 1500 or less.

以下、好適なアリールスルホン酸化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of suitable aryl sulfonic acid compounds will be given below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

アリールスルホン酸化合物の使用量は、物質量(モル)比で、式(1)で表されるアニリン誘導体1に対して、好ましくは0.01〜20.0程度、より好ましくは0.4〜5.0程度である。
アリールスルホン酸化合物は市販品を用いてもよいが、国際公開第2006/025342号、国際公開第2009/096352号等に記載の公知の方法で合成することもできる。
The amount of the aryl sulfonic acid compound used is preferably about 0.01 to 20.0, more preferably 0.4 to the amount of the aniline derivative 1 represented by the formula (1) in terms of the amount of substance (molar). It is about 5.0.
A commercially available product may be used as the aryl sulfonic acid compound, but it can also be synthesized by a known method described in International Publication No. 2006/025342, International Publication No. 2009/09632, and the like.

一方、アリールスルホン酸エステル化合物としては、国際公開第2017/217455号に開示されたアリールスルホン酸エステル化合物、国際公開第2017/217457号に開示されたアリールスルホン酸エステル化合物、特願2017−243631に記載のアリールスルホン酸エステル化合物等が挙げられ、具体的には、下記式(H6)〜(H8)のいずれかで表されるものが好ましい。 On the other hand, examples of the aryl sulfonic acid ester compound include the aryl sulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217455, the aryl sulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217457, and Japanese Patent Application No. 2017-243631. The above-mentioned aryl sulfonic acid ester compounds and the like can be mentioned, and specifically, those represented by any of the following formulas (H6) to (H8) are preferable.

Figure 2020027259
(式中、mは、1≦m≦4を満たす整数であるが、2が好ましい。nは、1≦n≦4を満たす整数であるが、2が好ましい。)
Figure 2020027259
(In the formula, m is an integer satisfying 1 ≦ m ≦ 4, preferably 2. n is an integer satisfying 1 ≦ n ≦ 4, but 2 is preferable.)

式(H6)において、A11は、パーフルオロビフェニルから誘導されるm価の基である。
12は、−O−または−S−であるが、−O−が好ましい。
13は、ナフタレンまたはアントラセンから誘導される(n+1)価の基であるが、ナフタレンから誘導される基が好ましい。
s1〜Rs4は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖状もしくは分岐鎖状の炭素数1〜6のアルキル基であり、Rs5は、置換されていてもよい炭素数2〜20の1価炭化水素基である。
In formula (H6), A 11 is an m-valent group derived from perfluorobiphenyl.
A 12 is −O− or −S−, but −O− is preferred.
A 13 is a (n + 1) -valent group derived from naphthalene or anthracene, but a group derived from naphthalene is preferable.
R s1 to R s4 are independently hydrogen atoms or linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, and R s5 has 2 to 20 carbon atoms which may be substituted. It is a monovalent hydrocarbon group of.

直鎖状または分岐鎖状の炭素数1〜6アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、n−ヘキシル基等が挙げられるが、炭素数1〜3のアルキル基が好ましい。
炭素数2〜20の1価炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル基等のアルキル基;フェニル、ナフチル、フェナントリル基等のアリール基などが挙げられる。
Specific examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, n-hexyl group and the like. , Alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms are preferable.
The monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl and t-butyl. Alkyl groups such as groups; aryl groups such as phenyl, naphthyl and phenanthryl groups can be mentioned.

特に、Rs1〜Rs4のうち、Rs1またはRs3が炭素数1〜3の直鎖アルキル基であり、残りが水素原子であるか、Rs1が炭素数1〜3の直鎖アルキル基であり、Rs2〜Rs4が水素原子であることが好ましい。この場合、炭素数1〜3の直鎖アルキル基としては、メチル基が好ましい。
また、Rs5としては、炭素数2〜4の直鎖アルキル基またはフェニル基が好ましい。
In particular, among R s1 to R s4 , R s1 or R s3 is a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and the rest is a hydrogen atom, or R s1 is a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. It is preferable that R s2 to R s4 are hydrogen atoms. In this case, the methyl group is preferable as the linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
Further, as R s5 , a linear alkyl group or a phenyl group having 2 to 4 carbon atoms is preferable.

式(H7)において、A14は、置換されていてもよい、1つ以上の芳香環を含む炭素数6〜20のm価の炭化水素基であり、この炭化水素基は、1つ以上の芳香環を含む炭素数6〜20の炭化水素化合物からm個の水素原子を取り除いて得られる基である。
このような炭化水素化合物としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等が挙げられる。
なお、上記炭化水素基は、その水素原子の一部または全部が、更に置換基で置換されていてもよく、このような置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシ基、スルホン酸エステル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、1価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、スルホ基等が挙げられる。
これらの中でも、A14としては、ベンゼン、ビフェニル等から誘導される基が好ましい。
In the formula (H7), A 14 is an m-valent hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms and containing one or more aromatic rings, which may be substituted, and the hydrocarbon group may be one or more. It is a group obtained by removing m hydrogen atoms from a hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms containing an aromatic ring.
Examples of such hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, phenanthrene and the like.
In the above-mentioned hydrocarbon group, a part or all of the hydrogen atom may be further substituted with a substituent, and examples of such a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and a nitro. Group, cyano group, hydroxy group, amino group, silanol group, thiol group, carboxy group, sulfonic acid ester group, phosphoric acid group, phosphoric acid ester group, ester group, thioester group, amide group, monovalent hydrocarbon group, organo Examples thereof include an oxy group, an organoamino group, an organosilyl group, an organothio group, an acyl group and a sulfo group.
Among these, as A 14 , a group derived from benzene, biphenyl, or the like is preferable.

また、A15は、−O−または−S−であるが、−O−が好ましい。
16は、炭素数6〜20の(n+1)価の芳香族炭化水素基であり、この芳香族炭化水素基は、炭素数6〜20の芳香族炭化水素化合物の芳香環上から(n+1)個の水素原子を取り除いて得られる基である。
このような芳香族炭化水素化合物としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、ピレン等が挙げられる。
中でも、A16としては、ナフタレンまたはアントラセンから誘導される基が好ましく、ナフタレンから誘導される基がより好ましい。
Further, A 15 is −O− or −S−, but −O− is preferable.
A 16 is a (n + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and this aromatic hydrocarbon group is (n + 1) from the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms. It is a group obtained by removing individual hydrogen atoms.
Examples of such aromatic hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, pyrene and the like.
Among them, as A 16 , a group derived from naphthalene or anthracene is preferable, and a group derived from naphthalene is more preferable.

s6およびRs7は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖状もしくは分岐鎖状の1価脂肪族炭化水素基であり、Rs8は、直鎖状または分岐鎖状の1価脂肪族炭化水素基である。ただし、Rs6、Rs7およびRs8の炭素数の合計は6以上である。Rs6、Rs7およびRs8の炭素数の合計の上限は、特に限定されないが、20以下が好ましく、10以下がより好ましい。
上記直鎖状または分岐鎖状の1価脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、デシル基等の炭素数1〜20のアルキル基;ビニル、1−プロペニル、2−プロペニル、イソプロペニル、1−メチル−2−プロペニル、1−ブテニル、2−ブテニル、3−ブテニル、ヘキセニル基等の炭素数2〜20のアルケニル基などが挙げられる。
これらの中でも、Rs6は水素原子が好ましく、Rs7およびRs8は、それぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。
R s6 and R s7 are independently hydrogen atoms or linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon groups, and R s8 is a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon. It is a hydrocarbon group. However, the total number of carbon atoms of R s6 , R s7 and R s8 is 6 or more. The upper limit of the total number of carbon atoms of R s6 , R s7 and R s8 is not particularly limited, but is preferably 20 or less, and more preferably 10 or less.
Specific examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, n-hexyl, n-octyl, and the like. Alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms such as 2-ethylhexyl and decyl groups; vinyl, 1-propenyl, 2-propenyl, isopropenyl, 1-methyl-2-propenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, Examples thereof include an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms such as a hexenyl group.
Among these, R s6 is preferably a hydrogen atom, and R s7 and R s8 are each independently preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

式(H8)において、Rs9〜Rs13は、それぞれ独立して、水素原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基、または炭素数2〜10のハロゲン化アルケニル基である。
炭素数1〜10のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、シクロペンチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル基等が挙げられる。
In the formula (H8), R s9 to R s13 independently represent a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an alkyl halide group having 1 to 10 carbon atoms. Alternatively, it is a halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl and s-butyl. Examples thereof include t-butyl, n-pentyl, cyclopentyl, n-hexyl, cyclohexyl, n-heptyl, n-octyl, n-nonyl, n-decyl group and the like.

炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基は、上記炭素数1〜10のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基であれば、特に限定されるものではなく、その具体例としては、トリフルオロメチル、2,2,2−トリフルオロエチル、1,1,2,2,2−ペンタフルオロエチル、3,3,3−トリフルオロプロピル、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル、1,1,2,2,3,3,3−ヘプタフルオロプロピル、4,4,4−トリフルオロブチル、3,3,4,4,4−ペンタフルオロブチル、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチル、1,1,2,2,3,3,4,4,4−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。 The alkyl halide group having 1 to 10 carbon atoms is not particularly limited as long as it is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Specific examples include trifluoromethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl, 3,3,3-trifluoropropyl, 2,2,3,3. , 3-Pentafluoropropyl, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl, 4,4,4-trifluorobutyl, 3,3,4,5,4-pentafluorobutyl, 2 , 2,3,3,4,5,4-heptafluorobutyl, 1,1,2,2,3,3,4,4-nonafluorobutyl group and the like.

炭素数2〜10のハロゲン化アルケニル基としては、炭素数2〜10のアルケニル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基であれば、特に限定されるものではなく、その具体例としては、パーフルオロビニル、パーフルオロ−1−プロペニル、パーフルオロ−2−プロペニル、パーフルオロ−1−ブテニル、パーフルオロ−2−ブテニル、パーフルオロ−3−ブテニル基等が挙げられる。 The halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms is not particularly limited as long as it is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Specific examples include perfluorovinyl, perfluoro-1-propenyl, perfluoro-2-propenyl, perfluoro-1-butenyl, perfluoro-2-butenyl, perfluoro-3-butenyl group and the like.

これらの中でも、Rs9としては、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基、炭素数2〜10のハロゲン化アルケニル基が好ましく、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜4のハロゲン化アルキル基、炭素数2〜4のハロゲン化アルケニル基がより好ましく、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロペニル基がより一層好ましい。
s10〜Rs13としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
Among these, as R s9 , a nitro group, a cyano group, an alkyl halide group having 1 to 10 carbon atoms and an alkenyl halide group having 2 to 10 carbon atoms are preferable, and a nitro group, a cyano group and 1 to 4 carbon atoms are preferable. Alkyl halide groups and alkenyl halide groups having 2 to 4 carbon atoms are more preferable, and nitro groups, cyano groups, trifluoromethyl groups and perfluoropropenyl groups are even more preferable.
As R s10 to R s13 , a halogen atom is preferable, and a fluorine atom is more preferable.

17は、−O−、−S−または−NH−であるが、−O−が好ましい。
18は、炭素数6〜20の(n+1)価の芳香族炭化水素基であり、この芳香族炭化水素基は、炭素数6〜20の芳香族炭化水素化合物の芳香環上から(n+1)個の水素原子を取り除いて得られる基である。
このような芳香族炭化水素化合物としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、ピレン等が挙げられる。
これらの中でも、A18としては、ナフタレンまたはアントラセンから誘導される基が好ましく、ナフタレンから誘導される基がより好ましい。
A 17 is -O-, -S- or -NH-, but -O- is preferable.
A 18 is a (n + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and this aromatic hydrocarbon group is (n + 1) from the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms. It is a group obtained by removing individual hydrogen atoms.
Examples of such aromatic hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, pyrene and the like.
Among these, as A 18 , a group derived from naphthalene or anthracene is preferable, and a group derived from naphthalene is more preferable.

s14〜Rs17は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖状もしくは分岐鎖状の炭素数1〜20の1価脂肪族炭化水素基である。
1価脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、シクロペンチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル基等の炭素数1〜20のアルキル基;ビニル、1−プロペニル、2−プロペニル、イソプロペニル、1−メチル−2−プロペニル、1−ブテニル、2−ブテニル、3−ブテニル、ヘキセニル基等の炭素数2〜20のアルケニル基などが挙げられるが、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより一層好ましい。
R s14 to R s17 are independently hydrogen atoms or linear or branched chain monovalent aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms.
Specific examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, cyclopentyl, n-hexyl, cyclohexyl and n. Alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms such as −heptyl, n-octyl, n-nonyl, n-decyl, n-undecyl, n-dodecyl groups; vinyl, 1-propenyl, 2-propenyl, isopropenyl, 1-methyl Examples thereof include alkenyl groups having 2 to 20 carbon atoms such as -2-propenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, and hexenyl groups, but alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms are preferable, and alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms are preferable. An alkyl group of 10 is more preferable, and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is even more preferable.

s18は、直鎖状または分岐鎖状の炭素数1〜20の1価脂肪族炭化水素基、またはORs19である。Rs19は、置換されていてもよい炭素数2〜20の1価炭化水素基である。
s18の直鎖状または分岐状の炭素数1〜20の1価脂肪族炭化水素基としては、上記と同様のものが挙げられる。
s18が1価脂肪族炭化水素基である場合、Rs18は、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより一層好ましい。
s19の炭素数2〜20の1価炭化水素基としては、前述した1価脂肪族炭化水素基のうちメチル基以外のもののほか、フェニル、ナフチル、フェナントリル基等のアリール基などが挙げられる。
これらの中でも、Rs19は、炭素数2〜4の直鎖アルキル基またはフェニル基が好ましい。
なお、上記1価炭化水素基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、炭素数1〜4のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。
R s18 is a linear or branched chain monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or OR s19 . R s19 is a monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted.
Examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms of R s18 include the same groups as described above.
When R s18 is a monovalent aliphatic hydrocarbon group, R s18 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Even more preferable.
Examples of the monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms of R s19 include the above-mentioned monovalent aliphatic hydrocarbon groups other than the methyl group, and aryl groups such as phenyl, naphthyl, and phenanthryl groups.
Among these, R s19 is preferably a linear alkyl group or a phenyl group having 2 to 4 carbon atoms.
Examples of the substituent that the monovalent hydrocarbon group may have include a fluorine atom, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a nitro group, and a cyano group.

好適なアリールスルホン酸エステル化合物の具体例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。 Specific examples of suitable aryl sulfonic acid ester compounds include, but are not limited to, those shown below.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

本発明においては、高電荷輸送性の薄膜を再現性よく得ること、ドーパント物質の入手容易性などを考慮すると、ドーパント物質として、アリールスルホン酸化合物、アリールスルホン酸エステル化合物、オニウムボレート塩、ハロテトラシアノキノジメタンおよびベンゾキノン誘導体の少なくとも1種を用いることが好ましく、屈折率が高い薄膜を得ることを考慮すると、アリールスルホン酸エステル化合物を用いることがより好ましい。 In the present invention, in consideration of obtaining a thin film having high charge transportability with good reproducibility, availability of a dopant substance, and the like, the dopant substance includes an aryl sulfonic acid compound, an aryl sulfonic acid ester compound, an onium borate salt, and a halotetra. It is preferable to use at least one of cyanoquinodimethane and a benzoquinone derivative, and it is more preferable to use an aryl sulfonic acid ester compound in consideration of obtaining a thin film having a high refractive index.

本発明において、ワニス中のドーパント物質の量は、モル比で、式(1)で表されるアニリン誘導体1に対し、好ましくは0.01〜20程度、より好ましくは0.05〜15程度である。 In the present invention, the amount of the dopant substance in the varnish is preferably about 0.01 to 20, more preferably about 0.05 to 15 with respect to the aniline derivative 1 represented by the formula (1) in terms of molar ratio. be.

なお、本発明の電荷輸送性ワニスには、上述したアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質の他に、公知のその他の電荷輸送性物質を用いることもできる。 In addition to the above-mentioned charge-transporting substance composed of the aniline derivative, other known charge-transporting substances can also be used for the charge-transporting varnish of the present invention.

さらに、得られる薄膜を有機EL素子の正孔注入層として用いる場合、正孔輸送層への注入性の向上、素子の寿命特性等の改善を目的として、上記電荷輸送性ワニスは、有機シラン化合物を含んでいても良く、その含有量は、電荷輸送性物質およびドーパント物質の合計質量に対して、通常1〜30質量%程度である。 Further, when the obtained thin film is used as the hole injection layer of the organic EL device, the charge transport varnish is an organic silane compound for the purpose of improving the injection property into the hole transport layer and improving the life characteristics of the device. May be contained, and the content thereof is usually about 1 to 30% by mass with respect to the total mass of the charge transporting substance and the dopant substance.

本発明の電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質およびドーパント物質を溶解し得る限り特に限定されるものではなく、高極性溶媒や低極性溶媒のいずれも用いることができる。なお、本発明において、低極性溶媒とは周波数100kHzでの比誘電率が7未満のものと、高極性溶媒とは周波数100kHzでの比誘電率が7以上のものと定義する。なお必要に応じて、複数の高極性溶媒と低極性溶媒を混合することも可能である。
特に、電荷輸送性物質であるアニリン誘導体がその骨格内に1級または2級のアリールアミン構造を有する場合は少なくとも1種の高極性溶媒を用いることで、電荷輸送性物質であるアニリン誘導体がその骨格内に1級または2級のアリールアミン構造を有さない場合は少なくとも1種の低極性溶媒を用いることで、均一性に優れる電荷輸送性ワニスを再現性よく得ることができる。
The organic solvent used in preparing the charge-transporting varnish of the present invention is not particularly limited as long as it can dissolve the charge-transporting substance and the dopant substance, and either a high-polarity solvent or a low-polarity solvent is used. be able to. In the present invention, a low-polarity solvent is defined as a solvent having a relative permittivity of less than 7 at a frequency of 100 kHz, and a high-polarity solvent is defined as a solvent having a relative permittivity of 7 or more at a frequency of 100 kHz. If necessary, a plurality of high-polarity solvents and low-polarity solvents can be mixed.
In particular, when the aniline derivative which is a charge transporting substance has a primary or secondary arylamine structure in its skeleton, at least one highly polar solvent is used to obtain the aniline derivative which is a charge transporting substance. When the skeleton does not have a primary or secondary arylamine structure, at least one low-polarity solvent can be used to obtain a charge-transporting varnish having excellent uniformity with good reproducibility.

低極性溶媒としては、例えば、
クロロホルム、クロロベンゼン等の塩素系溶媒;
トルエン、キシレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、デシルベンゼン等のアルキルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;
1−オクタノール、1−ノナノール、1−デカノール等の脂肪族アルコール系溶媒;
テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4−メトキシトルエン、3−フェノキシトルエン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒;
安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、フタル酸ビス(2−エチルヘキシル)、マレイン酸ジブチル、シュウ酸ジブチル、酢酸ヘキシル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒
等が挙げられる。
Examples of low polar solvents include, for example.
Chlorine-based solvents such as chloroform and chlorobenzene;
Aromatic hydrocarbon solvents such as alkylbenzenes such as toluene, xylene, tetraline, cyclohexylbenzenes and decylbenzenes;
Aliphatic alcohol solvents such as 1-octanol, 1-nonanol, 1-decanol;
Ether-based solvents such as tetrahydrofuran, dioxane, anisole, 4-methoxytoluene, 3-phenoxytoluene, dibenzyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, and triethylene glycol butyl methyl ether;
Esters such as methyl benzoate, ethyl benzoate, butyl benzoate, isoamyl benzoate, bis (2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl maleate, dibutyl oxalate, hexyl acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, etc. Examples include a solvent.

また、高極性溶媒としては、例えば、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルイソブチルアミド、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等のアミド系溶媒;
エチルメチルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;
アセトニトリル、3−メトキシプロピオニトリル等のシアノ系溶媒;
エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール等の多価アルコール系溶媒;
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、2−フェノキシエタノール、2−ベンジルオキシエタノール、3−フェノキシベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール等の脂肪族アルコール以外の1価アルコール系溶媒;
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒
等が挙げられる。
Further, as a highly polar solvent, for example,
Amide solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylisobutyramide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone;
Ketone solvents such as ethyl methyl ketone, isophorone, cyclohexanone;
Cyan-based solvents such as acetonitrile and 3-methoxypropionitrile;
Polyhydric alcohol solvents such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, 1,3-butanediol, and 2,3-butanediol;
Other than aliphatic alcohols such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, 2-phenoxyethanol, 2-benzyloxyethanol, 3-phenoxybenzyl alcohol, and tetrahydrofurfuryl alcohol. Monohydric alcohol solvent;
Examples thereof include sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide.

また、ワニスに、25℃で10〜200mPa・s、特に35〜150mPa・sの粘度を有し、常圧(大気圧)で沸点50〜300℃、特に150〜250℃の高粘度有機溶媒を少なくとも1種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、用いる塗布方法に応じたワニス調整が可能となる。
高粘度有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、1,3−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は単独で用いてもよく、2種以上混合して用いてもよい。
ワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、5〜80質量%が好ましい。
Further, the varnish is provided with a high-viscosity organic solvent having a viscosity of 10 to 200 mPa · s at 25 ° C., particularly 35 to 150 mPa · s, and a boiling point of 50 to 300 ° C., particularly 150 to 250 ° C. at normal pressure (atmospheric pressure). By containing at least one kind, the viscosity of the varnish can be easily adjusted, and as a result, the varnish can be adjusted according to the coating method to be used, which gives a thin film having high flatness with good reproducibility.
Examples of the high-viscosity organic solvent include cyclohexanol, ethylene glycol, ethylene glycol diglycidyl ether, 1,3-octylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, and 1,3-butanediol. Examples thereof include, but are not limited to, 2,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, and hexylene glycol. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
The addition ratio of the high-viscosity organic solvent to the entire solvent used for the varnish is preferably within the range in which the solid does not precipitate, and the addition ratio is preferably 5 to 80% by mass as long as the solid does not precipitate.

さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して1〜90質量%、好ましくは1〜50質量%の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、n−ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は1種単独で、または2種以上混合して用いることができる。
Further, for the purpose of improving the wettability with respect to the substrate, adjusting the surface tension of the solvent, adjusting the polarity, adjusting the boiling point, etc., the other solvent is added in an amount of 1 to 90% by mass, preferably 1 to 90% by mass, based on the total amount of the solvent used for the varnish. It can also be mixed at a ratio of 1 to 50% by mass.
Examples of such a solvent include propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and diethylene glycol. Examples thereof include, but are not limited to, monoethyl ether, diacetone alcohol, γ-butylollactone, ethyllactate, and n-hexyl acetate. These solvents can be used alone or in admixture of two or more.

また、本発明で用いるアニリン誘導体が、例えばカルバゾールの9位の窒素原子上に置換基を有する場合のように分子内にNH構造を有しない場合、好ましくは全ての窒素原子上に置換基を有している場合、下記に示される低極性溶媒のみを用いてワニスを調製することが容易になる。
低極性溶媒の具体例としては、クロロホルム、クロロベンゼン等の塩素系溶媒;トルエン、キシレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、デシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;1−オクタノール、1−ノナノール、1−デカノール等の脂肪族アルコール系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4−メトキシトルエン、3−フェノキシトルエン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒;安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、フタル酸ビス(2−エチルヘキシル)、マレイン酸ジブチル、シュウ酸ジブチル、酢酸ヘキシル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒などが挙げられ、これらは単独で用いても、2種以上組み合わせて用いてもよい。
Further, when the aniline derivative used in the present invention does not have an NH structure in the molecule, for example, when it has a substituent on the nitrogen atom at the 9-position of carbazole, it preferably has a substituent on all the nitrogen atoms. If so, it will be easier to prepare the varnish using only the low polar solvents shown below.
Specific examples of the low polar solvent include chlorine-based solvents such as chloroform and chlorobenzene; aromatic hydrocarbon-based solvents such as toluene, xylene, tetraline, cyclohexylbenzene and decylbenzene; 1-octanol, 1-nonanol, 1-decanol and the like. Alibo alcohol solvents; ethers such as tetrahydrofuran, dioxane, anisole, 4-methoxytoluene, 3-phenoxytoluene, dibenzyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, etc. Solvents: methyl benzoate, ethyl benzoate, butyl benzoate, isoamyl benzoate, bis (2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl maleate, dibutyl oxalate, hexyl acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, etc. Examples thereof include ester solvents, and these may be used alone or in combination of two or more.

また、電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、0.1〜10.0質量%程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは0.5〜5.0質量%程度、より好ましくは1.0〜3.0質量%程度である。
本発明の電荷輸送性ワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜定まるものではあるが、通常、25℃で1〜50mPa・sであり、表面張力は、通常、25℃で20〜50mN/mである。
本発明の電荷輸送性ワニスの粘度と表面張力は、用いる塗布方法、所望の膜厚等の各種要素を考慮して、用いる有機溶媒の種類やそれらの比率、固形分濃度等を変更することで調整可能である。
なお、本発明において、固形分とは、溶媒以外の成分を意味する。
The solid content concentration of the charge-transporting varnish is appropriately set in consideration of the viscosity and surface tension of the varnish, the thickness of the thin film to be produced, and the like, but is usually 0.1 to 10.0 mass. It is about%, preferably about 0.5 to 5.0% by mass, and more preferably about 1.0 to 3.0% by mass in consideration of improving the coatability of the varnish.
The viscosity of the charge-transporting varnish of the present invention is appropriately determined according to the thickness of the thin film to be produced and the solid content concentration, but is usually 1 to 50 mPa · s at 25 ° C., and the surface tension is usually 1 to 50 mPa · s. It is 20 to 50 mN / m at 25 ° C.
The viscosity and surface tension of the charge-transporting varnish of the present invention can be determined by changing the types of organic solvents used, their ratios, solid content concentration, etc., in consideration of various factors such as the coating method used and the desired film thickness. It is adjustable.
In the present invention, the solid content means a component other than the solvent.

本発明において、電荷輸送性ワニスの調製法としては、特に限定されるものではないが、例えば、上述したアニリン誘導体を、用いる溶媒の一部に溶解させ、そこへ残りの溶媒を加える手法や、用いる溶媒全て初めに混合し、そこへ上述したアニリン誘導体を溶解させる手法などが挙げられる。 In the present invention, the method for preparing the charge-transporting varnish is not particularly limited, but for example, a method in which the above-mentioned aniline derivative is dissolved in a part of a solvent to be used and the remaining solvent is added thereto, or Examples thereof include a method in which all the solvents used are first mixed and the above-mentioned aniline derivative is dissolved therein.

本発明の電荷輸送性ワニスの調製の際に、より平坦性の高い薄膜を再現性よく得る観点から、電荷輸送性物質、ドーパント物質等を有機溶媒に溶解させた後、サブマイクロメートルオーダーのフィルター等を用いて濾過することが望ましい。
また、必要に応じて、ワニスの成分が変質しない限りにおいて、加熱してもよい。
In the preparation of the charge-transporting varnish of the present invention, from the viewpoint of obtaining a thin film having higher flatness with good reproducibility, a charge-transporting substance, a dopant substance, etc. are dissolved in an organic solvent, and then a filter on the order of submicrometers is obtained. It is desirable to filter using such as.
Further, if necessary, heating may be performed as long as the components of the varnish are not deteriorated.

以上説明した本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで容易に電荷輸送性薄膜を製造できることから、電子素子、特に有機EL素子を製造する際に好適に用いることができる。
この場合、電荷輸送性薄膜は、本発明の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成して形成することができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
Since the charge-transporting thin film of the present invention described above can be easily produced, it can be suitably used when producing an electronic device, particularly an organic EL device.
In this case, the charge-transporting thin film can be formed by applying the charge-transporting varnish of the present invention on a substrate and firing it.
The method for applying the varnish is not particularly limited, and examples thereof include a dip method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, a brush coating, an inkjet method, a spray method, and a slit coating method. It is preferable to adjust the viscosity and surface tension of the varnish accordingly.

また、塗布後の電荷輸送性ワニスの焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができるが、アニリン誘導体とともに用いるドーパント物質の種類によっては、ワニスを大気雰囲気下で焼成することで、電荷輸送性を有する薄膜が再現性よく得られる場合がある。 Further, the firing atmosphere of the charge-transporting varnish after coating is not particularly limited, and a thin film having a uniform film-forming surface and high charge-transporting property not only in the atmosphere but also in an inert gas such as nitrogen or in a vacuum can be used. However, depending on the type of dopant substance used with the aniline derivative, a thin film having charge transportability may be obtained with good reproducibility by firing the varnish in an atmospheric atmosphere.

焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度、溶媒の種類や沸点等を勘案して、100〜260℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機EL素子の正孔注入層として用いる場合、140〜250℃程度が好ましく、145〜240℃程度がより好ましいが、本発明の電荷輸送性ワニスでは、200℃以下という低温焼成でも、良好な電荷輸送性を有する薄膜を得ることができる。
なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、2段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。
The firing temperature is appropriately set within the range of about 100 to 260 ° C. in consideration of the intended use of the obtained thin film, the degree of charge transportability applied to the obtained thin film, the type of solvent, the boiling point, and the like. When the obtained thin film is used as a hole injection layer for an organic EL device, it is preferably about 140 to 250 ° C., more preferably about 145 to 240 ° C., but the charge transporting varnish of the present invention is fired at a low temperature of 200 ° C. or lower. However, a thin film having good charge transportability can be obtained.
At the time of firing, a temperature change of two or more steps may be applied for the purpose of exhibiting higher uniform film forming property or allowing the reaction to proceed on the substrate. For example, heating may be performed on a hot plate or the like. It may be carried out using an appropriate device such as an oven.

電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機EL素子の正孔注入層、正孔輸送層または正孔注入輸送層として用いる場合、通常3〜300nmであるが、5〜200nmが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。 The film thickness of the charge transporting thin film is not particularly limited, but when used as a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection transport layer of an organic EL element, it is usually 3 to 300 nm, but 5 to 200 nm is preferable. .. As a method of changing the film thickness, there are a method of changing the solid content concentration in the varnish, a method of changing the amount of the solution on the substrate at the time of coating, and the like.

本発明の有機EL素子は、一対の電極を有し、これら電極の間に、上述の本発明の電荷輸送性薄膜からなる電荷輸送層を有するものである。
有機EL素子の代表的な構成としては、以下(a)〜(f)が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。なお、下記構成において、必要に応じて、発光層と陽極の間に電子ブロック層等を、発光層と陰極の間にホール(正孔)ブロック層等を設けることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層が電子ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよく、電子注入層、電子輸送層あるいは電子注入輸送層がホール(正孔)ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよい。更に、必要に応じて各層の間に任意の機能層を設けることも可能である。
(a)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(b)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(c)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(d)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
(f)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極
The organic EL element of the present invention has a pair of electrodes, and has a charge transport layer made of the above-mentioned charge transport thin film of the present invention between these electrodes.
Typical configurations of the organic EL element include, but are not limited to, the following (a) to (f). In the following configuration, if necessary, an electron block layer or the like may be provided between the light emitting layer and the anode, and a hole block layer or the like may be provided between the light emitting layer and the cathode. Further, the hole injection layer, the hole transport layer or the hole injection transport layer may also have a function as an electron block layer or the like, and the electron injection layer, the electron transport layer or the electron injection transport layer is a hole (hole). It may also have a function as a block layer or the like. Further, if necessary, an arbitrary functional layer can be provided between the layers.
(A) Antenna / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (b) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection transport layer / Cathode (c) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (d) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / electron injection transport layer / cathode (e) anode / positive Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode (f) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / cathode

「正孔注入層」、「正孔輸送層」および「正孔注入輸送層」とは、発光層と陽極との間に形成される層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が1層のみ設けられる場合、それが「正孔注入輸送層」であり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が2層以上設けられる場合、陽極に近い層が「正孔注入層」であり、それ以外の層が「正孔輸送層」である。特に、正孔注入(輸送)層は、陽極からの正孔受容性だけでなく、正孔輸送(発光)層への正孔注入性にも優れる薄膜が用いられる。
「電子注入層」、「電子輸送層」および「電子注入輸送層」とは、発光層と陰極との間に形成される層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有するものであり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が1層のみ設けられる場合、それが「電子注入輸送層」であり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が2層以上設けられる場合、陰極に近い層が「電子注入層」であり、それ以外の層が「電子輸送層」である。
「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
The "hole injection layer", "hole transport layer" and "hole injection transport layer" are layers formed between the light emitting layer and the anode, and transport holes from the anode to the light emitting layer. When it has a function and only one layer of hole transporting material is provided between the light emitting layer and the anode, it is a "hole injection transport layer", and between the light emitting layer and the anode, When two or more layers of the hole transporting material are provided, the layer close to the anode is the "hole injection layer" and the other layers are the "hole transport layers". In particular, as the hole injection (transport) layer, a thin film having excellent not only hole acceptability from the anode but also hole injection property into the hole transport (emission) layer is used.
The "electron injection layer", "electron transport layer" and "electron transport layer" are layers formed between the light emitting layer and the cathode and have a function of transporting electrons from the cathode to the light emitting layer. When only one layer of electron transporting material is provided between the light emitting layer and the cathode, it is an "electron injection transporting layer", and a layer of electron transporting material is provided between the light emitting layer and the cathode. When two or more layers are provided, the layer close to the cathode is the "electron injection layer", and the other layers are the "electron transport layer".
The "light emitting layer" is an organic layer having a light emitting function, and includes a host material and a dopant material when a doping system is adopted. At this time, the host material mainly has a function of promoting recombination of electrons and holes and confining excitons in the light emitting layer, and the dopant material efficiently emits excitons obtained by recombination. Has a function. In the case of a phosphorescent device, the host material mainly has a function of confining excitons generated by the dopant in the light emitting layer.

本発明で用いる上記アニリン誘導体を含む電荷輸送性ワニスから作製された電荷輸送性薄膜は、有機EL素子において、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層等の陽極と発光層との間に設けられる機能層として用い得るが、正孔注入層に好適である。 The charge-transporting thin film prepared from the charge-transporting varnish containing the above-mentioned aniline derivative used in the present invention comprises an anode and a light emitting layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole injection transport layer in an organic EL device. Although it can be used as a functional layer provided between the two, it is suitable for a hole injection layer.

本発明で用いる上記アニリン誘導体を含む電荷輸送性ワニスを用いて有機EL素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Examples of materials and methods used for producing an organic EL device using a charge-transporting varnish containing the above-mentioned aniline derivative used in the present invention include, but are not limited to these. No.

上記電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するOLED素子の作製方法の一例は、以下のとおりである。なお、電極は、電極に悪影響を与えない範囲で、アルコール、純水等による洗浄や、UVオゾン処理、酸素−プラズマ処理等による表面処理を予め行うことが好ましい。
陽極基板上に、上記の方法により、上記電荷輸送性ワニスを用いて正孔注入層を形成する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/ホールブロック層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着する。あるいは、当該方法において蒸着で正孔輸送層と発光層を形成する代わりに、正孔輸送性高分子を含む正孔輸送層形成用組成物と発光性高分子を含む発光層形成用組成物を用いてウェットプロセスによってこれらの層を形成する。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。
An example of a method for manufacturing an OLED device having a hole injection layer made of a thin film obtained from the charge transporting varnish is as follows. The electrodes are preferably washed with alcohol, pure water, or the like, or surface-treated with UV ozone treatment, oxygen-plasma treatment, or the like in advance within a range that does not adversely affect the electrodes.
A hole injection layer is formed on the anode substrate by the above method using the above charge transporting varnish. This is introduced into a vacuum vapor deposition apparatus, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer / hole block layer, an electron injection layer, and a cathode metal are sequentially vapor-deposited. Alternatively, instead of forming the hole transport layer and the light emitting layer by vapor deposition in the method, a composition for forming a hole transport layer containing a hole transport polymer and a composition for forming a light emitting layer containing a light emitting polymer are used. These layers are formed by a wet process using. If necessary, an electron block layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer.

陽極材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属、またはこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、金、銀、銅、インジウムやこれらの合金等が挙げられる。
Examples of the anode material include transparent electrodes typified by indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), metals typified by aluminum, and metal anodes composed of alloys thereof. Those that have been flattened are preferable. Polythiophene derivatives and polyaniline derivatives having high charge transport properties can also be used.
Examples of other metals constituting the metal anode include gold, silver, copper, indium, and alloys thereof.

正孔輸送層を形成する材料としては、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(α−NPD)、4,4’,4”−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4’,4”−トリス[1−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のトリアリールアミン類、5,5”−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’:5’,2”−ターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。 Materials that form the hole transport layer include (triphenylamine) dimer derivatives, [(triphenylamine) dimer] spirodimers, and N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis. (Phenyl) -benzidine (α-NPD), 4,4', 4 "-tris [3-methylphenyl (phenyl) amino] triphenylamine (m-MTDATA), 4,4', 4" -tris [1 -Triarylamines such as naphthyl (phenyl) amino] triphenylamine (1-TNATA), 5,5 "-bis- {4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl} -2,2': Examples thereof include oligothiophenes such as 5', 2 "-turthiophene (BMA-3T).

発光層を形成する材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、ビススチリルベンゼン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体、シロール誘導体等の低分子発光材料;ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリビニルカルバゾール等の高分子化合物に発光材料と電子移動材料を混合した系等が挙げられる。
また、蒸着で発光層を形成する場合、発光性ドーパントと共蒸着してもよく、発光性ドーパントとしては、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)等の金属錯体や、ルブレン等のナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン等の縮合多環芳香族環等が挙げられる。
Examples of the material forming the light emitting layer include a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, a metal complex of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, a bisstyrylbenzene derivative, a bisstyrylarylene derivative, and (2-hydroxyphenyl) benzo. Low molecular weight luminescent materials such as thiazole metal complexes and silol derivatives; poly (p-phenylene vinylene), poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylene vinylene], poly (3-alkyl Examples thereof include a system in which a light emitting material and an electron transfer material are mixed with a polymer compound such as thiophene) and polyvinylcarbazole.
When the light emitting layer is formed by vapor deposition, it may be co-deposited with a light emitting dopant, and the light emitting dopant is a metal complex such as tris (2-phenylpyridine) iridium (III) (Ir (ppy) 3). Examples thereof include naphthacene derivatives such as rubrene, quinacridone derivatives, and fused polycyclic aromatic rings such as perylene.

電子輸送層/ホールブロック層を形成する材料としては、オキシジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ピリミジン誘導体等が挙げられる。 Examples of the material for forming the electron transport layer / whole block layer include an oxydiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, a phenylquinoxaline derivative, a benzimidazole derivative, a pyrimidine derivative and the like.

電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム(Li2O)、酸化マグネシウム(MgO)、アルミナ(Al23)等の金属酸化物、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ナトリウム(NaF)の金属フッ化物などが挙げられるが、これらに限定されない。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金等が挙げられる。
電子ブロック層を形成する材料としては、トリス(フェニルピラゾール)イリジウム等が挙げられる。
Materials for forming the electron injection layer include metal oxides such as lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (Mg O), and alumina (Al 2 O 3 ), lithium fluoride (LiF), and sodium fluoride (NaF). Metal fluoride, etc., but is not limited to these.
Examples of the cathode material include aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy and the like.
Examples of the material for forming the electron block layer include tris (phenylpyrazole) iridium and the like.

正孔輸送性高分子としては、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(N,N’−ビス{p−ブチルフェニル}−1,4−ジアミノフェニレン)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(N,N’−ビス{p−ブチルフェニル}−1,1’−ビフェニレン−4,4−ジアミン)]、ポリ[(9,9−ビス{1’−ペンテン−5’−イル}フルオレニル−2,7−ジイル)−co−(N,N’−ビス{p−ブチルフェニル}−1,4−ジアミノフェニレン)]、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン]−エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ[(9,9−ジジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(4,4’−(N−(p−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]等が挙げられる。 Examples of the hole-transporting polymer include poly [(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (N, N'-bis {p-butylphenyl} -1,4-diaminophenylene). )], Poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (N, N'-bis {p-butylphenyl} -1,1'-biphenylene-4,4-diamine) )], Poly [(9,9-bis {1'-penten-5'-yl} fluorenyl-2,7-diyl) -co- (N, N'-bis {p-butylphenyl} -1,4 -Diaminophenylene)], poly [N, N'-bis (4-butylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine] -endcapped with polysilsis quinoxane, poly [(9,9-) Didioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4'-(N- (p-butylphenyl)) diphenylamine)] and the like can be mentioned.

発光性高分子としては、ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)等のポリフルオレン誘導体、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVCz)等が挙げられる。 Examples of the luminescent polymer include polyfluorene derivatives such as poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), and poly (2-methoxy-5- (2'-ethylhexoxy) -1,4-phenylene vinylene) (MEH-). Examples thereof include polyphenylene vinylene derivatives such as PPV), polythiophene derivatives such as poly (3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbazole (PVCz).

陽極と陰極およびこれらの間に形成される層を構成する材料は、ボトムエミッション構造、トップエミッション構造のいずれを備える素子を製造するかで異なるため、その点を考慮して、適宜材料選択する。
通常、ボトムエミッション構造の素子では、基板側に透明陽極が用いられ、基板側から光が取り出されるのに対し、トップエミッション構造の素子では、金属からなる反射陽極が用いられ、基板と反対方向にある透明電極(陰極)側から光が取り出されることから、例えば陽極材料について言えば、ボトムエミッション構造の素子を製造する際はITO等の透明陽極を、トップエミッション構造の素子を製造する際はAl/Nd等の反射陽極を、それぞれ用いる。
The material constituting the anode and the cathode and the layer formed between them differs depending on whether the element having the bottom emission structure or the top emission structure is manufactured. Therefore, the material is appropriately selected in consideration of this point.
Normally, in the element of the bottom emission structure, a transparent anode is used on the substrate side and light is extracted from the substrate side, whereas in the element of the top emission structure, a reflective anode made of metal is used and the direction is opposite to that of the substrate. Since light is extracted from a certain transparent electrode (cathode) side, for example, regarding the anode material, a transparent anode such as ITO is used when manufacturing an element having a bottom emission structure, and Al is used when manufacturing an element having a top emission structure. Reflecting anodes such as / Nd are used respectively.

本発明の有機EL素子は、特性悪化を防ぐため、定法に従い、必要に応じて捕水剤などとともに封止してもよい。 The organic EL device of the present invention may be sealed together with a water catching agent or the like, if necessary, in accordance with a conventional method in order to prevent deterioration of characteristics.

本発明の電荷輸送性ワニスは、上述した通り有機EL素子の正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層等の陽極と発光層との間に設けられる機能層の形成に好適に用いられるが、その他にも有機光電変換素子、有機薄膜太陽電池、有機ぺロブスカイト光電変換素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機光学検査器、有機光受容器、有機電場消光素子、発光電子化学電池、量子ドット発光ダイオード、量子レーザー、有機レーザーダイオードおよび有機プラスモン発光素子等の電子素子における電荷輸送性薄膜の形成にも利用することができる。 As described above, the charge transporting varnish of the present invention is suitable for forming a functional layer provided between an anode and a light emitting layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole injection transport layer of an organic EL device. In addition to being used, organic photoelectric conversion elements, organic thin film solar cells, organic perovskite photoelectric conversion elements, organic integrated circuits, organic field effect transistors, organic thin films, organic light emitting transistors, organic optical testers, organic photoreceivers, It can also be used to form a charge transporting thin film in an electronic device such as an organic electric field extinguishing element, a light emitting electronic chemical battery, a quantum dot light emitting diode, a quantum laser, an organic laser diode, and an organic Plasmon light emitting device.

以下、合成例、実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
(1)MALDI−TOF−MS:ブルカー社製、autoflex III smartbeam
(2)1H−NMR:日本電子(株)製 JNM−ECP300 FT NMR SYSTEM
(3)基板洗浄:長州産業(株)製 基板洗浄装置(減圧プラズマ方式)
(4)ワニスの塗布:ミカサ(株)製 スピンコーターMS−A100
(5)膜厚測定:(株)小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダET−4000
(6)素子の作製:長州産業(株)製 多機能蒸着装置システムC−E2L1G1−N
(7)素子の電流密度の測定:(株)イーエッチシー製 多チャンネルIVL測定装置
(8)屈折率(n)の測定:ジェー・エー・ウーラムジャパン製 多入社角分光エリプソメーターVASE
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to synthetic examples, examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples. The devices used are as follows.
(1) MALDI-TOF-MS: autoflex III smart beam manufactured by Bruker Co., Ltd.
(2) 1 1 H-NMR: JNM-ECP300 FT NMR SYSTEM manufactured by JEOL Ltd.
(3) Substrate cleaning: Substrate cleaning equipment manufactured by Choshu Industry Co., Ltd. (decompression plasma method)
(4) Application of varnish: Spin coater MS-A100 manufactured by Mikasa Co., Ltd.
(5) Film thickness measurement: Kosaka Laboratory Co., Ltd. Fine shape measuring machine Surfcoder ET-4000
(6) Manufacture of element: Multi-function vapor deposition equipment system C-E2L1G1-N manufactured by Choshu Industry Co., Ltd.
(7) Measurement of element current density: Multi-channel IVL measuring device manufactured by EHC Co., Ltd. (8) Measurement of refractive index (n): Multi-entry angle spectroscopic ellipsometer VASE manufactured by JA Woolam Japan

[1]アニリン誘導体の製造
[合成例1]アニリン誘導体Aの製造

Figure 2020027259
[1] Production of aniline derivative [Synthesis example 1] Production of aniline derivative A
Figure 2020027259

(1)N,N−ビス(3−ニトロフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミンの合成
ビス(3−ニトロフェニル)アミン1.00g、3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール1.37g、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム0.0678g、ジ−t−ブチル(2’,4’,6’−トリイソプロピル−[1,1’−ジフェニル]−2−イル)ホスフィン(tBuXPhos)0.0983g、炭酸カリウム1.61g、およびトルエン10mLを反応容器に入れ、窒素置換した後、100℃で24.5時間撹拌した。反応終了後、トルエンと飽和食塩水を加えて分液した。有機層をシリカゲルろ過した後、ろ液を濃縮した。濃縮残渣にクロロホルムとヘキサンを加えて溶液とした後、カラムクロマトグラフィーにより精製(溶離液はクロロホルム/ヘキサンの混合溶媒)し、目的とするN,N−ビス(3−ニトロフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン1.02gを得た(収率:53%)。
MALDI−TOF−MS m/Z found:499.86([M]+calcd:500.15)
(1) Synthesis of N, N-bis (3-nitrophenyl) -9-phenyl-9H-carbazole-3-amine 1.00 g of bis (3-nitrophenyl) amine, 3-bromo-9-phenyl-9H- 1.37 g of carbazole, 0.0678 g of bis (dibenzylideneacetone) palladium, di-t-butyl (2', 4', 6'-triisopropyl- [1,1'-diphenyl] -2-yl) phosphine (tBuXPhos) ) 0.0983 g, 1.61 g of potassium carbonate, and 10 mL of toluene were placed in a reaction vessel, replaced with nitrogen, and then stirred at 100 ° C. for 24.5 hours. After completion of the reaction, toluene and saturated brine were added to separate the solutions. The organic layer was filtered through silica gel, and then the filtrate was concentrated. Chloroform and hexane are added to the concentrated residue to make a solution, which is then purified by column chromatography (the eluent is a mixed solvent of chloroform / hexane) to obtain the desired N, N-bis (3-nitrophenyl) -9-phenyl. 1.02 g of -9H-carbazole-3-amine was obtained (yield: 53%).
MALDI-TOF-MS m / Z found: 499.86 ([M] + calcd: 500.15)

(2)N1−(3−アミノフェニル)−N1−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ベンゼン−1,3−ジアミンの合成
N,N−ビス(3−ニトロフェニル)−9−フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン0.603g、5%パラジウム/カーボン(NEケムキャット製、AERタイプ、50%含水)0.0582g、およびテトラヒドロフラン9mLを反応容器に入れた後、反応容器内を水素置換し、50℃で24時間撹拌した。室温まで冷却した後、反応液をセライト(セライト545使用)ろ過した。ろ液を乾固させて目的とするN1−(3−アミノフェニル)−N1−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ベンゼン−1,3−ジアミン0.486gを得た(収率:92%)。
1H−NMR(500MHz,CDCl3)δ[ppm]:8.00(d,J=8.0Hz,1H),7.92(m,1H),7.56−7.60(m,4H),7.45(m,1H),7.37−7.38(m,2H),7.32(d,J=8.5Hz,1H),7.20−7.23(m,2H),6.98−7.02(m,2H),6.52(d,J=8.0Hz,2H),6.45(m,2H),6.29−6.31(m,2H).
(2) Synthesis of N1- (3-aminophenyl) -N1- (9-phenyl-9H-carbazole-3-yl) benzene-1,3-diamine N, N-bis (3-nitrophenyl) -9- After putting 0.603 g of phenyl-9H-carbazole-3-amine 0.603 g, 5% palladium / carbon (manufactured by NE Chemcat, AER type, 50% water content) 0.0582 g, and 9 mL of tetrahydrofuran into the reaction vessel, hydrogen was added to the inside of the reaction vessel. It was replaced and stirred at 50 ° C. for 24 hours. After cooling to room temperature, the reaction solution was filtered through Celite (using Celite 545). The filtrate was dried to obtain 0.486 g of the desired N1- (3-aminophenyl) -N1- (9-phenyl-9H-carbazole-3-yl) benzene-1,3-diamine (yield). : 92%).
1 1 H-NMR (500 MHz, CDCl 3 ) δ [ppm]: 8.00 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.92 (m, 1H), 7.56-7.60 (m, 4H) ), 7.45 (m, 1H), 7.37-7.38 (m, 2H), 7.32 (d, J = 8.5Hz, 1H), 7.20-7.23 (m, 2H) ), 6.98-7.02 (m, 2H), 6.52 (d, J = 8.0Hz, 2H), 6.45 (m, 2H), 6.29-6.31 (m, 2H) ).

(3)アニリン誘導体Aの合成
上記で得られたN1−(3−アミノフェニル)−N1−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ベンゼン−1,3−ジアミン0.451g、3−ブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール1.45g、酢酸パラジウム0.0234g、およびナトリウム−t−ブトキシド0.539gを反応容器に入れ、窒素置換した後、トルエン10mL、および別途予め準備したフェニルジ−t−ブチルホスフィンのトルエン溶液0.84mL(濃度:54.0g/L)を加え、90℃で1.5時間撹拌した。室温まで冷却した後、トルエンおよび飽和食塩水を加えて分液した。有機層をシリカゲルろ過した後、ろ液を濃縮した。得られた濃縮液をメタノール/酢酸エチルの混合溶媒中に滴下し、室温下で撹拌した。スラリー溶液をろ過し、得られたろ物を乾燥して、目的とするアニリン誘導体A0.855gを得た(収率:59%)。
MALDI−TOF−MS m/Z found:2620.94([M]+calcd:2620.08)
(3) Synthesis of aniline derivative A N1- (3-aminophenyl) -N1- (9-phenyl-9H-carbazole-3-yl) benzene-1,3-diamine 0.451 g, 3- obtained above. 1.45 g of bromo-9-phenyl-9H-carbazole, 0.0234 g of palladium acetate, and 0.539 g of sodium-t-butoxide were placed in a reaction vessel, substituted with nitrogen, 10 mL of toluene, and separately prepared phenyldi-t. 0.84 mL (concentration: 54.0 g / L) of a toluene solution of −butylphosphine was added, and the mixture was stirred at 90 ° C. for 1.5 hours. After cooling to room temperature, toluene and saturated brine were added to separate the solutions. The organic layer was filtered through silica gel, and then the filtrate was concentrated. The obtained concentrate was added dropwise to a mixed solvent of methanol / ethyl acetate, and the mixture was stirred at room temperature. The slurry solution was filtered, and the obtained filter medium was dried to obtain 0.855 g of the desired aniline derivative A (yield: 59%).
MALDI-TOF-MS m / Z found: 2620.94 ([M] + calcd: 2620.08)

[2]電荷輸送性ワニスの調製
[実施例1−1]
合成例1で得られたアニリン誘導体A0.221gと、国際公開第2017/217455号に記載された方法に従って合成した下記式で表されるアリールスルホン酸エステルB0.196gとの混合物に、3−フェノキシトルエン3.0gと安息香酸ブチル7gとを加えて室温で撹拌して溶解させて得られた溶液を、孔径0.2μmのシリンジフィルターでろ過して電荷輸送性ワニスを得た。
[2] Preparation of charge-transporting varnish [Example 1-1]
3-Phenoxy was added to a mixture of 0.221 g of the aniline derivative A obtained in Synthesis Example 1 and 0.196 g of the aryl sulfonic acid ester B represented by the following formula synthesized according to the method described in International Publication No. 2017/217455. A solution obtained by adding 3.0 g of toluene and 7 g of butyl benzoate and stirring at room temperature to dissolve the solution was filtered through a syringe filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a charge-transporting varnish.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

[比較例1−1]
アニリン誘導体Aを、国際公開第2015/050253号に記載された方法に従って合成した下記式で表されるアニリン誘導体Cに変更した以外は、実施例1−1と同様にして電荷輸送性ワニスを得た。
[Comparative Example 1-1]
A charge transporting varnish was obtained in the same manner as in Example 1-1, except that the aniline derivative A was changed to the aniline derivative C represented by the following formula synthesized according to the method described in International Publication No. 2015/050253. rice field.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

[3]薄膜の製造および膜物性評価
[実施例2−1および比較例2−1]
実施例1−1および比較例1−1で調製したワニスを、それぞれスピンコーターを用いて石英基板に塗布した後、大気焼成下、120℃で1分間乾燥した。次に、この乾燥させた塗膜付き石英基板を大気雰囲気下、200℃で15分間または230℃で15分間焼成し、石英基板上に50nmの均一な薄膜を形成した。
得られた薄膜の屈折率n(波長400nm〜800nmにおける平均屈折率)の測定を行った。結果を表1に示す。
[3] Production of thin film and evaluation of film physical characteristics [Example 2-1 and Comparative Example 2-1]
The varnishes prepared in Example 1-1 and Comparative Example 1-1 were each applied to a quartz substrate using a spin coater, and then dried at 120 ° C. for 1 minute under atmospheric firing. Next, the dried quartz substrate with a coating film was calcined at 200 ° C. for 15 minutes or 230 ° C. for 15 minutes in an air atmosphere to form a uniform thin film having a thickness of 50 nm on the quartz substrate.
The refractive index n (average refractive index at wavelengths of 400 nm to 800 nm) of the obtained thin film was measured. The results are shown in Table 1.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

表1に示されるように、類似構造のアニリン誘導体を用いた場合と比較して、本発明のワニスから得られる薄膜の屈折率が高いことがわかる。 As shown in Table 1, it can be seen that the refractive index of the thin film obtained from the varnish of the present invention is higher than that in the case of using an aniline derivative having a similar structure.

[4]単層素子の作製および特性評価
[実施例3−1]
実施例1−1で調製したワニスを、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、120℃で1分乾燥し、さらに200℃で15分または230℃で15分焼成して電荷輸送性薄膜を作製した。この上に、蒸着装置(真空度4.0×10-5Pa)を用いてアルミニウム薄膜を形成して単層素子を得た。ITO基板としては、インジウム錫酸化物(ITO)が表面上に膜厚150nmでパターニングされた25mm×25mm×0.7tのガラス基板を用い、使用前にO2プラズマ洗浄装置(150W、30秒間)によって表面上の不純物を除去した。蒸着は、蒸着レート0.2nm/秒の条件で行った。アルミニウム薄膜の膜厚は80nmとした。
[4] Fabrication of single-layer device and evaluation of characteristics [Example 3-1]
The varnish prepared in Example 1-1 is applied to an ITO substrate using a spin coater, dried at 120 ° C. for 1 minute, and further fired at 200 ° C. for 15 minutes or 230 ° C. for 15 minutes to form a charge-transporting thin film. Was produced. An aluminum thin film was formed on this using a thin film deposition apparatus (vacuum degree 4.0 × 10 -5 Pa) to obtain a single-layer device. As the ITO substrate, a 25 mm × 25 mm × 0.7 t glass substrate in which indium tin oxide (ITO) is patterned on the surface with a thickness of 150 nm is used, and an O 2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds) is used before use. Removed impurities on the surface. The vapor deposition was carried out under the condition of a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec. The film thickness of the aluminum thin film was 80 nm.

上記で作製した単層素子について、駆動電圧3Vでの電流密度を測定した。結果を表2に示す。 The current density of the single-layer device manufactured above was measured at a drive voltage of 3 V. The results are shown in Table 2.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

表2に示されるように、本発明の電荷輸送性薄膜は、高温で焼成した場合だけでなく、低温で焼成した場合でも、優れた電荷輸送性を示した。 As shown in Table 2, the charge-transporting thin film of the present invention exhibited excellent charge-transporting properties not only when fired at a high temperature but also when fired at a low temperature.

[5]ホールオンリー素子の作製および特性評価
[実施例4−1]
実施例1−1で調製したワニスおよび実施例3−1で用いたITO基板と同様の基板を用いて、実施例3−1と同様にしてITO基板上に電荷輸送性薄膜を作製した。
次いで、薄膜を形成したITO基板に対し、蒸着装置(真空度1.0×10-5Pa)を用いてα−NPD(N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン)を0.2nm/秒にて30nm成膜した。この上に、実施例3−1と同様にして80nmのアルミニウム薄膜を積層し、ホールオンリー素子を作製した。
[5] Fabrication and characterization of hole-only elements [Example 4-1]
Using the varnish prepared in Example 1-1 and the same substrate as the ITO substrate used in Example 3-1 to prepare a charge-transporting thin film on the ITO substrate in the same manner as in Example 3-1.
Next, α-NPD (N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl was used on the ITO substrate on which the thin film was formed using a vapor deposition apparatus (vacuum degree 1.0 x 10 -5 Pa). Benzidine) was formed into a 30 nm film at 0.2 nm / sec. An 80 nm aluminum thin film was laminated on this in the same manner as in Example 3-1 to produce a hole-only element.

[比較例4−1]
実施例1−1で調製したワニスの代わりに比較例1−1で調製したワニスを用いた以外は、実施例4−1と同様にしてホールオンリー素子を作製した。
[Comparative Example 4-1]
A hole-only element was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the varnish prepared in Comparative Example 1-1 was used instead of the varnish prepared in Example 1-1.

上記で作製した各ホールオンリー素子について、駆動電圧3Vでの電流密度を測定した。結果を表3に示す。 For each hole-only element manufactured above, the current density at a drive voltage of 3 V was measured. The results are shown in Table 3.

Figure 2020027259
Figure 2020027259

表3に示されるように、類似構造のアニリン誘導体を含む比較例のワニスから得られた電荷輸送性薄膜では、200℃で焼成した場合に電流密度の低下、すなわち正孔輸送層としてよく用いられるα−NPDへのホール注入性の顕著な悪化が認められたのに対し、実施例の電荷輸送性薄膜では、200℃で焼成した場合にそのような悪化は認められず、当該薄膜は、優れた正孔注入性を示した。 As shown in Table 3, the charge-transporting thin film obtained from the varnish of Comparative Example containing an aniline derivative having a similar structure is often used as a hole transport layer, that is, a decrease in current density when fired at 200 ° C. While a remarkable deterioration in hole injection into α-NPD was observed, in the charge-transporting thin film of the example, such deterioration was not observed when fired at 200 ° C., and the thin film was excellent. It showed a hole-injecting property.

Claims (10)

下記式(1)で表されるアニリン誘導体と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
Figure 2020027259
〔式中、Ph1は、それぞれ独立して、式(P1)または式(P2)で表される基を表すが、少なくとも1つは式(P1)で表される基であり、
Figure 2020027259
(式中、R1〜R4は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、またはシアノ基で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表す。)
Ar0は、それぞれ独立して、式(B0)で表される基を表し、
Figure 2020027259
(式中、ArBは、単結合またはE基以外の任意の置換基(ピリジン環を含むものを除く。以下同様。)で置換されていてもよいフェニレン基を表し、ArBが前記フェニレン基の場合、ArGまたはその他の芳香環と結合して形成される縮合環の一部であってもよく、
ArGは、それぞれ独立して、E基以外の任意の置換基で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基または炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、
Eは、単結合、−C(Ra)2−、−NRb−、−NH−、N、−O−または−S−を表し、
aは、それぞれ独立して、水素原子またはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の1価炭化水素基を表し、Raが前記1価炭化水素基の場合、Ra同士が互いに結合して炭素原子とともに環を形成していてもよく、Rbは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の1価炭化水素基を表し、
ArBが、単結合の場合、Eは単結合、かつ、ArGはE基以外の任意の置換基で置換されていてもよいナフチル基であり、
Eが、−C(Ra)2−基の場合、ArBおよびArGは、互いに結合して縮合環を形成しており、それ以外の場合、ArBおよびArGは、互いに結合して縮合環を形成していてもよく、
Gは、Eに結合するArG基の数であり、EがNの場合は2を、それ以外の場合は1を表し、ArG基が2個存在する場合、それらが互いに結合して窒素原子とともに縮合環を形成していてもよい。)
kは、1以上の整数を表す。〕
A charge-transporting varnish containing an aniline derivative represented by the following formula (1) and an organic solvent.
Figure 2020027259
[In the formula, Ph 1 independently represents a group represented by the formula (P1) or the formula (P2), but at least one is a group represented by the formula (P1).
Figure 2020027259
(In the formula, R 1 to R 4 are each independently substituted with a hydrogen atom, a cyano group, or a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. , An alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms.)
Ar 0 independently represents a group represented by the formula (B0).
Figure 2020027259
(In the formula, Ar B represents a phenylene group which may be substituted with an arbitrary substituent other than a single bond or an E group (excluding those containing a pyridine ring. The same shall apply hereinafter), and Ar B is the phenylene group. In the case of, it may be a part of a fused ring formed by bonding with Ar G or other aromatic rings.
Ar G represents an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, which may be independently substituted with any substituent other than the E group.
E represents a single bond, −C (R a ) 2 −, −NR b −, −NH−, N, −O− or −S−.
R a independently represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hydrogen atom or a hetero atom, and when R a is the monovalent hydrocarbon group, R a is used. It may be bonded to each other to form a ring with a carbon atom, and R b represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a hetero atom.
When Ar B is a single bond, E is a single bond, and Ar G is a naphthyl group which may be substituted with an arbitrary substituent other than the E group.
When E is a −C ( Ra ) 2 -group, Ar B and Ar G are bonded to each other to form a fused ring, otherwise Ar B and Ar G are bonded to each other. It may form a fused ring,
n G is the number of Ar G groups attached to E. If E is N, it represents 2, otherwise it represents 1, and if there are two Ar G groups, they are bound to each other. A fused ring may be formed together with the nitrogen atom. )
k represents an integer of 1 or more. ]
前記Ar0が、それぞれ独立して、式(B1)〜(B16)のいずれかで表される基である請求項1記載の電荷輸送性ワニス。
Figure 2020027259
(式中、R5〜R25、R28〜R49およびR51〜R194は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子、ニトロ基もしくはシアノ基で置換されていてもよい、ジフェニルアミノ基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基、炭素数2〜20のアルキニル基、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R26およびR27は、それぞれ独立して、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基もしくはZ2で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、R50は、水素原子、Z1で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基、Z1で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基もしくはZ2で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基またはZ3で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、Z2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジフェニルアミノ基、Z3で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z3で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルケニル基またはZ3で置換されていてもよい炭素数2〜20のアルキニル基を表し、Z3は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはジフェニルアミノ基を表し、Ar4は、それぞれ独立して、ジ(炭素数6〜20のアリール基)アミノ基で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表す。)
The charge-transporting varnish according to claim 1, wherein Ar 0 is a group represented by any of the formulas (B1) to (B16) independently.
Figure 2020027259
(In the formula, R 5 to R 25 , R 28 to R 49, and R 51 to R 194 are independently hydrogen atoms, halogen atoms, nitro groups, cyano groups, or halogen atoms, nitro groups, or cyano groups. May be substituted, diphenylamino group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms or 2 carbon atoms. Representing a heteroaryl group of ~ 20, R 26 and R 27 may be independently substituted with a hydrogen atom, Z 1 or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, even if substituted with Z 1. an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted with an aryl group or Z 2 in Z 1 in optionally substituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-20 is represents a heteroaryl group having a carbon number of 2 to 20 even if, R 50 is a hydrogen atom, an alkyl group having carbon atoms which may be have 1-20 substituted with Z 1, optionally substituted by Z 1 an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, substituted with an aryl group or Z 2 in Z 1 in optionally substituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-20 Represents a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted, and Z 1 is an aryl having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group, or Z 3. Represents a group or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 3, where Z 2 is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a diphenylamino group, or a carbon which may be substituted with Z 3. C 1 -C 20 alkyl group, an alkynyl group an alkenyl group or Z 3 may 2-20 carbon atoms substituted with a Z 3 good 2-20 carbon atoms which may be substituted by, Z 3 is Representing a halogen atom, a nitro group, a cyano group or a diphenylamino group, Ar 4 has 6 to 20 carbon atoms which may be independently substituted with a di (aryl group having 6 to 20 carbon atoms) amino group. Represents an aryl group.)
前記式(1)で表されるアニリン誘導体が、式(1−1)〜(1−4)のいずれかで表される請求項2記載の電荷輸送性ワニス。
Figure 2020027259
(Ar1〜Ar3は、それぞれ異なって前記式(B1)〜(B16)のいずれかで表される基であり、各式のそれぞれにおいて、Ar1は、すべて同一の基を表し、Ar2は、すべて同一の基を表し、Ar3は、すべて同一の基を表す。)
The charge-transporting varnish according to claim 2, wherein the aniline derivative represented by the formula (1) is represented by any of the formulas (1-1) to (1-4).
Figure 2020027259
(Ar 1 to Ar 3 are different groups represented by any of the above formulas (B1) to (B16), and in each of the formulas, Ar 1 all represent the same group, and Ar 2 Represents all the same groups, and Ar 3 represents all the same groups.)
前記式(P1)で表される基の数(nm)と前記式(P2)で表される基の数(np)が、0.5≦nm/(nm+np)を満たす請求項1〜3のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニス。 The number of groups (nm ) represented by the formula (P1) and the number of groups (n p ) represented by the formula (P2) satisfy 0.5 ≦ nm / ( nm + n p ). The charge transporting varnish according to any one of claims 1 to 3. ドーパント物質を含む請求項1〜4のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニス。 The charge transporting varnish according to any one of claims 1 to 4, which contains a dopant substance. 前記ドーパント物質が、アリールスルホン酸エステル化合物である請求項5記載の電荷輸送性ワニス。 The charge-transporting varnish according to claim 5, wherein the dopant substance is an aryl sulfonic acid ester compound. 請求項1〜6のいずれか1項記載の電荷輸送性用ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。 A charge-transporting thin film produced by using the charge-transporting varnish according to any one of claims 1 to 6. 請求項7記載の電荷輸送性薄膜を備える電子素子。 The electronic device including the charge transporting thin film according to claim 7. 請求項7記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device including the charge transporting thin film according to claim 7. 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である請求項9記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 9, wherein the charge transporting thin film is a hole injection layer or a hole transport layer.
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