JPWO2011125099A1 - スタンパ製造用原盤 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態に係る原盤10について説明する。
なお、突起の高さとは、原盤の凹凸の深さ方向で定義される。また、突起の幅とは、原盤の凹凸の深さ方向に垂直な方向で定義される。
シリコン酸化物…200−260 mJ/m2
ガラス(NaSiO2)…310 mJ/m2
アルミ酸化物…420 mJ/m2
チタン酸化物…320 mJ/m2
ニッケル…1778 mJ/m2
チタン…1650 mJ/m2
アルミ…900 mJ/m2
つまり、原盤10に用いる材料の表面エネルギーとスタンパ80に用いる材料(ニッケル)との表面エネルギーの差が小さいほど密着性が良い。例えば、シリコン酸化物、アルミ酸化物、チタン酸化物、及びガラスの表面エネルギーは200〜400mJ/m2であり、シリコン、ニッケル(Ni)、チタン等の単体の表面エネルギーは約1700mJ/m2である。
図14は、本実施形態に係る原盤100を示す図である。本実施形態に係る原盤100は、基板140は2種類の異なる材料120、130(第1の材料120、第2の材料130)のうちの一方と突起150の材料が同一であり、突起150が基板140の突起150と同一の材料が形成された領域上に形成されている点が第1の実施形態と異なる。すなわち、基板140は第1の材料120を含み、基板140の表面に第2の材料130が含まれる領域が形成され、その領域上にのみ突起150が形成されている。なお、基板140が第2の材料130を含み、基板140の表面に第1の材料120を含む領域が形成されていてもよい。原盤100のうち原盤10と同様の構成については説明を省略する。
図6〜12に示した方法に従い、第1の実施形態に係る原盤10を作製した。
基板をガラス基板とした以外、実施例1と同じ方法で原盤を作製した。本比較例の原盤は、基板材料がガラスとアルミ酸化物、突起材料がシリコン酸化物である。また、AFM測定の結果から、原盤の突起の高さの平均は15.0nm、3σで与えられる突起の高さのばらつきは0.3nmであった。また、原盤の突起の幅は10nmであった。
基板材料をシリコンとアルミニウムとした以外、実施例1と同じ方法で原盤を作製した。本比較例の原盤材料は、基板材料がシリコンとアルミニウム、突起材料がシリコン酸化物である。また、AFM測定の結果から、原盤の突起の高さの平均値は15.0nm、3σで与えられる突起の高さのばらつきは0.4nmであった。原盤の突起の幅は10nmであった。
第1の実施形態に係わる原盤10を作製した。
図15〜20に示した方法に従って第2の実施形態に係わる原盤100を作製した。
第2の実施形態に係わる原盤100を作製した。原盤100の突起の幅を5nm、10nm、15nm、及び50nmで設計した。その他の条件については実施例3と同様である。完成した原盤100に対して、同一の原盤からNiスタンパ製造を10回繰り返し行った。その後、それぞれの原盤の形状をAFMにより観察した。
第1の実施形態に係わる原盤10を作製した。突起の幅を5nm、10nm、15nm、及び50nmで設計した。その他の条件については、実施例1と同様である。完成した原盤に対して、同一の原盤からNiスタンパ製造を10回繰り返し行った。その後、それぞれの原盤の形状をAFMにより観察した。
Claims (5)
- 第1の材料を含む基板と、
第2の材料を含み、前記基板表面に形成された領域と、
前記基板表面に形成された突起と、
を備え、
前記第1の材料はシリコンであり、前記第2の材料はシリコン酸化物、アルミ酸化物、チタン酸化物、及びガラスから選択されることを特徴とするスタンパ製造用原盤。 - 前記突起は、シリコン、シリコン酸化物、アルミ酸化物、チタン酸化物、及びガラスから選択されることを特徴とする請求項1に記載のスタンパ製造用原盤。
- 第1の材料を含む基板と、
第2の材料を含み、前記基板表面に形成された領域と、
前記領域上のみに形成された突起と、
を備え、
前記第1の材料はシリコンであり、前記第2の材料はシリコン酸化物、アルミ酸化物、チタン酸化物、及びガラスから選択されることを特徴とするスタンパ製造用原盤。 - 前記突起は、シリコン、シリコン酸化物、アルミ酸化物、チタン酸化物、及びガラスから選択されることを特徴とする請求項3に記載のスタンパ製造用原盤。
- 前記突起の幅は10nm以下であることを特徴とする請求項3に記載のスタンパ製造用原盤。
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