JPWO2017149765A1 - エネルギー制御装置及びエネルギー処置具 - Google Patents

Abstract

エネルギー制御装置は、ヒータに供給される交流電気エネルギーを出力するエネルギー出力源と、前記エネルギー出力源から前記交流電気エネルギーが出力されている状態において、前記エネルギー出力源から前記ヒータに出力される電流及び電圧を経時的に検出する検出器と、を備える。前記エネルギー制御装置は、前記検出器での検出結果に基づいて前記ヒータに出力される前記電流と前記電圧との位相差を経時的に算出し、前記位相差に基づいて前記ヒータへの前記交流電気エネルギーの供給を制御するプロセッサを備える。

Description

本発明は、エネルギー処置具に設けられるヒータに電気エネルギーを供給するエネルギー制御装置、及び、そのエネルギー制御装置とともに用いられるエネルギー処置具に関する。

国際公開第２０１１／０８９７１７号公報には、エネルギー処置具に設けられるヒータにエネルギー制御装置からＲＦ（Radio Frequency）電気エネルギー（交流電気エネルギー）が供給される処置システムが開示されている。この処置システムでは、ヒータにＲＦ電気エネルギーが供給されることにより、ヒータにおいて熱が発生する。そして、ヒータで発生した熱が、生体組織等の処置対象に付与される。

国際公開第２０１１／０８９７１７号公報のようにヒータに発生する熱を用いて処置対象を処置する構成では、ヒータの抵抗値に基づいてヒータの温度を推定し、ヒータの温度制御が行われることがある。この場合、ヒータの抵抗値に基づいて、ヒータに供給される交流電気エネルギーの大きさが制御され、ヒータの温度が調整される。ここで、処置において、ヒータが設置される設置面（ヒータの近傍）に体液等の液体が侵入し、液体によってヒータにおいて短絡が発生したり、液体の容量成分が発生したりすることがある。この場合、特に液体の容量成分等により、ヒータへ出力される電流と電圧との間に位相差が発生する。電流と電圧との間の位相差が大きくなると、ヒータの抵抗値に基づくヒータの温度制御への影響が大きくなる。

本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、ヒータが設置される設置面（ヒータの近傍）への液体の侵入の影響を受けることなく、ヒータの抵抗値に基づくヒータの温度制御が適切に行われるエネルギー制御装置及びエネルギー処置具を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明のある態様は、ヒータで発生した熱を用いて処置対象を処置するエネルギー処置具とともに用いられるエネルギー制御装置であって、前記ヒータに供給される交流電気エネルギー を出力するエネルギー出力源と、前記エネルギー出力源から前記交流電気エネルギーが出力されている状態において、前記エネルギー出力源から前記ヒータに出力される電流及び電圧を検出する検出器と、前記検出器での検出結果に基づいて前記電流と前記電圧との位相差を算出し、前記位相差に基づいて前記ヒータへの前記交流電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、を備える。

本発明の別のある態様は、ヒータで発生した熱を用いて処置対象を処置するエネルギー処置具とともに用いられるエネルギー制御装置であって、前記ヒータに供給される交流電気エネルギーを出力するエネルギー出力源と、前記ヒータが設置される設置面上に設けられる 一対の電極間のインピーダンス、又は、前記設置面上に設けられる電極と前記ヒータとの間のインピーダンスを検出する検出器と、前記検出器で検出された前記電極間の前記インピーダンス又は前記電極と前記ヒータとの間のインピーダンスに基づいて、前記ヒータへの前記交流電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、を備える。

本発明の別のある態様のエネルギー処置具は、交流電気エネルギーが供給されることにより熱を発生するヒータと、前記ヒータが設置される設置面と、前記ヒータで発生した前記熱が前記設置面から伝達され 、伝達された熱を処置対象に付与する処置面と、を備え、前記設置面上に設けられ、前記設置面上の状態変化に対応して互いの間のインピーダンスが変化する一対の電極、又は、前記設置面上に設けられ、前記設置面上の前記状態変化に対応して前記ヒータとの間のインピーダンスが変化する電極、をさらに備える。

図１は、第１の実施形態に係る処置システムを示す概略図である。 図２は、第１の実施形態に係るエネルギー制御装置からエネルギー処置具にエネルギーを供給する構成を概略的に示すブロック図である。 図３は、第１の実施形態に係るヒータの一例を示す概略図である。 図４は、第１の実施形態において、ヒータで発生した熱を用いた処置でのエネルギー制御装置の処理を示すフローチャートである。 図５は、ヒータの近傍に液体が侵入した状態での、ＲＦ電気エネルギーの経路の一例を示す概略図である。 図６は、ヒータに出力される電流と電圧との間に位相差が発生した状態を示す概略図である。 図７は、第１の実施形態の第１の変形例に係るエネルギー制御装置からエネルギー処置具にエネルギーを供給する構成を概略的に示すブロック図である。 図８は、第１の実施形態の第１の変形例に係るマッチング回路の一例を、ヒータにおいて液体による抵抗成分及び容量成分が発生した状態で示す概略図である。 図９は、第１の実施形態の第２の変形例において、ヒータで発生した熱を用いた処置でのエネルギー制御装置の処理を示すフローチャートである。 図１０は、第２の実施形態において、ヒータが設置される設置面及びエネルギー制御装置の構成を示す概略図である。 図１１は、第２の実施形態において、ヒータで発生した熱を用いた処置でのエネルギー制御装置の処理を示すフローチャートである。 図１２は、第２の実施形態の第１の変形例において、ヒータが設置される設置面の構成を示す概略図である。 図１３は、第２の実施形態の第２の変形例において、ヒータが設置される設置面及びエネルギー制御装置の構成を示す概略図である。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１乃至図６を参照して説明する。

図１は、本実施形態の処置システム１を示す図である。図１に示すように、処置システム１は、エネルギー処置具２と、エネルギー処置具２へのエネルギーの供給を制御するエネルギー制御装置３と、を備える。エネルギー処置具２は、長手軸Ｃを有する。ここで、長手軸Ｃに沿う方向の一方側を先端側（矢印Ｃ１側）とし、先端側とは反対側を基端側（矢印Ｃ２側）とする。

エネルギー処置具２は、保持可能なハウジング５と、ハウジング５の先端側に連結されるシャフト６と、シャフト６の先端部に設けられるエンドエフェクタ７と、を備える。ハウジング５には、グリップ１１が設けられるとともに、ハンドル１２が回動可能に取付けられている。ハンドル１２がハウジング５に対して回動することにより、ハンドル１２がグリップ１１に対して開く又は閉じる。

エンドエフェクタ７は、第１の把持片１５及び第２の把持片１６を備える。ハンドル１２をグリップ１１に対して開く又は閉じることにより、一対の把持片１５，１６の間が開く又は閉じる。これにより、一対の把持片１５，１６の間で血管（生体組織）等の処置対象を把持可能となる。なお、図１では、エンドエフェクタ７の開閉方向を矢印Ｙ１及び矢印Ｙ２で示している。また、第１の把持片１５には、第２の把持片１６に対向する第１の対向面（処置面）１７が設けられ、第２の把持片１６には、第１の把持片１５（第１の対向面１７）に対向する第２の対向面（処置面）１８が設けられる。把持片１５，１６の間で処置対象が把持された状態では、対向面１７，１８が処置対象に接触する。また、第１の把持片１５の外表面には、エンドエフェクタ７の開閉方向について第１の対向面１７とは反対側を向く第１の背面１９が設けられ、第２の把持片１６の外表面には、エンドエフェクタ７の開閉方向について第２の対向面１８とは反対側を向く第２の背面２０が設けられる。

ハウジング５には、ケーブル１３の一端が接続されている。ケーブル１３の他端は、エネルギー制御装置３に分離可能に接続される。また、処置システム１には、エネルギー操作入力部としてフットスイッチ８が設けられている。フットスイッチ８では、エネルギー制御装置３からエネルギー処置具２へエネルギーを出力させる操作が入力される。なお、フットスイッチ８の代わりに又は加えて、エネルギー処置具２のハウジング５に取付けられる操作ボタン等が、エネルギー操作入力部として設けられてもよい。

図２は、エネルギー制御装置３からエネルギー処置具２にエネルギーを供給する構成を示す図である。図２に示すように、エネルギー制御装置３は、処置システム全体を制御するプロセッサ２１と、記憶媒体２２と、を備える。プロセッサ（制御部）２１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等を含む集積回路から形成されている。プロセッサ２１は、１つの集積回路から形成されてもよく、複数の集積回路から形成されてもよい。プロセッサ２１での処理は、プロセッサ２１又は記憶媒体２２に記憶されたプログラムに従って行われる。また、記憶媒体２２には、プロセッサ２１で用いられる処理プログラム、及び、プロセッサ２１での演算で用いられるパラメータ及びテーブル等が記憶されている。プロセッサ２１は、位相差算出部２３、出力制御部２５及びＰＬＬ（Phase Lock Loop）制御部２６を備える。位相差算出部２３、出力制御部２５及びＰＬＬ制御部２６は、プロセッサ２１の一部として機能し、プロセッサ２１によって行われる処理の一部を行う。

また、エネルギー制御装置３は、交流電力であるＲＦ（Radio Frequency）電気エネルギーを出力するエネルギー出力源２７を備える。エネルギー出力源２７は、波形生成器、変換回路及び変圧器等（いずれも図示しない）を備える。エネルギー出力源２７では、バッテリー又はコンセント等の電源（図示しない）からの電力がＲＦ電気エネルギー（交流電気エネルギー）に変換され、変換されたＲＦ電気エネルギーが出力される。プロセッサ２１の出力制御部２５は、フットスイッチ８等のエネルギー操作入力部での操作入力の有無を検出し、フットスイッチ８等で操作入力が行われたことに基づいて、エネルギー出力源２７からＲＦ電気エネルギーを出力させる。また、出力制御部２５は、エネルギー出力源２７の駆動を制御し、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を制御する。さらに、ＰＬＬ制御部２６は、ＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを調整する。

エネルギー処置具２には、ヒータ（発熱体）３１が設けられる。ある実施例では、エンドエフェクタ７において、把持片１５，１６の少なくとも一方にヒータ３１が設けられる。図３は、ヒータ３１の一例を示す図である。図３に示すように、ある実施例では、把持片１５，１６の少なくとも一方にヒータ３１が設けられ、ヒータ３１が設けられる把持片（１５；１６；１５，１６）のそれぞれでは、設置面２８上にヒータ３１が配置される。ヒータ３１が設けられる把持片（１５；１６；１５，１６）のそれぞれでは、設置面２８は、内部に設けられ、エンドエフェクタ７の開閉方向について対向面（１７，１８の対応する１つ）と背面（１９，２０の対応する１つ）との間に位置している。すなわち、ヒータ３１が設けられる把持片（１５；１６；１５，１６）のそれぞれでは、設置面２８は、対向面（１７，１８の対応する１つ）に対してエンドエフェクタ７が開く側に位置する。ヒータ３１は、接続端Ｅ１,Ｅ２を有し、ヒータ３１は、接続端Ｅ１，Ｅ２の間において、例えば略Ｕ字状に延設される。

図２に示すように、ヒータ３１は、供給経路３２を介してエネルギー出力源２７と電気的に接続されている。エネルギー出力源２７から出力されたＲＦ電気エネルギー（ＲＦ電力）は、供給経路３２を介してヒータ３１に供給される。ヒータ３１にＲＦ電気エネルギーが供給されている際には、ヒータ３１において接続端Ｅ１，Ｅ２の間に電位差が発生し、ヒータ３１に電流が流れる。これにより、ヒータ３１で熱が発生する。ヒータ３１が設けられる把持片のそれぞれでは、ヒータ３１で発生した熱は、設置面２８を通して処置面である対向面（１７，１８の対応する１つ）に伝達される。そして、処置対象が把持される状態では、ヒータ３１の熱が伝達された対向面（１７；１８；１７，１８）から、熱が処置対象に付与される。把持片１５，１６の少なくとも一方にヒータ３１が設けられることにより、対向面１７，１８の少なくとも一方から、ヒータ３１で発生した熱が処置対象に付与される。

また、エネルギー出力源２７からヒータ３１への供給経路３２には、検出器３３が設けられている。検出器３３は、例えばエネルギー制御装置３に設けられる電流検知回路及び電圧検知回路等から構成される。エネルギー出力源２７からＲＦ電気エネルギーが出力されている状態において、検出器３３は、エネルギー出力源２７からヒータ３１へ出力される電流Ｉ及び電圧Ｖを検出する。これにより、電流Ｉ及び電圧Ｖの経時的な変化が検出される。検出器３３で検出された電流Ｉ及び電圧Ｖに関する情報は、Ａ／Ｄ変換器（図示しない）等でアナログ信号からデジタル信号に変換され、プロセッサ２１に伝達される。

出力制御部２５は、検出器３３での電流Ｉ及び電圧Ｖの検出結果に基づいて、ヒータ３１の抵抗値Ｒを算出する。これにより、ヒータ３１の抵抗値Ｒの経時的な変化が検出される。ここで、ヒータ３１の抵抗値Ｒは、ヒータ３１の温度Ｔに対応して変化する。このため、出力制御部２５は、ヒータ３１の抵抗値Ｒ及び記憶媒体２２等に記憶される抵抗値Ｒと温度Ｔとの関係に基づき、ヒータ３１の温度Ｔを推定する。そして、推定されたヒータ３１の温度Ｔに基づいて、出力制御部２５は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を制御し、ヒータ３１の温度制御を行う。例えば、ある実施例では、抵抗値Ｒに基づいてエネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を制御することにより、ヒータ３１の温度Ｔを目標温度Ｔ０で経時的に一定に保つ定温度制御が行われる。前述のようにして、本実施形態では、ヒータ３１の抵抗値Ｒに基づくヒータ３１の温度制御が行われる。

プロセッサ２１の位相差算出部２３は、検出器３３での検出結果に基づいて、ヒータ３１へ出力される電流Ｉの位相情報、及び、ヒータ３１へ出力される電圧Ｖの位相情報を算出する。そして、電流Ｉ及び電圧Ｖのそれぞれの位相情報に基づいて、位相差算出部２３は、電流Ｉと電圧Ｖとの位相差Δθを算出する。これにより、位相差Δθの経時的な変化が検出される。プロセッサ２１の出力制御部２５は、位相差Δθに基づいて、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を制御し、ヒータ３１へのＲＦ電気エネルギーの供給を制御する。また、ＰＬＬ制御部２６は、位相差Δθに基づいて、電流Ｉ又は電圧Ｖの周波数を調整し、ＲＦ電気エネルギー（ＲＦ電力）の出力における周波数ｆを調整する。

次に、本実施形態のエネルギー処置具２及びエネルギー制御装置３の作用及び効果について説明する。処置システム１を用いて処置を行う際には、腹腔等の体腔にエンドエフェクタ７を挿入し、把持片１５，１６の間に血管等の処置対象（生体組織）を配置する。そして、グリップ１１に対してハンドル１２を閉じ、把持片１５，１６の間を閉じる。これにより、把持片１５，１６の間で処置対象が把持され、対向面１７，１８が処置対象に接触する。この状態で、フットスイッチ８等のエネルギー操作入力部で操作入力が行われることにより、エネルギー出力源２７からＲＦ電気エネルギー（ＲＦ電力）が出力される。そして、出力されたＲＦ電気エネルギーがヒータ３１に供給され、ヒータ３１で熱が発生する。ヒータ３１が設けられる把持片（１５；１６；１５，１６）のそれぞれでは、ヒータ３１で発生した熱が、対向面（１７，１８の対応する１つ）から把持される処置対象に付与される。ヒータ３１で発生した熱が処置対象に付与されることにより、例えば処置対象が切開と同時に凝固され、ヒータ３１で発生した熱を用いて処置対象が処置される。

図４は、ヒータ３１で発生した熱を用いた処置におけるエネルギー制御装置３の処理を示すフローチャートである。図４に示すように、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、フットスイッチ（エネルギー操作入力部）８での操作入力が行われたか否か（すなわち、操作入力がＯＮかＯＦＦか）を判断する（ステップＳ１０１）。操作入力が行われていない場合は（ステップＳ１０１−Ｎｏ）、ステップＳ１０１に戻る。すなわち、プロセッサ（制御部）２１は、フットスイッチ８で操作入力が行われるまで、待機する。操作入力が行われると（ステップＳ１０１−Ｙｅｓ）、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を開始する（ステップＳ１０２）。

ＲＦ電気エネルギーの出力が開始されると、検出器３３は、エネルギー出力源２７からヒータ３１へ出力される電流Ｉ及び電圧Ｖを検出する（ステップＳ１０３）。そして、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、電流Ｉ及び電圧Ｖの検知結果に基づいて、ヒータ３１の抵抗値Ｒを算出する（ステップＳ１０４）。そして、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、算出された抵抗値Ｒに基づいて、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を制御し、ヒータ３１の温度制御を行う（ステップＳ１０５）。

また、ＲＦ電気エネルギーの出力が開始されると、プロセッサ２１（位相差算出部２３）は、電流Ｉ及び電圧Ｖのそれぞれの位相情報を算出し、電流Ｉと電圧Ｖとの位相差Δθを算出する（ステップＳ１０６）。そして、プロセッサ２１（位相差算出部２３）は、算出された位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈ以下であるか否か（Δθ≦Δθｔｈであるか否か）を判断する（ステップＳ１０７）。位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈ以下の場合は（ステップＳ１０７−Ｙｅｓ）、プロセッサ２１（ＰＬＬ制御部２６）は、ＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを維持する（ステップＳ１０８）。

一方、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きい場合は（ステップＳ１０７−Ｎｏ）、プロセッサ２１（ＰＬＬ制御部２６）は、ＰＬＬ制御によって、ＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを変化させ（ステップＳ１０９）、位相差Δθを減少させる（ステップＳ１１０）。すなわち、プロセッサ２１では、周波数ｆを調整することにより、位相差Δθを減少させる制御が行われる。例えば、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きい場合は、ＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを低くして、位相差Δθを減少させる。

ステップＳ１０８の処理又はステップＳ１１０の処理が行われると、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、フットスイッチ８で操作入力がＯＮの状態で維持されているか否かを判断する（ステップＳ１１１）。操作入力がＯＮの状態で維持されている限り（ステップＳ１１１−Ｎｏ）、処理は、ステップＳ１０３に戻り、ステップＳ１０３以降の処理が、順次行われる。操作入力がＯＦＦの状態に切替わった場合は（ステップＳ１１１−Ｙｅｓ）、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を停止する（ステップＳ１１２）。前述のように処理が行われることにより、本実施形態では、ＲＦ電気エネルギーが出力されている状態において、位相差Δθを所定の閾値Δθｔｈ以下で維持する制御が行われる。

処置においては、ヒータ３１が設置される設置面２８（ヒータ３１の近傍）に体液等の液体が侵入し、設置面２８上の状態が変化することがある。この場合、設置面２８上に侵入した液体によって、ヒータ３１において短絡が発生したり、液体の容量成分が発生したりすることがある。図５は、ヒータ３１の近傍（設置面２８）に液体が侵入した状態での、エネルギー出力源２７から出力されるＲＦ電気エネルギーの経路の一例を示す図である。図５に示すように、ヒータ３１近傍に液体が侵入すると、エネルギー出力源２７から出力されるＲＦ電気エネルギーの回路（供給経路３２）において、液体の抵抗成分Ｒ´及び液体の容量成分Ｃ´等が発生する。この場合、特に液体の容量成分Ｃ´に起因して、ヒータ３１へ出力される電流Ｉと電圧Ｖとの間に位相差Δθが発生する。図６は、電流Ｉと電圧Ｖとの間に位相差が発生した状態を示している。図６では、横軸は時間ｔを示し、縦軸は電流Ｉ及び電圧Ｖを示している。また、図６では、電流Ｉの経時的な変化を実線で、電圧Ｖの経時的な変化を破線で示している。位相差Δθが大きくなると、電流Ｉ及び電圧Ｖに基づくヒータ３１の抵抗値Ｒの算出への影響も大きくなり、抵抗値Ｒに基づく温度制御への影響も大きくなる。

本実施形態では、前述のように、ステップＳ１０６の処理によって、位相差Δθが算出され、ステップＳ１０７の処理によって、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈ以下であるか否か（Δθ≦Δθｔｈであるか否か）が判断される。そして、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きい場合は、ＰＬＬ制御によって、ステップＳ１０９及びＳ１１０の処理が行われる。すなわち、ＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを変化させ、位相差Δθを減少させる処理（制御）が行われる。周波数ｆの変化によって位相差Δθを減少させる処理は、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈ以下になるまで経時的に繰り返し行われる。なお、所定の閾値Δθｔｈは、例えば、電流Ｉ及び電圧Ｖに基づくヒータ３１の抵抗値Ｒの算出へ位相差Δθがほとんど影響を与えない程度の微小値に設定され、ある実施例では、所定の閾値Δθｔｈが０に設定されてもよい。所定の閾値Δθｔｈが０の場合、電流Ｉ及び電圧Ｖが互いに対して同位相になるまで、ステップＳ１０９及びＳ１１０の処理が行われる。

前述のように本実施形態では、電流Ｉと電圧Ｖとの位相差Δθが大きくなると、ＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを変化させ、位相差Δθを減少させる。このため、位相差Δθの影響が小さくなり、プロセッサ２１では、電流Ｉ及び電圧Ｖに基づいて適切にヒータ３１の抵抗値Ｒを算出される。これにより、プロセッサ２１は、ヒータ３１の抵抗値Ｒに基づいてエネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を適切に制御し、抵抗値Ｒに基づくヒータ３１の温度制御が正確かつ安定して行われる。したがって、ヒータ３１が設置される設置面２８への液体の侵入（設置面２８上の状態変化）の影響を受けることなく、ヒータ３１の抵抗値Ｒに基づくヒータ３１の温度制御が適切に行われる。

（第１の実施形態の変形例）
なお、第１の実施形態では、周波数ｆを変化させることによって位相差Δθｔｈを減少させているが、これに限るものではない。例えば、第１の実施形態の第１の変形例として図７及び図８に示すように、エネルギー出力源２７からヒータ３１へのＲＦ電気エネルギーの供給経路３２にマッチング回路３５が設けられてもよい。図７は、本変形例において、エネルギー制御装置３からエネルギー処置具２にエネルギーを供給する構成を示す図である。図７に示すように、本変形例では、プロセッサ２１は、マッチング回路３５の駆動を制御する回路制御部３６を備える。回路制御部３６は、プロセッサ２１の一部を形成し、プロセッサ２１が行う処理の一部を行う。回路制御部３６は、位相差Δθに基づいて、マッチング回路３５の駆動を制御する。また、本変形例では、第１の実施形態で前述したＰＬＬ制御は行われない。

図８は、マッチング回路３５の一例をヒータ３１において液体による抵抗成分Ｒ´及び容量成分Ｃ´が発生した状態で示している。図８の実施例では、マッチング回路３５では、ヒータ３１（ヒータ抵抗）に対して電気的に並列に可変コイル３７が配置される。可変コイル３７は、インダクタンスＬａが変化可能である。図８の実施例では、回路制御部３６は、位相差Δθに基づいて、マッチング回路３５において可変コイル３７のインダクタンスＬａを調整する。

本変形例でも第１の実施形態と同様に、エネルギー出力源２７からヒータ３１へＲＦ電気エネルギーが出力されている状態において、検出器３３は、ヒータ３１へ出力される電流Ｉ及び電圧Ｖを検出する（図４のステップＳ１０３）。また、本変形例でも第１の実施形態と同様に、プロセッサ２１は、ヒータ３１の抵抗値Ｒを算出し（図４のステップＳ１０４）、抵抗値Ｒに基づいてヒータ３１の温度制御を行う（図４のステップＳ１０５）。さらに、本変形例でも第１の実施形態と同様に、プロセッサ２１は、位相差Δθを算出し（図４のステップＳ１０６）、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈ以下であるか否か判断する（図４のステップＳ１０７）。

ただし、本変形例では、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈ以下の場合は（ステップＳ１０７−Ｙｅｓ）、ステップＳ１０８において、プロセッサ２１（回路制御部３６）は、可変コイル３７のインダクタンスＬａを維持する。一方、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きい場合は（ステップＳ１０７−Ｎｏ）、プロセッサ２１（回路制御部３６）は、ステップＳ１０９において、マッチング回路３５の駆動を制御することにより、可変コイル３７のインダクタンスＬａを変化させる。これにより、プロセッサ２１は、位相差Δθを減少させる（図４のステップＳ１１０）。すなわち、プロセッサ２１では、可変コイル３７のインダクタンスＬａを調整することにより、位相差Δθを減少させる制御が行われる。例えば、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きい場合は、可変コイル３７のインダクタンスＬａを減少させて、位相差Δθを減少させる。前述のような処理が行われることにより、本変形例でも、ＲＦ電気エネルギーが出力されている状態において、位相差Δθを所定の閾値Δθｔｈ以下で維持する制御が行われる。

前述のように本変形例では、電流Ｉと電圧Ｖとの位相差Δθが大きくなると、可変コイル３７のインダクタンスＬａを変化させ、位相差Δθを減少させる。位相差Δθを減少させる制御が行われることにより、本変形例でも第１の実施形態と同様の効果を奏する。

なお、図７及び図８の変形例では、マッチング回路３５において、ヒータ３１に対して電気的に並列に可変コイル３７が設けられているが、これに限るものではない。例えば、ある変形例では、マッチング回路３５に、可変コイル３７の代わりに又は加えて、容量が変化可能な可変コンデンサが設けられてもよい。この変形例では、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きくなると（ステップＳ１０７−Ｎｏ）、プロセッサ２１（回路制御部３６）は、ステップＳ１０９において、マッチング回路３５の駆動を制御することにより、可変コンデンサの容量を変化させる。これにより、プロセッサ２１は、位相差Δθを減少させる（ステップＳ１１０）。また、ある変形例では、マッチング回路３５において、可変コイル及び／又は可変コンデンサが、ヒータ３１に対して電気的に直列に配置されてもよい。この場合も、プロセッサ２１は、位相差Δθに基づいて、可変コイルのインダクタンス及び／又は可変コンデンサの容量を調整する。

また、ある変形例では、位相差Δθに基づいてＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆの調整及びマッチング回路３５の駆動制御の両方が、プロセッサ２１によって行われてもよい。この変形例では、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きくなると（ステップＳ１０７−Ｎｏ）、プロセッサ２１は、ステップＳ１０９において、ＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを変化させるとともに、マッチング回路３５において可変コイル（３７）のインダクタンス（Ｌａ）及び／又は可変コンデンサの容量を変化させる。これにより、プロセッサ２１は、位相差Δθを減少させる（ステップＳ１１０）。

第１の実施形態及びその第１の変形例を含む前述の実施形態等では、プロセッサ２１は、電流Ｉと電圧Ｖとの間の位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きい場合において、位相差Δθを減少させる制御を行う。すなわち、位相差Δθを所定の閾値Δθｔｈ以下で維持する制御が行われる。

また、図９に示す第１の実施形態の第２の変形例では、位相差Δθを減少させる制御が行われない。図９は、本変形例での、ヒータ３１で発生した熱を用いた処置におけるエネルギー制御装置３の処理を示すフローチャートである。図９に示すように、本変形例でも第１の実施形態と同様にしてステップＳ１０１〜Ｓ１０７の処理が行われる。ただし、本変形例では、ステップＳ１０７の判断が行われた後において、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈ以下の場合（ステップＳ１０７−Ｙｅｓ）のみ、プロセッサ２１は、フットスイッチ８で操作入力がＯＮの状態で維持されているか否かを判断する（ステップＳ１１１）。操作入力がＯＮの状態で維持されている限り（ステップＳ１１１−Ｎｏ）、処理はステップＳ１０３に戻り、ステップＳ１０３以降の処理が再び行われる。また、操作入力がＯＦＦの状態に切替わった場合は（ステップＳ１１１−Ｙｅｓ）、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を停止する（ステップＳ１１２）。

一方、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きい場合は（ステップＳ１０７−Ｎｏ）、プロセッサ２１は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を強制的に停止する（ステップＳ１１３）。すなわち、プロセッサ２１は、位相差Δθが所定の閾値Δθｔｈより大きいことに基づいて、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を停止する。

前述のように本変形例では、電流Ｉと電圧Ｖとの位相差Δθが大きくなると、ＲＦ電気エネルギーの出力が停止される。これにより、設置面２８上（ヒータ３１の近傍）に液体が侵入すると、ＲＦ電気エネルギーの出力が停止される。したがって、第１の実施形態と同様に、ヒータ３１が設置される設置面２８への液体の侵入の影響を受けることなく、ヒータ３１の抵抗値Ｒに基づくヒータ３１の温度制御が適切に行われる。

第１の実施形態及びその変形例では、エネルギー制御装置（３）は、ヒータ（３１）に供給されるＲＦ電気エネルギー（交流電気エネルギー）を出力するエネルギー出力源（２７）と、エネルギー出力源（２７）からＲＦ電気エネルギー（交流電気エネルギー）が出力されている状態において、エネルギー出力源（２７）からヒータ（３１）に出力される電流（Ｉ）及び電圧（Ｖ）を検出する検出器（３３）と、を備える。エネルギー制御装置（３）は、検出器（３３）での検出結果に基づいてヒータ（３１）に出力される電流（Ｉ）と電圧（Ｖ）との位相差（Δθ）を算出し、位相差（Δθ）に基づいてヒータ（３１）へのＲＦ電気エネルギーの供給を制御するプロセッサ（２１）を備える。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について、図１０及び図１１を参照して、説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態の構成を次の通り変形したものである。なお、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

図１０は、本実施形態のヒータ３１が設置される設置面２８（ヒータ３１の近傍）及びエネルギー制御装置３の構成を示す図である。図１０に示すように、本変実施形態では、ヒータ３１が設置される設置面２８上に、一対の電極４１Ａ，４１Ｂが設けられる。ここで、長手軸Ｃに対して交差する交差方向（矢印Ｗ１及び矢印Ｗ２の方向）を規定する。交差方向は、例えば長手軸Ｃに対して交差し（略垂直で）、かつ、エンドエフェクタ７の開閉方向（図１の矢印Ｙ１及び矢印Ｙ２の方向）に対して交差する（略垂直である）。電極４１Ａは、設置面２８において先端側（矢印Ｃ１側）及び交差方向の一方側（矢印Ｗ１側）からヒータ３１を囲む。また、電極４１Ｂは、設置面２８において先端側（矢印Ｃ１側）及び交差方向の他方側（矢印Ｗ２側）からヒータ３１を囲む。そして、設置面２８上では、電極４１Ａ，４１Ｂのそれぞれは、ヒータ３１に対して外側に配置される。

本実施形態でも第１の実施形態と同様に、エネルギー制御装置３は、プロセッサ２１、記憶媒体２２及びエネルギー出力源２７を備える。そして、エネルギー出力源２７は、供給経路３２を介してヒータ３１に電気的に接続されている。本実施形態でも、エネルギー出力源２７からヒータ３１にＲＦ電気エネルギー（交流電気エネルギー）が供給され、ヒータ３１で熱が発生する。そして、ヒータ３１で発生した熱を用いて、処置対象が処置される。また、エネルギー出力源２７からヒータ３１に出力される電流Ｉ及び電圧Ｖを検出する検出器３３が設けられる。

本実施形態でも、検出器３３での電流Ｉ及び電圧Ｖの検出結果に基づいて、プロセッサ２１は、ヒータ３１の抵抗値Ｒを算出する。そして、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、算出された抵抗値Ｒに基づいて、ヒータ３１の温度Ｔを推定し、ヒータ３１の温度制御を行う。ただし、本実施形態では、第１の実施形態とは異なり、電流Ｉと電圧Ｖとの位相差Δθの算出は行われない。

本実施形態では、エネルギー制御装置３に、電極４１Ａ，４１Ｂ間のインピーダンスＺａを検出するインピーダンス検出器（検出器）４２を備える。インピーダンス検出器４２は、測定用経路４３を介して電極４１Ａ，４１Ｂに電気的に接続されている。インピーダンス検出器４２は、変換回路、変圧器及び集積回路等（いずれも図示しない）を備え、集積回路は検出回路及び演算回路等を含む。ここで、インピーダンス検出器４２に設けられる集積回路は、プロセッサ２１の一部として機能してもよい。

インピーダンス検出器４２では、電源（図示しない）からの電力をＲＦ電気エネルギーとは別の電気エネルギーである測定用電気エネルギー（測定用電力）に変換し、変換された測定用電気エネルギーを出力する。出力された測定用電気エネルギーは、測定用経路４３を介して電極４１Ａ，４１Ｂに供給される。測定用電気エネルギーが電極４１Ａ，４１Ｂに供給されることにより、電極４１Ａ，４１Ｂ間に電位差が発生する。なお、インピーダンス検出器４２に電力を供給する電源は、エネルギー出力源２７の電源と、同一であってもよく、別個であってもよい。また、インピーダンス検出器４２からの測定用電気エネルギーの出力は、プロセッサ２１によって制御される。

インピーダンス検出器４２は、例えば測定用経路４３に流れる電流及び一対の電極４１Ａ，４１Ｂ間の電位差を測定する。そして、測定結果に基づいて、インピーダンス検出器４２は、電極４１Ａ，４１Ｂ間のインピーダンスＺａを検出する（算出する）。これにより、インピーダンスＺａの経時的な変化が検出され、インピースＺａがモニタリングされる。本実施形態では、エネルギー出力源２７からＲＦ電気エネルギーが出力されている状態において、インピーダンス検出器４２でのインピーダンスＺａの検出結果に基づいて、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を制御し、ヒータ３１へのＲＦ電気エネルギーの供給を制御する。

図１１は、本実施形態での、ヒータ３１で発生した熱を用いた処置におけるエネルギー制御装置３の処理を示すフローチャートである。図１１に示すように、本実施形態でも第１の実施形態と同様にして、ステップＳ１０１〜Ｓ１０５の処理が行われる。ただし、本実施形態では、電流Ｉと電圧Ｖとの位相差Δθの算出（ステップＳ１０６）は、行われず、位相差Δθに基づく判断（ステップＳ１０７）も行われない。

本実施形態では、エネルギー出力源２７からＲＦ電気エネルギーがヒータ３１に出力されている状態において、プロセッサ２１は、インピーダンス検出器４２から一対の電極４１Ａ，４１Ｂに測定用電気エネルギーを出力させ、電極４１Ａ，４１Ｂ間に電位差を発生させる（ステップＳ１１４）。そして、インピーダンス検出器（検出器）４２は、電極３１Ａ，４１Ｂ間の電位差及び測定用経路４３に流れる電流等に基づいて、電極４１Ａ，４１Ｂ間のインピーダンスＺａを検出する（ステップＳ１１５）。

そして、プロセッサ２１は、インピーダンス検出器４２で検出されたインピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａｔｈ以上であるか否か（Ｚａ≧Ｚａｔｈであるか否か）を判断する（ステップＳ１１６）。インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａｔｈ以上の場合は（ステップＳ１１６−Ｙｅｓ）、プロセッサ２１は、フットスイッチ８で操作入力がＯＮの状態で維持されているか否かを判断する（ステップＳ１１１）。そして、操作入力がＯＮの状態で維持されている限り（ステップＳ１１１−Ｎｏ）、処理は、ステップＳ１０３に戻り、ステップＳ１０３以降の処理が再び行われる。また、操作入力がＯＦＦの状態に切替わった場合は（ステップＳ１１１−Ｙｅｓ）、プロセッサ２１（出力制御部２５）は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を停止する（ステップＳ１１２）。

一方、インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａｔｈより小さい場合は（ステップＳ１１６−Ｎｏ）、プロセッサ２１は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を強制的に停止する（ステップＳ１１３）。すなわち、プロセッサ２１は、インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａｔｈより小さいことに基づいて、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を停止する。

本実施形態においても第１の実施形態と同様に、ヒータ３１が設置される設置面２８（ヒータ３１の近傍）に体液等の液体が侵入することがある。液体が侵入すると、設置面２８上の状態が変化し、ヒータ３１において短絡が発生したり、液体の容量成分が発生したりすることがある。この場合、第１の実施形態と同様に、ヒータ３１へ出力される電流Ｉと電圧Ｖとの間に位相差Δθが発生する。

また、本実施形態では、設置面２８上に液体が侵入すると、電極４１Ａ，４１Ｂの間が侵入した液体を介して電気的に導通する。電極４１Ａ，４１Ｂの間が電気的に導通することにより、電極４１Ａ，４１Ｂ間のインピーダンスＺａが小さくなる。すなわち、電極４１Ａ，４１Ｂ間のインピーダンスＺａは、設置面２８上への液体の侵入状態の変化（すなわち、設置面２８上の状態変化）に対応して、変化する。

本実施形態では、前述のように、ステップＳ１１５の処理によって、インピーダンスＺａが算出され、ステップＳ１１６の処理によって、インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａｔｈ以上であるか否かが判断される。そして、インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａｔｈより小さい場合は、ステップＳ１１３の処理によって、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力が強制的に停止される。

前述のように制御が行われるため、本実施形態では、設置面２８上に液体が侵入し、ヒータ３１において短絡又は液体の容量成分等が発生すると、ＲＦ電気エネルギーの出力が適切に停止される。したがって、本実施形態でも第１の実施形態と同様に、ヒータ３１が設置される設置面２８への液体の侵入の影響を受けることなく、ヒータ３１の抵抗値Ｒに基づくヒータ３１の温度制御が適切に行われる。

（第２の実施形態の変形例）
なお、設置面２８上での電極４１Ａ，４１Ｂの配置は、第２の実施形態の配置に限るものではない。例えば、図１２に示す第２の実施形態の第１の変形例では、設置面２８上において、電極４１Ａは、先端側（矢印Ｃ１側）及び長手軸Ｃに対して交差する交差方向（矢印Ｗ１及び矢印Ｗ２の方向）について両側から、ヒータ３１を囲む。そして、他方の電極４１Ｂは、先端側及び交差方向について両側から、電極４１Ａを囲む。このため、設置面２８上では、電極４１Ａは、ヒータ３１に対して外側に配置され、電極４１Ｂは、ヒータ３１及び電極４１Ａに対して外側に配置される。本変形例は、ヒータ３１で発生した熱を用いた処置において、エネルギー制御装置３は、第２の実施形態と同様の処理（図１１参照）を行う。

前述のように電極４１Ａ，４１Ｂが配置されることにより、本変形例では、設置面２８上に液体が侵入した際に、ヒータ３１において液体による短絡又は液体の容量成分等が発生する前に、電極４１Ａ，４１Ｂの間が液体によって電気的に導通する。このため、ヒータ３１において短絡又は液体の容量成分等が発生する前に、ステップＳ１１６においてインピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａｔｈより小さいと判断され、ステップＳ１１３の処理によってエネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力が停止される。すなわち、本変形例では、設置面２８上（ヒータ３１の近傍）に液体が侵入すると、迅速かつ正確に液体の侵入が検出され、検出精度が向上する。

また、第２の実施形態及びその第１の変形例では、設置面２８上に一対の電極４１Ａ，４１Ｂが配置されているが、これに限るものではない。例えば、図１３に示す第２の実施形態の第２の変形例では、設置面２８上において、電極４１が１つのみ設けられている。本変形例では、設置面２８において、ヒータ３１が、先端側（矢印Ｃ１側）及び長手軸Ｃに対して交差する交差方向（矢印Ｗ１及び矢印Ｗ２の方向）について両側から、電極４１を囲む。このため、設置面２８上では、ヒータ３１は、電極４１に対して外側に配置される。

本変形例では、インピーダンス検出器４２は、測定用経路４３を介してヒータ３１及び電極４１と電気的に接続されている。このため、本変形例は、供給経路３２の一部が測定用経路４３として共用される。本変形例では、インピーダンス検出器４２から測定用電気エネルギーは出力されず、エネルギー出力源２７からヒータ３１へＲＦ電気エネルギーが出力されることにより、ヒータ３１と電極４１との間に電位差が発生する。この際、ある実施例では、電極４１は、ヒータ３１の一方の接続端Ｅ１と略同一の電位となり、ヒータ３１では、他方の接続端Ｅ２において電極４１との電位差が最大になる。

本変形例では、インピーダンス検出器４２は、例えば測定用経路４３に流れる電流及び電極４１とヒータ３１との間の電位差を測定する。そして、測定結果に基づいて、インピーダンス検出器４２は、電極４１とヒータ３１との間のインピーダンスＺｂを検出する（算出する）。これにより、インピーダンスＺｂの経時的な変化が検出され、インピーダンスＺｂがモニタリングされる。そして、本変形例では、エネルギー出力源２７からＲＦ電気エネルギーが出力されている状態において、インピーダンス検出器４２でのインピーダンスＺｂの検出結果に基づいて、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力状態を制御し、ヒータ３１へのＲＦ電気エネルギーの供給を制御する。

本変形例でも第２の実施形態と同様にして、ステップＳ１０１〜Ｓ１０５の処理が行われる（図１１参照）。ただし、本変形例では、ステップＳ１１４において、プロセッサ２１は、電極４１とヒータ３１との間に電位差を発生させる。そして、インピーダンス検出器（検出器）４２は、ステップＳ１１５において、電極４１とヒータ３１との間のインピーダンスＺｂを検出する。

さらに、本変形例では、ステップＳ１１６において、プロセッサ２１は、インピーダンス検出器４２で検出されたインピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂｔｈ以上であるか否か（Ｚｂ≧Ｚｂｔｈであるか否か）を判断する。そして、インピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂｔｈ以上の場合は（ステップＳ１１６−Ｙｅｓ）、ステップＳ１１１に進む。一方、 一方、インピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂｔｈより小さい場合は（ステップＳ１１６−Ｎｏ）、ステップＳ１１３に進み、プロセッサ２１は、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を強制的に停止する。すなわち、プロセッサ２１は、インピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂｔｈより小さいことに基づいて、エネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力を停止する。

本変形例では、前述のように電極４１及びヒータ３１が配置されることにより、設置面２８上に液体が侵入した際に、ヒータ３１において液体による短絡又は液体の容量成分等が発生する前に、電極４１とヒータ３１との間が液体によって電気的に導通する。このため、ヒータ３１において短絡又は液体の容量成分等が発生する前に、ステップＳ１１６においてインピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂｔｈより小さいと判断され、ステップＳ１１３の処理によってエネルギー出力源２７からのＲＦ電気エネルギーの出力が停止される。すなわち、本変形例では、設置面２８上（ヒータ３１の近傍）に液体が侵入すると、迅速かつ正確に液体の侵入が検出され、検出精度が向上する。

なお、図１１の変形例では、ヒータ３１に対して電極４１が内側に配置されているが、ある変形例では、ヒータ３１に対して電極４１が外側に配置されてもよい。

また、前述の第２の実施形態及びその変形例では、インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａより小さい場合、又は、インピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂより小さい場合において、ＲＦエネルギーの出力が停止されるが、これに限るものではない。例えば、ある変形例では、インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａより小さい場合、又は、インピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂより小さい場合において、前述のＰＬＬ制御によってＲＦ電気エネルギーの出力における周波数ｆを変化させてもよい。また、別のある変形例では、供給経路３２にマッチング回路（３５）が設けられてもよい。この変形例では、インピーダンスＺａが所定の閾値Ｚａより小さい場合、又は、インピーダンスＺｂが所定の閾値Ｚｂより小さい場合は、マッチング回路（３５）において可変コイル（３７）のインダクタンス（Ｌａ）及び／又は可変コンデンサの容量を変化させる。

第２の実施形態及びその変形例では、エネルギー制御装置（３）は、ヒータ（３１）に供給されるＲＦ電気エネルギー（交流電気エネルギー）を出力するエネルギー出力源（２７）と、ヒータ（３１）が設置される設置面（２８）上に設けられる一対の電極（４１Ａ，４１Ｂ）間のインピーダンス（Ｚａ）、又は、設置面（２８）上に設けられる電極（４１）とヒータ（３１）との間のインピーダンス（Ｚｂ）を検出する検出器（４２）と、を備える。エネルギー制御装置（３）は、検出器（４２）で検出された電極（４１Ａ，４１Ｂ）間のインピーダンス（Ｚａ）又は電極（４１）とヒータ（３１）との間のインピーダンス（Ｚｂ）に基づいて、ヒータ（３１）へのＲＦ電気エネルギーの供給を制御するプロセッサ（２１）を備える。

（その他の変形例）
なお、前述の実施形態等では、ヒータ３１にＲＦ電気エネルギーが供給されるが、これに限るものではない。例えば、交流電気エネルギーとして低周波電気エネルギーがヒータ３１に供給される場合でも、前述の制御を適用可能である。

また、前述の実施形態等では、ヒータ３１で発生した熱のみが処置対象に付与されるが、これに限るものではない。例えばある変形例では、ヒータ３１で発生した熱に加えてＲＦ電流が把持される処置対象に付与される。この変形例では、把持片１５，１６のそれぞれに処置用電極（図示しない）が設けられ、ヒータ３１に供給されるＲＦ電気エネルギーとは別のＲＦ電気エネルギーが、処置用電極のそれぞれに供給される。処置においては、処置用電極のそれぞれが、把持される処置対象に接触する。このため、処置対象が把持されている状態で処置用電極のそれぞれにＲＦ電気エネルギーが供給されることにより、処置電極の間で処置対象を通してＲＦ電流が流れ、ＲＦ電流が処置対象に付与される。

また、別のある変形例では、ヒータ３１で発生した熱に加えて超音波振動が把持される処置対象に付与される。この変形例では、エネルギー処置具２に超音波トランスデューサ（図示しない）が設けられ、ヒータ３１に供給されるＲＦ電気エネルギーとは別の電気エネルギー（例えば出力が所定の周波数になる交流電力）が超音波トランスデューサに供給される。これにより、超音波トランスデューサで超音波振動が発生し、発生した超音波振動が把持片１５，１６の一方に伝達される。処置対象が把持されている状態で把持片１５，１６の一方に超音波振動が伝達されることにより、伝達された超音波振動が処置対象に付与される。

また、前述の実施形態等では、エンドエフェクタ７は一対の把持片１５，１６を備えるが、これに限るものではない。ある変形例では、エンドエフェクタ７は、フック状、ヘラ状又はブレード状等に形成される。この場合も、処置において、エンドエフェクタ７を処置対象に接触させ、ヒータ３１で発生した熱を処置対象に付与する。この際、エンドエフェクタ７に超音波振動が伝達され、ヒータ３１で発生した熱に加えて超音波振動が処置対象に付与されてもよい。また、エンドエフェクタ７に設けられる処置用電極と体外に配置される対極板との間で、処置対象を通してＲＦ電流を流してもよい。この場合、ヒータ３１で発生した熱に加えてＲＦ電流が処置対象に付与される。

以上、本発明の実施形態等について説明したが、本発明は前述の実施形態等に限るものではなく、発明の趣旨を逸脱することなく種々の変形ができることは、もちろんである。

Claims (9)

1. ヒータで発生した熱を用いて処置対象を処置するエネルギー処置具とともに用いられるエネルギー制御装置であって、
   前記ヒータに供給される交流電気エネルギーを出力するエネルギー出力源と、
   前記エネルギー出力源から前記交流電気エネルギーが出力されている状態において、前記エネルギー出力源から前記ヒータに出力される電流及び電圧を検出する検出器と、
   前記検出器での検出結果に基づいて前記電流と前記電圧との位相差を算出し、前記位相差に基づいて前記ヒータへの前記交流電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、
   を具備するエネルギー制御装置。
2. 前記プロセッサは、前記位相差が所定の閾値より大きい場合において、前記位相差を減少させる制御を行う、請求項１のエネルギー制御装置。
3. 前記プロセッサは、前記位相差が前記所定の閾値より大きい場合において、前記エネルギー出力源での前記交流電気エネルギーの出力における周波数を変化させることにより、前記位相差を減少させる、請求項２のエネルギー制御装置。
4. 可変コイル及び可変コンデンサの少なくとも一方を備え、前記エネルギー出力源から前記ヒータへの前記交流電気エネルギーの供給経路に設けられるマッチング回路をさらに具備し、
   前記プロセッサは、前記位相差が前記所定の閾値より大きい場合において、前記マッチング回路での前記可変コイルのインダクタンス及び／又は前記可変コンデンサの容量を変化させることにより、前記位相差を減少させる、請求項２のエネルギー制御装置。
5. 前記プロセッサは、前記位相差が所定の閾値より大きいことに基づいて、前記エネルギー出力源からの前記交流電気エネルギーの出力を停止する、請求項１のエネルギー制御装置。
6. ヒータで発生した熱を用いて処置対象を処置するエネルギー処置具とともに用いられるエネルギー制御装置であって、
   前記ヒータに供給される交流電気エネルギーを出力するエネルギー出力源と、
   前記ヒータが設置される設置面上に設けられる一対の電極間のインピーダンス、又は、前記設置面上に設けられる電極と前記ヒータとの間のインピーダンスを検出する検出器と、
   前記検出器で検出された前記電極間の前記インピーダンス又は前記電極と前記ヒータとの間のインピーダンスに基づいて、前記ヒータへの前記交流電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、
   を具備するエネルギー制御装置。
7. 前記プロセッサは、前記一対の電極間の前記インピーダンス又は前記電極と前記ヒータとの間の前記インピーダンスが所定の閾値より小さいことに基づいて、前記エネルギー出力源からの前記交流電気エネルギーの出力を停止する、請求項６のエネルギー制御装置。
8. 交流電気エネルギーが供給されることにより熱を発生するヒータと、
   前記ヒータが設置される設置面と、
   前記ヒータで発生した前記熱が前記設置面から伝達され、伝達された熱を処置対象に付与する処置面と、
   を具備し、
   前記設置面上に設けられ、前記設置面上の状態変化に対応して互いの間のインピーダンスが変化する一対の電極、又は、
   前記設置面上に設けられ、前記設置面上の前記状態変化に対応して前記ヒータとの間のインピーダンスが変化する電極、
   をさらに具備するエネルギー処置具。
9. 前記一対の電極のそれぞれは、前記設置面上において前記ヒータに対して外側に位置する、請求項８のエネルギー処置具。

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