JPWO2009084445A1 - ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置 - Google Patents
ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009084445A1 JPWO2009084445A1 JP2009548001A JP2009548001A JPWO2009084445A1 JP WO2009084445 A1 JPWO2009084445 A1 JP WO2009084445A1 JP 2009548001 A JP2009548001 A JP 2009548001A JP 2009548001 A JP2009548001 A JP 2009548001A JP WO2009084445 A1 JPWO2009084445 A1 JP WO2009084445A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- multilayer film
- manufacturing
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 79
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 76
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 13
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
磁性層を含む多層膜を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、酸素原子を含むエッチングガスを用いた上記多層膜のエッチングの際にTaマスク表面に生成したTaOxの剥離を防止する。磁性層を含む多層膜を酸素原子を含むエッチングガスでドライエッチングする際に用いるTaマスクの、スパッタリングによる成膜時のArのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定する。
Description
本発明は、Taをマスクとした酸素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチング方法に関する。特に、被エッチング材料が磁性層を含む多層膜で、該磁性層を含む多層膜から構成される磁気抵抗効果素子の製造方法と、該製造方法で製造された磁気抵抗効果素子に関する。さらに、該磁気抵抗効果素子の製造装置に関する。
MRAM(Magnetic Random Access Memory)や磁気ヘッドのセンサに用いられている磁気抵抗効果素子は、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜をドライエッチングにより微細加工して製造される。磁性層を含む多層膜のドライエッチング方法としては、メタノールをエッチングガスとして使用した場合、腐食性のあるNH3などを使用しないため、エッチング後のアフターコロージョン処理が不要で、エッチング装置に対する耐腐食性を考慮する必要がない。
また、COやNH3といった毒性のあるエッチングガスを使用していないため排ガス処理の設備が不要となる。
例えば、メタノール(CH3OH)のように酸素原子を含むエッチングガスを用いた場合、Taのような高融点金属からなるマスクは、表面がエッチングガス中の酸素により酸化され、TaOxとなってエッチング速度が低下する。そのため、Taのような高融点金属からなるマスクはマスク材として充分な選択比が得られる。また、磁気抵抗効果素子を構成する下地層としてTaを使用することにより、このTaからなる下地層を、エッチングのストッパー層として用いることもでき、磁気抵抗効果素子の製造工程を効率的なものにしている。
また、Taからなるマスクは、磁性層を含む多層膜上に他の磁性層と同一工程上のスパッタリング法で積層することができる利点がある(特許文献1参照)。
表面が酸化したTa膜はそのまま保護層として用いられるが、磁性層を含む多層膜のエッチングガスがメタノールのように酸素原子を含む場合、Taからなるマスクの表面がTaOxに変質する際に膜の応力が変化する。この応力変化は圧縮側に働くことがあり、TaOxの剥離を引き起こしてしまい、精度のよい微細加工が困難になることから製品の歩留まりを著しく低下させてしまうという問題があった。
本発明の課題は、磁気抵抗効果素子の製造において、酸素原子を含むエッチングガスを用いた磁性層を含む多層膜のエッチングの際にTaマスク表面に生成したTaOxの剥離を防止することにある。具体的には、TaOxの剥離のないTaマスクを用いたドライエッチング方法、該ドライエッチング方法を含む磁気抵抗効果素子の製造方法と、該製造方法を実施し得る製造装置を提供する。
本発明の第1は、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングにより、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜上に成膜したTa層をマスクとし、かつ、酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。
本発明の第2は、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜に、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングによりTaからなるマスクを成膜する成膜工程と、
酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
本発明の第3は、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜を備え、上記本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子である。
本発明の第4は、スパッタリング法により成膜可能な成膜手段と、
ドライエッチング可能なエッチング手段と、
成膜手段及びエッチング手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記成膜手段により、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜をスパッタリングにより形成する工程と、
前記成膜手段により、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定してTaからなるマスクを前記多層膜に成膜する工程と、
前記エッチング手段により、酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、を前記成膜手段及びエッチング手段に実行させることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置である。
ドライエッチング可能なエッチング手段と、
成膜手段及びエッチング手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記成膜手段により、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜をスパッタリングにより形成する工程と、
前記成膜手段により、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定してTaからなるマスクを前記多層膜に成膜する工程と、
前記エッチング手段により、酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、を前記成膜手段及びエッチング手段に実行させることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置である。
本発明によれば、成膜時のArのガス圧力を所定の範囲に設定することでTaからなるマスクの応力を−1000MPa乃至1000MPaの範囲に抑えることができる。
その結果、酸素原子が含まれるエッチングガスにより磁性層を含む多層膜をエッチングしても、マスク表面に生成したTaOxが剥離することなく精度のよい微細加工が行われるため、良好な磁気抵抗効果素子が得られる。
1 Ta膜
2 Al膜
3 Ta膜
4 PtMnからなる反強磁性層
5 CoFeからなるピン層
6 Al2O3からなる絶縁層
7 CoFeからなるフリー層
8 NiFe層
9 Ta膜
9a Taマスク
10 レジスト
11 排気系
12 基板ホルダー
12a 回転機構
13,14 カソード
13a,14a Taターゲット
13b,14b 磁石ユニット
13c,14c シャッタ
15 ゲートバルブ
16 基板
17 ガス導入系
17a 配管
17b 流量調整器
18 成膜チャンバー
20 基板ホルダー
21 排気系
22 側壁用磁石
23 ガス導入系
23a,23d,23f バルブ
23b 配管
23c ボンベ
23e 流量調整器
24 誘電体壁容器
25 アンテナ
26 伝送路
27 プラズマ用高周波電源
28,29 電磁石
30 バイアス用高周波電源
33 真空容器
2 Al膜
3 Ta膜
4 PtMnからなる反強磁性層
5 CoFeからなるピン層
6 Al2O3からなる絶縁層
7 CoFeからなるフリー層
8 NiFe層
9 Ta膜
9a Taマスク
10 レジスト
11 排気系
12 基板ホルダー
12a 回転機構
13,14 カソード
13a,14a Taターゲット
13b,14b 磁石ユニット
13c,14c シャッタ
15 ゲートバルブ
16 基板
17 ガス導入系
17a 配管
17b 流量調整器
18 成膜チャンバー
20 基板ホルダー
21 排気系
22 側壁用磁石
23 ガス導入系
23a,23d,23f バルブ
23b 配管
23c ボンベ
23e 流量調整器
24 誘電体壁容器
25 アンテナ
26 伝送路
27 プラズマ用高周波電源
28,29 電磁石
30 バイアス用高周波電源
33 真空容器
以下に本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法について、TMR(Tunnel Magneto−Resistance Effect)素子を製造する場合を一例に挙げて説明する。
図1は、本発明に係る、磁性層を含む多層膜からなるTMR素子等の製造工程を示す断面模式図である。
先ず、基板16上に、Ta膜1、その上に下部電極であるAl膜2、その上に下地層であるTa膜3、PtMnからなる反強磁性層4、CoFeからなるピン層5、Al2O3からなる絶縁層6、CoFeからなるフリー層7を積層する。さらに、その上にシールド層であるNiFe層8、保護層であるTa膜9aを積層してなる構成を備えている。本発明においては、必要な膜を全てスパッタ装置により積層し、Arのガス圧力が0.1乃至0.4Paの条件下で最上層にTa膜9を積層する〔図1(a)〕。
ここで、図2に、図1(a)の多層膜を含む積層構成を作製するためのスパッタ装置の一例の構成を模式的に示す。
成膜チャンバー18は、内部を排気する排気系11と、成膜チャンバー18内の所定位置に被成膜の基板16を配置するための基板ホルダー12を備えている。さらに、成膜チャンバー18は、スパッタ放電を生じさせるための複数のカソード13,14と、各カソード13,14に電圧を印加するためのスパッタ電源(不図示)等を備えている。
成膜チャンバー18は気密な真空容器であり、基板16の出し入れを行うための開口を備えており、この開口はゲートバルブ15によって開閉される。尚、排気系11は、ターボ分子ポンプのような真空ポンプを備えており、チャンバー18を排気するようになっている。
成膜チャンバー18には、内部にガスを導入するガス導入系17が設けられている。ガス導入系17は、スパッタ率の高いスパッタ用ガスを導入するようになっており、具体的にはArガスが用いられている。配管17aには、バルブの他、流量調整器17bが設けられており、所定の流量で導入できるようになっている。
各カソード13,14は、マグネトロンスパッタリングを実現するためのカソード、即ち、マグネトロンカソードである。各カソード13,14は、例えば、Ta膜成膜のためのTaターゲット13a,14aと、その背後に設けられた磁石ユニット13b,14bとから主に構成されている。この場合、Ta膜をハードマスク作製用と他の用途で作製する場合で、使用するカソードを分けてもかまわない。
磁石ユニット13b,14bの詳細は図示されていないが、電界と磁界の直交関係を成立させて電子のマグネトロン運動を実現するためのものであり、中心磁石と、該中心磁石を取り囲む周辺磁石等から構成されている。
また、静止したTaターゲット13a,14aに対して磁石ユニット13b,14bを回転させてエロージョンを均一化させる、基板ホルダー12の回転機構12aが設けられる場合もある。
また、Taターゲット13a,14aの前方には、シャッタ13c,14cが設けられている。シャッタ13c,14cは、対応するカソード13,14が使用されていない時にはTaターゲット13a,14aを覆ってTaターゲット13a,14aの汚損等を防止するためのものである。
尚、図2においては、Ta膜作製用の二つのカソード13,14のみが図示されているが、実際にはTa膜作製用以外の材質のターゲット材を備えたカソードを含め、3以上のカソードが設けられる。
また、スパッタ装置は、基板を搬入/搬出するロボット等を配置した搬送系チャンバーと気密に接続した成膜チャンバー18を複数基備えた、いわゆるマルチチャンバータイプのスパッタ装置が設けられてもよい。
スパッタ電源(不図示)は、各カソード13,14に負の直流電圧又は高周波電圧を印加するものであり、各カソード13,14毎に設けられ、各カソード13,14への投入電力を独立して制御する制御部(不図示)が設けられている。
次に、図1において、最上層のTa膜9の後にレジスト10を積層し〔図1(b)〕、該レジスト10をマスクとしてTa膜9をCF4ガスでエッチングしてTaマスク9aを形成して微細加工のプロセスに移る〔図1(c)〕。
ここで、図3に示す装置が用いられるエッチングプロセスについて、図1(c)、(d)の工程を例に挙げて説明する。
図3は、TMR素子の磁性層を含む多層膜をエッチングにより微細加工するICP(Inductive Coupled Plasma)プラズマ源搭載のエッチング装置の一例を模式的に示す断面図である。
本発明においては、当該装置を用いることにより、例えばメタノール(CH3OH)を酸素原子を含むエッチングガスとして使用し、Taからなるマスクを積層した多層膜をエッチングすることができる。当該装置を用いたエッチング工程について説明する。
真空容器33内を排気系21によって排気し、ゲートバルブ(不図示)を開けて図1(b)の積層構成を有する基板16を真空容器33内に搬入し、基板ホルダー20に保持し、温度制御機構32により所定の温度に維持する。
次に、ガス導入系23を動作させ、CF4ガスを溜めているボンベ23cから配管23b、バルブ23a,23d,23f、流量調整器23eを介して、所定の流量のエッチングガス(CF4)を真空容器33内に導入する。導入されたエッチングガスは、真空容器33内を経由して誘電体壁容器24内に拡散する。ここで、真空容器33内にプラズマを発生させる。
プラズマを発生させる機構は、誘電体壁容器24と、誘電体壁容器24内に誘電磁界を発生する1ターンのアンテナ25と、プラズマ用高周波電源27と、誘電体壁容器24内に所定の磁界を所持させる電磁石28,29等とから構成されている。誘電体容器24は真空容器33に対して内部空間が連通するようにして気密に接続され、プラズマ用高周波電源27はアンテナ25に整合器(不図示)を介して伝送路26によって接続されている。
上記構成において、プラズマ用高周波電源27が発生させた高周波が伝送路26によってアンテナ25に供給された際に、1ターンのアンテナ25に電流が流れ、その結果、誘電体壁容器24の内部にプラズマが形成される。
尚、真空容器33の側壁の外側には、多数の側壁用磁石22が、真空容器33の側壁を望む面の磁極が隣り合う磁石同士で互いに異なるように周方向に多数並べて配置されている。これによってカスプ磁場が真空容器33の側壁の内面に沿って周方向に連なって形成され、真空容器33の側壁の内面へのプラズマの拡散が防止されている。
この時、同時に、バイアス用高周波電源30を作動させて、エッチング処理対象物である基板16に負の直流分の電圧であるセルフバイアス電圧が与えられ、プラズマから基板16の表面へのイオン入射エネルギーを制御している。前記のようにして形成されたプラズマが誘電体壁容器24から真空容器33内に拡散し、基板16の表面付近にまで達して、基板16の表面がエッチングされる〔図1(c)〕。
尚、CF4ガスを用いたTa膜9のエッチング条件は以下の通りである。
エッチングガス(CF4)の流量:326mg/min(50sccm)
ソース電力:500W
バイアス電力:70W
真空容器33内の圧力:0.8Pa
基板ホルダー20の温度:40℃
エッチングガス(CF4)の流量:326mg/min(50sccm)
ソース電力:500W
バイアス電力:70W
真空容器33内の圧力:0.8Pa
基板ホルダー20の温度:40℃
さらに、図3の装置において、メタノールをエッチングガスとして用い、Taマスク9aにより例えばPtMnからなる反強磁層4までをエッチングする〔図1(d)〕。当該プロセスは、前記のプロセスにおいて、ガス導入系23を動作させてCF4ガスをエッチングガスとして真空容器33内へ導入したプロセスを、エッチングガスとしてメタノールガス(不図示)を導入する以外は同様である。
図1の工程に従い、図2のスパッタ装置を用い、基板上にTa膜からシールド層であるNiFe層まで順次積層し、マスクとなるTa膜9成膜時のArのガス圧力を変化させてTa膜9を成膜した。
Ta膜9のスパッタによる、成膜時のArのガス圧力以外の条件は以下の通りである。
T/S間距離(基板とターゲット間の距離):260mm
基板温度:室温
投入電力:1kW
Ta膜の厚さ:100nm
T/S間距離(基板とターゲット間の距離):260mm
基板温度:室温
投入電力:1kW
Ta膜の厚さ:100nm
次に、成膜時にArのガス圧力を変化させたTa膜を、図3のエッチング装置により、メタノールをエッチングガスとして用いてエッチングをした。エッチング条件は以下の通りである。
エッチングガス(メタノール)の流量:18.75mg/min(15sccm)
ソース電力:1000W
バイアス電力:800W
真空容器33内の圧力:0.4Pa
基板ホルダー20の温度:40℃
エッチングガス(メタノール)の流量:18.75mg/min(15sccm)
ソース電力:1000W
バイアス電力:800W
真空容器33内の圧力:0.4Pa
基板ホルダー20の温度:40℃
尚、本実施例では、酸素を含むエッチングガスとしてメタノールを採用したが、マスクであるTa膜を酸化させてしまう他のエッチングガスに対しても適用することが可能であり、メタノールに限定されるものではない。
次に、エッチング後のTa膜9について、光学技術を応用した応力測定器を用いて、予め測定しておいた成膜前の基板及びTa膜成膜後の基板の応力と、メタノールエッチング後の基板の応力をそれぞれ測定した。そして、それらのデータから最終的なTa膜に関する応力を算出した。その結果を図4に示す。
その結果、エタノールガスにさらす前の成膜後の応力が、−1000MPa乃至1000MPa以内であれば、エッチング中に剥離を起こさないことが確認された。
よって、図4より、成膜時のArのガス圧力が0.1乃至0.4paであれば、マスク表面に生成したTaOx剥離が生じないことが確認された。
さらに、エタノールによるドライエッチング中に、マスクとしてのTaOxが剥離を起こすことなくマスクとしての機能が維持され、製品の歩留まりの低下は改善された。
【0002】
発明が解決しようとする課題
[0007]
表面が酸化したTa膜はそのまま保護層として用いられるが、磁性層を含む多層膜のエッチングガスがメタノールのように酸素原子を含む場合、Taからなるマスクの表面がTaOxに変質する際に膜の応力が変化する。この応力変化は圧縮側に働くことがあり、TaOxの剥離を引き起こしてしまい、精度のよい微細加工が困難になることから製品の歩留まりを著しく低下させてしまうという問題があった。
[0008]
本発明の課題は、磁気抵抗効果素子の製造において、酸素原子を含むエッチングガスを用いた磁性層を含む多層膜のエッチングの際にTaマスク表面に生成したTaOxの剥離を防止することにある。具体的には、TaOxの剥離のないTaマスクを用いたドライエッチング方法、該ドライエッチング方法を含む磁気抵抗効果素子の製造方法と、該製造方法を実施し得る製造装置を提供する。
課題を解決するための手段
[0009]
本発明の第1は、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングにより、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜上に成膜した応力が−1000MPa〜1000MPaのTa層をマスクとし、かつ、メタノールをエッチングガスとして用いて、前記多層膜をドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。
[0010]
本発明の第2は、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜上に、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングにより応力が−1000MPa〜1000MPaのTaからなるマスクを成膜する成膜工程と、
メタノールをエッチングガスとして用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
[0011]
本発明の第3は、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜を備え、上記本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子である。
[0012]
本発明の第4は、スパッタリング法により成膜可能な成膜手段と、
ドライエッチング可能なエッチング手段と、
成膜手段及びエッチング手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
発明が解決しようとする課題
[0007]
表面が酸化したTa膜はそのまま保護層として用いられるが、磁性層を含む多層膜のエッチングガスがメタノールのように酸素原子を含む場合、Taからなるマスクの表面がTaOxに変質する際に膜の応力が変化する。この応力変化は圧縮側に働くことがあり、TaOxの剥離を引き起こしてしまい、精度のよい微細加工が困難になることから製品の歩留まりを著しく低下させてしまうという問題があった。
[0008]
本発明の課題は、磁気抵抗効果素子の製造において、酸素原子を含むエッチングガスを用いた磁性層を含む多層膜のエッチングの際にTaマスク表面に生成したTaOxの剥離を防止することにある。具体的には、TaOxの剥離のないTaマスクを用いたドライエッチング方法、該ドライエッチング方法を含む磁気抵抗効果素子の製造方法と、該製造方法を実施し得る製造装置を提供する。
課題を解決するための手段
[0009]
本発明の第1は、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングにより、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜上に成膜した応力が−1000MPa〜1000MPaのTa層をマスクとし、かつ、メタノールをエッチングガスとして用いて、前記多層膜をドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。
[0010]
本発明の第2は、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜上に、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングにより応力が−1000MPa〜1000MPaのTaからなるマスクを成膜する成膜工程と、
メタノールをエッチングガスとして用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
[0011]
本発明の第3は、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜を備え、上記本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子である。
[0012]
本発明の第4は、スパッタリング法により成膜可能な成膜手段と、
ドライエッチング可能なエッチング手段と、
成膜手段及びエッチング手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
【0003】
前記成膜手段により、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜をスパッタリングにより形成する工程と、
前記成膜手段により、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定して応力が−1000MPa〜1000MPaのTaからなるマスクを前記多層膜上に成膜する工程と、
前記エッチング手段により、メタノールをエッチングガスとして用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、を前記成膜手段及びエッチング手段に実行させることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置である。
発明の効果
[0013]
本発明によれば、成膜時のArのガス圧力を所定の範囲に設定することでTaからなるマスクの応力を−1000MPa乃至1000MPaの範囲に抑えることができる。
[0014]
その結果、酸素原子が含まれるエッチングガスにより磁性層を含む多層膜をエッチングしても、マスク表面に生成したTaOxが剥離することなく精度のよい微細加工が行われるため、良好な磁気抵抗効果素子が得られる。
図面の簡単な説明
[0015]
[図1]本発明に係る、磁性層を含む多層膜の製造工程を示す断面模式図である。
[図2]本発明に係る、磁性層を含む多層膜を作製するためのスパッタ装置の一例の構成を示す断面模式図である。
[図3]本発明に係る、Ta膜及び磁性層を含む多層膜をドライエッチングするためのエッチング装置の一例の構成を示す断面模式図である。
[図4]本発明の実施例において、Arのガス圧力を変化させた時のTa膜の応力を示す図である。
符号の説明
[0016]
1 Ta膜
2 Al膜
3 Ta膜
4 PtMnからなる反強磁性層
5 CoFeからなるピン層
6 Al2O3からなる絶縁層
前記成膜手段により、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜をスパッタリングにより形成する工程と、
前記成膜手段により、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定して応力が−1000MPa〜1000MPaのTaからなるマスクを前記多層膜上に成膜する工程と、
前記エッチング手段により、メタノールをエッチングガスとして用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、を前記成膜手段及びエッチング手段に実行させることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置である。
発明の効果
[0013]
本発明によれば、成膜時のArのガス圧力を所定の範囲に設定することでTaからなるマスクの応力を−1000MPa乃至1000MPaの範囲に抑えることができる。
[0014]
その結果、酸素原子が含まれるエッチングガスにより磁性層を含む多層膜をエッチングしても、マスク表面に生成したTaOxが剥離することなく精度のよい微細加工が行われるため、良好な磁気抵抗効果素子が得られる。
図面の簡単な説明
[0015]
[図1]本発明に係る、磁性層を含む多層膜の製造工程を示す断面模式図である。
[図2]本発明に係る、磁性層を含む多層膜を作製するためのスパッタ装置の一例の構成を示す断面模式図である。
[図3]本発明に係る、Ta膜及び磁性層を含む多層膜をドライエッチングするためのエッチング装置の一例の構成を示す断面模式図である。
[図4]本発明の実施例において、Arのガス圧力を変化させた時のTa膜の応力を示す図である。
符号の説明
[0016]
1 Ta膜
2 Al膜
3 Ta膜
4 PtMnからなる反強磁性層
5 CoFeからなるピン層
6 Al2O3からなる絶縁層
【0009】
メタノールをエッチングガスとして用いてエッチングをした。エッチング条件は以下の通りである。
エッチングガス(メタノール)の流量:18.75mg/min(15sccm)
ソース電力:1000W
バイアス電力:800W
真空容器33内の圧力:0.4Pa
基板ホルダー20の温度:40℃
[0046]
尚、本実施例では、酸素を含むエッチングガスとしてメタノールを採用したが、マスクであるTa膜を酸化させてしまう他のエッチングガスに対しても適用することが可能であり、メタノールに限定されるものではない。
[0047]
次に、エッチング後のTa膜9について、光学技術を応用した応力測定器を用いて、予め測定しておいた成膜前の基板及びTa膜成膜後の基板の応力と、メタノールエッチング後の基板の応力をそれぞれ測定した。そして、それらのデータから最終的なTa膜に関する応力を算出した。その結果を図4に示す。
[0048]
その結果、メタノールガスにさらす前の成膜後の応力が、−1000MPa乃至1000MPa以内であれば、エッチング中に剥離を起こさないことが確認された。
[0049]
よって、図4より、成膜時のArのガス圧力が0.1乃至0.4Paであれば、マスク表面に生成したTaOx剥離が生じないことが確認された。
[0050]
さらに、メタノールによるドライエッチング中に、マスクとしてのTaOxが剥離を起こすことなくマスクとしての機能が維持され、製品の歩留まりの低下は改善された。
メタノールをエッチングガスとして用いてエッチングをした。エッチング条件は以下の通りである。
エッチングガス(メタノール)の流量:18.75mg/min(15sccm)
ソース電力:1000W
バイアス電力:800W
真空容器33内の圧力:0.4Pa
基板ホルダー20の温度:40℃
[0046]
尚、本実施例では、酸素を含むエッチングガスとしてメタノールを採用したが、マスクであるTa膜を酸化させてしまう他のエッチングガスに対しても適用することが可能であり、メタノールに限定されるものではない。
[0047]
次に、エッチング後のTa膜9について、光学技術を応用した応力測定器を用いて、予め測定しておいた成膜前の基板及びTa膜成膜後の基板の応力と、メタノールエッチング後の基板の応力をそれぞれ測定した。そして、それらのデータから最終的なTa膜に関する応力を算出した。その結果を図4に示す。
[0048]
その結果、メタノールガスにさらす前の成膜後の応力が、−1000MPa乃至1000MPa以内であれば、エッチング中に剥離を起こさないことが確認された。
[0049]
よって、図4より、成膜時のArのガス圧力が0.1乃至0.4Paであれば、マスク表面に生成したTaOx剥離が生じないことが確認された。
[0050]
さらに、メタノールによるドライエッチング中に、マスクとしてのTaOxが剥離を起こすことなくマスクとしての機能が維持され、製品の歩留まりの低下は改善された。
Claims (6)
- Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングにより、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜上に成膜したTa層をマスクとし、かつ、酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
- 前記酸素原子を含むエッチングガスが、メタノールであることを特徴とする請求項1記載のドライエッチング方法。
- 少なくとも2層の磁性層を含む多層膜に、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定したスパッタリングによりTaからなるマスクを成膜する成膜工程と、
酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記酸素原子を含むエッチングガスが、メタノールであることを特徴とする請求項3記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 少なくとも2層の磁性層を含む多層膜を備え、請求項3又は請求項4に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
- スパッタリング法により成膜可能な成膜手段と、
ドライエッチング可能なエッチング手段と、
成膜手段及びエッチング手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記成膜手段により、少なくとも2層の磁性層を含む多層膜をスパッタリングにより形成する工程と、
前記成膜手段により、Arのガス圧力を0.1乃至0.4Paに設定してTaからなるマスクを前記多層膜に成膜する工程と、
前記エッチング手段により、酸素原子を含むエッチングガスを用いて、前記多層膜をドライエッチングするエッチング工程と、を前記成膜手段及びエッチング手段に実行させることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007335702 | 2007-12-27 | ||
JP2007335702 | 2007-12-27 | ||
PCT/JP2008/073045 WO2009084445A1 (ja) | 2007-12-27 | 2008-12-18 | ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009084445A1 true JPWO2009084445A1 (ja) | 2011-05-19 |
Family
ID=40824165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009548001A Withdrawn JPWO2009084445A1 (ja) | 2007-12-27 | 2008-12-18 | ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100310902A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2009084445A1 (ja) |
WO (1) | WO2009084445A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8633117B1 (en) | 2012-11-07 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits |
JP2017033982A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 多層膜をエッチングする方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3433721B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2003-08-04 | ティーディーケイ株式会社 | ドライエッチング方法及び微細加工方法 |
JP4605554B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2011-01-05 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ドライエッチング用マスク材 |
US6737201B2 (en) * | 2000-11-22 | 2004-05-18 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and production method thereof as well as production method of semiconductor device |
JP3988041B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2007-10-10 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法 |
US7445810B2 (en) * | 2004-04-15 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of making a tantalum layer and apparatus using a tantalum layer |
US20060008749A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Frank Sobel | Method for manufacturing of a mask blank for EUV photolithography and mask blank |
JP2006060044A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US7381343B2 (en) * | 2005-07-08 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | Hard mask structure for patterning of materials |
JP4538064B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
2008
- 2008-12-18 WO PCT/JP2008/073045 patent/WO2009084445A1/ja active Application Filing
- 2008-12-18 JP JP2009548001A patent/JPWO2009084445A1/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-06-21 US US12/819,691 patent/US20100310902A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009084445A1 (ja) | 2009-07-09 |
US20100310902A1 (en) | 2010-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101517768B (zh) | 磁阻效应元件制造方法和用于制造磁阻效应元件的多腔设备 | |
US10157961B2 (en) | Method of manufacturing magnetoresistive element | |
JP5650760B2 (ja) | 製造装置 | |
JP5341082B2 (ja) | トンネル磁気抵抗素子の製造方法および製造装置 | |
JP4111274B2 (ja) | 磁性材料のドライエッチング方法 | |
US20110308544A1 (en) | Cleaning method of processing chamber of magnetic film, manufacturing method of magnetic device, and substrate treatment apparatus | |
TWI475646B (zh) | 磁性元件之製造方法、磁性元件之製造裝置、及磁性元件 | |
JP5689932B2 (ja) | トンネル磁気抵抗素子の製造方法 | |
JP2012222093A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法及び製造装置 | |
WO2009084445A1 (ja) | ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置 | |
JP2008226987A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置 | |
JP5639195B2 (ja) | 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法 | |
WO2009107485A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 | |
JP2006086468A (ja) | 磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置 | |
CN108231575B (zh) | 蚀刻方法 | |
WO2010038593A1 (ja) | ハードバイアス積層体の成膜装置および成膜方法、並びに磁気センサ積層体の製造装置および製造方法 | |
KR101602869B1 (ko) | 자기 저항 효과 소자의 제조 방법 및 제조 시스템 | |
JP5666248B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120302 |