JPWO2008016047A1 - 膜形成方法および膜形成装置 - Google Patents
膜形成方法および膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008016047A1 JPWO2008016047A1 JP2008527758A JP2008527758A JPWO2008016047A1 JP WO2008016047 A1 JPWO2008016047 A1 JP WO2008016047A1 JP 2008527758 A JP2008527758 A JP 2008527758A JP 2008527758 A JP2008527758 A JP 2008527758A JP WO2008016047 A1 JPWO2008016047 A1 JP WO2008016047A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pzt
- chamber
- gas
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 144
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 61
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 6
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 etc. Inorganic materials 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/65—Electrodes comprising a noble metal or a noble metal oxide, e.g. platinum (Pt), ruthenium (Ru), ruthenium dioxide (RuO2), iridium (Ir), iridium dioxide (IrO2)
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/441—Alkoxides, e.g. methoxide, tert-butoxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/787—Oriented grains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
（１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜上に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を主成分とする結晶性膜を積層形成する方法であって、前記下地膜の表面を還元処理する工程と；前記下地膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する工程と；を有する膜形成方法。
Description
本発明は、膜形成方法および膜形成装置に関する。
本願は、２００６年８月２日に、日本に出願された特願２００６−２１１０９１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２００６年８月２日に、日本に出願された特願２００６−２１１０９１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
ペロブスカイト構造を有するジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３；ＰＺＴ）のうち（００１）配向した結晶性膜は、優れた圧電効果を示すため、圧電素子を構成する圧電体膜としての利用が検討されている。この（００１）配向したＰＺＴ（ＰＺＴ（００１）という）からなる圧電体膜の製造方法として、ステップカバレッジに優れた有機金属化学気相蒸着（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）法の採用が検討されている。ＭＯＣＶＤ法は、薄膜原料を高温中で反応させて基板上に成膜するＣＶＤプロセスのうち、特にその原料に有機金属を用いる方法であり、有機金属ガスと酸化ガスとを反応させて成膜するものである。
しかしながら、ＩｒやＰｔ等からなる下部電極膜（下地膜）の表面にＰＺＴを成膜しても、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）には優先配向せず、ＰＺＴ（１１１）やＰＺＴ（１１０）、ＰＺＴ（１０１）などを含んだランダム配向になってしまう（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２４１０１号公報
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）に優先配向させることが可能な膜形成方法および膜形成装置の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は以下の手段を採用している。すなわち、本発明の膜形成方法は、（１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜上に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を主成分とする結晶性膜を積層形成する方法であって、前記下地膜の表面を還元処理する工程と；前記下地膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する工程と；を有する。
上記の膜形成方法によれば、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を優先配向させることができる。
上記の膜形成方法によれば、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を優先配向させることができる。
前記還元処理は、前記ＭＯＣＶＤ法に供される有機金属の溶媒を用いて行ってもよい。
この場合、新たに還元ガスを導入する必要がないので、製造コストを低減することができる。
この場合、新たに還元ガスを導入する必要がないので、製造コストを低減することができる。
前記溶媒は、テトラヒドロフランであってもよい。
テトラヒドロフランは、有機金属の溶媒として好適であるだけでなく、優れた還元性を有する。したがって、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を優先配向させることができる。
テトラヒドロフランは、有機金属の溶媒として好適であるだけでなく、優れた還元性を有する。したがって、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を優先配向させることができる。
一方、本発明の膜形成装置は、（１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜が形成された基板上に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を主成分とする結晶性膜を形成する装置であって、前記下地膜の表面を還元処理する還元処理室と；前記下地膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する成膜室と；前記還元処理室から前記成膜室に前記基板を搬送する基板搬送室と；を備える。
上記の膜形成装置によれば、還元処理室で還元処理を行うと同時に、還元処理後の基板に対して成膜室で成膜処理を行うことが可能であり、膜形成を効率的に行うことができる。また、基板搬送室を中心として還元処理室および成膜室に基板を順次搬送することができるので、製造効率を向上させることができる。その際、基板を大気にさらすことがないので、基板に対する不純物の付着等を防止することができる。
上記の膜形成装置によれば、還元処理室で還元処理を行うと同時に、還元処理後の基板に対して成膜室で成膜処理を行うことが可能であり、膜形成を効率的に行うことができる。また、基板搬送室を中心として還元処理室および成膜室に基板を順次搬送することができるので、製造効率を向上させることができる。その際、基板を大気にさらすことがないので、基板に対する不純物の付着等を防止することができる。
前記成膜室におけるＭＯＣＶＤ工程に供される有機金属の溶媒が、前記還元処理室における還元処理工程にも供されてもよい。
この場合、新たに還元ガス供給手段を設ける必要がないので、製造コストを低減することができる。
この場合、新たに還元ガス供給手段を設ける必要がないので、製造コストを低減することができる。
本発明によれば、（１１１）配向した貴金属からなる下地膜の表面に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を優先配向させることができる。
１２ 下部電極膜（下地膜）
１５ 圧電体膜（結晶性膜）
９０ 膜形成装置
９２ 成膜室
９３ 基板搬送室
９４ 還元処理室
１５ 圧電体膜（結晶性膜）
９０ 膜形成装置
９２ 成膜室
９３ 基板搬送室
９４ 還元処理室
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
本実施形態に係る膜形成方法は、ＰＺＴ（００１）を主成分とする圧電体膜（結晶性膜）を形成するものであり、その圧電体膜は圧電素子に好適に用いられる。そこで、最初に圧電素子について説明する。
本実施形態に係る膜形成方法は、ＰＺＴ（００１）を主成分とする圧電体膜（結晶性膜）を形成するものであり、その圧電体膜は圧電素子に好適に用いられる。そこで、最初に圧電素子について説明する。
（圧電素子）
図１は、圧電素子の概略構成を示す断面図である。基板５の表面には、（１１１）配向したイリジウム（Ｉｒ（１１１）という）を主成分とする下部電極膜（下地膜）１２が形成されている。なお基板５と下部電極膜１２との間に、Ｔｉ等からなる密着層が形成されていてもよい。また下部電極膜１２の表面には、圧電体膜１５が形成されている。圧電体膜１５は、ペロブスカイト構造を有するジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３；ＰＺＴ）で構成され、特に大きな圧電特性を示すことから（００１）配向したＰＺＴで構成されている。その圧電体膜１５の表面には、Ｉｒ（１１１）等からなる上部電極膜１９が形成されている。
図１は、圧電素子の概略構成を示す断面図である。基板５の表面には、（１１１）配向したイリジウム（Ｉｒ（１１１）という）を主成分とする下部電極膜（下地膜）１２が形成されている。なお基板５と下部電極膜１２との間に、Ｔｉ等からなる密着層が形成されていてもよい。また下部電極膜１２の表面には、圧電体膜１５が形成されている。圧電体膜１５は、ペロブスカイト構造を有するジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３；ＰＺＴ）で構成され、特に大きな圧電特性を示すことから（００１）配向したＰＺＴで構成されている。その圧電体膜１５の表面には、Ｉｒ（１１１）等からなる上部電極膜１９が形成されている。
（膜形成装置）
次に、圧電素子を構成する圧電体膜の形成装置について説明する。この圧電体膜は、有機金属化学気相蒸着（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）法を用いて形成する。ＭＯＣＶＤ法は、薄膜原料を高温中で反応させて基板上に成膜するＣＶＤプロセスのうち、特にその原料に有機金属を用いる方法であり、有機金属ガスと酸化ガスとを反応させて成膜するものである。
図２は、膜形成装置の概略構成図である。この膜形成装置４０は、有機金属の有機溶媒溶液を供給する原料供給部４１と、その溶液を気化して原料ガスを生成する気化器４５と、その原料ガスと反応ガス等との混合ガスを生成する混合器４７と、混合ガスを基板５に吹き付けて成膜処理を行う成膜室５０とが、順に接続されたものである。
次に、圧電素子を構成する圧電体膜の形成装置について説明する。この圧電体膜は、有機金属化学気相蒸着（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）法を用いて形成する。ＭＯＣＶＤ法は、薄膜原料を高温中で反応させて基板上に成膜するＣＶＤプロセスのうち、特にその原料に有機金属を用いる方法であり、有機金属ガスと酸化ガスとを反応させて成膜するものである。
図２は、膜形成装置の概略構成図である。この膜形成装置４０は、有機金属の有機溶媒溶液を供給する原料供給部４１と、その溶液を気化して原料ガスを生成する気化器４５と、その原料ガスと反応ガス等との混合ガスを生成する混合器４７と、混合ガスを基板５に吹き付けて成膜処理を行う成膜室５０とが、順に接続されたものである。
原料供給部４１は、有機金属溶液および溶媒が充填されるタンクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄと、各タンクにＨｅガスを供給する供給配管４２と、各タンクから放出された有機金属溶液および溶媒を運搬するキャリアガスの供給配管４３とを備えている。Ｈｅガス供給配管４２からタンクにＨｅガスが供給されると、タンクの内部圧力が上昇し、タンクに充填されていた有機金属溶液および溶媒がキャリアガス供給配管４３に放出される。放出された有機金属溶液および溶媒の液滴は、Ｎ２ガス等のキャリアガスにより気化器４５に運搬される。
気化器４５は、有機金属溶液および溶媒の液滴を加熱して気化し、原料ガスを生成するものである。そのため、気化器４５は加熱手段（不図示）を備えている。なお、有機金属溶液および溶媒の液滴にガスや超音波等を当てる方法や、微細ノズルを介して予め微細化された液滴を導入する方法などを併用して、気化効率を向上させることが望ましい。
混合器４７は、生成された原料ガスと、反応ガスおよび／または希釈ガスとの混合ガスを生成するものである。そのため、混合器４７には反応ガス供給手段４８および／または希釈ガス供給手段４９が接続されている。反応ガス供給手段４８は、酸素ガスや一還元処理二窒素ガス、オゾンガス等の酸化ガスを供給するものである。また希釈ガス供給手段４９は、窒素ガスやアルゴンガス等を供給するものである。
成膜室５０は、原料ガスを含む混合ガスを導入して、基板５に圧電体膜を形成するものである。成膜室５０のチャンバ５１の天井面には、基板５に向かって混合ガスを噴出するシャワーノズル５４が設けられている。またチャンバ５１の内部には、基板５を載置するステージ５２が設けられている。このステージ５２はヒータ等の加熱手段（不図示）を備え、載置した基板５を加熱しうるようになっている。またチャンバ５１は、圧力調整バルブ５６を介して、ドライポンプやターボ分子ポンプ等を備えた排気システム５８に接続されている。
なお成膜室５０に対して、有機金属溶液を気化した原料ガスを供給することなく、有機金属の溶媒のみを気化した還元ガスのみを供給することも可能である。溶媒として利用されるＴＨＦ（テトラヒドロフラン）等は、還元性を有している。この還元ガスのみを供給することにより、圧電体膜の形成前に、下部電極膜の表面を還元処理することができる。これにより、成膜室５０において、下部電極の表面改質（還元）および圧電体膜の形成を続けて行うことが可能になる。しかも、還元処理に用いる還元ガスおよび成膜処理に用いる溶媒ガスを共用することができるので、製造コストを低減することができる。
図３は、膜形成装置の変形例の概略構成図である。この変形例に係る膜形成装置９０では、成膜室９２に加えて還元処理室９４が設けられている。この還元処理室９４は、圧電体膜の成膜前に、下部電極膜の表面を還元処理する機能を有する。そのため、還元処理室９４には還元ガス供給手段９５が接続されている。その還元ガスは成膜処理に用いる溶媒ガスでもあるため、還元ガス供給手段９５は成膜室９２にも接続されている。このように、還元処理室９４および成膜室９２で還元ガス供給手段９５を共用しうるようになっているので、製造コストを低減することができる。
還元処理室９４および成膜室９２は、ゲートバルブを介して基板搬送室９３に連結されている。その基板搬送室９３には、還元処理室９４および成膜室９２に対して基板の出し入れを行う基板搬送ロボット（不図示）が設けられている。また基板搬送室９３には、複数の基板カセット９８ａ，９８ｂを装着しうるようになっている。そのうち一方の基板カセットの基板に対して処理を行い、他方の基板カセットの基板を待機させることにより、無駄時間を省いて連続的な処理を行うことができる。
この膜形成装置９０では、還元処理室９４における還元処理と並行して、還元処理後の基板に対して成膜室９２で成膜処理を行うことが可能であり、膜形成を効率的に行うことができる。また、基板搬送室９３を中心として基板カセット９８、還元処理室９４および成膜室９２に対して基板を順次搬送することができるので、製造効率を向上させることができる。その際、基板を大気にさらすことがないので、基板に対する不純物の付着等を防止することができる。
なお還元処理室９４は、膜形成装置９０の外部に設けられていてもよい。この場合でも、外部の還元処理室９４における還元処理と並行して、還元処理後の基板に対して内部の成膜室９２で成膜処理を行うことが可能であり、膜形成を効率的に行うことができる。
（膜形成方法）
次に、本実施形態に係る膜形成方法について説明する。本実施形態に係る膜形成方法は、Ｉｒ（１１１）を主成分とする下部電極膜１２の表面を還元処理する工程と、その下部電極膜１２の表面に、ＭＯＣＶＤ法により、ＰＺＴ（００１）を主成分とする圧電体膜１５を形成する工程と、を有するものである。
次に、本実施形態に係る膜形成方法について説明する。本実施形態に係る膜形成方法は、Ｉｒ（１１１）を主成分とする下部電極膜１２の表面を還元処理する工程と、その下部電極膜１２の表面に、ＭＯＣＶＤ法により、ＰＺＴ（００１）を主成分とする圧電体膜１５を形成する工程と、を有するものである。
まず図１に示すように、基板５の表面に、Ｉｒ（１１１）を主成分とする下部電極膜１２を厚さ約７０ｎｍに形成する。例えば、基板５を５００℃以上に加熱しつつスパッタ法等を行うことにより、Ｉｒ（１１１）を主成分とする下部電極膜１２を形成することが可能である。また、室温でスパッタ法等を行ってＩｒの非晶質膜を形成し、その非晶質膜を高速熱アニール（Rapid Thermal Annealing；ＲＴＡ）装置等で５００℃以上に加熱して結晶化させ、Ｉｒ（１１１）を主成分とする下部電極膜１２を形成することも可能である。なおＩｒ（１１１）に代えて、（１１１）配向したＰｔ等の貴金属を主成分とする下部電極膜を形成してもよい。
次に、下部電極膜１２の表面を改質（還元）処理する。具体的には、下部電極膜１２が形成された基板を、図２に示す成膜室５０のステージ５２上に載置する。なお原料供給部４１のタンクＢ〜Ｄには有機金属溶液が充填され、タンクＡにはその溶媒のみが充填されている。そこで、タンクＡから溶媒のみを気化器４５に供給し、還元ガスを生成する。この還元ガスを混合器４７に供給し、さらに成膜室５４に供給する。これにより、成膜室５０のシャワーノズル５４から基板５に向かって、還元ガスを所定時間フローする。この場合、例えばチャンバ５１内の還元ガス濃度を９０％程度とし、チャンバ５１内の圧力を成膜時圧力である５Ｔｏｒｒ以上とする。また還元ガスのフロー中は、ステージ５２の加熱手段により、基板５を５００℃以上、好ましくは６００℃以上、より好ましくは６２０℃以上に加熱する。これにより、Ｉｒ（１１１）を主成分とする下部電極膜１２の表面が還元処理される。
次に、その下部電極膜１２の表面に、ＭＯＣＶＤ法により、ＰＺＴ（００１）を主成分とする圧電体膜１５を形成する。ＭＯＣＶＤ法は、薄膜原料を高温中で反応させて基板上に成膜するＣＶＤプロセスのうち、特にその原料に有機金属を用いる方法である。ＰＺＴの原料となる有機金属は、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉのうち少なくとも１つを含むものであり、Ｐｂ（ｔｈｄ）２（（ビス（2,2,6,6）テトラメチル（3,5）ヘプタンジオネート）鉛）、Ｚｒ（ｄｍｈｄ）４（（テトラキス（2,6）ジメチル（3,5）ヘプタンジオネート）ジルコニウム）、およびＴｉ（ｉＰｒＯ）２（ｔｈｄ）２（（ビスイソプロポキシド）（ビス（2,2,6,6）テトラメチル（3,5）ヘプタンジオネート）チタン）等を採用することが可能である。これらの有機金属を、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）等の有機溶媒に溶解して、濃度０．３ｍｏｌ／Ｌ程度の有機金属溶液を生成する。
この有機金属溶液が、図２に示す原料供給部４１のタンクＢ〜Ｄに充填され、その溶媒のみがタンクＡに充填されている。そこで、この有機金属溶液および溶媒を気化器４５に供給し、原料ガスを生成する。次に、この原料ガスを混合器４７に供給し、酸化ガスである酸素ガス（および希釈ガスである窒素ガス）との混合ガスを生成する。そして、この混合ガスを成膜室５０に供給し、シャワーノズル５４からチャンバ５１内に向かって噴出させる。これにより、基板５上の下部電極膜１２の表面に、ＰＺＴ（００１）を主成分とする圧電体膜が形成される。
なお圧電体膜は、下層膜および上層膜で構成してもよい。下層膜は、チャンバ内の酸素ガス濃度を約８．５％として、厚さ約５ｎｍに形成する。また上層膜は、チャンバ内の酸素ガス濃度を約８５％として、厚さ約９５ｎｍに形成する。なお下層膜および上層膜のＰＺＴの組成が、いずれもＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≒１．１７およびＺｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≒０．４５を満たすように、原料ガスの供給量を調整する。
ここで、下部電極膜の表面改質と、圧電体膜におけるＰＺＴ（００１）の配向強度との関係について考察する。
図４は、基板にフローするガスの種類を変化させた場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）強度のグラフである。上述したように、圧電体膜の成膜前に、下部電極膜の表面改質処理を行う。具体的には、下部電極膜が形成された基板を、図２に示す成膜室５０のステージ５２上に載置し、シャワーノズル５４から基板５に向かって、処理ガスを所定時間フローする。その処理ガスとして窒素ガスを２００秒間フローした場合には、下部電極膜の表面は改質されず、厚さ約０．５ｎｍの自然酸化膜が形成されるのみである。この場合、図４に示すように、ＰＺＴ（１１１）やＰＺＴ（００１），（１００）、ＰＺＴ（１０１），（１１０）等にランダム配向することがわかる。
図４は、基板にフローするガスの種類を変化させた場合におけるＸ線回折（ＸＲＤ）強度のグラフである。上述したように、圧電体膜の成膜前に、下部電極膜の表面改質処理を行う。具体的には、下部電極膜が形成された基板を、図２に示す成膜室５０のステージ５２上に載置し、シャワーノズル５４から基板５に向かって、処理ガスを所定時間フローする。その処理ガスとして窒素ガスを２００秒間フローした場合には、下部電極膜の表面は改質されず、厚さ約０．５ｎｍの自然酸化膜が形成されるのみである。この場合、図４に示すように、ＰＺＴ（１１１）やＰＺＴ（００１），（１００）、ＰＺＴ（１０１），（１１０）等にランダム配向することがわかる。
これに対して、処理ガスとして酸素ガスを６００秒間フローした場合には、下部電極膜の表面は酸化され、厚さ５ｎｍ程度のＩｒＯ２（２００）膜が形成される。この場合、図４に示すように、ＰＺＴ（００１），（１００）やＰＺＴ（１０１），（１１０）にはほとんど配向せず、ＰＺＴ（１１１）に優先配向することがわかる。
逆に、処理ガスとして還元ガスであるＴＨＦガスをフローした場合には、下部電極膜の表面は還元される。具体的には、まず窒素ガスを２００秒間フローし、次に窒素ガスおよびＴＨＦガスを６０秒間フローする。これにより、下部電極膜の表面に形成された自然酸化膜等が還元される。この場合、図４に示すように、ＰＺＴ（１１１）やＰＺＴ（１０１），（１１０）にはほとんど配向せず、ＰＺＴ（００１），（１００）に優先配向することがわかる。
以上に詳述したように、本実施形態に係る膜形成方法は、Ｉｒ（１１１）を主成分とする下部電極膜上に、ＰＺＴ（００１）を主成分とする圧電体膜を積層形成する方法であって、下部電極膜の表面を還元処理する工程と、その下部電極膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により圧電体膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。この構成によれば、ＰＺＴ（００１）の配向強度を増加させることができる。
また下部電極膜の表面の還元処理は、ＭＯＣＶＤ法に供される有機金属の溶媒を用いて行うので、新たに還元ガス供給手段を設ける必要がない。したがって、製造コストを低減することができる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、実施形態ではＰＺＴ（００１）の配向強度を増加させる場合について述べたが、同様にしてＰＺＴ（１００）の配向強度を増加させることも可能である。
例えば、ＰＺＴの原料となる有機金属として、上述した材料のほかに、Ｚｒ（ｄｈｄ）４（（テトラキス（2,2,6,6）テトラメチル（3,5）ヘプタンジオネート）ジルコニウム）、Ｚｒ（ＭＭＰ）４（（テトラキス（1）メトキシ（2）メチル（2）プロポキシ）ジルコニウム）、Ｔｉ（ＭＭＰ）４（（テトラキス（1）メトキシ（2）メチル（2）プロポキシ）チタン）、Ｚｒ（ｉＰｒＯ）２（ｔｈｄ）２（（ビスイソプロポキシド）（ビス（2,2,6,6）テトラメチル（3,5）ヘプタンジオネート）ジルコニウム）、Ｚｒ（ｉＰｒＯ）（ｔｈｄ）３（（イソプロポキシド）（トリス（2,2,6,6）テトラメチル（3,5）ヘプタンジオネート）ジルコニウム）、Ｚｒ（ｔｈｄ）（ｄｍｈｄ）３、Ｚｒ（ｔｈｄ）２（ｄｍｈｄ）２、Ｚｒ（ｔｈｄ）３（ｄｍｈｄ）のいずれか、またはこれらを混合したものを採用することも可能である。
また溶媒として、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）のほかに、ヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、オクタン、酢酸ブチルのいずれか、またはこれらを混合したものを採用することも可能である。
また溶媒として、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）のほかに、ヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、オクタン、酢酸ブチルのいずれか、またはこれらを混合したものを採用することも可能である。
ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）に優先配向させることが可能な膜形成方法および膜形成装置を提供することができる。
Claims (5)
- （１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜上に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を主成分とする結晶性膜を積層形成する方法であって、
前記下地膜の表面を還元処理する工程と；
前記下地膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する工程と；
を有することを特徴とする膜形成方法。 - 前記還元処理は、前記ＭＯＣＶＤ法に供される有機金属の溶媒を用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
- 前記溶媒は、テトラヒドロフランであることを特徴とする請求項２に記載の膜形成方法。
- （１１１）配向した貴金属を主成分とする下地膜が形成された基板上に、ＰＺＴ（００１）またはＰＺＴ（１００）を主成分とする結晶性膜を形成する装置であって、
前記下地膜の表面を還元処理する還元処理室と；
前記下地膜の表面に、ＭＯＣＶＤ法により前記結晶性膜を形成する成膜室と；
前記還元処理室から前記成膜室に前記基板を搬送する基板搬送室と；
を備えたことを特徴とする膜形成装置。 - 前記成膜室におけるＭＯＣＶＤ工程に供される有機金属の溶媒が、前記還元処理室における還元処理工程にも供されることを特徴とする請求項４に記載の膜形成装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006211091 | 2006-08-02 | ||
| JP2006211091 | 2006-08-02 | ||
| PCT/JP2007/064984 WO2008016047A1 (fr) | 2006-08-02 | 2007-07-31 | Procédé et dispositif de formation de film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2008016047A1 true JPWO2008016047A1 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=38997221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008527758A Pending JPWO2008016047A1 (ja) | 2006-08-02 | 2007-07-31 | 膜形成方法および膜形成装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090311417A1 (ja) |
| EP (1) | EP2053643A4 (ja) |
| JP (1) | JPWO2008016047A1 (ja) |
| KR (1) | KR20090035015A (ja) |
| TW (1) | TW200829512A (ja) |
| WO (1) | WO2008016047A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5552842B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置 |
| KR101408431B1 (ko) * | 2010-09-21 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 아루박 | 박막 제조 방법 및 박막 제조 장치 |
| WO2012049735A1 (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-19 | 株式会社アルバック | Ｐｚｔ薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| US20130320813A1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Tdk Corporation | Dielectric device |
| JP6263950B2 (ja) * | 2013-10-22 | 2018-01-24 | 株式会社リコー | 電気−機械変換素子とその製造方法及び電気−機械変換素子を備えた液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ並びに画像形成装置 |
| JP6274308B2 (ja) * | 2014-04-23 | 2018-02-07 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、圧電素子の製造方法、圧電アクチュエータ、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ |
| US20230235459A1 (en) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | Akoustis, Inc. | Apparatus for forming single crystal piezoelectric layers using low-vapor pressure metalorganic precursors in cvd reactors with temperature-controlled injector columns and methods of forming single crystal piezoelectric layers using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003257955A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 酸化還元反応の臨界状態を実現する方法およびその臨界状態を評価する方法ならびに強誘電体膜の製造方法および強誘電体膜の製造装置 |
| JP2004035971A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003257875A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および成膜方法 |
| JP2006211091A (ja) | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Casio Comput Co Ltd | 撮像素子の放熱構造及び撮像素子放熱構造を備えたデジタルカメラ並びにカメラ用冷却具とカメラの放熱方法 |
-
2007
- 2007-07-31 WO PCT/JP2007/064984 patent/WO2008016047A1/ja active Application Filing
- 2007-07-31 KR KR1020097003944A patent/KR20090035015A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-07-31 JP JP2008527758A patent/JPWO2008016047A1/ja active Pending
- 2007-07-31 EP EP07791669A patent/EP2053643A4/en not_active Withdrawn
- 2007-07-31 TW TW096128047A patent/TW200829512A/zh unknown
- 2007-07-31 US US12/376,038 patent/US20090311417A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003257955A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 酸化還元反応の臨界状態を実現する方法およびその臨界状態を評価する方法ならびに強誘電体膜の製造方法および強誘電体膜の製造装置 |
| JP2004035971A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2053643A1 (en) | 2009-04-29 |
| WO2008016047A1 (fr) | 2008-02-07 |
| TW200829512A (en) | 2008-07-16 |
| EP2053643A4 (en) | 2011-01-19 |
| US20090311417A1 (en) | 2009-12-17 |
| KR20090035015A (ko) | 2009-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5719849B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| US10043656B1 (en) | Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide | |
| JP5232647B2 (ja) | 膜形成方法および膜形成装置 | |
| JP3670628B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法 | |
| US8076251B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
| TWI542723B (zh) | The method of manufacturing a semiconductor device, a substrate processing apparatus and a recording medium | |
| JP2021027343A (ja) | 基材処理装置および方法 | |
| JPWO2008016047A1 (ja) | 膜形成方法および膜形成装置 | |
| TW511159B (en) | Method for forming thin film and apparatus for forming thin film | |
| US10253414B2 (en) | Liquid phase atomic layer deposition | |
| TW201144475A (en) | Plasma activated conformal film deposition | |
| JP2016058676A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP2008124474A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP5560344B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
| TWI420006B (zh) | 結晶取向之五氧化二鉭及其製造方法 | |
| WO2006134879A1 (ja) | 半導体装置の製造方法およびコンピュータ記憶媒体 | |
| JP2009129963A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び半導体装置の製造方法 | |
| EP1662556B1 (en) | Process for producing oxide thin film | |
| JPH059738A (ja) | 強誘電性セラミツクス薄膜の製造方法 | |
| JP2009158539A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005206874A (ja) | イリジウム含有膜形成材料及びイリジウム含有膜の製造方法 | |
| JP2013105832A (ja) | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 | |
| JP2014212249A (ja) | 基板加熱機構、成膜装置、サセプター |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130122 |