JPWO2012172650A1 - 半導体素子の冷却構造 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、ハイブリッド自動車のモータジェネレータ制御に関する構成を示す回路図である。本実施の形態では、本発明における半導体素子の冷却構造が、ハイブリッド自動車に搭載されるパワー制御ユニット(PCU:Power Control Unit)に適用される。
本実施の形態では、実施の形態1における半導体素子の冷却構造の各種変形例について説明する。以下では、実施の形態1における半導体素子の冷却構造と比較して、重複する構造については説明を繰り返さない。
Claims (6)
- 冷媒が流通する冷媒通路(31)と、前記冷媒通路(31)から分岐し、前記冷媒通路(31)を挟んだ両側にそれぞれ配置される第1分岐通路(41)および第2分岐通路(51)とが形成され、前記第1分岐通路(41)および前記第2分岐通路(51)を流通する冷媒によって複数の半導体素子(26)を冷却する冷却構造であって、
前記冷媒通路(31)における冷媒流れの下流側に設けられる壁部(22)と、
前記冷媒通路(31)における冷媒の流れ方向に互いに間隔を隔てて配置され、互いに隣り合う位置に前記第1分岐通路(41)を形成する複数枚の第1フィン部(43)と、
前記冷媒通路(31)における冷媒の流れ方向に互いに間隔を隔てて配置され、互いに隣り合う位置に前記第2分岐通路(51)を形成する複数枚の第2フィン部(53)とを備え、
前記第1フィン部(43)および前記第2フィン部(53)は、前記冷媒通路(31)に向けて延びる先端に端部(43p,53p)を有し、
複数枚の前記第1フィン部(43)は、前記第1フィン部(43)の前記端部(43p)が、その第1フィン部(43)と前記冷媒通路(31)における冷媒流れの下流側に隣り合う前記第1フィン部(43)の前記端部(43p)よりも、前記冷媒通路(31)に向けて大きく延出しないように設けられ、複数枚の前記第2フィン部(53)は、前記第2フィン部(53)の前記端部(53p)が、その第2フィン部(53)と前記冷媒通路(31)における冷媒流れの下流側に隣り合う前記第2フィン部(53)の前記端部(53p)よりも、前記冷媒通路(31)に向けて大きく延出しないように設けられ、
複数枚の前記第1フィン部(43)間で前記端部(43p)を結んで得られる仮想線(61)および複数枚の前記第2フィン部(53)間で前記端部(53p)を結んで得られる仮想線(71)の、前記冷媒通路(31)における冷媒の流れ方向に対する勾配は、前記冷媒通路(31)における冷媒流れの下流側よりも上流側で大きくなる、半導体素子の冷却構造。 - 前記端部(43p,53p)を結んで得られる仮想線(61,71)は、前記冷媒通路(31)における冷媒流れの下流側で、前記冷媒通路(31)における冷媒の流れ方向に対して平行方向に延び、前記冷媒通路(31)における冷媒流れの上流側で、前記冷媒通路(31)における冷媒の流れ方向に対して斜め方向に延びる、請求項1に記載の半導体素子の冷却構造。
- 前記端部(43p,53p)を結んで得られる仮想線(61,71)は、前記冷媒通路(31)における冷媒流れの下流側から上流側に向けて、前記冷媒通路(31)における冷媒の流れ方向に対する勾配を大きくしながら湾曲する、請求項1に記載の半導体素子の冷却構造。
- 前記壁部(22)を有し、前記第1フィン部(43)および前記第2フィン部(53)を収容するケース体(21)と、
前記ケース体(21)に向けて冷媒を供給するファン(28)とをさらに備え、
前記ケース体(21)には、前記冷媒通路(31)における冷媒流れの上流側で開口する開口部(23)が形成され、
前記ファン(28)は、前記開口部(23)に直接、接続される、請求項1に記載の半導体素子の冷却構造。 - 前記ファン(28)は、遠心ファンであり、前記開口部(23)に接続される断面において前記第1フィン部(43)側から前記第2フィン部(53)側に近づくほど冷媒流量が小さくなるように、前記開口部(23)に接続され、
複数枚の前記第2フィン部(53)間で前記端部(53p)を結んで得られる仮想線(71)の勾配は、複数枚の前記第1フィン部(43)間で前記端部(43p)を結んで得られる仮想線の勾配よりも大きい、請求項4に記載の半導体素子の冷却構造。 - 前記壁部(22)に設けられ、前記第1分岐通路(41)と前記第2分岐通路(51)との間で前記冷媒通路(31)に向けて突出する突出部(96)をさらに備える、請求項1に記載の半導体素子の冷却構造。
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