JPWO2016121040A1 - ターゲット供給装置、その処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置であって、前記金属ターゲットを収容するタンクと、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制する脱水処理されたフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、を備えていてもよい。

Description

本開示は、ターゲット供給装置、その処理装置および処理方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２０１３／０２２１５８７号明細書 米国特許出願公開第２００６／０１９２１５５号明細書 米国特許第７４４９７０３号明細書 米国特許第８３４３４２９号明細書 米国特許出願公開第２０１２／０２９２５２７号明細書

概要

本開示の一態様によるターゲット供給装置は、プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置であって、前記金属ターゲットを収容するタンクと、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制する、脱水処理されたフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、を備えてもよい。

また、本開示の他の態様による処理装置は、プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置の処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内を排気する排気装置と、前記チャンバに設けられたターゲット供給装置と、前記ターゲット供給装置を加熱するヒータと、前記ターゲット供給装置に不活性ガスを供給する圧力調節器と、前記ヒータと前記排気装置と前記圧力調節器とを制御する制御部と、を備え、前記ターゲット供給装置が、前記金属ターゲット材料と、前記金属ターゲットを収容するタンクと、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、を含み、前記制御部が、前記ターゲット供給装置が第１温度となるように前記ヒータを制御するとともに、前記タンク内のガス圧が前記チャンバ内のガス圧よりも高いガス圧となるように前記圧力調節器および前記排気装置を制御してもよい。

また、本開示のさらに他の態様による処理装置は、プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置の処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、前記チャンバに設けられ、前記金属ターゲットを収容するタンクを含むターゲット供給装置と、前記ターゲット供給装置を加熱するヒータと、前記タンク内を排気する排気装置と、前記ヒータと前記排気装置と前記不活性ガス供給部とを制御する制御部と、を備え、前記ターゲット供給装置が、前記金属ターゲット材料と、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、をさらに含み、前記制御部が、前記ターゲット供給装置が第１温度となるように前記ヒータを制御するとともに、前記タンク内のガス圧が前記チャンバ内のガス圧よりも低いガス圧となるように前記不活性ガス供給部および前記排気装置を制御してもよい。

また、本開示のさらに他の態様による処理方法は、プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置の処理方法であって、前記金属ターゲットの表面に生成した酸化物をエッチングし、前記金属ターゲットを収容するタンクを脱水し、前記タンク内に収容されて前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタを脱水し、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルを脱水することを含んでもよい。

また、本開示のさらに他の態様による処理方法は、金属ターゲットを収容するタンクと、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、を備えたターゲット供給装置の処理方法であって、前記金属ターゲットを前記タンク内に収容した状態で前記タンク内に不活性ガスを流すとともに、前記ターゲット供給装置内に吸着した水分が離脱する温度以上の温度であって前記金属ターゲットの融点未満の温度である第１温度となるように前記ターゲット供給装置を加熱することを含んでもよい。

また、本開示のさらに他の態様による処理方法は、金属ターゲットを収容するタンクと、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、を備えたターゲット供給装置の処理方法であって、前記金属ターゲットを前記タンク内に収容した状態で、前記ターゲット供給装置内に吸着した水分が離脱する温度以上の温度であって前記金属ターゲットの融点未満の温度である第１温度となるように前記ターゲット供給装置を加熱し、前記ターゲット供給装置を前記第１温度に加熱した状態で、前記タンク内に対する不活性ガスの充填および排気を１回以上実行することを含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示すＥＵＶ光生成装置に搭載されたターゲット供給部の一例をより具体的に示す模式図である。 図３は、図２におけるフィルタ部周辺の概略構成例を示す断面図である。 図４は、実施形態にかかるターゲット供給部におけるタンク部およびノズル部周辺の構造例を示す断面図である。 図５は、実施形態にかかるインゴットの概略形状を示す図である。 図６は、実施形態にかかる他のインゴットの概略形状を示す図である。 図７は、実施形態にかかるさらに他のインゴットの概略形状を示す図である。 図８は、実施形態にかかるターゲット供給部およびその部品のベーキング処理工程を示すフローチャートである。 図９は、実施形態にかかるターゲット供給部の各部品のベーキング前後における単位面積あたりの吸着水分量の計測結果を示す図である。 図１０は、実施形態にかかるターゲット供給部のベーキング前後における総吸着水分量の計測結果を示す図である。 図１１は、実施形態にかかるベーキング処理装置の概略構成例を示す模式図である。 図１２は、実施形態にかかるベーキング処理の一例を示すフローチャートである。 図１３は、実施形態にかかるベーキング処理を含む工程における圧力変化の例を示すタイミングチャートである。 図１４は、実施形態にかかるベーキング処理を含む工程における温度変化の例を示すタイミングチャートである。 図１５は、実施形態にかかるベーキング条件の例を示す図である。 図１６は、実施形態の変形例１にかかるベーキング処理装置の概略構成例を示す模式図である。 図１７は、実施形態の変形例２にかかるベーキング処理装置の概略構成例を示す模式図である。 図１８は、実施形態の変形例２にかかるベーキング処理の一部を抜粋して例示するフォローチャートである。 図１９は、実施形態の変形例２にかかるベーキング処理を含む工程における圧力変化の例を示すタイミングチャートである。 図２０は、図１１に示すベーキング処理装置をＥＵＶ光生成装置のチャンバに組み込んだ場合の概略構成例を示す模式図である。 図２１は、実施形態にかかるＥＵＶ光生成装置の変形例を示す模式図である。 図２２は、実施形態にかかる脱水処理装置の他の例を示す模式図である。 図２３は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。

実施形態

内容
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．極端紫外光生成装置に搭載されたターゲット供給部
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題
５．ターゲット供給部の構造とベーキング処理工程
５．１ ターゲット供給部の構造
５．２ インゴットの形状
５．３ ターゲット供給部およびその部品のベーキング処理工程
５．４ 作用
６．ターゲット供給部のベーキング処理装置
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
６．４ ベーキング処理装置のバリエーション
６．４．１ 変形例１
６．４．１．１ 構成
６．４．１．２ 動作
６．４．１．３ 作用
６．４．２ 変形例２
６．４．２．１ 構成
６．４．２．２ 動作
６．４．２．３ 作用
７．ターゲット供給部のベーキング処理装置を含むＥＵＶ光生成装置
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
７．４ ベーキング処理装置が組み込まれたＥＵＶ光生成装置のバリエーション
７．４．１ 構成
７．４．２ 動作
７．４．３ 作用
８．その他
８．１ 脱水処理の他の例
８．２ 制御部

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態は、ＥＵＶ光生成装置におけるターゲット供給装置（ターゲット供給部ともいう）、およびそれを処理する処理装置およびその処理方法に関するものであってよい。より具体的には、ターゲット供給装置を脱水処理する装置およびその方法、ならびにそれにより脱水処理されたターゲット供給装置に関するものであってもよい。ただし、本開示はこれらの事項に限定されず、ターゲット材料をドロップレットの形態で供給するためのあらゆる事項に関連するものであってよい。さらに、以下では、脱水処理の一例としてベーキング処理を説明するが、これはその他の脱水処理が用いられることを妨げるものではない。

２．用語の説明
本開示において使用される用語について、以下のように定義する。
「ドロップレット」とは、融解したターゲット材料の液滴であってもよい。その形状は、略球形であってもよい。
「プラズマ生成領域」とは、プラズマが生成される空間として予め設定された３次元空間であってもよい。

３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御装置５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御装置５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

４．極端紫外光生成装置に搭載されたターゲット供給部
つづいて、ＥＵＶ光生成装置に搭載されたターゲット供給部（ターゲット供給装置ともいう）について、より具体的に説明する。

４．１ 構成
図２は、ＥＵＶ光生成装置に搭載されたターゲット供給部の一例をより具体的に示す模式図である。図３は、図２におけるフィルタ部周辺の概略構成例を示す断面図である。なお、図２において、ターゲット供給部以外の構成の一部は、図１を用いて説明した構成と異なっているが、これは、本開示の範囲を限定するものではない。すなわち、ターゲット供給部以外の構成には、図１を用いて説明した構成以外にも、種々の構成を適用することができる。また、図３は、ターゲット流路ＦＬを流れるターゲット材料２７１の移動方向に沿った面での断面構造の一例を示している。

図２に示すように、ターゲット供給部２６は、圧力調節器１２０と、温度可変装置１４０と、制御部５１と、ピエゾ電源１１２と、を含んでもよい。

また、ターゲット供給部２６は、タンク部２６０と、フィルタ部２６１と、ノズル部２６４と、ピエゾ素子１１１とを含んでもよい。

タンク部２６０は、内部に空間が設けられたタンクと、空間を封止する蓋とを含んでもよい。タンク部２６０内の空間には、ターゲット材料２７１が貯蔵されてもよい。ターゲット材料２７１は、錫（Ｓｎ）等の金属材料であってもよい。タンク部２６０のターゲット材料２７１の移動方向下流側には、ノズル部２６４をチャンバ２（図１参照）へ突出させるための凸部２６６が設けられていてもよい。この凸部２６６は、タンク２６０と一体形成されてもよいし、別体であってもよい。

図２および図３に示すように、凸部２６６の内部には、融解したターゲット材料２７１がタンク２６１内からノズル部２６４まで通過するためのターゲット流路ＦＬが形成されていてもよい。したがって、このターゲット流路ＦＬは、タンク２６１内の空間と連通し、且つ、後述するノズル孔２６５と連通していてもよい。

凸部２６６を含むタンク部２６０の材質は、ターゲット材料２７１との反応性が低い材料であってもよい。ターゲット材料２７１との反応性が低い材料は、たとえばモリブデン（Ｍｏ）であってもよい。

ノズル部２６４は、凸部２６６下面の開口を覆うように凸部２６６に設けられてもよい。ノズル部２６４には、ノズル孔２６５が形成されていてもよい。ノズル孔２６５の孔径は、たとえば２〜６μｍであってもよい。ノズル部２６４の材質は、モリブデン（Ｍｏ）であってもよい。

フィルタ部２６１は、タンク部２６０とノズル部２６４との間のターゲット流路ＦＬに配置されてもよい。タンク部２６０とノズル部２６４との間のターゲット流路ＦＬには、フィルタ部２６１を収容するための拡径部が形成されていてもよい。フィルタ部２６１は、この拡径部に隙間なく収容されてもよい。

フィルタ部２６１は、フィルタ２６２とフィルタホルダ２６３とを含んでもよい。フィルタ２６２は、酸化錫や不純物等のパーティクル２７２を濾し取ってよい。このようなフィルタ２６２は、多孔質の部材で構成されてもよい。この多孔質の部材は、多孔質ガラスであってもよい。多孔質ガラスは、酸化アルミニウム・二酸化ケイ素系ガラスを骨格とするガラス多孔体であってもよい。多孔質の孔径は、３〜１０μｍであってもよい。また、フィルタ２６２は、複数の多孔質の板状部材が積層された構造を有してもよい。

多孔質の部材の一部または全部は、キャピラリ管を束ねたアレー状の開口を持つ部材に置き換えられてもよい。キャピラリ管の孔径は、約０．１〜２μｍであってもよい。また、キャピラリ管は、ガラス製であってもよい。

また、図２に示すように、圧力調節器１２０は、ガス配管を介して不活性ガスのボンベ１３０に接続されてもよい。不活性ガスは、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、窒素ガス等であってもよい。また、ボンベ１３０には、供給する不活性ガスの供給圧を調節するバルブが設けられていてもよい。ボンベ１３０から供給された不活性ガスは、圧力調節器１２０から導入管１３１を介してタンク部２６０内の空間に導入されてもよい。また、圧力調節器１２０は、タンク部２６０内のガスを排気する機能を有してもよい。

温度可変装置１４０は、ヒータ１４１と、温度センサ１４２と、ヒータ電源１４３と、温度制御部１４４とを含んでもよい。

温度制御部１４４は、温度センサ１４２とヒータ電源１４３とに接続されてもよい。温度センサ１４２は、タンク部２６０またはタンク部２６０内のターゲット材料２７１の温度を計測するように配置されていてもよい。ヒータ電源１４３は、ヒータ１４１に電気的に接続されていてもよい。ヒータ電源１４３は、温度制御部１４４からの制御に従って、ヒータ１４１に電流を供給してもよい。ヒータ１４１は、タンク部２６０内のターゲット材料２７１を加熱するように配置されていてもよい。たとえば、ヒータ１４１は、タンク部２６０の外側面に配置されていてもよい。

ピエゾ電源１１２は、制御部５１と、ピエゾ素子１１１とに接続されていてもよい。ピエゾ素子１１１は、凸部２６６の側面に設けられてもよい。

制御部５１は、ピエゾ電源１１２、温度制御部１４４、圧力調節器１２０、ＥＵＶ光生成制御装置５およびレーザ装置３に各種信号を送受信可能に接続されてもよい。

その他の構成は、図１に示す構成と同様であってよいため、詳細な説明を省略する。

４．２ 動作
つづいて、図２および図３に示すターゲット供給部２６およびそれを搭載するＥＵＶ光生成装置１の概略動作について説明する。

まず、制御部５１は、ＥＵＶ光生成制御装置５からターゲット出力準備命令を受信してもよい。ターゲット出力準備命令とは、ターゲット材料２７１をチャンバ２内へ供給する準備を開始させるための命令であってもよい。ターゲット出力準備命令を受信すると、制御部５１は、温度制御部１４４へ温度制御の命令を出力してもよい。

温度制御部１４４は、受信した命令に従い、タンク部２６０またはその内部のターゲット材料２７１の温度が所定の温度範囲内に含まれるように、ヒータ電源１４３を駆動してヒータ１４１に電流を供給してもよい。所定の温度範囲とは、たとえばターゲット材料２７１の融点（たとえば錫の融点である２３１．９℃）以上の温度範囲であってもよい。具体的には、２５０℃以上３００℃以下の温度範囲であってもよい。

また、温度制御部１４４は、タンク部２６０またはその内部のターゲット材料２７１の温度が所定の温度範囲内を維持するよう、温度センサ１４２で検出された温度に基づいてヒータ電源１４３を制御してもよい。

その後、制御部５１には、ＥＵＶ光生成制御装置５からターゲット出力命令が入力されてもよい。ターゲット出力命令とは、ターゲット材料２７１をチャンバ２内へ供給するための命令であってもよい。ターゲット出力命令を受信すると、制御部５１は、圧力調節器１２０へ圧力制御の命令を出力してもよい。

圧力調節器１２０は、受信した命令に従い、タンク部２６０内を昇圧してターゲット材料２７１を加圧してもよい。昇圧後のタンク部２６０内のガス圧は、たとえば溶融したターゲット材料２７１がノズル孔２６５からジェット状に噴出する圧力であってもよい。また、圧力調節器１２０は、ターゲット材料２７１がノズル孔２６５からジェット状に噴出する圧力を維持するように、タンク部２６０内のガス圧を制御してもよい。

加圧された液体状のターゲット材料２７１は、ターゲット流路ＦＬを通過する際にフィルタ部２６１によって濾過されてもよい。これにより、ターゲット材料２７１に含まれる酸化錫や不純物等のパーティクル２７２がフィルタ２６２によって濾し取られてもよい。その結果、ノズル部２６４には、詰まり等の原因となるパーティクル２７２が除去されたターゲット材料２７１が供給され得る。

さらに、ターゲット出力命令を受信した制御部５１は、所定波形および所定周波数の振動がノズル孔２６５に伝達するように、ピエゾ電源１１２を駆動してピエゾ素子１１１を振動させてもよい。それにより、ノズル孔２６５から吐出するターゲット材料２７１のジェットが所定サイズおよび所定周期のドロップレット状のターゲット２７に分断され得る。

ドロップレット状のターゲット２７は、プラズマ生成領域２５に到達した際に、パルスレーザ光３３によって照射されてもよい。パルスレーザ光３３の照射によりプラズマ化したターゲット２７からは、ＥＵＶ光２５２が放射し得る。放射したＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ光集光ミラー２３によって中間集光点２９２に集光され、その後、露光装置６（図１参照）に入力されてもよい。

４．３ 課題
以上で例示した構成では、フィルタ部２６１を通過する前からターゲット材料２７１内に存在する酸化錫や不純物等のパーティクル２７２を除去することは可能である。しかしながら、酸化錫等のパーティクル２７２は、フィルタ部２６５の通過時や通過後にも発生する可能性が存在する。この原因の一つとして、フィルタ２６２の孔の表面やフィルタ部２６１からノズル孔２６５までの間の部材表面に吸着している水等が、ターゲット材料と反応して酸化錫が発生することが考えられる。

フィルタ部２６１通過後のターゲット材料２７１に発生したパーティクル２７２は、ノズル孔２６５まで到達し得る。ノズル孔２６５に到達したパーティクル２７２は、ノズル孔２６５を詰まらせ得る。また、ノズル孔２６５の穴径を縮小して、ターゲット軌道を変化させる要因ともなり得る。このように、ノズル孔２６５に到達したパーティクル２７２は、ターゲット２７の安定供給の妨げとなり得る。

そこで以下の実施形態では、ノズル孔２６５に到達し得るパーティクル２７２を低減することが可能なターゲット供給装置、その処理装置および処理方法を例示する。

５．ターゲット供給部の構造とベーキング処理工程
まず、実施形態にかかるターゲット供給部の構造とそのベーキング処理工程について、図面を用いて詳細に説明する。

５．１ ターゲット供給部の構造
実施形態にかかるターゲット供給部の構造は、上述したターゲット供給部２６と同様であってもよい。そこで図４には、ターゲット供給部２６の一部の構造を、実施形態にかかるターゲット供給部の一部の概略構造例として示す。なお、図４には、ターゲット供給部２６におけるタンク部２６０およびノズル部２６４周辺の構造が示されている。

図４に示すように、ターゲット供給部２６のタンク部２６０は、内部に空間が設けられたタンク３０１と、空間を密閉する蓋３０２とを含んでもよい。タンク３０１および蓋３０２の材質は、上述したように、ターゲット材料２７１との反応性が低い材料、たとえばモリブデン（Ｍｏ）であってもよい。

タンク３０１と蓋３０２とは、たとえばボルト３１１を用いて固定されてもよい。蓋３０２とタンク３０１とを固定した状態では、タンク３０１内の空間が、タンク３０１と蓋３０２とが形成する面シールによって封止されてもよい。ただし、蓋３０２には、圧力調節器１２０に連通する導入管１３１が設けられていてもよい。

タンク３０１底部の凸部２６６には、ボルト３１２を用いてノズル部２６４が固定されてもよい。凸部２６６の内部には、タンク３０１内の空間からノズル孔２６５までを連通するターゲット流路ＦＬが設けられてもよい。ターゲット流路ＦＬの拡径部には、フィルタ部２６１が収容されてもよい。

フィルタ部２６１において、フィルタ２６２は、第１フィルタ２６２１と、第２フィルタ２６２２と、第３フィルタ２６２３と、フィルタ支持体２６２４とを含んでもよい。

第１フィルタ２６２１は、たとえば、孔径が約１０μｍの多孔質フィルタであってもよい。このような多孔質フィルタは、酸化アルミニウム・二酸化ケイ素系ガラスを骨格とするガラス多孔体であってもよい。

第２フィルタ２６２２は、たとえば、孔径が約３μｍの多孔質フィルタであってもよい。このような多孔質フィルタは、酸化アルミニウム・二酸化ケイ素系ガラスを骨格とするガラス多孔体であってもよい。

第３フィルタ２６２３は、たとえば、孔径が約０．１〜２μｍのガラス製のキャピラリ管を複数束ねた構造であってもよい。第３フィルタ２６２３の寸法は、たとえば直径２０ｍｍ、厚さ約０．５ｍｍであってもよい。各キャピラリ管の材料は、鉛を含む低融点ガラスであってもよい。また、キャピラリ管におけるターゲット材料２７１と接触する部分は、酸化アルミニウムでコーティングされていてもよい。

フィルタ支持プレート２６２４の材質は、ターゲット材料２７１との反応性が低い材料、たとえばモリブデン（Ｍｏ）であってもよい。このフィルタ支持プレート２６２４には、第１〜第３フィルタ２６２１〜２６２３を通過したターゲット材料２７１がさらに通過する複数の貫通孔が設けられていてもよい。貫通孔の数は、１０〜４０個程度であってもよい。また、貫通孔の孔径は、約１〜２ｍｍであってもよい。

このようなフィルタ２６２は、ターゲット流路ＦＬにおける拡径部に、フィルタホルダ２６３およびシム３１３を用いて隙間なく収容されてもよい。フィルタホルダ２６３の材質は、ターゲット材料２７１との反応性が低い材料、たとえばモリブデン（Ｍｏ）であってもよい。フィルタホルダ２６３には、フィルタ２６１の脱落を防止する返し（Ｂａｒｂ）が設けられていてもよい。

シム３１３は、フィルタホルダ２６２をターゲット流路ＦＬの拡径部にセットした状態でフィルタ２６１と凸部２６６内壁との間に形成される隙間を埋める部材であってもよい。シム３１３の材質は、ターゲット材料２７１との反応性が低い材料、たとえばモリブデン（Ｍｏ）であってもよい。

ノズル部２６４を凸部２６６底部にボルト３１２を用いて固定した状態では、フィルタホルダ２６３とノズル部２６４との接触部分に面シールが形成されてもよい。また、この状態では、フィルタホルダ２６３と凸部２６６内壁との接触部分にも面シールが形成されてもよい。

なお、上記において、同じ金属材料（たとえばＭｏ）が用いられた部材間に形成される面シールは、金属面シールであってもよい。

第１フィルタ２６２１および第２フィルタ２６２２は、液体状のターゲット材料２７１（たとえば液体錫）と反応し難い多孔質のセラミックスであってもよい。多孔質のセラミックスとしては、上述以外では、酸化アルミニウム、炭化珪素、炭化タングステン、窒化アルミニウム、炭化ホウ素等を例示することができる。

また、図４では、フィルタ２６１が複数のフィルタ（第１〜第３フィルタ２６２１〜２６２３）を含む場合を例示したが、フィルタ２６１が１つのフィルタを含む構成であってもよい。その場合、フィルタ２６１を構成する１つのフィルタには、たとえばアルミナセラミックスのフィルタが用いられてもよい。

ノズル部２６４の材質は、モリブデン（Ｍｏ）に限られず、パイレックス（登録商標）ガラスや合成石英ガラス材料等であってもよい。

５．２ インゴットの形状
図４において、タンク３０１内の空間には、ターゲット材料２７１のインゴット２７０が収容され得る。インゴット２７０には、タンク部２６０内の空間に収容された状態でノズル孔２６５から導入管１３１までのガスの通り道を遮らないように、貫通孔や溝等が形成されていてもよい。

図５は、実施形態にかかるインゴットの概略形状を示す図である。図５に示すように、インゴット２７０は、円筒状の形状に、１つ以上の貫通孔４０１と、１つ以上の溝４０２とが形成された形状を有してもよい。貫通孔４０１は、インゴット２７０の上面から底面まで貫通していてもよい。溝４０２は、インゴット２７０の側面を縦断し、且つ、底面の中央付近まで形成されていてもよい。

また、図６および図７は、実施形態にかかる他のインゴットの概略形状を示す図である。図６および図７に例示するインゴット２７０Ａおよび２７０Ｂの直径は、タンク部２６０内の空間の直径よりもある程度小さいものとする。その場合、図６および図７に示すように、円筒状の形状における角部に１つ以上の切欠き部４０４または４０６を形成することでも、ノズル孔２６５から導入管１３１までのガスの通り道を確保することが可能である。

５．３ ターゲット供給部およびその部品のベーキング処理工程
つづいて、実施形態にかかるターゲット供給部およびその部品のベーキング処理工程について、図面を用いて詳細に説明する。

図８は、実施形態にかかるターゲット供給部およびその部品のベーキング処理工程を示すフローチャートである。図８に示すフローチャートは、ターゲット供給部２６を構成する部品の納入からスタートし、組み立てられたターゲット供給部２６が使用可能な状態となるまでを示している。

また、図８では、ターゲット供給部２６を構成する部品として、多孔質フィルタと、ガラス・金属部品と、インゴットとが例示されているが、これらに限定されるものではない。なお、多孔質フィルタには、たとえば多孔質ガラス（たとえば酸化アルミニウム・二酸化ケイ素系ガラスを骨格とするガラス多孔体）、セラミックスフィルタ（アルミナの多孔質フィルタ）等、フィルタ部２６１の構成部品等が含まれてもよい。ガラス部品には、孔径が約０．１〜２μｍのガラス製のキャピラリ管アレイ等、フィルタ部２６１の構成部品等が含まれてもよい。また、ガラス部品には、たとえばノズル部２６４がガラス製の場合にはそのノズル部２６４が含まれてもよい。金属部品には、たとえばタンク部２６０、フィルタホルダ２６３、シム３１３等が含まれてもよい。また、金属部品には、ノズル部２６１が金属製の場合にはそのノズル部２６１が含まれてもよい。

図８に示すように、多孔質フィルタについては、その部品が納入されると（ステップＳ１１）、受入れ検査を経て（ステップＳ１２）、所定の保管場所に保管されてもよい（ステップＳ１３）。所定の保管場所は、比較的低湿度で一定温度範囲に管理された空間でもよい。その後、多孔質フィルタは、単体でのベーキング処理（以下、単体ベーキングという）が施されて表面の水分が除去された後（ステップＳ１４）、窒素雰囲気のデシケータ等に保管されてもよい（ステップＳ１５）。

また、ガラス・金属部品についても、その部品が納入されると（ステップＳ２１）、受入れ検査を経て（ステップＳ２２）、所定の保管場所に保管されてもよい（ステップＳ２３）。その後、ガラス・金属部品は、洗浄処理が施され（ステップＳ２４）、エアブローにて表面の水滴が除去され（ステップＳ２５）、単体ベーキングにて表面の水分が除去された後（ステップＳ２６）、窒素雰囲気のデシケータ等に保管されてもよい（ステップＳ２７）。

また、インゴットについても、納入されると（ステップＳ３１）、受入れ検査を経て（ステップＳ３２）、所定の保管場所に保管されてもよい（ステップＳ３３）。その後、インゴットは、表面に形成された酸化物（たとえば酸化錫）を取り除くエッチング（ピーリング）処理が施され（ステップＳ３４）、エアブローにて表面の水滴が除去され（ステップＳ３５）、単体ベーキングにて表面の水分が除去された後（ステップＳ３６）、窒素雰囲気のデシケータ等に保管されてもよい（ステップＳ３７）。

ここで、各部品に単体ベーキングを施す工程では、熱処理する空間内にパーティクルが少ないクリーンオーブンが使用されてもよい。オーブン内雰囲気は、窒素やアルゴン等の不活性ガスであってもよいし、真空であってもよい。さらに、ベーキング対象の部品が多孔質フィルタ、ガラス部品または金属部品の場合、クリーンオーブンの雰囲気はクリーンドライエアや大気であってもよい。ベーキング温度は、たとえば１１０℃以上であって部品が損傷しない程度までの温度であってもよい。その温度は、たとえば２００℃であってもよい。ベーキング時間は、たとえば６時間程度であってもよい。

インゴット表面の酸化物を取り除くエッチング（ピーリング）処理では、インゴットは、たとえば硫酸と硝酸の混酸に浸漬された後、塩酸でその表面がエッチング（ピーリング）されてもよい。

以上の処理を経てデシケータ等に保管された各部品は、その後、ターゲット供給部２６として組み立てられてもよい（ステップＳ４１）。この組立て作業は、水分の付着やインゴット表面の酸化を鑑み、迅速に行われることが好ましい。また、組立て作業では、ヒータ１４１や温度センサ１４２やピエゾ素子１１１等の部品（図２参照）も組み付けられてもよい。

組み立てられたターゲット供給部２６は、チャンバに取り付けられ（ステップＳ４２）、その状態でターゲット供給部２６内部のベーキング処理が行われてもよい（ステップＳ４３）。取付け先のチャンバは、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２（図２参照）であってもよいし、ベーキング処理専用のチャンバであってもよい。

以上のような工程を経ることで、ターゲット供給部２６が使用可能な状態となってもよい（ステップＳ４４）。

５．４ 作用
以上のように、ターゲット供給部２６の各部品をベーキング処理することによって、部品に吸着していた水を離脱させ得る。特に、比較的表面積が大きい多孔質フィルタをベーキング処理することによって、多孔質中に吸着していた多量の水を離脱させ得る。

また、ターゲット供給部２６の組立て後にもその内部をベーキング処理することで、ターゲット材料２７１と接触する可能性のある水分量をより低減し得る。

ここで、図９に、ターゲット供給部２６の各部品のベーキング前後における単位面積あたりの吸着水分量の計測結果を示す。図９に示すように、実施形態にかかるベーキング処理を行うことで、ターゲット供給部２６の全ての部品に関し、その単位面積あたりの吸着水分量が、ベーキング処理前のそれの半分以下となり得た。たとえば、ベーキング後の多孔質フィルタ表面の単位面積あたりの吸着水分量は２ｍｇ／ｍ^２以下となっている。

また、図１０に、ターゲット供給部２６の各部品のベーキング前後における吸着水分量の計測結果を示す。図１０に示すように、総吸着水分量の大部分を、多孔質フィルタが占めている。実施形態にかかるベーキング処理を行うことで、多孔質フィルタの吸着水分量の半分以上を除去し得る。このことから、特に多孔質フィルタのベーキング処理（脱水処理）が有効であることが分かる。

６．ターゲット供給部のベーキング処理装置
つぎに、組立て後のターゲット供給部のベーキング処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。

６．１ 構成
図１１は、実施形態にかかるベーキング処理装置の概略構成例を示す模式図である。図１１において、図２に示す構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図１１に示すように、ベーキング処理装置５００は、図２に示すターゲット供給部２６が、ベーキング処理用のチャンバ５０２に取り付けられた構成を備えてもよい。ただし、ベーキング処理装置５００では、圧力調節器１２０の代わりに、圧力調節器５１０が用いられてもよい。

圧力調節器５１０は、ガス配管１３２と、２つのバルブ１２３および１２４と、圧力センサ１２２と、圧力制御部１２１とを含んでもよい。ガス配管１３２は、ガスボンベ１３０に接続されてもよい。２つのバルブ１２３および１２４は、ガス配管１３２に設けられてもよい。タンク部２６０に連通する導入管１３１は、ガス配管１３２における２つのバルブ１２３および１２４の間から分岐してもよい。また、ガス配管１３２における一方の端は、排気口１２５として使用されてもよい。

圧力センサ１２２は、導入管１３１に対して設けられてもよい。圧力センサ１２２で検出された圧力値は、圧力制御部１２１に入力されてもよい。圧力制御部１２１は、２つのバルブ１２３および１２４の開閉を制御してもよい。

チャンバ５０２には、カメラ５０８と、排気装置５０４と、圧力センサ５０６とが取り付けられていてもよい。また、チャンバ５０２内には、ターゲット回収部２８が設けられてもよい。

カメラ５０８は、チャンバ５０２内のノズル部２６４から出力されたドロップレット状のターゲット２７を撮像できる位置に配置されてもよい。圧力センサ５０６は、チャンバ５０２内部の圧力を計測できる位置に配置されてもよい。圧力センサ５０６で検出された圧力値は、制御部５１に入力されてもよい。排気装置５０４は、チャンバ５０２内部のガスを排気できるように配置されてもよい。

６．２ 動作
つづいて、図１１に示すベーキング処理装置５００を用いたベーキング処理について、図面を用いて詳細に説明する。

図１２は、実施形態にかかるベーキング処理の一例を示すフローチャートである。図１３および図１４は、実施形態にかかるベーキング処理の処理条件（以下、ベーキング条件という）を説明するための図である。なお、図１３は、実施形態にかかるベーキング処理を含む工程における圧力変化の例を示すタイミングチャートである。図１４は、実施形態にかかるベーキング処理を含む工程における温度変化の例を示すタイミングチャートである。

図１３において、実線Ｐ１は、導入管１３１に取り付けられた圧力センサ１２２で検出された圧力値、すなわちタンク部２６０内のガス圧（以下、タンク内圧力という）Ｐ１の変化を示している。また、破線Ｐ２は、チャンバ５０２に取り付けられた圧力センサ５０６で検出された圧力値、すなわちチャンバ５０２内のガス圧（以下、チャンバ内圧力という）Ｐ２の変化を示している。また、図１４は、タンク部２６０に取り付けられた温度センサ１４２で検出された温度値、すなわちターゲット供給部２６の温度（以下、供給部温度という）Ｔの変化を示している。

図１２に示すように、実施形態にかかるベーキング処理では、まず、制御部５１は、温度調節器１４４に、供給部温度Ｔの目標温度ＴｔをＴｂとして設定してもよい（ステップＳ１０１）。ここで、目標温度Ｔｂは、吸着している水分を除去するために、１１０℃以上であってもよい。より好ましくは、１５０℃以上であってもよい。また、目標温度Ｔｂは、タンク部２６０内にセットされたインゴット２７０が融解しない程度の温度、すなわち錫の融点（２３１．９℃）未満であってもよい。これに対し、温度制御部１４４は、温度センサ１４２から入力された温度値に基づいてヒータ電源１４３からヒータ１４１へ供給する電流を制御することで、供給部温度Ｔを目標温度Ｔｂに調節してもよい。

また、制御部５１は、圧力制御部１２１に、タンク内圧力Ｐ１の目標圧力ＰｔをＰ１ｂとして設定してもよい（ステップＳ１０２）。これに対し、圧力制御部１２１は、バルブ１２３を開き、バルブ１２４を閉じることで、ボンベ１３０から供給された不活性ガス（たとえばＡｒガス）をタンク部２６０内へ送り込んでもよい。その際、圧力制御部１２１は、導入管１３１に取り付けられた圧力センサ１２２からの圧力値に基づいてバルブ１２３および１２４の開閉を制御することで、タンク内圧力Ｐ１を目標圧力Ｐ１ｂに調節してもよい。

つぎに、制御部５１は、排気装置５０４を駆動してチャンバ５０２内を排気してもよい（ステップＳ１０３）。その結果、図１３のタイミングｔ１以前に示すように、チャンバ内圧力Ｐ２がＰ２ｂとなってもよい。タンク内圧力Ｐ１＝Ｐ１ｂがチャンバ内圧力Ｐ２＝Ｐ２ｂよりも大きければ（Ｐ１ｂ＞Ｐ２ｂ）、ターゲット供給部２６内のガスがチャンバ５０２内へ流れ得る。チャンバ５０２内へ流れ込んだガスは、排気装置５０４によって排気され得る。

つぎに、制御部５１は、タンク内圧力Ｐ１とチャンバ内圧力Ｐ２との圧力差および供給部温度Ｔがベーキング条件を満たしているか否かを判定してもよい。具体的には、制御部５１は、圧力センサ１２２で検出されたタンク内圧力Ｐ１と、圧力センサ５０６で検出されたチャンバ内圧力Ｐ２と、温度センサ１４２で検出された供給部温度Ｔとを読み込んでもよい（ステップＳ１０４）。つづいて、制御部５１は、チャンバ内圧力Ｐ２がＰ２ｂ以下であり（Ｐ２≦Ｐ２ｂ）、タンク内圧力Ｐ１が圧力Ｐ２ｂより大きく且つ目標圧力Ｐ１ｂ以下であり（Ｐ２ｂ＜Ｐ１≦Ｐ１ｂ）、且つ、供給部温度Ｔと目標温度Ｔｂとの温度差の絶対値が所定の許容値ΔＴｒ１以下であるか否か（｜Ｔ−Ｔｂ｜≦ΔＴｒ１）を判定してもよい（ステップＳ１０５）。そして、制御部５１は、ステップＳ１０５のベーキング条件が満たされるまで、ステップＳ１０４〜Ｓ１０５を繰り返してもよい（ステップＳ１０５；ＮＯ）。

ステップＳ１０５のベーキング条件が満たされると（ステップＳ１０５；ＹＥＳ）、制御部５１は、図１３および図１４のタイミングｔ１〜ｔ２に示すように、ステップＳ１０５のベーキング条件をベーキング時間Ｈｂの間維持する制御を実行してもよい。具体的には、制御部５１は、不図示のタイマのカウント値ＴＣ１をリセットして計時を開始し（ステップＳ１０６）、タイマのカウント値ＴＣ１に基づいてベーキング時間Ｈｂが経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ１０７）。

以上のように、供給部温度Ｔを目標温度Ｔｂに上昇させ、その状態を所定時間維持することで、ターゲット供給部２６内の表面に吸着している水分を離脱させ得る。その際、タンク部２６０内からチャンバ５０２内へのガスの流れを形成することで、離脱した水分がチャンバ５０２へ排出され、さらに排気装置５０４によってチャンバ５０２から排出され得る。

その後、制御部５１は、温度制御部１４４に、供給部温度Ｔの目標温度ＴｔをＴｏｕｔとして設定してもよい（ステップＳ１０８）。目標温度Ｔｏｕｔは、ターゲット材料２７１（すなわち、インゴット２７０）を融解するための温度であってもよい。その温度Ｔｏｕｔは、たとえばターゲット材料２７１の融点Ｔｍ（錫の場合は２３１．９℃）以上の温度であってもよい。ターゲット材料２７１に錫を用いた場合には、目標温度Ｔｏｕｔは、たとえば２４０℃以上３００℃以下の温度であってもよい。

温度制御部１４４による目標温度Ｔｔ＝Ｔｏｕｔまでの加熱が開始されると、図１４のタイミングｔ２〜ｔ３に示すように、供給部温度Ｔはターゲット材料２７１の融点Ｔｍまで上昇し得る。そして、ターゲット材料２７１全体が融解すると、図１４のタイミングｔ３〜ｔ４に示すように、供給部温度Ｔは再び上昇を開始し、目標温度Ｔｏｕｔに到達し得る。

そこで制御部５１は、温度センサ１４２で検出された温度値を読み込み（ステップＳ１０９）、読み込まれた温度値（供給部温度Ｔ）と目標温度Ｔｏｕｔとの温度差の絶対値が所定の許容値ΔＴｒ以下であるか否か（｜Ｔ−Ｔｏｕｔ｜≦ΔＴｒ）を判定してもよい（ステップＳ１１０）。そして制御部５１は、供給部温度Ｔが目標温度Ｔｏｕｔ付近（±ΔＴｒ）で安定するまで、ステップＳ１０９〜Ｓ１１０を繰り返してもよい（ステップＳ１１０；ＮＯ）。

供給部温度Ｔが目標温度Ｔｏｕｔ付近で安定する（ステップＳ１１０；ＹＥＳ）と、制御部５１は、圧力制御部１２１に、タンク内圧力Ｐ１の目標圧力ＰｔをＰ１ｉｎとして設定してもよい（ステップＳ１１１）。目標圧力Ｐ１ｉｎは、融解したターゲット材料２７１がフィルタ部２６１を通過するのに必要なタンク内圧力であってもよい。この目標圧力Ｐ１ｉｎは、たとえば約２ＭＰａであってもよい。これにより、図１３のタイミングｔ３〜ｔ４に示すように、タンク内圧力Ｐ１がＰ１ｉｎに上昇し、ターゲット材料２７１がノズル孔２６５から流出してもよい。ただし、この段階でのターゲット材料２７１の出力形態は、ジェット状でなくてもよい。

つづいて、制御部５１は、圧力センサ１２２で検出された圧力値を読み込み（ステップＳ１１２）、読み込まれた圧力値（タンク内圧力Ｐ１）と目標圧力Ｐ１ｉｎとの圧力差の絶対値が所定の許容値ΔＰｒ以下であるか否か（｜Ｐ１−Ｐ１ｉｎ｜≦ΔＰｒ）を判定してもよい（ステップＳ１１３）。そして制御部５１は、タンク内圧力Ｐ１が目標圧力Ｐ１ｉｎ付近（Ｐ１ｉｎ±ΔＰｒ）で安定するまで、ステップＳ１１２〜Ｓ１１３を繰り返してもよい（ステップＳ１１３；ＮＯ）。

タンク内圧力Ｐ１が目標圧力Ｐ１ｉｎ付近で安定すると（ステップＳ１１３；ＹＥＳ）、制御部５１は、たとえばカメラ５０８で撮像された画像を解析することで、ノズル孔２６５からターゲット材料２７１が流出しているか否かを判定してもよい（ステップＳ１１４）。

ノズル孔２６５からターゲット材料２７１が流出していると判定した場合（ステップＳ１１４；ＹＥＳ）、制御部５１は、圧力制御部１２１に、タンク内圧力Ｐ１の目標圧力ＰｔをＰ１ｏｕｔとして設定してもよい（ステップＳ１１５）。目標圧力Ｐ１ｏｕｔは、目標圧力Ｐ１ｉｎよりも高い圧力であってもよい。目標圧力Ｐ１ｏｕｔは、たとえば１０ＭＰａ〜４０ＭＰａの範囲内の圧力であってもよい。

以上のように、供給部温度ＴをＴｏｕｔに維持した状態でタンク内圧力Ｐ１をＰ１ｏｕｔまで上昇させると、ターゲット材料２７１がノズル孔２６５からジェット状に出力され得る。そこで制御部５１は、たとえばカメラ５０８で撮像された画像を解析することで、ノズル孔２６５からターゲット材料２７１のジェットが噴出しているか否かを判定してもよい（ステップＳ１１６）。なお、図１３のタイミングｔ４以降に示すように、タンク内圧力Ｐ１は、Ｐ１ｏｕｔに維持されてもよい。ターゲット材料２７１のジェットが出力されている状態では、チャンバ内圧力Ｐ２がＰ２ｏｕｔまで上昇するが、その際に、ターゲット材料２７１をジェット状に出力するための圧力差が確保されればよい。

ノズル孔２６５からターゲット材料２７１のジェットが噴出していると判定されると（ステップＳ１１６；ＹＥＳ）、制御部５１は、ピエゾ電源１１２を駆動することで、ピエゾ素子１１１に所定波形および所定周期の電圧信号を入力してもよい（ステップＳ１１７）。これにより、ピエゾ素子１１１が所定振幅および所定周期で振動し、その結果、ターゲット材料２７１のジェットが所定サイズおよび所定周期のドロップレットに分断されてもよい。

つぎに、制御部５１は、たとえばカメラ５０８で撮像された画像を解析することで、所定サイズおよび所定周期のドロップレット（ターゲット２７）が生成されているか否かを判定してもよい（ステップＳ１１８）。所定サイズおよび所定周期のドロップレットが生成されていないと判定された場合（ステップＳ１１８；ＮＯ）、制御部５１は、圧力制御部１２１の目標圧力Ｐｔおよび／または温度制御部１４４の目標温度Ｔｔを調整しつつ、ステップＳ１１８を繰り返してもよい。

ドロップレットが生成されていると判定された場合（ステップＳ１１８；ＹＥＳ）、制御部５１は、ターゲット２７の出力を停止する処理を実行してもよい。ターゲット２７の出力を停止する場合、制御部５１は、圧力制御部１２１の目標圧力Ｐｔを大気圧Ｐａｔｍに設定するとともに（ステップＳ１１９）、温度制御部１４４の目標温度Ｔｔを室温Ｔｒｍに設定し（ステップＳ１２０）、排気装置５０４を停止して（ステップＳ１２１）、本動作を終了してもよい。

ここで、実施形態にかかるベーキング条件について説明する。ベーキング時のチャンバ内圧力Ｐ２の目標圧力Ｐ２ｂを０．００１Ｐａ以下とする場合、ベーキング時間Ｈｂは２時間〜５２時間の範囲内で設定されてもよく、かつ、ベーキング時のタンク内圧力ｐ１の目標圧力Ｐｂ１はＰｂ２＜Ｐｂ１≦０．０１Ｐａ〜２ＭＰａの範囲内で設定されてもよい。また、ベーキング時のチャンバ内圧力Ｐ２の目標圧力Ｐ２ｂを１Ｐａ以下とする場合、ベーキング時間Ｈｂは２時間〜５２時間の範囲内で設定されてもよく、かつ、ベーキング時のタンク内圧力Ｐ１の目標圧力Ｐｂ１はＰｂ２＜Ｐｂ１≦１０Ｐａ〜２ＭＰａの範囲内で設定されてもよい。

図１５に、実施形態にかかるベーキング条件の例を示す。図１５では、１１パターンの処理条件が例示されている。図１５に示すパターンにおいて、パターン８〜１１では、ベーキング時のタンク内圧力Ｐ１が大気圧よりも高く設定されてもよい。また、パターン１〜１１の中で最も好ましいパターンはパターン１０であり得る。

６．３ 作用
以上のように、タンク部２６０内からチャンバ５０２内の方向にガスを流した状態で供給部温度Ｔを１１０℃以上且つターゲット材料２７１の融点（たとえば２３１．９℃）未満の温度に上昇させてもよい。また、この状態は、所定時間維持されてもよい。これにより、ターゲット供給部２６の内部に吸着した水分を離脱させ得る。また、離脱した水分は、不活性ガスとともにノズル孔２６５からチャンバ５０２内へ排気され得る。つまり、タンク部２６０内を不活性ガスでパージした状態で供給部温度Ｔをターゲット材料２７１の融点未満の高温に維持することで、フィルタ部２６１の表面に付着した比較的大量の水分も除去または低減され得る。

以上のようにしてターゲット供給部２６内の水分を低減または除去することで、ターゲット供給部２６内の水分とターゲット材料２７１とが反応して固体の酸化物（たとえば酸化錫）が生成されるのを抑制し得る。その結果、酸化物がノズル孔２６５に到達することが抑制され、ターゲット２７の出力を安定化し得る。

また、タンク部２６０内からチャンバ５０２内に不活性ガスを流す構成とすることで、圧力調節器５１０側に排気装置を設ける必要がないため、ベーキング装置５００の構成が簡略化され得る。

６．４ ベーキング処理装置のバリエーション
ここで、実施形態にかかるベーキング処理装置の変形例について、図面を用いて詳細に説明する。

６．４．１ 変形例１
まず、変形例１にかかるベーキング処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。

図１１に示すベーキング処理装置５００では、タンク部２６０内からチャンバ５０２内へ向かうガスの流れが形成されたが、変形例１にかかるベーキング処理装置では、チャンバ５０２内からタンク部２６０内へ向かうガスの流れが形成されてもよい。

６．４．１．１ 構成
図１６は、変形例１にかかるベーキング処理装置の概略構成例を示す模式図である。図１６において、上述したベーキング処理装置５００と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。

図１６に示すように、ベーキング処理装置５２０は、図１１に示すベーキング処理装置５００と同様の構成に加え、排気装置５２２と、ボンベ５２４とをさらに備える。

排気装置５２２は、たとえばタンク部２６０に繋がる導入管１３１から分岐する配管１３３に接続されてもよい。この排気装置５２２は、タンク部２６０内を排気してもよい。

ボンベ５２４は、導入管５２８を介してチャンバ５０２に接続されてもよい。ボンベ５２４は、導入管５２８を介してチャンバ５０２内に不活性ガスを供給してもよい。不活性ガスは、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、窒素ガス等であってもよい。導入管５２８上には、ボンベ５２４から供給された不活性ガスの流れを制御するバルブ５２６が設けられてもよい。

６．４．１．２ 動作
つづいて、図１６に示すベーキング処理装置５２０の動作について説明する。

まず、制御部５１は、チャンバ５０２に接続されるバルブ５２６と排気装置５０４とを制御することで、チャンバ内圧力Ｐ２を制御してもよい。

また、制御部５１は、圧力調節器５１０内のバルブ１２３および１２４を閉じるとともに排気装置５２２を駆動することで、ターゲット供給部２６内のガスを排気してもよい。

つづいて、制御部５１は、圧力センサ５０６で検出されたチャンバ内圧力Ｐ２と、圧力センサ１２２で検出されたタンク内圧力Ｐ１とをそれぞれ読み込んでもよい。

そして制御部５１は、圧力センサ５０６で検出されたチャンバ内圧力Ｐ２がベーキング時の目標圧力Ｐ２ｂとなるように、バルブ５２６と排気装置５０４とを制御してもよい。その結果、タンク内圧力Ｐ１がチャンバ内圧力Ｐ２よりも小さくなるため、チャンバ５０２内のガスがノズル孔２６５を介してタンク部２６０内へ流れ得る。タンク部２６０内へ流れ込んだガスは、排気装置５２２によって排気され得る。

つづいて、制御部５１は、温度制御部１４４に、供給部温度Ｔの目標温度ＴｔをＴｂとして設定してもよい。その結果、チャンバ５０２内からタンク部２６０内へ向けてガスが流れている状態で、タンク内温度Ｔがベーキング温度Ｔｂとなり得る。

チャンバ５０２内からタンク部２６０内へのガスの流れと、供給部温度Ｔ＝Ｔｂ（±ΔＴｒ）とは、ベーキング時間Ｈｂの間維持されてもよい。

その後、ベーキング時間Ｈｂが経過すると、制御部５１は、バルブ５２６を閉じるとともに排気装置５２２を停止し、そして、図１２におけるステップＳ１０８以降の動作を実行してもよい。

６．４．１．３ 作用
以上のように、タンク部２６０とチャンバ５０２との間のガスの流れは、タンク部２６０内からチャンバ５０２内に向かう方向に限られず、チャンバ５０２内からタンク部２６０内に向かう方向であってもよい。その場合でも、上述した実施形態と同様に、ターゲット供給部２６内の水分が低減または除去されるため、ターゲット２７の安定出力が可能となる。

なお、その他の構成、動作および作用は、上述した実施形態と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

６．４．２ 変形例２
つぎに、変形例２にかかるベーキング処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。

図１２〜図１４を用いて説明したベーキング処理では、図１２のステップＳ１０５におけるベーキング条件を満たした状態で、タイミングｔ１〜ｔ２のベーキング期間の間、供給部温度Ｔが目標温度Ｔｂ（±ΔＴｒ１）に維持された。これに対し、変形例２では、ベーキング期間中に供給部温度Ｔが上下されてもよい。

６．４．２．１ 構成
図１７は、変形例２にかかるベーキング処理装置の概略構成例を示す模式図である。図１７において、上述したベーキング処理装置５００または５２０と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。

図１７に示すように、ベーキング処理装置５８０は、図１１に示すベーキング処理装置５００と同様の構成に加え、図１６に示すベーキング処理装置５２０と同様に、排気装置５２２をさらに備える。また、ベーキング処理装置５８０は、配管１３３上に設けられたバルブ５８４と、ガス配管１３２上に設けられたヒータ５８２とをさらに備えてもよい。

排気装置５２２は、図１６と同様に、たとえばタンク部２６０に繋がる導入管１３１から分岐する配管１３３に接続されてもよい。この排気装置５２２は、タンク部２６０内を排気してもよい。

ヒータ５８２は、ガス配管１３２内を流れる不活性ガスを加熱してもよい。

６．４．２．２ 動作
図１７に示すベーキング処理装置５８０の動作について説明する。図１８は、変形例２にかかるベーキング処理の一部を抜粋して例示するフォローチャートである。図１９は、変形例２にかかるベーキング処理を含む工程における圧力変化の例を示すタイミングチャートである。

ベーキング処理装置５８０の動作は、図１２〜図１４を用いて説明した動作において、たとえば図１２のステップＳ１０２の次に、ヒータ５８２を動作させてガス配管１３２内の不活性ガスを目標温度Ｔｂまで上昇させるステップが追加されてもよい。

また、図１２のステップＳ１０６の次に、すなわちステップＳ１０７を実行しているベーキング期間中、制御部５１が、図１８に示す動作を実行してもよい。

図１８に示すように、制御部５１は、タイマによる計時を基準にしてベーキング期間を開始すると（ステップＳ１０６）、つぎに、別のタイマのカウント値ＴＣ２をリセットして計時を開始し（ステップＳ１０６１）、タイマのカウント値ＴＣ２に基づいて所定時間Ｈ１が経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ１０６２）。なお、所定時間Ｈ１は、ベーキング時間Ｈｂよりも十分に短い時間であってもよい。

所定時間Ｈ１が経過すると（ステップＳ１０６２；ＹＥＳ）、制御部５１は、圧力制御部１２１に、タンク内圧力Ｐ１の目標圧力ＰｔをＰａｔｍ（大気圧）として設定し（ステップＳ１０６３）、タンク内圧力Ｐ１が目標圧力Ｐａｔｍとなるまで待機してもよい（ステップＳ１０６４；ＮＯ）。これに対し、圧力制御部１２１は、バルブ１２４を閉じた状態でバルブ１２３を開けることで、タンク内圧力Ｐ１が大気圧Ｐａｔｍとなるまで、ボンベ１３０から不活性ガスをタンク部２６０内に供給してもよい。

その後、タンク内圧力Ｐ１と目標圧力Ｐａｔｍとの圧力差の絶対値が所定の許容値ΔＰｒ１以下となると（ステップＳ１０６４；ＹＥＳ）、制御部５１は、ステップＳ１０６１と同じタイマのカウント値ＴＣ２をリセットして計時を開始し（ステップＳ１０６５）、タイマのカウント値ＴＣ２に基づいて所定時間Ｈ２が経過したか否かを判定してもよい（ステップＳ１０６６）。Ｈ２はＨ１と同等か短い時間であってよい。

所定時間Ｈ２が経過すると（ステップＳ１０６６；ＹＥＳ）、制御部５１は、圧力制御部１２１に、タンク内圧力Ｐ１の目標圧力ＰｔをＰ１ｂとして設定し（ステップＳ１０６７）、タンク内圧力Ｐ１が圧力Ｐ２ｂより大きく且つ目標圧力Ｐ１ｂ以下となるまで待機してもよい（ステップＳ１０６８；ＮＯ）。その際、制御部５１は、バルブ５８４を開けるとともに排気装置５２２を駆動することで、タンク部２６０内のガスを排気してもよい。

その後、タンク内圧力Ｐ１が圧力Ｐ２ｂより大きく且つ目標圧力Ｐ１ｂ以下となると（ステップＳ１０６８；ＹＥＳ）、制御部５１は、バルブ５８４を閉じるとともに排気装置５２２を停止し（ステップＳ１０６９）、そして、ステップＳ１０７を実行して、ベーキング時間Ｈｂが経過したか否かを判定してもよい。ベーキング時間Ｈｂが経過していない場合（ステップＳ１０７；ＮＯ）、制御部５１は、ステップＳ１０６１へリターンし、ステップＳ１０６１以降の動作を繰り返してもよい。一方、ベーキング時間Ｈｂが経過している場合（ステップＳ１０７；ＹＥＳ）、制御部５１は、図１２のステップＳ１０８以降の動作を実行してもよい。

なお、ステップＳ１０６１〜Ｓ１０６９の動作は、ベーキング時間Ｈｂが経過するまで、所定時間（たとえば３時間）ごとに繰り返し実行されてもよい。これにより、図１９に示すように、ベーキング期間中に、目標圧力Ｐ１ｂと大気圧Ｐａｔｍとの間でタンク内圧力Ｐ１が変動し得る。

６．４．２．３ 作用
以上のように、ベーキング期間中にタンク部２６０内に一旦不活性ガスを充填し、その不活性ガスを比較的コンダクタンスの小さいタンク側から排気することによって、ターゲット供給部２６内に吸着した水分を効率的に排出し得る。また、この動作を繰り返し実行することで、ターゲット供給部２６内の水分の排出効率がより向上し得る。

さらに、タンク部２６０内に充填する不活性ガスをヒータ５８２によって予熱しておくことで、新たな不活性ガス導入によるターゲット供給部２６の内部温度の低下を抑制し得る。特に、不活性ガスが熱媒体として機能し得るため、フィルタ部２６１の温度低下を抑制し得る。それにより、フィルタ部２６１等のターゲット供給部２６内の表面に付着した水分をより効率的に離脱させ得る。

なお、変形例２では、ベーキング期間中に、大気圧Ｐａｔｍよりも低い目標圧力Ｐ１ｂと大気圧Ｐａｔｍとの間でタンク内圧力Ｐ１を変動させたが、この条件に限られない。たとえば、目標圧力Ｐｔを目標圧力Ｐ１ｂに代えて大気圧Ｐａｔｍとし、充填時の圧力を大気圧Ｐａｔｍに代えて大気圧Ｐａｔｍよりも高い圧力（たとえば２ＭＰａ）としてもよい。この場合、ベーキング期間中、タンク内圧力Ｐ１は、大気圧Ｐａｔｍと大気圧Ｐａｔｍよりも高い圧力との間で変動させ得る。

７．ターゲット供給部のベーキング処理装置を含むＥＵＶ光生成装置
図１１または図１６に示すベーキング処理装置は、ＥＵＶ光生成装置におけるチャンバ２に対して組み込まれてもよい。

７．１ 構成
図２０は、図１１に示すベーキング処理装置５００を、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２に組み込んだ場合の概略構成例を示す模式図である。図２０において、上述したＥＵＶ光生成装置またはベーキング処理装置と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。

図２０に示すように、ＥＵＶ光生成装置は、図２に示す構成と同様の構成において、圧力調節器１２０が圧力調節器５１０に置き換えられるとともに、排気装置５０４、圧力センサ５０６およびカメラ５０８がチャンバ２に取り付けられた構成を備えてもよい。カメラ５０８は、プラズマ生成領域２５付近のターゲット２７を撮像するように配置されてもよい。その他の構成は、上述したＥＵＶ光生成装置またはベーキング処理装置と同様であってもよい。

７．２ 動作
図２０に示すＥＵＶ光生成装置におけるベーキング処理およびベーキング条件は、たとえば図１２〜図１５を用いて説明したベーキング処理およびベーキング条件と同様であってもよい。

また、そのようにしてターゲット供給部２６がベーキング処理されたＥＵＶ光生成装置は、たとえば図２を用いて説明した動作と同様の動作を実行することで、ＥＵＶ光２５２を生成してもよい。

７．３ 作用
以上のように、実施形態にかかるベーキング処理装置５００では、専用のチャンバ５０２の代わりにＥＵＶ光生成用のチャンバ２が用いられてもよい。このような構成とすることで、ベーキング処理後のターゲット供給部２６をチャンバ５０２からチャンバ２へ移動させる必要性が省略され得る。また、ターゲット供給部２６内のベーキング処理に連続して、ＥＵＶ光の生成が可能となり得る。

なお、ベーキング処理装置としては、図１１に示したベーキング処理５００に限られず、たとえば図１６に示したベーキング処理装置５２０が用いられてもよい。その場合、ベーキング処理装置５２０の構成が、ＥＵＶ光生成装置（たとえばチャンバ２）に対して組み込まれ得る。

その他の構成、動作および作用は、上述した実施形態と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

７．４ ベーキング処理装置が組み込まれたＥＵＶ光生成装置のバリエーション
ここで、実施形態にかかるＥＵＶ光生成装置の変形例について、図面を用いて詳細に説明する。

図２０に示すＥＵＶ光生成装置では、チャンバ５０２の代わりにチャンバ２を用い、タンク部２６０内からチャンバ２内へ、または、チャンバ２内からタンク部２６０内へ向かうガスの流れが形成された。これに対し、本変形例では、タンク部２６０とチャンバ２との間にガス流形成用の空間が設けられてもよい。この空間は、チャンバ２から隔離可能な空間であってもよい。

７．４．１ 構成
図２１は、実施形態にかかるＥＵＶ光生成装置の変形例を示す模式図である。図２１において、上述したＥＵＶ光生成装置またはベーキング処理装置と同様の構成については同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。

図２１に示すように、ＥＵＶ光生成装置は、図２０に示すＥＵＶ光生成装置と同様の構成において、ターゲット供給部２６とチャンバ２とが接続管５６２を介して接続された構成を備えてもよい。この接続管５６２には、ターゲット供給部２６側の第１空間とチャンバ２側の第２空間とを隔離・連通可能なゲートバルブ５６４が設けられてもよい。

ゲートバルブ５６４によって区切られるターゲット供給部２６側の第１空間には、排気装置５７２および圧力センサ５７０が配管５６８を介して接続されてもよい。排気装置５７２は、第１空間内のガスを排気してもよい。圧力センサ５７０は、第１空間内のガス圧（以下、空間内ガス圧という）を計測してもよい。

なお、チャンバ２に取り付けられた排気装置５０４および圧力センサ５０６は、制御部５１に接続されていなくてもよい。

その他の構成は、上述したＥＵＶ光生成装置またはベーキング処理装置と同様であってもよい。

７．４．２ 動作
図２１に示すＥＵＶ光生成装置におけるベーキング処理およびベーキング条件は、たとえば図１３〜図１５を用いて説明したベーキング処理およびベーキング条件と同様であってもよい。本変形例では、排気装置５０４および圧力センサ５０６の代わりに排気装置５７２および圧力センサ５７０が使用されて、タンク部２６０内から第１空間内へ向かうガスの流れが形成されてもよい。また、制御部５１は、ベーキング処理中はゲートバルブ５６４を閉じて第１空間と第２空間とを隔離し、ベーキング処理終了後はゲートバルブ５６４を開けて第１空間と第２空間とを連通するようにしてもよい。

そして、ターゲット供給部２６がベーキング処理されたＥＵＶ光生成装置は、たとえば図２を用いて説明した動作と同様の動作を実行することで、ＥＵＶ光２５２を生成してもよい。

７．４．３ 作用
以上のように、変形例にかかるベーキング処理装置５００では、接続管５６２およびゲートバルブ５６４によって区切られた第１空間が専用のチャンバ５０２の代わりに用いられてもよい。このような構成とすることでも、上記と同様に、ベーキング処理後のターゲット供給部２６をチャンバ５０２からチャンバ２へ移動させる必要性が省略され得る。また、ターゲット供給部２６内のベーキング処理に連続して、ＥＵＶ光の生成が可能となり得る。

なお、ベーキング処理装置としては、上記と同様に、図１１に示したベーキング処理５００に限られず、たとえば図１６に示したベーキング処理装置５２０が用いられてもよい。その場合、ベーキング処理装置５２０の構成が、ＥＵＶ光生成装置（たとえば第１空間）に対して組み込まれ得る。

その他の構成、動作および作用は、上述した実施形態と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

８．その他
８．１ 脱水処理の他の例
実施形態にかかる脱水処理は、上述したようなベーキング処理に限られない。たとえば図２２に例示するような、脱水剤８１０を格納するデシケータ８００が用いられてもよい。

図２２に示すデシケータ８００は、中空のデシケータ容器８０１と、デシケータ容器８０１を封止する蓋８０２とを備えてもよい。デシケータ容器８０１内には、部品台８０３と、脱水剤容器８１１とが設けられてもよい。脱水対象の部品８９９は、部品台８０３上に載置されてもよい。脱水剤容器８１１は、脱水剤８１０を貯留してもよい。この脱水剤８１０には、シリカゲル、硫酸、無水硫酸ナトリウム、過塩素酸マグネシウム等が用いられてもよい。デシケータ容器８０１内において、部品８９９が配置される空間と脱水剤８１０が貯留される空間とは連通していてもよい。

また、デシケータ容器８０１には、配管８２２を介して排気装置８２０が接続されてもよい。配管８２２上には、開閉バルブ８２４が設けられてもよい。排気装置８２０は、デシケータ容器８０１内のガスを、蒸発した水分とともに排気してもよい。

脱水対象の部品８９９は、デシケータ８００内に数日間保管されることで、表面に吸着した水分が除去されてもよい。

以上のような構成によっても、ターゲット供給部２６の各部品に吸着している水分を脱離させ得る。

なお、図２２に示す例において、部品台８０３にヒータを配置する等して、部品台８０３に載置された部品８９９をベーキングしてもよい。その場合、各部品に吸着している水分をより効果的に脱離させ得る。

８．２ 制御部
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図２３は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図２３の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図２３におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御装置５、制御部５１等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、温度制御部１４４、圧力制御部１２１、ピエゾ電源１１２等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウエア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御装置５、制御部５１、温度制御部１４４、圧力制御部１２１等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御装置５、制御部５１、温度制御部１４４、圧力制御部１２１等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

２…チャンバ、２６…ターゲット供給部、２７…ターゲット、５１…制御部、１１１…ピエゾ素子、１１２…ピエゾ電源、１２０，５１０…圧力調節器、１２１…圧力制御部、１２２…圧力センサ、１２３，１２４…バルブ、１２５…排気口、１３０…ボンベ、１３１…導入管、１３２…ガス配管、１３３…配管、１４０…温度可変装置、１４１…ヒータ、１４２…温度センサ、１４３…ヒータ電源、１４４…温度制御部、２６０…タンク部、２６１…フィルタ部、２６２…フィルタ、２６３…フィルタホルダ、２６４…ノズル部、２６５…ノズル孔、２６６…凸部、２７０，２７０Ａ，２７０Ｂ…インゴット、２７１…ターゲット材料、２７２…パーティクル、４０１…貫通孔、４０２…溝、４０４，４０６…切欠き部、５００，５２０…ベーキング処理装置、５０２…チャンバ、５０４，５２２，５７２…排気装置、５０６，５７０…圧力センサ、５０８…カメラ、５２４…ボンベ、５２６，５８４…バルブ、５６２…接続管、５６４…ゲートバルブ、５６８…配管、５８２…ヒータ、ＦＬ…ターゲット流路

Claims (20)

1. プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置であって、
   前記金属ターゲットを収容するタンクと、
   前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制する、脱水処理されたフィルタと、
   前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、
   を備えるターゲット供給装置。
2. 前記フィルタ表面の単位面積あたりの水分吸着量は、２ｍｇ／ｍ^２以下である、請求項１に記載のターゲット供給装置。
3. 前記脱水処理は、前記フィルタを加熱するベーキング処理である、請求項１に記載のターゲット供給装置。
4. 前記フィルタは、前記ベーキング処理によって、１１０℃以上且つ前記フィルタが破損する温度未満の温度に加熱されている、請求項１に記載のターゲット供給装置。
5. 前記タンクおよび前記ノズルのうち少なくとも１つは、脱水処理されている、請求項１に記載のターゲット供給装置。
6. タンクを加熱するヒータをさらに備え、
   前記ヒータは前記タンクに収容したインゴットを加熱して溶融することで金属ターゲットとする、
   請求項１に記載のターゲット供給装置。
7. 前記金属ターゲットは、錫である、請求項６に記載のターゲット供給装置。
8. 前記インゴットは、インゴット表面に生成した酸化物が除去された後タンクに収容される、請求項６に記載のターゲット供給装置。
9. 前記インゴットは、前記タンク内に収容された状態で該タンクの内壁との間のガスの通り道が形成される形状のインゴットである、請求項６に記載のターゲット供給装置。
10. プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置の処理装置であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内を排気する排気装置と、
    前記チャンバに設けられたターゲット供給装置と、
    前記ターゲット供給装置を加熱するヒータと、
    前記ターゲット供給装置に不活性ガスを供給する圧力調節器と、
    前記ヒータと前記排気装置と前記圧力調節器とを制御する制御部と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記金属ターゲット材料と、
    前記金属ターゲットを収容するタンクと、
    前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、
    前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、
    を含み、
    前記制御部は、前記ターゲット供給装置が第１温度となるように前記ヒータを制御するとともに、前記タンク内のガス圧が前記チャンバ内のガス圧よりも高いガス圧となるように前記圧力調節器および前記排気装置を制御する
    ターゲット供給装置の処理装置。
11. プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置の処理装置であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
    前記チャンバに設けられ、前記金属ターゲットを収容するタンクを含むターゲット供給装置と、
    前記ターゲット供給装置を加熱するヒータと、
    前記タンク内を排気する排気装置と、
    前記ヒータと前記排気装置と前記不活性ガス供給部とを制御する制御部と、
    を備え、
    前記ターゲット供給装置は、
    前記金属ターゲット材料と、
    前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、
    前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、
    をさらに含み、
    前記制御部は、前記ターゲット供給装置が第１温度となるように前記ヒータを制御するとともに、前記タンク内のガス圧が前記チャンバ内のガス圧よりも低いガス圧となるように前記不活性ガス供給部および前記排気装置を制御する
    ターゲット供給装置の処理装置。
12. 前記第１温度は、前記ターゲット供給装置内に吸着した水分が離脱する温度以上の温度であって、前記金属ターゲットの融点未満の温度である、請求項１０または１１に記載の処理装置。
13. 前記金属ターゲットは、錫であり、
    前記第１温度は、１１０℃以上、錫の融点未満の温度である、請求項１０または１１に記載の処理装置。
14. 前記第１温度は、さらに１５０℃以上の温度である、請求項１３に記載の処理装置。
15. 前記チャンバは、内部に極端紫外光集光ミラーを備えた極端紫外光生成用チャンバである、請求項１０または１１に記載の処理装置。
16. プラズマ生成領域に金属ターゲットを供給するターゲット供給装置の処理方法であって、
    前記金属ターゲットの表面に生成した酸化物をエッチングし、
    前記金属ターゲットを収容するタンクを脱水し、
    前記タンク内に収容されて前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタを脱水し、
    前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルを脱水する
    ことを含むターゲット供給装置の処理方法。
17. 金属ターゲットを収容するタンクと、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、を備えたターゲット供給装置の処理方法であって、
    前記金属ターゲットを前記タンク内に収容した状態で前記タンク内に不活性ガスを流すとともに、
    前記ターゲット供給装置内に吸着した水分が離脱する温度以上の温度であって前記金属ターゲットの融点未満の温度である第１温度となるように前記ターゲット供給装置を加熱する
    ことを含むターゲット供給装置の処理方法。
18. 金属ターゲットを収容するタンクと、前記タンク内に収容された前記金属ターゲット中のバーティクルの通過を抑制するフィルタと、前記フィルタを通過した金属ターゲットを吐出するノズル孔が形成されたノズルと、を備えたターゲット供給装置の処理方法であって、
    前記金属ターゲットを前記タンク内に収容した状態で、前記ターゲット供給装置内に吸着した水分が離脱する温度以上の温度であって前記金属ターゲットの融点未満の温度である第１温度となるように前記ターゲット供給装置を加熱し、
    前記ターゲット供給装置を前記第１温度に加熱した状態で、前記タンク内に対する不活性ガスの充填および排気を１回以上実行する
    ことを含むターゲット供給装置の処理方法。
19. 前記金属ターゲットは、錫であり、
    前記第１温度は、１１０℃以上、錫の融点未満の温度である、請求項１７または１８に記載の処理方法。
20. 前記不活性ガスは、前記タンク内から前記ノズルへ向かう方向に流される、請求項１７に記載の処理方法。

Images