JPWO2014122937A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
Description
燐光発光は、蛍光発光の最大4倍程度の高い効率が期待される。しかしながら、励起の過程で燐光発光は蛍光発光よりも大きなエネルギーが必要となり、発光が不安定になりやすいため、十分な発光効率が得られず、また、素子が短寿命化するという問題が生じた。
また、電子輸送性を有する基と正孔輸送性を有する基とを内包したホスト材料が提案されている(特許文献2)。
また、発光層のホストから燐光ドーパントへのエネルギー移動をスムーズに行わせるために、ホストに対し燐光発光ドーパントを2種類混合させる方式も提案されている(特許文献3)。
尚、上記特許文献1〜3の有機EL素子は、いずれも発光層に隣接して正孔ブロック層と電子輸送層が積層されている。
また、正孔ブロック層への正孔注入により、ブロック層自体の劣化も生じやすく、燐光発光の短寿命化の原因となった。
さらに、有機層の積層数が増えたことにより、素子の膜厚設計に課題が生じ、また、製造費用が高くなる原因にもなる。
本発明の目的は、発光効率が高く、駆動電圧の低く、長寿命な燐光発光素子を簡便に提供することである。
1.陽極と、発光層と、電子注入層と、陰極とを、この順に有し、
前記電子注入層と前記発光層は隣接してあり、
前記電子注入層は、π電子欠乏性化合物と、電子供与性材料と、を含み
前記発光層は、少なくとも、第1ホスト材料、第2ホスト材料及び燐光発光性ドーパント材料を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
2.前記第1ホスト材料及び第2ホスト材料が、下記式(1)〜(3)のいずれかで表される材料から選択される、1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Z1は、aにおいて縮合している下記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。Z2は、bにおいて縮合している下記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。ただし、Z1及びZ2の少なくとも1つは下記式(1−1)で表される。
M1は、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の窒素含有ヘテロ芳香族環であり、
L1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の2価の複素環基、環形成炭素数5〜30のシクロアルキレン基、又は、これらが連結した基を表す。
kは、1又は2を表す。]
cは、前記式(1)のa又はbにおいて縮合していることを表す。
上記(1−2)において、d,e及びfのいずれか1つは、前記一般式(1)のa又はbにおいて縮合していることを表す。
上記式(1−1)及び(1−2)において、
X11は、硫黄原子、酸素原子、N−R19、又はC(R20)(R21)を表す。
R11〜R21は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
また、隣り合うR11〜R21は互いに結合して環を形成していてもよい。]
Z11は、aにおいて縮合している前記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。Z21は、bにおいて縮合している前記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。ただし、Z11及びZ21の少なくとも1つは前記式(1−1)で表される。
M11は、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の窒素含有ヘテロ芳香族環であり、
k1は、1又は2を表す。]
A1及びA2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基を表す。
A3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の2価の複素環基を表す。
mは、0〜3の整数を表す。
X1〜X8及びY1〜Y8は、それぞれ独立に、N又はCRaを表す。
Raは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Raが複数存在する場合、複数のRaはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
X5〜X8の1つと、Y1〜Y4の1つは、A3を介して結合している。
さらに、式(3)は、下記(i)〜(v)の少なくともいずれかを満たす。
(i)A1及びA2の少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(ii)X1〜X4及びY5〜Y8の少なくとも1つはCRaであり、X1〜X4及びY5〜Y8におけるRaの少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(iii)mは1〜3の整数であり、A3の少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の2価の複素環基である。
(iv)X5〜X8及びY1〜Y4の少なくとも1つはCRaであり、X5〜X8及びY1〜Y8におけるRaの少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(v)X1〜X8及びY1〜Y8の少なくとも1つはC−CNである。]
3.記第1ホスト材料が前記式(1)で表される材料であり、前記第2ホスト材料が、前記式(3)で表される材料である、2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4.記第1ホスト材料が前記式(2)で表される材料であり、前記第2ホスト材料が、前記式(3)で表される材料である、2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.前記第1ホスト材料が前記式(1)で表される材料であり、前記第2ホスト材料が、前記式(2)で表される材料である、2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.前記π電子欠乏性化合物が、下記式(I)〜(III)で表される化合物から選択される、1〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
L1a及びL1bは、それぞれ、単結合又は連結基である。
Ar1a、Ar1b、Ar1c及びAr2cは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数6〜60の芳香族基である。
nは、1〜4であり、nが2以上の場合、括弧の内のフェナントロリン骨格を有する基は、同一でも異なっていてもよい。]
7.前記電子供与性材料が、アルカリ金属の単体、アルカリ土類金属の単体、希土類金属の単体、希土類金属の化合物及び希土類金属の錯体から選択される少なくとも1つである、1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記第1ホスト材料と第2ホスト材料の合計に対する第1ホスト材料の含有率が30〜95質量%である、1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9.前記第1ホスト材料と第2ホスト材料の合計に対する第1ホスト材料の含有率が50〜95質量%である、1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.前記電子注入層における、電子供与性材料の含有率が20質量%以下である、1〜9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.前記燐光発光性ドーパント材料が、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)及び白金(Pt)から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である1〜10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12.前記発光層と前記陰極の間に、前記電子注入層のみを有する、1〜11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
図1に本発明に係る有機発光素子の一実施形態の素子構成を示す。
有機EL素子1は、陽極10、正孔注入層20、正孔輸送層30、発光層40、電子注入層50及び陰極60を、この順に積層した構成をしている。
本発明では、電子注入層50と発光層40は隣接してある。また、電子注入層50及び発光層40が、それぞれ、下記の構成成分を含有する。
・電子注入層は、π電子欠乏性化合物と、電子供与性材料を含む。
・発光層は、少なくとも、第1ホスト材料、第2ホスト材料及び燐光発光性ドーパント材料を含む。
さらに、発光層と陰極(スタック型の有機EL素子の場合は、中間電極)の間において、従来の素子では、電子輸送層や正孔ブロック層等を2層以上積層して形成することが一般的であったが、本発明では電荷バランスにすぐれているため上述の電子注入層を1層のみ形成した場合でも、高い発光効率が得られる。
以下、本発明の特徴である電子注入層及び発光層について説明する。
本発明の電子注入層は、π電子欠乏性化合物と、電子供与性材料を含む。
π電子欠乏性化合物としては、例えば、金属原子に配位可能な化合物等が挙げられる。具体的には、フェナントロリン系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、キノリノール等が挙げられる。
R1a〜R7a、R1b〜R7b、又はR1c〜R6cのうち、隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。
L1a及びL1bは、それぞれ、単結合又は連結基である。連結基としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜20の芳香族基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキレン鎖、置換もしくは無置換の複素環が挙げられる。具体的としては、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のナフタレン環、置換もしくは無置換のメチレン鎖、又は置換もしくは無置換のピリジン環が好ましい。
Ar1a、Ar1b、Ar1c及びAr2cは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数6〜60の芳香族基である。
nは、1〜4であり、nが2以上の場合、括弧の内のフェナントロリン骨格を有する基は、同一でも異なっていてもよい。
R11a〜R20a及びR11b〜R20bは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜60のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数7〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数2〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
R11a〜R20a又はR11b〜R20bのうち、隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。
尚、本明細書において、アリール基は、単環の芳香族炭化水素環基及び複数の炭化水素環が縮合した縮合芳香族炭化水素環基を含み、ヘテロアリール基は、単環のヘテロ芳香族環基、並びに複数のヘテロ芳香族環が縮合したヘテロ縮合芳香族環基、及び芳香族炭化水素環とヘテロ芳香族環とが縮合したヘテロ縮合芳香族環基を含む。
環形成炭素(核炭素)とは、芳香環を構成する炭素原子を意味し、環形成原子(核原子)とは複素環(飽和環、不飽和環及び芳香族複素環を含む)を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
「置換もしくは無置換の炭素数a〜bのX基」という表現における「炭素数a〜b」は、X基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、X基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素(protium)、重水素(deuterium)、三重水素(tritium)、を包含する。
Ar1a、Ar1b、Ar1c及びAr2cが示す芳香族基としては、上述したアリール基、及びアリール基から水素原子を除くことにより導かれる一価又は二価以上の基が挙げられる。
式(I)及び(II)におけるR1a〜R7a及びR1b〜R7bとしては、水素、フェニル、ナフチルが好ましい。
アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する置換基が挙げられる。
アリール基を有するシリル基としては、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、トリアルキルシリル基がある。
好適な置換基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、トリメチルシリル、トリフェニルシリルが挙げられる。
以下に式(I)〜(III)で表される化合物の具体例を示す。
ハロゲン原子及び炭素数1〜20のアルキル基の具体例は、上述した式(I)と同様である。
含窒素複素環基としては、ピリジン環、トリアジン等が挙げられる。
R31及びR32は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜60の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の含窒素複素環基、又は、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基である。各基の具体例は、上述した式(I)、A14と同様である。
式(IV)に示した化合物の具体例を以下に示す。
アルカリ土類金属としては、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。
希土類金属としては、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、セリウム(Ce)、テルビウム(Tb)、イッテルビウム(Yb)等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。
以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム(BaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化カルシウム(CaO)及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウム(BaxSr1−xO)(0<x<1)、カルシウム酸バリウム(BaxCa1−xO)(0<x<1)等が挙げられ、BaO、SrO、CaOが好ましい。
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム(YbF3)、フッ化スカンジウム(ScF3)、酸化スカンジウム(ScO3)、酸化イットリウム(Y2O3)、酸化セリウム(Ce2O3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)、フッ化テルビウム(TbF3)等が挙げられ、YbF3、ScF3、TbF3が好ましい。
発光層は、発光機能を有する有機層であって、1層又は複数層から形成され、このうち1層は上述のように第1ホスト材料、第2ホスト材料及び燐光発光性ドーパント材料を含有する。
第1ホスト材料及び第2ホスト材料は、それぞれ異なる化合物であり、電子移動度が異なる。本願では、電子移動度が高い方を第1ホスト材料とする。
第1ホスト材料と第2ホスト材料の合計に対する第1ホスト材料の含有率は30〜95質量%であることが好ましく、特に、50〜95質量%であることが好ましい。この範囲であれば、電荷バランスがとりやすく、駆動電圧が低く、長寿命な素子が形成しやすくなるとなる。
Z1は、aにおいて縮合している下記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。Z2は、bにおいて縮合している下記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。ただし、Z1及びZ2の少なくとも1つは下記式(1−1)で表される。
M1は、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の窒素含有ヘテロ芳香族環であり、
L1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の2価の複素環基、環形成炭素数5〜30のシクロアルキレン基、又は、これらが連結した基を表す。
kは、1又は2を表す。]
cは、前記式(1)のa又はbにおいて縮合していることを表す。
上記(1−2)において、d,e及びfのいずれか1つは、前記一般式(1)のa又はbにおいて縮合していることを表す。
上記式(1−1)及び(1−2)において、
X11は、硫黄原子、酸素原子、N−R19、又はC(R20)(R21)を表す。
R11〜R21は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
また、隣り合うR11〜R21は互いに結合して環を形成していてもよい。]
A1及びA2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基を表す。
A3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の2価の複素環基を表す。
mは、0〜3の整数を表す。
X1〜X8及びY1〜Y8は、それぞれ独立に、N又はCRaを表す。
Raは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Raが複数存在する場合、複数のRaはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
X5〜X8の1つと、Y1〜Y4の1つは、A3を介して結合している。
さらに、式(3)は、下記(i)〜(v)の少なくともいずれかを満たす。
(i)A1及びA2の少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(ii)X1〜X4及びY5〜Y8の少なくとも1つはCRaであり、X1〜X4及びY5〜Y8におけるRaの少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(iii)mは1〜3の整数であり、A3の少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の2価の複素環基である。
(iv)X5〜X8及びY1〜Y4の少なくとも1つはCRaであり、X5〜X8及びY1〜Y8におけるRaの少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(v)X1〜X8及びY1〜Y8の少なくとも1つはC−CNである。]
尚、式(3)中、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、シアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基は、さらに、シアノ基以外の置換基を有していてもよい。
また、前記mは好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。mが0である場合、X5〜X8の1つと、Y1〜Y4の1つは、単結合を介して結合する。
上記式(2)で表される材料は、正孔の注入輸送を担うカルバゾール誘導体骨格の窒素原子と、電子の注入輸送を担う窒素含有ヘテロ芳香族環骨格が、直接結合していることから、正孔注入輸送骨格及び電子注入輸送骨格それぞれが互いに多少影響を与えるため、電荷注入輸送効果が上記式(1)で表される材料と比較して、多少低くなる傾向にある。
上記式(3)で表される材料は、シアノ基を有することにより、電子トラップ性が向上し、電子移動度が低くなる傾向にある。
Z1は、aにおいて縮合している前記一般式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。Z2は、bにおいて縮合している前記一般式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。但し、Z1又はZ2の少なくともいずれか1つは前記一般式(1−1)で表される。
L1は、前記一般式(1)におけるL1と同義である。
X12〜X14は、それぞれ独立に、窒素原子、CH、又は、R31もしくはL1と結合する炭素原子であり、X12〜X14のうち少なくとも1つは窒素原子である。
Y11〜Y13は、それぞれ独立に、CH、又は、R31もしくはL1と結合する炭素原子を表す。
R31は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
R31が複数存在する場合、複数のR31は互いに同一でも異なっていてもよく、また、隣り合うR31は互いに結合して環を形成していてもよい。
kは1又は2を表し、nは0〜4の整数を表す。
前記式(1−1)におけるcは、前記一般式(1a)のa又はbにおいて縮合し、
前記一般式(1−2)におけるd,e及びfのいずれか1つは、前記一般式(1a)のa又はbにおいて縮合する。]
L1は、前記式(1)におけるL1と同義である。
X12〜X14は、それぞれ独立に、窒素原子、CH、又は、R31もしくはL1と結合する炭素原子であり、X12〜X14のうち少なくとも1つは窒素原子である。
Y11〜Y13は、それぞれ独立に、CH、又は、R31もしくはL1と結合する炭素原子を表す。
R31は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
R31が複数存在する場合、複数のR31は互いに同一でも異なっていてもよく、また、隣り合うR31は互いに結合して環を形成していてもよい。
nは、0〜4の整数を表す。
R41〜R48は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
また、隣り合うR41〜R48は互いに結合して環を形成していてもよい。]
L1は、前記一般式(1)におけるL1と同義である。
X12〜X14は、それぞれ独立に、窒素原子、CH、又は、R31もしくはL1と結合する炭素原子であり、X12〜X14のうち少なくとも1つは窒素原子である。
Y11〜Y13は、それぞれ独立に、CH、又は、R31もしくはL1と結合する炭素原子を表す。
R31は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
また、隣り合うR31は互いに結合して環を形成していてもよい。
nは、0〜4の整数を表す。
L2及びL3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の2価の複素環基、環形成炭素数5〜30のシクロアルキレン基、又は、これらが連結した基を表す。
R51〜R54は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
R51が複数存在する場合、複数のR51は互いに同一でも異なっていてもよく、また、隣り合うR51は互いに結合して環を形成していてもよい。
R52が複数存在する場合、複数のR52は互いに同一でも異なっていてもよく、また、隣り合うR52は互いに結合して環を形成していてもよい。
R53が複数存在する場合、複数のR53は互いに同一でも異なっていてもよく、また、隣り合うR53は互いに結合して環を形成していてもよい。
R54が複数存在する場合、複数のR54は互いに同一でも異なっていてもよく、また、隣り合うR54は互いに結合して環を形成していてもよい。
M2は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基を表す。
p及びsは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、q及びrは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。]
上記式(1)及び(2)において、M1又はM11で表される窒素含有ヘテロ芳香族環としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、アジリジン、アザインドリジン、インドリジン、イミダゾール、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、プテリジン、β−カルボリン、ナフチリジン、キノキサリン、ターピリジン、ビピリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、イミダゾピリジン等が挙げられ、特に、ピリジン、ピリミジン、トリアジンが好ましい。
炭素数7〜30のアラルキル基の具体例としては、ベンジル基、2−フェニルプロパン−2−イル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数1〜20のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、ネオペンチル基、1−メチルペンチル基等が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数3〜20のシクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数1〜20のアルコキシ基の具体例としては、アルキル部位が前記アルキル基である基が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数1〜20のハロアルキル基の具体例としては、前記したアルキル基の一部又は全部の水素原子が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数1〜20のハロアルコキシ基の具体例としては、前記したアルコキシ基の一部又は全部の水素原子が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数1〜10のアルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチルプロピルシリル基、ジメチルブチルシリル基、ジメチルターシャリーブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基等が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基の具体例としては、アリール部位が前記芳香族炭化水素基である基が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数6〜30のアリールシリル基の具体例としては、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジフェニルターシャリーブチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる炭素数7〜30のアラルキル基の具体例としては、上記R11等が示すアラルキル基が挙げられる。
上記任意の置換基として用いられる環形成原子数5〜30のヘテロアリール基の具体例としては、前記R11等が示す複素環基と同じものが挙げられる。
上記任意の置換基は、さらに置換基を有していてもよく、その具体例は上記任意の置換基と同様である。
上記式(1)又は(2)で表される化合物の例としては、以下が挙げられる。尚、以下の構造式中、その端に化学式(CN、ベンゼン環等)が記載されていない結合は、メチル基を表すものである。
前記A3の示す環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基としては、上記環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基で挙げた基を2価にした基が挙げられる。
前記A3の示す環形成原子数5〜30の2価の複素環基としては、上記環形成原子数5〜30の複素環基で挙げた基を2価にした基が挙げられる。
本材料は、電子注入・輸送性のシアノ基が導入されることにより、正孔耐性が向上している。そのため、シアノ基を有する材料を含有する本発明の有機EL素子は、シアノ基を有さないホスト材料を使用する従来有機EL素子と比較して長寿命化する効果を奏する。
(i)前記A1、前記A2の少なくとも1つがシアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(ii)X1〜X4及びY5〜Y8の少なくとも1つはCRaであり、X1〜X4及びY5〜Y8におけるRaの少なくとも1つはシアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
即ち、式(3)の材料は下記(1)〜(3)のいずれかに該当することが好ましい。
(1)上記(i)を満たし、上記(ii)〜(v)を満たさない。
(2)上記(ii)を満たし、上記(i)、(iii)〜(v)を満たさない。
(3)上記(i)及び上記(ii)の両方を満たし、上記(iii)〜(v)を満たさない。
また、式(3)の材料は、A1がシアノ基で置換されており、A2がシアノ基で置換されていないことが好ましい。さらにこの場合、式(3)の材料が前記(ii)の条件を満たさないことがより好ましい。
さらに、式(3)の材料が前記(ii)の条件を満たす場合、前記(i)の条件を満たさないことがより好ましい。
発光層に含まれる燐光ドーパント材料の発光波長は特に限定されないが、発光層に含まれる前記燐光ドーパント材料のうち少なくとも1種は、発光波長のピークが490nm以上700nm以下であることが好ましく、490nm以上650nm以下であることがより好ましい。
上記第1ホスト材料及び第2ホスト材料とそれ以外の化合物を同一の発光層内の燐光ホスト材料として併用してもよいし、複数の発光層がある場合には、そのうちの一つの発光層の燐光ホスト材料として上記第1ホスト材料及び第2ホスト材料を用い、別の一つの発光層の燐光ホスト材料として上記第1ホスト材料又は第2ホスト材料以外の化合物を用いてもよい。また、上記第1ホスト材料及び第2ホスト材料は発光層以外の有機層にも使用しうるものである。
燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔と電子の移動度で表される正孔輸送能と電子輸送能が異なっていてもよい。
発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
以下、構成部材の例について簡単に説明する。
本発明の有機EL素子は、透光性基板上に作製する。透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400nm〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いてなるものを挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いてなるものを挙げることができる。
有機EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有するものを用いることが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を10%より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選択される。
陰極は電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料により形成するのが好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用できる。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、必要に応じて、陰極側から発光を取り出してもよい。
正孔輸送帯域(陽極と発光層の間の領域)の層としては、正孔輸送層や正孔注入層等がある。正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10−4cm2/V・秒であれば好ましい。
Lは、単結合又はAr31〜Ar34と同様な基を表す。
さらに、芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
電子輸送帯域(陰極と電子注入層の間の領域)の層としては、電子輸送層等がある。
電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。
電子輸送層は数nm〜数μmの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、104〜106V/cmの電界印加時に電子移動度が少なくとも10−5cm2/Vs以上であることが好ましい。
電子輸送層に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体や含窒素複素環誘導体が好適である。
上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
含窒素複素環誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等が好ましく、中でもベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。
また、この層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。
尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
本実施形態の有機EL素子2は、基板10上に、陽極20、第1の発光ユニット71、電荷発生層72、第2の発光ユニット73及び光透過性陰極60を、この順に備える。
2つの発光ユニットはそれぞれ、少なくとも発光層を有する単層又は積層構造を有する。例えば、発光ユニットは陽極側から、正孔輸送層、発光層及び電子注入層を積層した多層膜構造が好ましい。本発明では2つの発光ユニットの少なくとも1つが、本発明の電子注入層と発光層が隣接した構造を有している。
本実施形態では、例えば、各発光ユニットの発光色を異ならせること、即ち発光層の材料を変えることにより、白色発光する有機EL素子が得られる。
30mm×30mmのガラス板からなる基板上に、陽極としてITOを240nmの膜厚で形成した。次に、SiO2蒸着により2mm×2mmの発光領域以外を絶縁膜でマスクした有機EL素子用のセルを作製した。
陽極上に、正孔注入層として、蒸着にてヘキサニトリルアザトリフェニレン(下記式(HAT))を10nmの膜厚で形成した。
続けて、正孔輸送層1として、蒸着にて化合物HT−1を180nmの膜厚で形成した。この上に、正孔輸送層2として、蒸着にて化合物HT−2を20nmの膜厚で形成した。
次に、正孔輸送層2の上に、化合物H1−1、H2−1及びIr(PPy)3を共蒸着し、厚さ30nmの発光層を形成した。発光層において、ホスト材料の比率(質量比)は1:1とした。また、ドーパントの含有率は10%(質量比)とした。
発光層に続けて、Liと化合物E−1を二元蒸着させ、E−1:Li膜(Li 2%(質量比))を30nm形成し電子注入層とした。電子注入層上に金属Alを80nm蒸着させ陰極を形成して、有機EL素子を作製した。
作製した有機EL素子について、10mAcm−2の電流密度における電圧(V)及び輝度(cd/m2)、40mA/cm2駆動での輝度半減寿命を測定した。
発光層で使用したホスト材料、発光層から陰極までの層構成及び評価結果を表1に示す。
発光層のホスト材料及び電子注入層で使用した化合物を、表1に示すように変更した他は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
発光層の形成までは、実施例1と同様にした。
発光層に続けて、Alq3層を30nm形成し、さらに、LiFを0.5nmの厚さで形成した。その後、実施例1と同様に陰極を形成して、有機EL素子を作製した。実施例と同様に評価した結果を表1に示す。
発光層の形成までは、実施例1と同様にした。
発光層に続けて、正孔ブロック層としてBAlq層を20nm形成した。続けて、Alq3層を10nm形成し、さらに、LiFを0.5nmの厚さで形成した。その後、実施例1と同様に陰極を形成して、有機EL素子を作製した。実施例と同様に評価した結果を表1に示す。
ホスト材料として、CBPのみを使用した他は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
ホスト材料として、CBPのみを使用した他は、比較例2と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
発光層の形成まで、ホスト材料としてCBPのみを使用した他は、実施例1と同様にした。
その後、正孔ブロック層としてBAlq層を10nm形成した。続けて、Alq3層を10nm形成し、さらに、電子注入層として、E−1とLiの混合層(Li:2%)を10nmの厚さで形成した。その後、実施例1と同様に陰極を形成して、有機EL素子を作製した。実施例と同様に評価した結果を表1に示す。
発光層の形成まで、ホスト材料としてCBPのみを使用した他は、実施例1と同様にした。
その後、電子注入層として、E−1のみからなる層を30nmの厚さで形成した。さらに、LiFを0.5nmの厚さで形成した。その後、実施例1と同様に陰極を形成して、有機EL素子を作製した。実施例と同様に評価した結果を表1に示す。
ホスト材料として、H2−1を使用せず、H1−1のみを使用した他は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
比較例3は、電子注入層が発光層に隣接しているため、比較例4に比べて低電圧化しているものの、発光層の電荷バランスが悪いために低効率化と短寿命化が発生した。比較例4、5は、正孔ブロック材料で励起子のロスを防ぎ効率を補っているものの、電荷輸送能の低い正孔ブロック材を用いていることで高電圧化が生じた。
比較例6は、電子輸送層が発光層に隣接しているため、比較例5に比べるとやや高電圧化しているものの、発光層の電荷バランスが悪いために低効率化と短寿命化が発生した。
比較例7は、発光層ホストを混合していないため電荷バランスが不十分であるため短寿命化が発生した。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Claims (12)
- 陽極と、発光層と、電子注入層と、陰極とを、この順に有し、
前記電子注入層と前記発光層は隣接してあり、
前記電子注入層は、π電子欠乏性化合物と、電子供与性材料と、を含み
前記発光層は、少なくとも、第1ホスト材料、第2ホスト材料及び燐光発光性ドーパント材料を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記第1ホスト材料及び第2ホスト材料が、下記式(1)〜(3)のいずれかで表される材料から選択される、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Z1は、aにおいて縮合している下記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。Z2は、bにおいて縮合している下記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。ただし、Z1及びZ2の少なくとも1つは下記式(1−1)で表される。
M1は、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の窒素含有ヘテロ芳香族環であり、
L1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の2価の複素環基、環形成炭素数5〜30のシクロアルキレン基、又は、これらが連結した基を表す。
kは、1又は2を表す。]
cは、前記式(1)のa又はbにおいて縮合していることを表す。
上記(1−2)において、d,e及びfのいずれか1つは、前記一般式(1)のa又はbにおいて縮合していることを表す。
上記式(1−1)及び(1−2)において、
X11は、硫黄原子、酸素原子、N−R19、又はC(R20)(R21)を表す。
R11〜R21は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜30のアルキニル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜30のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基を表す。
また、隣り合うR11〜R21は互いに結合して環を形成していてもよい。]
Z11は、aにおいて縮合している前記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。Z21は、bにおいて縮合している前記式(1−1)又は(1−2)で表される環構造を表す。ただし、Z11及びZ21の少なくとも1つは前記式(1−1)で表される。
M11は、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の窒素含有ヘテロ芳香族環であり、
k1は、1又は2を表す。]
A1及びA2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基を表す。
A3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の2価の複素環基を表す。
mは、0〜3の整数を表す。
X1〜X8及びY1〜Y8は、それぞれ独立に、N又はCRaを表す。
Raは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Raが複数存在する場合、複数のRaはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
X5〜X8の1つと、Y1〜Y4の1つは、A3を介して結合している。
さらに、式(3)は、下記(i)〜(v)の少なくともいずれかを満たす。
(i)A1及びA2の少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(ii)X1〜X4及びY5〜Y8の少なくとも1つはCRaであり、X1〜X4及びY5〜Y8におけるRaの少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(iii)mは1〜3の整数であり、A3の少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の2価の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の2価の複素環基である。
(iv)X5〜X8及びY1〜Y4の少なくとも1つはCRaであり、X5〜X8及びY1〜Y8におけるRaの少なくとも1つは、シアノ基で置換された環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、又はシアノ基で置換された環形成原子数5〜30の複素環基である。
(v)X1〜X8及びY1〜Y8の少なくとも1つはC−CNである。] - 記第1ホスト材料が前記式(1)で表される材料であり、前記第2ホスト材料が、前記式(3)で表される材料である、請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 記第1ホスト材料が前記式(2)で表される材料であり、前記第2ホスト材料が、前記式(3)で表される材料である、請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第1ホスト材料が前記式(1)で表される材料であり、前記第2ホスト材料が、前記式(2)で表される材料である、請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記π電子欠乏性化合物が、下記式(I)〜(III)で表される化合物から選択される、請求項1〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
L1a及びL1bは、それぞれ、単結合又は連結基である。
Ar1a、Ar1b、Ar1c及びAr2cは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数6〜60の芳香族基である。
nは、1〜4であり、nが2以上の場合、括弧の内のフェナントロリン骨格を有する基は、同一でも異なっていてもよい。] - 前記電子供与性材料が、アルカリ金属の単体、アルカリ土類金属の単体、希土類金属の単体、希土類金属の化合物及び希土類金属の錯体から選択される少なくとも1つである、請求項1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第1ホスト材料と第2ホスト材料の合計に対する第1ホスト材料の含有率が30〜95質量%である、請求項1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第1ホスト材料と第2ホスト材料の合計に対する第1ホスト材料の含有率が50〜95質量%である、請求項1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子注入層における、電子供与性材料の含有率が20質量%以下である、請求項1〜9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記燐光発光性ドーパント材料が、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)及び白金(Pt)から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である請求項1〜10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層と前記陰極の間に、前記電子注入層のみを有する、請求項1〜11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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