JPWO2017065067A1 - 有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタ - Google Patents

有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタ Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017065067A1
JPWO2017065067A1 JP2017545168A JP2017545168A JPWO2017065067A1 JP WO2017065067 A1 JPWO2017065067 A1 JP WO2017065067A1 JP 2017545168 A JP2017545168 A JP 2017545168A JP 2017545168 A JP2017545168 A JP 2017545168A JP WO2017065067 A1 JPWO2017065067 A1 JP WO2017065067A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
group
electrode
electrode material
organic semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017545168A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6368865B2 (ja
Inventor
梅田　賢一
賢一 梅田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP6368865B2 publication Critical patent/JP6368865B2/ja
Publication of JPWO2017065067A1 publication Critical patent/JPWO2017065067A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本発明の課題は、優れた電極パターンを形成することができる有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタを提供することである。
本発明の有機半導体デバイス用電極材料は、無機ナノ粒子、有機π共役系配位子および水を含有する有機半導体デバイス用電極材料であって、
有機π共役系配位子が、親水性の置換基を少なくとも１個有する配位子であり、
フッ素系界面活性剤を０．０００５〜１５質量％含有し、
誘電率が２０以上３０以下の表面張力調整剤を含有する。

Description

本発明は、有機半導体デバイス用電極材料に関する。
有機半導体材料を用いたデバイス（以下、「有機半導体デバイス」ともいう。）は、従来のシリコンなどの無機半導体材料を用いたデバイスと比較して、様々な優位性が見込まれているため、高い関心を集めている。
有機半導体デバイスとしては、例えば、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ：Organic thin film transistor）、および、有機薄膜太陽電池（ＯＰＶ：Organic photovoltaics）などが知られている。
また、このような有機半導体デバイスは、導電回路または電極の形成材料として、金属ナノ粒子などの無機ナノ粒子と分散媒とを含む分散液（導電性ナノインク）を用いることが知られている。
例えば、特許文献１には、「無機ナノ粒子と、有機π共役系配位子と、溶媒と、を含むナノインク組成物であって、無機ナノ粒子に有機π共役系配位子がπ接合し、強いπ接合と粒子間の接近により導電性を有することを特徴とするナノインク組成物。」が記載されている（［請求項１］）。
また、特許文献２には、有機薄膜太陽電池の製造方法において、金属ナノ粒子と有機π接合配位子を含む分散媒を用いて裏面電極層を形成することが記載されている（［請求項１］［請求項２］）。
国際公開第２０１１／１１４７１３号 特開２０１４−２３６０６４号公報
本発明者は、特許文献１および２に記載されたナノインク組成物および分散媒について検討したところ、水を含有する溶媒または分散媒を用いた場合には、有機半導体の種類によっては電極パターンを形成することが困難となることを明らかとした。
そこで、本発明は、優れた電極パターンを形成することができる有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、フッ素系界面活性剤を所定量配合し、特定の表面張力調整剤を含有する有機半導体デバイス用電極材料を用いると、優れた電極パターンを形成することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
［１］ 無機ナノ粒子、有機π共役系配位子および水を含有する有機半導体デバイス用電極材料であって、
有機π共役系配位子が、親水性の置換基を少なくとも１個有する配位子であり、
フッ素系界面活性剤を０．０００５〜１５質量％含有し、
誘電率が２０以上３０以下の表面張力調整剤を含有する、有機半導体デバイス用電極材料。
［２］ 表面張力調整剤の含有量が、有機半導体デバイス用電極材料の全体積に対して５０体積％以下である、［１］に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
［３］ 無機ナノ粒子が、金属ナノ粒子である、［１］または［２］に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
［４］ 金属ナノ粒子が、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、マンガン、ルテニウム、インジウム、ロジウム、錫および亜鉛からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、［３］に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
［５］ 有機π共役系配位子が有する親水性の置換基が、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アミド基、イミド基、ホスホン酸基、スルホン酸基、シアノ基、チオール基、ニトロ基、エーテル基、および、これらの塩からなる群から選択される少なくとも１つである、［１］〜［４］のいずれかに記載の有機半導体デバイス用電極材料。
［６］ 有機π共役系配位子が、ポルフィリン、フタロシアニン、ナフタロシアニンおよびこれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である、［１］〜［５］のいずれかに記載の有機半導体デバイス用電極材料。
［７］ 表面張力調整剤が、イソプロパノール、エタノールおよびメトキシエタノールから群から選択される少なくとも１種のアルコール系溶媒である、［１］〜［６］のいずれかに記載の有機半導体デバイス用電極材料。
［８］ 基板上に電極パターンを形成する電極パターンの形成方法であって、
基板上に、［１］〜［７］のいずれかに記載の有機半導体デバイス用電極材料を塗布し、塗膜を形成する塗膜形成工程を有する、電極パターンの形成方法。
［９］ 塗膜形成工程の前に、電極パターンを形成する領域の外周部にバンクを形成するバンク形成工程を有する、［８］に記載の電極パターンの形成方法。
［１０］ ［１］〜［７］のいずれかに記載の有機半導体デバイス用電極材料を用いて形成された電極を備える、有機薄膜トランジスタ。
［１１］ ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、有機半導体層と、有機半導体層上に配置されたソース電極およびドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタであって、
ソース電極およびドレイン電極のいずれか一方または両方が、［１］〜［７］のいずれかに記載の有機半導体デバイス用電極材料を用いて形成された電極である、［１０］に記載の有機薄膜トランジスタ。
［１２］ 有機半導体層が疎水性の置換基を有する、［１１］に記載の有機薄膜トランジスタ。
本発明によれば、優れた電極パターンを形成することができる有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタを提供することができる。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
［有機半導体デバイス用電極材料］
本発明の有機半導体デバイス用電極材料（以下、「本発明の電極材料」と略す。）は、無機ナノ粒子、有機π共役系配位子および水を含有する。
また、本発明の電極材料は、有機π共役系配位子として、親水性の置換基（以下、「親水性置換基」ともいう。）を少なくとも１個有する配位子を用いる。
また、本発明の電極材料は、フッ素系界面活性剤を０．０００５〜１５質量％含有する。
また、本発明の電極材料は、誘電率が２０以上３０以下の表面張力調整剤を含有する。
本発明の電極材料は、上述した通り、フッ素系界面活性剤を所定量配合し、特定の表面張力調整剤を含有する有機半導体デバイス用電極材料を用いると、形成される電極パターンが良好となる。
これは、詳細には明らかではないが、本発明者は以下のように推測している。
すなわち、本発明者は、溶媒または分散媒として水を用いた場合において良好な電極パターンを形成するには、電極材料の表面張力を下げる必要があると考えた。
そして、本発明者は、水との相溶性の観点から、誘電率が２０〜３０の表面張力調整剤を配合することを検討したところ、水よりも沸点が低い表面張力調整剤を配合した場合には、有機半導体層などの基材に塗布した後に表面張力調整剤のみが揮発し、基材に対する濡れ性が徐々に失われてしまうことを明らかとした。
そのため、本発明においては、誘電率が２０〜３０の表面張力調整剤によって表面張力を下げ、かつ、フッ素系界面活性剤を所定量配合することによって表面張力調整剤の揮発を抑制し、表面張力調整剤と水との揮発レベルを調整することが可能となったため、形成される電極パターンが良好になったと考えられる。
次に、本発明の電極材料が含有する無機ナノ粒子、有機π共役系配位子、水、フッ素系界面活性剤および表面張力調整剤について詳述する。
〔無機ナノ粒子〕
本発明の電極材料が含有する無機ナノ粒子は特に限定されず、従来公知の金属ナノ粒子、金属酸化物粒子などを用いることができる。
本発明においては、形成される電極の導電性が良好となる理由から、無機ナノ粒子は、金属ナノ粒子であるのが好ましく、具体的には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ロジウム（Ｒｈ）、錫（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む金属ナノ粒子であるのがより好ましい。
これらのうち、実用化およびコストの観点から、ＡｇまたはＣｕを含有する金属ナノ粒子であるのが好ましい。なお、Ｃｕを含有する場合、耐酸化性の観点から、Ｃｕより高い還元電位を有する金属元素（Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ）を更に含有するのが好ましい。
Ａｇ原料としては、具体的には、例えば、Ａｇ（ＮＯ3）、ＡｇＣｌ、Ａｇ（ＨＣＯＯ）、Ａｇ（ＣＨ3ＣＯＯ）、Ａｇ（ＣＨ3ＣＨ2ＣＯＯ）、Ａｇ2ＣＯ3、Ａｇ2ＳＯ4等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
Ｃｕ原料としては、具体的には、例えば、Ｃｕ（ＮＯ3）2、ＣｕＣｌ2、Ｃｕ（ＨＣＯＯ）2、Ｃｕ（ＣＨ3ＣＯＯ）2、Ｃｕ（ＣＨ3ＣＨ2ＣＯＯ）2、ＣｕＣＯ3、ＣｕＳＯ4、Ｃ5Ｈ7ＣｕＯ2等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
一方、金属酸化物粒子としては、具体的には、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子、アルミニウムによりドープされていてもよい酸化亜鉛（ＡｌによりドープされてもよいＺｎＯ）粒子、フッ素ドープ二酸化スズ（ＦドープＳｎＯ2）粒子、ニオブドープ二酸化チタン（ＮｂドープＴｉＯ2）粒子などが挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
このような無機ナノ粒子の平均粒子径は、粒子を構成する材料によっても異なるため特に限定されないが、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのが好ましい。
ここで、無機ナノ粒子の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）を用いて、分散媒中の無機ナノ粒子の粒子径を測定して求めることができる。例えば、ＴＥＭの画像で観察される粒子のうち、重なっていない独立した３００個の金属ナノ粒子の粒子径を計測して、平均粒子径を算出することができる。
〔有機π共役系配位子〕
本発明の電極材料が含有する有機π共役系配位子は、親水性置換基を有する有機π共役系配位子であれば、特に限定されない。
ここで、親水性置換基とは、「有機概念図」（甲田善生著・三共出版、１９８４年）における有機性（Ｏ値）および無機性（Ｉ値）を用いたＩ／Ｏ値が０．５以上の置換基をいう。
親水性置換基としては、具体的には、例えば、ヒドロキシル基（Ｉ／Ｏ値：∞）、アルデヒド基（Ｉ／Ｏ値：１．６２５）、カルボキシル基（Ｉ／Ｏ値：∞）、エステル基（Ｉ／Ｏ値：１．５）、アミノ基（Ｉ／Ｏ値：∞）、ジメチルアミノ基（Ｉ／Ｏ値：１．７５）、アミド基（Ｉ／Ｏ値：１．６８）、イミド基（Ｉ／Ｏ値：２）、ホスホン酸基（Ｉ／Ｏ値：１９．２５）、スルホン酸基（Ｉ／Ｏ値：∞）、シアノ基（Ｉ／Ｏ値：１．７５）、チオール基（Ｉ／Ｏ値：０．５）、ニトロ基（Ｉ／Ｏ値：１）、エーテル基（Ｉ／Ｏ値：０．５）、これらの塩などが挙げられ、これらを１個単独または２個以上を併用して有していてもよい。
これらのうち、水に限らず様々な溶媒への溶解性の観点から、ジメチルアミノ基、アミド基、シアノ基、アルデヒド基であるのが好ましい。
本発明においては、上記有機π共役系配位子は、上述した無機ナノ粒子と近接しやすいなどの理由から、ポルフィリン、フタロシアニン、ナフタロシアニンおよびこれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の配位子であるのが好ましい。
また、上記有機π共役系配位子は、配位基として、ホスフィン基、ハロゲン基、セレノール基、スルフィド基、セレノエーテル基等の置換基を有していてもよい。
また、上記有機π共役系配位子は、上述した無機ナノ粒子の仕事関数を増加させることができる理由から、電子吸引性基を有していてもよい。
電子吸引性基としては、具体的には、例えば、トシル基（−Ｔｓ）、メシル基（−Ｍｓ）、フェニル基（−Ｐｈ）、アシル基（−Ａｃ）、ハロゲン基（例えば、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉなど）、ハロゲン化アルキル基〔−Ｒ−Ｘ（Ｒはアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す）〕、ハロゲン化アルキルチオ基〔−Ｓ−Ｒ−Ｘ（Ｒはアルキレン基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す）〕、ハロゲン化アリール基〔−Ａｒ−Ｘ（Ａｒはアリール基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す）〕、ハロゲン化アリールチオ基〔−Ｓ−Ａｒ−Ｘ（Ａｒはアリール基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す）〕等が挙げられ、これらの官能基を１個単独で有していてもよく、２個以上または２種以上を有していてもよい。
このような有機π共役系配位子としては、具体的には、例えば、２，３，１１，１２，２０，２１，２９，３０−オクタキス［（２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル）チオ］ナフタロシアニン」（以下「ＯＴＡＮ」と略す。）；２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４−オクタキス［（２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル）チオ］フタロシアニン」（以下、「ＯＴＡＰ」と略す。）；２，３，１１，１２，２０，２１，２９，３０−ナフタロシアニンオクタカルボン酸（以下、「ＯＣＡＮ」と略す。）；等が挙げられる。
これらのうち、以下に構造式を示す、ＯＴＡＮまたはＯＴＡＰであるのが好ましい。

本発明においては、有機π共役系配位子が、２５℃における水溶性が０．１〜１００ｇ／１００ｍｌであるのが好ましく、１〜５０ｇ／１００ｍｌであるのがより好ましい。
なお、溶解補助剤として、ギ酸および酢酸等の酸、または、ＮａＯＨおよびＫＯＨ等のアルカリを１％程度加えてもよい。
本発明においては、有機π共役系配位子の含有量は、０．００１〜１０質量％であるのが好ましく、０．０１〜５質量％であるのがより好ましい。
〔水〕
本発明の電極材料は、水を含有する。
水の含有量は特に限定されないが、有機半導体デバイス用電極材料の全体積に対して１０〜９０体積％であるのが好ましく、２０〜８０体積％であるのがより好ましい。
また、水と後述する表面張力調整剤との体積比率（水：表面張力調整剤）は、１：３〜３：１であるのが好ましく、１：２〜２：１であるのがより好ましい。
〔フッ素系界面活性剤〕
本発明の電極材料が含有するフッ素系界面活性剤は特に限定されず、例えば、分子内にパーフルオロアルキル基を有する界面活性剤を用いることができる。
上記フッ素系界面活性剤としては、例えば、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルスルホン酸塩、パーフルオロアルキルリン酸エステル等のアニオン型；パーフルオロアルキルベタイン等の両性型；パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩等のカチオン型；パーフルオロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキル基及び親水性基を含有するオリゴマー、パーフルオロアルキル基及び親油性基を含有するオリゴマー、パーフルオロアルキル基、親水性基及び親油性基を含有するオリゴマー、パーフルオロアルキル基及び親油性基を含有するウレタン等のノニオン型；などが挙げられる。
このようなフッ素系界面活性剤としては、市販品を用いることができる。
市販品としては、具体的には、例えば、ノベック ＦＣ−４４３０、ＦＣ−４４３２（以上、住友スリーエム社製）、ＺＯＮＹＬ ＦＳＯ−１００、ＦＳＮ−１００、ＦＳ−３００、ＦＳＯ（以上、デュポン社製）、エフトップ ＥＦ−１２２Ａ、ＥＦ−３５１，３５２８０１、８０２（ジェムコ社製）、メガファック Ｆ−４７０、Ｆ−１４０５、Ｆ４７４、Ｆ−４４４（ＤＩＣ社製）、サーフロンＳ−１１１、Ｓ−１１２、Ｓ−１１３、Ｓ１２１、Ｓ１３１、Ｓ１３２、Ｓ−１４１、Ｓ−１４５（旭硝子社製）、フタージェントシリーズ（ネオス社製）、フルオラッド（Ｆｌｕｏｒａｄ）ＦＣシリーズ（ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチュアリング・カンパニー社製）、モンフロール（Ｍｏｎｆｌｏｒ）（インペリアル・ケミカル・インダストリー社製）、リコベット（Ｌｉｃｏｗｅｔ）ＶＰＦシリーズ（ファルベベルケ・ヘキスト社製）が挙げられる。
これらのうち、ＺＯＮＹＬ ＦＳ−３００が好ましい。
本発明においては、フッ素系界面活性剤の含有量は、０．０００５〜１５質量％であり、０．１〜１５質量％であるのが好ましく、１〜１２質量％であるのがより好ましい。
〔表面張力調整剤〕
本発明の電極材料が含有する表面張力調整剤は、誘電率が２０以上３０以下の表面張力調整剤である。
ここで、誘電率とは、物質に電場を印加したときに、物質中の原子がどの程度応答するかを示す物理量である。
また、誘電率は、一般に複素数のテンソル量で与えられ、本明細書においては、屈折計により測定される屈折率を二乗したもの、ならびに、「Handbook of optical constans」、「Landol t-Boernstein Group3 Volume15 SubvolumeB」および「丸善 新実験化学講座 第３版 １４巻Ｖ ２５９２頁」に記載の文献値を用いることができる。
表面張力調整剤の誘電率は、２０以上３０以下であるのが好ましい。
このような表面張力調整剤としては、具体的には、例えば、イソプロパノール（以下、「ＩＰＡ」と略す。）〔誘電率ε＝２１．８〕、エタノール〔誘電率ε＝２４〕、メトキシエタノール〔誘電率ε＝３０〕等のアルコール系溶媒、および、アセトン〔誘電率ε＝２１〕等のケトン類などが挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明においては、表面張力調整剤の含有量は、有機半導体デバイス用電極材料の全体積に対して５０体積％以下であるのが好ましく、１０〜５０体積％であるのがより好ましい。
〔調製方法〕
本発明の電極材料の調製方法は特に限定されず、例えば、上述した各成分を混合することにより調製することができるが、混合時にリガンド置換させることにより、無機ナノ粒子の表面に有機π共役系配位子を配位させて調製するのが好ましい。
［電極パターンの形成方法］
本発明の電極パターンの形成方法は、基板上に上述した本発明の電極材料を塗布し、塗膜を形成する塗膜形成工程を有する形成方法である。
ここで、電極パターンを形成する基板は特に限定されず、例えば、有機薄膜トランジスタにおける電極を形成する場合には、絶縁膜および後述する有機半導体層などが挙げられる。
また、基板上に塗布する方法は特に限定されず、例えば、印刷法（例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、インプリント法など）、スピンコーティング法、スリットコーティング法、スリットアンドスピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法等が挙げられる。
本発明の電極パターンの形成方法は、形成される電極パターンがより良好となる理由から、上記塗膜形成工程の前に、電極パターンを形成する領域の外周部にバンクを形成するバンク形成工程を有しているのが好ましい。
ここで、バンクを構成する材料としては、具体的には、例えば、ポリイミド、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、テフロン（登録商標）樹脂等が挙げられ、中でも、撥液性および耐熱性の観点から、ポリイミドが好ましい。
また、バンクを形成する方法としては、例えば、ドライレジストを含む感光性レジスト、ポリイミド、感光性ガラス等を用いた紫外線照射によるパターニングと現像を利用する方法；アルカリ現像が可能なポリイミド上にレジストを積層塗布し、紫外線照射によるパターニングと現像を利用する方法；スクリーン印刷、または、ディスペンサーもしくはインクジェットによるパターン印刷と、印刷後の紫外線架橋とを利用する方法；などが挙げられる。
［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した本発明の電極材料を用いて形成された電極を備える有機薄膜トランジスタである。
このような有機薄膜トランジスタの好適態様としては、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、有機半導体層と、有機半導体層上に配置されたソース電極およびドレイン電極とを有するトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極のいずれか一方または両方が本発明の電極材料を用いて形成された電極である有機薄膜トランジスタが挙げられる。
具体的には、ゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置された有機半導体層と、有機半導体層上に配置されたソース電極およびドレイン電極とを有するボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極のいずれか一方または両方が本発明の電極材料を用いて形成された電極である有機薄膜トランジスタが挙げられる。
より具体的には、図１に示すように、基板１と、基板１上に配置されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に配置された有機半導体層６と、有機半導体層６上に配置されたソース電極４およびドレイン電極５と、各部材を覆う任意の封止層７を備える有機薄膜トランジスタ１０が好適に挙げられる。
次に、本発明の好適態様である有機薄膜トランジスタが有する基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層ならびに任意の封止層について詳述する。
〔基板〕
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
〔ゲート電極〕
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
また、本発明においては、ゲート電極の材料として、ソース電極およびドレイン電極のいずれか一方または両方と同様、本発明の電極材料を用いてもよい。
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
〔ゲート絶縁膜〕
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
〔ソース電極およびドレイン電極〕
ソース電極およびドレイン電極のいずれか一方または両方は、本発明の電極材料を用いて、例えば、上述した本発明の電極パターンの形成方法を用いて形成されたものである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜１００μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、５０〜５００μｍであることが好ましい。
〔有機半導体層〕
有機半導体層を構成する有機半導体材料としては特に制限されず、有機半導体トランジスタの有機半導体層として利用される公知の材料が利用可能である。具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類；アセン類；ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｏ［３，２−ｂ］、ｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＢＴＢＴ）４、ｄｉｎａｐｈｔｈｏ［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］ｔｈｉｅｎｏ［３，２−ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＤＮＴＴ）等のチエノアセン類；ポルフィリン類；ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン）等のアントラジチオフェン類；ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類；Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類；ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類；ルブレン類；Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類；銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類；Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類；ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類；等が例示される。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
本発明においては、本発明の効果が顕著となる理由から、有機半導体層が疎水性の置換基（以下、「疎水性置換基」ともいう。）を有している態様が好ましい。
ここで、疎水性置換基とは、「有機概念図」（甲田善生著・三共出版、１９８４年）における有機性（Ｏ値）および無機性（Ｉ値）を用いたＩ／Ｏ値が０．２５以下の置換基をいう。
疎水性置換基としては、具体的には、例えば、メチル基（Ｉ／Ｏ値：０）、エチル基（Ｉ／Ｏ値：０）、プロピル基（Ｉ／Ｏ値：０）等の脂肪族炭化水素基、および、フェニル基（Ｉ／Ｏ値：０．１２５）等の芳香族炭化水素基が挙げられる。
有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、有機半導体材料を溶媒に溶解させた有機半導体用組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
〔封止層〕
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
〔実施例１〕
＜無機ナノ粒子／有機π共役系配位子＞
特許文献１（国際公開第２０１１／１１４７１３号）の実施例２（［００４９］〜［００５２］段落）に記載された方法に従い、金ナノ粒子の表面にＯＴＡＮ（配位子：フタロシアニン）が配位したＯＴＡＮ保護π接合金属ナノ粒子水溶液を調製した。
＜電極材料の調製＞
先に調製したＯＴＡＮ保護π接合金属ナノ粒子水溶液に対して、フッ素系界面活性剤（ＺＯＮＹＬ ＦＳ−３００、デュポン社製）と、表面張力調整剤としてＩＰＡ（誘電率：２１．８）とを、下記表１に示す含有量となるように添加し、混合することにより、電極材料を調製した。
なお、ＯＴＡＮ保護π接合金属ナノ粒子水溶液の溶媒（水）と表面張力調整剤との体積比率（水：表面張力調整剤）は１：１となるように調製した。
＜有機薄膜トランジスタの作製＞
Ｎ＋シリコン基板の表面に厚さ３５０ｎｍの熱酸化膜を設けた基板上に、下記式で表されるＣ８−ＢＴＢＴ（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）の含有量が０．４質量％となるクロロホルム溶液を３０００ｒｐｍでスピンコートして塗膜を形成し、８０℃で乾燥させ、有機半導体層を形成した。
次いで、有機半導体層上に、ディスペンサー（Ｍｕｓａｓｈｉ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｉｍａｇｅ Ｍａｓｔｅｒ ３５０ ＰＣ）を用いて、ＴｅｆｌｏｎＨ ＡＦ １６００（デュポン社製）を電極パターン形成部の周囲にパターン状に塗布し、バンクを形成した。
次いで、バンクに囲まれた有機半導体上に、インクジェット装置（ＤＭＰ２８３０、ＤＩＭＡＴＩＸ製）を用いて、電極材料を塗布してソース電極およびドレイン電極を形成し、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
〔実施例２〜４および比較例１〜６〕
界面活性剤の種類および表面張力調整剤の種類ならびにバンク形成の有無を下記表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法で、有機薄膜トランジスタを作製した。
なお、下記表１中、「−」の表記は、該当する項目（界面活性剤または表面張力調整剤）を使用していないことを示す。
また、比較例６で使用する非イオン系界面活性剤は、日信化学工業社製のオルフィンＰＤ００２Ｗである。
〔実施例５および比較例７〜８〕
無機ナノ粒子の表面に有機π共役系配位子が配位した分散液として金属インク（Ｄｒｙｃｕｒｅ Ａｕ、コロイダルインク社製）水溶液を用い、界面活性剤の種類および表面張力調整剤の種類を下記表２に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法で、有機薄膜トランジスタを作製した。
〔実施例６および比較例９〜１０〕
無機ナノ粒子の表面に有機π共役系配位子が配位した分散液として、金属インク（Ｄｒｙｃｕｒｅ Ａｇ、コロイダルインク社製）水溶液を用い、界面活性剤の種類および表面張力調整剤の種類を下記表２に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法で、有機薄膜トランジスタを作製した。
〔評価〕
（１）パターン評価
作製した有機薄膜トランジスタについて、ソース電極およびドレイン電極の各電極パターンを目視で観察した。
その結果、電極パターンが連続膜となり、かつ、電極パターンの端部が直線状となっているものを「Ａ」と評価し、電極パターンが連続膜となり、かつ、電極パターンの端部が電極材料を塗布した際のドットに由来した波形状となっているものを「Ｂ」と評価し、電極パターンが連続膜となっていないものを「Ｃ」と評価した。結果を下記表１および２に示す。
（２）電極性能
作製した有機薄膜トランジスタについて、半導体パラメータアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ４１５５、Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用いてＴＦＴ特性を測定した。
その結果、Ｏｎ−Ｏｆｆ比が４桁以上かつ移動度が０．１ｃｍ2・Ｖ．ｓ以上のものを「Ａ」と評価し、Ｏｎ−Ｏｆｆ比が４桁未満または移動度が０．１ｃｍ2・Ｖ．ｓ未満のものを「Ｂ」と評価した。結果を下記表１および２に示す。
表１および表２に示す通り、表面張力調整剤を配合しない場合、または、誘電率が２０〜３０の範囲外となる表面張力調整剤を配合した場合は、電極パターンが悪くなり、また、電極性能も劣ることが分かった（比較例１〜３）。
また、フッ素系界面活性剤を配合しない場合は、非イオン系の界面活性剤の有無を問わず、電極パターンが悪くなり、また、電極性能も劣ることが分かった（比較例４および６〜１０）。
また、フッ素系界面活性剤を２０質量％配合した場合には、電極パターンは良好であったが、電極性能が劣るため、実用上使用できないことが分かった（比較例５）。
これに対し、フッ素系界面活性剤を所定量配合し、かつ、誘電率が２０以上３０以下の表面張力調整剤を配合した場合には、電極パターンが良好となり、また、優れた電極性能も維持できることが分かった（実施例１〜６）。
１：基板
２：ゲート電極
３：ゲート絶縁膜
４：ソース電極
５：ドレイン電極
６：有機半導体層
７：封止層
１０：有機薄膜トランジスタ

Claims (12)

  1. 無機ナノ粒子、有機π共役系配位子および水を含有する有機半導体デバイス用電極材料であって、
    前記有機π共役系配位子が、親水性の置換基を少なくとも１個有する配位子であり、
    フッ素系界面活性剤を０．０００５〜１５質量％含有し、
    誘電率が２０以上３０以下の表面張力調整剤を含有する、有機半導体デバイス用電極材料。
  2. 前記表面張力調整剤の含有量が、有機半導体デバイス用電極材料の全体積に対して５０体積％以下である、請求項１に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
  3. 前記無機ナノ粒子が、金属ナノ粒子である、請求項１または２に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
  4. 前記金属ナノ粒子が、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、マンガン、ルテニウム、インジウム、ロジウム、錫および亜鉛からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、請求項３に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
  5. 前記有機π共役系配位子が有する親水性の置換基が、ヒドロキシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アミド基、イミド基、ホスホン酸基、スルホン酸基、シアノ基、チオール基、ニトロ基、エーテル基、および、これらの塩からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
  6. 前記有機π共役系配位子が、ポルフィリン、フタロシアニン、ナフタロシアニンおよびこれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
  7. 前記表面張力調整剤が、イソプロパノール、エタノールおよびメトキシエタノールから群から選択される少なくとも１種のアルコール系溶媒である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機半導体デバイス用電極材料。
  8. 基板上に電極パターンを形成する電極パターンの形成方法であって、
    基板上に、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体デバイス用電極材料を塗布し、塗膜を形成する塗膜形成工程を有する、電極パターンの形成方法。
  9. 前記塗膜形成工程の前に、電極パターンを形成する領域の外周部にバンクを形成するバンク形成工程を有する、請求項８に記載の電極パターンの形成方法。
  10. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体デバイス用電極材料を用いて形成された電極を備える、有機薄膜トランジスタ。
  11. ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、有機半導体層と、前記有機半導体層上に配置されたソース電極およびドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタであって、
    前記ソース電極および前記ドレイン電極のいずれか一方または両方が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体デバイス用電極材料を用いて形成された電極である、請求項１０に記載の有機薄膜トランジスタ。
  12. 前記有機半導体層が疎水性の置換基を有する、請求項１１に記載の有機薄膜トランジスタ。
JP2017545168A 2015-10-14 2016-10-05 有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタ Active JP6368865B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015202977 2015-10-14
JP2015202977 2015-10-14
PCT/JP2016/079608 WO2017065067A1 (ja) 2015-10-14 2016-10-05 有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6368865B2 JP6368865B2 (ja) 2018-08-01
JPWO2017065067A1 true JPWO2017065067A1 (ja) 2018-08-16

Family

ID=58518043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017545168A Active JP6368865B2 (ja) 2015-10-14 2016-10-05 有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10270049B2 (ja)
JP (1) JP6368865B2 (ja)
WO (1) WO2017065067A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6923351B2 (ja) * 2017-04-26 2021-08-18 株式会社Ｃ−Ｉｎｋ 積層体
JP2018184553A (ja) * 2017-04-26 2018-11-22 株式会社Ｃ−Ｉｎｋ インク組成物および積層体
JP7496090B2 (ja) 2019-02-28 2024-06-06 積水化学工業株式会社 薄片化黒鉛及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168797A (ja) * 2007-12-20 2009-07-30 Canon Inc π共役配位子固定電極、π共役金属錯体固定電極、およびπ共役多核金属錯体固定電極の製造方法
WO2011114713A1 (ja) * 2010-03-15 2011-09-22 国立大学法人筑波大学 ナノインク組成物
JP2014236064A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 三井化学株式会社 有機薄膜太陽電池の製造方法および有機薄膜太陽電池
WO2016136364A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 富士フイルム株式会社 有機半導体デバイス用電極材料

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8241709B2 (en) 2007-12-20 2012-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electrode having immobilized π-conjugated ligands, electrode having immobilized π-conjugated metal complexes, and electrode having immobilized π-conjugated multinuclear metal complexes
JP6393937B2 (ja) * 2014-09-05 2018-09-26 Dic株式会社 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ及びトランジスタアレイ
JP6393936B2 (ja) * 2014-09-05 2018-09-26 Dic株式会社 薄膜トランジスタ、トランジスタアレイ、薄膜トランジスタの製造方法及びトランジスタアレイの製造方法
JP6775240B2 (ja) * 2016-06-10 2020-10-28 株式会社Ｃ−Ｉｎｋ めっき下地用の組成物、それによるめっき下地及び金属被膜を形成する方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168797A (ja) * 2007-12-20 2009-07-30 Canon Inc π共役配位子固定電極、π共役金属錯体固定電極、およびπ共役多核金属錯体固定電極の製造方法
WO2011114713A1 (ja) * 2010-03-15 2011-09-22 国立大学法人筑波大学 ナノインク組成物
JP2014236064A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 三井化学株式会社 有機薄膜太陽電池の製造方法および有機薄膜太陽電池
WO2016136364A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 富士フイルム株式会社 有機半導体デバイス用電極材料

Also Published As

Publication number Publication date
US10270049B2 (en) 2019-04-23
WO2017065067A1 (ja) 2017-04-20
JP6368865B2 (ja) 2018-08-01
US20180233684A1 (en) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7443027B2 (en) Electronic device having coalesced metal nanoparticles
TWI604016B (zh) 場效電晶體、組成物及使用其的場效電晶體的製造方法
US8274084B2 (en) Method and structure for establishing contacts in thin film transistor devices
JP4289385B2 (ja) 有機電子デバイス及びその製造方法
JP6368865B2 (ja) 有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタ
WO2007119703A1 (ja) 結晶性有機半導体薄膜の製造方法、有機半導体薄膜、電子デバイスおよび薄膜トランジスタ
TWI462926B (zh) 有機半導體材料、有機半導體組成物、有機薄膜及場效電晶體以及其製造方法
TW200929651A (en) Thin film transistors
CN107408510A (zh) 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置
JP2010174339A (ja) 金属表面の処理方法及び電界効果トランジスタの製造方法
JP6476274B2 (ja) 有機半導体デバイス用電極材料
JP2007188923A (ja) 電界効果型トランジスタおよびそれを用いた画像表示装置
JPWO2013179857A1 (ja) ジオキサアンタントレン系化合物及び電子デバイス
JP2004356538A (ja) 有機半導体トランジスタ
JP2006093539A (ja) 半導体組成物、半導体組成物の分散液および該半導体組成物を用いた薄膜トランジスタ
US9065056B2 (en) Semi-fluoroalkyl group substituted organic semiconductor polymer and organic thin film transistor including the same
JP2018059137A (ja) 金属微粒子、金属微粒子分散体、導電性インク、および電子デバイス
KR101831858B1 (ko) 반도체 조성물
KR102686962B1 (ko) 도전성 조성물, 도전체, 도전체를 포함한 전극 및 전자 소자
US9881713B2 (en) Coating composition for transparent electrode passivation layer and transparent electrode having passivation layer
JP2006245131A (ja) 有機半導体および有機トランジスタ
JP2017149659A (ja) 新規化合物およびそれを含有する半導体材料
KR20230115753A (ko) 도전성 조성물, 도전체, 도전체를 포함한 전극 및 전자 소자
KR101565337B1 (ko) 유기소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기소자
JP2011093827A (ja) 新規な化合物、電界効果トランジスタ、及び太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180410

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180410

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180518

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180612

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180709

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6368865

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250