JPWO2009028065A1 - イオン注入装置、基板クランプ機構、及びイオン注入方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 92
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2007—Holding mechanisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/201—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated for mounting multiple objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/204—Means for introducing and/or outputting objects
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
図1は、本実施形態に係るイオン注入装置の斜視図である。
図7〜図9は、ロボット48、54によりディスク18に半導体基板Wをロードする方法を示す模式図である。
次に、上記のようにして半導体基板Wがロードされたイオン注入装置1におけるイオン注入方法について説明する。
Claims (16)
- 第1の軸を中心にして回動するディスクと、
第2の軸を中心にして前記ディスク上で回動自在であり、錘付きホルダーが周囲に装着された基板が載せられるパッドと、
前記パッドの周囲の前記ディスクに固定された固定片と、
前記ディスクの回動運動により、自身の遠心力で該ディスク上をスライドして、前記固定片と協働して前記ホルダーをクランプするスライド片と、
前記基板にイオンビームを照射するイオンビーム発生部と、
を有することを特徴とするイオン注入装置。 - 前記スライド片を前記第1の軸側に付勢する付勢部材を更に有し、
前記ディスクが回動しているときに、前記スライド片が自身の遠心力によって前記付勢部材に対抗して前記ディスクの外周方向にスライドすることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。 - 前記スライド片は、前記固定片よりも前記第1の軸に近い部位における前記ディスクに設けられたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のイオン注入装置。
- 前記固定片と前記スライド片の少なくとも一方に、前記ホルダーの外周側面に当接して、前記第2の軸を中心にした前記ホルダーの回動を補助する回動リングが設けられたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のイオン注入装置。
- 前記固定片と前記スライド片の少なくとも一方は、前記ディスクの表面から突出したピンであることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のイオン注入装置。
- 前記パッドから前記基板を持ち上げて、該パッドと該基板との間に搬送ロボットが入る空間を作るリフトピンを更に有することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のイオン注入装置。
- 前記パッドに開口部が設けられ、
前記開口部を通じて前記リフトピンが前記パッドから前記基板を持ち上げることを特徴とする請求項6に記載のイオン注入装置。 - 前記基板の所定の位置に前記錘が位置するように、前記基板に前記ホルダーを装着するホルダー装着部を更に有することを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載のイオン注入装置。
- 前記ホルダー装着部は、前記基板のオリフラ又はノッチを所定の方向に合わせるアライナーと、前記アライナーにより向きが合わせられた前記基板に前記ホルダーを装着するロボットとを有することを特徴とする請求項8に記載のイオン注入装置。
- 前記ディスクに機械的に連結され、前記ディスクの回動面を水平面から鉛直面に起こすアームを更に有することを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載のイオン注入装置。
- 第1の軸を中心にして回動するディスクにおいて、第2の軸を中心にして回動自在に設けられ、錘付きホルダーが周囲に装着された基板が載せられるパッドと、
前記パッドの周囲の前記ディスクに固定された固定片と、
前記ディスクの回動運動により、自身の遠心力で該ディスク上をスライドして、前記固定片と協働して前記ホルダーをクランプするスライド片と、
を有することを特徴とする基板クランプ機構。 - 前記スライド片を前記第1の軸側に付勢する付勢部材を更に有し、
前記ディスクが回動しているときに、前記スライド片が自身の遠心力によって前記付勢部材に対抗して前記ディスクの外周方向にスライドすることを特徴とする請求項11に記載の基板クランプ機構。 - 前記固定片と前記スライド片の少なくとも一方に、前記ホルダーの外周側面に当接して、前記第2の軸を中心にした前記ホルダーの回動を補助する回動リングが設けられたことを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の基板クランプ機構。
- 錘付きホルダーが周囲に装着された基板を、ディスク上の回動自在なパッドに載せるステップと、
前記ディスクを回動させ、該ディスクに設けられたスライド片を自身の遠心力により前記ホルダーに押し当てることにより、前記スライド片と前記ディスクに固定された固定片とで前記ホルダーをクランプするステップと、
前記クランプの後、前記ディスクを回動させながら、前記基板にイオンビームを照射するステップと、
を有することを特徴とするイオン注入方法。 - 前記基板を前記基板に載せるステップの前に、前記基板の所定の位置に前記錘が位置するように、前記基板に前記ホルダーを装着するステップを更に有することを特徴とする請求項14に記載のイオン注入方法。
- 前記基板を前記パッドに載せるステップと、前記ホルダーをクランプするステップは、前記ディスクが水平面内で回動している状態で行われることを特徴とする請求項14又は請求項15に記載のイオン注入方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2007/066855 WO2009028065A1 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | イオン注入装置、基板クランプ機構、及びイオン注入方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009028065A1 true JPWO2009028065A1 (ja) | 2010-11-25 |
JP5035345B2 JP5035345B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=40386809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009529914A Expired - Fee Related JP5035345B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | イオン注入装置、基板クランプ機構、及びイオン注入方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8063388B2 (ja) |
JP (1) | JP5035345B2 (ja) |
WO (1) | WO2009028065A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2320454A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-11 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Substrate holder and clipping device |
FR2957193B1 (fr) | 2010-03-03 | 2012-04-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule a chemin de donnees sur substrat seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
US8508289B2 (en) | 2009-12-08 | 2013-08-13 | Soitec | Data-path cell on an SeOI substrate with a back control gate beneath the insulating layer |
FR2953641B1 (fr) | 2009-12-08 | 2012-02-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Circuit de transistors homogenes sur seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
FR2953643B1 (fr) | 2009-12-08 | 2012-07-27 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante |
FR2955195B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-03-09 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de comparaison de donnees dans une memoire adressable par contenu sur seoi |
FR2955204B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dram disposant d'un injecteur bipolaire vertical |
FR2955203B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-03-23 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dont le canal traverse une couche dielectrique enterree |
FR2955200B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif, et son procede de fabrication, disposant d'un contact entre regions semi-conductrices a travers une couche isolante enterree |
FR2957186B1 (fr) | 2010-03-08 | 2012-09-28 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire de type sram |
FR2957449B1 (fr) | 2010-03-11 | 2022-07-15 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Micro-amplificateur de lecture pour memoire |
FR2958441B1 (fr) | 2010-04-02 | 2012-07-13 | Soitec Silicon On Insulator | Circuit pseudo-inverseur sur seoi |
EP2378549A1 (en) | 2010-04-06 | 2011-10-19 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
EP2381470B1 (en) | 2010-04-22 | 2012-08-22 | Soitec | Semiconductor device comprising a field-effect transistor in a silicon-on-insulator structure |
US8746666B2 (en) | 2011-05-05 | 2014-06-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Media carrier |
US8633458B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-01-21 | Gtat Corporation | Ion implant apparatus and a method of implanting ions |
KR102640172B1 (ko) | 2019-07-03 | 2024-02-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법 |
US20230287561A1 (en) * | 2022-03-14 | 2023-09-14 | Applied Materials, Inc. | Variable Rotation Rate Batch Implanter |
CN117766366B (zh) * | 2023-12-27 | 2024-06-21 | 滁州华瑞微电子科技有限公司 | 一种半导体加工用离子注入设备 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391656U (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-18 | ||
JPH0676783A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
JP3003088B2 (ja) | 1994-06-10 | 2000-01-24 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
GB2349269A (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-25 | Applied Materials Inc | Ion implanter |
US6162008A (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer orientation sensor |
JP2004253756A (ja) | 2002-12-24 | 2004-09-09 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 基板搭載装置、搬送アーム、半導体ウェーハの位置決め方法、基板の検査装置、及び基板の検査方法 |
JP4362414B2 (ja) | 2003-12-18 | 2009-11-11 | 株式会社リコー | ワークセンタリング・クランプ装置、回転駆動装置及び電子ビーム露光装置 |
US7385208B2 (en) * | 2005-07-07 | 2008-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for implant dosage control |
-
2007
- 2007-08-30 JP JP2009529914A patent/JP5035345B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-30 WO PCT/JP2007/066855 patent/WO2009028065A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-02-09 US US12/702,779 patent/US8063388B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100133449A1 (en) | 2010-06-03 |
WO2009028065A1 (ja) | 2009-03-05 |
JP5035345B2 (ja) | 2012-09-26 |
US8063388B2 (en) | 2011-11-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5035345 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |