JPWO2014129070A1 - センサタグ、センサタグの製造方法 - Google Patents

センサタグ、センサタグの製造方法 Download PDF

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Abstract

センサタグ(10)は、水晶振動子(110)とアンテナ(102)を備える。アンテナ(102)は、放射導体(121)と接続導体(122)とを備える。水晶振動子(110)は、接続導体(122)のアンテナ(121)と反対側の端部に設けられたランド導体(120)に実装されている。アンテナ(102)は、水晶振動子(110)の共振周波数(Fxs)および等価インダクタンス(Lxs)と、アンテナ(102)の自己共振周波数(Fant)および等価インダクタンス(Lant)から、センサタグ(10)の放射周波数のシフト量(ΔF)が許容範囲内となるような形状で形成されている。

Description

本発明は、共振周波数が温度や磁界強度等の物理量に依存して変化する共振子と、該共振子に接続するアンテナを備えたセンサタグに関する。
従来、無線を用いて温度等の物理量を測定するシステムが考案されている。例えば、特許文献1に記載のシステムでは、温度を測定して測定データを無線で送信するセンサタグと、センサタグからの測定データを受信して、所定の測定処理を実行する測定装置とが備えられている。センサタグには、温度を検出するセンサ素子と、該センサ素子の測定結果をデータ化するRFIDと、測定データを送信するアンテナを備える。
このようなセンサ素子として、水晶振動子等の共振子が用いられることがある。共振子は、共振周波数に温度依存性があるため、測定装置から励振信号を与えると、共振子が感知した温度に応じた共振信号が発生する。この共振信号を測定装置で受信し、周波数解析を行うことで、温度を測定することができる。
特表2007−519484号公報
しかしながら、測定装置が受信する信号の周波数、すなわちセンサタグからの放射信号の周波数は、アンテナのインピーダンスの影響を受ける。
例えば、使用態様によって、アンテナが変形するような場合、アンテナのインピーダンスが変化するため、共振子の共振周波数が変化しなくても、センサタグからの放射信号の周波数が変化してしまう。このような周波数の変化が生じると、測定装置では、共振周波数と温度との関係が予め設定されているので、温度測定誤差が生じる。
このような現象は温度に限らず、物理量を共振子で感知して、その共振周波数から物理量を測定するシステムで同様に生じる。
したがって、本発明の目的は、放射する信号の周波数にバラツキが少ないセンサタグおよび当該センサタグの製造方法を提供することにある。
この発明のセンサタグは、感知した物理量に応じた共振周波数で共振する共振子と、該共振子の共振による信号を外部へ放射するアンテナと、を備える。アンテナは、共振周波数比がインダクタンス比に基づく所定範囲内となるように、形成されている。共振周波数比は、共振子の共振周波数とアンテナの自己共振周波数との比である。インダクタンス比は、共振子の等価インダクタンスとアンテナの等価インダクタンスとの比である。
この構成では、アンテナの等価インダクタンスが変化しても、共振周波数比が変化し難い範囲に、アンテナの形状が決定される。これにより、アンテナ形状が変化しても、センサタグの放射信号の周波数の変動範囲が小さくなる。
また、この発明のセンサタグは、次のいずれかの構成であることが好ましい。共振周波数比は、インダクタンス比の関数によって表されている。共振周波数比が関数にインダクタンス比を入力した値以下になるようにアンテナが形成されている。共振周波数比は、関数にインダクタンス比を入力した値以上になるようにアンテナが形成されている。
これらの構成では、具体的なアンテナの形状決定基準を示している。
また、この発明のセンサタグは、関数がインダクタンス比の二次関数で表されることが好ましい。
この構成では、さらに具体的なアンテナの形状決定基準を示している。
また、この発明のセンサタグは、関数の係数が周波数ズレの許容範囲に基づいて決定されていることが好ましい。
この構成では、周波数ズレの許容範囲が設定されている場合に、許容範囲に応じたアンテナ形状にすることができる。
また、この発明のセンサタグのアンテナは、放射導体と、該放射部と共振子とを接続する接続導体と、を備え、放射導体または接続導体の形状によりアンテナの形状を決定することが好ましい。
この構成では、具体的なアンテナ形状の決定態様を示している。
また、この発明のセンサタグの共振子は水晶振動子であることが好ましい。
この構成では、共振子の具体例を示している。
この発明は、感知した物理量に応じた共振周波数で共振する共振子と、該共振子の共振による信号を外部へ放射するアンテナと、を備えたセンサタグの製造方法に関するモノである。この発明のセンサタグの製造方法は、複数のアンテナを用意する工程と、各アンテナの自己共振周波数と等価インダクタンスを測定する工程と、水晶振動子の共振周波数と等価インダクタンスを測定する工程と、共振子の共振周波数とアンテナの自己共振周波数との共振周波数比が、共振子の等価インダクタンスとアンテナの等価インダクタンスとのインダクタンス比に基づいて所定範囲内になるようなアンテナを水晶振動子に接続する工程と、を有する。
この製造方法では、アンテナ形状が変化しても、センサタグの放射信号の周波数の変動範囲を小さくできるアンテナを、容易に製造できる。
この発明によれば、共振子の特性バラツキに影響を抑圧し、測定対象の物理量を正確に測定することができる。
本発明の実施形態に係るセンサタグの構成を示す平面図である。 センサタグの等価回路図である。 本発明の第1の実施形態に係るアンテナの決定概念を示すグラフである。 本発明の第1の実施形態に係るアンテナの決定概念を示すグラフである。 許容閾値を変更した共振周波数比とインダクタンス比との関係を示すグラフである。 本実施形態のセンサタグの製造工程を示すフローチャートである。 水晶振動子に対する測定方法を示す図である。 アンテナに対する測定方法を示す図である。 本発明の第2の実施形態に係るアンテナの決定概念を示すグラフである。 本発明の第2の実施形態に係るアンテナの決定概念を示すグラフである。 インピーダンス調整素子を追加したセンサタグの構成を示す平面図である。
本発明の第1の実施形態に係るセンサタグについて、図を参照して説明する。図1は本発明の実施形態に係るセンサタグの構成を示す平面図である。なお、以下では、温度測定を行うセンサタグおよび測定システムを例に説明するが、共振子の共振周波数が依存性を有する他の物理量(磁界強度)等を測定するセンサタグにも適用することができる。また、以下では、共振子として水晶振動子を例に説明したが、感知する物理量に応じて共振周波数が変化する共振子であれば、他の共振子であってもよい。
センサタグ10は、フレキシブル基板101、アンテナ102、水晶振動子110を備える。
フレキシブル基板101は、可撓性を有し、絶縁性を有する材料からなる。このフレキシブル基板101が本発明の「ベース部材」に相当する。フレキシブル基板101は、例えば0.1mm程度の薄い紙やPET、PEN、PI、PEなどの樹脂を用いる。フレキシブル基板101は、平面視した形状が略方形状の第1パートと、該方形状部の一辺から直交する方向に延びる平面視した形状が長尺状の第2パートとが、一体形成された形状からなる。
フレキシブル基板101の表面には、アンテナ102が形成されている。アンテナ102は、放射導体121と接続導体122とからなる。
放射導体121および接続導体122は、線状導体である。放射導体121は、巻回状に形成されており、フレキシブル基板101の第1パートに形成されている。
放射導体121は、センサタグ10と外部の温度測定装置(図示せず)の間で電磁界結合による通信を行う周波数に応じた形状で形成されている。なお、本実施形態では、巻回状に形成しているが、ダイポールアンテナやパッチアンテナの形状であってもよい。
接続導体122は、平行な二本の長尺状の導体からなり、フレキシブル基板101の第2パートに形成されている。接続導体122の長尺状の一方端は、放射導体121に接続されている。接続導体122の長尺状の他方端には、ランド導体120が形成されている。
水晶振動子110は、本発明の「共振子」に相当し、ランド導体120に実装されている。
アンテナ102と水晶振動子110が実装されたフレキシブル基板101の表面には、全面に絶縁性保護膜(図示せず)が形成されていてもよい。
水晶振動子110は、アンテナ102が受信した励振信号によって励振し、感知温度に応じた共振周波数で共振する。この際、この共振周波数は、水晶振動子110単独で決定されるものではなく、アンテナ102の影響も受ける。
センサタグ10の等価回路は、図2の通りである。図2は、本発明の第1の実施形態に係るセンサタグの等価回路図である。センサタグ10は、等価回路的には、水晶振動子110のインピーダンス回路と、アンテナ102のインピーダンス回路とによる閉ループによって構成される。
水晶振動子110は、等価インダクタンスLxs、等価キャパシタンスCxs,Cxp、等価抵抗Rxs、を備える。等価インダクタンスLxs、等価キャパシタンスCxsおよび等価抵抗Rxsは、直列接続されている。この直列回路に対して等価キャパシタンスCxpが並列接続されている。このような水晶振動子110は、等価インダクタンスLxs、等価キャパシタンスCxsの直列共振による共振周波数Fxsを有する。
Figure 2014129070
アンテナ102は、等価インダクタンスLant、等価キャパシタンスCant、等価抵抗Rantを備える。等価インダクタンスLantと等価抵抗Rantは直列接続されており、この等価インダクタンスLantと等価抵抗Rantの直列回路に等価キャパシタンスCantは並列接続されている。したがって、アンテナ102は、等価インダクタンスLant、等価キャパシタンスCantの並列共振による自己共振周波数fantを有する。
Figure 2014129070
このようにそれぞれに共振を有する等価回路を備える水晶振動子110とアンテナ102が閉ループで接続されていることにより、センサタグ10としての共振周波数すなわち、センサタグ10が放射する信号の放射周波数は、これらの影響を受けた周波数となる。したがって、水晶振動子110の共振周波数Fxsが一定であっても、アンテナ102の共振周波数Fantが変化すると、センサタグ10の放射周波数も変化する。言い換えれば、アンテナ102の等価回路定数(等価インダクタンスLantや等価キャパシタンスCant)が変化すると、センサタグ10の放射周波数も変化する。
ここで、アンテナ102は、フレキシブル基板101の表面に形成されているので、フレキシブル基板101が変形すると、アンテナ102の形状も変化して、アンテナ102の等価回路定数も変化する。
したがって、本実施形態のセンサタグ10は、このようなアンテナ102の変形等による当該アンテナ102の等価回路定数の変化が生じても、センサタグ10の放射周波数が殆ど変化しないように、次に示すように、アンテナ102の形状を決定している。
図3、図4は、本発明の第1の実施形態に係るアンテナの決定概念を示すグラフである。図3は、水晶振動子の共振周波数Fxsとアンテナの自己共振周波数Fantの比である共振周波数比と、水晶振動子の等価インダクタンスLxsとアンテナの等価インダクタンスLantの比であるインダクタンス比とが、放射周波数Fにどのような影響を与えるかをシミュレーションした結果を示すグラフである。図3において、横軸は共振周波数比であり、縦軸は、放射周波数Fのシフト量ΔFである。また、図3の各特性曲線は、それぞれ異なるインダクタンス比の場合を示す。図4は、共振周波数比とインダクタンス比との関係を示すグラフである。図4において、横軸はインダクタンス比であり、縦軸は共振周波数比である。
図3、図4における共振周波数比は、水晶振動子110単独の共振周波数Fxsを分子とし、アンテナ102単独の共振周波数Fantを分母とする比である。図3、図4におけるインダクタンス比は、アンテナ102の等価インダクタンスLantを分子とし、水晶振動子110の等価インダクタンスLxsを分母とする比である。なお、図3,図4では、Lant/Lxsは、実際には(Lant/Lxs)×10である。
図3におけるシフト量ΔFは、アンテナが湾曲していない定常状態の放射周波数をF1tとし、湾曲した状態での放射周波数をF1cとして、ΔF=F1c−F1tで表される。このシミュレーションでは、水晶振動子110の共振周波数Fxsと等価インダクタンスLxsは、温度が38.75℃の場合で行っている。なお、この温度は、センサタグ10で測定する温度範囲に基づいて、例えばその温度範囲の中心温度等に設定すればよい。
図3に示すように、インダクタンス比frL(=Lant/Lxs)が一定の状態では、共振周波数比frF(=Fxs/Fant)が1.0に近づくほど、シフト量ΔFが大きくなる。すなわち、水晶振動子110の共振周波数Fxsとアンテナの自己共振周波数Fantとが同じ値に近づくほど、シフト量ΔFが大きくなりやすい。
また、共振周波数比frFが一定の状態では、インダクタンス比frLが大きいほど、シフト量ΔFが大きくなる。すなわち、アンテナ102の等価インダクタンスLantが、水晶振動子110の等価インダクタンスLxsに近づくほど、シフト量ΔFが大きくなりやすい。この現象は、図3に示すように、共振周波数比に関係なく、同じ傾向で生じる。
したがって、インダクタンス比frLが大きくなるほど、所定のシフト量ΔF以下になる共振周波数比の許容範囲Arは狭くなる。例えば、図3に示すように、ΔFの許容値を500ppmとし、インダクタンス比frLをA1,A2,A3の三種類設定し、A1<A2<A3とする。それぞれの場合の共振周波数比frFの許容範囲をArA1,ArA2,ArA3とすると、ArA1>ArA2>ArA3となる。
この許容範囲を決定する共振周波数比frFとインダクタンス比frLとの関係を関数化すると、0<frF<1、frL<1の条件下で、次式となる。
frF=1−k1*frL−k2*frL −(式3)
これをグラフに表すと、図4の太線のようになる。
この関数上の点は、シフト量ΔFが許容閾値の場合である。したがって、共振周波数比frFが一定であれば、インダクタンス比が(式3)から算出されるインダクタンス比frLよりも小さい場合に、シフト量ΔFが許容閾値未満となる。また、インダクタンス比frLが一定であれば、共振周波数比が(式3)から算出される共振周波数比frFよりも小さい場合に、シフト量ΔFが許容閾値未満となる。すなわち、図4のグラフにおける、(式3)の関数よりも原点側の位置となるように、共振周波数比frFおよびインダクタンス比frLを決定すればよい。そして、この決定した共振周波数比frFおよびインダクタンス比frLにより、アンテナ102の形状を決定すればよい。アンテナ102の形状は、放射導体121の形状や、接続導体122の形状、接続導体122に対する水晶振動子110の接続位置等で決定すればよい。放射導体121の形状とは、巻回数、中央開口幅(径)、導体幅、導体間隔で決定される。接続導体122の形状は、長尺導体の幅や間隔で決定される。
このように、アンテナ102の形状を決定することで、アンテナ102が変形する等の原因により、アンテナ102の等価インダクタンスが変化しても、センサタグ10の放射周波数Fを、予め設定した許容周波数範囲内に納めることができる。
そして、このような(式3)の係数を変化させることで、シフト量ΔFの許容閾値に応じたアンテナ102の形状設計を行うことができる。
図5は、許容閾値を変更した共振周波数比とインダクタンス比との関係を示すグラフである。この図5に示す場合、アンテナ102のインダクタンスの許容範囲は、図3の場合よりも小さくなる。そして、このようにシフト量ΔFの許容閾値を変更しても、この許容範囲を満たすようにアンテナ102を形成することで、アンテナ102が変形しても、センサタグ10の放射周波数Fを許容周波数範囲内に納めることができる。
ここで、具体的な設定の数例を示しておく。以下の設定は、水晶振動子120の共振周波数が26MHzのYsカットの場合を示す。なお、Ysカットの場合、100ppm/℃の特性が得られ、分解能の高い温度測定が可能になり、有用である。また、アンテナ102のインダクタンスは、アンテナ102の湾曲により、−20%変化するものと考える。
(A)許容温度誤差範囲を±2.5℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±250ppmとなる。この場合、(式3)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1≒3.0×10−7
k2≒5.0×10−4
(B)許容温度誤差範囲を±1.5℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±150ppmとなる。この場合、(式3)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1≒8.0×10−7
k2≒4.0×10−4
(C)許容温度誤差範囲を±1.0℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±100ppmとなる。この場合、(式3)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1≒1.0×10−6
k2≒5.0×10−4
(D)許容温度誤差範囲を±0.5℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±50ppmとなる。この場合、(式3)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1≒2.5×10−6
k2≒5.5×10−4
(E)許容温度誤差範囲を±0.2℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±20ppmとなる。この場合、(式3)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1≒5.0×10−6
k2≒2.0×10−3
このようなセンサタグは、次に示すように製造する。図6は、本実施形態のセンサタグの製造工程を示すフローチャートである。図7は水晶振動子に対する測定方法を示す図である。図8はアンテナに対する測定方法を示す図である。
まず、図7に示すように、水晶振動子110を単体の状態で、インピーダンスアナライザ901に接続する。そして、インピーダンスアナライザ901で、水晶振動子110の共振特性を測定する。そして、測定した共振特性から、共振周波数Fxsと、等価インダクタンスLxs、等価キャパ心タンスCxs,Cxp、等価抵抗Rxs等の等価回路定数を算出する(S101)。
次に、図8に示すように、水晶振動子110が実装されていない状態で、アンテナ102のランド導体120にインピーダンスアナライザ902を接続する。そして、インピーダンスアナライザ902で、アンテナ102の反射特性を測定する(S102)。反射特性は、所定の周波数で測定すれよく、例えば、1MHzで行えばよい。
次に、水晶振動子110の共振周波数Fxsおよび等価インダクタンスLxsと、アンテナ102の自己共振周波数Fantおよび等価インダクタンスLantから、センサタグ10の放射周波数のシフト量ΔFが許容範囲内となるように、水晶振動子110に対して、アンテナ102を組み合わせる(S103)。なお、アンテナの組み合わせ方法としては、例えば、アンテナ102は、自己共振周波数Fantと等価インダクタンスLantをパラメータとして、複数種類用意しておく。そして、水晶振動子110の共振周波数Fxsおよび等価インダクタンスLxsから、センサタグ10の放射周波数のシフト量ΔFが許容範囲内となるようなアンテナを選択して、水晶振動子110に接続するようにすればよい。
このような製造方法を用いることで、アンテナ102が変形する等の原因により、アンテナ102の等価インダクタンスが変化しても、許容周波数範囲内に放射周波数Fが納まるセンサタグ10を、確実に製造することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係るセンサタグについて、図を参照して説明する。上述の第1の実施形態では0<frF<1、frL<1の条件でのアンテナ102の設定方法を示したが、本実施形態では、frF>1の条件でのアンテナ102の設定方法を示す。
図9、図10は、本発明の第2の実施形態に係るアンテナの決定概念を示すグラフである。図9は、水晶振動子の共振周波数Fxsとアンテナの自己共振周波数Fantの比である共振周波数比と、水晶振動子の等価インダクタンスLxsとアンテナの等価インダクタンスLantの比であるインダクタンス比とが、放射周波数Fにどのような影響を与えるかをシミュレーションした結果を示すグラフである。図9において、横軸は共振周波数比であり、縦軸は、放射周波数Fのシフト量ΔFである。また、図9の各特性曲線は、それぞれ異なるインダクタンス比の場合を示す。図10は、共振周波数比とインダクタンス比との関係を示すグラフである。図10において、横軸はインダクタンス比であり、縦軸は共振周波数比である。
図9、図10における共振周波数比は、水晶振動子110単独の共振周波数Fxsを分子とし、アンテナ102単独の共振周波数Fantを分母とする比である。図9、図10におけるインダクタンス比は、アンテナ102の等価インダクタンスLantを分子とし、水晶振動子110の等価インダクタンスLxsを分母とする比である。なお、図9、図10では、Lant/Lxsは、実際には(Lant/Lxs)×10である。
図9におけるシフト量ΔFは、アンテナが湾曲していない定常状態の放射周波数をF1tとし、湾曲した状態での放射周波数をF1cとして、ΔF=F1c−F1tで表される。このシミュレーションでは、水晶振動子110の共振周波数Fxsと等価インダクタンスLxsは、温度が38.75℃の場合で行っている。なお、この温度は、センサタグ10で測定する温度範囲に基づいて、例えばその温度範囲の中心温度等に設定すればよい。
図9に示すように、frF>1の条件であっても、インダクタンス比frL(=Lant/Lxs)が一定の状態では、共振周波数比frF(=Fxs/Fant)が1.0に近づくほど、シフト量ΔFが大きくなる。すなわち、水晶振動子110の共振周波数Fxsとアンテナの自己共振周波数Fantとが同じ値に近づくほど、シフト量ΔFが大きくなりやすい。
また、frF>1の条件では、共振周波数比frFが一定の状態において、インダクタンス比frLが小さいほど、シフト量ΔFが大きくなる。すなわち、アンテナ102の等価インダクタンスLantが、水晶振動子110の等価インダクタンスLxsから離間するほど、シフト量ΔFが大きくなりやすい。この現象は、図9に示すように、共振周波数比に関係なく、同じ傾向で生じる。
したがって、インダクタンス比frLが小さくなるほど、所定のシフト量ΔF以下になる共振周波数比の許容範囲Arは狭くなる。例えば、図9に示すように、ΔFの許容値を200ppmとし、インダクタンス比frLをB1,B2の二種類設定し、B1>B2とする。それぞれの場合の共振周波数比frFの許容範囲をArB1,ArB2とすると、ArB1>ArB2となる。
この許容範囲を決定する共振周波数比frFとインダクタンス比frLとの関係を関数化すると、frF>1、frL>0の条件下で、次式となる。
frF=1−k1’*frL+k2’*frL −(式3’)
これをグラフに表すと、図10の太線のようになる。
この関数上の点は、シフト量ΔFが許容閾値の場合である。したがって、共振周波数比frFが一定であれば、インダクタンス比が(式3’)から算出されるインダクタンス比frLよりも大きい場合に、シフト量ΔFが許容閾値未満となる。また、インダクタンス比frLが一定であれば、共振周波数比が(式3’)から算出される共振周波数比frFよりも大きい場合に、シフト量ΔFが許容閾値未満となる。すなわち、図10のグラフにおける、(式3’)の関数よりも原点側の位置となるように、共振周波数比frFおよびインダクタンス比frLを決定すればよい。そして、この決定した共振周波数比frFおよびインダクタンス比frLにより、アンテナ102の形状を決定すればよい。アンテナ102の形状は、放射導体121の形状や、接続導体122の形状、接続導体122に対する水晶振動子110の接続位置等で決定すればよい。放射導体121の形状とは、巻回数、中央開口幅(径)、導体幅、導体間隔で決定される。接続導体122の形状は、長尺導体の幅や間隔で決定される。
このように、アンテナ102の形状を決定することで、アンテナ102が変形する等の原因により、アンテナ102の等価インダクタンスが変化しても、センサタグ10の放射周波数Fを、予め設定した許容周波数範囲内に納めることができる。
そして、このような(式3’)の係数を変化させることで、シフト量ΔFの許容閾値に応じたアンテナ102の形状設計を行うことができる。
ここで、具体的な設定の数例を示しておく。以下の設定は、水晶振動子120の共振周波数が26MHzのYsカットの場合を示す。なお、Ysカットの場合、100ppm/℃の特性が得られ、分解能の高い温度測定が可能になり、有用である。また、アンテナ102のインダクタンスは、アンテナ102の湾曲により、−20%変化するものと考える。
(A)許容温度誤差範囲を±2.5℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±250ppmとなる。この場合、(式3’)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1’≒2.9×10−7
k2’≒6.0×10−5
(B)許容温度誤差範囲を±1.5℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±150ppmとなる。この場合、(式3’)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1’≒4.3×10−7
k2’≒1.0×10−4
(C)許容温度誤差範囲を±1.0℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±100ppmとなる。この場合、(式3’)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1’≒6.6×10−7
k2’≒1.7×10−4
(D)許容温度誤差範囲を±0.5℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±50ppmとなる。この場合、(式3’)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1’≒9.0×10−7
k2’≒3.2×10−4
(E)許容温度誤差範囲を±0.2℃とした場合、シフト量ΔFの許容範囲は、±20ppmとなる。この場合、(式3)の係数は、次に用に設定すればよい。
k1≒2.8×10−6
k2≒9.0×10−4
なお、上述の各実施形態では、アンテナ102の変形によるインダクタンスの変化からセンサタグ10の放射周波数Fが変動する範囲を制限する例を示した。しかしながら、アンテナ102の寸法のバラツキ(製造バラツキ)によってインダクタンスが変化する場合にも、上述構成および方法を適用することで、上述の実施形態と同様に、センサタグ10の放射周波数Fが変動する範囲を制限することができる。
さらに、水晶振動子110の共振周波数Fxsは、上述の(式1)に示すように、等価インダクタンスLxs、等価キャパシタンスCxsによって決まる。このため、共振周波数Fxsが同じであっても、等価インダクタンスLxs、等価キャパシタンスCxsが異なる場合がある。すなわち、共振周波数Fxsが同じであっても、個体によって等価インダクタンスLxs、等価キャパシタンスCxsがばらつくことがある。このような場合にも、上述のアンテナ102が変形した時と同様に、センサタグ10の放射周波数Fが変動する。
ここで、水晶振動子110の共振周波数Fxsおよび等価インダクタスLxsは、動作周波数帯域や水晶振動子の形状によって概ね決定できる。したがって、上述の構成および方法を適用して、アンテナ102の等価インダクタンスLantを設定することで、上述の実施形態と同様に、センサタグ10の放射周波数Fが変動する範囲を制限することができる。すなわち、水晶振動子110の等価インダクタンスLxs、等価キャパシタンスCxsのバラツキに影響されることなく、センサタグ10の放射周波数Fを所望の周波数範囲内にすることができる。
また、上述の各実施形態では、アンテナ102の形状を変形することで、センサタグ10の放射周波数Fが変動する範囲を制限する例を示したが、例えば、アンテナ102の形状変形のみでは対応できない場合等に、次に示す構成にしてもよい。図11は、インピーダンス調整素子を追加したセンサタグの構成を示す平面図である。
センサタグ10Aは、上述のセンサタグ10に対して、インピーダンス調整素子130を追加した構成からなる。インピーダンス調整素子130は、実装型のインダクタまたはキャパシタからなる。インピーダンス調整素子130は、接続導体122に接続されている。より具体的には、インピーダンス調整素子130の一方の外部電極は、二本の接続導体122の一方の導体に接続され、インピーダンス調整素子130の他方の外部電極は、二本の接続導体122の他方の導体に接続されている。
このような構成であっても、センサタグ10Aの放射周波数Fが変動する範囲を制限することができる。さらに、センサタグ10Aの構成では、アンテナ102の形状変形のみで調整できないような場合でも、センサタグ10Aの放射周波数Fが変動する範囲を制限することができる。
10,10A:センサタグ、
101:フレキシブル基板、
102:アンテナ、
110:水晶振動子、
120:ランド導体、
121:放射導体、
122:接続導体、
130:インピーダンス調整素子、
901:インピーダンスアナライザ、
902:ネットワークアナライザ

Claims (8)

  1. 感知した物理量に応じた共振周波数で共振する共振子と、
    該共振子の共振による信号を外部へ放射するアンテナと、を備え、
    前記アンテナは、
    前記共振子の前記共振周波数と前記アンテナの自己共振周波数との共振周波数比が、
    前記共振子の等価インダクタンスと前記アンテナの等価インダクタンスとのインダクタンス比に基づいて所定範囲内になるように、形成されている、センサタグ。
  2. 前記共振周波数比は、前記インダクタンス比の関数によって表され、
    前記共振周波数比は、前記関数に前記インダクタンス比を入力した値以下になるように、前記アンテナが形成されている、請求項1に記載のセンサタグ。
  3. 前記共振周波数比は、前記インダクタンス比の関数によって表され、
    前記共振周波数比は、前記関数に前記インダクタンス比を入力した値以上になるように、前記アンテナが形成されている、請求項1に記載のセンサタグ。
  4. 前記関数は、前記インダクタンス比の二次関数で表される、請求項2または請求項3に記載のセンサタグ。
  5. 前記関数の係数は、周波数ズレの許容範囲に基づいて決定される、請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のセンサタグ。
  6. 前記アンテナは、放射導体と、該放射部と前記共振子とを接続する接続導体と、を備え、
    前記放射導体または前記接続導体の形状により、前記アンテナの形状を決定する、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のセンサタグ。
  7. 前記共振子は水晶振動子である、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のセンサタグ。
  8. 感知した物理量に応じた共振周波数で共振する共振子と、
    該共振子の共振による信号を外部へ放射するアンテナと、を備えたセンサタグの製造方法であって、
    複数のアンテナを用意する工程と、
    各アンテナの自己共振周波数と等価インダクタンスを測定する工程と、
    水晶振動子の共振周波数と等価インダクタンスを測定する工程と、
    前記共振子の前記共振周波数と前記アンテナの自己共振周波数との共振周波数比が、
    前記共振子の等価インダクタンスと前記アンテナの等価インダクタンスとのインダクタンス比に基づいて所定範囲内になるようなアンテナを前記水晶振動子に接続する工程と、
    を有する、センサタグの製造方法。
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