JPWO2010004881A1 - 磁気ランダムアクセスメモリ、並びに磁気ランダムアクセスメモリの初期化方法及び書き込み方法 - Google Patents
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Abstract
Description
そして、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの初期化方法は、第1方向に磁界を印加し、磁化記録層の全ての磁化を第1方向に向けるステップと、第1方向とは逆の第2方向に磁界を印加して磁化記録層のうち、特性変化構造が設けられていない領域の磁化を第2方向に向け、磁壁を発生させるステップと、第1方向に磁界を印加し、磁壁を第1領域内に導入させるステップと、第1端子と第2端子との間に電流を流すことにより磁壁を第2端子の近傍に駆動するステップとを実行する。
又は、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの初期化方法は、第1方向に磁界を印加し、磁気記録層の全ての磁化を第1方向に向けるステップと、第1方向とは逆の第2方向に磁界を印加して磁化記録層のうち、特性変化構造が設けられている領域の磁化を第2方向を向け、磁壁を発生させるステップと、第2方向に磁界を印加し、磁壁を第1領域内に導入させるステップと、第1端子と第2端子との間に電流を流すことにより磁壁を第2端子の近傍に駆動するステップとを実行する。
そして、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法は、書込み電流パルスを第1時間で立ち上げるステップと、書き込み電流パルスを第1時間より長い第2時間で立ち下げるステップとを実行する。
まず、MRAMに用いられる磁気メモリセルの構成について説明する。図5は、本実施の形態に係る磁気メモリセルの磁気抵抗素子の一例を示す斜視図である。磁気抵抗素子1は、磁化記録層10と、磁化記録層10の第1領域11上に設けられたトンネルバリヤ層32(非磁性層)と、トンネルバリヤ層32上に設けられたピン層30(磁化固定層)とを備えている。ここで第1領域11とは、磁化記録層10における領域であって第1端子14a(後述)と第2端子14b(後述)との間の領域を指す。磁化記録層10とピン層30は強磁性体層である。トンネルバリヤ層32は非磁性体層である。トンネルバリヤ層32は、磁化記録層10とピン層30に挟まれている。これら磁化記録層10、トンネルバリヤ層32、及びピン層30によって磁気トンネル接合(MTJ)が形成されている。
次に、本発明の実施の形態に係るMRAMの初期化方法、すなわち磁壁導入について説明する。図8A〜図8Dは、本発明の実施の形態に係るMRAMの初期化方法を示す断面図である。ここで、ピン層30の保磁力は磁化記録層10の保磁力よりも十分大きく、初期化過程で磁化方向が変化しないと仮定し図示を省略している。また、第1端子14aの外側には図5と同様に絶縁層42を介して強磁性層44が積層されているとする(ただし、絶縁層42は図示を省略している)。各図中における各部分の白抜き矢印は、当該部分の磁化方向を示している。
以上述べた初期化動作において磁界方向を全て反対方向に設定しても、所望の初期状態が得られることは言うまでもない。
次に、磁気メモリセルに対するデータの書き込み原理を説明する。図9は、図5で示された構造を有する磁気メモリセル(磁気抵抗素子1)に対するデータの書込み原理を示している。磁化記録層10の磁化方向は前述の初期化動作により初期化されているとする。磁化記録層10のうち、以下の書き込み動作において、磁化が反転する第1端子14aと第2端子14bの間の領域を磁化反転領域13と呼ぶことにする。
図12は、本実施の形態に係る磁気メモリセルの磁気抵抗素子の変形例を示す斜視図である。本変形例においては、磁気抵抗素子1dは、ピン層30及びトンネルバリヤ層32と磁化記録層10との間に、分離金属層38、センサー層39を有している。加えて、このセンサー層39から上の積層膜は磁化記録層10からY方向にオフセットした位置に配置されている。また、本変形例においては、センサー層39及びピン層30として、いずれも垂直磁気異方性ではなく面内磁気異方性を有する磁性材料が用いられている。
図14は、本実施の形態に係るMRAMの構成の一例を示すブロック図である。図14において、MRAM60は、複数の磁気メモリセル71がマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ61を有している。このメモリセルアレイ61は、データの記録に用いられる磁気メモリセル71と共に、データ読み出しの際に参照されるリファレンスセル71rを含んでいる。リファレンスセル71rの構造は、磁気メモリセル71と同じである。
Claims (14)
- 垂直磁気異方性を有し、強磁性層である磁化記録層と、
前記磁化記録層における第1領域の一方の端に接続された第1端子と、
前記第1領域の他方の端に接続された第2端子と、
前記第1領域上に設けられた非磁性層と、
前記非磁性層上であって前記第1領域と反対側に設けられた磁化固定層と
を具備し、
前記磁化記録層は、
前記磁化記録層における前記第1端子の外側である第1延長部分と、
前記第1延長部分に設けられ、前記磁化記録層の磁化反転特性を実質的に変化させる特性変化構造と
を備える
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記磁化記録層は、前記磁化記録層における前記第2端子の外側である第2延長部分を更に備える
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1又は2に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記特性変化構造は、前記磁化記録層に絶縁層を介して接続した強磁性層を含む
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1又は2に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記特性変化構造は、前記磁化記録層に直接的に接続した強磁性層を含む
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1又は2に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記特性変化構造は、前記磁化記録層に直接的に接続した反強磁性層を含む
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1又は2に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記特性変化構造は、前期磁化記録層に設けられた段差を有する
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1又は2に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記特性変化構造は、前期磁化記録層に設けられたエッチングされた薄層部を含む
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1乃至7のいずれか一項に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記非磁性層及び前記磁化固定層は、前記第1領域にオーバーラップして積層されている
磁気メモリセル。 - 請求の範囲1乃至7のいずれか一項に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記磁化記録層と前記非磁性層との間に設けられ、強磁性層であるセンス層を更に具備し、
前記センス層、前記非磁性層及び前記ピン層は、前記第1領域に部分的にオーバーラップして積層されている
磁気メモリセル。 - 請求の範囲9に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記センス層及び前記磁化固定層は、面内磁気異方性を有する
磁気メモリセル。 - 行列上に配列され、請求の範囲1乃至10のいずれか一項に記載の複数の磁気メモリセルと、
前記複数の磁気メモリセルの書込み動作時に書き込み電流を供給する書き込み電流供給回路と
を具備する
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 行列上に配列され、複数の磁気メモリセルと、
前記複数の磁気メモリセルの書込み動作時に書き込み電流を供給する書き込み電流供給回路と
を具備し、
前記複数の磁気メモリセルの各々は、
垂直磁気異方性を有し、強磁性層である磁化記録層と、
前記磁化記録層における第1領域の一方の端に接続された第1端子と、
前記第1領域の他方の端に接続された第2端子と、
前記第1領域上に設けられた非磁性層と、
前記非磁性層上であって前記第1領域と反対側に設けられた磁化固定層と、
を備え、
前記磁化記録層は、
前記磁化記録層における前記第1端子の外側である第1延長部分と、
前記第1延長部分に設けられ、前記磁化記録層の磁化反転特性を実質的に変化させる特性変化構造と
を含む磁気ランダムアクセスメモリに対して、
第1方向に磁界を印加し、前記磁化記録層の全ての磁化を前記第1方向に向けるステップと、
前記第1方向とは逆の第2方向に磁界を印加して前記磁化記録層のうち、前記特性変化構造が設けられていない領域の磁化を前記第2方向に向け、磁壁を発生させるステップと、
前記第1方向に磁界を印加し、前記磁壁を前記第1領域内に導入させるステップと、
前記第1端子と前記第2端子との間に電流を流すことにより前記磁壁を前記第2端子の近傍に駆動するステップと
を実行する
磁気ランダムアクセスメモリの初期化方法。 - 行列上に配列され、複数の磁気メモリセルと、
前記複数の磁気メモリセルの書込み動作時に書き込み電流を供給する書き込み電流供給回路と
を具備し、
前記複数の磁気メモリセルの各々は、
垂直磁気異方性を有し、強磁性層である磁化記録層と、
前記磁化記録層における第1領域の一方の端に接続された第1端子と、
前記第1領域の他方の端に接続された第2端子と、
前記第1領域上に設けられた非磁性層と、
前記非磁性層上であって前記第1領域と反対側に設けられた磁化固定層と
を備え、
前記磁化記録層は、
前記磁化記録層における前記第1端子の外側である第1延長部分と、
前記第1延長部分に設けられ、前記磁化記録層の磁化反転特性を実質的に変化させる特性変化構造と
を含む磁気ランダムアクセスメモリに対して、
第1方向に磁界を印加し、前記磁気記録層の全ての磁化を前記第1方向に向けるステップと、
前記第1方向とは逆の第2方向に磁界を印加して前記磁化記録層のうち、前記特性変化構造が設けられている領域の磁化を前記第2方向を向け、磁壁を発生させるステップと、
前記第2方向に磁界を印加し、前記磁壁を前記第1領域内に導入させるステップと、
前記第1端子と前記第2端子との間に電流を流すことにより前記磁壁を前記第2端子の近傍に駆動するステップと
を実行する
磁気ランダムアクセスメモリの初期化方法。 - 行列上に配列され、複数の磁気メモリセルと、
前記複数の磁気メモリセルの書込み動作時に書き込み電流を供給する書き込み電流供給回路と
を具備し、
前記複数の磁気メモリセルの各々は、
垂直磁気異方性を有し、強磁性層である磁化記録層と、
前記磁化記録層における第1領域の一方の端に接続された第1端子と、
前記第1領域の他方の端に接続された第2端子と、
前記第1領域上に設けられた非磁性層と、
前記非磁性層上であって前記第1領域と反対側に設けられた磁化固定層と
を備え、
前記磁化記録層は、
前記磁化記録層における前記第1端子の外側である第1延長部分と、
前記第1延長部分に設けられ、前記磁化記録層の磁化反転特性を実質的に変化させる特性変化構造と
を含む磁気ランダムアクセスメモリに対して、
書込み電流パルスを第1時間で立ち上げるステップと、
前記書き込み電流パルスを前記第1時間より長い第2時間で立ち下げるステップと
を実行する
磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法。
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